JP2015159210A - 扁平型コンデンサ、扁平型コンデンサの製造方法及び扁平型コンデンサを用いた画像入力光源装置 - Google Patents

Abstract

【課題】容量が大きい扁平型コンデンサを提供すること。
【解決手段】引出し端子２’を陰極箔１’の1つの陰極片１’−１に固定する。陰極箔１’は3つの陰極片１’−１、１’−２、１’−３によって構成される。陰極箔１’を陰極片１’−１、１’−２、１’−３毎につづら形状に織り込む。各陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４の上部中央には、陽極片と同一材料で突出したタブ３’ａが形成されている。引出し端子４’を最外側の陽極箔３’−１に固定する。タブ３’ａが形成された陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４及びセパレータ５’−１、５’−２、５’−３を陰極箔の各陰極片１’−１、１’−２、１’−３、１’−４を挟むようにして積層体を構成する。陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａを束ねて溶接部（もしくはかしめ部）６’により電気的かつ機械的に接続する。
【選択図】 図４

Description

本発明は扁平型コンデンサ、扁平型コンデンサの製造方法及び扁平型コンデンサを用いた画像入力光源装置に関する。

アルミ電解コンデンサ、電気二重層コンデンサ、導電性高分子コンデンサが、クセノン（Xe）ストロボ、発光ダイオード（LED）ストロボ、LEDトーチライト等の画像入力光源装置に用いられる場合には、小型化の利点を有する扁平型コンデンサとして構成される。

始めに、アルミ電解コンデンサ、電気二重層コンデンサ及び導電性高分子コンデンサを簡単に説明する。

アルミ電解コンデンサは、陽極として作用するアルミニウム陽極箔、アルミニウム陽極箔上に酸化により形成された酸化アルミニウム（Al₂O₃）誘電体、Al₂O₃誘電体に接触して陰極として作用する電解液、電解液に対してAl₂O₃誘電体と反対側に接触するアルミニウム陰極箔、及び電解液の保持／アルミニウム陽極箔・アルミニウム陰極箔の電気的短絡防止のための紙よりなるセパレータによって構成されている。電解液はエチレングリコール等の溶媒及びアンモニウム塩等の溶質よりなる。本明細書においては、アルミニウム陽極箔及びAl₂O₃誘電体を合わせて単に陽極箔とし、アルミニウム陰極箔を単に陰極箔とする。

電気二重層コンデンサは、陽極として作用する陽極活性炭、陽極活性炭を保持するアルミニウム陽極箔、陰極として作用する陰極活性炭、陰極活性炭を保持するアルミニウム陰極箔、電解液、及び電解液の保持／アルミニウム陽極箔・アルミニウム陰極箔の電気的短絡防止のための紙よりなるセパレータによって構成されている。電解液は、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート等のポリカーボネート系溶媒、テトラエチルアンモニウム塩の陽イオン、及び四フッ化ホウ酸イオン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミド等の陰イオンよりなる。尚、電圧バイアス時の電気二重層が誘電体の作用をするので、電気二重層コンデンサには誘電体材料は不要である。本明細書では、陽極活性炭及びアルミニウム陽極箔を合わせて単に陽極箔とし、陰極活性炭及びアルミニウム陰極箔を合わせて単に陰極箔とする。

導電性高分子コンデンサは、陽極として作用するアルミニウム陽極箔、アルミニウム陽極箔上に酸化により形成されたAl₂O₃誘電体、陰極として作用するカーボンを銀（Ag）ペーストで固めた陰極箔、及びポリピロール等の導電性高分子電解質によって構成されている。導電性高分子電解質は液体でないので、導電性高分子コンデンサにはセパレータは不要である。本明細書では、アルミニウム陽極箔及びAl₂O₃誘電体を合わせて単に陽極箔とする。

従来の扁平型コンデンサの製造方法を図９〜図１３を参照して説明する。

始めに、図９を参照すると、引出し端子２を陰極箔１の1つの陰極片１−１の中央から片寄った箇所に溶接もしくは導電性接着剤（図示せず）により固定する（第１の引出し端子固定工程）。尚、陰極箔１は複数たとえば3つの陰極片１−１、１−２、１−３により構成される。次に、陰極箔１を陰極片１−１、１−２、１−３毎につづら形状に織り込む（つづら形状形成工程）。

他方、図１０を参照すると、複数たとえば4つの陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４を準備し、引出し端子４−１、４−２、４−３、４−４を各陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４の中央から片寄った箇所に溶接もしくは導電性接着剤（図示せず）により固定する（第２の引出し端子固定工程）。また、陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４の間には電解液（図示せず）が浸み込んだ陰極箔１と同様につづら形状に織り込んだセパレータ５を準備する。尚、導電性高分子コンデンサの場合には、電解液が浸み込んだセパレータ５−１、５−２、５−３の代りに、導電性高分子電解質を準備する。

次に、図１１及び図１１のA-A線、B-B線、C-C線の断面図である図１２を参照すると、図１０に示す引出し端子４−１、４−２、４−３、４−４が固定された陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４及びセパレータ５−１、５−２、５−３を図９に示す陰極箔１の各陰極片１−１、１−２、１−３、１−４を挟むようにして積層体を構成する（電極箔挿入工程、セパレータ挿入工程）。尚、導電性高分子コンデンサの場合は、セパレータ挿入工程の代りに導電性高分子電解質挿入工程となる。次に、引出し端子４−１、４−２、４−３、４−４を束ねて溶接部（もしくはかしめ部）６により電気的かつ機械的に接続する（引出し端子束接続工程）。

最後に、図１３を参照すると、図１１、図１２に示す積層体を外装ケース７に封入する（外装封入工程）。引出し端子２を陰極端子８に導電性接着剤（図示せず）により接続し、引出し端子４を陽極端子９に導電性接着剤（図示せず）により接続する。次に、積層体、引出し端子２、４−１、４−２、４−３、４−４、陰極端子８、陽極端子９を樹脂１０によって封止し（樹脂封止工程）、扁平型コンデンサは完成する。

しかしながら、上述の従来の扁平型コンデンサにおいては、引出し端子４−１、４−２、４−３、４−４は比較的厚い金属よりなるので、引出し端子束接続工程における引出し端子４−１、４−２、４−３、４−４の束の溶接部（もしくはかしめ部）６は比較的広い面積を必要とする。この結果、陰極箔１、陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４の箔面積S1が小さくなり、体積当りの容量の効率が低いという課題がある。たとえば、外装ケース７のサイズ横×縦×高さが15.0mm×19.0mm×3.8mmとすれば、陰極箔１の陰極片１−１、１−２、１−３、陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４の各箔面積S1は12.5mm×14.0mmとなる。従って、陰極片、陽極箔が、それぞれ、7枚、8枚（図９〜図１３では3枚、4枚）とすれば、容量は19.5μFと小さくなる。この結果、容量が小さいという課題がある。

上述の課題を解決するために、本発明に係る扁平型コンデンサは、複数の電極片がつづら形状に織り込まれた第１の電極箔と第１の電極箔の電極片の両面もしくは一面に挿入された少なくとも２つの第２の電極箔とを具備し、各第２の電極箔は突出したタブを有し、各タブは束ねて電気的機械的に接続されたものである。

また、本発明に係る扁平型コンデンサの製造方法は、第１の電極箔をつづら形状に織り込んで複数の電極片を形成するつづら形状形成工程と、第１の電極箔の電極片の両面もしくは一面に、突出したタブを有する少なくとも２つの第２の電極箔を挿入する電極箔挿入工程と、第２の電極箔のタブを束ねて電気的機械的に接続するタブ束接続工程とを具備するものである。

さらに、本発明に係る画像入力光源装置は、上述の扁平型コンデンサと、発光ユニットとを具備し、発光ユニットは、発光部と、扁平型コンデンサに直列接続され、扁平型コンデンサを充電するための充電回路と、発光部に直列接続され、扁平型コンデンサを放電するための放電回路とを具備し、発光部と放電回路との直列回路は扁平型コンデンサに並列接続されたものである。

本発明によれば、引出し端子を束ねて電気的かつ機械的に接続する引出し端子束接続工程が不要となるので、電極箔の箔面積を大きくでき、この結果、容量を大きくできる。

本発明に係る扁平型コンデンサの第１の実施の形態の製造方法を説明するための陽極箔の斜視図である。 本発明に係る扁平型コンデンサの第１の実施の形態の製造方法を説明するための陽極箔の斜視図である。 本発明に係る扁平型コンデンサの第１の実施の形態の製造方法を説明するための陰極箔、陽極箔の積層体の斜視図である。 図３のA-A線、B-B線、C-C線断面図である。 本発明に係る扁平型コンデンサの第１の実施の形態の製造方法を説明するための外装ケース封止後の扁平型コンデンサの構造図である。 本発明に係る扁平型コンデンサの第２の実施の形態を示し、（Ａ）は下側扁平型コンデンサユニットの上面図、（Ｂ）は上側扁平型コンデンサユニットの上面図、（Ｃ）は（Ａ）の下側扁平型コンデンサユニット及び（Ｂ）の上側扁平型コンデンサユニットを積層した2セル型扁平型コンデンサを示す上面図、（Ｄ）は（Ｃ）のD-D線断面図である。 図１６の扁平型コンデンサの変更例を示し、（Ａ）は下側扁平型コンデンサユニットの上面図、（Ｂ）は上側扁平型コンデンサユニットの上面図、（Ｃ）は（Ａ）の下側扁平型コンデンサユニット及び（Ｂ）の上側扁平型コンデンサユニットを積層した2セル型扁平型コンデンサを示す上面図、（Ｄ）は（Ｃ）のD-D線断面図である。 本発明に係る扁平型コンデンサを用いた画像入力光源装置を示し、（Ａ）は全体斜視図、（Ｂ）は（Ａ）の発光ユニットの回路図である。 従来の扁平型コンデンサの製造方法を説明するための陽極箔の斜視図である。 従来の扁平型コンデンサの製造方法を説明するための陽極箔の斜視図である。 従来の扁平型コンデンサの製造方法を説明するための陰極箔、陽極箔の積層体の斜視図である。 図１１のA-A線、B-B線、C-C線断面図である。 従来の扁平型コンデンサの製造方法を説明するための外装ケース封止後の扁平型コンデンサの構造図である。

図１、図２、図３、図４、図５は扁平型コンデンサの第１の実施の形態の製造方法を説明するための図である。

始めに、図１を参照すると、図９の場合と同様に、引出し端子２’を陰極箔１’の1つの陰極片１’−１の中央から片寄った箇所に溶接もしくは導電性接着剤（図示せず）により固定する（第１の引出し端子固定工程）。尚、陰極箔１’は3つの陰極片１’−１、１’−２、１’−３によって構成される。次に、陰極箔１’を陰極片１’−１、１’−２、１’−３毎につづら形状に織り込む（つづら形状形成工程）。尚、陰極片１’−１、１’−２、１’−３は図９の陰極片１−１、１−２、１−３、１−４より少しだけ縦長であり、従って、引出し端子２’の陰極箔１’から突出した部分の長さは図９の引出し端子２の陰極箔１から突出した部分の長さより短い。

他方、図２を参照すると、複数たとえば4つの陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４を準備する。各陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４の上部中央には、陽極片と同一材料で突出したタブ３’ａが形成されている。引出し端子４’を最外側の陽極箔３’−１の中央から片寄った箇所に溶接もしくは導電性接着剤（図示せず）により固定する（第２の引出し端子固定工程）。また、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４の間には電解液（図示せず）が浸み込んだV字状に折り曲がった紙よりなる複数たとえば3つのセパレータ５’−１、５’−２、５’−３を準備する。この場合も、3つのセパレータ５’−１、５’−２、５’−３は6つのセパレータ片を構成する。尚、導電性高分子コンデンサの場合には、電解液が浸み込んだセパレータ５’−１、５’−２、５’−３の代りに、導電性高分子電解質を準備する。

図２においては、引出し端子４’を束ねて溶接もしくはかしめによって接続する引出し端子束接続工程が不要となったので、その分、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４は図１０の陽極箔３−１、３−２、３−３、３−４より少し縦長となる。このとき、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａは後述の外装ケース７内に収容される範囲であれば問題ない。尚、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４が縦長になった分、セパレータ５’−１、５’−２、５’−３も図１０のセパレータ５−１、５−２、５−３より少し縦長となり、また、上述のごとく、陰極箔１’の陰極片１’−１、１’−２、１’−３も縦長となる。

次に、図３及び図２のA-A線、B-B線、C-C線の断面図である図４を参照すると、図２に示すタブ３’ａが形成された陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４及びセパレータ５’−１、５’−２、５’−３を図９に示す陰極箔１’の各陰極片１’−１、１’−２、１’−３、１’−４を挟むようにして積層体を構成する（電極箔挿入工程、セパレータ挿入工程）。尚、導電性高分子コンデンサの場合は、セパレータ挿入工程の代りに導電性高分子挿入工程となる。次に、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａを束ねて溶接部（もしくはかしめ部）６’により電気的かつ機械的に接続する（タブ束接続工程）。

最後に、図５を参照すると、図３、図４に示す積層体を外装ケース７に封入する（外装封入工程）。この場合、外装ケース７には、陰極端子８及び陽極端子９が固定されており、引出し端子２’を陰極端子８に導電性接着剤（図示せず）により接続し、引出し端子４’を陽極端子９に導電性接着剤（図示せず）により接続する。次に、積層体、引出し端子２’、４’、陰極端子８’、陽極端子９’を樹脂１０によって封止し（樹脂封止工程）、扁平型コンデンサは完成する。

図５においては、引出し端子４’の溶接部（もしくはかしめ部）６は存在せず、しかも、引出し端子２’、４’はタブ３’ａ側に突出しているので、陰極箔１、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４の箔面積S2が大きくなる。たとえば、外装ケース７のサイズ横×縦×高さが15.0mm×19.0mm×3.8mmとすれば、陰極箔１’、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４の各箔面積S2は15.5mm×14.0mmとなる。従って、陰極片、陽極箔が、それぞれ、7枚、8枚（図１〜図５では3枚、4枚）とすれば、容量は24.0μFと大きくなる。この結果、図９〜図１３の従来の扁平型コンデンサに比較して容量を24%も増加させることができる。

図６は本発明に係る扁平型コンデンサの第２の実施の形態を示し、（Ａ）は下側扁平型コンデンサユニットCAの上面図、（Ｂ）は上側扁平型コンデンサユニットCBの上面図、（Ｃ）は（Ａ）の下側扁平型コンデンサユニットCA及び（Ｂ）の上側扁平型コンデンサユニットCBを積層した2セル型扁平型コンデンサを示す上面図、（Ｄ）は（Ｃ）のD-D線断面図である。

図６の（Ａ）に示す下側扁平型コンデンサユニットCAは、陽極側の引出し電極４’が存在しない点を除き、図３の扁平型コンデンサと同一である。また、図６の（Ｂ）に示す上側扁平型コンデンサユニットCBは、陰極側の引出し電極２’が存在せずかつ陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａの代りに陰極箔１’ のタブ１’ａを設けた点を除き、図３の扁平型コンデンサと同一である。

図６の（Ａ）に示す下側扁平型コンデンサユニットCA上に図６の（Ｂ）に示す上側扁平型コンデンサユニットCBを積層し、下側扁平型コンデンサユニットCAの陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａと上側扁平型コンデンサユニットCBの陰極箔１’ のタブ１’ａとを束ねて溶接部（もしくはかしめ部）６”により電気的かつ構造的に接続してバランス端子TBとする。これにより、図６の（Ｃ）、（Ｄ）に示す2セル型扁平型コンデンサが実現する。

図６においては、下側扁平型コンデンサユニットCAの引出し端子２’、上側扁平型コンデンサユニットCBの引出し端子４’及びバランス端子TBは同一側に配置されているので、陰極片１’−１、１’−２、１’−３及び陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４の各箔面積を大きくでき、従って、容量を大きくできる。

尚、図６に示す2セル型扁平型コンデンサを、3セル以上を直列接続した多セル型扁平型コンデンサに拡張することもできる。

上述の実施の形態においては、陰極端子８、陽極端子９への電気的接続を引出し端子２’、４’で行うことになるが、共に、図７に示すように、陰極箔１’ のタブ１’ａ、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａを陰極端子８、陽極端子９に接続してもよい。この場合、上側扁平型コンデンサユニットCBのタブ３’ａを束ねて溶接もしくはかしめによって接続するが、陽極箔３’−１、３’−２、３’−３、３’−４のタブ３’ａは薄く、従って、タブ３’ａの溶接部（もしくはかしめ部）６’”は広い面積を必要としない。尚、図７は図６の変更例を示し、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は図６の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に対応する。

図８は図５、図６の（Ｃ）もしくは図７の扁平型コンデンサを用いた画像入力光源装置を示し、（Ａ）は全体概観図、（Ｂ）は（Ａ）の発光ユニットの回路図である。

図８の（Ａ）において、画像入力光源装置は、図５、図６の（Ｃ）もしくは図７の扁平型コンデンサ８１及び発光ユニット８２よりなる。

発光ユニット８２は、発光部としてのクセノン（Ｘｅ）ガスを封入したＸｅ管８２１、Ｘｅ管８２１のトリガ電極に接続されたトリガ回路８２２、Ｘｅ管８２１に直列接続された放電回路としての絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）８２３、及び充電回路としての昇圧回路８２４を備えている。昇圧回路８２４は扁平型コンデンサ８１に直列接続され、他方、Ｘｅ管８２１及び放電トランジスタ８２２の直列回路は扁平型コンデンサ８１に並列接続されている。トリガ回路８２２、放電トランジスタ８２３及び昇圧回路８２４は制御回路８２５によって制御される。

制御回路８２５は、スマートフォン、携帯電話、パソコン、タブレット、ディジタルスチールカメラ、ディジタルビデオカメラ等の制御ＩＣ（ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ等）に接続されており、アナログ信号もしくはディジタル信号による通信により撮影時に本体と通信、同期する。従って、図８の画像入力光源装置はこれら本体の撮影時の補助電源として作用する。また、図８の画像入力光源装置はこれら本体と独立した筐体として配置することもできる。

図８の画像入力光源装置においては、始めに、制御回路８２５は充電信号Ｓ１を送出して昇圧回路トランジスタ８２４を駆動し、これにより、扁平型コンデンサ８１を高電圧Ｖ_ｐｐに充電する。次に、制御回路８２５は本体のシャッタ等に連動してトリガ信号Ｓ２を送出してトリガ回路８２２を駆動し、これにより、数ｋＶのトリガ電圧をＸｅ管８２１のトリガ電極に印加し、Ｘｅ管８２１のＸｅガスをイオン化してインピーダンスを低下させる。この状態で、制御回路８２５はさらに放電信号Ｓ３を送出して放電トランンジスタ８２３を駆動させ、これにより、Ｘｅ管８２１のイオン化したＸｅガスを放電させて発光させる。

図８に示す画像入力光源装置によれば、撮影に必要な露光量（ガイドナンバ）を増加させることができる。たとえば、図１３に示す扁平型コンデンサを用いた図８の画像入力光源装置の場合、ガイドナンバは３．０程度であるとき、図１３の扁平形コンデンサと同程度の外寸の図５に示す扁平型コンデンサを用いた図８の画像入力光源装置の場合、ガイドナンバは３．３程度と増加する。

尚、図８の画像入力光源装置はたとえばＬＥＤストロボ、ＬＥＤトーチライト等の他のモジュールにも適用できる。ＬＥＤストロボ、ＬＥＤトーチライトの場合、発光部としてＸｅ管の代わりにＬＥＤ素子を用いるので、トリガ回路は不要となる。

また、上述の実施の形態においては、陰極箔をつづら織りしているが、陽極箔をつづら織りしてもよい。さらにつづら織り込んで形成された電極箔の各電極片の両面に他の電極箔を挿入しているが、少なくとも２つ以上の他の電極箔を挿入すればよい。また、本発明は電解コンデンサだけではなく、電気二重層コンデンサ、導電性高分子コンデンサにも適用可能である。

さらに、本発明は上述の実施の形態の自明の範囲内のいかなる変更にも適用しうる。

１、１’：陰極箔
１−１、１−２、１−３、１’−１、１’−２、１’−３：陰極片
１’ａ：タブ
２−１、２−２、２−３、２−４、２’：引出し端子
３−１、３−２、３−３、３−４、３’−１、３’−２、３’−３、３’ −４：陽極箔
３’ａ：タブ
４−１、４−２、４−３、４−４、４’：引出し端子
５−１、５−２、５−３、５’−１、５’−２、５’−３：セパレータ
６、６’、６’’：溶接部（かしめ部）
８１：扁平型コンデンサ
８２：発光ユニット
８２１：Ｘｅ管
８２２：トリガ回路
８２３：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）
８２４：昇圧回路（充電回路）
８２５：制御回路
TB：バランス端子
CA：下側扁平型コンデンサユニット
CB：上側扁平型コンデンサユニット

Claims (17)

1. 複数の電極片がつづら形状に織り込まれた第１の電極箔と
   前記第１の電極箔の前記電極片の両面もしくは一面に挿入された少なくとも２つの第２の電極箔と
   を具備し、
   前記各第２の電極箔は突出したタブを有し、該各タブは束ねて電気的機械的に接続された扁平型コンデンサ。
2. さらに、前記第１の電極箔の１つの電極片に電気的機械的に固定され、前記タブ側に突出した第１の引出し端子を具備する請求項１に記載の扁平型コンデンサ。
3. さらに、前記第２の電極箔の１つに電気的機械的に固定され、前記タブ側に突出した第２の引出し端子を具備する請求項１に記載の扁平型コンデンサ。
4. 前記第１の電極箔の１つの電極片は引出し端子の作用する前記タブ側に突出した他のタブを有する請求項１に記載の扁平型コンデンサ。
5. 前記各第２の電極箔の電気的機械的に束ねられた前記各タブは引出し端子の作用をする請求項１に記載の扁平型コンデンサ。
6. さらに、
   前記第１の電極箔の前記各電極片と前記第２の電極箔との間に挿入された電解液含有のセパレータを具備する請求項１に記載の扁平型コンデンサ。
7. さらに、
   前記第１の電極箔の前記各電極片と前記第２の電極箔との間に挿入された導電性高分子電解質を具備する請求項１に記載の扁平型コンデンサ。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載の扁平型コンデンサをバランス端子を介して複数個直列に電気的に接続し、前記バランス端子は電極端子側に設けられた扁平型コンデンサ。
9. 第１の電極箔をつづら形状に織り込んで複数の電極片を形成するつづら形状形成工程と、
   前記第１の電極箔の前記電極片の両面もしくは一面に、突出したタブを有する少なくとも２つの第２の電極箔を挿入する電極箔挿入工程と、
   前記第２の電極箔のタブを束ねて電気的機械的に接続するタブ束接続工程と
   を具備する扁平型コンデンサの製造方法。
10. さらに、前記つづら形状形成工程の前に、
    前記第１の電極箔の１つの電極片に前記タブ側に突出した第１の引出し端子を固定する第１の引出し端子固定工程を具備する請求項９に記載の扁平型コンデンサの製造方法。
11. さらに、前記電極箔挿入工程の前に、
    前記第２の電極箔の１つに前記タブ側に突出した第２の引出し端子を固定する第２の引出し端子固定工程を具備する請求項９もしくは１０に記載の扁平型コンデンサの製造方法。
12. 前記第１の電極箔の１つの電極片は引出し端子の作用する前記タブ側に突出した他のタブを有する請求項９に記載の扁平型コンデンサの製造方法。
13. 前記各第２の電極箔の電気的機械的に束ねられた前記各タブは引出し端子の作用をする請求項９に記載の扁平型コンデンサの製造方法。
14. さらに、
    前記第１の電極箔の前記各電極片と前記第２の電極箔との間に電解液含有のセパレータを挿入するセパレータ挿入工程を具備する請求項９に記載の扁平型コンデンサの製造方法。
15. さらに、
    前記第１の電極箔の前記各電極片と前記第２の電極箔との間に導電性高分子電解質を挿入する導電性高分子電解質挿入工程を具備する請求項９に記載の扁平型コンデンサの製造方法。
16. 請求項１〜８のいずれかに記載の扁平型コンデンサと、
    発光ユニットと
    を具備し、
    前記発光ユニットは、
    発光部と、
    前記扁平型コンデンサに直列接続され、該扁平型コンデンサを充電するための充電回路と、
    前記発光部に直列接続され、前記扁平型コンデンサを放電するための放電回路と
    を具備し、
    前記発光部と前記放電回路との直列回路は前記扁平型コンデンサに並列接続された画像入力光源装置。
17. 前記発光部はクセノン管であり、
    さらに、前記クセノン管のトリガ電極にトリガ電圧を印加するためのトリガ回路を具備する請求項１６に記載の画像入力光源装置。
    

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