JP2015093339A - 微細構造物及びその製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート - Google Patents
微細構造物及びその製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015093339A JP2015093339A JP2013233048A JP2013233048A JP2015093339A JP 2015093339 A JP2015093339 A JP 2015093339A JP 2013233048 A JP2013233048 A JP 2013233048A JP 2013233048 A JP2013233048 A JP 2013233048A JP 2015093339 A JP2015093339 A JP 2015093339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aliphatic polycarbonate
- metal oxide
- layer
- hole
- microstructure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 title claims abstract description 161
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 title claims abstract description 161
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 title claims abstract description 158
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000012702 metal oxide precursor Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 10
- -1 polyethylene carbonate Polymers 0.000 claims description 27
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 72
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 20
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 18
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 16
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 13
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 5
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 5
- 101100460147 Sarcophaga bullata NEMS gene Proteins 0.000 description 4
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N bromobenzene Chemical compound BrC1=CC=CC=C1 QARVLSVVCXYDNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000037048 polymerization activity Effects 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003752 zinc compounds Chemical class 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBACIKXCRWGCBB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Epoxybutane Chemical compound CCC1CO1 RBACIKXCRWGCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 1-chlorobutane Chemical compound CCCCCl VFWCMGCRMGJXDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GELKGHVAFRCJNA-UHFFFAOYSA-N 2,2-Dimethyloxirane Chemical compound CC1(C)CO1 GELKGHVAFRCJNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQXKWPLDPFFDJP-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethyloxirane Chemical compound CC1OC1C PQXKWPLDPFFDJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLWOPZBLNKPZCQ-UHFFFAOYSA-N 2-(naphthalen-1-ylmethyl)oxirane Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1CC1CO1 SLWOPZBLNKPZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYYCPWLLBSSFBW-UHFFFAOYSA-N 2-(naphthalen-1-yloxymethyl)oxirane Chemical compound C=1C=CC2=CC=CC=C2C=1OCC1CO1 QYYCPWLLBSSFBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZRARFZZMGLHL-UHFFFAOYSA-N 2-(trifluoromethyl)oxirane Chemical compound FC(F)(F)C1CO1 AQZRARFZZMGLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFDMLXYWGLECEY-UHFFFAOYSA-N 2-benzyloxirane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1CO1 JFDMLXYWGLECEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNBDXQTMPYBAT-UHFFFAOYSA-N 2-butyloxirane Chemical compound CCCCC1CO1 WHNBDXQTMPYBAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSPCSKHALVHRSR-UHFFFAOYSA-N 2-chlorobutane Chemical compound CCC(C)Cl BSPCSKHALVHRSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCJPEZMFAKOJPM-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-3-methyloxirane Chemical compound CCC1OC1C BCJPEZMFAKOJPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWSNNWLBMSXQR-UHFFFAOYSA-N 2-hexyloxirane Chemical compound CCCCCCC1CO1 NJWSNNWLBMSXQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAMHBRRZYSORSH-UHFFFAOYSA-N 2-octyloxirane Chemical compound CCCCCCCCC1CO1 AAMHBRRZYSORSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYURNNNQIFDVCA-UHFFFAOYSA-N 2-propyloxirane Chemical compound CCCC1CO1 SYURNNNQIFDVCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAYDWGMOPRHLEP-UHFFFAOYSA-N 6-ethenyl-7-oxabicyclo[4.1.0]heptane Chemical compound C1CCCC2OC21C=C XAYDWGMOPRHLEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.1.0]hexane Chemical compound C1CCC2OC21 GJEZBVHHZQAEDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVZUITHXFJDUQL-UHFFFAOYSA-N C(=C)OCC(C)OC(COC=C)C Chemical compound C(=C)OCC(C)OC(COC=C)C AVZUITHXFJDUQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRHIQFDFBKFDFC-UHFFFAOYSA-N C1C(C2=CC=CC=C2)O1.C12C(CCCC1)O2 Chemical compound C1C(C2=CC=CC=C2)O1.C12C(CCCC1)O2 YRHIQFDFBKFDFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GXBYFVGCMPJVJX-UHFFFAOYSA-N Epoxybutene Chemical compound C=CC1CO1 GXBYFVGCMPJVJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N Phenyl glycidyl ether Chemical compound C1OC1COC1=CC=CC=C1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- AZJLMWQBMKNUKB-UHFFFAOYSA-N [Zr].[La] Chemical compound [Zr].[La] AZJLMWQBMKNUKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 229960003750 ethyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K indium acetylacetonate Chemical compound CC(=O)C=C(C)O[In](OC(C)=CC(C)=O)OC(C)=CC(C)=O SKWCWFYBFZIXHE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 235000013847 iso-butane Nutrition 0.000 description 1
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N isopropyl chloride Chemical compound CC(C)Cl ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N n-propyl chloride Chemical compound CCCCl SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N sec-butylidene Natural products CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- AACMXYCXYZGNBT-UHFFFAOYSA-N trimethyl(oxiran-2-ylmethoxy)silane Chemical compound C[Si](C)(C)OCC1CO1 AACMXYCXYZGNBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- HEPBQSXQJMTVFI-UHFFFAOYSA-N zinc;butane Chemical compound [Zn+2].CCC[CH2-].CCC[CH2-] HEPBQSXQJMTVFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Micromachines (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の1つの微細構造物の製造方法は、貫通孔及び/又は非貫通孔(V)を備えた微細構造物100の製造方法であって、脂肪族ポリカーボネート又はその脂肪族ポリカーボネートの下地に型押し加工を施すことによって、その脂肪族ポリカーボネートをパターニングするパターニング工程と、その脂肪族ポリカーボネートとその下地とを覆う第1金属酸化物前駆体層を形成する前駆体層形成工程と、第1金属酸化物前駆体層を加熱して第1金属酸化物層32を得る間に、前述の脂肪族ポリカーボネートを除去する除去工程と、を含む。
【選択図】図7
Description
1.本実施形態の微細構造物の全体構成
図1乃至図4、図6、及び図7は、それぞれ、微細構造物100の製造方法の一過程を示す断面模式図である。本実施形態においては、微細構造物100は、貫通孔と非貫通孔の群から選択される少なくとも1種を備えている。また、図8は、本実施形態における微細構造物100の一例の断面SEM写真である。
本実施形態の脂肪族ポリカーボネートの代表例の1つである、ポリプロピレンカーボネート(PPC)を、以下のように製造した。
IR(KBr)の吸収ピーク:1742,1456,1381,1229,1069,787(いずれも単位はcm−1)
また、得られたPPCの数平均分子量は、52000であった。
上述の脂肪族ポリカーボネート濃度が0.5質量%のクロロホルム溶液を調製し、高速液体クロマトグラフを用いて測定した。測定後、同一条件で測定した数平均分子量が既知のポリスチレンと比較することにより、分子量を算出した。また、測定条件は、以下の通りである。
機種:HLC−8020
カラム:GPCカラム
(東ソー株式会社の商品名:TSK GEL Multipore HXL−M)
カラム温度:40℃
溶出液:クロロホルム
流速:1mL/分
酢酸亜鉛、ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛等の有機亜鉛触媒;あるいは、
一級アミン、2価のフェノール、2価の芳香族カルボン酸、芳香族ヒドロキシ酸、脂肪族ジカルボン酸、脂肪族モノカルボン酸等の化合物と亜鉛化合物とを反応させることにより得られる有機亜鉛触媒など
である。
これらの有機亜鉛触媒の中でも、より高い重合活性を有することから、亜鉛化合物と、脂肪族ジカルボン酸と、脂肪族モノカルボン酸とを反応させて得られる有機亜鉛触媒を採用することは好適な一態様である。
ペンタン、ヘキサン、オクタン、デカン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒;
クロロメタン、メチレンジクロリド、クロロホルム、四塩化炭素、1,1−ジクロロエタン、1,2−ジクロロエタン、エチルクロリド、トリクロロエタン、1−クロロプロパン、2−クロロプロパン、1−クロロブタン、2−クロロブタン、1−クロロ−2−メチルプロパン、クロルベンゼン、ブロモベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒など
である。
次に、本実施形態の脂肪族ポリカーボネートである、ポリプロピレンカーボネート(PPC)の溶液を出発材として、図1に示すように、この脂肪族ポリカーボネートの下地となるシリコン基板(以下、単に「基板」ともいう)10上に脂肪族ポリカーボネート層20を形成する。なお、本実施形態の脂肪族ポリカーボネート層20を形成するための溶液の溶媒は、diethyleneglycolmonoethyl ether(DGMEEとも表記される)であり、溶質であるPPCの濃度は、6.25%である。また、本実施形態においては、基板10上に、スピンコーティング法によって形成した、膜厚330nmの脂肪族ポリカーボネート層20を形成する。なお、スピンコーティングの条件及び/又は回数によって、脂肪族ポリカーボネート層20の所望の厚みを得ることができる。
その後、図6に示すように、パターニングされた脂肪族ポリカーボネート層20、及び基板10上に、第1金属酸化物前駆体溶液を出発材として、第1金属酸化物前駆体層30がスピンコーティング法により形成される。なお、スピンコーティングの条件及び/又は回数によって、第1金属酸化物前駆体層30及び第1金属酸化物の層の所望の厚みを得ることができる。
本実施形態においては、第1金属酸化物前駆体層30に対して100℃で加熱する予備焼成が行われた後に、400℃で加熱する本焼成が行われることにより、図7に示すように第1金属酸化物層32が形成される。ここで、本実施形態の第1金属酸化物前駆体を焼成することによって得られる第1金属酸化物の例は、酸化されたときに酸化物半導体(不可避不純物を含み得る。以下、同じ)、酸化物絶縁体(不可避不純物を含み得る。以下、同じ)、又は酸化物導電体(不可避不純物を含み得る。以下、同じ)となる金属に、配位子が配位した構造(代表的には錯体構造)を有する材料である。従って、所望の性能を得るために、前述の各特性を備える第1金属酸化物の1つ又は2つ以上を選択することができる。例えば、金属有機酸塩、金属無機酸塩、金属ハロゲン化物、又は各種の金属アルコキシドも本実施形態の第1金属酸化物の前駆体に含まれ得る。なお、代表的な第1金属酸化物の前駆体の一例は、ジルコニウム(IV)テトラブトキシドと2−エチルヘキサンジルコニウムを、プロピオン酸に溶解した溶液である。この溶液を焼成することによって酸化ジルコニウムを形成することができる。また、他の一例は、インジウムアセチルアセトナートと塩化亜鉛をプロピオン酸に溶解した溶液である。この溶液を焼成することによって酸化物半導体であるインジウム−亜鉛酸化物を形成することができる。
チタン、タンタル、ビスマス、ニオブ、及びランタン−ジルコニウムの群から選択される1種又は2種以上が挙げられる。なお、前述の各金属は、酸化されたときに酸化物絶縁性のみとしてではなく、酸化物半導体としての役割をも果たし得る。
上述の、第1金属酸化物前駆体層30に対して予備焼成が行われた後に、400℃で加熱する本焼成の処理の過程(代表的には、昇温の過程)において、脂肪族ポリカーボネート層20の分解反応が生じることになる。換言すれば、第1金属酸化物前駆体層30を加熱して第1金属酸化物層32を得る間に、脂肪族ポリカーボネート層20が除去される。その結果、図7に示すように、第1金属酸化物層32及び基板10によって形成される貫通孔及び/又は非貫通孔(図7のV領域)を備えた微細構造物100が製造される。なお、本実施形態の貫通孔又は非貫通孔は、流体の流路として活用することができるが、貫通孔又は非貫通孔の活用例は、流路に限定されない。例えば、非貫通孔が、第1金属酸化物層32によって形成される中空構造である場合は、例えば、MEMS又はNEMSの分野におけるマイクロポンプのような中空構造を組み合わせた構造物を製造することができる観点から、採用し得る好適な一態様である。
ところで、上述の(4)及び(5)に記載のとおり、第1金属酸化物の形成過程において脂肪族ポリカーボネート層20が除去されることは、図9に示す本実施形態のポリプロピレンカーボネートのTG−DTA特性からも裏付けられる。
1.本実施形態の微細構造物の全体構成
図10乃至図16は、それぞれ、微細構造物200の製造方法の一過程を示す断面模式図である。本実施形態においては、微細構造物200は、下地である第2金属酸化物層212に設けられた貫通孔と非貫通孔の群から選択される少なくとも1種を備えている点を除いて、第1の実施形態と同様の材料及び工程が採用されている。従って、第1の実施形態と重複する説明は省略され得る。
本実施形態においては、図10に示すように、基板10上に、第2金属酸化物前駆体溶液を出発材として、第2金属酸化物前駆体層210がスピンコーティング法により形成される。なお、スピンコーティングの条件及び/又は回数によって、第2金属酸化物前駆体層210及び第1金属酸化物の層の所望の厚みを得ることができる。また、本実施形態における下地は、第2金属酸化物前駆体層210又は第2金属酸化物層212である。
予備焼成の後、第2金属酸化物前駆体層210対して型押し加工が施される。具体的には、図11に示すように、100℃以上300℃以下(代表的には、200℃)に加熱した状態で、第2金属酸化物前駆体層用型M2を用いて、0.1MPa以上20MPa以下(代表的には、10MPa)の圧力で第2金属酸化物前駆体層210に対して型押し加工を施す。その結果、図12に示すように、第2金属酸化物前駆体層210の型押し構造が形成される。
本実施形態の脂肪族ポリカーボネートである、ポリプロピレンカーボネート(PPC)の溶液を出発材として、この脂肪族ポリカーボネートの下地となる第2金属酸化物前駆体層210上に脂肪族ポリカーボネート層20を形成する。その結果、図13に示すように、第2金属酸化物前駆体層210が備える凹部内に、脂肪族ポリカーボネートが理想的には埋まるように、第2金属酸化物前駆体層210上に脂肪族ポリカーボネート層20が形成される。なお、図13では、第2金属酸化物前駆体層210が備える凹部内に脂肪族ポリカーボネートが完全に埋められているが、本実施形態はそのような態様に限定されない。例えば、凹部の下方(すなわち。基板10側)の一部に空隙が仮に形成されていたとしても、凹部の上方側が十分に埋められていれば、後述する第1金属酸化物前駆体層30及び第2金属酸化物前駆体層210の本焼成工程において、寸法精度よく貫通孔及び/又は非貫通孔(図16において、V領域で示されている)が形成されることになる。
その後、本実施形態では、第1の実施形態と同様に、大気圧下においてプラズマを照射し、第2金属酸化物前駆体層210の全体を表面側からエッチングする。エッチング時間等の条件を調整することにより、図14に示すように、第2金属酸化物前駆体層210が備える凹部内の脂肪族ポリカーボネートを除いて、脂肪族ポリカーボネート層20が除去される。従って、凹部内の脂肪族ポリカーボネート(脂肪族ポリカーボネート層20)は、その凹部の形状に基づくパターンを形成することになる。
その後、図15に示すように、パターニングされた脂肪族ポリカーボネート層20、及び第2金属酸化物前駆体層210上に、第1金属酸化物前駆体溶液を出発材として、第1金属酸化物前駆体層30が、第1の実施形態と同様に、スピンコーティング法により形成される。
本実施形態においては、第1金属酸化物前駆体層30及び第2金属酸化物前駆体層210に対して100℃で加熱する予備焼成が行われた後に、400℃で加熱する本焼成が行われることにより、図16に示すように第1金属酸化物層32及び第2金属酸化物層212が形成される。
また、上述の、第1金属酸化物前駆体層30及び第2金属酸化物前駆体層210に対して予備焼成が行われた後に、400℃で加熱する本焼成の処理の過程(代表的には、昇温の過程)において、凹部内の脂肪族ポリカーボネート層20の分解反応が生じることになる。換言すれば、第1金属酸化物前駆体層30及び第2金属酸化物前駆体層210を加熱して第1金属酸化物層32及び第2金属酸化物層212を得る間に、凹部内の脂肪族ポリカーボネート層20除去される。その結果、図16に示すように、第1金属酸化物層32及び第2金属酸化物層212によって形成される貫通孔及び/又は非貫通孔(図16のV領域)を備えた微細構造物200が製造される。
上述の各実施形態における型押し工程において、予め、型押し面が接触することになる各前駆体層の表面に対する離型処理及び/又はその型の型押し面に対する離型処理を施しておき、その後、各前駆体層に対して型押し加工を施すことが好ましい。そのような処理を施すことにより、各前駆体層と型との間の摩擦力を低減することができるため、各前駆体層に対してより一層精度良く型押し加工を施すことが可能となる。なお、離型処理に用いることができる離型剤としては、界面活性剤(例えば、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤等)、フッ素含有ダイヤモンドライクカーボン等を例示することができる。
20 脂肪族ポリカーボネート層
30 第1金属酸化物前駆体層
32 第1金属酸化物層
100,200,300 微細構造物
210 第2金属酸化物前駆体層
212 第2金属酸化物層
M1 第1金属酸化物前駆体層用型
M2 第2金属酸化物前駆体層用型
Claims (11)
- 貫通孔及び/又は非貫通孔を備えた微細構造物の製造方法であって、
脂肪族ポリカーボネート又は前記脂肪族ポリカーボネートの下地に型押し加工を施すことによって、前記脂肪族ポリカーボネートをパターニングするパターニング工程と、
前記脂肪族ポリカーボネートと前記下地とを覆う第1金属酸化物前駆体層を形成する前駆体層形成工程と、
第1金属酸化物前駆体層を加熱して第1金属酸化物層を得る間に、前記脂肪族ポリカーボネートを除去する除去工程と、を含む。
微細構造物の製造方法。 - 前記下地が、第2金属酸化物前駆体層であり、かつ前記第1金属酸化物前駆体層と前記下地とを加熱することにより、前記下地が第1金属酸化物層と接着する第2金属酸化物となる、
請求項1に記載の微細構造物の製造方法。 - 前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
請求項1又は請求項2に記載の微細構造物の製造方法。 - 前記非貫通孔が、中空構造を形成する、
請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の微細構造物の製造方法。 - 貫通孔及び/又は非貫通孔を備えた微細構造物であって、
型押し加工を施すことによってパターニングされた脂肪族ポリカーボネートと、前記脂肪族ポリカーボネートの下地とを覆う第1金属酸化物前駆体層を加熱して第1金属酸化物層を得る間に、前記脂肪族ポリカーボネートが除去されることによって前記貫通孔及び/又は前記非貫通孔が形成される、
微細構造物。 - 貫通孔及び/又は非貫通孔を備えた微細構造物であって、
型押し加工を施すことによってパターニングされた脂肪族ポリカーボネートの下地と、前記脂肪族ポリカーボネートとを覆う第1金属酸化物前駆体層を加熱して第1金属酸化物層を得る間に、前記脂肪族ポリカーボネートが除去されることによって前記貫通孔及び/又は前記非貫通孔が形成される、
微細構造物。 - 前記下地が、第2金属酸化物前駆体層であり、かつ前記第1金属酸化物前駆体層と前記下地とを加熱することにより、前記下地が第1金属酸化物層と接着する第2金属酸化物となる、
請求項5又は請求項6に記載の微細構造物。 - 前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の微細構造物。 - 前記非貫通孔が、中空構造を形成する、
請求項5乃至請求項7のいずれか1項に記載の微細構造物。 - 貫通孔及び/又は非貫通孔を備えた微細構造物を形成する際に用いられる脂肪族ポリカーボネートであって、
型押し加工を施すことによってパターニングされた状態を覆う第1金属酸化物前駆体層を加熱して第1金属酸化物層を得る間に、除去されることによって前記貫通孔及び/又は前記非貫通孔が形成される、
脂肪族ポリカーボネート。 - 前記脂肪族ポリカーボネートが、ポリエチレンカーボネート、及びポリプロピレンカーボネートからなる群から選ばれる少なくとも1種である、
請求項10に記載の脂肪族ポリカーボネート。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013233048A JP6204154B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 微細構造物及びその製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013233048A JP6204154B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 微細構造物及びその製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015093339A true JP2015093339A (ja) | 2015-05-18 |
JP6204154B2 JP6204154B2 (ja) | 2017-09-27 |
Family
ID=53196104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013233048A Expired - Fee Related JP6204154B2 (ja) | 2013-11-11 | 2013-11-11 | 微細構造物及びその製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6204154B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015197519A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 住友精化株式会社 | ポジ型フォトレジスト |
US10784120B2 (en) | 2016-03-14 | 2020-09-22 | Japan Advanced Institute Of Science And Technology | Laminate, etching mask, method of producing laminate, method of producing etching mask, and method of producing thin film transistor |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050170670A1 (en) * | 2003-11-17 | 2005-08-04 | King William P. | Patterning of sacrificial materials |
JP2007168294A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | セラミック構造体の製造方法 |
JP2010248373A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
-
2013
- 2013-11-11 JP JP2013233048A patent/JP6204154B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050170670A1 (en) * | 2003-11-17 | 2005-08-04 | King William P. | Patterning of sacrificial materials |
JP2007168294A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | セラミック構造体の製造方法 |
JP2010248373A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015197519A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 住友精化株式会社 | ポジ型フォトレジスト |
US10784120B2 (en) | 2016-03-14 | 2020-09-22 | Japan Advanced Institute Of Science And Technology | Laminate, etching mask, method of producing laminate, method of producing etching mask, and method of producing thin film transistor |
TWI787158B (zh) * | 2016-03-14 | 2022-12-21 | 國立大學法人北陸先端科學技術大學院大學 | 積層體、蝕刻罩幕、積層體的製造方法、及蝕刻罩幕的製造方法、及薄膜電晶體的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6204154B2 (ja) | 2017-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5749411B1 (ja) | 酸化物半導体層及びその製造方法、並びに酸化物半導体の前駆体、酸化物半導体層、半導体素子、及び電子デバイス | |
JP6709793B2 (ja) | 複合部材及び複合部材の製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート含有層 | |
US10340388B2 (en) | Intermediate semiconductor device having an aliphatic polycarbonate layer | |
JP6744395B2 (ja) | 積層体、エッチングマスク、積層体の製造方法、及びエッチングマスクの製造方法、並びに薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP6204154B2 (ja) | 微細構造物及びその製造方法並びに脂肪族ポリカーボネート | |
US20200027743A1 (en) | Method of producing etching mask, etching mask precursor, and oxide layer, and method of manufacturing thin film transistor | |
KR102460301B1 (ko) | 산화물의 전구체, 산화물층, 반도체 소자, 및 전자 디바이스, 그리고 산화물층의 제조방법 및 반도체 소자의 제조방법 | |
TW201934659A (zh) | 含有脂肪族聚碳酸酯之溶液及其製造方法、以及含有脂肪族聚碳酸酯之層及其製造方法 | |
TWI770352B (zh) | 含有聚丙烯碳酸酯(Polypropylene Carbonate)之溶液及含有聚丙烯碳酸酯之層 | |
JP2020076043A (ja) | 脂肪族ポリカーボネート含有溶液及びその製造方法、並びに脂肪族ポリカーボネート含有層及びその製造方法 | |
JP2019167520A (ja) | ポリプロピレンカーボネート含有溶液及びポリプロピレンカーボネート含有層、並びに複合部材の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170621 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170728 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170822 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6204154 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |