JP2015093998A - 酸化膜形成方法、ボロメータ素子製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
また、本発明は酸化膜形成方法であって、前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合を、前記金属ターゲットをスパッタリングしたときに、金属薄膜が形成される値にする酸化膜形成方法である。
また、本発明は酸化膜形成方法であって、前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合の値をゼロにする酸化膜形成方法である。
また、本発明は、バナジウムの酸化物、ニオブの酸化物、又はタンタルの酸化物のいずれか一種以上の金属酸化物から成り、導電性を有し、抵抗値の測定が可能な抵抗性金属酸化物薄膜から成る温度検出薄膜を、金属バナジウム、金属ニオブ、又は金属タンタルのいずれか一種以上の金属から成る金属ターゲットを、酸化ガスを含有するスパッタリング雰囲気中でスパッタリングし、複数の処理対象基板上に前記抵抗性金属酸化物薄膜から成る温度検出薄膜を形成し、ボロメータ素子を製造するボロメータ素子製造方法であって、前記酸化ガスを所定の値の酸化ガス割合で含有するスパッタリング雰囲気中で一の前記金属ターゲットをスパッタリングする薄膜形成工程によって、一の前記金属ターゲットと対面する一の前記処理対象基板上に、前記抵抗性金属酸化物薄膜を成長させた後、前記酸化ガス割合の値を前記薄膜形成工程よりも減少させたスパッタリング雰囲気中で、前記処理対象基板上には薄膜を成長させずに、前記金属ターゲットを所定時間スパッタリングするターゲット表面処理工程を行い、次いで、前記ターゲット表面処理工程よりも前記酸化ガス割合の値を増加させ、前記薄膜形成工程によって、他の前記処理対象基板上に前記抵抗性金属酸化物薄膜を成長させるボロメータ素子製造方法である。
また、本発明はボロメータ素子製造方法であって、前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合を、前記金属ターゲットをスパッタリングしたときに、金属薄膜が形成される値にするボロメータ素子製造方法である。
また、本発明はボロメータ素子製造方法であって、前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合の値をゼロにするボロメータ素子製造方法である。
また、本発明は、前記処理対象基板の表面に、SiN薄膜から成る電磁波吸収薄膜を形成しておき、前記抵抗性金属酸化物薄膜は、前記電磁波吸収薄膜の表面に成長させる上記いずれかのボロメータ素子製造方法である。
図1の符号20は、本発明に用いることができる成膜装置の一例であり、真空槽21を有している。
真空槽21の内部の底面側には、加熱装置25が配置されており、加熱装置25上には、加熱装置25と近接して基板ステージ24が配置されている。
基板ステージ24の上方位置には、絶縁部材38によって真空槽21と絶縁された蓋部22が設けられており、蓋部22には、金属ターゲット装置30が設けられている。
カソード電極31は電源41に接続されており、真空槽21は接地電位に接続されている。
シャッタ37は、モータ36に取り付けられており、モータ36によって、金属ターゲット32の表面と筺体33の開口35との間に位置するシャッタ37は、その位置から移動して、金属ターゲット32の表面が開口35と対面し、金属ターゲット32は、開口35を介して、基板ステージ24上に配置された処理対象基板10と対面できるようにされている。また、シャッタ37は、金属ターゲット32の表面と筺体33の開口35との間に戻ることもできる。
また、排気弁45を移動させるモータ43と、シャッタ37を移動させるモータ36とも制御装置40に接続されており、ガス導入系42を流れるスパッタリングガスや酸化ガスの流量と、真空排気系47の真空排気速度と、電源41が出力するスパッタリング電圧や電力の大きさと、シャッタ37の開閉とは、制御装置40によって制御される。
真空槽21内のスパッタリング雰囲気に含有されるスパッタリングガス分圧に対する酸化ガス分圧の割合を(=酸化ガス分圧/スパッタリングガス分圧)としたとき、上記成膜装置20の酸化ガス割合の値を変え、金属ターゲット32をスパッタリングし、酸化ガス分圧とスパッタリング電圧の関係を測定し、図4にその結果を示す。金属ターゲット32には、金属バナジウムの金属ターゲット32を用い、酸化ガスには酸素ガスを用いた(以下の図5〜7でも同じ。)。
抵抗性金属酸化物薄膜は、絶縁性の金属酸化物よりも酸素の含有率が低い金属酸化物であり、バナジウム酸化物の場合は、Vox(x=1.5以上2.0未満)として表される。
抵抗性金属酸化物薄膜が得られる薄膜形成速度は、金属薄膜が得られる成膜速度よりも早い。
各工程のスパッタリング条件を下記表1に示し、測定結果を図6のグラフに示す。
各測定基板間で、シート抵抗値に大きな差はなく、また、各基板の面内のばらつきは小さいから、シート抵抗値の均一性が高いと言える。
このような金属ターゲット32には、添加物を添加して、形成される抵抗性金属酸化物薄膜の特性を改善するようにしてもよい。
製造工程を開始する前に、真空槽21の内部を真空排気し、真空雰囲気を維持しながら、真空槽21の内部の基板ステージ24上に、測定基板を配置し、加熱装置25によって測定基板を加熱して一定温度にしながら、金属ターゲット32をスパッタリングし、表面が抵抗性金属酸化物薄膜で覆われた金属ターゲット32を作成し、その金属ターゲット32と対面する基板の表面に、金属ターゲット32を構成する金属の抵抗性金属酸化物薄膜を形成できるスパッタリング雰囲気中の酸化ガス割合と、金属ターゲット32に投入する電力と、基板温度とを求めておく。
真空槽21内を真空排気し、処理対象基板10を搬入して基板ステージ24上に配置する。
処理対象基板10の電磁波吸収薄膜12が形成された面は、金属ターゲット32と正対するように向けても良い。
この初期薄膜13は、表面が抵抗性金属酸化物薄膜で覆われた金属ターゲット32のスパッタリングによって形成されているから、一部に金属が露出したり、一部に絶縁性酸化物薄膜が形成された金属ターゲット32をスパッタリングする場合とは異なり、処理対象基板10の表面には、面内の特性が均一な抵抗性金属酸化物薄膜が形成される。
薄膜形成工程では、初期薄膜13の表面に、抵抗性金属酸化物薄膜を成長させ、初期薄膜13よりも膜厚が厚い抵抗性金属酸化物薄膜から成る温度検出薄膜を形成する。
温度検出薄膜14を所定膜厚形成すると、薄膜形成工程を終了させ、温度検出薄膜が形成された処理対象基板10を真空雰囲気を維持しながら真空槽21の外部に搬出させ、電磁波吸収薄膜12が露出する処理対象基板10を真空槽21の内部に搬入する。
温度検出薄膜14は、温度変化に比例して抵抗値が変化するから、抵抗値の変化量を検出することで、電磁波の変化量を検出できるようになっている。
12……電磁波吸収薄膜
13……初期薄膜
14……温度検出薄膜
21……真空槽
Claims (7)
- バナジウムの酸化物、ニオブの酸化物、又はタンタルの酸化物のいずれか一種以上の金属酸化物から成り、導電性を有し、抵抗値の測定が可能な抵抗性金属酸化物薄膜を、金属バナジウム、金属ニオブ、又は金属タンタルのいずれか一種以上の金属から成る金属ターゲットを、酸化ガスを含有するスパッタリング雰囲気中でスパッタリングして形成する酸化膜形成方法であって、
前記酸化ガスを所定の値の酸化ガス割合で含有するスパッタリング雰囲気中で一の前記金属ターゲットをスパッタリングする薄膜形成工程によって、一の前記金属ターゲットと対面する一の処理対象基板上に、前記抵抗性金属酸化物薄膜を成長させた後、
前記酸化ガス割合の値を前記薄膜形成工程よりも減少させたスパッタリング雰囲気中で、前記処理対象基板上には薄膜を成長させずに、前記金属ターゲットを所定時間スパッタリングするターゲット表面処理工程を行い、
次いで、前記ターゲット表面処理工程よりも前記酸化ガス割合の値を増加させ、前記薄膜形成工程によって、他の前記処理対象基板上に前記抵抗性金属酸化物薄膜を成長させる酸化膜形成方法。 - 前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合を、前記金属ターゲットをスパッタリングしたときに、金属薄膜が形成される値にする請求項1記載の酸化膜形成方法。
- 前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合の値をゼロにする請求項1又は請求項2のいずれか1項記載の酸化膜形成方法。
- バナジウムの酸化物、ニオブの酸化物、又はタンタルの酸化物のいずれか一種以上の金属酸化物から成り、導電性を有し、抵抗値の測定が可能な抵抗性金属酸化物薄膜から成る温度検出薄膜を、金属バナジウム、金属ニオブ、又は金属タンタルのいずれか一種以上の金属から成る金属ターゲットを、酸化ガスを含有するスパッタリング雰囲気中でスパッタリングし、複数の処理対象基板上に前記抵抗性金属酸化物薄膜から成る温度検出薄膜を形成し、ボロメータ素子を製造するボロメータ素子製造方法であって、
前記酸化ガスを所定の値の酸化ガス割合で含有するスパッタリング雰囲気中で一の前記金属ターゲットをスパッタリングする薄膜形成工程によって、一の前記金属ターゲットと対面する一の前記処理対象基板上に、前記抵抗性金属酸化物薄膜を成長させた後、
前記酸化ガス割合の値を前記薄膜形成工程よりも減少させたスパッタリング雰囲気中で、前記処理対象基板上には薄膜を成長させずに、前記金属ターゲットを所定時間スパッタリングするターゲット表面処理工程を行い、
次いで、前記ターゲット表面処理工程よりも前記酸化ガス割合の値を増加させ、前記薄膜形成工程によって、他の前記処理対象基板上に前記抵抗性金属酸化物薄膜を成長させるボロメータ素子製造方法。 - 前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合を、前記金属ターゲットをスパッタリングしたときに、金属薄膜が形成される値にする請求項4記載のボロメータ素子製造方法。
- 前記ターゲット表面処理工程では、前記酸化ガス割合の値をゼロにする請求項4又は請求項5のいずれか1項記載のボロメータ素子製造方法。
- 前記処理対象基板の表面に、SiN薄膜から成る電磁波吸収薄膜を形成しておき、
前記抵抗性金属酸化物薄膜は、前記電磁波吸収薄膜の表面に成長させる請求項4乃至請求項6のいずれか1項記載のボロメータ素子製造方法。
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2002008905A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Sharp Corp | 感温抵抗材料とその製造方法及び感温抵抗材料を用いた赤外線センサ |
JP2004530047A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-09-30 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | イオンビームスパッタ成膜法 |
US8329002B1 (en) * | 2009-03-10 | 2012-12-11 | 4Wave, Inc. | Thin films and methods and machines for forming the thin films |
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JP2002008905A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Sharp Corp | 感温抵抗材料とその製造方法及び感温抵抗材料を用いた赤外線センサ |
JP2004530047A (ja) * | 2001-06-01 | 2004-09-30 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | イオンビームスパッタ成膜法 |
US8329002B1 (en) * | 2009-03-10 | 2012-12-11 | 4Wave, Inc. | Thin films and methods and machines for forming the thin films |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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