JP2015121764A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 359
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
第1実施形態においては、端部間BWで放電させるときには、表示領域100全ての補助配線200に電圧が印加され、全ての端部間BWにおいて放電を促していた。第2実施形態においては、表示領域100を複数に分けて放電させる。
上述した第1実施形態においては、第1導電層510が有機EL層400のカソードとして用いられていたが、第3実施形態においては、第2導電層520が有機EL層400のカソードとして用いられた構成である。
第1実施形態においては、補助配線210の端部210T、および補助配線220の端部220Tの形状は矩形状であったが、異なる形状であってもよい。第4実施形態では、端部210T、220Tの形状として、2つの例を説明する。
第1実施形態における構成に類似した構成で補助配線と上部電極との接続部分の電気抵抗(以下接触抵抗という)を測定した。
実施例1において第1導電層をMgAg(Mg:Ag=10:1)(15nm)とし、第2導電層をITO(20nm)とした。それ以外の条件については実施例1と同様である。すなわち、第1実施形態において、ITOで形成された第2導電層520が、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上にも形成されている場合の構成に対応する。
実施例1において第1導電層をMgAg(Mg:Ag=10:1)(12nm)とした。このとき、補助配線BL1、BL2が対向する端部および端部間BWの近傍において選択的に成膜され、画素電極上の有機EL層(有機EL層が発光する部分)上において成膜されないようにした。また、第1導電層の下層にはLiFが成膜されていない。一方、第2導電層は、MgAg(Mg:Ag=10:1)(15nm)とし、その下層にLiF(1nm)を成膜した。それ以外の条件については実施例1と同様である。すなわち、第3実施形態に対応する構成である。
実施例1において第1導電層をMgAg(Mg:Ag=10:1)(15nm)とした。一方、第2導電層は、MgAg(Mg:Ag=10:1)(12nm)とし、補助配線BL1、BL2が対向する端部および端部間BWの近傍において選択的に成膜され、画素電極上の有機EL層(有機EL層が発光する部分)上において成膜されないようにした。それ以外の条件については実施例1と同様である。すなわち、第1実施形態に対応する構成である。
上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されるのではなく、上部電極とカソード電源とを直接接続したところ、3mAの電流で駆動電圧7.0V、発光効率4.5cd/Aであった。したがって、上記実施例1のように有機EL層を除去した部分において上部電極と補助配線とが接続し、上部電極とカソード電源とが補助配線を介して間接的に接続されている場合であっても、有機EL層の発光には大きな影響を与えていない、すなわち、実施例1における上部電極と補助電極との接触部分の電気抵抗が、有機EL層の発光に問題ない程度の抵抗として実現できていることが確認された。
実施例1において放電による有機EL層の除去を行わなかったところ、接続部分の電気抵抗は測定限界(1GΩ)以上であった。上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されているが、接続部分の抵抗は測定限界以上に高いため、電流が流れず有機EL層の点灯ができなかった。
第1実施形態における構成に類似した構成で補助配線間に電圧を印加し、絶縁破壊による放電が発生するために必要な電圧、絶縁破壊最大径、絶縁破壊発生率、および発光異常の発生の有無について、第1導電層510による影響を調査した。この実施例では、図15に示すレイアウトにおいて、画素pixが136行×904列に配置され、画素ピッチが145μmであるものを用いた。
実施例5の条件6において、絶縁破壊発生率が変化するように絶縁破壊電圧を調整し、表示装置を製造した。この際、表示領域の左端部に補助配線BL1用抵抗測定端子を設け、右端部に補助配線BL2用抵抗測定端子を設けて、両端子間の抵抗を測定できるようにした。両端子間の抵抗に表示領域の縦横比をかけることで補助配線BL1、BL2と第2導電層520とを合成した層を想定したシート抵抗を算出した。これによって、補助配線BL1、BL2の抵抗低減効果を検証した。この結果を以下の表3に示す。なお、画素電極におけるカソードは、第1導電層510と第2導電層520との積層になる。この積層は、Ca(2nm)上にMgAg(12nm)を積層したものであり、このシート抵抗は、35(Ω/□)であった。一方、接続部の抵抗を無視した補助配線BL1、BL2のシート抵抗は、8.1(Ω/□)であった。
実施例5の条件6において、端部間BWの距離を2.5μmにした表示装置と、6.0μmにした表示装置を製造した。その結果を以下の表4に示す。
Claims (13)
- 複数の画素を有する表示装置であって、
前記画素に対応して設けられた画素電極と、
第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線と、
前記画素電極の一部を露出する第1開口部、および前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部を有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、
前記第1開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、
第1導電層と前記補助配線に接続された第2導電層とを含む導電層であって、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第2開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部のそれぞれが、前記第1導電層および前記第2導電層の少なくとも一方を含み、前記接続部の少なくとも一部では、前記第1導電層上に前記第2導電層が積層されている導電層と、
を備えることを特徴とする表示装置。 - 前記第1導電層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属、アルミニウム、インジウム、スズ、ニッケル、銅および亜鉛の少なくとも1種の金属元素を含む単層または複数層の導電層であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1導電層が単層であり、
前記第1導電層の膜厚は、5.5nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1導電層が、前記第2導電層から最も離れた第1層と前記第2導電層側の第2層とを含む複数層であり、
前記第1層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも1種の金属元素を含み、
前記第1導電層の膜厚は、4nm以上8nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記第1層は、前記有機発光層上に形成され、仕事関数が4.3eV以下であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記端部間が1マイクロメートル乃至100マイクロメートルであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第2開口部で電気的に接続された前記補助配線と前記導電層との接続部分が複数であり、
前記複数の接続部分には、接続抵抗が200kΩ以下である接続部分が含まれることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の表示装置。 - 前記第1導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、
前記第1導電層と前記第2導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の表示装置。 - 前記第2導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、
前記第1導電層と前記第2導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の表示装置。 - 前記有機発光層を発光させるための電力が供給される電力供給配線を備え、
前記電力供給配線は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の表示装置。 - 複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、
第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線を形成し、
前記画素電極の一部を露出する第1開口部と、前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
前記第1開口部により露出された前記画素電極上、前記第2開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
前記画素電極上の前記有機発光層上および少なくとも前記第2開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第1導電層を形成し、
前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第1導電層を介して放電を起こして、前記第2開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
前記第2開口部において露出させた前記補助配線と前記第1導電層とを電気的に接続する接続部を含む第2導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、
第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線を形成し、
前記画素電極の一部を露出する第1開口部と、前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
前記第1開口部により露出された前記画素電極上、前記第2開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
少なくとも前記第2開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第1導電層を形成し、
前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第1導電層を介して放電を起こして、前記第2開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第2開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む第2導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に印加される前記電圧は、交流電源から印加されることを特徴とする請求項11または請求項12に記載の表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014136504A JP6362938B2 (ja) | 2013-11-22 | 2014-07-02 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
US14/547,263 US9117785B2 (en) | 2013-11-22 | 2014-11-19 | Display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013241711 | 2013-11-22 | ||
JP2013241711 | 2013-11-22 | ||
JP2014136504A JP6362938B2 (ja) | 2013-11-22 | 2014-07-02 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015121764A true JP2015121764A (ja) | 2015-07-02 |
JP6362938B2 JP6362938B2 (ja) | 2018-07-25 |
Family
ID=53533399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014136504A Active JP6362938B2 (ja) | 2013-11-22 | 2014-07-02 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6362938B2 (ja) |
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---|---|
JP6362938B2 (ja) | 2018-07-25 |
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