JP2015149515A - Light-emitting device and illumination apparatus - Google Patents

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伊藤 晋
Susumu Ito
伊藤  晋
織田 洋樹
Hiroki Oda
洋樹 織田
正毅 辰巳
Masaki Tatsumi
正毅 辰巳
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シャープ株式会社
Sharp Corp
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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device that effectively reduces optical loss, improves effective light-emitting efficiency (utilization efficiency) as a whole system, and achieves to decrease thickness.SOLUTION: A light-emitting device 1 includes: a substrate 10; a light-emitting element chip 11 mounted on the substrate 10; an encapsulation part 12 for encapsulating the light-emitting element chip 11; and light scattering parts 15 disposed on the substrate 10 separated from the encapsulation part 12. The light scattering parts 15 are formed in an annular shape surrounding the encapsulation part 12 in top view. The encapsulation part 12 and the light scattering parts 15 are disposed in mutually separated regions in top view.

Description

本発明は、基板に載置した発光素子チップと発光素子チップを封止した封止部とを備える発光装置および照明機器に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a lighting device and a sealing portion that seals the light emitting element chip and the light-emitting element chip placed on the substrate.

最近、環境対策として省電力化が推進されており、パーソナルコンピュータの出力表示に使用される液晶表示装置のバックライト光源装置や照明機器においてもLED(Light Emitting Diode)化が急速に進んでいる。 Recently been power saving promoted as environmental measures, LED (Light Emitting Diode) have been rapidly also in the backlight light source device and illumination device of a liquid crystal display device used in the output display of the personal computer.

また、液晶テレビ受像機においてもバックライト光源装置のLED化が進んでおり、液晶パネルの平面に対向させてLEDを配置する直下方式、あるいは、液晶パネルの端面側にLEDを配置するエッジライト方式のバックライト光源装置が商品化されている。 Further, in the liquid crystal television receiver has progressed LED of the backlight light source device, the direct type is opposed to the plane of the liquid crystal panel to place the LED in or, edge light system to place the LED on the end face side of the liquid crystal panel backlight source device is commercialized.

エッジライト方式は、液晶パネルの平面に対向させて配置した導光板の端面側にLEDを光源装置として配置するもので、直下方式と比べて薄型化に適している。 Edge light type, an LED on the end face side of the light guide plate that is disposed opposite to the plane of the liquid crystal panel in which to place the light source device is suitable for thinner than the direct type. エッジライト方式で白色光を放出するバックライト光源装置の例として特許文献1が提案されている。 Patent Document 1 has been proposed as an example of a backlight light source device which emits white light with an edge light type.

また、エッジライト方式に使用される白色光を発光する発光装置として、LEDを実装したリードフレームをパッケージ本体で固定し、LEDからの光を反射する光反射層をパッケージ本体に設けて安価に形成したものが提案されている(例えば、特許文献2参照。)。 Further, as a light emitting device that emits white light is used in the edge light type, to fix the lead frame mounting the LED package body formed inexpensively by providing a light reflecting layer for reflecting light from the LED to the package body which was has been proposed (e.g., see Patent Document 2.). リードフレームを適用した発光装置は、放熱性などでの問題があり、液晶テレビ受像機のように、より高輝度で、さらに多数のLEDを必要とする場合には、放熱性、信頼性などの問題を生じる恐れがある。 Light emitting device according to the lead frame, there is a problem with such heat dissipation, such as the LCD television receiver, a higher intensity, when requiring a greater number of the LED, heat dissipation, and reliability there is a possibility of causing a problem.

放熱性を改善する構造として、放熱スラグを内蔵したパッケージ構造、あるいは、高い放熱性を有するセラミック基板などを使用し、ド−ム状の封止部でLEDチップを覆った発光装置が知られている(例えば、Lumileds社製品)。 As a structure for improving heat dissipation, internal package structure heat dissipation slug, or using the ceramic substrate having high heat dissipation, de - and beam-like light emitting device covering the LED chip with a sealing portion is known It is (for example, Lumileds, Inc. products). しかしながら、このような構造の場合も問題が生じる。 However, a problem case of such a structure results.

例えば、光の取り出しを高めるためのド−ム状の封止部によって、外部への光取り出し効率が上がり、LED発光装置が適用されるバックライト光源装置の導光板への光の入射量が上げられる。 For example, de for enhancing light extraction - by beam-shaped sealing portion, increases the light extraction efficiency to the outside, the amount of light incident to the light guide plate of the backlight light source device up to LED device is applied It is. しかし、封止部のドーム形状によって光源装置としての高さが高くなることから、バックライト光源装置にLED発光装置を適用した場合、LED発光装置を配置する領域が大きくなり、延いては液晶表示装置の額縁部の面積が大きくなってしまうという問題がある。 However, since the higher the height of the light source device by a dome shape of the sealing portion, the case of applying the LED light-emitting device as a backlight light source device, a region to arrange the LED light-emitting device is increased, the liquid crystal display by extension there is a problem that the area of ​​the frame portion of the apparatus is increased.

ドーム状の封止部を利用したLED発光装置では、ドーム状の封止部によって構成される光軸に対して横方向(側面方向/水平方向)に放射される光を有効に利用することが困難である。 In LED light emitting device using the sealing portion of the dome may be used effectively the light emitted in the lateral direction (lateral / horizontal direction) with respect to the optical axis formed by the sealing portion of the dome-shaped Have difficulty. 例えば、LED発光装置をバックライト光源装置に適用した場合、反射シ−トがバックライト光源装置の側面に設置されているので、LED(封止部)から反射シ−トへ向かう光は反射シートで反射される。 For example, the case of applying the LED light-emitting device as a backlight light source device, the reflection sheet - since bets are placed on the side surface of the backlight light source device, a LED (sealing portion) reflected - light toward metropolitan reflection sheet in is reflected. したがって、LEDの側面から出た光は、反射シ−トで反射された後、再びLEDへ戻り、封止部の内部に含まれる蛍光体やLEDチップ、基板などで一部が吸収され、光損失を生じる。 Therefore, light emitted from the side surface of the LED is reflected - after being reflected by the bets, returns again to the LED, phosphor and LED chip contained within the sealing portion, a portion is absorbed substrate or the like, light results in a loss.

すなわち、最悪の場合には、ド−ム状の封止部(レンズ構造)を採用することによって向上させた封止部から外部への光取り出し効率が、導光板と発光装置との結合効率の低下によって相殺される恐れがある。 That is, in the worst case, de - arm-shaped sealing portion light extraction efficiency from the sealing portion which is improved by employing the (lens structure) to the outside, the coupling efficiency of the light guide plate and the light emitting device which may be offset by a reduction.

また、このような結合効率の低下は、ド−ム状の封止部に限らず、直方体状の封止部(例えば、特許文献3参照。)の場合にも発生する。 Further, such reduction in the coupling efficiency, De - not limited to the sealing portion of the arm-like, rectangular shape of the sealing portion (e.g., see Patent Document 3.) Also occur if the. つまり、LEDチップの側面から放射された光はドーム状の封止部と同様な作用を受けることになり、LEDで発生した光を有効に活用することができない恐れがある。 That is, the light emitted from the side surface of the LED chip will receive the same operation and the dome-shaped sealing portion, it may not be possible to effectively utilize the light generated by the LED.

また、上述した従来のLED発光装置は、リードフレームの固定、封止部の形成において、金型を使用することが必要であった。 Further, the conventional LED light emitting device described above, the fixation of the lead frame, in the formation of the sealing portion, it was necessary to use a mold. 金型を用いた成型方法は、金型や成型装置が、非常に高価で、初期設備費用がかかるという問題もある。 Molding method using a mold, the mold and molding equipment, is very expensive, there is a problem that the initial capital expensive. また、成型体の設計変更に対しては、新たに金型を起こす必要があるので、金型代が必要で、設計変更もコストも必要となる。 In addition, with respect to the design change of the molded body, it is necessary to cause a new mold, the mold fee is required, also design changes cost is also required.

特開2008−277189号公報 JP 2008-277189 JP 特開2007−019505号公報 JP 2007-019505 JP 特開2005−005482号公報 JP 2005-005482 JP

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、基板に載置された発光素子チップを封止する封止部から離れて配置された光散乱部備えることによって、封止部への光の戻りを抑制して光損失を効果的に低減し、システム全体として実効上の発光効率(利用効率)を向上させ、また、薄型化を図る発光装置および照明機器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, by providing the light scattering portion which is placed away from the sealing portion for sealing the light emitting device chip mounted on the substrate, the sealing portion effectively reduce light loss by suppressing the light returning to, improve the luminous efficiency of the effective (efficiency) as a whole system, also, to provide a light emitting device and a lighting equipment thinned for the purpose.

本発明に係る発光装置は、基板と、前記基板に載置された発光素子チップと、前記発光素子チップを封止する封止部とを備える発光装置であって、前記封止部から離れて前記基板に配置された光散乱部を備え、前記光散乱部は、上面視において、前記封止部を囲む円環状に形成され、前記封止部および前記光散乱部は、上面視において、互いに離間した領域に配置されていることを特徴とする。 The light emitting device according to the present invention is a light-emitting device comprising a substrate, a mounted light emitting element chip to the substrate, and a sealing portion for sealing the light emitting device chip, away from the sealing portion It comprises a light scattering portion disposed on the substrate, wherein the light scattering portion, in a top view, is formed in an annular shape surrounding the sealing portion, the sealing portion and the light scattering section, in top view, together characterized in that it is arranged in spaced-apart regions.

本発明に係る発光装置では、前記発光素子チップは、フリップチップとされ、前記封止部は、前記発光素子チップの表面側に対応して設けられ、蛍光体を含有する透光性樹脂で形成されている構成としてもよい。 In the light emitting device according to the present invention, the light emitting device chip is a flip chip, the sealing portion is provided corresponding to the surface side of the light emitting device chip, formed of a translucent resin containing a phosphor it may be configured to have been.

本発明に係る発光装置では、前記基板は、内層部に金属板を有し、表面に絶縁層が形成されている構成としてもよい。 In the light emitting device according to the present invention, the substrate has a metal plate in the inner layer portion may be configured to insulating layer is formed on the surface.

本発明に係る発光装置では、前記光散乱部の前記基板からの高さは、前記封止部の前記基板からの高さに対して同じであること、または、高い構成としてもよい。 In the light emitting device according to the present invention, the height from the substrate of the light scattering part, it is the same for the height from the substrate of the sealing portion, or may be a high structure.

本発明に係る照明機器は、本発明に係る発光装置を備えることを特徴とする。 Lighting device according to the present invention is characterized by including a light emitting device according to the present invention.

本発明によると、封止部から離れた位置に光散乱部を有することから、発光素子チップから放射された光を封止部の外側へ放出し、封止部から放出された光を光散乱部で散乱して照射対象としての外部光学部材へ向かう光に変換するので、封止部の直上に配置された外部光学部材へ入光させるに際し、構成部材での反射・吸収等によって生じる光損失を極力低減して直接入光させることができ、外部光学部材に対する結合効率を高めることができる。 According to the present invention, since it has a light scattering portion at a position away from the sealing portion, and emitting light emitted from the light emitting element chips to the outside of the sealing portion, the light-scattering light emitted from the sealing portion since scattered in parts into a light directed to the outside optical member as an irradiation target, when is incident to the external optical member arranged directly above the seal portion, the light loss caused by such reflection and absorption in the configuration member as much as possible can be directly reduced incident, it is possible to increase the coupling efficiency to an external optical element. また、封止部をレンズ形状とする必要がないことから、外形形状の薄型化を図ることが可能となる。 Moreover, it is not necessary to a lens shape a seal, it is possible to reduce the thickness of the outer shape.

本発明の実施の形態1に係る発光装置の平面状態を示す平面図である。 The planar state of the light emitting device according to a first embodiment of the present invention is a plan view showing. 図1Aに示した発光装置をバックライト装置の導光板適用したときの配置状態を示す概念図である。 It is a conceptual diagram showing an arrangement state when the light-emitting device was applied a light guide plate of the backlight unit shown in FIG. 1A. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例1)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification Example 1) according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例2)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 2) according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例3)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 3) according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例4)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 4) according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例5)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 5) according to the second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例6)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 6) according to the second embodiment of the present invention. 図2Fに示した発光装置を矢符2G方向から見た側面状態を示す側面図である。 The light emitting device shown in FIG. 2F is a side view illustrating a side state as viewed along line 2G direction. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例7)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 7) according to a second embodiment of the present invention. 図2Hに示した発光装置を矢符2J方向から見た側面状態を示す側面図である。 The light emitting device shown in FIG. 2H is a side view illustrating a side state as viewed along line 2J direction. 本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例8)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 8) according to a second embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態3に係る発光装置(変形例9)の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the light emitting device (Modification 9) according to the third embodiment of the present invention. 図3Aに示した発光装置を矢符3B方向で見た断面状態として示す断面図である。 The light emitting device shown in FIG. 3A is a sectional view illustrating a cross section when viewed in the arrow 3B direction. 本発明の実施の形態4に係る面光源装置、面光源装置を適用した液晶表示装置の配置状態を概念的に示す側面図である。 The surface light source device according to a fourth embodiment of the present invention, is a side view schematically showing the arrangement of a liquid crystal display device using the surface light source device. 図4Aに示した面光源装置、液晶表示装置を矢符4Bの位置で見たときを平面状態として概念的に示す平面図である。 The surface light source device illustrated in FIG. 4A, a plan view conceptually showing a planar state when viewing the liquid crystal display device at the position of arrow 4B. 図4Aに示した面光源装置の平面状態を示す平面図である。 It is a plan view showing a planar state of the surface light source device illustrated in FIG. 4A. 本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、発光素子チップを基板に載置した平面状態を示す平面図である。 In steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state of mounting a light emitting element chip to the substrate. 図5Aに示した製造工程での断面状態を拡大して示す拡大断面図である。 Is an enlarged sectional view showing an enlarged section state in the manufacturing process shown in FIG. 5A. 本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、発光素子チップを封止するための樹脂成形用枠部材を基板に載置した平面状態を示す平面図である。 In steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state in which the resin molding frame member is placed on the substrate for sealing the light emitting device chip. 図5Cに示した製造工程での断面状態を拡大して示す拡大断面図である。 Is an enlarged sectional view showing an enlarged section state in the manufacturing process shown in FIG. 5C. 本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、樹脂成形用枠部材の貫通穴に封止用透光性樹脂を注入した平面状態を示す平面図である。 In steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, is a plan view showing a planar state in which injection of sealing translucent resin into the through hole of the resin molding frame member. 図5Eに示した製造工程の途中での断面状態を拡大して示す拡大断面図である。 Is an enlarged sectional view showing an enlarged section states in the course of the manufacturing process shown in FIG. 5E. 本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、封止部を形成して樹脂成形用枠部材を基板から剥離した平面状態を示す平面図である。 In steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state in which peeled off to form a seal with the resin molding frame member from the substrate. 図5Gに示した製造工程での側面状態を拡大して示す拡大側面図である。 It is an enlarged side view illustrating an enlarged side state in the manufacturing process shown in FIG. 5G. 本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、光散乱部を形成した後の平面状態を示す平面図である。 In steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state after forming the light scattering portion. 図5Jに示した製造工程の途中での側面状態を拡大して示す拡大側面図である。 It is an enlarged side view illustrating an enlarged side state in the course of the manufacturing process shown in FIG. 5 J. 本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、集合基板を個々の基板に分割するときの平面状態を示す平面図である。 In steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state when dividing the aggregate board into individual substrates. 図5Lに示した製造工程での側面状態を拡大して示す拡大側面図である。 Is an enlarged side view illustrating an enlarged side state in the manufacturing process shown in FIG. 5L. 図5Lに示した製造工程で個々に分割された基板の平面状態を拡大して示す拡大平面図である。 It is an enlarged plan view showing an enlarged planar state of the substrate which is divided into individually manufacturing process shown in FIG. 5L.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.

<実施の形態1> <Embodiment 1>
図1Aおよび図1Bを参照して、本実施の形態に係る発光装置について説明する。 Referring to FIGS. 1A and 1B, it illustrates a light-emitting device according to the present embodiment.

図1Aは、本発明の実施の形態1に係る発光装置の平面状態を示す平面図である。 Figure 1A is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

本実施の形態に係る発光装置1は、基板10と、基板10に載置された発光素子チップ11と、発光素子チップ11を封止する封止部12とを備える。 The light emitting device 1 according to this embodiment includes a substrate 10, a light-emitting element chip 11 placed on the substrate 10, and a sealing portion 12 for sealing the light-emitting element chip 11. また、発光装置1は、封止部12から離れて封止部12を挟むように対向して基板10に配置された光散乱部15を備える。 Further, the light emitting device 1 includes a light scattering portion 15 which is disposed on the substrate 10 to face so as to sandwich the seal portion 12 away from the sealing portion 12.

したがって、発光装置1は、封止部12から離れた位置に光散乱部15を有することから、発光素子チップ11から放射された光を封止部12の外側へ放出し、封止部12から水平方向へ放出された光LL1を光散乱部15で散乱して照射対象としての外部光学部材(例えば、図1Bで示す導光板38)へ向かう光に変換するので、封止部12の直上に配置された外部光学部材(導光板38)へ入光させるに際し、構成部材での反射・吸収等によって生じる光損失を極力低減して直接入光させることができ、外部光学部材に対する結合効率を高めることができる。 Accordingly, the light emitting device 1, since it has a light scattering portion 15 at a position apart from the sealing portion 12 emits light emitted from the light emitting element chip 11 to the outside of the sealing portion 12, the sealing portion 12 external optical member as an irradiation target with light LL1 emitted horizontally scattered by the light scattering section 15 (e.g., the light guide plate 38 shown in FIG. 1B) so into a light directed to, immediately above the sealing portion 12 upon be placed incident to the external optical element (light guide plate 38), the optical loss is minimized caused by such reflection and absorption in the configuration member can be directly incident to it, increasing the coupling efficiency to an external optical element be able to.

基板10は、適宜の配線パターン(図1Aでは、不図示。図2Aないし図2Kで例示する。)が形成されたセラミック基板である。 Substrate 10 (in FIG. 1A, illustrated in the not shown. 2A through 2K.) Appropriate wiring pattern is a ceramic substrate which is formed. LED(Light Emitting Diode)チップで構成された発光素子チップ11が配線パターンに対応して実装され、ワイヤ13を介して適宜接続されている。 LED (Light Emitting Diode) light-emitting element chips 11 composed of a chip is mounted in correspondence with the wiring pattern are connected appropriately via a wire 13. なお、図1Aでは、2個の発光素子チップ11を直列に接続した状態を示すが、並列に接続することも可能である。 In FIG. 1A, but showing a state in which the two light-emitting element chips 11 are connected in series, may be connected in parallel. 接続形態は、要求される電気的特性、光学特性に応じて適宜設定すれば良い。 Form of connection, the electrical characteristics required, may be appropriately set according to the optical characteristics.

内層部に金属板を有し、表面に絶縁層を形成した放熱性の高いメタルコア基板をセラミック基板の代わりに適用することも可能である。 Has a metal plate in the inner layer portion, it is also possible to apply the metal core substrate having high heat dissipation forming an insulating layer on the surface instead of the ceramic substrate. また、高い放熱特性がそれほど必要とされない場合には、放熱性の良い基板材料ではなく、プリント配線基板のような単層、多層の樹脂製の絶縁基板を使用しても良い。 Also, when a high heat radiation characteristic is not as much need, rather than having a good heat radiating property substrate material, a single layer such as a printed wiring board, it may be used an insulating substrate made of a multilayer resin. なお、基板10の平面形状は、例えば3mm〜4mm角程度とすることができる。 The planar shape of substrate 10 may be, for example 3mm~4mm angle approximately.

発光素子チップ11の電極は、どのような形態であっても良い。 Electrode of the light-emitting element chips 11 may be in any form. 例えば、フリップチップ方式、チップの上下両面にアノ−ド電極/カソ−ド電極を分けて配置したもの、チップの表面にアノ−ド電極/カソ−ド電極の両方を備えたものなどがある。 For example, flip chip method, anode on the upper and lower surfaces of the chip - cathode electrode / cathode - those arranged separately cathode electrode, anode to the surface of the chip - cathode electrode / cathode - and the like which has both cathode electrode. 電極への接続は、発光素子チップ11のアノ−ド電極/カソ−ド電極の形態によってワイヤ−の適用、バンプ電極でのボール接続などがある。 Connection to the electrodes, anode of the light-emitting element chips 11 - cathode electrode / cathode - form by wire cathode electrode - applied in, there is a ball connection bump electrode.

また、発光素子チップ11は、直方体状であり、平面視で長方形状である。 The light-emitting element chip 11 is a rectangular parallelepiped shape, a rectangular shape in plan view. アノ−ド電極/カソ−ド電極は、発光素子チップ11の表面で対向する配置となるように長方形の長手方向で両端部の近傍にそれぞれ形成されている。 Anode - cathode electrode / cathode - cathode electrode are respectively formed in the vicinity of both end portions in the longitudinal direction of the rectangle so that the arrangement which faces the surface of the light-emitting element chip 11. 発光素子チップ11は、発光素子チップ11の長辺が基板10の1辺に平行になるよう配置される。 Emitting element chip 11, the long side of the light-emitting element chips 11 are arranged so as to be parallel to one side of the substrate 10. 発光素子チップ11は、1つでも良いし、複数であっても良い。 Emitting element chip 11, it may be one or may be plural. 図1Aでは、2個の発光素子チップ11を配置した状態を示す。 In Figure 1A, showing a state of arranging the two light emitting element chip 11.

なお、複数の発光素子チップ11は、各発光素子チップ11の長辺が平行になるように配置することが好ましい。 The plurality of light emitting device chips 11, it is preferable that the long side of each light-emitting element chips 11 are arranged in parallel. このような配置により、後述する発光素子チップ11を覆う封止部12の上面から見た面積を小さくできる。 Such an arrangement can reduce the area as seen from the upper surface of the sealing portion 12 that covers the light-emitting element chip 11 to be described later.

発光素子チップ11の周囲は、発光素子チップ11を覆うように直方体状の封止部12によって被覆されている。 Around the light emitting device chip 11 is covered by a rectangular parallelepiped-shaped sealing portion 12 so as to cover the light-emitting element chip 11. 封止部12は、蛍光体(微小粒子であり、図面の見易さを考慮して図示を省略する。)を含む封止用透光性樹脂12r(図5F参照)で形成されている。 Sealing portion 12, (a microparticle, not shown. In consideration of viewability of the drawings) phosphors are formed in the sealing translucent resin containing 12r (see FIG. 5F). つまり、封止部12は、蛍光体を含有する。 In other words, the sealing portion 12 contains a phosphor. なお、封止用透光性樹脂12rについては、図5Fでさらに説明する。 Note that the sealing translucent resin 12r, further described in FIG. 5F.

蛍光体は、発光素子チップ11からの光の一部を吸収して別の波長の蛍光を放出する。 Phosphor is to absorb a portion of light from the light emitting element chips 11 emit fluorescence of different wavelengths. したがって、蛍光体により変換して放出された蛍光と発光素子チップ11からの光との混色により白色光を放出させることができる。 Therefore, it is possible to emit white light by mixing the light from the fluorescent light-emitting element chip 11 which is released by converting the phosphor. つまり、発光装置1は、蛍光体粒子の波長変換によって放射される光の波長を調整することから、適宜の波長の光を発生させることができる。 That is, the light emitting device 1, since the adjusting the wavelength of light emitted by the wavelength conversion of the phosphor particles, it is possible to generate light of a suitable wavelength.

基板10の平面形状は、四辺形であり、封止部12および光散乱部15は、基板10の例えば1辺10hに平行となるように直線状に延長されている。 The planar shape of the substrate 10 is quadrilateral, the sealing portion 12 and the light scattering portion 15 is extended linearly in parallel, for example, one side 10h of the substrate 10. したがって、発光装置1は、光散乱の制御性を容易かつ高精度に確保し、生産性を向上させることが可能となる。 Accordingly, the light emitting device 1, the controllability of the light scattering secured easily and highly accurately, it is possible to improve productivity.

光散乱部15は、封止部12の端部12tを開放するように分離されている。 Light scattering portion 15 is separated to open the end 12t of the sealing portion 12. つまり、2つの光散乱部15の間で、端部12tは、長手方向(長手方向の側面)で露出された形状となっている。 In other words, between the two light scattering portion 15, the end portion 12t has a exposed shape in the longitudinal direction (longitudinal side). したがって、発光装置1は、光散乱部15による制御を及ぼす主要な方向を光散乱部15(長手方向)と交差する方向に制限して光散乱部15による光散乱方向を調整することができる。 Accordingly, the light emitting device 1 can be restricted in a direction intersecting the main direction on the control by the light scattering portion 15 light scattering portion 15 (the longitudinal direction) to adjust the light scattering direction by light scattering unit 15.

光散乱部15は、例えば、1辺10hに平行に配置され、直線状に延長されている。 Light scattering portion 15 is, for example, disposed parallel to one side 10h, and is extended linearly. また、光散乱部15の端部15tは、適宜の丸みを帯びた円弧状にされ略球面状に形成されている。 The end portion 15t of the light scattering portion 15 is formed in to substantially spherical in an appropriate arcuate rounded. 光散乱部15の長手方向に垂直な断面は、略半円状あるいは外周が基板10に対して突出している凸形状であることが望ましい。 Cross section perpendicular to the longitudinal direction of the light scattering portion 15 is preferably substantially semicircular or outer periphery has a convex shape which protrudes against the substrate 10.

封止部12の端部12tおよび光散乱部15の端部15tは、基板10の周縁より内側に配置されている。 End 15t of the edge portion 12t and the light scattering portion 15 of the sealing portion 12 is disposed inside the periphery of the substrate 10. したがって、発光装置1は、封止部12および光散乱部15の配置を高精度に制御することが可能となり、また、複数の基板10を並置した集合基板10s(図5Aないし図5M参照)を分割して基板10を製造するときの生産性を向上させることができる。 Accordingly, the light emitting device 1, it is possible to control the placement of the sealing portion 12 and the light scattering portion 15 with high accuracy, also collective substrate 10s juxtaposed a plurality of substrates 10 (see FIGS. 5A-5M) divided and can improve the productivity of the manufacture of the substrate 10.

光散乱部15の端部15tから基板10の周縁までの距離Lsは、封止部12の端部12tから基板10の周縁までの距離Lpより短い。 Distance Ls from the end 15t of the light scattering portion 15 to the peripheral edge of the substrate 10 is shorter than the distance Lp from the end 12t of the sealing portion 12 to the peripheral edge of the substrate 10. したがって、発光装置1は、封止部12の端部12tから放射される光に対しても光散乱部15の作用を有効に及ぼすことが可能となる。 Accordingly, the light emitting device 1, it becomes possible to exert effectively the action of the light scattering unit 15 to the light emitted from the end portion 12t of the sealing portion 12.

つまり、光散乱部15の端部15tは、封止部12の端部12tより基板10の周縁近傍まで伸びるように延長されていることが好ましい。 That is, the end portion 15t of the light scattering portion 15 is preferably is extended to extend to the vicinity of the periphery of the substrate 10 from the end portion 12t of the sealing portion 12. この構成によって、封止部12の両方の端部12tから放出された光は、光散乱部15による作用を受けることが可能となることから、十分に散乱され、封止部12、光散乱部15の位置からさらに外部の方向へ光を向けることができる。 This configuration, light emitted from the end portion 12t of both sealing portions 12, since it is possible to receive the effect of light scattering portion 15, is sufficiently scattered, the sealing portion 12, the light scattering unit it can further direct the light to the outside direction from the position of 15.

光散乱部15は、発光素子チップ11や蛍光体で放射され封止部12の外部(空気)に放出された光のうち、発光素子チップ11から横方向(チップ側面方向)へ放出された光を散乱させ、散乱された光の少なくとも一部は、基板10の垂直方向で基板10とは反対側へ向けて放射(散乱)される。 Light scattering unit 15, among the light emitted to the outside of the light-emitting element chip 11 and the phosphor emitted at the sealing portion 12 (air), the light emitted from the light emitting element chip 11 in the transverse direction (chip side direction) was scattered, at least a portion of the scattered light is emitted (scattered) toward a side opposite to the substrate 10 in the vertical direction of the substrate 10.

また、基板10の表面から光散乱部15の最上面までの高さ(頂点15cの高さ)は、基板10の表面から封止部12の最上面までの高さ(頂面12cの高さ)と同等かそれ以上であることが好ましい。 Moreover, (the height of the apex 15c) height from the surface of the substrate 10 to the top surface of the light scattering portion 15, the height from the surface of the substrate 10 to the top surface of the sealing portion 12 (height of the top surface 12c ) and it is preferably equal to or greater than. つまり、光散乱部15の基板10からの高さは、封止部12の基板10からの高さに対して同じであること、または、高いことが好ましい。 That is, the height from the substrate 10 of the light scattering portion 15, it is the same for the height from the substrate 10 of the sealing portion 12, or is preferably high. この構成によって、封止部12から放出された光が光散乱部15の作用を受けやすくなり、光LL2を外部方向(基板10の垂直方向での外部方向)へさらに多く向けることが可能となる。 This arrangement is susceptible to the action of light the light scattering portion 15 released from the sealing portion 12, it is possible to direct more light LL2 outside direction (outward in the vertical direction of the substrate 10) .

光散乱部15は、光拡散材(例えば、酸化チタン:TiO2)を含有する透光性樹脂15r(図5Kでさらに説明する。)で形成されている。 Light scattering unit 15, a light diffusion material (e.g., titanium oxide: TiO2) is formed by containing a light-transmitting resin 15r (described further in Figure 5K.). したがって、発光装置1は、光散乱部15の光拡散性を容易にかつ精度良く制御することができる。 Accordingly, the light emitting device 1 can be controlled easily and accurately a light diffusing property of light scattering portion 15.

光散乱部15に含有させる光拡散材は、光散乱部15の母材である透光性樹脂15r(図5K参照)に均一に分散される。 Light diffusing material to be contained in the light scattering portion 15 is uniformly dispersed in a base material of the light scattering portion 15 translucent resin 15r (see Figure 5K). 光拡散材としては、TiO2の他に、SiO2、ZnO、ポリスチレン粒子などを用いることができる。 The light diffusing material, in addition to TiO2, SiO2, ZnO, or the like can be used polystyrene particles. また、光拡散材としてのTiO2と、増粘材としてのシリカ(SiO2)を混合して透光性樹脂15rに均一に分散させても良い。 Further, a TiO2 as the light diffusion material may be uniformly dispersed in the silica (SiO2) were mixed translucent resin 15r as thickener.

封止部12は、全体に蛍光体を分散させて含有する形態とすることも可能であるが、蛍光体を含有して発光素子チップ11を封止する第1封止部12fと、第1封止部12fに重なる第2封止部12sとを備える形態とすることも可能である。 Sealing portion 12, it is also possible to form containing dispersed phosphor throughout a first sealing portion 12f for sealing the light-emitting element chip 11 contains a phosphor, the first it is also possible to form and a second sealing portion 12s overlapping the sealing portion 12f. なお、第2封止部12sは、蛍光体を含有しない封止用透光性樹脂で形成される。 Incidentally, the second sealing portion 12s is formed by sealing a translucent resin containing no phosphor.

この構成により、発光装置1は、蛍光体粒子の波長変換で放射される光の発生を第1封止部12fの範囲に限定することから、第2封止部12sの表面から空間に放射される光の中で入射角が小さい光の割合を増加させることができ、第2封止部12sの表面で全反射を生じる臨界角より小さい入射角を有する光の割合を増加させて外部へ放出する光を増加させることができる。 With this configuration, the light emitting device 1, since limiting the generation of light emitted by the wavelength conversion of the phosphor particles in the range of the first sealing portion 12f, is radiated into space from the surface of the second sealing portion 12s that fraction of incident angle is small light in the light can be increased, emission increases the proportion of light having a critical angle less than the angle of incidence causing total reflection on the surface of the second sealing portion 12s to the outside the light can be increased.

つまり、発光装置1は、光の発生源を第1封止部12fの範囲に限定することになり(蛍光体粒子が点光源、発光素子チップ11が面光源として作用する)、光の発生源から放出された光を第2封止部12sによって空気中(外部)へ放出するので取り出し効率を改善することができる。 That is, the light-emitting device 1 is made to limit the source of light in the range of the first sealing portion 12f (phosphor particles point light source, the light-emitting element chip 11 acts as a surface light source), a source of light will release the air to the (external) the light emitted by the second sealing portion 12s from can improve extraction efficiency. また、第1封止部12fの上に第2封止部12sが配置されることから、点光源/面光源として作用する蛍光体粒子/発光素子チップ11から第2封止部12sの表面(空気に対する界面)までの距離が長くなる。 Further, since the second sealing portion 12s is disposed on the first sealing portion 12f, the phosphor particles / from the light emitting element chip 11 of the second sealing portion 12s surface which acts as a point light source / surface light source ( the distance to the interface) to air is increased. したがって、蛍光体粒子や発光素子チップ11から放出された光は、空気との界面である第2封止部12sの表面に対する入射角が小さいものの割合が増加する。 Therefore, light emitted from the phosphor particles and the light-emitting element chip 11, the proportion of those incident angle to the surface at which the surface of the second sealing portion 12s of the air is small is increased. 言い換えれば、第2封止部12sの表面で全反射を起こす臨界角度より小さな入射角度を有する光の割合が増えることになり、第2封止部12sから外部へ放射される光を増加することが可能となる。 In other words, will be the proportion of light having a smaller incident angle than the critical angle at which total reflection occurs at the surface of the second sealing portion 12s is increased, increasing the light emitted to the outside from the second sealing portion 12s it is possible.

また、第1封止部12fおよび第2封止部12sで構成される封止部12は、平面視で四辺形を基本形状としている。 The sealing portion 12 formed of the first sealing portion 12f and the second sealing portion 12s is in the basic shape of the quadrilateral in plan view. また、両側に光散乱部15が配置されることから、基本的な形状としては、長手方向を有する長方形となる。 Further, since the light scattering portion 15 is arranged on both sides, but the basic shape, a rectangular shape having a longitudinal direction. つまり、封止部12の長手方向の一辺は、基板10の1辺10hに平行となる。 That is, the longitudinal direction of one side of the sealing portion 12 is parallel to one side 10h of the substrate 10. また、封止部12は、基板10の中央部に配置されることが望ましい。 The sealing portion 12 is preferably arranged at the center portion of the substrate 10. なお、基本形状は長方形であっても、角部に円弧状の面取りを施すことも可能である。 The basic shape may be rectangular, it is also possible to perform an arcuate chamfered corners. 図1Aの場合では、長方形の4隅がそれぞれ半円状の円弧とされている。 In the case of FIG. 1A, a rectangular four corners there is a semicircular arc, respectively.

また、発光素子チップ11としてフリップチップを使用する場合は、第1封止部12fをチップの表面側にのみ対応させて形成し、第1封止部12fおよび発光素子チップ11を覆うように第2封止部12sを形成することも可能である。 Also, when using a flip chip as the light-emitting element chip 11 includes a first so that the first sealing portion 12f formed so as to correspond only to the surface of the chip, covering the first sealing portion 12f and the light emitting element chip 11 it is also possible to form the second sealing portion 12s.

なお、第1封止部12fは、蛍光体を含有する例えば封止用透光性樹脂で形成され、第2封止部12sは、蛍光体を含有しない例えば封止用透光性樹脂で形成される。 The first seal portion 12f is formed, for example, sealing the translucent resin containing a phosphor, the second sealing portion 12s is formed in the non e.g. sealing translucent resin containing a phosphor It is. 封止部12(第1封止部12f、第2封止部12s)の具体的な製造方法は、図5Fで例示する。 The sealing portion 12 (the first sealing portion 12f, the second sealing portion 12s) specific production method is illustrated in Figure 5F.

封止部12の外側には、封止部12の長手方向に沿って封止部12から離れた位置に基板10の1辺10hと平行な光散乱部15が形成されている。 On the outside of the sealing portion 12, one side 10h parallel to the light scattering portion 15 of the substrate 10 at a position away from the sealing portion 12 along the longitudinal direction of the sealing portion 12 is formed. 光散乱部15は、封止部12の両側に配置されることから、基板10の辺にそれぞれ沿って形成されている。 Light scattering portion 15, from being arranged on both sides of the sealing portion 12 are formed respectively along the sides of the substrate 10. つまり、それぞれの光散乱部15は、封止部12の長手方向に沿って延長され、基板10の周縁より内側に形成されている。 That is, each of the light scattering unit 15 is extended along the longitudinal direction of the sealing portion 12, is formed inside the periphery of the substrate 10.

なお、光散乱部15は、基板10の2つの辺に沿ってそれぞれ形成され、残りの辺に対しては、延長(形成)されていない。 The light scattering portion 15 is formed respectively along two sides of the substrate 10, with respect to the remaining sides are not extended (formed). したがって、封止部12の長手方向の端部12tは、基板10の表面および封止部12の長手方向を延長した位置に対応する側面から見た場合に、光散乱部15によって遮蔽されず、露出した構成となっている。 Accordingly, the longitudinal end portion 12t of the sealing portion 12, when viewed from the side corresponding to the position obtained by extending the longitudinal direction of the surface and the sealing portion 12 of the substrate 10 is not shielded by the light scattering portion 15, It has become exposed configuration. つまり、光散乱部15は、封止部12の長手方向の端部12tを開放するように対向して2つ形成されている。 That is, the light scattering portion 15 is opposed to two in formed so as to open the longitudinal ends 12t of the sealing portion 12.

本実施の形態に係る発光装置1の作用について、封止部12と光散乱部15を離間させず、封止部12と光散乱部15とを接触させた場合を想定して比較説明する。 The operation of the light emitting device 1 according to this embodiment, without separating the sealing portion 12 and the light scattering portion 15, envisaged to compare explaining a case is brought into contact with the sealing portion 12 and the light scattering portion 15.

封止部12と光散乱部15とを接触させた場合、発光素子チップ11や蛍光体から放出された光のうち、封止部12の表面(頂面12c)ではなく側面12d(図1B参照)から光散乱部15へ向かった光は、光散乱部15で散乱され、一部は、基板10の表面や発光素子チップ11に到達し、到達した光の一部は光吸収される。 When contacted with the sealing portion 12 and the light scattering portion 15, among the light emitted from the light emitting device chip 11 and the phosphor, the surface of the sealing portion 12 (top face 12c) rather than the side surface 12d (see FIG. 1B ) light toward the light scattering portion 15 is scattered by the light scattering portion 15, in part, to reach the surface and the light-emitting element chip 11 of the substrate 10, a part of the light that reaches is light absorbing. また、封止部12の表面に向けて放射された光の内、臨界角以上の入射角で入射した光は、封止部12の表面で全反射されることから、基板10の表面や発光素子チップ11に到達し、到達した光の一部は光吸収される。 Among the emitted toward the surface of the sealing portion 12 lights, light incident at an incident angle larger than the critical angle, from being totally reflected by the surface of the sealing portion 12, the surface and the light emitting substrate 10 reaches the element chip 11, part of the light that reaches is light absorbing.

すなわち、封止部12と光散乱部15とを接触させた場合、発光素子チップ11からの光は、封止部12の外部に取り出されずに構成部材(基板10、光散乱部15)や発光素子チップ11で吸収され、光損失が生じる確率が高くなる。 That is, when contacted with the sealing portion 12 and the light scattering portion 15, light from the light emitting element chip 11, components (substrate 10, the light scattering portion 15) without being taken out of the sealing portion 12 and the light-emitting is absorbed by the element chip 11, the probability that the light loss occurs becomes high.

これに対し、本実施の形態に係る発光装置1では、封止部12と光散乱部15との間を離す構成とすることで、発光素子チップ11や蛍光体から放出された光を封止部12の外部にそのまま取りだすことができる。 In contrast, in the light emitting device 1 according to this embodiment is formed to have a structure in which apart between the sealing portion 12 and the light scattering portion 15, sealing the light emitted from the light emitting device chip 11 and phosphor can directly take out that outside parts 12. したがって、封止部12の周囲に配置される構成部材による反射、吸収を極力抑制して、光損失を最小限に留めることができる。 Therefore, it is possible to keep reflection by components arranged around the sealing portion 12, absorbs and minimizing the light loss to a minimum.

図1Bは、図1Aに示した発光装置をバックライト装置の導光板適用したときの配置状態を示す概念図である。 Figure 1B is a conceptual diagram showing an arrangement state when the light-emitting device was applied a light guide plate of the backlight unit shown in FIG. 1A. なお、図1Aで示したワイヤ13は、図の見易さを考慮して省略してある。 Note that the wire 13 shown in FIG. 1A are omitted in consideration of the visibility of FIG.

導光板38を備えるエッジライト方式のバックライト装置に適用した場合を例示して発光装置1の作用を説明する。 It is applied to a backlight unit of an edge light type including a light guide plate 38 illustrated by describing the operation of the light emitting device 1. 外部光学部材としての導光板38は、光出射面38sおよび入射端面38tを備える。 The light guide plate 38 as an external optical member comprises a light emitting surface 38s and the incident end face 38 t. 光源としての発光装置1は、入射端面38tに対向させて配置される。 The light emitting device 1 as a light source is disposed to face the incident end face 38 t.

上述したとおり、発光装置1は、封止部12と光散乱部15とを互いに離間する構成とされているので、直方体状の封止部12の表面(頂面12c)からだけでなく側面12d(直方体の高さ方向の面)からも光LL1を取り出すことができる。 As described above, the light emitting device 1, since it is configured to separate the sealing portion 12 and the light scattering portion 15 to each other, side surfaces 12d not only from the surface of the rectangular sealing part 12 (the top surface 12c) light can be extracted LL1 from (the surface of the cuboid height direction). 側面12dから放射された光LL1は、光散乱部15によって、基板10に垂直な空間方向へ放出される。 Light LL1 emitted from the side surface 12d is the light scattering portion 15 is released into the spatial direction perpendicular to the substrate 10.

つまり、発光素子チップ11や蛍光体から放出された光のうち、頂面12cから入射端面38tに向けて直接入射する光とは別に封止部12の側面12dから放射された光LL1は、光散乱部15の作用を受ける。 That is, of the light emitted from the light emitting device chip 11 and the phosphor, light LL1 which is separately radiated from the side surface 12d of the sealing portion 12 and the light entering directly toward the incident end surface 38t from the top surface 12c, the light subjected to the action of the scattering unit 15. すなわち、側面12dから光散乱部15へ放出された光LL1は、光散乱部15で散乱され、導光板38の入射端面38tへ向かう光LL2に変換される。 That is, the light LL1 emitted from the side surface 12d to the light scattering portion 15 is scattered by the light scattering portion 15, and is converted into light LL2 toward the incident end surface 38t of the light guide plate 38.

したがって、例えば、導光板38を備えるエッジライト方式のバックライト装置に発光装置1を適用したとき、導光板38の入射端面38tへ発光装置1からの光を効率よく入射させることができ、結合効率を向上させ、システム全体として実効上の発光効率を向上させることが可能となる。 Thus, for example, when using the light-emitting device 1 to the backlight device of an edge light type including a light guide plate 38, can be made incident efficiently the light from the light emitting device 1 to the incident end surface 38t of the light guide plate 38, the coupling efficiency the improved, it becomes possible to improve the luminous efficiency of the effective overall system.

また、発光装置1は、封止部12をレンズ形状とする必要がないことから、封止部12の頂面12cは、平面状とされている。 Further, the light emitting device 1, it is not necessary to the sealing portion 12 and the lens shape, the top surface 12c of the sealing portion 12 is a planar. 例えば、発光装置1を導光板38の入射端面38tに対向させたときに、発光装置1の基板10に垂直な方向の厚み(基板10の表面から入射端面までの距離Ld)を低減することができ、導光板38の入射端面38tに配置される発光装置1を含む外形を縮小して導光板38に対して配置される額縁部36の面積を縮小することができる。 For example, when are opposed to the light emitting device 1 to the entrance end surface 38t of the light guide plate 38, it is possible to reduce the vertical direction of the thickness to the substrate 10 of the light emitting device 1 (the distance Ld from the surface of the substrate 10 to the incident end face) can, it is possible to reduce the area of ​​the frame portion 36 to be positioned relative to the light emitting device 1 the light guide plate 38 by reducing the outer shape comprising disposed on the incident end surface 38t of the light guide plate 38.

つまり、導光板38の光源として発光装置1を適用した場合、基板10の表面から入射端面38tまでの距離Ldを縮小して導光板38の光源として必要な配置領域を縮小することが可能となる。 That is, when using the light-emitting device 1 as a light source of the light guide plate 38, it is possible to reduce the required placement area as the light source of the light guide plate 38 by reducing the distance Ld to the entrance end surface 38t from the surface of the substrate 10 . また、距離Ldを縮小することから、発光装置1と導光板38との結合効率をさらに向上させることができる。 Further, since reducing the distance Ld, the coupling efficiency of the light emitting device 1 and the light guide plate 38 can be further improved.

<実施の形態2> <Embodiment 2>
図2Aないし図2Kを参照して、本実施の形態に係る発光装置について説明する。 Referring to FIGS. 2A to 2K, it illustrates a light-emitting device according to the present embodiment. なお、本実施の形態に係る発光装置は、実施の形態1に係る発光装置1の変形例(変形例1〜変形例8)であるので、符号を適宜援用(あるいは省略)し、主に異なる事項について説明する。 The light-emitting device according to the present embodiment is the modification of the light emitting device 1 according to the first embodiment (variation 1 Modification 8), code appropriately incorporated (or omitted) and different main in It will be described matters.

また、本実施の形態では、実施の形態1で省略した配線パターン14を図示している。 Further, in the present embodiment illustrates a wiring pattern 14 is omitted in the first embodiment. 配線パターン14は、いずれか一方がアノード電極用配線パターンとなり、他方がカソード電極用配線パターンとなる。 Wiring patterns 14, one is an anode electrode wiring pattern, the other is a cathode electrode wiring pattern. 配線パターン14は、発光素子チップ11のアノード電極、カソード電極へ適宜の手段(例えば、ワイヤ。なお、本実施の形態では、図の見易さを考慮してワイヤの図示は省略してある。)で接続される。 Wiring patterns 14, the anode electrode of the light-emitting element chips 11, appropriate means to the cathode electrode (e.g., a wire. In the present embodiment, the illustration of the wire in consideration of viewability of the figure is omitted. ) are connected by.

図2Aは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例1)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2A is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (variation 1).

本変形例では、図1Aの発光装置1に比較して、2つの発光素子チップ11のレイアウトを変更したものであり、2つの発光素子チップ11の長辺を光散乱部15の長手方向に平行になるように配置したものである。 In this modification, as compared to the light emitting device 1 in Figure 1A, is obtained by changing the layout of two of the light-emitting element chips 11, parallel to the long sides of the two light-emitting element chips 11 in the longitudinal direction of the light scattering portion 15 in which are arranged to run in.

本変形例では、発光素子チップ11の表面に形成され、光遮蔽部として作用するアノ−ド電極/カソ−ド電極(図示しない)は、基板10の表面で光散乱部15の側に配置されない。 In this modified example, is formed on the surface of the light-emitting element chips 11, anode acts as a light-shielding portion - cathode electrode / cathode - cathode electrode (not shown) are not arranged on the side of the light scattering portion 15 on the surface of the substrate 10 . 各発光素子チップ11は、封止部12の長手方向に沿って並ぶように配置されているので、発光装置1の中心付近の発光強度を増加させることができる。 Each light-emitting element chip 11, because it is arranged so as to be aligned along the longitudinal direction of the sealing portion 12, it is possible to increase the luminous intensity near the center of the light emitting device 1.

図2Bは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例2)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2B is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (variation 2).

本変形例では、光散乱部15の端部15tは、封止部12の端部12tと同じ位置(参照線RF参照)まで伸びるように形成されている。 In this modification, the end portion 15t of the light scattering portion 15 is formed to extend to the same position as the end portion 12t of the sealing portion 12 (see reference line RF). したがって、封止部12の端部12tから放出される光は、光散乱部15の影響を受けず、そのまま水平方向へ放出されてしまう。 Therefore, light emitted from the end portion 12t of the sealing portion 12 is not affected by the light scattering portion 15, thereby being discharged as it is to the horizontal direction. しかし、本変形例に係る発光装置1を複数並べて、封止部12および光散乱部15の長手方向が直線状になるように配置した場合、封止部12が互いに近接することになり、隣接する発光装置1の間での輝度をあげることができる。 However, arranging a plurality of light emitting device 1 according to this modification, if the longitudinal direction of the sealing portion 12 and the light scattering portion 15 is arranged to run in a straight line, it will be sealed portion 12 are close to each other, the adjacent luminance between the light emitting device 1 which can be mentioned.

つまり、本変形例に係る発光装置1では、光散乱部15の端部15tから基板10の周縁までの距離は、封止部12の端部12tから基板10の周縁までの距離と同じである。 That is, in the light emitting device 1 according to this modification, the distance from the end portion 15t of the light scattering portion 15 to the peripheral edge of the substrate 10 is the same as the distance from the end portion 12t of the sealing portion 12 to the peripheral edge of the substrate 10 . したがって、発光装置1は、光散乱部15および封止部12を長手方向に複数配置して使用する場合に発光装置1の間での輝度の低下を抑制することができる。 Accordingly, the light emitting device 1, it is possible to suppress a decrease in luminance between the light emitting device 1 when used in arranging a plurality of light scattering portion 15 and the sealing portion 12 in the longitudinal direction.

図2Cは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例3)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2C is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (modification 3).

本変形例では、長方形の発光素子チップ11は、長手方向に直線状に配置されている。 In this modification, a rectangular light-emitting element chips 11 are arranged in a straight line in the longitudinal direction. したがって、封止部12の平面視での形状をさらに細長くすることができる。 Therefore, it is possible to further elongate shape in plan view of the sealing portion 12. 例えば、導光板38の入射端面38tの形状に対して整合性のある形状とすることができるので、導光板38に対する結合効率をさらに向上させることが可能となる。 For example, it is possible to Consistent shape with respect to the shape of the incident end face 38t of the light guide plate 38, it becomes possible to further improve the coupling efficiency with respect to the light guide plate 38.

また、発光素子チップ11の表面に形成され、光遮蔽部として作用するアノ−ド電極/カソ−ド電極(図示しない)が、基板10の表面で光散乱部15の近傍に配置されないようにしているので、封止体12から光散乱部15の方へ向かう光を多くさせることができる。 Further, formed on the surface of the light-emitting element chips 11, anode acts as a light-shielding portion - cathode electrode / cathode - cathode electrode (not shown), so as not arranged in the vicinity of the light scattering portion 15 on the surface of the substrate 10 because there can be many light directed from the sealing body 12 towards the light scattering portion 15.

図2Dは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例4)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2D is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (modification 4).

本変形例では、光散乱部15は、基板10の周縁まで延長して形成されている。 In this modification, the light scattering portion 15 is formed extending to the periphery of the substrate 10. また、封止部12の端部12tは、光散乱部15の端部15tより基板10の中央よりに配置されている。 The end portion 12t of the sealing portion 12 is disposed from the end portion 15t of the light scattering portion 15 closer to the center of the substrate 10. 光散乱部15は、基板10の周縁まで延長して形成されているので、封止部12から放出される光の内、封止部12の端部12tの周辺から放出される光に対しても光散乱部15の作用を確実に及ぼすことが可能となる。 Light scattering portion 15, because it is formed to extend to the periphery of the substrate 10, among the light emitted from the sealing portion 12, to the light emitted from the periphery of the end 12t of the sealing portion 12 it is possible to also exert surely the effect of light scattering portion 15.

したがって、封止部12の端部12tの周辺に対しても光散乱部15が作用することから、外部(垂直方向)へ放出される光をさらに増加させることができ、発光効率を向上させる。 Accordingly, since the acting light scattering portion 15 against the periphery of the end portion 12t of the sealing portion 12, it is possible to further increase the light emitted to the outside (vertical direction), thereby improving luminous efficiency. また、封止部12および光散乱部15を長手方向で輝度を向上させることができる。 Further, it is possible to improve the brightness of the sealing portion 12 and the light scattering unit 15 in the longitudinal direction.

図2Eは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例5)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2E is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (modification 5).

本変形例は、変形例4を変形したものである。 This modification is a modification of the fourth modification. つまり、本変形例では、光散乱部15は、長手方向だけでなく、短手方向も基板10の周縁まで延長して形成されているので、光散乱部15は、3方向(基板10の隣接する3辺)で基板10の周縁まで延長されている。 That is, in this modification, the light scattering portion 15 is not only longitudinally, since the lateral direction are formed to extend to the periphery of the substrate 10, the light scattering portion 15, adjacent the three directions (the substrate 10 It is extended to the periphery of the substrate 10 at three sides) to. したがって、光散乱部15の面積を拡大することが可能となり、外部(垂直方向)へ放出される光をさらに増加させることができる。 Therefore, it becomes possible to enlarge the area of ​​the light scattering portion 15, it is possible to further increase the light emitted to the outside (vertical direction).

図2Fは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例6)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2F is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (modification 6). 図2Gは、図2Fに示した発光装置を矢符2G方向から見た側面状態を示す側面図である。 Figure 2G is a side view illustrating a side state viewed light emitting device shown in FIG. 2F along line 2G direction.

本変形例では、光散乱部15は、後述する発光装置1の製造方法(図5K参照)で示す基板10への透光性樹脂の塗布ではなく、予め形成された硬質の樹脂部材を貼り付けて形成された光反射部に置き換えている。 In this modification, the light scattering unit 15, paste translucent rather than coating the resin, the resin member rigid preformed to the substrate 10 shown in the method of manufacturing the light emitting device 1 to be described later (see Fig. 5K) It is replaced by a light reflecting portion formed Te. つまり、光散乱部15(光反射部)は、封止部12に対向する面が斜面状とされた硬質の樹脂部材で形成され、封止部12に対向する面に金属膜の蒸着や反射性塗料の塗布が施されているので、光散乱部15からの光に対して光散乱性(光反射性)を有する。 That is, the light scattering portion 15 (light reflection portion), the surface facing the sealing portion 12 is formed of a resin member of a rigid, which is an inclined plane, deposition or reflective metal film on a surface facing the sealing portion 12 since application of the sex paint is applied, a light scattering (light reflectivity) to the light from the light scattering unit 15.

なお、光反射部の場合は、光の反射・散乱特性がその反射面の傾きや表面状態によって変わるが、光散乱部15の場合は、光の反射・散乱特性が、その散乱面の傾きや表面状態だけではなく、透光性樹脂内部の光拡散材の配置や光拡散材の粒径や形状にも左右される。 In the case of the light reflection portions, the reflection and scattering characteristics of the light is changed by the inclination or the surface condition of the reflecting surface, in the case of the light scattering portion 15, the reflection-scattering properties of light, Ya gradient of the scattering surface not only the surface condition, but also on the particle size and shape of the arrangement and the light diffusing material of the translucent resin inside the light diffusing material.

光散乱部15を反射部材ではなく光散乱部材で形成した場合、光の反射・散乱特性の散乱面の傾きや表面状態への依存性を高めるためには、透光性樹脂の内部で光拡散材を散乱面近傍に過剰に配置する等の処置を施す。 If the light scattering portion 15 is formed by the light scattering member rather than a reflective member, in order to improve the dependence of the scattering surface of the reflection-scattering properties of the light to the inclination or the surface state, the light diffusion inside the translucent resin the wood is subjected to treatment such excessively disposed scattering surface vicinity.

本変形例に係る光散乱部15(発光装置1)によっても他の変形例と同様な作用を及ぼすことができる。 It can exert the same effect as other variations by light scattering portion 15 according to this modification (the light emitting device 1).

図2Hは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例7)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2H is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (Modification 7). 図2Jは、図2Hに示した発光装置を矢符2J方向から見た側面状態を示す側面図である。 Figure 2J is a side view illustrating a side state viewed light emitting device shown in FIG. 2H along line 2J direction.

本変形例は、変形例6を変形したものである。 This modification is a modification of the sixth modification. つまり、本変形例では、光散乱部15は、長手方向および短手方向において基板10の周縁まで延長して形成されているので、光散乱部15は、3方向(基板10の隣接する3辺)で基板10の周縁まで延長されている。 That is, in this modification, the light scattering portion 15, because it is formed to extend to the periphery of the substrate 10 in the longitudinal direction and the lateral direction, the light scattering portion 15 is adjacent three sides of the three directions (the substrate 10 It is extended to the periphery of the substrate 10 in). したがって、光散乱部15の面積を拡大することが可能となり、外部(垂直方向)へ放出される光をさらに増加させることができる。 Therefore, it becomes possible to enlarge the area of ​​the light scattering portion 15, it is possible to further increase the light emitted to the outside (vertical direction).

本変形例に係る光散乱部15(発光装置1)によっても他の変形例と同様な作用を及ぼすことができる。 It can exert the same effect as other variations by light scattering portion 15 according to this modification (the light emitting device 1).

図2Kは、本発明の実施の形態2に係る発光装置(変形例8)の平面状態を示す平面図である。 Figure 2K is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a second embodiment of the present invention (Modification 8).

本変形例では、光散乱部15は、封止部12の外周を囲む四角環状に形成されている。 In this modification, the light scattering portion 15 is formed in a square ring shape surrounding the outer periphery of the sealing portion 12. 光散乱部15は、平面形状が異なるのみであり、実施の形態1と同様に形成することができる。 Light scattering portion 15 is planar shape different only can be formed as in the first embodiment. 光散乱部15は、封止部12の周囲を囲むことから、封止部12から水平方向に放出された光を全方位で外部(垂直方向)へ散乱することが可能となり、光損失を低減し、輝度を向上させることができる。 Light scattering portion 15, since surrounding the sealing portion 12, it is possible to scatter to the outside (vertical direction) of the light emitted in a horizontal direction from the sealing portion 12 in all directions, reducing the optical loss and, it is possible to improve the brightness. 光散乱部15は、基板10の周縁に対して内側へ配置される。 Light scattering portion 15 is disposed inwardly with respect to the periphery of the substrate 10. したがって、光散乱部15を一括して環状に形成することができるので、生産性が良く、低コストで発光装置1を形成することができる。 Therefore, since collectively the light scattering portion 15 can be formed in an annular shape, good productivity, it is possible to form the light emitting device 1 at low cost.

なお、光散乱部15の平面視での形状は、四角環状に限らず、円環状、多角形環状など適宜設定することができる。 The shape in plan view of the light scattering portion 15 is not limited to the quadrangular ring, it can be annular, set as appropriate polygonal ring. また、本変形例に係る発光装置1は、小型の面光源として種々多用な用途(例えば、一般照明機器の光源として適用する発光装置)への適用が可能となる。 Further, the light emitting device 1 of the present modification, various diverse applications as a small surface light source (e.g., light-emitting device to be applied as general lighting equipment light source) applicable to become possible.

<実施の形態3> <Embodiment 3>
図3Aおよび図3Bを参照して、本実施の形態に係る発光装置について説明する。 Referring to FIGS. 3A and 3B, it illustrates a light-emitting device according to the present embodiment. なお、本実施の形態に係る発光装置は、実施の形態1、実施の形態2に係る発光装置1の変形例(変形例9)であるので、符号を適宜援用(あるいは省略)し、主に異なる事項について説明する。 The light-emitting device according to the present embodiment, the first embodiment, since a modification of the light emitting device 1 according to the second embodiment (Modification 9), the code appropriately incorporated (or omitted) and mainly for different matters will be described. なお、配線パターンの図示は、省略してある。 Although illustration of the wiring patterns are omitted.

図3Aは、本発明の実施の形態3に係る発光装置(変形例9)の平面状態を示す平面図である。 Figure 3A is a plan view showing a planar state of the light emitting device according to a third embodiment of the present invention (Modification 9). また、図3Bは、図3Aに示した発光装置を矢符3B方向で見た断面状態として示す断面図である。 3B is a cross-sectional view showing a light emitting device shown in FIG. 3A as a cross section when viewed in the arrow 3B direction.

本実施の形態に係る発光装置1sは、長手方向を有する長方形の基板10、発光素子チップ11(図示省略)、基板10の長手方向に直線状に配置された封止部12、封止部12に沿って一体に形成された光散乱部15を備える。 Emitting device 1s according to the present embodiment, a rectangular substrate 10 having longitudinal, the light-emitting element chip 11 (not shown), the sealing portion 12 are arranged linearly in the longitudinal direction of the substrate 10, the sealing portion 12 a light scattering portion 15 formed integrally along. つまり、発光装置1sは、複数の発光素子チップ11、複数の封止部12を備え、光散乱部15は、基板10の長手方向で1辺10hに沿って延長されている。 That is, the light-emitting device 1s includes a plurality of light emitting device chips 11, comprising a plurality of sealing portions 12, the light scattering unit 15 is extended along one side 10h in the longitudinal direction of the substrate 10. また、隣接する封止部12の間に、副光散乱部16が光散乱部15と交差する方向に配置されている。 Further, between the adjacent sealing portions 12 of the sub-light scattering portion 16 is arranged in a direction crossing the light scattering portion 15. したがって、発光装置1sは、線状の面光源モジュール化されている。 Accordingly, the light emitting device 1s is linear surface light source modularization.

封止部12は、一定の間隔、あるいは一定の規則性の下で配置されている。 The sealing portion 12 is disposed a predetermined distance or under certain regularity. 光散乱部15は、直線状に配置された複数の封止部12の両側で1辺10hに沿って直線状に配置され、封止部12を両側から挟む形態とされている。 Light scattering portion 15 is arranged linearly along one side 10h on both sides of the plurality of sealing portions 12 arranged in a straight line, and is configured to sandwich a seal 12 from both sides. したがって、本実施の形態に係る発光装置1sは、実施の形態1、実施の形態2と同様に作用することが可能となる。 Accordingly, the light emitting device 1s according to the present embodiment, the first embodiment, it is possible to act in the same manner as in the second embodiment.

副光散乱部16の高さは、発光素子チップ11が有する発光部11fの位置(発光面位置)と同等か、あるいは、より高い位置を有するように形成される。 The height of the sub-light scattering portion 16 is either equal to the position of the light emitting portion 11f of the light-emitting element chip 11 has (emission surface position), or is formed to have a higher position. つまり、発光部11fに対して高さHd(>0)を有するように形成される。 In other words, it is formed to have a height Hd (> 0) with respect to the light emitting portion 11f. 副光散乱部16は、対向する封止部12から平面方向に放出された光を基板10の垂直方向に散乱させ、隣接する封止部12の間の中間領域で輝度の向上を図り、隣接する封止部12の間での輝度むらを改善する。 Sub light scattering unit 16, the light emitted from the sealing portion 12 in the planar direction opposite to scatter in the vertical direction of the substrate 10, aims to improve the luminance in an intermediate region between adjacent sealing portions 12, adjacent to improve the uneven brightness between the sealing portion 12.

なお、基板10の2つの短辺に対応する最外側の副光散乱部16は、形成されても無くてもいずれでも良い。 Incidentally, the two outermost sub light scattering portion 16 corresponding to the short side of the substrate 10, either with or without formed good. つまり、適用される装置の状態に応じて適宜設定すれば良い。 That may be appropriately set according to the state of the applied system.

また、副光散乱部16は、光散乱部15に対して離間するように形成されていても良く、また、接触するように形成されていても良い。 The sub light scattering portion 16 be formed so as to be separated with respect to the light scattering portion 15 may or may be formed so as to be in contact. なお、光散乱部15、副光散乱部16は、実施の形態1、実施の形態2での光散乱部15と同様に光拡散材を含む透光性樹脂で、基板10の周縁より内側に形成される。 The light scattering unit 15, the sub light scattering unit 16, the first embodiment, a translucent resin containing a light diffusing material in the same manner as the light scattering portion 15 in the second embodiment, on the inner side of the periphery of the substrate 10 It is formed.

また、副光散乱部16は、光散乱部15に比べて上面から見て基板10の長手方向に幅広く扁平な形状となっていてもよい。 The sub light scattering portion 16 may be a wide flat shape in the longitudinal direction of the substrate 10 when viewed from the top as compared with the light scattering portion 15. これにより、封止部12の側方から放出された光の一部をより多く基板10に垂直な上方向に光の向きを変えて放出させることができ、隣接する封止部12の間での光強度を高めることができる。 Thus, it is possible to release by changing the more direct the light to the upward direction perpendicular to the substrate 10 to a part of the light emitted from the side of the sealing portion 12, between the adjacent sealing portions 12 it is possible to increase the light intensity.

本実施の形態に係る発光装置1sの形態によれば、予め長手方向に複数の発光素子チップ11、封止部12を配置し、封止部12に対応させて長手方向に延長した一体の光散乱部15を有することから、導光板38を備えるエッジライト方式のバックライト装置に適用した場合、発光装置1の実装工程を簡略化することができる。 According to the light emitting device 1s according to the present embodiment, pre longitudinal plurality of light emitting elements in the chip 11, the sealing portion 12 is disposed, light integral extended longitudinally so as to correspond to the sealing portion 12 since it has a scattering portion 15, when applied to the backlight apparatus of edge light type including a light guide plate 38, it is possible to simplify the implementation process of the light emitting device 1.

<実施の形態4> <Embodiment 4>
図4Aないし図4Cを参照して、本実施の形態に係る面光源装置および面光源装置を適用した液晶表示装置について説明する。 Referring to FIGS. 4A to 4C, description will be given of a liquid crystal display device using the surface light source device and a surface light source device according to the present embodiment. 本実施の形態に係る面光源装置20は、本実施の形態に係る液晶表示装置30に対してエッジライト方式のバックライト装置として適用されている。 Surface light source device 20 according to this embodiment is applied as a backlight device of an edge light type to the liquid crystal display device 30 according to this embodiment.

なお、本実施の形態に係る面光源装置、液晶表示装置に適用する発光装置は、実施の形態1、実施の形態2に係る発光装置1(図2Kを除く)と同様であるので、符号を適宜援用(あるいは省略)し、主に異なる事項について説明する。 The surface light source device according to this embodiment, since the light-emitting device to be applied to the liquid crystal display device, the first embodiment is the same as that of the light-emitting device 1 (except for FIG. 2K) according to the second embodiment, a code appropriately incorporated (or omitted), it will be described mainly on different matters. また、実施の形態3に係る発光装置1sを本実施の形態に係る面光源装置、液晶表示装置に適用することも可能である。 Further, the surface light source according to the light emitting device 1s according to the third embodiment to the embodiment device, it is also applicable to a liquid crystal display device.

図4Aは、本発明の実施の形態4に係る面光源装置、面光源装置を適用した液晶表示装置の配置状態を概念的に示す側面図である。 4A is a surface light source device according to the fourth embodiment of the present invention, is a side view schematically showing the arrangement of a liquid crystal display device using the surface light source device. また、図4Bは、図4Aに示した面光源装置、液晶表示装置を矢符4Bの位置で見たときを平面状態として概念的に示す平面図である。 Further, FIG. 4B, the surface light source device illustrated in FIG. 4A, a plan view conceptually showing a planar state when viewing the liquid crystal display device at the position of arrow 4B. なお、導光板および面光源装置の配置関係を透視的に示している。 Note that perspectively illustrates the arrangement of the light guide plate and surface light source device. 図4Cは、図4Aに示した面光源装置の平面状態を示す平面図である。 Figure 4C is a plan view showing a planar state of the surface light source device illustrated in FIG. 4A.

本実施の形態に係る面光源装置20は、実施の形態1、実施の形態2に係る発光装置1と、発光装置1が複数実装された実装基板21とを備え、各発光装置1の封止部12が直線状になるように実装基板21に配置されている(図4C)。 Surface light source device 20 according to the present embodiment, the first embodiment, the light emitting device 1 according to the second embodiment, the light emitting device 1 and a mounting board 21 having a plurality of mounting, sealing of the light-emitting device 1 part 12 is disposed on the mounting board 21 so as to linearly (Figure 4C).

したがって、面光源装置20は、直線状(帯状)の面光源として機能することから、導光板38の入射端面38tに対向して配置された場合には、導光板38に対する結合効率を向上させることが可能となる。 Thus, the surface light source device 20 from functioning as a surface light source of a linear (strip-shaped), when disposed opposite to the incident end surface 38t of the light guide plate 38 to improve the coupling efficiency with respect to the light guide plate 38 it is possible. また、封止部12を平面状とされた発光装置1を適用することから、薄型化することができる。 Further, since the application of the light-emitting device 1 that is a seal 12 and the flat, it can be made thinner.

また、面光源装置20では、各発光装置1の光散乱部15は、直線状になるように実装基板21に配置されている。 Further, in the surface light source device 20, the light scattering unit 15 of the light-emitting device 1 is disposed on the mounting board 21 so that a straight line. したがって、面光源装置20は、各発光装置1の間で光を遮蔽する部材が存在しないことから、各発光装置1の間の領域での輝度の低下を抑制して輝度むらを抑制することが可能となり、輝度と均一性を向上させることができる。 Thus, the surface light source device 20, since the member for shielding the light between each light-emitting device 1 is not present, to suppress brightness unevenness suppressing a decrease in luminance in the region between the light emitting device 1 possible and it can improve the brightness and uniformity.

つまり、面光源装置20は、実装基板21の長手方向に対して封止部12の長手方向、光散乱部15の長手方向を揃えることによって、効果的に発光装置1を配置し、発光特性を向上させることができる。 That is, the surface light source device 20 in the longitudinal direction of the sealing portion 12 with respect to the longitudinal direction of the mounting substrate 21 by aligning the longitudinal direction of the light scattering portion 15, effectively placing the light-emitting device 1, the light emission characteristics it is possible to improve.

本実施の形態に係る液晶表示装置30は、表示面となる液晶パネル31、光学特性を調整する光学シート32、液晶パネル31の周囲に配置された表面側反射シート33、液晶パネル31に光出射面38sを対応させて配置された導光板38、導光板38に対応して配置された裏面側反射シート34を相互に重ねるように備え、周囲を筐体35で保護している。 The liquid crystal display device 30 according to this embodiment, the liquid crystal panel 31 as a display surface, the optical sheet 32 ​​to adjust the optical characteristics, the surface side reflection sheet 33 disposed on the periphery of the liquid crystal panel 31, the light emitted to the liquid crystal panel 31 provided to overlap the surface 38s is allowed to arranged the light guide plate 38 corresponding to the back side reflection sheet 34 disposed so as to correspond to the light guide plate 38 to each other, to protect the surroundings in the housing 35. また、導光板38が有する入射端面38tに対向させて面光源装置20が配置され、面光源装置20を外部から目隠しするように額縁部36が配置されている。 Further, the surface light source device 20 to face the incident end surface 38t of the light guide plate 38 has is arranged, the frame portion 36 so as to blind the surface light source device 20 from the outside is disposed.

裏面側反射シート34は、導光板38の下面で面光源装置20まで伸びるように配置されている。 Back side reflection sheet 34 is disposed to extend up to the surface light source device 20 in the lower surface of the light guide plate 38. なお、裏面側反射シート34の代わりに筐体35の表面を反射面としても良い。 Incidentally, the surface of the housing 35 may be reflecting surfaces instead of the back side reflection sheet 34. 面光源装置20から入射端面38tに入射された光は、導光板38の内部を伝播し、導光板38の下面に配置された裏面側反射シート34で反射されたりなどして、光出射面38s(表示画面側)から放出される。 Light incident on the incident end surface 38t from the surface light source device 20, the inside of the light guide plate 38 propagates, and the like or is reflected by the back surface side reflection sheet 34 disposed on the lower surface of the light guide plate 38, the light emitting surface 38s released from (the side of the display screen).

つまり、液晶表示装置30は、面光源装置20と、面光源装置20からの光を入射させる入射端面38tと交差する光出射面38sを有する導光板38と、光出射面38sに平行に配置された液晶パネル31とを備える。 In other words, the liquid crystal display device 30 includes a surface light source device 20, a light guide plate 38 having a light emitting surface 38s which intersects the incident end surface 38t which incident light from the surface light source device 20, arranged parallel to the light emitting surface 38s and a liquid crystal panel 31.

したがって、液晶表示装置30は、高い輝度で均一性に優れた光出射面38sを有する導光板38を備えることから、優れた表示特性を実現することができる。 Thus, the liquid crystal display device 30, since having the light guide plate 38 having a light emitting surface 38s which is excellent in uniformity with high brightness, it is possible to realize excellent display characteristics. また、薄型化が可能な面光源装置20を適用することから、面光源装置20の配置に必要な額縁部36の領域を縮小することができるので表示面積に対する額縁部36の面積を低減することができる。 Furthermore, since applying a thinner available surface light source device 20, reducing the area of ​​the frame portion 36 with respect to the display area it is possible to reduce the area of ​​the frame portion 36 necessary for placement of the surface light source device 20 can.

線状の面光源として構成された面光源装置20(封止部12)は、矩形状の入射端面38tに対向するように配置される。 Surface light source device 20 configured as a linear surface light source (sealing part 12) is arranged to face the rectangular entrance end face 38 t. つまり、入射端面38tの長手方向は、面光源装置20の長手方向に対応し、入射端面38tの短手方向(導光板38の厚さ方向)は、面光源装置20の短手方向に対応する。 That is, the longitudinal direction of the entrance end surface 38t corresponds to the longitudinal direction of the surface light source device 20, the lateral direction of the incident end face 38t (the thickness direction of the light guide plate 38) corresponds to the lateral direction of the surface light source device 20 .

なお、実施の形態3の発光装置1sを本実施の形態に係る面光源装置20と同様に適用することも可能である。 It is also possible to apply similarly to the surface light source device 20 according to the light emitting device 1s of the third embodiment to the present embodiment.

面光源装置20では、光散乱部15は、直線状に配置された封止部12の配置方向(長手方向)で実装基板21の対向する2辺に沿って形成されており、実装基板21に配置した各発光装置1の間で光を遮る壁が存在しないので、隣接する発光装置1の相互の中間位置での輝度低下を抑制できる。 In the surface light source device 20, the light scattering unit 15, the orientation of the sealing portion 12 which is arranged linearly are formed along two opposing sides of the mounting substrate 21 (longitudinal direction), the mounting board 21 since the wall that blocks light between the light-emitting device was placed 1 does not exist, it is possible to suppress the reduction in luminance at the intermediate position of mutual light emitting device 1 adjacent. したがって、入射端面38tに均一な光を入射させることが可能となり、入射端面38tに垂直な光出射面38sから出射される光の輝度分布を均一化することができ、液晶パネル31の表示面での輝度むらを均一化することができる。 Therefore, it becomes possible to incident uniform light to the incident end face 38 t, it is possible to equalize the luminance distribution of light emitted from the vertical light emitting surface 38s on the incident end face 38 t, the display surface of the liquid crystal panel 31 it is possible to equalize the luminance unevenness. また、表示面での全光束も向上することができる。 Further, it is possible to improve also the total flux of the display surface.

<実施の形態5> <Embodiment 5>
図5Aないし図5Nを参照して、本実施の形態に係る発光装置の製造方法について説明する。 Referring to FIGS. 5A to 5N, a method for manufacturing a light emitting device according to the present embodiment. 本実施の形態は、実施の形態1、実施の形態1に係る発光装置1の製造方法であるが、他の実施の形態に係る発光装置1についても同様に適用することが可能である。 This embodiment, according to the first embodiment, is a method of manufacturing the light emitting device 1 according to the first embodiment, it is possible to similarly applied to the light emitting device 1 according to another embodiment.

図5Aは、本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、発光素子チップを基板に載置した平面状態を示す平面図である。 Figure 5A is a manufacturing step of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state of mounting a light emitting element chip to the substrate. 図5Bは、図5Aに示した製造工程での断面状態を拡大して示す拡大断面図である。 Figure 5B is an enlarged sectional view showing an enlarged section state in the manufacturing process shown in FIG. 5A.

基板10に発光素子チップ11を載置する。 Mounting the light-emitting element chip 11 to the substrate 10. 基板10は、3.2mm角のセラミック基板であり、表面に配線パターン14(アノード電極、カソード電極)が形成されている。 Substrate 10 is a ceramic substrate of 3.2mm square, wiring on the surface pattern 14 (the anode electrode, cathode electrode) is formed. 配線パターン14は、セラミック基板の内部を貫通してセラミック基板の裏面に形成された対応するアノ−ド外部電極(不図示)、カソ−ド外部電極(不図示)と接続されている。 Wiring patterns 14, the corresponding anode formed on the back surface of the ceramic substrate through the interior of the ceramic substrate - de external electrodes (not shown), cathode - is connected to the de external electrode (not shown). なお、配線パターン14の形成は、従来のセラミックパッケ−ジの一般的な金属層形成方法に基づき形成される。 The formation of the wiring pattern 14 is a conventional ceramic package - are formed on the basis of the common metal layer forming method of the di.

発光素子チップ11は、基板10の中央のダイボンドエリアにダイボンドペ−ストなどでダイボンドされる。 Emitting element chip 11, Daibondope the center of the die bonding area of ​​the substrate 10 - is die-bonded in such list. 2つの発光素子チップ11は、各チップの長手方向の一辺が、基板10の1辺に垂直になるように、基板10の1辺に沿って並んで配置される。 Two light-emitting element chip 11 in the longitudinal direction of one side of each chip, so that it is perpendicular to one side of the substrate 10, are arranged side by side along one side of the substrate 10. つまり、封止部12(図5G参照)の長手方向にほぼ垂直となるように封止部12の長手方向に沿って並べて配置されている。 In other words, they are arranged side by side along the longitudinal direction of the sealing portion 12 to be substantially perpendicular to the longitudinal direction of the sealing portion 12 (see FIG. 5G).

発光素子チップ11は、LEDチップであり、サファイア基板上に形成されたInGaN系の青色LEDチップである。 Light-emitting element chip 11 is an LED chip, a blue LED chip InGaN system formed on a sapphire substrate. LEDチップのアノ−ド電極、カソ−ド電極は、最表面に形成されており、配線パターン14に対して直列接続となるようにワイヤボンドにより接続される。 LED chips Ano - cathode electrode, cathode - cathode electrode is formed on the outermost surface, is connected by wire bonding so as to be connected in series with respect to the wiring pattern 14. また、2つのLEDチップの間は、表面の電極同士をワイヤボンドによって接続する形態としてある。 Further, between the two LED chips are the electrodes of the surface in the form connected by wire bonds.

本実施の形態では、LEDチップを直列接続として示すが、並列接続とすることも可能である。 In this embodiment, an LED chip as a serial connection, it is also possible to parallel connection. なお、LEDチップの載置数は適宜設定すれば良い。 Note that numeric mounting of the LED chip may be appropriately set.

基板10は、予め複数の基板10が一体に形成された集合基板10sとされている。 Substrate 10 in advance a plurality of substrates 10 are a set substrate 10s formed integrally. 集合基板10sを利用することから、以下の製造工程で複数の発光装置1を一括して製造するので、生産性を向上させることができる。 Since utilizing the collective substrate 10s, since collectively manufactured a plurality of light emitting device 1 in the following manufacturing process, thereby improving the productivity. なお、基板10は、集合基板10sの内側にマトリックス状に配置されるので作業の容易性を確保することができる。 The substrate 10 can be ensured ease of work because they are arranged in a matrix on the inner side of the collective substrate 10s. なお、集合基板10sには、基板10に分割する工程(図5L、図5M参照)の作業性を考慮して予め分離溝10gが裏面に形成されている。 Note that the aggregate substrate 10s, step (Fig. 5L, see FIG. 5M) for dividing the substrate 10 is pre-separation groove 10g in consideration of the workability of being formed on the back surface.

図5Cは、本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、発光素子チップを封止するための樹脂成形用枠部材を基板に載置した平面状態を示す平面図である。 Figure 5C is a manufacturing step of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state in which the resin molding frame member is placed on the substrate for sealing the light emitting device chip. 図5Dは、図5Cに示した製造工程での断面状態を拡大して示す拡大断面図である。 Figure 5D is an enlarged sectional view showing an enlarged section state in the manufacturing process shown in FIG. 5C.

封止部12に対応する位置に貫通穴41hが形成された樹脂成形用枠部材41を基板10(集合基板10s。以下、単に基板10と記載することがある。)に重ねて載置(貼り付け)する。 Substrate resin molding frame member 41 through hole 41h is formed at a position corresponding to the sealing portion 12 10 (collective substrate 10s. Hereinafter referred to simply as the substrate 10.) In Cascade placed (laminated give) to. 樹脂成形用枠部材41は、封止部12の厚さに対応させた適宜の厚さを有し、封止部12を形成する封止用透光性樹脂12r(図5F参照)に対する離型性の高い材料で形成されている。 Resin molding frame member 41 has a thickness suitable thickness of which is corresponding to the of the sealing portion 12, the release for sealing the translucent resin 12r which forms a seal 12 (see FIG. 5F) It is formed with high sexual material. 本実施の形態では、フッ素系樹脂のシート材を適用した。 In this embodiment, the application of the sheet material of the fluorine-based resin. なお、基板10に接着する面には接着シートが予め貼り付けてある。 Incidentally, on the surface that adheres to the substrate 10 are stuck adhesive sheet in advance.

図5Eは、本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、樹脂成形用枠部材の貫通穴に封止用透光性樹脂を注入した平面状態を示す平面図である。 Figure 5E is a manufacturing step of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, is a plan view showing a planar state in which injection of sealing translucent resin into the through hole of the resin molding frame member. 図5Fは、図5Eに示した製造工程の途中での断面状態を拡大して示す拡大断面図である。 Figure 5F is an enlarged cross-sectional view showing an enlarged section states in the course of the manufacturing process shown in FIG. 5E.

樹脂成形用枠部材41の貫通穴41hに封止用透光性樹脂12rを注入する。 Injecting a sealing translucent resin 12r into the through hole 41h of the resin molding frame member 41. 封止用透光性樹脂12rには、予め蛍光体が混入されている。 The sealing translucent resin 12r, in advance phosphors are mixed. 封止用透光性樹脂12rとしては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを適用することができる。 The translucent resin 12r for sealing, for example, can be applied silicone resin, and epoxy resin. 封止用透光性樹脂12rの注入は、樹脂封止用/樹脂注型用の定量吐出装置45を利用することによって作業性良く実行される。 Injection of sealing translucent resin 12r is performed with good workability by utilizing a dispensing device 45 for resin sealing / resin casting.

本実施の形態では、封止用透光性樹脂12rに含有させた蛍光体を沈降させるため、所定時間放置することによって硬化させた。 In this embodiment, in order to settle the phosphor is contained in the sealing translucent resin 12r, cured by leaving a predetermined time. 蛍光体を沈降させることによって蛍光体を含有する第1封止部12f(蛍光体含有封止層)と、蛍光体を含有しない第2封止部12s(蛍光体非含有封止層)とを併せて形成することができる(図5H参照)。 A first sealing portion 12f containing a phosphor by precipitating the phosphor (phosphor-containing sealing layer), and a second sealing portion 12s that does not contain a phosphor (phosphor-free sealing layer) it can be together formed (see FIG. 5H). 蛍光体を沈降させて形成する場合、第1封止部12fと第2封止部12sとの間の境界は、厳密には、区分されない。 When forming by settling phosphor, the boundary between the first sealing portion 12f and the second sealing portion 12s is strictly not classified.

また、封止用透光性樹脂12rの注入工程は、蛍光体を含有させた状態の封止用透光性樹脂12rで第1封止部12fを形成し(第1封止用透光性樹脂注入工程)、蛍光体を含有させない状態の封止用透光性樹脂12rで第2封止部12sを形成し(第2封止用透光性樹脂注入工程)の2段階を備える封止部形成工程とすることも可能である。 Moreover, the injection process of the sealing light-transmitting resin 12r forms a first sealing portion 12f in sealing translucent resin 12r state of containing the phosphor (for the first sealing translucent resin injection step), sealing with a 2 stage a translucent resin 12r for sealing state not containing a phosphor to form a second sealing portion 12s (the second sealing translucent resin injection step) it is also possible to part formation step. このとき、第1樹脂工程で注入した樹脂を硬化させた後、第2樹脂注入工程を実施することによって第1封止部12f、第2封止部12sの境界(図5H参照)を明確にすることができる。 In this case, after curing the resin injected in the first resin step, the first sealing portion 12f by carrying out the second resin injection step, the boundary of the second sealing portion 12s (see FIG. 5H) clearly the can do.

なお、樹脂成形用枠部材41は、スクリ−ン印刷でマスク形成工程として形成しても良い。 The resin molding frame member 41, subscriptions - screen printing may be formed as a mask formation step in.

図5Gは、本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、封止部を形成して樹脂成形用枠部材を基板から剥離した平面状態を示す平面図である。 Figure 5G is a manufacturing step of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state in which peeled off to form a seal with the resin molding frame member from the substrate. 図5Hは、図5Gに示した製造工程での側面状態を拡大して示す拡大側面図である。 Figure 5H is an enlarged side view illustrating a side state in the manufacturing process shown in FIG. 5G.

封止用透光性樹脂12rを硬化させた後、樹脂成形用枠部材41を基板10から剥離する。 After curing the sealing translucent resin 12r, peeling the resin molding frame member 41 from the substrate 10. 封止部12(第1封止部12f、第2封止部12s)が基板10に形成されている。 The sealing portion 12 (the first sealing portion 12f, the second sealing portion 12s) is formed on the substrate 10.

図5Jは、本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、光散乱部を形成した後の平面状態を示す平面図である。 Figure 5J is a manufacturing step of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state after forming the light scattering portion. 図5Kは、図5Jに示した製造工程の途中での側面状態を拡大して示す拡大側面図である。 Figure 5K is an enlarged side view illustrating a side state in the course of the manufacturing process shown in FIG. 5 J.

光拡散材を含有する透光性樹脂15rは、基板10の対向する2辺に沿って、封止部12の長手方向にほぼ平行に塗布される。 Translucent resin 15r containing a light diffusing material, along two opposing sides of the substrate 10, is substantially parallel to the coating in the longitudinal direction of the sealing portion 12. 透光性樹脂15rの塗布は、定量吐出装置46(ディスペンサ−)を適用することによって、容易かつ高精度に実行される。 Coating of the translucent resin 15r is dispensing device 46 (dispenser -) by the application of, is performed easily and accurately.

光散乱部15の位置は予め設定された配置とする。 Position of the light scattering unit 15 and arranged to preset. なお、基板10の外周(分割溝10g)より内側に光散乱部15を形成することによって、後工程の分割工程(基板10を集合基板10sから分割する工程)で、光散乱部15が基板10から剥がれるという不具合を防止することができる。 Incidentally, the outer periphery by forming a light scattering portion 15 on the inner side of the (dividing groove 10 g), in a subsequent step of dividing step (step of dividing the substrate 10 from the assembled substrate 10s), the light scattering portion 15 is a substrate 10 of substrate 10 it is possible to prevent the problem of peeling off from.

直線状に塗布した透光性樹脂15rを硬化することによって、光散乱部15を形成する。 By curing the translucent resin 15r coated linearly, to form a light scattering portion 15. なお、透光性樹脂15rとしては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などを適用することができる。 As the translucent resin 15r, for example, it can be applied silicone resin, and epoxy resin. また、光拡散材は透光性樹脂15rの内部で均一に分散させている。 Further, the light diffusion material is uniformly dispersed inside the translucent resin 15r.

透光性樹脂15rの粘度、塗布速度、硬化条件などにより、光散乱部15の長手方向に交差する断面形状を調整することができる。 The viscosity of the translucent resin 15r, coating speed, such as by curing conditions, it is possible to adjust the cross-sectional shape crossing the longitudinal direction of the light scattering portion 15. 光散乱部15の長手方向に交差する断面形状は、側面図として示すように、基板10に対して突出させた凸状とすることができる。 Sectional shape crossing the longitudinal direction of the light scattering portion 15, as shown as a side view, it can be a convex shape which is projected to the substrate 10. 凸形状は例えば、半円状、放物線に対応したドーム状に形成することができる。 Convex shape may be formed in a semicircular shape, dome corresponding to a parabola. 本実施の形態では、線幅を400μmとすることができた。 In this embodiment, it was possible to the line width and 400 [mu] m.

定量吐出装置46を適用して光散乱部15を塗布して形成する方法によれば、光散乱部15の断面形状をドーム状で例えば数10μm〜数100μm程度の線幅を持つものとすることができる。 According to the method of forming by applying a light scattering portion 15 by applying the dispensing apparatus 46, making the cross-sectional shape of the light scattering portion 15 which has a line width of about 100μm number 10μm~ number e.g. domed can. したがって、本実施の形態に係る光散乱部15の製造方法は、基板10が例えば1mm角程度の小さい場合にも十分な量産性を有する。 Therefore, the manufacturing method of the light scattering unit 15 according to this embodiment has a sufficient mass productivity even when the substrate 10 is small for example of about 1mm square.

なお、基板10がさらに小さい寸法である場合、光散乱部15の形成を定量吐出装置46から、インクジェット印刷方式に変更することで光散乱部15をさらに小さく、また、制御性良く形成することができる。 Incidentally, when the substrate 10 is smaller size, the formation of the light scattering portion 15 from the dispensing device 46 further reduces the light scattering portion 15 by changing the ink-jet printing method, also be controlled with good formation it can. この場合、透光性樹脂15rに添加する光拡散材は、粒径の小さなナノコンポジットなどとすることが望ましい。 In this case, the light diffusing material to be added to the translucent resin 15r, it is desirable that the other small nanocomposite particle size.

また、分割工程の後、個々の発光装置1をピックアップするに当り、ピックアップ用の吸着ノズルで保持できるようにするため、光散乱部15と基板10の周縁との間に一定幅以上の余白部を設けることが好ましい。 Further, after the dividing step, per to pick up each light emitting device 1, so that can be held in a suction nozzle for picking, margin of more than a certain width between the peripheral edge of the light scattering portion 15 and the substrate 10 it is preferable to provide a.

なお、実施の形態2の図2F、図2Gで示した発光装置1の製造方法での注意事項について補足説明する。 Incidentally, Figure 2F embodiment 2, supplementary explanation notes of the method for manufacturing the light emitting apparatus 1 shown in FIG. 2G.

図2F、図2Gに示した光散乱部15(光反射部)は、斜面に予め光散乱性、光反射性を持たせてある。 Figure 2F, the light scattering portion 15 (light reflection portion) shown in FIG. 2G, advance light scattering on the slopes, it is to have a light reflectivity. また、光散乱部15(光反射部)は、硬質の樹脂部材で形成され、基板10に貼り付けられる。 Also, the light scattering portion 15 (light reflection portion) is formed of a resin member of a hard, affixed to the substrate 10. 光散乱部15(光反射部)の寸法、貼り付ける位置は、透光性樹脂15rの塗布と同様に、基板10の外周(分離溝10g)より内側になるように設定する。 The dimensions of the light scattering portion 15 (light reflection portion), paste position, as well as the application of the translucent resin 15r, is set to be on the inner side of the outer periphery (separating groove 10 g) of the substrate 10.

光散乱部15(光反射部)を基板10に貼り付ける製造方法の場合、光散乱部15を基板10へ貼り付けるときに用いる接着層が40μm〜60μm程度の厚みとなる。 When the light scattering portion 15 (light reflection portion) of the manufacturing method of pasting to the substrate 10, the adhesive layer used when pasting the light scattering portion 15 to the substrate 10 a thickness of about 40Myuemu~60myuemu. このとき、接着層の基板10からの高さと、発光素子チップ11の発光部11f(発光面位置。図3B参照)の基板10からの高さとは、同程度となる。 At this time, the height from the substrate 10 of the adhesive layer, and the height from the substrate 10 of the light emitting portion 11f of the light-emitting element chips 11 (the light emitting surface position. See FIG 3B), the same degree. つまり、発光素子チップ11(封止部12)から水平方向へ放出された光の大半は、光散乱部15(光反射部)には届かず、接着層に取り込まれる。 In other words, most of the emitted from the light emitting device chip 11 (the sealing portion 12) in the horizontal direction the light is not reaching the light scattering section 15 (the light reflecting portion) is taken into the adhesive layer.

接着層は光吸収層として機能することから、光散乱部15の作用を発揮させることはできず、光の取り出し効率が低下してしまう恐れがある。 Adhesive layer from functioning as a light absorbing layer, it is impossible to exhibit the effect of the light scattering portion 15, the light extraction efficiency is likely to deteriorate. したがって、この場合は、接着層の高さ、発光部11fの高さの関係を予め調整することが必要である。 Therefore, in this case, the height of the adhesive layer, it is necessary to previously adjust the height of the relationship between the light emitting portion 11f.

また、上述した問題を回避する方法としては、光散乱部15(光反射部)を貼り付ける基板10の表面箇所を接着層の厚み分またはそれ以上の厚み分一段低く形成し、段差部を設ける方法がある。 As a method to avoid the problems described above, the light scattering portion 15 (light reflection portion) paste to the surface portion of the substrate 10 to form the thickness of or more the thickness of one stage of the adhesive layer low, providing a step portion there is a method. この場合、上述した不具合は生じない。 In this case, there is no problem as described above.

光散乱部15(光反射部)を基板10に貼り付ける方法は、光散乱部15(光反射部)を複数の発光装置1で共有するように形成する場合(例えば、図2H、図2Jの場合)には有利であるが、光散乱部15(光反射部)を含めた分割工程が必要となり、基板10と光散乱部15(光反射部)との界面でのバリ発生などのリスクがある。 How pasting light scattering section 15 (light reflection portion) in the substrate 10, when formed so as to share the light scattering section 15 (light reflection portion) by a plurality of light emitting devices 1 (e.g., Fig. 2H, in Fig. 2J If) is advantageous for, but dividing step including the light scattering portion 15 (light reflection portion) is required, the risk of such burr at the interface between the substrate 10 and the light scattering portion 15 (light reflection portion) is there.

光散乱部15(光反射部)を含めた分割を避けるために、個々の発光装置1のそれぞれに光散乱部15(光反射部)を別部材として貼り付けて形成する場合は、光散乱部15(光反射部)の貼り付け作業の手間、精度が問題となる。 To avoid division, including the light scattering portion 15 (light reflection portion), when forming paste light scattering section 15 (light reflection portion) as a separate member for each of the individual light-emitting device 1, the light scattering unit 15 effort attachment work of the (light reflection portion), the accuracy becomes a problem. どちらにせよ、上述した基板10の周縁より内部に光拡散材を含有する透光性樹脂15rを基板10に直接塗布する方法の方が、光散乱部15(光反射部)を基板10に貼り付ける製造方法に比べて、工程が簡単で、コストも低く、より優れた方法といえる。 Either way, towards the method of the translucent resin 15r is applied directly to the substrate 10 containing therein the light diffusing material than the periphery of the substrate 10 described above is attached the light scattering section 15 (light reflection portion) in the substrate 10 compared to the manufacturing method of applying, process is simple, cost is low, it can be said that a better way. なお、光拡散材を含有する透光性樹脂15rを基板10に直接塗布した場合にはこのような問題は生じない。 Incidentally, such a problem does not occur when the translucent resin 15r which contains a light diffusing material is applied directly to the substrate 10.

なお、実施の形態2の図2E、図2Hで示した発光装置1の製造方法での注意事項について補足説明する。 Incidentally, Figure 2E of the second embodiment, supplementary explanation notes of the method for manufacturing the light emitting apparatus 1 shown in FIG. 2H.

図2E、図2Hに示した光散乱部15(反射部材、散乱部材)は、基板10の隣接する3辺にまで延長されている。 FIG. 2E, the light scattering portion 15 (reflecting member, scattering member) shown in Figure 2H, is extended to the three sides adjacent the substrate 10. 分割する前の集合基板10sの上で、分割線DL(図5L、図5M参照)に対応させて隣接する複数の光散乱部15を一括して形成することができるので、光散乱部15を発光装置1毎に個別に形成する必要がなく、その点では、工程を簡略化することができる。 On the collective substrate 10s before splitting, dividing lines DL (Fig. 5L, see FIG. 5M) it is possible to form collectively a plurality of light scattering portion 15 adjacent in correspondence with the light scattering portion 15 emitting device is not necessary to form separately for each, in that respect, it is possible to simplify the process. しかし、後工程の分割工程で、光散乱部15の分割への対応が必要になる。 However, in a subsequent step of dividing step, corresponding it is necessary to split the light scattering portion 15. なお、分割工程については、後述する。 Note that dividing step will be described later.

図5Lは、本実施の形態に係る発光装置の製造方法の製造工程で、集合基板を個々の基板に分割するときの平面状態を示す平面図である。 FIG 5L is the steps of the method of manufacturing the light emitting device according to the present embodiment, it is a plan view showing a planar state when dividing the aggregate board into individual substrates. 図5Mは、図5Lに示した製造工程での側面状態を拡大して示す拡大側面図である。 FIG 5M is an enlarged side view illustrating a side state in the manufacturing process shown in FIG. 5L. 図5Nは、図5Lに示した製造工程で個々に分割された基板の平面状態を拡大して示す拡大平面図である。 Figure 5N is a enlarged plan view showing a planar state of a substrate divided into individually manufacturing process shown in FIG. 5L.

光散乱部15を形成する工程の後、分離溝10gに沿って集合基板10sを分割線DLで折る(ブレークする)ことで個々の基板10に分離(分割)する。 After the step of forming a light scattering portion 15, the assembly substrate 10s (break) folded in dividing line DL along the separation groove 10g to separate (divide) the individual substrates 10 by. 分離溝10gは、マトリックス状に配置された基板10の間を分離できるように基板10の間に対応させて予め形成されている。 Separating groove 10g is preformed to correspond to between the substrate 10 so as to be able to separate the substrates 10 arranged in a matrix. 分離溝10gは、マトリックス状に配置された基板10に対応させて、分割領域10dに対応させて格子状に形成されている。 Separating groove 10g is made to correspond to the substrate 10 which are arranged in a matrix, it is formed in a lattice shape so as to correspond to the divided regions 10d.

光散乱部15は、分割領域10dより内側、すなわち発光装置1の基板10の周縁より内側にくるように配置されているので、容易に分割することができる。 Light scattering portion 15, inside the divided region 10d, i.e., are arranged so that inside the periphery of the substrate 10 of the light emitting device 1 can easily be split.

また、光散乱部15を分割領域10dに重なるように形成した場合、光散乱部15の剥がれや基板10との間でのバリ発生などの対策が必要となる。 Further, when formed so as to overlap the light scattering unit 15 in the divided region 10d, measures such as burr between the peeling and substrate 10 of the light scattering portion 15 is required. 剥がれ対策、バリ対策が十分であれば、分離溝10gを用いたブレークではなく、フルダイスによって分割することも可能である。 Peeling measures, if burrs measures sufficient, rather than a break with separation grooves 10 g, it is possible to divide by Furudaisu.

なお、切断機(ダイサー)を用いた切断では、専用の高価な切断装置が必要となる。 In the cutting with a cutting machine (dicer) requires an expensive cutting device only. 切断装置を適用する場合、分離溝10gを用いたブレ−クとは異なり、切断に時間がかかることから製造タクトが長くなる。 When applying the cutting device, blurring with separation grooves 10 g - unlike click, production tact becomes longer since it takes time to cut. また、切断のための刃の磨耗、目詰まりが生じることから、高価な刃の交換が必要となり、ランニングコストが大きくなる。 Also, wear of the blade for cutting, since the clogging, it is necessary to replace the expensive blades, running cost increases. また、光散乱部15の剥がれや基板10との間のバリ発生などを避けて通ることはできない。 Also, you can not avoid the burrs generated between the peeling and substrate 10 of the light scattering portion 15. したがって、切断機を利用しないで分割することが望ましい。 Therefore, it is desirable to divide without using a cutting machine.

切断装置を適用して集合基板10sを基板10に分割する場合、形成された光散乱部15を避けて分割する工程とすることも可能である。 If the aggregate substrate 10s by applying a cutting device for dividing the substrate 10, it is possible to step of dividing away from light scattering portion 15 which is formed. 光散乱部15を避けて分割することによって、高精度に形成された光散乱部15の形状を維持した状態で各発光装置1を製造することができる。 By splitting away from light scattering portion 15, it can be manufactured the light emitting device 1 while maintaining the shape of the light scattering portion 15 formed with high precision. また、バリ発生などの切断装置に対する過大な負荷も軽減することができる。 Further, it is also possible to reduce an excessive load on the cutting device, such as a burr.

なお、本実施の形態に係る発光装置1の製造方法では、分割領域10dより内側、つまり、基板10の周縁より内側に光散乱部15を形成し、分割領域10dに形成された分離溝10gによって基板10を一括して分割する。 Incidentally, the method for manufacturing the light emitting apparatus 1 according to this embodiment, inside the divided region 10d, i.e., to form a light scattering portion 15 inward from the periphery of the substrate 10, the separation groove 10g formed in the divided region 10d to divide the substrate 10 collectively. 本実施の形態に係る製造方法では、光散乱部15の剥がれ、基板10との間でのバリ発生などの切断装置に関連する問題がなく、また、マトリックス状に配置された基板10を行毎、あるいは列毎に一括して分割することができるので、生産性を向上させることができる。 In accordance with the present embodiment, peeling of the light scattering portion 15, no problems associated with the cutting device, such as a burr between the substrate 10 and also row-by-row the substrate 10 which are arranged in a matrix , or it is possible to divide collectively for each column, thereby improving the productivity.

光散乱部15の形成は、定量吐出装置46を適用するが、定量吐出装置46は、封止部12を形成する定量吐出装置45と共用することが可能である。 Formation of the light scattering portion 15 is applying the dispensing device 46, dispensing device 46 may be shared with dispensing apparatus 45 for forming a seal 12. したがって、装置に係るコストを大幅に低減することができ、また、新たな投資も不要となる。 Therefore, it is possible to greatly reduce the cost of apparatus, also becomes unnecessary new investments. つまり、本実施の形態に係る発光装置の製造方法は、極めて生産性が高く、低コストで安価な発光装置1を製造することができる。 In other words, the method of manufacturing the light emitting device according to this embodiment can be very high productivity, to produce an inexpensive light emitting device 1 at low cost.

上述したとおり、本実施の形態に係る発光装置1の製造方法は、基板10と、基板10に載置された発光素子チップ11と、発光素子チップ11を封止する封止部12と、封止部12から離れて封止部12に対向して基板10に配置された光散乱部15とを備える発光装置1の製造方法であって、基板10に発光素子チップ11を載置する工程と、封止部12を形成する工程と、光散乱部15を形成する工程とを備える。 As described above, the method of manufacturing the light emitting device 1 according to this embodiment includes a substrate 10, a light-emitting element chip 11 placed on the substrate 10, a sealing portion 12 for sealing the light-emitting element chip 11, sealing the method for manufacturing a light emitting device 1 so as to face the sealing part 12 away from the stop portion 12 and a light scattering portion 15 disposed on the substrate 10, and the step of placing a light emitting element chip 11 to the substrate 10 , and forming a sealing part 12, and forming a light scattering portion 15.

したがって、本実施の形態に係る発光装置1の製造方法は、容易かつ高精度に封止部12および光散乱部15を形成することができるので、安価な発光装置1を製造することが可能となる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1 according to this embodiment, it is possible to form the sealing portion 12 and the light scattering portion 15 with ease and high accuracy, it can be manufactured inexpensive light emitting device 1 and Become.

また、発光装置1の製造方法では、複数の基板10が分割領域10dを介して一体とされた集合基板10sを予め構成してあり、光散乱部15は、分割領域10dを避けて形成される。 In the manufacturing method of the light emitting device. 1 are a plurality of substrates 10 is pre-configured with a set substrate 10s which are integrated through a divided region 10d, the light scattering portion 15 is formed to avoid the divided regions 10d .

したがって、発光装置1の製造方法は、集合基板10sの状態の各基板10に対して分割領域を避けて光散乱部15を形成するので、光散乱部15を高精度に形成することができ、また、集合基板10sを容易にかつ作業性良く各基板10に分割することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1, avoiding the divided region with respect to the substrates 10 in the state of collective board 10s because it forms a light scattering portion 15, can be formed a light scattering portion 15 with high accuracy, Further, it can be divided into the substrate 10 may easily and workability aggregate substrate 10s.

また、発光装置の製造方法では、複数の基板10が一体とされた集合基板10sを予め構成してあり、光散乱部15を避けて集合基板10sを各基板10に分割する工程を含む。 In the manufacturing method of the light emitting device, a plurality of substrates 10 comprising the step of dividing the aggregate substrate 10s which is integrated Yes previously configured, the aggregate substrate 10s on each substrate 10 to avoid the light scattering portion 15.

したがって、発光装置1の製造方法は、光散乱部15を避けて集合基板10sを各基板10に分割するので、高精度に形成した光散乱部15を維持した状態で各発光装置1を形成することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1, since the assembly substrate 10s away from light scattering portion 15 is divided into the substrate 10, to form each light-emitting device 1 while maintaining the light scattering portion 15 formed with high precision be able to. また、切断装置に対する光散乱部15による過大な負荷を軽減することができる。 Further, it is possible to reduce the excessive load due to the light scattering unit 15 to the cutting device.

また、発光装置の製造方法では、光散乱部15は、光散乱剤を含む透光性樹脂15rを基板10に塗布することによって形成される。 In the manufacturing method of the light emitting device, the light scattering portion 15 is formed by applying a translucent resin 15r including a light scattering agent to the substrate 10. したがって、発光装置1の製造方法は、容易かつ高精度に光散乱部15を形成することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1 is capable of forming a light scattering portion 15 easily and accurately.

また、発光装置の製造方法では、透光性樹脂15rは、定量吐出装置46を適用して基板10に塗布される。 In the manufacturing method of the light emitting device, the light-transmitting resin 15r is applied to the substrate 10 by applying the dispensing device 46. したがって、発光装置1の製造方法は、光散乱部15を容易にかつ精度良く形成することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1, the light scattering portion 15 can be easily and accurately formed.

また、発光装置の製造方法では、光散乱部15は、封止部12を挟んで封止部12の端部12tを開放するように分離された直線状に形成される。 In the manufacturing method of the light emitting device, the light scattering portion 15 is formed in an isolated straight to open the end 12t of the sealing portion 12 across the sealing portion 12. したがって、発光装置1の製造方法は、相互に対向する2つの光散乱部15を封止部12の両側へ容易かつ高精度に形成することができるので、光損失を抑制した発光装置1を容易にかつ高精度に形成することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1, since the two light scattering portion 15 opposite to each other can be formed easily and highly accurately on both sides of the sealing portion 12, the light emitting device 1 which suppresses the optical loss easily and the can be formed with high accuracy.

また、発光装置の製造方法では、封止部12を形成する工程は、封止部12に対応する貫通穴41hを有する樹脂成形用枠部材41を基板10に載置し、貫通穴41hへ封止用透光性樹脂12rを注入する工程を備える。 In the manufacturing method of the light emitting device, the step of forming the sealing portion 12, the resin molding frame member 41 having a through hole 41h which correspond to the sealing portion 12 is placed on the substrate 10, sealing the through hole 41h comprising the step of injecting a sealing translucent resin 12r.

したがって、発光装置1の製造方法は、安価に形成できる樹脂成形用枠部材41を適用して容易かつ高精度に封止部12を形成するので、生産性良く発光装置1を製造することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1, because it forms a seal 12 with ease and high accuracy by applying the resin molding frame member 41 which can be formed at low cost, can be produced with good productivity emitting device 1 .

また、発光装置の製造方法では、封止部12を形成する工程は、蛍光体を含有した封止用透光性樹脂12rを貫通穴41hへ注入した後、蛍光体を基板10の側へ沈降させる工程を備える。 In the manufacturing method of the light emitting device, the step of forming the sealing portion 12 after injection of the sealing translucent resin 12r containing a phosphor into the through holes 41h, sedimentation of the phosphor to the side of the substrate 10 comprising the step of.

したがって、発光装置1の製造方法は、蛍光体を含有して封止部12の下層側(発光素子チップ11を被覆する側)を構成する第1封止部12fと、蛍光体を含有しないで封止部12の下層側に重なる封止部12の上層側を構成する第2封止部12sとを1回の樹脂注入で形成することから、容易に生産性良く封止部12を形成することができる。 Accordingly, the method of manufacturing the light emitting device 1 includes a first sealing portion 12f constituting the lower layer side of the sealing portion 12 contains a fluorescent substance (a side for covering the light-emitting element chips 11), without containing a phosphor and a second sealing portion 12s constituting the upper side of the sealing portion 12 that overlaps the lower layer side of the sealing portion 12 be formed in a single resin injection, readily form good productivity sealing portion 12 be able to.

1 発光装置 1s 発光装置 10 基板 10d 分割領域 10g 分割溝 10h 1辺 10s 集合基板 11 発光素子チップ 12 封止部 12c 頂面 12d 側面 12f 第1封止部 12s 第2封止部 12t 端部 12r 封止用透光性樹脂 15 光散乱部 15c 頂点 15r 透光性樹脂 15t 端部 16 副光散乱部 20 面光源装置 21 実装基板 30 液晶表示装置 31 液晶パネル 33 表面側反射シート 34 裏面側反射シート 35 筐体 36 額縁部 38 導光板 38t 入射端面 38s 光出射面 41 樹脂成形用枠部材 41h 貫通穴 45、46 定量吐出装置 1 light emitting device 1s emitting device 10 substrate 10d divided regions 10g dividing groove 10h 1 side 10s assembly substrate 11 light-emitting element chip 12 sealing portion 12c the top surface 12d side 12f first sealing portion 12s second sealing portion 12t end 12r sealing sealing the translucent resin 15 light scattering section 15c apex 15r translucent resin 15t end 16 sub light scattering portion 20 surface illuminant device 21 the mounting substrate 30 liquid crystal display device 31 liquid crystal panel 33 surface side reflection sheet 34 back side reflection sheet 35 housing 36 frame portion 38 light guide plate 38t incident end surface 38s light-emitting surface 41 for a resin molded frame member 41h through holes 45, 46 dispensing device

Claims (5)

  1. 基板と、前記基板に載置された発光素子チップと、前記発光素子チップを封止する封止部とを備える発光装置であって、 A substrate, a mounted light emitting element chip to the substrate, a light-emitting device and a sealing portion for sealing the light emitting device chip,
    前記封止部から離れて前記基板に配置された光散乱部を備え、 Comprises a light scattering portion positioned in front Symbol substrate away from said sealing portion,
    前記光散乱部は、上面視において、前記封止部を囲む円環状に形成され、 The light scattering unit, in a top view, is formed in an annular shape surrounding the sealing portion,
    前記封止部および前記光散乱部は、上面視において、互いに離間した領域に配置されていること The sealing portion and the light scattering section, that in a top view are arranged in a region spaced from each other
    を特徴とする発光装置。 The light emitting device according to claim.
  2. 請求項1に記載の発光装置であって、 A light emitting device according to claim 1,
    前記発光素子チップは、フリップチップとされ、 The light emitting element chip is flip-chip,
    前記封止部は、前記発光素子チップの表面側に対応して設けられ、蛍光体を含有する透光性樹脂で形成されていること The sealing portion is provided corresponding to the surface side of the light emitting device chip, it is formed of a translucent resin containing a phosphor
    を特徴とする発光装置。 The light emitting device according to claim.
  3. 請求項1または請求項2に記載の発光装置であって、 A light emitting device according to claim 1 or claim 2,
    前記基板は、内層部に金属板を有し、表面に絶縁層が形成されていること The substrate has a metal plate in the inner layer portion, the insulating layer is formed on the surface
    を特徴とする発光装置。 The light emitting device according to claim.
  4. 請求項1から請求項3までのいずれか1つに記載の発光装置であって、 A light emitting device according to any one of claims 1 to 3,
    前記光散乱部の前記基板からの高さは、前記封止部の前記基板からの高さに対して同じであること、または、高いこと を特徴とする発光装置。 Height from the substrate of the light scattering part, it is the same for the height from the substrate of the sealing portion, or the light emitting device according to claim high.
  5. 請求項1から請求項4までのいずれか1つに記載の発光装置を備えた照明機器。 Illumination apparatus including a light-emitting device according to any one of claims 1 to 4.
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