JP2015109400A

JP2015109400A - 気相成長装置

Info

Publication number: JP2015109400A
Application number: JP2013252676A
Authority: JP
Inventors: 森　勇次; Yuji Mori; 勇次森; 伸太郎恩地; Shintaro Onchi
Original assignee: Japan Pionics Ltd
Current assignee: Japan Pionics Ltd
Priority date: 2013-12-06
Filing date: 2013-12-06
Publication date: 2015-06-11

Abstract

【課題】サセプタによって回転自在に保持された複数の基板を、基板の裏側から所定の線形パターンで形成されたヒータにより加熱する構造を有するフェイスダウン型の気相成長装置であって、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、広い面積を有するヒータを破損させることなく安定して支持することが可能な気相成長装置を提供する。【解決手段】前述のような気相成長装置において、細長形状の穴及びヒータ支持部材の回転を制限するための溝を有する反射板をヒータの上面側に設置し、凸形状の回転ストッパー機能を有するτの字形状、エの字形状、ユの字形状、またはコの字形状のヒータ支持部材を、反射板の穴及びヒータの線形パターンの間隙に、中央部がこれらを貫通するように挿入した後、回転させて反射板及びヒータの線形パターンに接合させ、ヒータを反射板から吊り下げて支持する構成とする。【選択図】図１

Description

本発明は、気相成長装置に関し、詳細には、４インチ基板、６インチ基板等大きな基板を複数枚用いた気相成長において、大型のヒータを安定して支持するための構成を備えた気相成長装置に関する。

結晶膜を基板上に成長する方法には、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等があり、基板加熱を伴うＣＶＤ法は熱ＣＶＤ法等として知られている。近年、高温条件（例えば１０００℃以上）で基板を加熱して行なう気相成長が増加しており、青色若しくは紫外ＬＥＤまたは青色若しくは紫外レーザーダイオードを製作するためのIII族窒化物半導体の気相成長もその一つである。
例えば、III族窒化物半導体結晶膜の成長は、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、またはトリメチルアルミニウム等の有機金属ガスをIII族金属源として、アンモニアを窒素源として用い、１０００℃以上の高温に加熱されたシリコン（Ｓｉ）、サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）または窒化ガリウム（ＧａＮ）等の基板上に結晶膜を気相成長する熱ＣＶＤ法により行なわれることがある。

気相成長装置には、基板の結晶成長面を上向きに配置するもの（フェイスアップ型）、基板の結晶成長面を下向きに配置するもの（フェイスダウン型）がある。また、１バッチあたり１枚の基板上に結晶膜を成長させる気相成長装置があるが、生産性を向上するために１バッチあたり複数枚の基板上に結晶膜を成長させる気相成長装置も知られている。
これらの気相成長装置においては、基板を自転させることにより、基板面内で均一な膜厚及び膜質の結晶膜を成長させることができる。また、基板を自公転させることにより、同一基板面内だけでなく各基板間においても均一な膜厚及び膜質を得ることができる。

前記のような気相成長装置には、基板を均一に加熱するためのヒータが設けられており、例えば特許文献１に示すような所定の線形パターンに形成されたヒータが開示されている。また、特許文献２〜４に示すように、サセプタによって回転自在に保持された複数の基板を、基板の裏側からヒータにより加熱する構造を有するフェイスダウン型の気相成長装置が知られている。
特開平９−２８９０７４号公報特開２０１０−２３２６２４号公報特開２０１１−１５５０４６号公報特開２０１３−３０６３２号公報

III族窒化物半導体結晶膜の成長には、基板（基板ホルダー）を１０００℃以上の高温に加熱する必要があるため、グラファイトを発熱体として用い、耐腐食性が優れたホウ化窒素で被覆したヒータ（特許文献１）が好適に使用できる。
しかし、４インチ基板、６インチ基板等大きな基板を複数枚同時に気相成長するような大型の気相成長装置（特許文献４）においては、広い面積のヒータが必要となる。この点について、多数のヒータを用いることも考えられるが、均一な膜質、膜厚を得るために、精度の高い基板の温度コントロールが必要であり、ヒータの個数は少ない方が好ましく、必然的にヒータ１個当たりの大きさ（面積）は大きくなる。

広い面積を有するヒータを、フェイスダウン型の気相成長装置に用いる際には、１０００℃以上の高温下、ヒータの重力による垂れ下りや熱膨張によりヒータが変形する可能性がある。垂れ下りや熱膨張による変形が大きい場合、ヒータが破損する虞がある。
従って、本発明が解決しようとする課題は、大きな基板を複数枚用いた気相成長においても、広い面積を有するヒータを破損させることなく安定して支持することが可能な気相成長装置を提供することである。

本発明の発明者らは、このような課題を解決すべく鋭意検討した結果、前述のような気相成長装置において、長径方向がヒータの線形パターンの間隙と並行である細長形状の穴、及びその近辺にヒータ支持部材の回転を制限するための溝を有する反射板をヒータの上面側に設置し、前記溝の位置に対応して頭部に凸形状の回転ストッパーを有するτの字形状、エの字形状、ユの字形状、またはコの字形状のヒータ支持部材を前記細長形状の穴に挿入し、ヒータを反射板から吊り下げて支持する構成とすることにより、１０００℃以上の高温下で使用する場合であっても、ヒータを破損させることなく安定して支持できることを見出し、本発明の気相成長装置に到達した。

すなわち本発明は、ヒータ支持部材によって反射板から吊り下げられて支持された所定の線形パターンを有するヒータにより、サセプタによって回転自在に保持された複数の基板をその裏側から加熱する構造を備えたフェイスダウン型の気相成長装置であって、反射板は、長径方向がヒータの線形パターンの間隙と並行である細長形状の穴、及びその近辺にヒータ支持部材の回転を制限するための溝を有し、ヒータ支持部材は、頭部の長さが反射板の細長形状の穴の長径より短く短径より長く、脚部の長さがヒータの線形パターンの間隙幅より長い、τの字形状、エの字形状、ユの字形状、またはコの字形状を有し、さらにヒータ支持部材の頭部は、その一部が反射板の溝の位置に対応して厚みが厚い段差部を有し、ヒータを支持する際に、ヒータ支持部材を、反射板の細長形状の穴及びヒータの線形パターンの間隙に、中央部がこれらを貫通するように挿入した後、回転させてヒータ支持部材の頭部の段差部を反射板の溝に挿入して回転を制限し、ヒータを反射板から吊り下げて支持する構成を備えてなることを特徴とする気相成長装置である。

本発明の気相成長装置においては、複数個のヒータ支持部材により、ヒータの上面に設置された反射板からヒータを吊り下げて支持することができるので、大きな基板を複数枚用いた気相成長装置であっても、１０００℃以上の高温下、ヒータの重力による垂れ下り等を防止することができる。また、本発明においては、τの字等の形状を有するヒータ支持部材を、反射板の穴及びヒータの線形パターンの間隙に挿入した後、回転することにより容易にヒータの支持を行なうことができ、ヒータ支持部材を持上げて回転することによりヒータの支持を解除できるので、ボルト、ねじ等が不要であり、ヒータ支持部材の取付け取外しが容易である。

本発明は、サセプタによって回転自在に保持された複数の基板を、基板の裏側から所定の線形パターンで形成されたヒータにより加熱する構造を有するフェイスダウン型の気相成長装置に適用される。以下、本発明を、図１〜図１０に基づいて詳細に説明するが、本発明がこれらにより限定されることはない。
尚、図１は、本発明の気相成長装置の一例を示す垂直面の構成図である。図２は、ヒータ支持部材の一例を示す斜視図である。図３（１）は、ヒータ支持部材を反射板の穴に挿入したときの一例を示す水平面の構成図、図３（２）は、その後、ヒータ支持部材を回転させて反射板に接合させたときの一例を示す水平面の構成図である。

また、図４（１）は、ヒータ支持部材をヒータの線形パターンの間隙に挿入したときの一例を示す水平面の構成図、図４（２）は、その後、ヒータ支持部材を回転させてヒータの線形パターンに接合させたときの一例を示す水平面の構成図である。図５、図６は、ヒータ支持部材を取付けたときの例を示す垂直面の構成図である。図７、図８は、各々ヒータの線形パターンの一例を示す水平面の構成図である。図９は、ヒータ支持部材の図７の線形パターンにおける設置位置の一例を示す平面図である。図１０は、ヒータ支持部材の図９の線形パターンにおける設置位置の一例を示す平面図である。

本発明の気相成長装置は、図１に示すように、サセプタ１によって回転自在に保持された複数の基板２を、基板２の裏側から所定の線形パターンで形成されたヒータ５により加熱する構造を有するフェイスダウン型の気相成長装置である。
また、本発明には、図３に示すように、長径（長辺）方向がヒータ５の線形パターンの間隙と並行となるように細長形状の穴７、及びその近辺にヒータ支持部材の回転を制限するための溝７’を有する反射板６、及び、図２、図５に示すような、頭部１０ａ、中央部１０ｂ、脚部１０ｃからなる、τの字形状、エの字形状、ユの字形状、またはコの字形状を有するヒータ支持部材１０が用いられる。ヒータ支持部材の頭部１０ａの長さは、反射板６の穴７の長径（長辺）より短く、短径（短辺）より長く、脚部１０ｃの長さはヒータ５の線形パターンの間隙８の幅より長く設定される。また、頭部１０ａは、その一部が反射板６の溝７’の位置に対応して厚みが厚い段差部１０ｄを有している。

そして、本発明の気相成長装置は、反射板６をヒータ５の上面側に設置し、τの字形状、エの字形状、ユの字形状、またはコの字形状を有するヒータ支持部材１０を、図３（１）、図４（１）に示すように、反射板６の穴７及びヒータ５の線形パターンの間隙８に、中央部１０ｂがこれらを貫通するように挿入した後、図４（２）、図４（２）のように、回転させてヒータ支持部材１０の頭部の段差部１０ｄを反射板の溝７’に挿入して回転を制限し、図５に示すように、ヒータ５を反射板６から吊り下げて支持する構成を備えてなる気相成長装置である。

本発明の気相成長装置に使用できるヒータ５は、通電により発熱する発熱線（発熱帯）を有し、支持部材により吊り下げて支持できる線形パターンを形成するものであれば特に制限されることはない。このようなヒータは、通常は、外形が円形、楕円形であるか、または、半円形、扇形、環状形、またはこれらに類似する形状のものが複数個結合して、外形が円形、楕円形のものを形成する。また、通常は発熱線（発熱帯）が蛇行状に形成されており、折り返し部を有している。このようなヒータとしては、図７、図８に示すように、線形パターンが間隙８をもって蛇行状に形成されるものを例示できる。また、図６に示すように、ヒータの線形パターンの端部９は、電極１９に接続するための給電機能を有するヒータ支持部材を用いることもできる。

本発明の気相成長装置に使用される反射板６は、熱を反射して断熱する効果を有するものであり、通常はセラミックス板等が用いられる。また、反射板の厚みは通常は１〜１０ｍｍ程度である。支持部材を挿入するために反射板に施される細長形状の穴の数は、ヒータの大きさ等によって適宜決められるが、通常は５〜１００個／ｍ^２である。穴の大きさ及び形状は、径が２〜２０ｍｍ程度の楕円形、一辺が２〜２０ｍｍ程度の長方形、一辺が２〜２０ｍｍ程度の角に丸みを設けた長方形、あるいはこれらと同程度の大きさを有する前記以外の形状のものである。これらの穴は、偏平状のヒータ支持部材が容易に挿入できるように、長径または長辺の方向がヒータの線形パターンの間隙と上下方向において並行となるように設けられる。

また、反射板６の溝７’は、ヒータ支持部材の段差部１０ｄが嵌るような形状及び大きさに設定される。反射板６の溝７’の位置は、細長形状の穴の近辺（ヒータ支持部材の外郭の回転範囲内）であり、ヒータ支持部材１０を最大で９０度回転したときに、ヒータ支持部材の段差部１０ｄが嵌るように設定されていればよい。また、細長形状の穴に連続して設けても、細長形状の穴とは独立して設けてもよい。尚、溝７’は、反射板６を貫通していてもよいし、ヒータ支持部材の回転を制限できれば反射板６を貫通していなくてもよい。

本発明の気相成長装置に使用できる支持部材１０は、ヒータ５を反射板６から吊り下げて支持し、ヒータと基板の距離を一定に保持するものである。反射板６とヒータ５の距離は、特に制限されることはないが、通常は２〜５０ｍｍである。頭部１０ａ、中央部１０ｂ、脚部１０ｃの形状等は、特に制限されることはないが通常は平板状であり、頭部１０ａの平面の形状は反射板の穴と相似形であることが好ましい。ヒータ支持部材１０の材質としては、電気絶縁性及び耐熱性に優れたものであれば使用することが可能であり、例えば、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミック、あるいはカーボン系材料をセラミック材料でコーティングしたもの（ＳｉＣコートカーボン等）を例示することができる。
本発明において、ヒータ支持部材１０の設置位置は、特に制限されることはないが、給電機能を有するヒータ支持部材１０’と併せて、通常は図９、図１０に示すように等間隔に設置される。

ヒータ支持部材の頭部１０ａには、図２に示すように、ヒータ支持部材１０の回転を制限するためのストッパー機能を有する厚みが厚い段差部１０ｄを設け、気相成長中にヒータ支持部材１０が外れないようにされる。ヒータを取付ける際に、ヒータ支持部材の中央部１０ｂが、反射板６の細長形状の穴７及びヒータの線形パターンの間隙８を貫通するように挿入した後、ヒータ支持部材１０を回転させると、ヒータ支持部材の段差部１０ｄが反射板の溝７’に嵌り、ヒータ支持部材の回転が制限される。ヒータ５を取外す際は前記と逆の操作、すなわちヒータ支持部材１０を上方向に持上げることにより、ヒータ支持部材の段差部１０ｄが反射板の溝７’から外れ、さらにヒータ支持部材１０を回転させることにより容易に反射板６及びヒータ５から取外すことができる。尚、ヒータ支持部材１０は、ヒータの線形パターンには固定せず、ヒータ５の水平方向への可動を充分な状態とすることが好ましい。このような構成とすることにより、ヒータ５が反射板６と異なる熱膨張を起こしても、ヒータを破損させることなく安定して支持できる。常温時における反射板６とヒータ５の相対的可動距離は、通常は０．５ｍｍ以上、好ましくは１ｍｍ以上である。

次に、本発明の気相成長装置の前記以外の主要部について説明する。本発明の気相成長装置は、前述のヒータ支持部材等以外については、従来から用いられているものを使用することができる。そのような気相成長装置としては、例えば、図１（前述のヒータ支持部材等を除く）に示すような気相成長装置を挙げることができる。このような気相成長装置において、結晶膜を生成するための気相成長が行なわれる。反応炉１２は、通常はサセプタ１とセプタの対面１１から形成され、気相成長反応は反応炉１２において行なわれる。図１の気相成長装置は、反応炉の中央部から原料ガスを供給し、周辺部から外部に排出する構成であるが、本発明は、このような気相成長装置に限定されることはなく、例えば反応炉の一端から原料ガスを供給し、反応後のガスを他の一端から外部に排出する気相成長装置に適用することもできる。

反応容器２７の内部には、結晶膜を気相成長させるための基板２、基板２を保持する基板ホルダー３、複数の基板ホルダー３に回転駆動力を伝達する基板ホルダー回転板２０、均熱板４を介して基板２を加熱するヒータ５、複数の基板ホルダー３及び基板ホルダー回転板２０をベアリングボール２４により回転自在に保持する円盤状のサセプタ１、ベアリングボール２５によりサセプタ１を回転自在に保持するリング状の基台２６が備えられており、これらの部材は外形が円盤状の反応容器２７の中に収められて密閉されている。

サセプタ１により回転自在に保持された基板ホルダー３は、基板ホルダー回転駆動器１６からの回転駆動力を受けて回転する。すなわち、基板ホルダー回転駆動器１６からの回転駆動力は、まず磁性流体シール等の手段により反応容器２７に対して回転自在に封止された基板ホルダー回転駆動軸１７に伝達される。基板ホルダー回転駆動軸１７は、基板ホルダー回転駆動軸１７を上下動できるように、蛇腹等を介して反応容器２７に設置されている。基板ホルダー回転駆動軸１７のツメ１８が基板ホルダー回転板２０の差込口に差し込まれることによって、サセプタ１により回転自在に保持された基板ホルダー回転板２０に回転駆動力が伝達される。そして、基板ホルダー回転板２０の外周に設けられた歯車と各基板ホルダー３の外周に設けられた歯車が噛み合わさることにより、各基板ホルダー３に回転駆動力が伝達され、各基板２は自転する。

また、基板２は自転に加えて公転によって回転する。基台２６により回転自在に保持されたサセプタ１は、サセプタ回転駆動器２１からの回転駆動力を受けて回転する。すなわち、サセプタ回転駆動器２１からの回転駆動力が、磁性流体シール等の手段により反応容器２７の密封性を損なわないように回転自在にシールされたサセプタ回転駆動軸２２を介して、サセプタ回転駆動軸２２のサセプタ側先端に固定されたサセプタ回転板２３に伝達される。そして、サセプタ１の外周、及びサセプタ回転板２３の外周には歯車が設けられており、これらが噛み合わさることによりサセプタ回転駆動器２１からの回転駆動力はサセプタ１に伝達されて、各基板２は公転する。

また、反応炉１２の中心部には原料ガス配管１５が設けられ、原料ガスは原料ガス導入部１３から放射状に吹き出し、基板２の結晶成長面に対して水平に供給される。気相成長反応は、反応炉１２において、ヒータ５により均熱板４を介して基板２を加熱しながら、原料ガス導入部１３から原料ガスを供給することにより行なわれ、基板２の結晶成長面には結晶膜が形成される。気相成長反応に用いられた原料ガスは、一部が反応に使用された後、反応ガス排出部１４から排出される。

気相成長中、基板２は、基板ホルダー３及びサセプタ１の回転により常時自転及び公転することが好ましい。基板ホルダー３及びサセプタ１の回転方向及び回転速度は、それぞれ、基板ホルダー回転駆動器１６及びサセプタ回転駆動器２１の回転方向及び回転速度を変化させることにより、任意に設定することができる。各基板間において均一な膜厚及び膜質を得るために、各基板ホルダー３は、原料ガス導入部１３を中心とする同一円周上に配置され、原料ガス導入部１３からの距離を等しくすることが好ましい。

次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明がこれにより限定されるものではない。

［実施例１］
（気相成長装置の製作）
図１に示すような気相成長装置を以下のように製作した。
ステンレス製の反応容器の内部に、図７に示すような別々に温度コントロール可能な円環状からなるヒータ（外径：７３．７ｃｍ、内径：２４．５ｃｍ、線形パターンの間隙：７ｍｍ）、及び反射板（直径７７．７ｃｍ、厚さ５ｍｍ、窒化ホウ素（ＢＮ）製）を仮設した。反射板の穴及び溝は図３（１）に示すような形態で、反射板の穴は角に丸みを設けた長方形（長辺２３ｍｍ、短辺６ｍｍ）、反射板の溝は長方形（長辺７ｍｍ、短辺５．５ｍｍ）であり、ヒータと反射板の距離はヒータ支持部材によりヒータを支持したときに５ｍｍとなるように設定した。

次に、図２に示すような頭部に段差部を有するτの字形状（頭部：長さ２２ｍｍ、幅５ｍｍ、脚部：長さ１６ｍｍ、幅５ｍｍ）のヒータ支持部材（アルミナ製）を、反射板の穴及びヒータの線形パターンの間隙に、中央部がこれらを貫通するように、ヒータの下側から挿入した後、９０度回転させてヒータ支持部材の頭部の段差部を反射板の溝に挿入し、図５（１）に示すように、ヒータを反射板から吊り下げて支持した。ヒータの支持作業は、ボルト、ねじ等が不要であり容易であった。さらにヒータの線形パターンの端部において、給電機能を有するヒータ支持部材により反射板から吊り下げて支持した。尚、ヒータ支持部材の設置は、図９に示すような位置で行なった。

次に、ステンレス製の反応容器の内部に、サセプタ（ＳｉＣコートカーボン製）、冷媒を流通する構成を備えたサセプタの対面（ＳｉＣコートカーボン製）、原料ガスの導入部（カーボン製）、反応ガス排出部等を設けた。また、基板ホルダー回転板（ＳｉＣコートカーボン製、直径２５５ｍｍ、厚さ８．５ｍｍ）を、ベアリングボールを介して、１個の中央部の穴と６個の周辺部の穴を有するサセプタ(直径８０ｃｍ、厚さ８〜１５ｍｍ（表面に凹凸あり）)上の基台により回転自在となるように設置した。また、６インチサイズのサファイアからなる基板を保持した基板ホルダー６個を、ベアリングボールを介してサセプタにセットするとともに、各回転駆動器からの回転駆動力が基板ホルダー及びサセプタに伝達されるように設定して、気相成長装置の製作を完了した。

（ヒータの昇降温試験）
このような気相成長装置を用いて、ヒータを１時間１１００℃に昇温する操作と、室温まで冷却する操作を５回繰り返して行なった後、各部品の状態を確認した。その結果、ヒータ、反射板、ヒータ支持部材等の破損がないことが確認できた。尚、ヒータの取外し作業は、ボルト、ねじ等がなく、ヒータ支持部材を持上げて回転することにより行なったので容易であった。

［実施例２］
実施例１における気相成長装置の製作において、ヒータを図８に示すような線形パターンのものに替え、ヒータ支持部材の設置を図１０に示す位置に替えほかは実施例１と同様にして気相成長装置を製作した。このヒータの外径及び内径、ヒータの線形パターンの間隙、ヒータと反射板の距離は、実施例１と同様であった。このような気相成長装置を用いて、実施例１と同様なヒータの昇降温試験を行なった。その結果、ヒータ、反射板、ヒータ支持部材等の破損がないことが確認できた。

以上の実施例のように、本発明の気相成長装置は、広い面積を有するヒータを破損させることなく安定して支持することができる。また、ヒータ支持部材を反射板の穴及びヒータの線形パターンの間隙に挿入した後、９０度回転することにより、容易にヒータの取付けを行なうことができ、ヒータ支持部材を持上げて９０度回転することにより、容易にヒータの取外しを行なうことができる。

本発明の気相成長装置は、例えば、青色、紫外の発光ダイオードまたはレーザーダイオード等の製造に用いられるIII族窒化物半導体の気相成長装置として好適である。

本発明の気相成長装置の一例を示す垂直面の構成図ヒータ支持部材の一例を示す斜視図（１）ヒータ支持部材を反射板の穴に挿入したときの一例を示す水平面の構成図（２）その後、ヒータ支持部材を回転させて反射板に接合させたときの一例を示す水平面の構成図（１）ヒータ支持部材をヒータの線形パターンの間隙に挿入したときの一例を示す水平面の構成図（２）その後、ヒータ支持部材を回転させてヒータの線形パターンに接合させたときの一例を示す水平面の構成図ヒータ支持部材を取付けたときの例を示す垂直面の構成図ヒータ支持部材を取付けたときの図５以外の一例を示す垂直面の構成図ヒータの線形パターンの一例を示す水平面の構成図ヒータの線形パターンの図７以外の一例を示す水平面の構成図ヒータ支持部材の図７の線形パターンにおける設置位置の一例を示す平面図ヒータ支持部材の図９の線形パターンにおける設置位置の一例を示す平面図

１サセプタ
２基板
３基板ホルダー
４均熱板
５ヒータ
６反射板
７反射板の穴
７’反射板の溝
８ヒータの線形パターンの間隙
９ヒータの線形パターンの端部
１０，１０’ヒータ支持部材
１０ａヒータ支持部材の頭部
１０ｂヒータ支持部材の中央部
１０ｃヒータ支持部材の脚部
１０ｄヒータ支持部材の段差部
１１サセプタの対面
１２反応炉
１３原料ガス導入部
１４反応ガス排出部
１５原料ガス配管
１６基板ホルダー回転駆動器
１７基板ホルダー回転駆動軸
１８ツメ
１９電極
２０基板ホルダー回転板
２１サセプタ回転駆動器
２２サセプタ回転駆動軸
２３サセプタ回転板
２４ベアリングボール
２５ベアリングボール
２６基台
２７反応容器
２８冷媒を流通する流路

Claims

ヒータ支持部材によって反射板から吊り下げられて支持された所定の線形パターンを有するヒータにより、サセプタによって回転自在に保持された複数の基板をその裏側から加熱する構造を備えたフェイスダウン型の気相成長装置であって、反射板は、長径方向がヒータの線形パターンの間隙と並行である細長形状の穴、及びその近辺にヒータ支持部材の回転を制限するための溝を有し、ヒータ支持部材は、頭部の長さが反射板の細長形状の穴の長径より短く短径より長く、脚部の長さがヒータの線形パターンの間隙幅より長い、τの字形状、エの字形状、ユの字形状、またはコの字形状を有し、さらにヒータ支持部材の頭部は、その一部が反射板の溝の位置に対応して厚みが厚い段差部を有し、ヒータを支持する際に、ヒータ支持部材を、反射板の細長形状の穴及びヒータの線形パターンの間隙に、中央部がこれらを貫通するように挿入した後、回転させてヒータ支持部材の頭部の段差部を反射板の溝に挿入して回転を制限し、ヒータを反射板から吊り下げて支持する構成を備えてなることを特徴とする気相成長装置。
さらに、ヒータの線形パターンの端部に設けられた給電機能を有する支持部材により、ヒータを支持する構成を備えた請求項１に記載の気相成長装置。