JP2015158956A - 磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】再生の分解能を向上させた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを含む磁気記録再生装置が提供される。磁気記録媒体は、複数のビットが設けられた記録面を含む。磁気ヘッドは、再生部を含む。再生部は、第1シールドと、第2シールドと、第1シールドと第2シールドとの間に設けられ磁化の方向が固定された第1磁性層と、第1磁性層と第2シールドとの間に設けられ磁化の方向が可変の第2磁性層と、第1シールドと第1磁性層との間に設けられ磁化の方向が可変の第3磁性層と、第2磁性層と第2シールドとの間に設けられ磁化の方向が可変の第4磁性層と、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられた中間層と、第1シールドと第3磁性層との間に設けられた第1非磁性層と、第4磁性層と前記第2シールドとの間に設けられた第2非磁性層と、を含む。第1シールドと第2シールドとの間の第1距離は、ビットの長さの3倍以上7倍以下である。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、磁気記録再生装置に関する。
例えば、スピンバルブ構造を有する磁気ヘッドがハードディスクドライブに用いられた磁気記録再生装置がある。このような磁気記録再生装置において、記録媒体の線記録密度の向上に伴い、再生の分解能を向上させることが望まれる。
本発明の実施形態は、再生の分解能を向上させた磁気記録再生装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、磁気記録媒体と、磁気ヘッドと、を含む磁気記録再生装置が提供される。前記磁気記録媒体は、それぞれが記録情報に応じた磁化の方向を有する複数のビットが設けられた記録面を含む。前記磁気ヘッドは、前記記録面と対向する媒体対向面を有し、前記磁化の方向を検出する再生部を含む。前記再生部は、第1シールドと、前記媒体対向面に対して平行な第1方向において前記第1シールドと離間した第2シールドと、前記第1シールドと前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が固定された第1磁性層と、前記第1磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第2磁性層と、前記第1シールドと前記第1磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3磁性層と、前記第2磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第4磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、前記第1シールドと前記第3磁性層との間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第1非磁性層と、前記第4磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第2非磁性層と、を含む。前記第1シールドと前記第2シールドとの間の第1距離は、前記第1方向に沿った前記複数のビットのそれぞれの長さの3倍以上7倍以下である。前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、2ナノメートル以下である。
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
(第1の実施形態)
図1(a)〜図1(c)は、第1の実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。
図1(a)は、模式的斜視図である。図1(a)においては、図を見易くするために、絶縁部分は省略され、要素の一部は互いに分離して描かれている。図1(b)は、図1(a)のA1−A2線断面図である。図1(c)は、図1(a)のB1−B2線断面図である。
図1(a)〜図1(c)は、第1の実施形態に係る磁気ヘッドを例示する模式図である。
図1(a)は、模式的斜視図である。図1(a)においては、図を見易くするために、絶縁部分は省略され、要素の一部は互いに分離して描かれている。図1(b)は、図1(a)のA1−A2線断面図である。図1(c)は、図1(a)のB1−B2線断面図である。
図1(a)〜図1(c)に表したように、再生部70(磁気抵抗効果素子210)は、第1シールド71と、第2シールド72と、第1ハードバイアス層10と、第2ハードバイアス層20と、積層体30と、を含む。第1ハードバイアス層10は、第1シールド71と第2シールド72との間に設けられる。
本実施形態に係る磁気ヘッド110は、例えば、磁気記録媒体と供に、磁気記録再生装置に用いられる。
本実施形態に係る磁気ヘッド110は、例えば、磁気記録媒体と供に、磁気記録再生装置に用いられる。
図2は、第1の実施形態に係る磁気ヘッドの構成を例示する模式的斜視図である。
図3は、第1の実施形態に係る磁気ヘッドを搭載するヘッドスライダの構成を例示する模式的斜視図である。
本実施形態に係る磁気ヘッドの構成の概要と動作の概要について図2及び図3を用いて説明する。
図3は、第1の実施形態に係る磁気ヘッドを搭載するヘッドスライダの構成を例示する模式的斜視図である。
本実施形態に係る磁気ヘッドの構成の概要と動作の概要について図2及び図3を用いて説明する。
図2に表したように、磁気ヘッド110は、再生部70(再生ヘッド部)を含む。この例では、磁気ヘッド110は、書き込み部60(書き込みヘッド部)をさらに含む。再生部70として、実施形態に係る磁気抵抗効果素子210が用いられる。
図2においては、再生部70(磁気抵抗効果素子210)に含まれる要素の一部が省略されている。
図2においては、再生部70(磁気抵抗効果素子210)に含まれる要素の一部が省略されている。
書き込み部60は、例えば、主磁極61と、書き込み部リターンパス62と、を含む。磁気ヘッド110において、書き込み部60は、例えば、スピントルク発振子63(STO:spin torque oscillator)などの、書き込み動作に関してアシストする部分をさらに含んでも良い。磁気ヘッド110において、書き込み部60は、任意の構成を有することができる。
再生部70には、例えば、積層体30と、第1シールド71と、第2シールド72と、が設けられる。
再生部70の各要素、及び、書き込み部60の各要素は、図示しない、例えばアルミナなどの絶縁体により分離される。
再生部70の各要素、及び、書き込み部60の各要素は、図示しない、例えばアルミナなどの絶縁体により分離される。
図3に表したように、磁気ヘッド110は、ヘッドスライダ3に搭載される。ヘッドスライダ3には、例えばAl2O3/TiCなどが用いられる。ヘッドスライダ3は、磁気ディスクなどの磁気記録媒体80の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体80に対して相対的に運動する。
ヘッドスライダ3は、例えば、空気流入側3Aと空気流出側3Bとを有する。磁気ヘッド110は、ヘッドスライダ3の空気流出側3Bの側面などに配置される。これにより、ヘッドスライダ3に搭載された磁気ヘッド110は、磁気記録媒体80の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体80に対して相対的に運動する。
図2に表したように、磁気記録媒体80は、例えば媒体基板82と、媒体基板82の上に設けられた磁気記録層81と、を有する。磁気記録媒体80は、媒体移動方向85に沿って、磁気ヘッド110に対して相対的に移動する。例えば、媒体移動方向85は、第1シールド71から第2シールド72へ向かう方向(第1方向)に対応する。
磁気記録層81は、複数のビット84を含む。すなわち、磁気記録媒体80は、記録面80sを有し、記録面80sに複数のビット84が設けられる。複数のビット84の少なくとも一部は、例えば、媒体移動方向85の方向において並ぶ。複数のビット84のそれぞれは、記録情報に応じた磁化の方向を有する。ビット84の媒体移動方向85に沿った長さが、ビット長Lbに対応する。すなわち、ビット長Lbは、第1方向に沿った複数のビット84のそれぞれの長さである。
ビット長は、例えば、再生信号とヘッド媒体の相対速度から確認することができる。または、ビット長Lbは、例えば、磁気力顕微鏡(MFM:Magnetic Force Microscopy)を用いて確認することができる。
図4は、磁気記録媒体を例示する模式図である。
図4は、磁気記録媒体80をMFMを用いて観察した像の模式図である。このように、ビット長Lbは、MFMを用いて磁気記録媒体80を観察することにより、測定することができる。
図4は、磁気記録媒体を例示する模式図である。
図4は、磁気記録媒体80をMFMを用いて観察した像の模式図である。このように、ビット長Lbは、MFMを用いて磁気記録媒体80を観察することにより、測定することができる。
ビット長Lbは、例えば10ナノメートル(nm)以上100nm以下である。磁気ヘッド110によって検出されるビット84のビット長Lbのうち、最も短いビット長Lbが最小ビット長Lbsである。最小ビット長Lbsは、例えば、6nm以上15nm以下である。例えば、磁気記録媒体80の記録密度は、2テラビット/平方インチ以上である。
書き込み部60から印加される磁界により、複数のビット84のそれぞれにおいて、磁化83が制御される。これにより書き込み動作が実施される。
再生部70は、磁気記録層81の磁化83の方向を検出する。再生部70は、磁化83の方向を検出するときに磁気記録媒体80に対向して配置される。再生部70は、記録面80sと対向する媒体対向面70s(ABS:Air Bearing Surface)を有する。磁気記録媒体80は、媒体移動方向85に沿って、磁気ヘッド110に対して相対的に移動する。これにより、再生動作が行われる。
第1シールド71から第2シールド72へ向かう積層方向(第1方向)をX軸方向とする。X軸方向に対して垂直な1つの方向をY軸方向とする。X軸方向に対して垂直でY軸方向に対して垂直な方向をZ軸方向とする。
第1方向は、例えば、媒体対向面70sに対して平行な方向である。第2シールド72は、第1方向において第1シールド71と離間している。
第2ハードバイアス層20は、第1シールド71と第2シールド72との間に設けられる。第2ハードバイアス層20は、積層方向(第1方向)と交差する第2方向において、第1ハードバイアス層10と離間する。第2方向は、例えば、Y軸方向である。
ここで、「積層」とは、複数の層が互いに接して重ねられる状態の他に、間に別の層が挿入されて重ねられる場合も含む。
図1(a)〜図1(c)に表したように、積層体30は、第1シールド71と第2シールド72との間において、第1ハードバイアス層10と第2ハードバイアス層20との間に設けられる。積層体30は、第1非磁性層31aと、第1干渉層32aと、磁化固定層33と、中間層37と、磁化自由層34と、第2干渉層32bと、第2非磁性層31bと、を含む。
第1非磁性層31aは、第1シールド71と第2シールド72との間において、第1ハードバイアス層10と第2ハードバイアス層20との間に設けられる。第1干渉層32a(第3磁性層)は、第1非磁性層31aと第2シールド72との間に設けられる。磁化固定層33(第1磁性層)は、第1干渉層32aと第2シールド72との間に設けられる。中間層37は、磁化固定層33と第2シールド72との間に設けられる。磁化自由層34(第2磁性層)は、中間層37と第2シールド72との間に設けられる。第2干渉層32b(第4磁性層)は、磁化自由層34と第2シールド72との間に設けられる。第2非磁性層31bは、第2干渉層32bと第2シールド72との間に設けられる。
すなわち、第1磁性層(磁化固定層33)は、第1シールド71と第2シールド72との間に設けられる。第2磁性層(磁化自由層34)は、第1磁性層と第2シールド72との間に設けられる。第3磁性層(第1干渉層32a)は、第1シールド層71と第1磁性層との間に設けられる。第4磁性層(第2干渉層32b)は、第2磁性層と第2シールド72との間に設けられる。中間層37は、第1磁性層と第2磁性層との間に設けられる。第1非磁性層31aは、第1シールド71と第3磁性層との間に設けられる。第2非磁性層31bは、第4磁性層と第2シールド72との間に設けられる。
すなわち、ハードバイアス層(第1ハードバイアス層10及び第2ハードバイアス層20)は、前記第1シールド71と前記第2シールド72との間において前記第1方向に対して垂直な平面内で磁化自由層34と並置される。
例えば、磁気抵抗効果素子210が磁気ヘッドに応用される場合、磁気抵抗効果素子210には、媒体対向面70sが設定される。積層体30の下面30aは、媒体対向面70sの側の面である。媒体対向面70sに、図示しない保護膜などが設けられても良い。例えば、保護膜には、非磁性材料であるカーボンを用いても良い。保護膜の厚さは、例えば、1ナノメートル(nm)以上3nm以下とされる。
本具体例では、X軸方向は、媒体対向面70sに対して平行である。このとき、「平行」は、X軸方向と媒体対向面70sとが厳密に平行である場合の他に、X軸方向が媒体対向面70sに対して小さい角度で傾斜している場合も含む。例えば、X軸方向は、媒体対向面70sに対してプラスマイナス10度以下で傾斜していても良い。なお、X軸方向は第1方向に一致する。
磁化固定層33には、例えば、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、FeCo合金、FeNi合金またはHeusler合金などの強磁性材料を用いることができる。磁化固定層33の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、例えば1nm以上10nm以下とされる。磁化固定層33の磁化の方向は、固定されている。
磁化自由層34には、例えば、Fe、Co、Ni、FeCo合金、FeNi合金またはHeusler合金などの強磁性材料を用いることができる。磁化自由層34の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、例えば1nm以上10nm以下とされる。磁化自由層34の磁化の方向は、可変である。
前記第1干渉層32a及び前記第2干渉層32bの少なくともいずれかは、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金及び鉄ニッケル合金の少なくともいずれか1つを含む。第1干渉層32aは、例えば、Fe、Co、Ni、FeCo合金及びFeNi合金の少なくともいずれかを含む。第2干渉層32bは、例えば、Fe、Co、Ni、FeCo合金及びFeNi合金の少なくともいずれかを含む。第1干渉層32aの厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、例えば、4nm以上20nm以下とされる。第1干渉層32a及び第2干渉層32bは、例えば、軟磁性である。第1干渉層32aの磁化の方向及び第2干渉層32bの磁化の方向は、外部磁界に応じて変化する。
第1非磁性層31aは、ルテニウム(Ru)、銅(Cu)及びタンタル(Ta)の少なくともいずれかを含む。第2非磁性層31bは、Ru、Cu及びTaの少なくともいずれかを含む。例えば、第1非磁性層31a及び第2非磁性層31bには、RuまたはCuが用いられる。第1非磁性層31aの厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、例えば、0.4nm以上2nm以下である。第2非磁性層31bの厚さは、例えば、0.4nm以上2nm以下である。これらの非磁性層は、例えば、導電性である。
第1干渉層32aと、磁化自由層34とは、磁気的に強く結合する。第1干渉層32aは、第1シールド71と、磁気的にゆるく結合する。第1干渉層32aの磁化と第1シールド71の磁化との交換結合エネルギーの絶対値は、例えば、0.05エルグ/平方センチメートル(erg/cm2)以上0.2erg/cm2以下である。第1干渉層32aと、第1シールド71との間の距離は、例えば、0.4nm以上2nm以下である。第1非磁性層31aによって、例えば、第1干渉層32aと第1シールド71との交換結合の強度が調整される。
第2干渉層32bと、磁化自由層34とは、静磁気的に結合する。第2干渉層32bは、第2シールド72と、磁気的にゆるく結合されている。第2干渉層32bの磁化と第2シールド72の磁化との交換結合エネルギーの絶対値は、例えば、0.05erg/cm2以上0.2erg/cm2以下である。第2干渉層32bと、第2シールド72との間の距離は、例えば、0.4nm以上2nm以下である。第2非磁性層31bによって、例えば、第2干渉層32bと第2シールド72との交換結合が調整される。
中間層37は、例えば、Mg、Al、O、Cu及びRuの少なくともいずれかを含む。
中間層37は、例えば、Mg、Al、O、Cu及びRuの少なくともいずれかを含む。
磁気抵抗効果素子210は、例えば、スピンバルブ構造である。この例では、トンネル磁気抵抗効果(Tunnel Magneto-Resistive effect:TMR)を利用している。磁気抵抗効果素子210の構造には、積層体30の積層方向に電流を流す(Current Perpendicular-to-Plane:CPP)CPP−TMRが用いられる。
具体的には、磁気抵抗効果素子210の電気抵抗によって、記録信号を検出する。第1シールド71及び第2シールド72を介して磁化自由層34に電圧が印加される。第1非磁性層31aと、第1干渉層32aと、磁化固定層33と、第2干渉層32bと、第2非磁性層31bと、を介して磁化自由層34に電流が通電される。磁化83の方向によって、磁化自由層34の磁化の方向が変化する。これにより、磁気抵抗効果素子210の電気抵抗が変化する。磁気抵抗効果素子210における抵抗を検出することで、磁気記録媒体80の磁化83の方向を検出し、再生動作が実施される。
例えば、Z軸方向は、ハイト方向である。X軸方向は、例えば、磁気記録媒体80の記録トラック進行方向(ダウントトラック方向、媒体移動方向85)に沿う。Y軸方向は、例えば、磁気記録媒体80の記録トラック幅方向(トラック幅方向)に沿う。トラック幅方向は、ビット幅を規定する。なお、書き込み部60は、再生部70と、例えば、X軸方向に沿って並ぶ。例えば、媒体移動方向85は、再生を行う磁気記録媒体80の相対位置によって、X軸方向に対してプラスマイナス20度以下で傾いている場合がある。従って、このときの「沿う」は、X軸方向が、媒体移動方向85に対して厳密に平行である場合の他に、例えばプラスマイナス20度以下で傾いている場合を含む。
例えば、第1シールド71は、第2シールド72側の第1シールド面71aを有する。第2シールド72は、第1シールド71側の第2シールド面72aを有する。第1シールド面71aと第2シールド面72aとの間の距離(第1シールド71と第2シールド72との間の距離)は、ギャップ長Lg(第1距離)に相当する。例えば、積層体30のX軸方向に沿った長さは、ギャップ長Lgに相当する。実施形態においては、ギャップ長Lgは、ビット長Lbの3倍以上7倍以下とされる。例えば、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの3倍以上7倍以下とされる。
本発明の実施形態においては、既に説明したように、第1干渉層32aと第2干渉層32bとが設けられる。これにより、再生の分解能を向上させた磁気記録再生装置が提供できる。
図5(a)及び図5(b)は、第1の実施形態に係る磁気ヘッドの特性を例示する模式的断面図である。
図5(a)に表したように、この例では、磁気記録層81のギャップ長Lgは、ビット長Lbの3倍である。例えば、ビット長Lbは、最小ビット長Lbsである。すなわち、積層体30の下面30aは、3つのビット84と対向する。
図5(a)に表したように、この例では、磁気記録層81のギャップ長Lgは、ビット長Lbの3倍である。例えば、ビット長Lbは、最小ビット長Lbsである。すなわち、積層体30の下面30aは、3つのビット84と対向する。
例えば、第1ビット84aが、第1干渉層32aとZ軸方向において離間して配置される。第2ビット84bが、第2干渉層32bとZ軸方向において離間して配置される。第1ビット84aと第2ビット84bとの間に第3ビット84cが配置される。
第1ビット84aにおける第1ビット磁化83aの方向と、第3ビット84cにおける第3ビット磁化83cの方向と、の角度は、例えば、180度である。第2ビット84bにおける第2ビット磁化83bの方向と、第3ビット磁化83cの方向と、の角度は、例えば、180度である。これらの角度は、厳密に180度である場合の他に、例えばプラスマイナス20度以下で傾いている場合を含む。
第1ビット磁化83aの方向、第2ビット磁化83bの方向、及び、第3ビット磁化83cの方向は、例えば、Z軸方向に沿う。
第1干渉層32a及び第2干渉層32bは、例えば、軟磁性である。第1干渉層32aにおける第1干渉磁化32amの方向は、第1ビット磁化83aの方向に沿う。第2干渉層32bにおける第2干渉磁化32bmの方向は、第2ビット磁化83bの方向に沿う。磁化自由層34における磁化(自由磁化34m)は、第3ビット磁化83cの方向に沿う。このときの「沿う」は、磁化の方向が、Z軸方向に対して厳密に平行である場合の他に、例えばプラスマイナス20度以下で傾いている場合を含む。
第1干渉層32a及び第2干渉層32bは、例えば、軟磁性である。第1干渉層32aにおける第1干渉磁化32amの方向は、第1ビット磁化83aの方向に沿う。第2干渉層32bにおける第2干渉磁化32bmの方向は、第2ビット磁化83bの方向に沿う。磁化自由層34における磁化(自由磁化34m)は、第3ビット磁化83cの方向に沿う。このときの「沿う」は、磁化の方向が、Z軸方向に対して厳密に平行である場合の他に、例えばプラスマイナス20度以下で傾いている場合を含む。
第1干渉磁化32am及び第2干渉磁化32bmによって生じる静磁界から、自由磁化34mの方向は、干渉を受ける。この例では、静磁界干渉によって、自由磁化34mの方向が第3ビット磁化83cの方向に沿うことが助長される。これにより、再生部70によって検出される出力が向上する。
図5(b)に表したように、この例では、磁気記録層81のビット長Lbは、ギャップ長Lgよりも大きい。ビット長Lbは、例えば、ギャップ長Lgの3倍以上である。積層体30の下面30aは、1つのビット84と対向する。第4ビット84dが、積層体30のとZ軸方向において離間して配置される。
第1干渉磁化32amの方向、第2干渉磁化32bmの方向、及び、自由磁化34mの方向は、例えば、第4ビット磁化83dの方向に沿う。このときの「沿う」は、磁化の方向が、Z軸方向に対して厳密に平行である場合の他に、例えばプラスマイナス20度以下で傾いている場合を含む。
第1干渉磁化32am及び第2干渉磁化32bmによって生じる静磁界から、自由磁化34mの方向は、干渉を受ける。この例では、静磁界干渉によって、自由磁化34mの方向が第4ビット磁化83dの方向に沿うことが阻害される。これにより、再生部70によって検出される出力は、低下する。
実施形態にかかる磁気記録再生装置においては、図5(a)に表したような、ビット長Lbが、ギャップ長Lgに対して、比較的短い場合において、出力を大きくすることができ、再生の分解能を向上させることができる。
図6は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図6は、実施形態に係る磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド110、及び、参考例の磁気ヘッド119の出力を示している。これらのデータは、シミュレーションによって得られる。
図6は、実施形態に係る磁気記録再生装置に用いられる磁気ヘッド110、及び、参考例の磁気ヘッド119の出力を示している。これらのデータは、シミュレーションによって得られる。
図6の横軸は、線記録密度Dr(kFCI:kilo flux changes per inch)である。例えば、線記録密度Drは、再生部70によって信号が検出される周波数と対応する。線記録密度Drが高くなると、周波数が高くなる。線記録密度Drは、ビット長Lbに依存する。例えば、線記録密度Drが2000kFCIにおけるビット長Lbが、最小ビット長Lbsに相当する。ただし、最小ビット長Lbs及び線記録密度Drは、これに限らない。例えば、線記録密度Drは、2000kFCIよりも大きくてもよく、小さくてもよい。
図5(a)に表した例では、ビット長Lbはギャップ長Lgに対して比較的短い。このとき、例えば、線記録密度Drは高く、検出の周波数は高い。図5(b)に表した例では、ビット長Lbはギャップ長Lgに対して比較的長い。このとき、例えば、線記録密度Drは低く、検出の周波数は低い。
図6の縦軸は、再生部70によって検出された出力Vo(ミリボルト・ピーク・ピーク)である。出力Voは、例えば一定の線密度で記録された媒体を再生した際に得られる電気信号波形において、極大値(正ピーク)の平均値と、極小値(負ピーク)の平均値と、の電位差(ミリボルト)である。
参考例の磁気ヘッド119においても、第1シールド、第2シールド、磁化自由層、中間層及び磁化固定層が設けられる。磁気ヘッド119には、第1干渉層32a、第2干渉層32b、第1非磁性層31a及び第2干渉層32bが設けられない。磁気ヘッド119のこれ以外の構成は、磁気ヘッド110と同様である。
中域周波数領域(例えば、線記録密度Drが500kFCI以上1500kFCI以下)において、磁気ヘッド110の出力Voは、参考例の磁気ヘッド119の出力Voよりも高い。低周波数領域(例えば、線記録密度Drが500kFCI以下)において、磁気ヘッド110の出力Voは、参考例の磁気ヘッド119の出力Voよりも低い。磁気ヘッドに干渉層を設ける。これにより、中域周波数の出力が強調され、再生の分解能を向上させることができる。
図7は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図7は、磁気ヘッド110及び120のノイズを示している。これらのデータはシミュレーションによって得られる。図7の横軸は線記録密度Drである。図7の縦軸は、ノイズN1(Vrms/√(FCI))である。
図7は、磁気ヘッド110及び120のノイズを示している。これらのデータはシミュレーションによって得られる。図7の横軸は線記録密度Drである。図7の縦軸は、ノイズN1(Vrms/√(FCI))である。
図7に表したように、磁気ヘッド110においては、低周波数領域におけるノイズが減少し、中域周波数におけるノイズが増加する。例えば、線記録密度Drが500kFCI以下の領域において、磁気ヘッド110のノイズN1は、磁気ヘッド119のノイズN1よりも小さい。例えば、線記録密度Drが800kFCI以上の領域において、磁気ヘッド110のノイズN1は、磁気ヘッド119のノイズN1よりも大きい。
例えば、磁気ヘッドの読み取り(信号検出)誤り率は、中域周波数以上の周波数における出力Voに依存する。また、読み取り誤り率は、低域周波数から高域周波数におけるノイズの積分値に依存する。
磁気ヘッド110のノイズの積分値は、磁気ヘッド119のノイズの積分値よりも小さい。さらに、中域周波数以上の周波数においては、磁気ヘッド110の出力Voは、磁気ヘッド119の出力Voよりも大きい。これにより、磁気ヘッド110において、再生特性及びSN比(信号雑音比)が大幅に向上する。
このように、磁気ヘッド110においては、ビット長Lbに対するギャップ長Lg(トータル厚み)によって、出力は影響を受ける。ビット長Lbに対するギャップ長Lgは、出力が強調される線記録密度Dr(周波数)との相関が強い。
図8は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図8は、実施形態に係る磁気ヘッド111、112及び113と、参考例の磁気ヘッド119の出力を示している。図8の縦軸は、出力Vo(mV)であり、図8の横軸は、線記録密度DrkFCIである。
図8は、実施形態に係る磁気ヘッド111、112及び113と、参考例の磁気ヘッド119の出力を示している。図8の縦軸は、出力Vo(mV)であり、図8の横軸は、線記録密度DrkFCIである。
磁気ヘッド111、112及び113のそれぞれには、磁気ヘッド110について説明した構成を適用できる。
磁気ヘッド111においては、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの4倍である。磁気ヘッド112においては、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの5倍である。磁気ヘッド113においては、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの7倍である。
この例では、最大線記録密度は、2000kFCIである。すなわち、線記録密度Drが2000kFCIである場合におけるビット長Lbが、最小ビット長Lbsに相当する。
磁気ヘッド111においては、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの4倍である。磁気ヘッド112においては、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの5倍である。磁気ヘッド113においては、ギャップ長Lgは、最小ビット長Lbsの7倍である。
この例では、最大線記録密度は、2000kFCIである。すなわち、線記録密度Drが2000kFCIである場合におけるビット長Lbが、最小ビット長Lbsに相当する。
図5(a)において説明したように、ギャップ長Lgがビット長Lbの3倍程度になったときに、出力が強調される。ギャップ長Lgの1/3倍程度のビット長Lbに対応する線記録密度Drにおける出力Voが強調される。
ギャップ長Lgが最小ビット長Lbsの4倍である場合、最小ビット長Lbsの4/3倍のビット長Lbにおける出力Voが強調される。すなわち、磁気ヘッド111においては、最大線記録密度の3/4倍の線記録密度における出力Voが強調される。
ギャップ長Lgが最小ビット長Lbsの5倍である場合、最小ビット長Lbsの5/3倍のビット長Lbにおける出力Voが強調される。すなわち、磁気ヘッド112においては、最大線記録密度の3/5倍の線記録密度における出力Voが強調される。
ギャップ長Lgが最小ビット長Lbsの7倍である場合、最小ビット長Lbsの7/3倍のビット長Lbにおける出力Voが強調される。すなわち、磁気ヘッド113においては、最大線記録密度の3/7倍の線記録密度における出力Voが強調される。
図9は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図9は、ギャップ長Lgに対する読み取り誤り率BERの依存性を示している。例えば、磁気ヘッド110において、ビット長Lb(例えば、最小ビット長Lbs)に対するギャップ長Lgを変化させる。図9の横軸は、ギャップ長Lgとビット長Lbとの比Rgである。すなわち、比Rg=(ギャップ長Lg)/(ビット長Lb)である。図9の縦軸は、読み取り誤り率BERの対数である。
図9は、ギャップ長Lgに対する読み取り誤り率BERの依存性を示している。例えば、磁気ヘッド110において、ビット長Lb(例えば、最小ビット長Lbs)に対するギャップ長Lgを変化させる。図9の横軸は、ギャップ長Lgとビット長Lbとの比Rgである。すなわち、比Rg=(ギャップ長Lg)/(ビット長Lb)である。図9の縦軸は、読み取り誤り率BERの対数である。
図9に表したように、比Rgが、例えば3以上7以下の領域において、読み取り誤り率BERが急激に小さくなる。このように、ギャップ長Lgをビット長Lbの3倍〜7倍程度とする。これにより、干渉層(第1〜2干渉層32a、32b)によって出力が強調される周波数と、読み取り誤り率BERに影響を与える出力の周波数と、が一致する。読み取り誤り率が急激に改善する。
第1及び第2干渉層32a、32bの磁気膜厚をある程度大きくする。これにより、第1干渉層32aと磁化自由層34との結合、及び、第2干渉層32bと磁化自由層34との結合が強くなる。磁気膜厚は、ある膜(層)の厚さと、飽和磁化との積である。
図10は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図10は、磁気ヘッド114、115及び119の出力Voの孤立再生波形を示している。図10の横軸は、ダウントラック方向に沿った位置Poである。この例では、位置Poが100nmから150nmの間において、出力の符号が変化する位置が、媒体磁化遷移位置Pt(磁気記録媒体80の磁化が遷移する位置)に対応する。位置Pt付近の領域が、媒体遷移領域Rtである。例えば、媒体遷移領域Rtは、位置Poが100nm以上150nm以下の領域である。
図10は、磁気ヘッド114、115及び119の出力Voの孤立再生波形を示している。図10の横軸は、ダウントラック方向に沿った位置Poである。この例では、位置Poが100nmから150nmの間において、出力の符号が変化する位置が、媒体磁化遷移位置Pt(磁気記録媒体80の磁化が遷移する位置)に対応する。位置Pt付近の領域が、媒体遷移領域Rtである。例えば、媒体遷移領域Rtは、位置Poが100nm以上150nm以下の領域である。
磁気ヘッド114には、磁気ヘッド110について説明した構成を適用できる。磁気ヘッド114においては、第1干渉層32aの磁気膜厚は、磁化自由層34の磁気膜厚の3倍である。第2干渉層32bの磁気膜厚は、磁化自由層34の磁気膜厚の3倍である。
磁気ヘッド115には、磁気ヘッド110について説明した構成を適用できる。磁気ヘッド115においては、第1干渉層32aの磁気膜厚は、磁化自由層34の磁気膜厚の4倍である。第2干渉層32bの磁気膜厚は、磁化自由層34の磁気膜厚の4倍である。
図10に表したように、参考例の磁気ヘッド119においては、例えば、位置Poが250nmの付近で出力Voは、ほぼ一定(ベースライン)である。ベースラインの出力は、例えば、ほぼ一様な磁界に対する出力に対応する。媒体遷移領域Rtにおいて急激に出力が変化する。位置Ptにおいてゼロとなる。磁気ヘッド119における孤立再生波形は、ほぼ方形波型である。
磁気ヘッド114及び磁気ヘッド115においては、磁化自由層34の磁化は、第1干渉層32aの磁化及び第2干渉層32bの磁化から干渉を受ける。これにより、ベースラインの出力(例えば、位置Poが250nmにおける出力)の絶対値が小さくなる。磁気ヘッド114におけるベースラインの出力の絶対値は、磁気ヘッド119におけるベースラインの出力の絶対値よりも小さい。磁気ヘッド115におけるベースラインの出力の絶対値は、磁気ヘッド119におけるベースラインの出力の絶対値よりも小さい。
例えば、干渉層の磁気膜厚が磁化自由層34の磁気膜厚の3倍である磁気ヘッド114においては、磁気記録媒体80からの一様な磁界は、干渉層からの磁界によって、キャンセルされる場合がある。例えば、磁気ヘッド114のベースラインの出力の絶対値は、ゼロに近い値となる。
干渉層の磁気膜厚が磁化自由層34の磁気膜厚の3倍以上となると、ベースラインでの出力が反転する。すなわち、干渉層の磁気膜厚が磁化自由層34の磁気膜厚の4倍である磁気ヘッド115におけるベースラインの出力の符号は、磁気ヘッド119におけるベースラインの出力の符号と、逆になる。
例えば、干渉層の磁気膜厚を磁化自由層34の磁気膜厚の4倍以上とすると、ベースラインにおける出力の値と、媒体遷移領域Rtにおける出力の最大値と、がほぼ同じになる場合がある。高密度で波形同士の干渉が大きくなった時に、読み取り誤り率BERに大きな影響を及ぼしてしまう場合がある。
図11は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図11は、干渉層の磁気膜厚と、読み取り誤り率BERと、の関係を示している。図11の横軸は、第1干渉層32aの磁気膜厚と、磁化自由層34の磁気膜厚と、の膜厚比Rmである。すなわち、膜厚比Rm=(第1干渉層32aの磁気膜厚)/(磁化自由層34の磁気膜厚)である。この例においては、第2干渉層32bの磁気膜厚は、第1干渉層32aの磁気膜厚と、同じに設定されている。
図11は、干渉層の磁気膜厚と、読み取り誤り率BERと、の関係を示している。図11の横軸は、第1干渉層32aの磁気膜厚と、磁化自由層34の磁気膜厚と、の膜厚比Rmである。すなわち、膜厚比Rm=(第1干渉層32aの磁気膜厚)/(磁化自由層34の磁気膜厚)である。この例においては、第2干渉層32bの磁気膜厚は、第1干渉層32aの磁気膜厚と、同じに設定されている。
図11に表したように、膜厚比Rmが2以上4以下の領域において読み取り誤り率BERが小さい。実施形態においては、第1干渉層32aの磁気膜厚は、例えば、磁化自由層34の磁気膜厚の2倍以上4倍以下とされる。第2干渉層32bの磁気膜厚は、例えば、磁化自由層34の磁気膜厚の2倍以上4倍以下とされる。これにより、読み取り誤り率BERを大きく改善させることができる。再生の分解能を向上させることができる。
第1干渉層32aの磁化、及び第2干渉層32bの磁化は、バイアス磁界によって、例えば、ゆるく固定される。これにより、例えば、大きなノイズの発生を抑制し、読み取り誤り率BERの急激な悪化を抑制することができる。
例えば、第1ハードバイアス層10及び第2ハードバイアス層20からのバイアス磁界が、第1干渉層32a及び第2干渉層32bにかかる。これにより、第1干渉層32aの磁化、及び第2干渉層32bの磁化はゆるく固定される。しかし、干渉層が大きな磁気膜厚を有している場合、干渉層がシールド(第1または第2シールド71、72)に近いためバイアス磁界がシールド方向に流れる。十分にバイアス磁界が干渉層に印加されない場合がある。第1ハードバイアス層10及び第2ハードバイアス層20による固定だけでは不十分な場合がある。
第1干渉層32aと、第1シールド71とを磁気的に結合する。第2干渉層32bと、第2シールド72と、を磁気的に結合する。これにより、第1干渉層32aの磁化、及び第2干渉層32bの磁化を、十分に固定することができる。
図12は、磁気ヘッドの特性を例示するグラフ図である。
図12は、第1非磁性層31aの厚さ31tと、交換結合エネルギーJ1の関係を例示している。図12の縦軸は、第1干渉層32aと第1シールド71との交換結合エネルギーJ1(erg/cm2)である。
図12は、第1非磁性層31aの厚さ31tと、交換結合エネルギーJ1の関係を例示している。図12の縦軸は、第1干渉層32aと第1シールド71との交換結合エネルギーJ1(erg/cm2)である。
第1非磁性層31aにRuを用いた場合に、交換結合は、強磁性的または反強磁性的である。第1非磁性層31aにCuを用いた場合に、交換結合は、例えば反強磁性的である。図12に表したように、Ruを用いた場合の交換結合エネルギーJRuは、第1非磁性層31aの厚さ31tが2nm以上において、小さい。Cuを用いた場合の交換結合エネルギーJCuは、第1非磁性層31aの厚さ31tが2nm以上において、小さい。実施形態においては、第1非磁性層31aの厚さは、2nm以下とする。
一方、交換結合エネルギーJ1が大きすぎる場合には、第1干渉層32aと第1シールド71との結合が強くなりすぎる。例えば、第1干渉層32aの磁化と第1シールド71の磁化とが一体とみなされる場合がある。この場合には、磁気ヘッドの出力が干渉層の磁化によって強調されにくい。例えば、交換結合エネルギーJ1の絶対値は、0.05以上0.2以下が好ましい。
第1非磁性層31aの厚さは、例えば、0.4nm以上2nm以下とされる。同様に、第2非磁性層31bの厚さも、例えば、0.4nm以上2nm以下とされる。第1非磁性層31aの厚さ及び第2非磁性層31bの厚さは、用いられる材料と、交換結合エネルギーJ1とを考慮して設定されることが好ましい。例えば、第1非磁性層31aにRuを用いた場合には、第1非磁性層31aの厚さは、1.6nm以上1.9nm以下とすることが好ましい。例えば、第1非磁性層31aにCuを用いた場合には、第1非磁性層31aの厚さは、1.0nm以上1.1nm以下、または、1.2nm以上1.7nm以下とすることが好ましい。これにより、磁化自由層34の磁化が第1干渉層32aの磁化及び第2干渉層32bの磁化によって干渉を受け、磁気ヘッド110の出力が強調される。再生の分解能を向上させることができる。
(第2の実施形態)
図13(a)及び図13(b)は、第2の実施形態に係る磁気ヘッドの構成を例示する模式的断面図である。
第2の実施形態に係る磁気ヘッド116には、例えば、磁気抵抗効果素子210に代えて、磁気抵抗効果素子211、212または213のいずれかが搭載される。磁気ヘッド116のこれ以外の構成は、磁気ヘッド110と同様である。磁気抵抗効果素子211、212及び213について説明する。
図13(a)及び図13(b)は、第2の実施形態に係る磁気ヘッドの構成を例示する模式的断面図である。
第2の実施形態に係る磁気ヘッド116には、例えば、磁気抵抗効果素子210に代えて、磁気抵抗効果素子211、212または213のいずれかが搭載される。磁気ヘッド116のこれ以外の構成は、磁気ヘッド110と同様である。磁気抵抗効果素子211、212及び213について説明する。
図13(a)及び図13(b)に表したように、磁気抵抗効果素子211においても、第1シールド71、第2シールド72、第1ハードバイアス層10、第2ハードバイアス層20、第1非磁性層31a、第2非磁性層31b、第1干渉層32a、第2干渉層32b、磁化固定層33、磁化自由層34、及び中間層37が設けられる。これらについては、磁気抵抗効果素子210において説明した構成が適用できる。
磁気抵抗効果素子211においては、さらに、シード層35、反強磁性層36、磁性層36a、Ru層36b、及び、キャップ層38が設けられる。例えば、磁性層36aと磁化固定層33とは、Ru層36bを挟んで反強磁性的に強く結合している。
シード層35は、第1干渉層32aと磁化固定層33との間に設けられる。シード層35は、例えば、Ru、Ni、Fe及びクロム(Cr)の少なくともいずれかを含む。シード層35の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、例えば、0.5nm以上5nm以下である。
反強磁性層36は、シード層35と磁化固定層33との間に設けられる。反強磁性層36は、例えば、白金(Pt)、マンガン(Mn)、パラジウム(Pd)、イリジウム(Ir)及びロジウム(Rh)の少なくともいずれか1つを含む。反強磁性層36には、例えば、PtMn、PdPtMn、IrMn、RuRhMnなどの反強磁性材料を用いることができる。反強磁性層36の磁化によって、磁化固定層33の磁化が固定される。
磁性層36aは、反強磁性層36と、磁化固定層33との間に設けられる。磁性層36aには、例えば、CoFe合金層が用いられる。Ru層36bは、磁性層36aと磁化固定層33との間に設けられる。
磁性層36aは、反強磁性層36と、磁化固定層33との間に設けられる。磁性層36aには、例えば、CoFe合金層が用いられる。Ru層36bは、磁性層36aと磁化固定層33との間に設けられる。
キャップ層38は、磁化自由層34と第2干渉層32bとの間に設けられる。キャップ層38は、例えば、Ru及びTaの少なくともいずれかを含む。キャップ層38の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、例えば、2nm以上10nm以下である。
キャップ層38には、例えば、Ruが用いられる。第2シールド72におけるよりも磁化が動きやすい第2干渉層32bと、磁化自由層34との間にRuが配置される。Ruは、スピン拡散長が極端に短い。これにより、第2干渉層32bと磁化自由層34との間の磁気抵抗効果が抑制される。同様にシード層にRuを用いた場合には、第1干渉層32aと磁化自由層34との間の磁気抵抗効果が抑制される。
次に、磁気抵抗効果素子212について説明する。磁気抵抗効果素子212は、磁気記録媒体80aに記録された磁化の方向を検出する。磁気記録媒体80aの記録密度は、平方インチあたり1テラビットである。線記録密度Drは、2000kBPIである。最小ビット長Lbsは、12.3nmである。これ以外の磁気記録媒体80aの構成は、磁気記録媒体80と同様である。
磁気抵抗効果素子212には、磁気抵抗効果素子211についてした説明した構成と同様の構成を適用することができる。
磁気抵抗効果素子212において、第1非磁性層31aには、Ruが用いられる。第1非磁性層31aの厚さは、1.7nmである。
磁気抵抗効果素子212において、第1非磁性層31aには、Ruが用いられる。第1非磁性層31aの厚さは、1.7nmである。
第1干渉層32aにおいては、CoFe合金層とNiFe合金層とが積層されている。NiFe合金層と第1非磁性層31aの間にCoFe合金層が設けられる。CoFe合金の厚さは、5nmである。NiFe合金層の厚さは、10nmである。
磁気抵抗効果素子212のシード層35においては、Ru層とNiFeCr合金層とが積層されている。Ru層は、NiFeCr合金層と、第1干渉層32aとの間に設けられる。Ru層の厚さは、1nmである。NiFeCr合金層の厚さは、2nmである。
反強磁性層36には、IrMn層が用いられる。IrMn層の厚さは、5nmである。磁性層36aには、CoFe層が用いられる。磁性層36a層の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、3nmであり、Ru層36bの厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、0.7nmである。
中間層37にはCuが用いられる。中間層37の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、2.5nmである。
磁化自由層34には、FeCo合金層及びNiFe合金層が用いられる。磁化自由層34の厚さは、5nmである。
キャップ層38には、RuとTaが用いられる。キャップ層38の厚さは4nmである。
中間層37にはCuが用いられる。中間層37の厚さ(X軸方向に沿った長さ)は、2.5nmである。
磁化自由層34には、FeCo合金層及びNiFe合金層が用いられる。磁化自由層34の厚さは、5nmである。
キャップ層38には、RuとTaが用いられる。キャップ層38の厚さは4nmである。
第2干渉層32bにおいては、NiFe合金層とCoFe合金層とが積層されている。CoFe合金層とキャップ層38との間にNiFe合金層が設けられる。NiFe合金層の厚さは、10nmである。CoFe合金層の厚さは、5nmである。
第2非磁性層31bには、Ruが用いられる。第2非磁性層31bの厚さは、1.7nmである。
磁気抵抗効果素子212の高さ(Z軸方向に沿った長さ)は、例えば、30nmである。磁気抵抗効果素子212の幅(Y軸方向に沿った長さ)は、例えば、30nmである。磁気抵抗効果素子212の構造は、CCP−GMR(Giant Magneto-Resistive effect)を用いたスピンバルブ構造である。CCP−GMRを用いたスピンバルブ素子は、TMRを用いた素子に比べて、出力が低い場合がある。しかし、磁気抵抗効果素子212においては、干渉層を設けたことにより、干渉層を設けない場合(ギャップ長Lgは、27nm)に比べて、SN比が4.4dB改善する。
磁気抵抗効果素子212の高さ(Z軸方向に沿った長さ)は、例えば、30nmである。磁気抵抗効果素子212の幅(Y軸方向に沿った長さ)は、例えば、30nmである。磁気抵抗効果素子212の構造は、CCP−GMR(Giant Magneto-Resistive effect)を用いたスピンバルブ構造である。CCP−GMRを用いたスピンバルブ素子は、TMRを用いた素子に比べて、出力が低い場合がある。しかし、磁気抵抗効果素子212においては、干渉層を設けたことにより、干渉層を設けない場合(ギャップ長Lgは、27nm)に比べて、SN比が4.4dB改善する。
干渉層の平均飽和磁束密度は、1.27テスラとなり、磁気膜厚は、19.0nmTである。磁化自由層34の磁気膜厚は、6.3nmTである。膜厚比Rmは、3.0である。ギャップ長Lgは、58.2nmであり、最小ビット長Lbsは、12.3nmである。比Rgは、4.73である。この場合、干渉層の磁化によって出力が大きくなり、再生の分解能が向上する。
次に、磁気抵抗効果素子213について説明する。磁気抵抗効果素子213は、磁気記録媒体80bに記録された磁化の方向を検出する。磁気記録媒体80bの記録密度は、平方インチあたり2テラビットである。線記録密度Drは、2940kBPIである。最小ビット長Lbsは、10nmである。これ以外の磁気記録媒体80bの構成は、磁気記録媒体80と同様である。
磁気抵抗効果素子213には、磁気抵抗効果素子211についてした説明した構成と同様の構成を適用することができる。
磁気抵抗効果素子213において、第1非磁性層31aには、Cuが用いられる。第1非磁性層31aの厚さは、1.4nmである。
磁気抵抗効果素子213において、第1非磁性層31aには、Cuが用いられる。第1非磁性層31aの厚さは、1.4nmである。
第1干渉層32aにおいては、CoFe合金層とNiFe合金層とが積層されている。NiFe合金層と第1非磁性層31aの間にCoFe合金層が設けられる。CoFe合金の厚さは、3nmである。NiFe合金層の厚さは、10nmである。
磁気抵抗効果素子213のシード層35においては、Ru層とNiFeCr合金層とが積層されている。Ru層は、NiFeCr合金層と、第1干渉層32aとの間に設けられる。Ru層の厚さは、1nmである。NiFeCr合金層の厚さは、2nmである。
反強磁性層36には、IrMn層が用いられる。IrMn層は、ABSからリセスされている。磁性層36aには、CoFe層が用いられる。磁性層36aの厚さは、3nmであり、Ru層36bの厚さは、0.7nmである。
磁化固定層33は、CoFe合金とHeusler合金が用いられる。磁化固定層33の厚さは、4nmである。
中間層37にはCuが用いられる。中間層37の厚さは、2.5nmである。
磁化自由層34には、Heusler合金及びNiFe合金層が用いられる。磁化自由層34の厚さは、5nmである。
キャップ層38には、RuとTaが用いられる。キャップ層38の厚さは5nmである。
磁化自由層34には、Heusler合金及びNiFe合金層が用いられる。磁化自由層34の厚さは、5nmである。
キャップ層38には、RuとTaが用いられる。キャップ層38の厚さは5nmである。
第2干渉層32bにおいては、NiFe合金層とCoFe合金層とが積層されている。CoFe合金層とキャップ層38との間にNiFe合金層が設けられる。NiFe合金層の厚さは、10nmである。CoFe合金層の厚さは、3nmである。
第2非磁性層31bには、Cuが用いられる。第2非磁性層31bの厚さは、1.4nmである。
磁気抵抗効果素子213の高さは、例えば、22nmである。磁気抵抗効果素子212の幅は、例えば、22nmである。磁気抵抗効果素子213は、CCP−GMRを用い、IrMnをリセスさせた特殊な構造のスピンバルブ素子である。Heusler合金を用いている。これにより、出力が高まる。しかし、CCP−GMRを用いたスピンバルブ素子は、TMRを用いた素子に比べて、出力が低い場合がある。
磁気抵抗効果素子213の高さは、例えば、22nmである。磁気抵抗効果素子212の幅は、例えば、22nmである。磁気抵抗効果素子213は、CCP−GMRを用い、IrMnをリセスさせた特殊な構造のスピンバルブ素子である。Heusler合金を用いている。これにより、出力が高まる。しかし、CCP−GMRを用いたスピンバルブ素子は、TMRを用いた素子に比べて、出力が低い場合がある。
磁気抵抗効果素子213におけるギャップ長Lgは、49.2nmである。ギャップ長Lgから干渉層の厚さを除くと23nmであり、この密度にしては大きい。比Rgは、4.9である。この場合、干渉層によって出力が大きくなり、再生の分解能が向上する。
磁化自由層34の磁気膜厚は、5.5nmTであり、干渉層の磁気膜厚は、15.7nmTである。膜厚比Rmは、2.9である。この場合、干渉層によって出力が大きくなり、再生の分解能が向上する。読み取り誤り率BERは、実用レベルとなる。
ハードディスクドライブに使用する再生ヘッドには、スピンバルブ構造が広く使用されている。例えば、再生原理としてTMRが用いられる。例えば、バイアス電流にはCPPタイプが用いられる。CPP−TMRが広く用いられている。CPP−TMRを用いたスピンバルブ構造には、磁化固定層と、磁化自由層と、中間層(スペーサ層)とが設けられている。磁化固定層の磁化方向は、リファレンスとしてが動かない。磁化自由層の磁化方向は、外部磁場に対してある程度自由に変化する。中間層は、磁化固定層と磁化自由層との間に設けられる。これらの層は、例えば、上下一対の磁気シールドの間に設けられる。これにより、例えば、再生の空間分解能が向上し、小さなパターンのビットを読み込むことができる。
再生ギャップ(ギャップ長Lg)を小さくする。これにより、例えば、記録密度が大きくビット長Lbの小さい記録媒体に対応することができる。干渉層を設けない参考例の磁気抵抗効果素子を用いた場合、平方インチあたり2テラビットの記録密度に対して、再生ギャップは20nm程度が好ましいと見積もられる。平方インチあたり5テラビットの記録密度に対しては、再生ギャップは、13.5nm程度が好ましいと見積もられる。
しかし、スピンバルブ構造には、保護膜やシード層などの比機能膜や、磁化固定層の磁化を固定させている反強磁性材料膜などが設けられる。このため、スピンバルブ構造におけるギャップ長は、20nm以上になる。平方インチ当たり2テラビット以上の記録密度に対応することが困難である。
例えば、磁気抵抗効果素子にTrilayer構造や作動形構造を用いる。これにより、ギャップ長を小さくすることができる。Trilayer構造は、磁化固定層を用いず、2枚の磁化自由層とスペーサ層とを用いる構造である。作動形構造においては、シールドを用いずに、空間分解能が高められる。しかし、このように磁気抵抗効果素子の構造自体を変えることは、リスクが大きい。
例えば、補助磁極を用いる。または、シールドの透磁率を高める。これらは、シールドの機能を向上させる試みである。これにより、例えば、素子の構造を変えずに再生空間分解能を向上させることができる。Resolution(中間周波数出力を孤立波形出力で割った値)は、数%〜数十%程度高まる。しかし、記録密度の微増にしか対応できない。倍の記録密度に対応するような大きな改善にはならない。
それに対し、実施形態に係る磁気記録再生装置に用いられる磁気抵抗効果素子には、第1干渉層32a及び第2干渉層32bが設けられる。これにより、Resolutionは、50%以上改善され、読み取り誤り率は、激減する。Trilayer構造や作動形構造のような構造を変えることによるリスクも小さい。実施形態によれば、再生の分解能を向上させることができる。
例えば、磁化固定層33を用いない参考例の磁気抵抗効果素子219aがある。磁気抵抗効果素子219aには、2層の磁化自由層が設けられる。2層の磁化自由層の間には、非磁性層が設けられる。参考例の磁気抵抗効果素子219aは、例えば、Trylayer型の素子である。
磁気抵抗効果素子219aにおいては、第1シールド71と、第1非磁性層31aと、第1干渉層32aと、シード層35と、第1磁化自由層34aと、中間層37と、第2磁化自由層34bと、キャップ層38と、第2干渉層32bと、第2非磁性層31bと、第2シールド72と、がこの順で積層されている。
磁気抵抗効果素子219aの構成は、磁気抵抗効果素子211の反強磁性層36、磁性層36a、Ru層36b及び磁化固定層33を第1磁化自由層34aで置き換えた構成に相当する。これ以外については、磁気抵抗効果素子219aの構成は、磁気抵抗効果素子211について説明した構成と同様である。
すなわち、磁気抵抗効果素子219aの第1非磁性層31aにはRu層が用いられ、第1非磁性層31aの厚さは、1.7nmである。第1干渉層32aにおいては、CoFe合金層とNiFe合金層とが積層されている。NiFe合金層と第1非磁性層31aとの間にCoFe合金層が設けられる。CoFe合金の厚さは、5nmである。NiFe合金層の厚さは、10nmである。シード層35においては、Ru層とNiFeCr合金層とが積層されている。Ru層は、NiFeCr合金層と、第1干渉層32aとの間に設けられる。Ru層の厚さは、4nmである。NiFeCr合金層の厚さは、2nmである。第1磁化自由層34aには、NiFe合金層とFeCo層とが用いられる。第1磁化自由層34aの厚さは6nmである。中間層37には、Cuが用いられる。中間層37の厚さは3nmである。第2磁化自由層34bには、FeCo合金層とNiFe合金層とが用いられる。第2磁化自由層34bの厚さは6nmである。キャップ層38には、Ru及びTaが用いられる。キャップ層38の厚さは、6nmである。第2干渉層32bにおいては、NiFe合金層とCoFe合金層とが積層されている。CoFe合金層とキャップ層38との間にNiFe合金層が設けられる。NiFe合金層の厚さは、10nmである。CoFe合金層の厚さは、5nmである。第2非磁性層31bにはRuが用いられる。第2非磁性層31bの厚さは1.7nmである。
例えば、別の参考例の磁気抵抗効果素子219bがある。磁気抵抗効果素子219bの構成は、磁気抵抗効果素子219aの第1干渉層32a及び第2干渉層32bを省略した構成に相当する。すなわち、磁気抵抗効果素子219bには、第1干渉層32a及び第2干渉層32bが設けられない。これ以外については、磁気抵抗効果素子219bの構成は、磁気抵抗効果素子219aについて説明した構成と同様である。
例えば、磁気抵抗効果素子219a及び磁気抵抗効果素子219bを用いて、磁気媒体を読み取る。例えば、磁気媒体記録密度は、平方インチあたり2テラビットである。この場合に、磁気抵抗効果素子219aにおけるSN比は、磁気抵抗効果素子219bにおけるSN比に比べて3.0dB程度改善する。しかし、磁気抵抗効果素子219aにおける読み取り誤り率BERは、磁気抵抗効果素子219bにおける読み取り誤り率BERに比べて、改善しない。すなわち、Trilayer型の素子においては、干渉層を設けることによる読み取り誤り率BERの改善は、期待できない。
図14(a)及び図14(b)は、磁気ヘッドの特性を例示する模式的断面図である。
図14(a)に表したように、この例では、磁気抵抗効果素子212のギャップ長Lgは、ビット長Lbの4倍である。図14(b)に表したように、この例では、磁気抵抗効果素子219aのギャップ長Lgは、ビット長Lbの4倍である。
図14(a)に表したように、この例では、磁気抵抗効果素子212のギャップ長Lgは、ビット長Lbの4倍である。図14(b)に表したように、この例では、磁気抵抗効果素子219aのギャップ長Lgは、ビット長Lbの4倍である。
図14(a)に表したように、スピンバルブ型の素子においては、第1干渉層32aの磁化の方向と、第2干渉層32bの磁化の方向は、互いに反対方向である。磁化自由層34において、第1干渉層32aからの磁界と第2干渉層32bからの磁界とは、互いに弱められる(例えば、キャンセルされる)。記録媒体から直接印加される磁界も、弱められる(例えば、キャンセルされる)。出力は、ゼロ程度となる。
一方、図14(b)に表したように、Trilayer型の素子においては、第1干渉層32aの磁化と、第1磁化自由層34aの磁化との静磁気結合が非常に大きくなる。第2干渉層32bの磁化と、第2磁化自由層34bの磁化との静磁気結合が非常に大きくなる。このため、大きな非線形性が引き起こされる場合がある。複数の磁化自由層における磁化がそれぞれ別々に動くような構造(例えば、Trilayer型または作動形)の素子においては、干渉層による読み取り誤り率BERの改善は、期待できない。
(第3の実施形態)
図15は、第3の実施形態に係る磁気記録再生装置の構成を例示する模式的斜視図である。
図16(a)及び図16(b)は、第3の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部の構成を例示する模式的斜視図である。
図15に表したように、実施形態に係る磁気記録再生装置150は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において、記録用媒体ディスク180は、スピンドルモータ4に装着され、駆動装置制御部からの制御信号に応答するモータにより矢印Aの方向に回転する。本実施形態に係る磁気記録再生装置150は、複数の記録用媒体ディスク180を備えても良い。磁気記録再生装置150は、記録媒体181を含んでもよい。例えば、磁気記録再生装置150は、ハイブリッドHDD(Hard Disk Drive)である。記録媒体181は、例えば、SSD(Solid State Drive)である。記録媒体181には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。
図15は、第3の実施形態に係る磁気記録再生装置の構成を例示する模式的斜視図である。
図16(a)及び図16(b)は、第3の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部の構成を例示する模式的斜視図である。
図15に表したように、実施形態に係る磁気記録再生装置150は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。同図において、記録用媒体ディスク180は、スピンドルモータ4に装着され、駆動装置制御部からの制御信号に応答するモータにより矢印Aの方向に回転する。本実施形態に係る磁気記録再生装置150は、複数の記録用媒体ディスク180を備えても良い。磁気記録再生装置150は、記録媒体181を含んでもよい。例えば、磁気記録再生装置150は、ハイブリッドHDD(Hard Disk Drive)である。記録媒体181は、例えば、SSD(Solid State Drive)である。記録媒体181には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。
記録用媒体ディスク180に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ3は、既に説明したような構成を有し、薄膜状のサスペンション154の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ3の先端付近に、例えば、既に説明した実施形態に係る磁気ヘッド(例えば磁気ヘッド110〜116)のいずれかが搭載される。
記録用媒体ディスク180が回転すると、サスペンション154による押し付け圧力とヘッドスライダ3の媒体対向面(ABS)で発生する圧力とがつりあい、ヘッドスライダ3の媒体対向面は、記録用媒体ディスク180の表面から所定の浮上量をもって保持される。なお、ヘッドスライダ3が記録用媒体ディスク180と接触するいわゆる「接触走行型」としても良い。
サスペンション154は、駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム155の一端に接続されている。アクチュエータアーム155の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ156が設けられている。ボイスコイルモータ156は、アクチュエータアーム155のボビン部に巻き上げられた駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とを含むことができる。サスペンション154は、一端と他端とを有し、磁気ヘッドは、サスペンション154の一端に搭載され、アクチュエータアーム155は、サスペンション155の他端に接続されている。
アクチュエータアーム155は、軸受部157の上下2箇所に設けられたボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ156により回転摺動が自在にできるようになっている。その結果、磁気ヘッドを記録用媒体ディスク180の任意の位置に移動可能となる。
図16(a)は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ160の拡大斜視図である。
また、図16(b)は、ヘッドスタックアセンブリ160の一部となる磁気ヘッドアセンブリ(ヘッドジンバルアセンブリ:HGA)158を例示する斜視図である。
また、図16(b)は、ヘッドスタックアセンブリ160の一部となる磁気ヘッドアセンブリ(ヘッドジンバルアセンブリ:HGA)158を例示する斜視図である。
図16(a)に表したように、ヘッドスタックアセンブリ160は、軸受部157と、この軸受部157から延出したヘッドジンバルアセンブリ158と、軸受部157からHGAと反対方向に延出していると共にボイスコイルモータのコイル162を支持した支持フレーム161と、を有している。
また、図16(b)に示したように、ヘッドジンバルアセンブリ158は、軸受部157から延出したアクチュエータアーム155と、アクチュエータアーム155から延出したサスペンション154と、を有している。
サスペンション154の先端には、ヘッドスライダ3が取り付けられている。そして、ヘッドスライダ3には、実施形態に係る磁気ヘッドのいずれかが搭載される。
すなわち、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ(ヘッドジンバルアセンブリ)158は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが搭載されたヘッドスライダ3と、ヘッドスライダ3を一端に搭載するサスペンション154と、サスペンション154の他端に接続されたアクチュエータアーム155と、を備える。
サスペンション154は、信号の書き込み及び読み取り用、浮上量調整のためのヒーター用、及び、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線(図示しない)を有する。これらのリード線と、ヘッドスライダ3に組み込まれた磁気ヘッドの各電極と、が電気的に接続される。
また、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部190が設けられる。信号処理部190は、例えば、図15に例示した磁気記録再生装置150の図面中の背面側に設けられる。信号処理部190の入出力線は、ヘッドジンバルアセンブリ158の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に結合される。
このように、本実施形態に係る磁気記録再生装置150は、磁気記録媒体と、上記の実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とした可動部と、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする位置制御部と、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部と、を備える。
すなわち、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク180が用いられる。
上記の可動部は、ヘッドスライダ3を含むことができる。
また、上記の位置制御部は、ヘッドジンバルアセンブリ158を含むことができる。
上記の可動部は、ヘッドスライダ3を含むことができる。
また、上記の位置制御部は、ヘッドジンバルアセンブリ158を含むことができる。
このように、本実施形態に係る磁気記録再生装置150は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに搭載された磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部と、を備える。
本実施形態に係る磁気記録再生装置150によれば、上記の実施形態に係る磁気ヘッドを用いることで、高出力で低抵抗の再生が可能になる。さらに、スピントルクノイズが抑制され、熱磁気ノイズによるSN比の低下が抑制され、空間分解能が向上できる。
実施形態は、以下の特徴を含む。
(特徴1)
それぞれが記録情報に応じた磁化の方向を有する複数のビットが設けられた記録面を含む磁気記録媒体と、
前記記録面と対向する媒体対向面を有し、前記磁化の方向を検出する再生部を含む磁気ヘッドと、
を備え、
前記再生部は、
第1シールドと、
前記媒体対向面に対して平行な第1方向において前記第1シールドと離間した第2シールドと、
前記第1シールドと前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が固定された第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第2磁性層と、
前記第1シールドと前記第1磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3磁性層と、
前記第2磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第4磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、
前記第1シールドと前記第3磁性層との間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第1非磁性層と、
前記第4磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第2非磁性層と、
を含み、
前記第1シールドと前記第2シールドとの間の第1距離は、前記第1方向に沿った前記複数のビットのそれぞれの長さの3倍以上7倍以下であり、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、2ナノメートル以下である磁気記録再生装置。
(特徴2)
前記第3磁性層及び前記第4磁性層の少なくともいずれかは、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金及び鉄ニッケル合金の少なくともいずれか1つを含む特徴1記載の磁気記録再生装置。
(特徴3)
前記第3磁性層の磁気膜厚は、前記第2磁性層の磁気膜厚の2倍以上4倍以下である特徴1または2に記載の磁気記録再生装置。
(特徴4)
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、0.4ナノメートル以上2ナノメートル以下である特徴1〜3のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴5)
前記第1非磁性層は、ルテニウムを含み、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、1.6ナノメートル以上1.9ナノメートル以下である特徴1〜4のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴6)
前記第1非磁性層は、銅を含み、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、1.2ナノメートル以上1.7ナノメートル以下である特徴1〜5のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴7)
前記第3磁性層の磁化と前記第1シールドの磁化との交換結合エネルギーの絶対値は、0.05エルグ/平方センチメートル以上0.2エルグ/平方センチメートル以下である特徴1〜6のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴8)
前記第2磁性層は、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金、鉄ニッケル合金及びHeusler合金の少なくともいずれか1つを含む特徴1〜7のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴9)
前記第1磁性層は、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金、鉄ニッケル合金及びHeusler合金の少なくともいずれか1つを含む特徴1〜8のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴10)
前記再生部は、前記第3磁性層と前記第1磁性層との間に設けられ、ルテニウム、ニッケル、鉄及びクロムの少なくともいずれか1つを含むシード層をさらに含む特徴1〜9のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴11)
前記シード層の前記第1方向に沿った長さは、0.5ナノメートル以上5ナノメートル以下である特徴10記載の磁気記録再生装置。
(特徴12)
前記再生部は、前記シード層と前記第1磁性層との間に設けられ、白金、マンガン、パラジウム、イリジウム及びロジウムの少なくともいずれか1つを含む反強磁性層をさらに含む特徴10または11記載の磁気記録再生装置。
(特徴13)
前記中間層は、銅及びルテニウムの少なくともいずれかを含む特徴1〜12のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴14)
前記再生部は、前記第2磁性層と前記第4磁性層との間に設けられ、ルテニウム及びタンタルの少なくともいずれかを含むキャップ層をさらに含む特徴1〜13のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴15)
前記キャップ層の前記第1方向に沿った長さは、2ナノメートル以上10ナノメートル以下である特徴14記載の磁気記録再生装置。
(特徴16)
前記第3磁性層の前記第1方向に沿った長さは、4ナノメートル以上20ナノメートル以下である特徴1〜15のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴17)
前記再生部は、ハードバイアス層をさらに含み、
前記ハードバイアス層は、前記第1シールドと前記第2シールドとの間において前記第1方向に対して垂直な平面内で前記第2磁性層と並置される特徴1〜16のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(請求項18)
前記複数のビットのそれぞれの前記第1方向に沿った長さの最小値は、6ナノメートル以上15ナノメートル以下である特徴1〜17のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴19)
前記磁気記録媒体の記録密度は、2テラビット/平方インチ以上である特徴1〜18のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴20)
一端と他端とを有するサスペンションと、
アクチュエータアームと、
をさらに備え、
前記磁気ヘッドは、前記一端に搭載され、
前記アクチュエータアームは、前記他端に接続される特徴1〜19のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴1)
それぞれが記録情報に応じた磁化の方向を有する複数のビットが設けられた記録面を含む磁気記録媒体と、
前記記録面と対向する媒体対向面を有し、前記磁化の方向を検出する再生部を含む磁気ヘッドと、
を備え、
前記再生部は、
第1シールドと、
前記媒体対向面に対して平行な第1方向において前記第1シールドと離間した第2シールドと、
前記第1シールドと前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が固定された第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第2磁性層と、
前記第1シールドと前記第1磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3磁性層と、
前記第2磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第4磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、
前記第1シールドと前記第3磁性層との間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第1非磁性層と、
前記第4磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第2非磁性層と、
を含み、
前記第1シールドと前記第2シールドとの間の第1距離は、前記第1方向に沿った前記複数のビットのそれぞれの長さの3倍以上7倍以下であり、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、2ナノメートル以下である磁気記録再生装置。
(特徴2)
前記第3磁性層及び前記第4磁性層の少なくともいずれかは、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金及び鉄ニッケル合金の少なくともいずれか1つを含む特徴1記載の磁気記録再生装置。
(特徴3)
前記第3磁性層の磁気膜厚は、前記第2磁性層の磁気膜厚の2倍以上4倍以下である特徴1または2に記載の磁気記録再生装置。
(特徴4)
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、0.4ナノメートル以上2ナノメートル以下である特徴1〜3のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴5)
前記第1非磁性層は、ルテニウムを含み、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、1.6ナノメートル以上1.9ナノメートル以下である特徴1〜4のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴6)
前記第1非磁性層は、銅を含み、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、1.2ナノメートル以上1.7ナノメートル以下である特徴1〜5のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴7)
前記第3磁性層の磁化と前記第1シールドの磁化との交換結合エネルギーの絶対値は、0.05エルグ/平方センチメートル以上0.2エルグ/平方センチメートル以下である特徴1〜6のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴8)
前記第2磁性層は、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金、鉄ニッケル合金及びHeusler合金の少なくともいずれか1つを含む特徴1〜7のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴9)
前記第1磁性層は、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金、鉄ニッケル合金及びHeusler合金の少なくともいずれか1つを含む特徴1〜8のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴10)
前記再生部は、前記第3磁性層と前記第1磁性層との間に設けられ、ルテニウム、ニッケル、鉄及びクロムの少なくともいずれか1つを含むシード層をさらに含む特徴1〜9のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴11)
前記シード層の前記第1方向に沿った長さは、0.5ナノメートル以上5ナノメートル以下である特徴10記載の磁気記録再生装置。
(特徴12)
前記再生部は、前記シード層と前記第1磁性層との間に設けられ、白金、マンガン、パラジウム、イリジウム及びロジウムの少なくともいずれか1つを含む反強磁性層をさらに含む特徴10または11記載の磁気記録再生装置。
(特徴13)
前記中間層は、銅及びルテニウムの少なくともいずれかを含む特徴1〜12のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴14)
前記再生部は、前記第2磁性層と前記第4磁性層との間に設けられ、ルテニウム及びタンタルの少なくともいずれかを含むキャップ層をさらに含む特徴1〜13のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴15)
前記キャップ層の前記第1方向に沿った長さは、2ナノメートル以上10ナノメートル以下である特徴14記載の磁気記録再生装置。
(特徴16)
前記第3磁性層の前記第1方向に沿った長さは、4ナノメートル以上20ナノメートル以下である特徴1〜15のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴17)
前記再生部は、ハードバイアス層をさらに含み、
前記ハードバイアス層は、前記第1シールドと前記第2シールドとの間において前記第1方向に対して垂直な平面内で前記第2磁性層と並置される特徴1〜16のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(請求項18)
前記複数のビットのそれぞれの前記第1方向に沿った長さの最小値は、6ナノメートル以上15ナノメートル以下である特徴1〜17のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴19)
前記磁気記録媒体の記録密度は、2テラビット/平方インチ以上である特徴1〜18のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
(特徴20)
一端と他端とを有するサスペンションと、
アクチュエータアームと、
をさらに備え、
前記磁気ヘッドは、前記一端に搭載され、
前記アクチュエータアームは、前記他端に接続される特徴1〜19のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
実施形態によれば、再生の分解能を向上させた磁気記録再生装置が提供される。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気記録媒体、磁気ヘッド、磁気抵抗効果素子、再生部、第1シールド、第2シールド、第1非磁性層、第1干渉層、磁化固定層、磁化自由層、第2干渉層及び第2非磁性層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した磁気ヘッド及び磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気ヘッド及び磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
3…ヘッドスライダ、 3A…空気流入側、 3B…空気流出側、 4…スピンドルモータ、 10…第1ハードバイアス層、 20…第2ハードバイアス層、 30…積層体、 30a…下面、 31a…第1非磁性層、 31b…第2非磁性層、 31t…厚さ、 32a…第1干渉層(第3磁性層)、 32am…第1干渉磁化、 32b…第2干渉層(第4磁性層)、 32bm…第2干渉磁化、 33…磁化固定層(第1磁性層)、 34…磁化自由層(第2磁性層)、 34a…第1磁化自由層、 34b…第2磁化自由層、 34m…自由磁化、 35…シード層、 36…反強磁性層、 36a…磁性層、 36b…Ru層、 37…中間層、 38…キャップ層、 60…書き込み部、 61…主磁極、 62…書き込み部リターンパス、 63…スピントルク発振子、 70…再生部、 70s…媒体対向面、 71…第1シールド、 71a…第1シールド面、 72…第2シールド、 72a…第2シールド面、 80、80a、80b…磁気記録媒体、 80s…記録面、 81…磁気記録層、 82…媒体基板、 83…磁化、 83a〜84d…第1〜第4ビット磁化、 84…ビット、 84a〜84d…第1〜第4ビット、 85…媒体移動方向、 110〜116、119、120…磁気ヘッド、 150…磁気記録再生装置、 154…サスペンション、 155…アクチュエータアーム、 156…ボイスコイルモータ、 157…軸受部、 158…ヘッドジンバルアセンブリ、 160…ヘッドスタックアセンブリ、 161…支持フレーム、 162…コイル、 180…記録用媒体ディスク、 181…記録媒体、 190…信号処理部、 210〜213、219a、219b…磁気抵抗効果素子、 BER…読み取り誤り率、 Dr…線記録密度、 J1、JCu、JRu…交換結合エネルギー、 Lb…ビット長、 Lbs…最小ビット長、 Lg…ギャップ長、 N1…ノイズ、 Po…位置、 Pt…媒体磁化遷移位置、 Rg…比、 Rm…膜厚比、 Rt…媒体遷移領域、 Vo…出力
Claims (12)
- それぞれが記録情報に応じた磁化の方向を有する複数のビットが設けられた記録面を含む磁気記録媒体と、
前記記録面と対向する媒体対向面を有し、前記磁化の方向を検出する再生部を含む磁気ヘッドと、
を備え、
前記再生部は、
第1シールドと、
前記媒体対向面に対して平行な第1方向において前記第1シールドと離間した第2シールドと、
前記第1シールドと前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が固定された第1磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第2磁性層と、
前記第1シールドと前記第1磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第3磁性層と、
前記第2磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、磁化の方向が可変の第4磁性層と、
前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられた中間層と、
前記第1シールドと前記第3磁性層との間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第1非磁性層と、
前記第4磁性層と前記第2シールドとの間に設けられ、ルテニウム、銅及びタンタルの少なくともいずれかを含む第2非磁性層と、
を含み、
前記第1シールドと前記第2シールドとの間の第1距離は、前記第1方向に沿った前記複数のビットのそれぞれの長さの3倍以上7倍以下であり、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、2ナノメートル以下である磁気記録再生装置。 - 前記第3磁性層及び前記第4磁性層の少なくともいずれかは、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金及び鉄ニッケル合金の少なくともいずれか1つを含む請求項1記載の磁気記録再生装置。
- 前記第3磁性層の磁気膜厚は、前記第2磁性層の磁気膜厚の2倍以上4倍以下である請求項1または2に記載の磁気記録再生装置。
- 前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、0.4ナノメートル以上2ナノメートル以下である請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
- 前記第1非磁性層は、ルテニウムを含み、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、1.6ナノメートル以上1.9ナノメートル以下である請求項1〜4のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。 - 前記第1非磁性層は、銅を含み、
前記第1非磁性層の前記第1方向に沿った長さは、1.2ナノメートル以上1.7ナノメートル以下である請求項1〜5のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。 - 前記第3磁性層の磁化と前記第1シールドの磁化との交換結合エネルギーの絶対値は、0.05エルグ/平方センチメートル以上0.2エルグ/平方センチメートル以下である請求項1〜6のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
- 前記第2磁性層は、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金、鉄ニッケル合金及びHeusler合金の少なくともいずれか1つを含む請求項1〜7のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
- 前記第1磁性層は、鉄、コバルト、ニッケル、鉄コバルト合金、鉄ニッケル合金及びHeusler合金の少なくともいずれか1つを含む請求項1〜8のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
- 前記複数のビットのそれぞれの前記第1方向に沿った長さの最小値は、6ナノメートル以上15ナノメートル以下である請求項1〜9のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
- 前記磁気記録媒体の記録密度は、2テラビット/平方インチ以上である請求項1〜10のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
- 一端と他端とを有するサスペンションと、
アクチュエータアームと、
をさらに備え、
前記磁気ヘッドは、前記一端に搭載され、
前記アクチュエータアームは、前記他端に接続される請求項1〜11のいずれか1つに記載の磁気記録再生装置。
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