JP2015119030A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高効率の発光装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、光出射部と、波長変換層と、第１波長選択層とを含む発光装置が提供される。前記光出射部は、第１ピーク波長を有する第１光を出射する。前記第１波長選択層は、前記波長変換層と前記光出射部との間に設けられ前記第１光に対して透過性を有する。前記波長変換層は、前記第１波長選択層を透過して前記波長選択層に入射した前記第１光の少なくとも一部を吸収して前記第１ピーク波長よりも長い第２ピーク波長を有する第２光を放出する。前記第１波長選択層の前記第２ピーク波長に対する反射率は、前記第１波長選択層の前記第１ピーク波長に対する反射率よりも高い。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光装置に関する。
例えば、半導体発光素子として、発光ダイオード（ＬＥＤ）がある。これらの半導体発光素子には、例えば、窒化物半導体が用いられる。半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置発光装置が、例えば、表示装置や照明などに用いられている。発光装置において、高効率化が求められている。
特開２０１２−１９０５５５号公報
本発明の実施形態は、高効率の発光装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、光出射部と、波長変換層と、第１波長選択層とを含む発光装置が提供される。前記光出射部は、第１ピーク波長を有する第１光を出射する。前記第１波長選択層は、前記波長変換層と前記光出射部との間に設けられ前記第１光に対して透過性を有する。前記波長変換層は、前記第１波長選択層を透過して前記波長選択層に入射した前記第１光の少なくとも一部を吸収して前記第１ピーク波長よりも長い第２ピーク波長を有する第２光を放出する。前記第１波長選択層の前記第２ピーク波長に対する反射率は、前記第１波長選択層の前記第１ピーク波長に対する反射率よりも高い。
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。 参考例の発光装置を示す模式図である。 発光装置の特性を示すグラフ図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す模式図である。 参考例の発光装置を示す模式図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す模式的断面図である。 図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は、発光装置を示す模式図である。
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図１（ａ）に表したように、発光装置１００は、光出射部１０と、波長変換層２０と、第１波長選択層３０と、を含む。この例では、発光装置１００は、さらに、基板４０を含む。
第１波長選択層３０は、光出射部１０と波長変換層２０との間に設けられている。
光出射部１０は、例えば、窒化物半導体を用いた半導体発光素子である。例えば、光出射部１０として、発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられる。この例では、光出射部１０として、フリップチップ型のＬＥＤが用いられている。
第１波長選択層３０と波長変換層２０との間に基板４０が設けられる。基板４０は、光透過性である。基板４０として、例えば、高い熱伝導を有するセラミックが用いられる。基板４０として、例えば、サファイア基板が用いられる。
光出射部１０から波長変換層２０へ向かう方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直で、Ｚ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。
光出射部１０には、例えば、第１導電形の第１半導体層１１と、第２導電形の第２半導体層１２と、発光層１３と、が設けられる。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１半導体層１１には、第１半導体部分１１ａと、第２半導体部分１１ｂと、が設けられる。第２半導体部分１１ｂは、例えば、Ｘ軸方向において第１半導体部分１１ａと並ぶ。第２半導体層１２と第１波長選択層３０との間に第２半導体部分１１ｂが配置される。第２半導体部分１１ｂと第２半導体層１２との間に発光層１３が設けられる。
第１半導体層１１は、第１主面１１ｐと第２主面１１ｑとを有する。第１主面１１ｐは、例えば、発光層１３側の面である。第２主面１１ｑは、第１主面１１ｐの反対側の面である。第２主面１１ｑは、第１波長選択層３０側の面である。
例えば、光出射部１０には、第１電極１１ｅと、第２電極１２ｅと、が設けられる。第１半導体部分１１ａにおいて、第１主面１１ｐ側の第１半導体層１１の一部が露出している。第１半導体層１１の露出した部分が、第１電極１１ｅと電気的に接続される。第２電極１２ｅは、第２半導体層１２と電気的に接続される。
第１半導体層１１には、例えば、ＳｉがドープされたＧａＮが用いられる。発光層１３は、例えば、障壁層と井戸層とが交互に積層された量子井戸構造を有する。障壁層には例えばＧａＮが用いられ、井戸層には例えばＩｎＧａＮが用いられる。第２半導体層１２には例えばＭｇがドープされたＧａＮが用いられる。上記は一例であり、実施形態において光出射部１０は、上記のＬＥＤに限らない。光出射部１０の構成や材料などは種々の変形が可能である。
光出射部１０は、第１電極１１ｅ及び第２電極１２ｅを介して発光層１３に電流が供給され、光出射部１０から第１光が放出される。第１光は、第１ピーク波長を有する。例えば、第１光のピーク波長（第１ピーク波長）は、５００ナノメートル（ｎｍ）以下である。例えば、光出射部１０には、青色ＬＥＤ、青紫色ＬＥＤ、紫色ＬＥＤ、または、紫外ＬＥＤなどが用いられる。例えば、青色ＬＥＤの発光波長（第１光の波長）は４３０ｎｍ〜４７５ｎｍである。例えば、第１光のピーク波長は、４５０ｎｍである。
波長変換層２０には、例えば、波長変換粒子２１と、波長変換粒子２１が分散された樹脂２２と、が設けられる。波長変換粒子２１は、第１光の少なくとも一部を吸収して第２光を放出する。第２光は、第２ピーク波長を有する。
第２光の波長は、第１光の波長よりも長い。第２光の波長帯は、第１光の波長帯よりも長い。例えば、第２光の波長帯の一番短い波長は、第１光の波長帯の一番短い波長よりも長い。例えば、第２光の波長帯の一番長い波長は、第１光の波長帯の一番長い波長よりも長い。例えば、第２光の波長帯の一番短い波長は、第１光の波長帯の一番長い波長よりも長い。例えば、第２光のピーク波長（第２ピーク波長）は、第１光のピーク波長よりも長い。
波長変換粒子２１には、例えば、蛍光体の微粒子や窒化物半導体の微粒子などを用いることができる。この窒化物半導体として、例えば、ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）が用いられる。このような窒化物半導体は、上記のｘ及びｙの値を変化させることで、放出される光の波長を変化させることができる。変換粒子２１に用いられる窒化物半導体において、III族元素の一部をＢまたはＴｌ等に置換しても良い。波長変換粒子２１に用いられる窒化物半導体において、Ｎの一部は、Ｐ、Ａｓ、ＳｂまたはＢｉ等に置換しても良い。波長変換粒子２１は、１種類の材料に限らず、２種類以上の材料を含むことができる。
例えば波長変換粒子２１には、赤色蛍光体、黄色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体のいずれかを用いることができる。
赤色蛍光体は、例えば、６００ｎｍ〜７８０ｎｍの波長領域の光を放出する。黄色蛍光体は、例えば、５５０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長領域の光を放出する。緑色蛍光体は、例えば４７５ｎｍ〜５２０ｎｍの波長領域の光を放出する。青色蛍光体は、４３０ｎｍ〜４７５ｎｍの波長領域の光を放出する。
波長変換層２０は、多層構造を有してもよい。波長変換層２０は、発光波長の異なる複数の層を含んでもよい。本実施形態においては、第１光及び第２光の波長等の発光特性は、発光装置１００で発光させる光の仕様などに基づいて、適切に設定される。例えば、第２光のピーク波長は、５００ｎｍ以上である。樹脂２２には、例えば、シリコーン系の樹脂などが用いられる。
波長変換層２０は、例えば、光取り出し面２０ｅを有する。光取り出し面２０ｅは、波長変換層２０の基板４０とは反対側の面である。
第１波長選択層３０は、例えば、誘電体多層膜である。第１波長選択層３０には、例えば、異なる屈折率を有する複数の膜が積層されている。例えば、基板４０の上に複数の膜が順次積層され、第１波長選択層３０が形成される。
図１（ｂ）は、第１波長選択層３０を例示する模式図である。
第１波長選択層３０は、複数の第１光学層３０ｉと、複数の第２光学層３０ｊと、を含む。図１（ｂ）に表したように、複数の第１光学層３０ｉ、複数の第２光学層３０ｊ及び複数の第３光学層３０ｋは、Ｚ軸方向において交互に積層されている。
例えば、第１光学層３０ｉとして、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む酸化物層、または、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む窒化物層が用いられる。
例えば、第２光学層３０ｊとして、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む酸化物層、または、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む窒化物層が用いられる。
第１光学層３０ｉのそれぞれの屈折率は、第２光学層３０ｊのそれぞれの屈折率とは異なる。第１光学層３０ｉのそれぞれの屈折率は、第３光学層３０ｋのそれぞれの屈折率とは異なる。第２光学層３０ｊのそれぞれの屈折率は、第３光学層３０ｋのそれぞれの屈折率とは異なる。第１光学層３０ｉのそれぞれの厚さは、例えば３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第２光学層３０ｊのそれぞれの厚さは、例えば３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第３光学層３０ｋのそれぞれの厚さは、例えば３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第１〜第３光学層３０ｉ〜３０ｋのそれぞれの屈折率、及び第１〜第３光学層３０ｉ〜３０ｋのそれぞれの厚さは、透過する波長及び反射する波長に合わせて、適宜光学的に設計される。
第１波長選択層３０は、例えば、第１光に対して透過性を有し、第２光に対して反射性を有する。基板４０は、第１光及び第２光に対して透過性を有する。第１波長選択層３０の第１光のピーク波長に対する透過率は、第１波長選択層３０の第２光のピーク波長に対する透過率よりも高い。第１波長選択層３０の第２光のピーク波長に対する反射率は、第１波長選択層３０の第１光のピーク波長に対する反射率よりも高い。
透過性を有する部材においては、透過率が、反射率よりも高く、吸収率よりも高い。例えば、透過性を有する部材においては、光透過率が例えば、９０％以上である。透過率は、例えば、８０％以上でも良い。
反射性を有する部材においては、反射率が透過率よりも高い。例えば、反射率は、吸収率よりも高い。例えば、透過性を有する部材においては、反射率は、例えば９０％以上である。反射率が８０％以上でも良い。
例えば、第１波長選択層３０は、第１光のピーク波長に対して６０％以上の透過率を有する。例えば、第１波長選択層３０は、第２光のピーク波長に対して、６０％以上の反射率を有する。
例えば、第１波長選択層３０の第１光に対する透過率は、基板４０の第１光に対する透過率よりも高い。例えば、第１波長選択層３０の第２光に対する反射率は、基板４０の第２光に対する反射率よりも高い。
図２は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。
図２は、発光装置１００の動作を例示している。
例えば、光出射部１０に電流が供給されると、発光層１３から光が放出される。すなわち、発光層１３は、第１光Ｌ１を出射する。第１光Ｌ１の一部は、第１波長選択層３０へ向かって進行する。
第１波長選択層３０は、第１光Ｌ１に対して透過性を有する。第１波長選択層３０に入射した第１光Ｌ１の一部は、第１波長選択層３０の中及び基板４０の中を伝搬し、波長変換層２０に入射する。
波長変換層２０に入射した第１光Ｌ１の一部は、波長変換層２０において、波長変換粒子２１に吸収される。第１光Ｌ１の一部を吸収した波長変換は、第２光Ｌ２を放出する。
第２光Ｌ２の一部（Ｌ２ａ）は、光取り出し面２０ｅへ向かって進行し、外界へ取り出される。第２光Ｌ２の別の一部（Ｌ２ｂ）は、光取り出し面２０ｅへ向かう方向と逆方向に進行し、基板４０中を伝搬し、第１波長選択層３０へ到達する。第１波長選択層３０へ到達した第２光Ｌ２の一部は、第１波長選択層３０によって反射される。反射された第２光Ｌ２の一部は、基板４０の中及び波長変換層２０の中を伝搬し、光取り出し面２０ｅへ向かって進行し、外界へ取り出される。
図３は、参考例の発光装置を示す模式図である。
図３に表した発光装置１９０においても、光出射部１０、波長変換層２０及び基板４０が設けられている。これらについては、発光装置１００に関して説明した構成が適用できる。発光装置１９０には、第１波長選択層３０が設けられていない。発光装置１９０は、発光装置１００の第１波長選択層３０を省略した構成に相当する。
発光装置１９０においても、発光層１３から、第１光Ｌ１が出射される。第１光Ｌ１の一部は基板４０に向かって進行する。基板４０に到達した光の一部（Ｌ１ａ）は、基板４０によって反射され、光取り出し面２０ｅへ向かう方向と逆方向へ進行する。基板４０によって反射された光は、損失となる。
これに対して、発光装置１００においては、第１光Ｌ１に対して透過性を有する第１波長選択層３０が設けられている。光出射部１０から第１波長選択層３０に到達した第１光Ｌ１の一部は、第１波長選択層３０によって反射されにくく、第１波長選択層３０の中を伝搬する。これにより、第１光Ｌ１の損失が抑制される。
第１波長選択層３０の中を伝搬した第１光Ｌ１の一部は、基板４０に入射する。第１光Ｌ１の基板４０の内部への入射を促進するために、光出射部１０の第１波長選択層３０と接する部分の屈折率（第１屈折率ｎ１）、第１波長選択層３０の基板４０と接する部分の屈折率（第２屈折率ｎ２）及び、基板４０の屈折率（第３屈折率ｎ３）を適切に設定することが望ましい。例えば、第２屈折率ｎ２と第３屈折率ｎ３との差が、第１屈折率ｎ１と第３屈折率ｎ３との差よりも小さくなるように設定する。これにより、第１波長選択層３０を設けた場合、第１波長選択層３０を設けない場合に比べて、基板４０における第１光Ｌ１の反射（フレネル反射）を抑制することができる。これにより、第１光Ｌ１の損失が抑制される。
参考例の発光装置１９０において、第１光Ｌ１の別の一部（Ｌ１ｂ）は、基板４０中伝搬し、波長変換層２０に入射する。波長変換層２０に入射した第１光Ｌ１の一部は、波長変換層２０において、波長変換粒子２１に吸収される。第１光Ｌ１の一部を吸収した波長変換層２０は、第２光Ｌ２を放出する。放出された第２光Ｌ２の一部（Ｌ２ｃ）は、光取り出し面２０ｅへ向かい外界へ取り出される。
第２光Ｌ２の別の一部（Ｌ２ｄ）は、光取り出し面２０ｅへ向かう方向と逆方向へ進行し、基板４０を透過する。基板４０を透過した光は、損失となる。
これに対して、発光装置１００においては、第２光Ｌ２に対して反射性を有する第１波長選択層３０が設けられている。これにより、基板４０の中を伝搬し第１波長選択層３０へ到達した第２光Ｌ２の一部（Ｌ２ｂ）は、第１波長選択層３０によって反射されやすい。第１波長選択層３０によって反射された第２光Ｌ２の一部は、光取り出し面２０ｅへ向かって進行し、外界へ取り出される。
発光装置１００のように、第１波長選択層３０を設けることで、光の損失を抑制することができ、発光効率が向上する。
図４は、発光装置の特性を例示するグラフ図である。
図４の縦軸は、光透過率ＴＲ％であり、横軸は入射波長λｐである。図４は、波長λｐの光が入射角θで入射したときの光透過率を表している。図４は、発光装置１００に用いられる第１波長選択層３０のデータ及び参考例のサファイア基板のデータを例示している。
図４に表したように、参考例のサファイア基板４０の光透過率Ｔ４０は、波長λｐに対する依存性が小さい。サファイア基板４０は、例えば、波長λｐが短い領域から長い領域にわたって（３５０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下）、８０％程度の比較的高い透過率Ｔ４０を有している。波長変換層２０から放出され、基板４０の中を伝搬する第２光Ｌ２は、基板４０を透過しやすい。基板４０を透過した光は、光取り出し面２０ｅとは逆方向へ進行し、損失となる。
一方、図４に表したように、第１波長選択層３０の光透過率Ｔ３０は、入射角θと波長λｐと、に依存する。第１波長選択層３０の光透過率Ｔ３０は、例えば、波長λｐが長い（５５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下）領域において、１０％以下である。例えば、黄色の第２光Ｌ２を用いた場合、波長変換層２０から放出され基板４０の中を伝搬する第２光Ｌ２の一部は、第１波長選択層３０を透過しにくい。例えば、第２光Ｌ２の一部は、第１波長選択層３０によって反射され、光取り出し面２０ｅへ向かって進行する。これにより、第２光Ｌ２の損失を抑制することができる。
第１波長選択層３０は、入射角θが０度または３０度の光に対して、波長λｐが短い（４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下）領域において、９０％程度の高い透過率Ｔ３０を有する。第１波長選択層３０は、入射角θが６０度の光に対しても、波長が短い（４００以上４５０ｎｍ以下）領域において８０％程度の透過率Ｔ３０を有している。例えば、光出射部１０に青色ＬＥＤを用いた場合、光出射部１０から出射され第１波長選択層３０に入射する第１光Ｌ１は、第１波長選択層３０によって反射されにくい。第１光Ｌ１は、第１波長選択層３０を透過し、基板４０に入射する。例えば、第１波長選択層３０を設けることで、基板４０による第１光Ｌ１の反射が抑制される。これにより、第１光Ｌ１の損失を抑制することができる。
第１波長選択層３０を設けることで、光の損失を抑制し、発光効率を向上した発光装置が提供される。本実施形態によれば、高効率の発光装置を提供できる。
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。発光装置１１０は、光出射部１０と、波長変換層２０と、第１波長選択層３０と、基板４０と、を含む。これらについては、発光装置１００に関して説明した構成が適用できる。発光装置１１０は、さらに、反射金属膜４５と、実装部材５０と、を含む。
第１波長選択層３０は、第１面３０ａと第２面３０ｂとを有する。第２面３０ｂは、Ｚ軸方向において第１面３０ａと離間する。第１面３０ａは、光出射部１０側の面である。第１面３０ａは、基板４０とは反対側の面である。第２面３０ｂは、基板４０側の面である。
第１面３０ａは、第１領域３５ａと第２領域３５ｂとを含む。第１領域３５ａは、光出射部１０から波長変換層２０へ向かう方向と交差する平面（例えば、Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、光出射部１０と重なる領域である。第２領域３５ｂは、光出射部１０から波長変換層２０へ向かう方向と交差する平面（例えば、Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、光出射部１０と重ならない領域である。
第１波長選択層３０は、第１側面３０ｓを有する。第１側面３０ｓは、第１面３０ａと交差する面である。基板４０は、第２側面４０ｓを有する。第２側面４０ｓは、光出射部１０から波長変換層２０へ向かう交差する平面（例えば、Ｘ−Ｙ平面）と交差する面である。
反射金属膜４５は、第２側面４０ｓと第１側面３０ｓと第２領域３５ｂとの少なくとも一部を覆い、第２側面４０ｓと第１側面３０ｓと第２領域３５ｂとの少なくとも一部と接している。この例では、反射金属膜４５は、第２側面４０ｓ、第１側面３０ｓ及び第２領域３５ｂを覆い、第２側面４０ｓ、第１側面３０ｓ及び第２領域３５ｂと接している。反射金属膜４５は、例えば、Ａｌ及びＡｇの少なくともいずれかを含む。反射金属膜４５は、第１光及び第２光に対して反射性を有する。
例えば、基板４０と実装部材５０との間に、光出射部１０及び第１波長選択層３０が配置される。実装部材５０の光出射部１０側の面には、例えば、実装パターン１５が設けられている。実装パターン１５は、第１接続部材１５ａと、第２接続部材１５ｂと、実装基板１５ｃと、を含む。
第１接続部材１５ａは、実装基板１５ｃと第１電極１１ｅとの間に配置される。実装基板１５ｃは、第１接続部材１５ａを介して第１電極１１ｅと電気的に接続される。
第２接続部材１５ｃは、実装基板１５ｃと第２電極１２ｅとの間に配置される。実装基板１５ｃは、第２接続部材１５ｂを介して第２電極１２ｅと電気的に接続される。実装パターン１５を介して、光出射部１０は、通電される。
実装部材５０は、例えば、第２側面４０ｓと第１側面３０ｓと第２領域３５ｂとの少なくとも一部を覆うように設けられる。例えば、実装部材５０は、反射金属膜４５の少なくとも一部と接する。実装部材５０には、例えば、ＡｌまたはＣｕが用いられる。
図６は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式図である。図６は、発光装置１１０の動作を例示している。
図６に表したように、光出射部１０が通電されることで、発光層１３は、第１光Ｌ１を出射する。第１光Ｌ１の一部（Ｌ１ｃ）は、例えば、光取り出し面２０ｅの方向へ進行する。第１光Ｌ１の一部は、第１波長選択層３０及び基板４０中を伝搬し、波長変換層２０へ入射する。波長変換層２０に入射した第１光Ｌ１の一部は、波長変換粒子２１により吸収される。波長変換粒子２１は、第２光Ｌ２を放出する。
放出された第２光Ｌ２の一部（Ｌ２ｅ）は、光取り出し面２０ｅへ向かう方向とは逆方向へ放出される。例えば、放出された第２光Ｌ２の一部は、基板４０の中を伝搬し、第１波長選択層３０によって反射される。第１波長選択層３０によって反射された第２光Ｌ２の一部は、例えば、第２側面４０ｓへ向かって進行する。例えば、第２側面４０ｓには、反射金属膜４５が設けられている。これにより、例えば、第２側面４０ｓへ向かって進行してきた第２光Ｌ２の一部は、反射金属膜４５によって反射される。反射された第２光Ｌ２の一部は、例えば、取り出し面２０ｅへ向かって進行し、外界へ取り出される。
もし、反射金属膜４５が設けられていない場合には、基板４０中を伝搬し第２側面４０ｓへ向かって進行する第２光Ｌ２の一部は、基板４０を透過し、光取り出し面２０ｅの設けられていない方向へ進行する。この光は、損失となる。
例えば、光出射部１０から発光された第１光Ｌ１の別の一部（Ｌ１ｄ）は、第１波長選択層３０及び基板４０中を伝搬し、波長変換層２０に到達する。波長変換層２０に到達した第１光Ｌ１の一部は、例えば、基板４０と、波長変換層２０との界面において、反射される。反射された第１光Ｌ１の一部は、例えば、光取り出し面２０ｅへ向かう方向と逆方向へ進行する。第１光Ｌ１の一部は、基板４０の中及び第１波長選択層３０の中を伝搬し、例えば、第２領域３５ｂへ向かって進行する。例えば、第２領域３５ｂと接する反射金属膜４５が設けられている。第２領域３５ｂへ向かって進行した第１光Ｌ１の一部は、反射金属膜４５によって反射され、再び、光取り出し面２０ｅの方向へ向かう。
もし、反射金属膜４５が設けられていない場合には、第２領域３５ｂへ向かって進行した第１光Ｌ１の一部は、第１波長選択層３０を透過し、光取り出し面２０ｅの設けられていない方向へ進行する。この光は、損失となる。
本実施形態に係る発光装置１１０においては、反射金属膜４５を設けることで、光の損失を抑制することができ、発光効率を向上させることができる。本願発明者の検討によると、光出射部１０における電力を１．５Ｗとしたときに、発光装置１１０の発光効率は、参考例の発光装置１９０の発光効率に比べて、１．７倍に向上することが見出された。
図７は、参考例の発光装置を示す模式図である。
図７に表したように参考例の発光装置１９１には、光出射部１０と、波長変換層２０と、実装部材５１（放熱基板）と、が設けられる。波長変換層２０と実装部材５１との間に光出射部１０が設けられる。光出射部１０及び波長変換層２０については、発光装置１００に関して説明した構成が適用できる。
発光装置１９１において、光出射部１０から第１光が出射される。第１光は、波長変換層２０において波長変換粒子２１によって吸収される。波長変換粒子２１は、第２光を放出する。この際、波長変換層２０には、熱が生じる。波長変換層２０において生じた熱は、光出射部１０を介して実装部材５１へ伝導され、放熱される。波長変換層２０において第２光が放出されるときに、光出射部１０の温度が上昇しやすい。光出射部１０の温度が上昇することで、発光層１３における発光効率が低下する場合がある。
一方、本実施形態に係る発光装置１１０においては、光出射部１０と波長変換層２０との間に、基板４０が設けられている。基板４０には、例えば、高い熱伝導率を有するセラミックが用いられる。さらに、発光装置１１０に設けられた実装部材５０は、第２側面４０ｓ、第１側面３０ｓ及び第２領域３５ｂとを覆うように設けられた反射金属膜４５に接する。これにより、波長変換層２０において生じた熱は、基板４０及び反射金属膜４５を介して、実装部材５０へ伝導され、効率よく放熱される。
本願発明者の検討によると、参考例の発光装置１９１における波長変換層２０の熱抵抗は、１．０６Ｋ／Ｗである。発光装置１１０の波長変換層２０の熱抵抗は、０．２９Ｋ／Ｗである。本実施形態によれば、参考例の発光装置１９１に比べて３．６５倍程度、放熱性が改善する。
発光装置１１０における放熱は、発光装置１９１のような光出射部１０を介した放熱となりにくい。このため、発光装置１１０においては、発光装置１９１よりも光出射部１０の温度が上昇しにくく、発光効率が低下しにくい。
図８は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図８に表したように、発光装置１１１は、光出射部１０と、波長変換層２０と、第１波長選択層３０と、基板４０と、反射金属膜４５と、実装部材５０と、を含む。これらについては、発光装置１１０に関して説明した構成が適用できる。発光装置１１１は、第２波長選択層３１をさらに含む。第２波長選択層３１は、波長変換層２０と、基板４０との間に設けられる。発光装置１１１は、発光装置１１０に第２波長選択層３１をさらに設けた構成に相当する。
第２波長選択層３１は、第１光に対して透過性を有し、第２光に対して反射性を有する。第２波長選択層３１は、例えば、第１波長選択層３０と同様の構成とすることができる。
例えば、光出射部１０から出射された第１光の一部は、第１波長選択層３０の中及び基板４０の中を伝搬し、第２波長選択層３１に到達する。第２波長変換層３１は、第１光に対して透過性を有する。これにより、第２波長選択層３１に到達した第１光の一部は、第２波長選択層３１によって反射されにくく、第２波長選択層３１の中を伝搬する。これにより、第１光の入射効率を向上させることができ、発光効率が高まる。
第２波長選択層３１の中を伝搬した第１光の一部は、波長変換層２０に入射する。第１光の波長変換層２０の内部への入射を促進するために、基板４０の屈折率（第３屈折率ｎ３）と、第２波長選択層３１の波長変換層２０と接する部分の屈折率（第４屈折率ｎ４）及び、波長変換層２０の屈折率（第５屈折率ｎ５）を適切に設定することが望ましい。例えば、第４屈折率ｎ４と第５屈折率ｎ５との差が、第３屈折率ｎ３と第５屈折率ｎ５との差よりも小さくなるように設定する。これにより、第２波長選択層３１を設けた場合、第２波長選択層３１を設けない場合に比べて、波長変換層２０における第１光の反射（フレネル反射）を抑制することができる。これにより、波長変換層２０への第１光の入射効率を向上させることができ、発光装置１１１の発光効率が向上する。
図９は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図９に表した発光装置１１２においても、光出射部１０と、波長変換層２０と、第１波長選択層３０と、第２波長選択層３１と、基板４０と、反射金属膜４５と、実装部材５０と、が設けられている。これらについては、発光装置１１１に関して説明した構成が適用できる。例えば、光出射部１０は、透明電極１０ｔと金属電極１０ｍとを含むＬＥＤでもよい。例えば、透明電極１０ｔは、光出射部１０の波長変換層２０側の面に設けられる。例えば、金属電極１０ｍは、光出射部１０の波長変換層２０側の面と反対側の面に設けられる。光出射部１０は、例えば、透明電極１０ｔと金属電極１０ｍとを介して、Ｚ軸方向に沿って電流が流れる縦通電型のＬＥＤである。
波長変換層２０は、例えば、光出射部１０から放出された第１光の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。波長変換層２０は、第２光を放出するときに発熱する。発光装置１１２においては、波長変換層２０において生じた熱は、例えば、第２波長選択層３１を介して、高い熱伝導率を有する基板４０へ伝導される。基板４０へ伝導された熱は、例えば、反射金属膜４５を介して、実装部材５０へ伝導される。反射金属膜４５及び実装部材５０には、金属が用いられており、反射金属膜４５及び実装部材５０は、高い熱伝導率を有する。これにより、例えば、波長変換層２０において生じた熱が、効率よく放熱される。
例えば、基板４０の厚さは、５０マイクロメートル以上１ミリメートル以下である。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、基板４０の面積は、光出射部１０の面積よりも大きい。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、基板４０の面積は、光出射部１０の面積の２倍以上である。これにより、基板４０の実装部材５０に覆われている領域が広くなる。これにより、例えば、波長変換層２０から基板４０へ伝導された熱は、実装部材５０へ効率よく放熱される。発光効率の低下を抑制することができる。
図１０は、第２の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図１０に表した発光装置１１３においても、光出射部１０と、波長変換層２０と、第１波長選択層３０と、第２波長選択層３１と、基板４０と、反射金属膜４５と、実装部材５０と、が設けられている。
波長変換層２０、第１波長選択層３０、基板４０、反射金属膜４５及び実装部材５０については、発光装置１１０に関して説明した構成が適用できる。
図１０に表したように、この例では、光出射部１０から波長変換層２０へ向かう方向と交差する平面（例えば、Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、第１波長選択層３０の面積は、第２波長選択層３１の面積よりも小さい。例えば、基板４０の波長変換層２０側の面の面積は、基板４０の光出射部１０側の面の面積よりも大きい。
発光装置１１３においても、発光装置１１０と同様に、光の損失が抑制され、放熱性が向上される。発光効率の向上した発光装置が提供される。
図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は、発光装置を例示する模式図である。
図１１（ａ）は、参考例の発光装置２００を例示する模式図である。発光装置２００には、光出射部１０（図示しない）、波長変換層２０及び基板４０が設けられている。これらについては、発光装置１００に関して説明した構成が適用できる。
例えば、光出射部１０から励起光Ｅ１が放出される。励起光Ｅ１は、光出射部１０から基板４０の方向へ進行し、基板４０へ入射する。励起光Ｅ１の一部（反射励起光Ｅ１ｒａ）は、基板４０によって反射される。基板４０へ入射した励起光Ｅ１の別の一部は、基板４０中を伝搬し、波長変換層２０へ入射する。波長変換層２０へ入射した励起光Ｅ１の一部（反射励起光Ｅ２ｒａ）は、波長変換層２０によって反射され、例えば、光出射部１０の方向へと進行する。波長変換層２０へ入射した励起光Ｅ１の一部（透過励起光Ｅ１ｔ）は、波長変換層２０を透過し、外界へ取り出される。波長変換層２０へ入射した励起光Ｅ１の別の一部は、波長変換層２０において吸収される。波長変換層２０は、蛍光Ｆ１、蛍光Ｆ２ｔ及び蛍光Ｆ２ｒを放出する。蛍光Ｆ１は、波長変換層２０の基板４０と対向する面と反対側の面の方向へ進行し、外界へ取り出される。蛍光Ｆ２ｔ及び蛍光Ｆ２ｒは、波長変換層２０から光出射部１０へ向かう方向へ進行する。蛍光Ｆ２ｒは、例えば、基板４０中を伝搬し、基板４０の光出射部１０側の面において全反射される。発光装置２００において、反射励起光Ｅ１ｒａ、反射励起光Ｅ２ｒａ、蛍光Ｆ２及び蛍光Ｆ２ｒは損失となり、発光装置２００の発光効率が低下する。
図１１（ｂ）は、実施形態に係る発光装置２０１を例示する模式図である。発光装置２０１には、光出射部（図示しない）、波長変換層２０、基板４０及び第１波長選択層３０が設けられている。これらについては、発光装置１００に関して説明した構成が適用できる。発光装置２０１は、発光装置２００に第１波長選択層３０を設けた発光装置に相当する。
発光装置２０１においても、光出射部１０から励起光Ｅ１が放出される。励起光Ｅ１の一部は、光出射部１０から基板４０の方向へ進行し、第１波長選択層３０中を進行し、基板４０へ入射する。基板４０へ入射した励起光Ｅ１の一部（反射励起光Ｅ１ｒｂ）は、基板４０によって反射される。発光装置２００における説明と同様に、発光装置２０１においても、透過励起光Ｅ１ｔ、反射励起光Ｅ２ｒａ、蛍光Ｆ１、蛍光Ｆ２ｒが生じる。発光装置２０１においては、波長変換層２０から放出された蛍光Ｆ２ｒｂは、波長変換層２０から光出射部１０へ向かう方向へ進行する。基板４０中を進行した蛍光Ｆ２ｒｂは、第１波長選択層３０によって反射され、波長変換層２０の方向へ進行し、外界へ取り出される。発光装置２０１において、反射励起光Ｅ１ｒｂ、反射励起光Ｅ２ｒａ及び蛍光Ｆ２ｒは損失となり、発光装置２０１の発光効率が低下する。
第１波長選択層３０は、励起光Ｅ１に対して透過性を有する。これにより、例えば、励起光Ｅ１の基板４０への入射効率が高くなる。例えば、反射励起光Ｅ１ｒｂの光量は、反射励起光Ｅ１ｒａの光量よりも少ない。
第１波長選択層３０は、蛍光Ｆ２ｒｂや蛍光Ｆ２ｔに対して反射性を有する。これにより、例えば、蛍光Ｆ２ｒｂは、蛍光Ｆ２ｔのように損失とならず、外界へ取り出される。これにより、発光装置２０１においては、発光装置２００におけるよりも光の損失が少ない。
図１１（ｃ）は、実施形態に係る発光装置２０２を例示する模式図である。発光装置２０２には、光出射部１０（図示しない）、波長変換層２０、基板４０及び反射金属膜４５が設けられている。これらについては、発光装置１１０に関して説明した構成が適用できる。発光装置２０２は、発光装置２００に反射金属膜４５を設けた発光装置に相当する。
発光装置２０２においても、光出射部１０から励起光Ｅ１が放出される。発光装置２００における説明と同様に、発光装置２０２においても、透過励起光Ｅ１ｔ、反射励起光Ｅ１ｒａ、反射励起光Ｅ２ｒａ、蛍光Ｆ１及び蛍光Ｆ２ｔが生じる。発光装置２０２においては、基板４０中を進行し、波長変換層２０へ入射した励起光Ｅ１の一部は、波長変換層２０によって、反射される。波長変換層２０によって反射された励起光Ｅ１の一部（反射励起光Ｅ２ｒｃ）は、光出射部１０へ向かう方向へ進行し、反射金属膜４５に入射する。反射金属膜４５に入射した反射励起光Ｅ２ｒｃは、反射金属膜４５によって反射され、波長変換層２０の方向へ向かって基板４０中を進行し、外界へ取り出される。
発光装置２０２においては、波長変換層２０から放出された蛍光Ｆ２ｒｃは、例えば、光出射部１０へ向かう方向へ進行し、基板４０中を伝搬する。蛍光Ｆ２ｒｃは、反射金属膜４５によって反射され、波長変換層２０の方向へ向かって基板４０中を進行し、外界へ取り出される。
発光装置２０２においては、例えば、反射励起光Ｅ１ｒａ、反射励起光Ｅ２ｒａ及び蛍光Ｆ２ｔは、損失となり、発光装置２０２の発光効率が低下する。
例えば、蛍光Ｆ２ｒｃは、蛍光Ｆ２ｒのように損失とならず、外界へ取り出される。例えば、反射励起光Ｅ２ｒｃは、反射励起光Ｅ２ｒａのように損失とならず、外界へ取り出される。これにより、発光装置２０２においては、発光装置２００におけるよりも光の損失が少ない。
図１１（ｄ）は、実施形態に係る発光装置２０３を例示する模式図である。発光装置２０３には、光出射部１０（図示しない）、波長変換層２０、基板４０、第１波長選択層３０及び反射金属膜４５が設けられている。これらについては、発光装置１１０に関して説明した構成が適用できる。発光装置２０３は、発光装置２００に第１波長選択層３０及び反射金属膜４５を設けた発光装置に相当する。
発光装置２００〜２０２における説明と同様に、発光装置２０３においても、透過励起光Ｅ１ｔ、反射励起光Ｅ１ｒｂ、反射励起光Ｅ２ｒａ、反射励起光Ｅ２ｒｃ、蛍光Ｆ１、蛍光Ｆ２ｒｂ及び蛍光Ｆ２ｒｃが生じる。例えば、発光装置２０３においては、反射励起光Ｅ１ｒｂ及び反射励起光Ｅ２ｒａは、損失となり、発光装置２０３の発光効率が低下する。
例えば、発光装置２０３においては、反射励起光Ｅ１ｒｂの光量は、反射励起光Ｅ１ｒａの光量よりも少ない。反射励起光Ｅ２ｒｃ、蛍光Ｆ２ｒｃ及び蛍光Ｆ２ｒｂは、それぞれ、反射励起光Ｅ２ｒａ、Ｆ２ｒ及び蛍光Ｆ２ｔのように損失とならず外界へ取り出される。これにより、発光装置２０３においては、発光装置２００〜２０２におけるよりも光の損失が少ない。発光装置２０３は高効率の発光装置である。
図１１（ｅ）は、実施形態に係る発光装置２０４を例示する模式図である。発光装置２０４には、光出射部１０（図示しない）、波長変換層２０、基板４０、第１波長選択層３０、第２波長選択層３１及び反射金属膜４５が設けられている。これらについては、発光装置１１１に関して説明した構成が適用できる。発光装置２０４は、発光装置２００に第１波長選択層３０、第２波長選択層３１及び反射金属膜４５を設けた発光装置に相当する。
発光装置２０４においても、発光装置２００〜２０３における説明と同様に、透過励起光Ｅ１ｔ、反射励起光Ｅ１ｒｂ、反射励起光Ｅ２ｒｃ、蛍光Ｆ１、蛍光Ｆ２ｒｂ及び蛍光Ｆ２ｒｃが生じる。
発光装置２０４においては、第２波長選択層３１が設けられている。第２波長選択層３１は、例えば、励起光Ｅ１に対して透過性を有している。これにより、例えば、基板４０中を進行し、波長変換層２０へ入射した光は、波長変換層２０によって反射されにくい。発光装置２０３におけるような反射励起光Ｅ２ｒａが生じにくい。発光装置２０４においては、発光装置２００〜２０３におけるよりも光の損失が少ない。発光装置２０４は高効率の発光装置である。
実施形態によれば、高効率の発光装置が提供できる。
なお、本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、光出射部、波長変換層、第１波長選択層、第２波長選択層、基板、実装部材及び反射金属膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０…光出射部、 １０ｔ…透明電極、 １０ｍ…金属電極、 １１…第１半導体層、 １１ａ…第１半導体部分、 １１ｂ…第２半導体部分、 １１ｅ…第１電極、 １１ｐ…第１主面、 １１ｑ…第２主面、 １２…第２半導体層、 １２ｅ…第２電極、 １３…発光層、 １５…実装パターン、 １５ａ…第１接続部材、 １５ｂ…第２接続部剤、 １５ｃ…実装基板、 ２０…波長変換層、 ２０ｅ…光取り出し面、 ２１…波長変換粒子、 ２２…樹脂、 ３０…第１波長選択層、 ３０ａ…第１面、 ３０ｂ…第２面、 ３０ｉ…第１光学層、 ３０ｊ…第２光学層、 ３０ｋ…第３光学層、 ３０ｓ…第１側面、 ３１…第２波長選択層、 ３５ａ…第１領域、 ３５ｂ…第２領域、 ４０…基板、 ４０ｓ…第２側面、 ４５…反射金属膜、 ５０、５１…実装部材、 ｎ１〜ｎ５…第１〜第５屈折率、 θ…入射角、 λｐ…波長、 １００、１１０〜１１３、１９０、１９１、２００〜２０４…発光装置、 Ｅ１…励起光、 Ｅ１ｒａ、Ｅ１ｒｂ、Ｅ２ｒａ、Ｅ２ｒｃ…反射励起光、 Ｅ１ｔ…透過励起光、 Ｆ１、Ｆ２、Ｆ２ｒ、Ｆ２ｒｂ、Ｆ２ｒｃ、Ｆ２ｔ…蛍光、 Ｌ１、Ｌ１ａ〜Ｌ１ｄ…第１光、 Ｌ２、Ｌ２ａ〜Ｌ２ｅ…第２光、 ＴＲ、Ｔ３０、Ｔ４０…光透過率

Claims (16)

  1. 第１ピーク波長を有する第１光を出射する光出射部と、
    波長変換層と、
    前記波長変換層と前記光出射部との間に設けられ前記第１光に対して透過性を有する第１波長選択層と、
    を備え、
    前記波長変換層は、前記第１波長選択層を透過して前記波長選択層に入射した前記第１光の少なくとも一部を吸収して前記第１ピーク波長よりも長い第２ピーク波長を有する第２光を放出し、
    前記第１波長選択層の前記第２ピーク波長に対する反射率は、前記第１波長選択層の前記第１ピーク波長に対する反射率よりも高い発光装置。
  2. 前記第１波長選択層の前記第１ピーク波長に対する透過率は、前記第１波長選択層の前記第２ピーク波長に対する透過率よりも高い請求項１記載の発光装置。
  3. 前記第１波長選択層の前記第１ピーク波長に対する透過率は８０％以上であり、
    前記第１波長選択層の前記第２ピーク波長に対する前記反射率は、８０％以上である請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第１波長選択層は、前記光出射部から前記波長変換層に向かう方向に交互に積層された複数の第１光学層と複数の第２光学層とを含み、
    前記複数の第１光学層のそれぞれの屈折率は、前記複数の第２光学層のそれぞれの屈折率は異なる請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
  5. 前記複数の第１光学層のそれぞれは、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む酸化物、及び、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む窒化物、の少なくともいずれかの第１材料を含み、
    前記複数の第２光学層のそれぞれは、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む酸化物、及び、Ｓｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＭｇの少なくともいずれかを含む窒化物、の少なくともいずれかであって前記第１材料とは異なる第２材料を含む請求項４記載の発光装置。
  6. 前記複数の第１光学層のそれぞれの厚さは、３０ナノメートル以上２００ナノメートル以下であり、
    前記複数の第２光学層のそれぞれの厚さは、３０ナノメートル以上２００ナノメートル以下である請求項４または５に記載の発光装置。
  7. 前記第１ピーク波長は、５００ナノメートル未満であり、
    前記第２ピーク波長は、５００ナノメートル以上である請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
  8. 前記第１波長選択層と前記波長変換層との間に設けられ、第１光及び第２光に対して透過性を有する基板をさらに備えた請求項１〜７のいずれか１つに記載の発光装置。
  9. 前記第１波長変換層と前記基板との間に設けられ、前記第１光に対して透過性を有し、前記第２光に対して反射性を有する第２波長選択層をさらに備えた請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記第１波長選択層は、第１領域と第２領域とを含む前記光出射部側の第１面と、前記第１面と交差する第１側面と、を有し、
    前記第１領域は、前記光出射部から前記波長変換層へ向かう第１方向と交差する平面に投影したときに、前記光出射部と重なり、
    前記第２領域は、前記平面に投影したときに前記光出射部と重ならず、
    前記基板は、前記平面と交差する第２側面を有し、
    前記第１側面と前記第２側面と前記第２領域との少なくとも一部と接する反射金属膜をさらに備えた請求項８または９に記載の発光装置。
  11. 前記基板は、前記光出射部から前記波長変換層へ向かう第１方向と交差する平面に投影したときに、前記光出射部よりも大きい面積を有する請求項８〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
  12. 前記基板の面積は、前記平面に投影したときに、前記光出射部の面積の２倍以上である請求項１１に記載の発光装置。
  13. 前記基板は、サファイア基板を含む請求項８〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
  14. 前記基板の厚さは、５０マイクロメートル以上１ミリメートル以下である請求項８〜１３のいずれか１つに記載の発光装置。
  15. 前記光出射部は、前記第１光を放出する半導体発光素子を含む請求項１〜１４のいずれか１つに記載の発光装置。
  16. 前記半導体発光素子は、発光ダイオードを含む請求項１５に記載の発光装置。
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