JP2015082411A - Method for manufacturing organic electroluminescence display device, and mask substrate for fabricating organic electroluminescence display device to be used for the method - Google Patents

Method for manufacturing organic electroluminescence display device, and mask substrate for fabricating organic electroluminescence display device to be used for the method Download PDF

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an organic EL display device having excellent qualities, by which organic layers can be separately applied with high definition.SOLUTION: The method for manufacturing an organic EL display device includes: an adhesion step of disposing an organic EL substrate and a mask substrate comprising a support substrate and a laser-absorption layer, with the laser-absorption layer opposing to the organic EL substrate, and adhering the organic El substrate to the mask substrate; a laser light irradiation step of irradiating the mask substrate with laser light to form a cut line in the laser-absorption layer; an opening formation step of forming an opening in the laser-absorption layer; and an organic EL layer formation step of forming an organic EL layer on a pixel electrode. The adhesion step, the laser light irradiation step, the opening formation step, and the organic EL layer formation step are repeated a plurality of times corresponding to the number of colors.

Description

本発明は、マスク基材を用いて有機層を塗り分ける有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence display device in which an organic layer is separately applied using a mask base material.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発色により視認性が高いこと、液晶表示装置と異なり全固体ディスプレイであるため耐衝撃性に優れていること、応答速度が速いこと、温度変化による影響が少ないこと、および視野角が広いこと等の利点が注目されている。また、有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発光方式の表示装置であるためカラーフィルタが不要である。したがって、発光の利用効率が高く消費電力を低減することができるという利点を有する。なお、以下、有機エレクトロルミネッセンスを有機ELと略す場合がある。   The organic electroluminescence element has high visibility due to self-coloring, is an all-solid-state display unlike a liquid crystal display device, has excellent impact resistance, has a fast response speed, is less affected by temperature changes, and Advantages such as a wide viewing angle are attracting attention. Further, since the organic electroluminescence element is a self-luminous display device, a color filter is unnecessary. Therefore, there is an advantage that the light use efficiency is high and the power consumption can be reduced. Hereinafter, organic electroluminescence may be abbreviated as organic EL.

一般に、有機EL表示装置の製造にあたっては、色純度やコントラストが高く、消費電力が低いという観点から発光層等の有機層の塗り分けがなされている。有機層の塗り分け方式としては、例えば塗布方式や蒸着方式が知られているが、有機層を高精細に塗り分けるという観点から、開口部が設けられたメタルマスクを有機層形成面に貼りつけ、上記メタルマスクを介して有機材料を蒸着する蒸着方式が有利であると考えられている。   Generally, in manufacturing an organic EL display device, organic layers such as a light emitting layer are separately applied from the viewpoint of high color purity and contrast and low power consumption. For example, a coating method or a vapor deposition method is known as a method for coating the organic layer. From the viewpoint of coating the organic layer with high definition, a metal mask provided with openings is applied to the organic layer forming surface. It is considered that a vapor deposition method in which an organic material is vapor-deposited through the metal mask is advantageous.

しかしながら、メタルマスクを用いて有機層の塗り分けをする場合、有機層を形成する面に貼りつけられたメタルマスクの温度が上昇することにより、メタルマスクが熱膨張して寸法変動をもたらすおそれがある。また、上述のようなメタルマスクの温度の上昇に伴い、メタルマスクと密着した有機層の形成面である基板の温度も上昇して、熱膨張および寸法変動をもたらすおそれがある。このように、メタルマスクおよび有機層を形成する基板がそれぞれ熱膨張すると、メタルマスクに設けられた開口部の位置と基板表面における有機層の形成位置との間でズレが生じ、有機層の塗り分けの精度が低下してしまうという問題がある。また、このような問題は、製造される有機EL表示装置が大面積になるにつれて顕著になる。   However, when an organic layer is separately applied using a metal mask, the temperature of the metal mask attached to the surface on which the organic layer is formed rises, which may cause the metal mask to thermally expand and cause dimensional variation. is there. Further, as the temperature of the metal mask increases as described above, the temperature of the substrate, which is the formation surface of the organic layer in close contact with the metal mask, also increases, which may cause thermal expansion and dimensional variation. As described above, when the metal mask and the substrate on which the organic layer is to be formed are thermally expanded, there is a gap between the position of the opening provided in the metal mask and the formation position of the organic layer on the surface of the substrate. There is a problem that the accuracy of separation is reduced. Moreover, such a problem becomes more prominent as the manufactured organic EL display device has a larger area.

さらに、メタルマスクを用いて有機層の塗り分けをする場合においては、製造される有機EL表示装置が大面積になるにつれてメタルマスクの大きさも大きくなる。そのため、大面積の有機EL表示装置を製造するにあたっては、メタルマスクの大きさに相当する分だけメタルマスクの重量が増し、製造効率が低下してしまうという問題がある。   Furthermore, when the organic layer is separately applied using a metal mask, the size of the metal mask increases as the organic EL display device to be manufactured has a large area. Therefore, when manufacturing a large-area organic EL display device, there is a problem that the weight of the metal mask is increased by an amount corresponding to the size of the metal mask, and the manufacturing efficiency is lowered.

上記課題に対して特許文献1では、可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を画素電極上に形成し、上記マスク用部材にレーザー光を照射して開口部を形成した後、これをマスクとして有機層を塗り分ける方法が提案されている。具体的には、次のような方法が提案されている。すなわち、図11(a)に例示するように、基板10上に画素電極20R、20Gおよび20Bと上記画素電極20R、20Gおよび20Bの間に絶縁層30とを形成する。次に、図11(b)に例示するように、上記画素電極20R、20Gおよび20B上にマスク用部材40を形成する。続いて、図11(c)に例示するように、マスク用部材40において画素電極20Rに対応する領域にレーザー光Lを照射して、マスク用部材40に開口部を形成する。その後、図11(d)に例示するように、マスク用部材40の開口部により露出した画素電極20R上に有機層50Rを形成し、図11(e)に例示するように、マスク用部材40を除去して、有機層50Rをパターン状に形成する。次に、図11(b)〜(e)に例示した有機層50Rの形成方法と同様の方法により、有機50Gを形成する。すなわち、図11(f)に例示するように、マスク用部材40を形成する。続いて、図11(g)に例示するように、レーザー光Lを照射してマスク用部材40において画素電極20Gに対応する領域に開口部を形成する。その後、図11(h)に例示するように、マスク用部材40の開口部により露出した画素電極20G上に有機層50Gを形成し、図11(i)に例示するように、マスク用部材40を除去して、有機層50Gをパターン状に形成する。最後に、図11(b)〜(i)に例示した有機層50Rおよび50Gの形成方法と同様の方法により、有機層50Bを形成する。すなわち、図11(j)に例示するように、マスク用部材40を形成する。続いて、図11(k)に例示するように、レーザー光Lを照射してマスク用部材40において画素電極20Bに対応する領域に開口部を形成する。その後、図11(l)に例示するように、マスク用部材40の開口部により露出した画素電極20B上に有機層50Bを形成し、図11(m)に例示するように、マスク用部材40を除去して、有機層50Bをパターン状に形成する方法である。   With respect to the above-described problem, in Patent Document 1, a resin mask member that transmits visible light is formed on a pixel electrode, and an opening is formed by irradiating the mask member with laser light. As a method, the organic layer is separately applied. Specifically, the following method has been proposed. That is, as illustrated in FIG. 11A, the pixel electrodes 20R, 20G, and 20B and the insulating layer 30 are formed on the substrate 10 between the pixel electrodes 20R, 20G, and 20B. Next, as illustrated in FIG. 11B, a mask member 40 is formed on the pixel electrodes 20R, 20G, and 20B. Subsequently, as illustrated in FIG. 11C, an area corresponding to the pixel electrode 20 </ b> R in the mask member 40 is irradiated with the laser light L to form an opening in the mask member 40. Thereafter, as illustrated in FIG. 11D, an organic layer 50R is formed on the pixel electrode 20R exposed through the opening of the mask member 40, and as illustrated in FIG. 11E, the mask member 40 is formed. Then, the organic layer 50R is formed in a pattern. Next, the organic 50G is formed by a method similar to the method for forming the organic layer 50R illustrated in FIGS. That is, the mask member 40 is formed as illustrated in FIG. Subsequently, as illustrated in FIG. 11G, the laser light L is irradiated to form an opening in a region corresponding to the pixel electrode 20 </ b> G in the mask member 40. Thereafter, as illustrated in FIG. 11H, the organic layer 50G is formed on the pixel electrode 20G exposed through the opening of the mask member 40, and as illustrated in FIG. 11I, the mask member 40 is formed. Then, the organic layer 50G is formed in a pattern. Finally, the organic layer 50B is formed by a method similar to the method of forming the organic layers 50R and 50G illustrated in FIGS. That is, as illustrated in FIG. 11J, the mask member 40 is formed. Subsequently, as illustrated in FIG. 11K, the laser light L is irradiated to form an opening in a region corresponding to the pixel electrode 20 </ b> B in the mask member 40. Thereafter, as illustrated in FIG. 11L, an organic layer 50B is formed on the pixel electrode 20B exposed through the opening of the mask member 40, and as illustrated in FIG. 11M, the mask member 40 is formed. Is removed to form the organic layer 50B in a pattern.

図11(a)〜(m)に例示する特許文献1に記載の方法では、上述のように、絶縁層30によって画素領域が画定された基板上に直接マスク用部材40を形成し、その後マスク用部材40に開口部を形成して各有機層50R、50Gおよび50Bをパターン状に形成することができる。そのため、画素領域が画定された基板上に、予めパターン状の開口部を有するメタルマスクを配置して各有機層を形成する場合に、メタルマスクの寸法変動により有機層の塗り分けの精度が低下してしまうという問題を解消することができる。また、大面積の有機EL表示装置を製造する場合であっても、メタルマスクを用いた従来の方法とは異なり、大面積のマスクを用いることによるマスクの重量の大幅な増加を防ぎ、それに伴った製造効率の低下を解消することができる。しかしながら、このような方法においては、図11(f)、(j)に例示するように、成膜済みの有機層50Rや50G上にマスク用部材40を直接形成するため、有機層50Rや50Gが損傷したり、また、図11(c)、(g)および(k)に例示するように、画素電極20R、20Gおよび20B上に直接形成されたマスク用部材40にレーザー光を照射して開口部を形成するため、除去されたマスク用部材40の粉塵が飛散して有機EL表示装置の品質に悪影響を及ぼしたりするという問題がある。   In the method described in Patent Document 1 illustrated in FIGS. 11A to 11M, as described above, the mask member 40 is formed directly on the substrate in which the pixel region is defined by the insulating layer 30, and then the mask is formed. Each organic layer 50R, 50G, and 50B can be formed in a pattern by forming an opening in the member 40. For this reason, when each organic layer is formed by arranging a metal mask having a pattern-shaped opening in advance on a substrate in which a pixel region is defined, the accuracy of separation of the organic layer is reduced due to the dimensional variation of the metal mask. Can solve the problem of the Further, even in the case of manufacturing a large area organic EL display device, unlike the conventional method using a metal mask, a large increase in the weight of the mask due to the use of the large area mask is prevented. The reduction in manufacturing efficiency can be eliminated. However, in such a method, as illustrated in FIGS. 11 (f) and 11 (j), the mask member 40 is directly formed on the deposited organic layers 50 </ b> R and 50 </ b> G. Or the mask member 40 directly formed on the pixel electrodes 20R, 20G, and 20B is irradiated with laser light, as illustrated in FIGS. 11C, 11G, and 11K. Since the opening is formed, there is a problem that the dust of the removed mask member 40 is scattered to adversely affect the quality of the organic EL display device.

特開2013−20764号公報JP2013-2076A

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、有機層の塗り分けを高精細に行うことが可能な有機EL表示装置の製造方法であって、メタルマスクを用いずに有機層の塗り分けを行うことができ、また成膜済みの有機層の損傷を防ぎ、さらにはレーザー光を照射してマスクとして用いられる部材に開口部を形成する際に、除去されたマスクの粉塵等が飛散するのを防ぐことが可能な品質に優れた有機EL表示装置の製造方法を提供することを主目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a method of manufacturing an organic EL display device capable of performing high-definition coating of an organic layer, and the coating of the organic layer without using a metal mask. The masked organic layer can be prevented from being damaged, and when the opening is formed in the member used as a mask by irradiating the laser beam, the dust from the removed mask is scattered. The main object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic EL display device excellent in quality that can be prevented.

上記目的を達成するために、本発明は、基板、上記基板上に形成され、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極、上記画素電極を囲うように枠状に形成されたスペーサ部、上記画素領域に形成された少なくとも発光層を有する複数色の有機EL層、および上記有機EL層上に形成された上部電極、を有する有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、上記有機EL表示装置の製造方法は、上記画素領域に、上記複数色の有機EL層を塗り分ける有機EL層塗り分け工程を有し、上記有機EL層塗り分け工程は、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機EL基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機EL基板が対向するように配置して、上記有機EL基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記有機EL基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して当該色の上記画素領域の上記画素電極上に、当該色の上記発光層を有する有機EL層を形成する有機EL層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機EL層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返し行われることを特徴とする有機EL表示装置の製造方法を提供する。   To achieve the above object, the present invention provides a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate and forming pixel regions of a plurality of colors, a spacer portion formed in a frame shape so as to surround the pixel electrodes, An organic EL display device manufacturing method for manufacturing an organic EL display device including an organic EL layer having a plurality of colors having at least a light emitting layer formed in the pixel region and an upper electrode formed on the organic EL layer. The method for manufacturing the organic EL display device includes an organic EL layer coating process for coating the organic EL layers of the plurality of colors in the pixel region, and the organic EL layer coating process is performed on the substrate. On the organic EL substrate on which the pixel electrode and the spacer portion are formed, a mask base material composed of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light is applied to the laser absorbing material. An adhesion step in which the organic EL substrate and the mask base material are in close contact with each other, and a frame shape surrounding the pixel electrode in the pixel region of one color among the plurality of colors A laser light irradiation step of irradiating a laser beam from the mask base material side along the outer periphery of the spacer portion to form a cut line in the laser absorption layer, and from the organic EL substrate, the support base material and the above Peeling off the laser absorption layer surrounded by the cut line formed in the laser light irradiation step to form an opening in the laser absorption layer, and the color of the color through the opening. An organic EL layer forming step of forming an organic EL layer having the light emitting layer of the color on the pixel electrode in a pixel region, the adhesion step, the laser light irradiation step, the opening Forming step, and the organic EL layer forming step to provide a method of manufacturing the organic EL display device, characterized in that it is repeated a few minutes the color of the plurality of colors.

本発明によれば、有機EL基板上に配置されたマスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に開口部を形成するため、上記レーザー吸収層の開口部と画素電極が形成された画素領域との位置合わせを不要とすることができる。これにより、製造効率の向上を図ることができるとともに、レーザー吸収層の開口部の位置と画素領域の位置とのズレによる有機層のパターニング精度の低下を防ぐことができ、有機層が高精細に塗り分けられた高品質な有機EL表示装置を得ることができる。また、マスク基材がレーザー光を透過する支持基材とレーザー光を吸収するレーザー吸収層との2層を有するため、レーザー光照射工程において切り取り線を形成した後に支持基材を剥離することによって、支持基材とともに、切り取り線により囲われたレーザー吸収層を部分的に剥離することができ、レーザー吸収層に所望の開口部を容易に形成することができる。さらに、マスク基材が支持基材およびレーザー吸収層の2層を有するため、マスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成した際に、支持基材によってマスク基材と有機EL基板との間の空間を密閉状態に保つことができる。これにより、レーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が広い領域に飛散し、有機EL表示装置の表示特性が低下するという不具合を抑制することができる。さらにまた、有機EL基板にスペーサ部が形成されていることにより、成膜済みの有機EL層の表面にマスク基材が接触するのを防ぐことができるため、有機EL層の損傷による品質の低下を抑制することが可能な有機EL表示装置を得ることができる。   According to the present invention, the mask substrate disposed on the organic EL substrate is irradiated with laser light to form an opening in the laser absorption layer, and thus the pixel in which the opening of the laser absorption layer and the pixel electrode are formed. Positioning with the region can be made unnecessary. As a result, the manufacturing efficiency can be improved, and the deterioration of the patterning accuracy of the organic layer due to the misalignment between the position of the opening of the laser absorption layer and the position of the pixel region can be prevented. A high-quality organic EL display device with different colors can be obtained. In addition, since the mask base material has two layers of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light, the support base material is peeled off after forming a cut line in the laser light irradiation process. In addition to the support substrate, the laser absorption layer surrounded by the cut line can be partially peeled off, and a desired opening can be easily formed in the laser absorption layer. Furthermore, since the mask base material has two layers of the support base material and the laser absorption layer, when the mask base material is irradiated with laser light to form a cut line in the laser absorption layer, the support base material and the mask base material The space between the organic EL substrate can be kept sealed. Thereby, the malfunction that the dust of the laser absorption layer removed by the laser beam scatters to a wide area | region, and the display characteristic of an organic electroluminescent display apparatus falls can be suppressed. Furthermore, since the spacer portion is formed on the organic EL substrate, it is possible to prevent the mask base material from coming into contact with the surface of the formed organic EL layer, so that the quality deteriorates due to damage to the organic EL layer. An organic EL display device capable of suppressing the above can be obtained.

本発明は、上述の有機EL表示装置の製造方法に用いられる有機EL表示装置形成用マスク基材であって、レーザー光を透過する支持基材と、上記支持基材上に形成され、レーザー光を吸収するレーザー吸収層とを有することを特徴とする有機EL表示装置形成用マスク基材を提供する。   The present invention is a mask substrate for forming an organic EL display device used in the above-described method of manufacturing an organic EL display device, and is formed on the support substrate that transmits laser light and the laser beam. And a mask substrate for forming an organic EL display device, comprising: a laser absorbing layer that absorbs light.

本発明によれば、上記有機EL表示装置形成用マスク基材は、上述の有機EL表示装置の製造方法に用いることができるため、開口部を容易かつ高精度に形成して有機層を高精細に塗り分けることができるとともに、画素領域の汚染による表示特性の低下を抑制することが可能な有機EL表示装置を得ることができる。   According to the present invention, the mask substrate for forming an organic EL display device can be used in the above-described method for manufacturing an organic EL display device. In addition, an organic EL display device can be obtained that can be applied separately and that can suppress deterioration in display characteristics due to contamination of the pixel region.

本発明においては、マスク基材におけるレーザー吸収層に開口部を容易かつ高精度に形成することにより有機層を高精細に塗り分けることができるとともに、画素領域の汚染による表示特性の低下を抑制することができ、さらに有機EL層の損傷等による品質の低下を抑制することが可能な有機EL表示装置を得ることができるという効果を奏する。   In the present invention, the organic layer can be applied with high definition by forming the opening in the laser absorption layer of the mask substrate easily and with high precision, and the deterioration of display characteristics due to contamination of the pixel region is suppressed. Further, there is an effect that an organic EL display device capable of suppressing deterioration in quality due to damage of the organic EL layer or the like can be obtained.

本発明の有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the organic electroluminescent display apparatus of this invention. 本発明における有機EL基板の一例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows an example of the organic electroluminescent board | substrate in this invention. 本発明におけるスペーサ部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the spacer part in this invention. 本発明における有機EL基板の一例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows an example of the organic electroluminescent board | substrate in this invention. 本発明におけるレーザー吸収層に形成される切り取り線を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the tear line formed in the laser absorption layer in this invention. 本発明におけるレーザー吸収層に形成される切り取り線を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the tear line formed in the laser absorption layer in this invention. 本発明におけるレーザー吸収層に形成される切り取り線を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the tear line formed in the laser absorption layer in this invention. 本発明におけるレーザー吸収層に形成される開口部を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the opening part formed in the laser absorption layer in this invention. 本発明におけるレーザー光照射工程および開口部形成工程の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the laser beam irradiation process and opening part formation process in this invention. 本発明の有機EL表示装置の製造方法の工程順を説明する工程図である。It is process drawing explaining the process order of the manufacturing method of the organic electroluminescence display of this invention. 従来の有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。It is process drawing which shows an example of the manufacturing method of the conventional organic EL display apparatus.

以下、本発明の有機EL表示装置の製造方法、および有機EL表示装置形成用マスク基材について詳細に説明する。   Hereinafter, the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention and the mask substrate for forming the organic EL display device will be described in detail.

A.有機EL表示装置の製造方法
本発明の有機EL表示装置の製造方法は、基板、上記基板上に形成され、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極、上記画素電極を囲うように枠状に形成されたスペーサ部、上記画素領域に形成された少なくとも発光層を有する複数色の有機EL層、および上記有機EL層上に形成された上部電極、を有する有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、上記有機EL表示装置の製造方法は、上記画素領域に、上記複数色の有機EL層を塗り分ける有機EL層塗り分け工程を有し、上記有機EL層塗り分け工程は、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機EL基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機EL基板が対向するように配置して、上記有機EL基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記有機EL基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して当該色の上記画素領域の上記画素電極上に、当該色の上記発光層を有する有機EL層を形成する有機EL層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機EL層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返えし行われることを特徴とする製造方法である。
A. Manufacturing method of organic EL display device The manufacturing method of an organic EL display device according to the present invention includes a substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate and forming pixel regions of a plurality of colors, and a frame shape so as to surround the pixel electrodes. Organic EL device for manufacturing an organic EL display device having a spacer portion formed on the organic EL layer, a plurality of color organic EL layers having at least a light emitting layer formed in the pixel region, and an upper electrode formed on the organic EL layer A method for manufacturing a display device, wherein the method for manufacturing an organic EL display device includes an organic EL layer coating step for coating the pixel area with the organic EL layers of the plurality of colors, and the organic EL layer coating method. The process is composed of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light on an organic EL substrate in which the pixel electrode and the spacer portion are formed on the substrate. A mask base material is disposed so that the laser absorption layer and the organic EL substrate face each other, and the organic EL substrate and the mask base material are in close contact with each other, and the pixel region of one color among the plurality of colors A laser beam irradiation step of irradiating a laser beam from the mask base material side along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion surrounding the pixel electrode, and forming a cut line in the laser absorption layer; and the organic EL substrate From the support substrate and the laser absorption layer surrounded by the cut line formed in the laser light irradiation step, the opening forming step of forming an opening in the laser absorption layer, and the opening An organic EL layer forming step of forming an organic EL layer having the light emitting layer of the color on the pixel electrode of the pixel region of the color through a portion, and the adhesion step, Za light irradiation step, a manufacturing method of the opening forming step, and the organic EL layer forming step is characterized by being performed by Kaee repeated number of colors of the plurality of colors.

図1(a)〜(g)は本発明の有機EL表示装置の製造方法の一例を示す工程図である。まず、図1(a)に例示するように、基板1上に画素電極2を形成し、赤色、緑色および青色の画素領域を形成する画素電極形成工程を行う。したがって本例では、画素電極2として、赤色の画素領域Rにおける赤色画素電極2、緑色の画素領域Gにおける緑色画素電極2および青色の画素領域Bにおける青色画素電極2を形成する。次に、赤色画素電極2、緑色画素電極2および青色画素電極2を囲うように枠状のスペーサ部3を形成するスペーサ部形成工程を行う。このようにして、有機EL基板10を形成する有機EL基板形成工程を行う。続いて、図1(b)に例示するように、レーザー光を透過する支持基材4aおよびレーザー光を吸収するレーザー吸収層4bから構成されたマスク基材を準備し、マスク基材を有機EL基板に対向するように配置して、有機EL基板およびマスク基材を密着させる密着工程を行う。このとき、マスク基材におけるレーザー吸収層4bが有機EL基板側になるようにし、スペーサ部3の頂部にレーザー吸収層4bを接触させる。次に、図1(c)に例示するように、赤色の画素領域Rにおける画素電極2を囲う枠状のスペーサ部3の外周に沿って上記マスク基材側からレーザー光Lを照射し、マスク基材におけるレーザー吸収層4bに枠状の切り取り線Xを形成するレーザー光照射工程を行う。続いて、図1(d)に例示するように、有機EL基板から、支持基材4aとともに、レーザー光照射工程にて形成された切り取り線に沿って赤色の画素領域Rにおける画素電極2上のレーザー吸収層4bを剥離し、レーザー吸収層4bの赤色の画素領域Rに開口部を形成する開口部形成工程を行う。次に、図1(e)に例示するように、赤色の画素領域Rに形成された開口部を介して赤色の画素領域Rにおける画素電極2上に、少なくとも赤色発光層を有する有機EL層5Rを形成する有機EL層形成工程を行う。次いで、図示はしないが、赤色画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機EL基板から剥離する工程を行う。その後、図1(b)〜図1(e)に例示したように、赤色の画素領域Rに有機EL層5Rを形成する工程と同様に、緑色の画素領域Gに有機EL層5Gを形成し、さらに青色の画素領域Bに有機EL層5Bを形成する工程を行う。このようにして、図1(f)に例示するように、各画素領域に有機EL層5R、5Gおよび5Bが塗り分けられた有機EL基板を形成する有機EL層塗り分け工程を行う。最後に、上記有機EL基板上に上部電極6を形成する上部電極形成工程を行う。これにより、本発明における有機EL表示装置100が得られる。   1A to 1G are process diagrams showing an example of a method for producing an organic EL display device of the present invention. First, as illustrated in FIG. 1A, a pixel electrode 2 is formed on a substrate 1 and a pixel electrode forming step for forming red, green, and blue pixel regions is performed. Therefore, in this example, the red pixel electrode 2 in the red pixel region R, the green pixel electrode 2 in the green pixel region G, and the blue pixel electrode 2 in the blue pixel region B are formed as the pixel electrode 2. Next, a spacer part forming step is performed in which a frame-like spacer part 3 is formed so as to surround the red pixel electrode 2, the green pixel electrode 2, and the blue pixel electrode 2. In this manner, an organic EL substrate forming process for forming the organic EL substrate 10 is performed. Subsequently, as illustrated in FIG. 1B, a mask base material composed of a support base material 4a that transmits laser light and a laser absorption layer 4b that absorbs laser light is prepared, and the mask base material is organic EL. It arrange | positions so that it may oppose a board | substrate, and the adhesion process which adhere | attaches an organic EL board | substrate and a mask base material is performed. At this time, the laser absorption layer 4b in the mask base is placed on the organic EL substrate side, and the laser absorption layer 4b is brought into contact with the top of the spacer portion 3. Next, as illustrated in FIG. 1C, the laser beam L is irradiated from the mask base material side along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion 3 surrounding the pixel electrode 2 in the red pixel region R, and the mask A laser light irradiation process for forming a frame-shaped cut line X on the laser absorption layer 4b of the substrate is performed. Subsequently, as illustrated in FIG. 1D, from the organic EL substrate, together with the support base material 4a, on the pixel electrode 2 in the red pixel region R along the cut line formed in the laser light irradiation process. The laser absorbing layer 4b is peeled off, and an opening forming step for forming an opening in the red pixel region R of the laser absorbing layer 4b is performed. Next, as illustrated in FIG. 1E, the organic EL layer 5R having at least a red light emitting layer on the pixel electrode 2 in the red pixel region R through the opening formed in the red pixel region R. An organic EL layer forming step of forming is performed. Next, although not shown, a step of peeling the laser absorption layer having an opening in the red pixel region from the organic EL substrate is performed. Thereafter, as illustrated in FIGS. 1B to 1E, the organic EL layer 5G is formed in the green pixel region G in the same manner as the step of forming the organic EL layer 5R in the red pixel region R. Further, a step of forming the organic EL layer 5B in the blue pixel region B is performed. In this manner, as illustrated in FIG. 1F, an organic EL layer coating process is performed to form an organic EL substrate in which the organic EL layers 5R, 5G, and 5B are coated in each pixel region. Finally, an upper electrode forming step for forming the upper electrode 6 on the organic EL substrate is performed. Thereby, the organic EL display device 100 according to the present invention is obtained.

ここで、「スペーサ部の頂部」とは、例えば図1、図3(a)、(b)に例示するように、スペーサ部3が台形である場合にはスペーサ部3の上底面Hを指す。また、スペーサ部が台形以外の形状である場合には、スペーサ部の最上部を指し、有機EL基板とマスク基材とを接触させて減圧密封させる際に、スペーサ部においてマスク基材が先に接触する部分を指す。   Here, the “top portion of the spacer portion” refers to the upper bottom surface H of the spacer portion 3 when the spacer portion 3 has a trapezoidal shape as illustrated in FIGS. 1, 3A, and 3B, for example. . In addition, when the spacer portion has a shape other than the trapezoid, it points to the uppermost portion of the spacer portion, and when the organic EL substrate and the mask base material are brought into contact with each other and sealed under reduced pressure, the mask base material is first in the spacer portion. Refers to the contact part.

本発明においては、有機EL基板上に配置されたマスク基材にレーザー光を照射して上記マスク基材におけるレーザー吸収層に開口部を形成するため、上記レーザー吸収層の開口部と画素電極が形成された画素領域との位置合わせを不要とすることができる。これにより、製造効率の向上を図ることができるとともに、レーザー吸収層の開口部の位置と画素領域の位置とのズレによる有機層のパターニング精度の低下を防ぐことができる。また、本発明においては、レーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成し、その切り取り線に沿ってパターン状にレーザー吸収層を剥離することで開口部を形成している。このように、直進性に優れたレーザー光を用いて開口部を形成することにより、高精細な開口部の形成が可能になり、上記開口部を介して形成される有機層をより高精細に形成することができる。これにより、高品質な有機EL表示装置を得ることができる。   In the present invention, the mask substrate disposed on the organic EL substrate is irradiated with laser light to form an opening in the laser absorption layer of the mask substrate. Positioning with the formed pixel region can be made unnecessary. As a result, the manufacturing efficiency can be improved, and a decrease in the patterning accuracy of the organic layer due to the deviation between the position of the opening of the laser absorption layer and the position of the pixel region can be prevented. Moreover, in this invention, a laser beam is irradiated, a cutting line is formed in a laser absorption layer, and an opening part is formed by peeling a laser absorption layer in pattern shape along the cutting line. In this way, by forming the opening using laser light having excellent straightness, it becomes possible to form a high-definition opening, and the organic layer formed through the opening can be formed with higher definition. Can be formed. Thereby, a high-quality organic EL display device can be obtained.

また、本発明においては、マスク基材がレーザー光を透過する支持基材とレーザー光を吸収するレーザー吸収層との2層を有するため、レーザー光照射工程において切り取り線を形成した後に支持基材を剥離することによって、支持基材とともに、切り取り線により囲われたレーザー吸収層を部分的に剥離することができ、レーザー吸収層に所望の開口部を容易に形成することができる。さらに、マスク基材が支持基材およびレーザー吸収層の2層を有するため、マスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成した際に、支持基材によってマスク基材と有機EL基板との間の空間を密閉状態に保つことができる。これにより、レーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が広い領域に飛散し、有機EL表示装置の表示特性が低下するという不具合を抑制することができる。   In the present invention, since the mask base material has two layers of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light, the support base material is formed after forming a cut line in the laser light irradiation step. By peeling off, the laser absorbing layer surrounded by the tear line can be partly peeled together with the supporting substrate, and a desired opening can be easily formed in the laser absorbing layer. Furthermore, since the mask base material has two layers of the support base material and the laser absorption layer, when the mask base material is irradiated with laser light to form a cut line in the laser absorption layer, the support base material and the mask base material The space between the organic EL substrate can be kept sealed. Thereby, the malfunction that the dust of the laser absorption layer removed by the laser beam scatters to a wide area | region, and the display characteristic of an organic electroluminescent display apparatus falls can be suppressed.

さらに、本発明においては、スペーサ部が各画素電極を囲うように枠状に形成されており、レーザー光照射工程では上記スペーサ部の外周に沿ってレーザー光が照射される。すなわち、レーザー光が照射される箇所と近接する画素領域との間がスペーサ部により隔たれることになる。これにより、画素領域にレーザー吸収層の粉塵が飛散するのをより効果的に抑えることができ、表示特性の低下を抑制することが可能な有機EL表示装置を得ることができる。   Further, in the present invention, the spacer portion is formed in a frame shape so as to surround each pixel electrode, and in the laser light irradiation step, laser light is irradiated along the outer periphery of the spacer portion. That is, the portion irradiated with the laser light and the adjacent pixel region are separated by the spacer portion. Thereby, it is possible to more effectively suppress the dust of the laser absorption layer from being scattered in the pixel region, and it is possible to obtain an organic EL display device capable of suppressing a deterioration in display characteristics.

さらにまた、本発明においては、各画素電極を囲うように枠状のスペーサ部が形成されていることにより、有機EL基板上にマスク基材を対向させて配置した際に、マスク基材が有機EL基板の画素領域表面に接触するのを防ぐことができる。したがって、例えば図1(a)〜(g)に例示するように、赤色の画素領域Rに有機EL層5Rを形成し、続いて緑色の画素領域Gおよび青色の画素領域Bに有機EL層5G、5Bを順に形成する場合であって、緑色の画素領域Gや青色の画素領域Bに有機EL層5G、5Bを形成するために有機EL基板上にマスク基材を配置する場合に、成膜済みの有機EL層5Rの表面にマスク基材が接触するのを防ぐことができる。これにより、画素領域における有機EL層の表面にマスク基材が接触することによる有機EL層の損傷や汚染を防ぐことができ、高品質な有機EL表示装置を得ることができる。   Furthermore, in the present invention, since the frame-shaped spacer portion is formed so as to surround each pixel electrode, the mask base material is organic when the mask base material is disposed on the organic EL substrate so as to face each other. Contact with the surface of the pixel region of the EL substrate can be prevented. Therefore, for example, as illustrated in FIGS. 1A to 1G, the organic EL layer 5R is formed in the red pixel region R, and subsequently, the organic EL layer 5G is formed in the green pixel region G and the blue pixel region B. 5B are formed in order, and the film is formed when a mask base material is disposed on the organic EL substrate in order to form the organic EL layers 5G and 5B in the green pixel region G and the blue pixel region B. It is possible to prevent the mask base material from coming into contact with the surface of the finished organic EL layer 5R. Thereby, damage and contamination of the organic EL layer due to contact of the mask base material with the surface of the organic EL layer in the pixel region can be prevented, and a high-quality organic EL display device can be obtained.

また、本発明において用いられるマスク基材は、メタルマスクを用いた従来の製造方法とは異なり、大面積の有機EL表示装置の製造にも好適である。また、マスク基材のロール・ツー・ロール製造技術への適用が可能になるため、製造効率の向上を図ることが可能になる。   Moreover, the mask base material used in the present invention is suitable for manufacturing a large-area organic EL display device, unlike a conventional manufacturing method using a metal mask. Moreover, since it becomes possible to apply to the roll-to-roll manufacturing technique of a mask base material, it becomes possible to aim at the improvement of manufacturing efficiency.

ここで、本発明において「枠状のスペーサ部」とは、例えば図2(a)に例示するように、隣り合う各画素電極2を囲うように形成されたスペーサ部3を指す。また、図2(b)に例示するように、各色の画素領域における画素電極2が画素領域の色毎に並列して形成される場合には、画素領域の色毎に並列した各画素電極を隔てるように形成されたスペーサ部を指す。なお、図2(a)、(b)は本発明における有機EL基板の一例を示す概略斜視図であり、図2(a)、(b)において説明していない符号については図1と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。   Here, in the present invention, the “frame-shaped spacer portion” refers to a spacer portion 3 formed so as to surround adjacent pixel electrodes 2 as illustrated in FIG. 2A, for example. In addition, as illustrated in FIG. 2B, when the pixel electrodes 2 in the pixel regions of each color are formed in parallel for each color of the pixel region, the pixel electrodes arranged in parallel for each color of the pixel region are The spacer part formed so that it may separate. 2A and 2B are schematic perspective views showing an example of the organic EL substrate in the present invention, and the reference numerals not described in FIGS. 2A and 2B are the same as those in FIG. The description here is omitted.

また、「画素電極を囲う枠状のスペーサ部の外周に沿って」とは、例えば図4に例示する矢印のように、赤色の画素領域Rにおける画素電極2を囲う枠状のスペーサ部3と一定の距離を保ちながら進むことを指す。なお、図4は本発明における有機EL基板の一例を示す概略平面図であり、図4において説明していない符号については図1と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。   Further, “along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion surrounding the pixel electrode” means, for example, a frame-shaped spacer portion 3 surrounding the pixel electrode 2 in the red pixel region R as shown by an arrow illustrated in FIG. It refers to traveling while maintaining a certain distance. FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of the organic EL substrate according to the present invention. Reference numerals not described in FIG. 4 can be the same as those in FIG.

さらに、「レーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成する」とは、例えば図5(a)に例示するように、マスク基材の支持基材4a側からレーザー光Lを照射し、その下層として配置されたレーザー吸収層4bにおけるレーザー光Lの照射箇所を除去することにより、図5(b)に例示するように、レーザー吸収層4bにおいて開口部を形成する領域を部分的に剥離するための切り取り線Xを形成することを指す。   Furthermore, “irradiate a laser beam to form a cut line in the laser absorption layer” means to irradiate a laser beam L from the support substrate 4a side of the mask substrate as illustrated in FIG. 5A, for example. As shown in FIG. 5B, by removing the portion irradiated with the laser beam L in the laser absorption layer 4b disposed as the lower layer, a region for forming an opening in the laser absorption layer 4b is partially It refers to forming a tear line X for peeling.

以下、本発明の有機EL表示装置の製造方法における各工程について説明する。   Hereinafter, each process in the manufacturing method of the organic EL display device of the present invention will be described.

1.有機EL基板形成工程
本発明における有機EL基板形成工程としては、基板上に画素電極およびスペーサ部が形成された有機EL基板を形成することができる工程であれば特に限定されるものではない。本発明における有機EL基板形成工程としては、例えば、基板上に、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、上記画素電極を囲うように枠状にスペーサ部を形成するスペーサ部形成工程とを有する工程が挙げられる。
以下、具体例として画素電極形成工程およびスペーサ部形成工程について説明する。
1. Organic EL substrate forming step The organic EL substrate forming step in the present invention is not particularly limited as long as it is a step capable of forming an organic EL substrate in which a pixel electrode and a spacer portion are formed on the substrate. As the organic EL substrate forming step in the present invention, for example, a pixel electrode forming step for forming a plurality of pixel electrodes for forming a plurality of color pixel regions on the substrate, and a spacer portion in a frame shape so as to surround the pixel electrodes. And a step of forming a spacer part.
Hereinafter, the pixel electrode forming step and the spacer portion forming step will be described as specific examples.

(1)画素電極形成工程
本工程は、基板上に、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極を形成する工程である。
以下、本工程において用いられる部材、および具体的な画素電極形成工程について説明する。
(1) Pixel electrode formation process This process is a process of forming a plurality of pixel electrodes for forming a plurality of color pixel regions on a substrate.
Hereinafter, members used in this step and a specific pixel electrode forming step will be described.

(a)基板
本工程における基板は、後述する画素電極、スペーサ部、有機EL層および上部電極を支持するものである。
(A) Substrate The substrate in this step supports a pixel electrode, a spacer portion, an organic EL layer, and an upper electrode described later.

本発明において用いられる基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機EL表示装置の用途により適宜選択される。このような基板の材料としては、例えば、ガラスや樹脂が挙げられる。なお、基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。   The substrate used in the present invention may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device. Examples of such a substrate material include glass and resin. A gas barrier layer may be formed on the surface of the substrate.

基板の厚みとしては、基板の材料および有機EL表示装置の用途により適宜選択され、具体的には0.005mm〜5mm程度である。   The thickness of the substrate is appropriately selected depending on the material of the substrate and the use of the organic EL display device, and is specifically about 0.005 mm to 5 mm.

(b)画素電極
本工程における画素電極は、基板上にパターン状に形成されるものである。このような画素電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよい
(B) Pixel electrode The pixel electrode in this step is formed in a pattern on the substrate. Such a pixel electrode may or may not have optical transparency.

画素電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
画素電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Au、Cr、Mo等の金属;酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
The pixel electrode may be either an anode or a cathode.
When the pixel electrode is an anode, it is preferable that the resistance is small, and generally a metal material that is a conductive material is used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the anode, a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. Examples thereof include metals such as Au, Cr, and Mo; inorganic oxides such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, and indium oxide; and conductive polymers such as metal-doped polythiophene. It is done. These conductive materials may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, layers made of each material may be stacked.

また、画素電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
When the pixel electrode is a cathode, a metal material that is a conductive material is generally used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the cathode, it is preferable to use a conductive material having a low work function so that electrons can be easily injected. Examples thereof include magnesium alloys such as MgAg, aluminum alloys such as AlLi, AlCa, and AlMg, and alloys of alkali metals and alkaline earth metals such as Li, Cs, Ba, Sr, and Ca.

画素電極の厚みとしては、画素電極のエッジ部分からのリーク電流の有無等に応じて適宜調整され、例えば、10nm〜1000nm程度にすることができ、好ましくは20nm〜500nm程度である。   The thickness of the pixel electrode is appropriately adjusted according to the presence or absence of leakage current from the edge portion of the pixel electrode, and can be set to, for example, about 10 nm to 1000 nm, and preferably about 20 nm to 500 nm.

また、隣り合う画素電極の間隔としては、各画素電極を囲うように枠状のスペーサ部を形成することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的には、1μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、中でも2μm〜30μmの範囲内であることが好ましい。なお、隣り合う画素電極および補助電極の間隔とは、図1(a)に示した距離dを指す。   Further, the interval between adjacent pixel electrodes is not particularly limited as long as a frame-shaped spacer portion can be formed so as to surround each pixel electrode. Specifically, it is preferably in the range of 1 μm to 50 μm, and more preferably in the range of 2 μm to 30 μm. Note that the interval between adjacent pixel electrodes and auxiliary electrodes refers to the distance d shown in FIG.

(c)画素電極形成工程
本工程は、基板上に画素電極を形成することができれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法を採用することができる。例えば、マスクを用いた蒸着法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。また、蒸着法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等が挙げられる。
(C) Pixel electrode formation process This process will not be specifically limited if a pixel electrode can be formed on a board | substrate, The formation method of a general electrode is employable. For example, the vapor deposition method using a mask, the photolithographic method, etc. are mentioned. Examples of the vapor deposition method include a sputtering method and a vacuum vapor deposition method.

(2)スペーサ部形成工程
本工程は、上記画素電極を囲うように枠状にスペーサ部を形成する工程である。
以下、本工程において形成されるスペーサ部、および具体的なスペーサ部形成工程について説明する。
(2) Spacer part formation process This process is a process of forming a spacer part in a frame shape so as to surround the pixel electrode.
Hereinafter, the spacer part formed in this process and the concrete spacer part formation process are demonstrated.

(a)スペーサ部
本工程において形成されるスペーサ部は、上記画素電極を囲うように枠状に形成されたものであれば特に限定されるものではない。
(A) Spacer part The spacer part formed in this process will not be specifically limited if it is formed in frame shape so that the said pixel electrode may be enclosed.

このようなスペーサ部の縦断面形状としては、上述したスペーサ部の機能を発揮することができるものであれば特に限定されない。例えば、順テーパー形状、逆テーパー形状、矩形等が挙げられるが、中でも、順テーパー形状であることが好ましい。後述する上部電極を全面に均一に形成することができ、十分な導通を得ることができるからである。   The vertical cross-sectional shape of such a spacer part is not particularly limited as long as the function of the spacer part described above can be exhibited. For example, a forward taper shape, a reverse taper shape, a rectangle and the like can be mentioned, and among them, a forward taper shape is preferable. This is because the upper electrode described later can be uniformly formed on the entire surface, and sufficient conduction can be obtained.

また、本工程において形成されるスペーサ部は、隣接するスペーサ部の頂部が互いに接触しなければ特に限定されるものではない。例えば、図3(a)、(b)に例示するように、隣接するスペーサ部3の頂部Hが接触しておらず、隣接するスペーサ部3の頂部Hの間に所定の幅wを有するように形成される。隣接するスペーサ部の頂部の間の幅wとしては、0.1μm〜20μmの範囲内であることが好ましく、中でも1μm〜10μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜5μmの範囲内であることが好ましい。隣接するスペーサ部の頂部の間の幅が上記範囲内であることにより、後述する減圧密封工程において有機EL基板にマスク基材を対向させた際に、隣接するスペーサ部とマスク基材とで囲われた空間を十分に確保することができる。これにより、有機EL基板とマスク基材との間の空間を減圧した際に、有機EL基板とマスク基材との接触面での密着性を向上させ、後述するレーザー光照射工程においてレーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が飛散するのを抑制することができる。なお、図3(b)に例示するように、スペーサ部3が絶縁層11上に形成される場合については、後述する「(3)その他の工程」の項にて説明するため、ここでの記載は省略する。   Moreover, the spacer part formed in this process will not be specifically limited if the top part of an adjacent spacer part does not mutually contact. For example, as illustrated in FIGS. 3A and 3B, the top portions H of the adjacent spacer portions 3 are not in contact with each other and have a predetermined width w between the top portions H of the adjacent spacer portions 3. Formed. The width w between the tops of the adjacent spacer portions is preferably in the range of 0.1 μm to 20 μm, more preferably in the range of 1 μm to 10 μm, and particularly in the range of 1 μm to 5 μm. It is preferable. Since the width between the tops of the adjacent spacer portions is within the above range, when the mask base material is opposed to the organic EL substrate in the vacuum sealing process described later, the space is surrounded by the adjacent spacer portion and the mask base material. Enough space can be secured. As a result, when the space between the organic EL substrate and the mask base material is reduced in pressure, the adhesion at the contact surface between the organic EL substrate and the mask base material is improved. It can suppress that the dust of the removed laser absorption layer scatters. As illustrated in FIG. 3B, the case where the spacer portion 3 is formed on the insulating layer 11 will be described in the section of “(3) Other steps” described later. Description is omitted.

また、各画素電極に対応して形成されるスペーサ部は、いずれも同じ高さに形成される。なお、ここでの「同じ高さ」とは、各画素電極に対応するスペーサ部の高さが、いずれも同程度の高さを有することを指す。具体的には、各スペーサ部の高さの差が、少なくとも±1μmの範囲内、中でも±0.5μmの範囲内、特に±0.2μmの範囲内であることを指す。本工程において形成される各スペーサ部の高さの差が上記範囲内であることにより、後述する減圧密封工程において有機EL基板とマスク基材を対向させて、スペーサ部の頂部とマスク基材とが接触するように配置した際に、各スペーサ部の頂部とマスク基材とが均一な力で密着し、有機EL基板とマスク基材との間の空間を均一に減圧密封することが可能になる。   Also, the spacer portions formed corresponding to the respective pixel electrodes are all formed at the same height. Here, the “same height” means that the height of the spacer portion corresponding to each pixel electrode has the same level. Specifically, it means that the difference in height between the spacer portions is at least within a range of ± 1 μm, especially within a range of ± 0.5 μm, and particularly within a range of ± 0.2 μm. Since the difference in the height of each spacer portion formed in this step is within the above range, the top portion of the spacer portion and the mask base material are opposed to each other with the organic EL substrate and the mask base material facing each other in the vacuum sealing step described later. When placed in contact with each other, the top of each spacer and the mask base material are in close contact with each other with a uniform force, and the space between the organic EL substrate and the mask base material can be uniformly sealed under reduced pressure. Become.

上記スペーサ部の高さとしては、後述する減圧密封工程において、有機EL基板およびマスク基材を対向させた際に、スペーサ部の頂部とマスク基材とが接触するように配置することができる程度であれば特に限定されるものではない。具体的なスペーサ部の高さとしては、0.1μm〜10μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜5μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜3μmの範囲内であることが好ましい。スペーサ部の高さが上記範囲内であることにより、後述する減圧密封工程において有機EL基板にマスク基材を対向させた際に、隣接するスペーサ部とマスク基材とで囲われた空間の体積を十分に確保することができる。これにより、有機EL基板とマスク基材との間の空間を減圧した際に、マスク基材を介して外気から進入してくる気体や、後述するレーザー光照射工程においてレーザー光により発生するガス等による圧力の上昇を十分に抑えることができ、有機EL基板とマスク基材との接触面での密着性を維持することができる。
なお、スペーサ部の高さとは、図3(a)、(b)に例示するように、スペーサ部3の下底面から頂部までの高さhを指す。
The height of the spacer portion is such that when the organic EL substrate and the mask base material are opposed to each other in the vacuum sealing step described later, the spacer portion can be arranged such that the top of the spacer portion and the mask base material are in contact with each other. If it is, it will not specifically limit. The specific height of the spacer portion is preferably in the range of 0.1 μm to 10 μm, more preferably in the range of 0.5 μm to 5 μm, and particularly in the range of 1 μm to 3 μm. Is preferred. When the height of the spacer portion is within the above range, the volume of the space surrounded by the adjacent spacer portion and the mask base material when the mask base material is opposed to the organic EL substrate in the vacuum sealing process described later. Can be secured sufficiently. Thereby, when the space between the organic EL substrate and the mask base material is depressurized, the gas entering from the outside air through the mask base material, the gas generated by the laser light in the laser light irradiation process described later, etc. Can be sufficiently suppressed, and adhesion at the contact surface between the organic EL substrate and the mask base material can be maintained.
Note that the height of the spacer portion refers to a height h from the bottom surface of the spacer portion 3 to the top portion as illustrated in FIGS. 3 (a) and 3 (b).

このようなスペーサ部に用いられる材料としては、本発明により得られる有機EL表示装置の特性に悪影響を及ぼさないような材料であれば特に限定されるものではないが、絶縁性材料を用いることが好ましい。画素電極のエッジ部分を覆うようにスペーサ部を形成することにより、画素電極のエッジ部分からのリーク電流による不具合を防ぐことができ、絶縁層としての機能を発揮することができる。具体的には、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。   The material used for such a spacer portion is not particularly limited as long as it does not adversely affect the characteristics of the organic EL display device obtained by the present invention, but an insulating material is used. preferable. By forming the spacer portion so as to cover the edge portion of the pixel electrode, problems due to leakage current from the edge portion of the pixel electrode can be prevented, and a function as an insulating layer can be exhibited. Specific examples include photo-curable resins such as photosensitive polyimide resins and acrylic resins, thermosetting resins, and inorganic materials.

(b)スペーサ部形成工程
本工程は、各画素電極を囲うように枠状にスペーサ部を形成する工程を有する。スペーサ部の形成方法としては、ラミネーション法、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。また、鋳型等を用いてスペーサ部を別途形成し、画素領域を囲うように接着剤等を用いてスペーサ部を貼り合わせる方法を挙げることができる。
(B) Spacer part formation process This process has the process of forming a spacer part in frame shape so that each pixel electrode may be surrounded. As a method for forming the spacer portion, a general method such as a lamination method, a photolithography method, or a printing method can be used. Another example is a method in which a spacer portion is separately formed using a mold or the like, and the spacer portion is bonded using an adhesive or the like so as to surround the pixel region.

(3)その他の工程
本発明においては、有機EL基板形成工程が上述した画素電極形成工程およびスペーサ部形成工程以外にもその他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、絶縁層形成工程が挙げられる。
以下、絶縁層形成工程において形成される絶縁層、および具体的な絶縁層形成工程について説明する。
(3) Other steps In the present invention, the organic EL substrate forming step may have other steps in addition to the pixel electrode forming step and the spacer portion forming step described above. Examples of other processes include an insulating layer forming process.
Hereinafter, the insulating layer formed in the insulating layer forming step and a specific insulating layer forming step will be described.

(a)絶縁層
本発明が絶縁層形成工程を有する場合、図3(b)に例示するように、基板1上に形成された画素電極2のエッジ部分を覆うように絶縁層11が形成され、上記絶縁層11上にスペーサ部3が形成される。
(A) Insulating Layer When the present invention includes an insulating layer forming step, an insulating layer 11 is formed so as to cover the edge portion of the pixel electrode 2 formed on the substrate 1 as illustrated in FIG. The spacer portion 3 is formed on the insulating layer 11.

このような絶縁層は、画素電極のエッジ部分を覆うように形成されるため、画素電極の配列に応じて適宜形成される。例えば、格子状に形成することができる。なお、絶縁層により画素領域が画定される。   Since such an insulating layer is formed so as to cover the edge portion of the pixel electrode, it is appropriately formed according to the arrangement of the pixel electrodes. For example, it can be formed in a lattice shape. Note that a pixel region is defined by the insulating layer.

絶縁層の材料としては、有機EL表示装置における一般的な絶縁層の材料を用いることができ、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、無機材料等を挙げることができる。   As a material of the insulating layer, a material of a general insulating layer in an organic EL display device can be used. For example, a photo-curable resin such as a photosensitive polyimide resin or an acrylic resin, a thermosetting resin, an inorganic material, or the like. Can be mentioned.

絶縁層の厚みとしては、画素領域を画定し、画素電極を絶縁することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではないが、例えば、0.3μm〜100μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜20μmの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the insulating layer is not particularly limited as long as it defines a pixel region and can insulate the pixel electrode. For example, the thickness of the insulating layer is within a range of 0.3 μm to 100 μm. Among them, it is preferable to be in the range of 0.5 to 50 μm, and it is particularly preferable to be in the range of 1 to 20 μm.

(b)絶縁層形成工程
本工程は、画素電極のエッジ部分を覆うように絶縁層を形成する工程を有する。絶縁層の形成方法としては、一般的な絶縁層の形成方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ディップコート法、バーコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
(B) Insulating layer formation process This process has a process of forming an insulating layer so that the edge part of a pixel electrode may be covered. The method for forming the insulating layer is not particularly limited as long as it is a general insulating layer forming method. For example, spin coating, die coating, dip coating, bar coating, gravure printing, screen, and the like. The printing method etc. are mentioned.

2.有機EL層塗り分け工程
本発明における有機EL塗り分け工程としては、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機EL基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機EL基板が対向するように配置して、上記有機EL基板および上記マスク基材を密着させる密着工程と、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、上記有機EL基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、上記開口部を介して当該色の上記画素領域の上記画素電極上に、当該色の上記発光層を有する有機EL層を形成する有機EL層形成工程とを有し、上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機EL層形成工程が上記複数色の色の数分繰り返えし行われる工程である。
以下、本工程を構成する上記密着工程、上記レーザー光照射工程、上記開口部形成工程、および上記有機EL層形成工程について説明する。
2. Organic EL layer coating step In the organic EL coating step in the present invention, the organic EL substrate having the pixel electrode and the spacer portion formed on the substrate absorbs the supporting base material that transmits laser light and the laser light. A mask substrate composed of a laser absorbing layer to be disposed so that the laser absorbing layer and the organic EL substrate face each other, and the organic EL substrate and the mask substrate are in close contact with each other, and the plurality of colors A laser beam that forms a cut line in the laser absorption layer by irradiating a laser beam from the mask base material side along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion surrounding the pixel electrode in the pixel region of one color of And the laser absorption surrounded by the support substrate and the cut line formed in the laser light irradiation step from the organic EL substrate. An opening forming step of peeling the light collecting layer to form an opening in the laser absorption layer, and the light emitting layer of the color on the pixel electrode of the pixel region of the color through the opening An organic EL layer forming step for forming an organic EL layer, and the adhesion step, the laser light irradiation step, the opening forming step, and the organic EL layer forming step are repeated for the number of colors of the plurality of colors. It is a process performed.
Hereinafter, the adhesion process, the laser beam irradiation process, the opening forming process, and the organic EL layer forming process constituting this process will be described.

(1)密着工程
本発明における密着工程としては、上記基板上に上記画素電極および上記スペーサ部が形成された有機EL基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機EL基板が対向するように配置して、上記有機EL基板および上記マスク基材を密着させる工程である。
以下、本工程において用いられるマスク基材、および具体的な密着工程について説明する。
(1) Adhering Step As the adhering step in the present invention, a support base material that transmits laser light and a laser absorbing layer that absorbs laser light are formed on the organic EL substrate on which the pixel electrode and the spacer portion are formed on the substrate. Is a step of placing the organic EL substrate and the mask base material in close contact with each other so that the laser absorbing layer and the organic EL substrate face each other.
Hereinafter, the mask base material used in this process and a specific adhesion process will be described.

(a)マスク基材
本工程において用いられるマスク基材は、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されるものである。
以下、支持基材およびレーザー吸収層について説明する。
(A) Mask base material The mask base material used in this process is comprised from the support base material which permeate | transmits a laser beam, and the laser absorption layer which absorbs a laser beam.
Hereinafter, the support substrate and the laser absorption layer will be described.

(i)支持基材
マスク基材を構成する支持基材は、レーザー光を透過するものである。
(I) Support base material The support base material which comprises a mask base material permeate | transmits a laser beam.

ここで、支持基材が「レーザー光を透過する」とは、後述するレーザー光照射工程において用いられるレーザー光を透過することができれば特に限定されるものではないが、例えば、波長355nmにおける光透過率が80%以上であることが好ましい。   Here, the support substrate “transmits laser light” is not particularly limited as long as it can transmit the laser light used in the laser light irradiation process described later. For example, light transmission at a wavelength of 355 nm is possible. The rate is preferably 80% or more.

なお、波長355nmにおける支持基材の光透過率は、例えば島津製作所製紫外可視光分光光度計UV−3600により測定することができる。   In addition, the light transmittance of the support base material in wavelength 355nm can be measured by Shimadzu Corporation ultraviolet visible light spectrophotometer UV-3600, for example.

このような支持基材の材料としては、レーザー光を透過するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、樹脂材料、ガラス等が挙げられる。中でも、樹脂材料であることが好ましい。具体的な樹脂材料としては、ポリエチレン(PE)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、環状ポリオレフィン(COP)等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。ポリエチレンテレフタレートからなる樹脂フィルムは、他の材料からなる樹脂フィルムに比べて酸素透過度が低いため、例えば、密着工程として次のような方法を用いた際に有利である。すなわち、真空空間のチャンバー内においてマスク基材と有機EL基板とを対向させるように配置し、上記チャンバー内からマスク基材および有機EL基板を常圧空間に取り出して、マスク基材および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材と有機EL基板とを密着させる方法である。上記方法では、支持基材としてポリエチレンテレフタレート等の酸素透過度が低い樹脂フィルムを用いることにより、後述するレーザー光照射工程の際に、マスク基材において有機EL基板と対向する側とは反対側の面から、有機EL基板とマスク基材との間の空間へと気体が侵入するのをより効果的に防ぐことができる。そのため、レーザー光照射工程においても、マスク基材および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力の差を維持して、マスク基材および有機EL基板を十分に密着させることができる。
なお、具体的な密着工程については後述するため、ここでの記載は省略する。
The material for such a support substrate is not particularly limited as long as it transmits laser light, and examples thereof include a resin material and glass. Among these, a resin material is preferable. Specific examples of the resin material include polyethylene (PE), polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), and cyclic polyolefin (COP). Of these, polyethylene terephthalate is preferable. A resin film made of polyethylene terephthalate has an oxygen permeability lower than that of a resin film made of other materials, and is advantageous when, for example, the following method is used as the adhesion step. That is, the mask base material and the organic EL substrate are disposed so as to face each other in the vacuum space chamber, and the mask base material and the organic EL substrate are taken out from the chamber into the atmospheric pressure space. This is a method in which the mask base material and the organic EL substrate are brought into close contact with each other by providing a difference in pressure between the space between them and the outer peripheral space. In the above method, by using a resin film having a low oxygen permeability such as polyethylene terephthalate as the supporting base material, the side opposite to the side facing the organic EL substrate in the mask base material is used in the laser light irradiation step described later. From the surface, it is possible to more effectively prevent gas from entering the space between the organic EL substrate and the mask base material. Therefore, also in the laser light irradiation process, the difference in pressure between the space between the mask base material and the organic EL substrate and the outer peripheral space can be maintained, and the mask base material and the organic EL substrate can be sufficiently adhered. .
In addition, since the specific contact | adherence process is mentioned later, description here is abbreviate | omitted.

(ii)レーザー吸収層
マスク基材を構成するレーザー吸収層は、レーザー光を吸収するものである。
(Ii) Laser absorption layer The laser absorption layer which comprises a mask base material absorbs a laser beam.

このようなレーザー吸収層に用いられる材料としては、レーザー光を吸収するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、樹脂材料、薄い金属箔等が挙げられる。中でも樹脂材料であることが好ましい。具体的な樹脂材料としては、ポリイミドが挙げられる。   The material used for such a laser absorption layer is not particularly limited as long as it absorbs laser light, and examples thereof include a resin material and a thin metal foil. Among these, a resin material is preferable. Specific examples of the resin material include polyimide.

レーザー吸収層の厚みとしては、後述するレーザー光照射工程において照射されるレーザー光によりレーザー吸収層に切り取り線を形成することができる程度の厚みであれば特に限定されるものではなく、レーザー光の種類やエネルギーにより適宜調整されるものである。レーザー吸収層の厚みとしては、例えば、1μm〜100μmの範囲内であることが好ましく、中でも1μm〜50μmの範囲内であることが好ましく、特に1μm〜10μmの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the laser absorption layer is not particularly limited as long as it is a thickness that can form a cut line in the laser absorption layer by the laser light irradiated in the laser light irradiation step described later. It is appropriately adjusted depending on the type and energy. The thickness of the laser absorption layer is, for example, preferably in the range of 1 μm to 100 μm, more preferably in the range of 1 μm to 50 μm, and particularly preferably in the range of 1 μm to 10 μm.

(iii)マスク基材の形成方法
上述した支持基材およびレーザー吸収層を有するマスク基材の形成方法としては特に限定されるものではない。例えば、支持基材上にレーザー吸収層を配置してマスク基材を形成してもよく、支持基材およびレーザー吸収層をラミネートしてマスク基材を形成してもよく、さらには支持基材およびレーザー吸収層を容易に剥離することが可能な易接着層により接着させてマスク基材を形成してもよい。
(Iii) Formation method of mask base material It does not specifically limit as a formation method of the mask base material which has the support base material and laser absorption layer which were mentioned above. For example, a mask substrate may be formed by arranging a laser absorption layer on a support substrate, a mask substrate may be formed by laminating a support substrate and a laser absorption layer, and further a support substrate. Alternatively, the mask base material may be formed by adhering with an easy-adhesion layer capable of easily peeling the laser absorption layer.

支持基材およびレーザー吸収層を易接着層により接着させてマスク基材を形成する際に用いられる易接着層としては、支持基材およびレーザー吸収層を容易に剥離することが可能な接着力により接着させることができるものであれば特に限定されるものではない。なお、ここでの「容易に剥離することが可能な接着力」とは、後述する開口部形成工程においてレーザー吸収層から支持基材を剥離することができる程度の接着力を指す。   The easy-adhesion layer used when forming the mask base material by adhering the support base material and the laser-absorbing layer with the easy-adhesion layer is based on the adhesive force that allows the support base material and the laser-absorbing layer to be easily peeled off. There is no particular limitation as long as it can be adhered. The “adhesive force that can be easily peeled” here refers to an adhesive strength that can peel the support substrate from the laser absorbing layer in the opening forming step described later.

易接着層に用いられる材料としては、後述するレーザー光照射工程において照射されるレーザー光を透過する材料であれば特に限定されるものではない。易接着層がレーザー光を透過することにより、易接着層を介して支持基材側からレーザー吸収層にレーザー光を照射することができるからである。なお、具体的な易接着層の材料については、一般的に使用されている材料を用いることができるためここでの記載は省略する。   The material used for the easy-adhesion layer is not particularly limited as long as it is a material that transmits the laser light irradiated in the laser light irradiation step described later. This is because when the easy-adhesion layer transmits laser light, the laser absorption layer can be irradiated with laser light from the support substrate side through the easy-adhesion layer. In addition, about the material of a specific easily bonding layer, since the material generally used can be used, description here is abbreviate | omitted.

(b)密着工程
上記有機EL基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、上記レーザー吸収層および上記有機EL基板が対向するように配置して、上記有機EL基板および上記マスク基材を密着させる法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。すなわち、マスク基材および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材および有機EL基板を密着させる方法や、あるいは、有機EL基板上に配置されたマスク基材上に、後述するレーザー光照射工程において用いられるレーザー光を透過する重量物を配置して、マスク基材および有機EL基板を密着させる方法等が挙げられる。本発明においては、中でも前者に挙げた方法を用いることが好ましい。
以下、マスク基材および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材および有機EL基板を密着させる方法について具体的に説明する。
(B) Adhering Step A mask base material composed of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light faces the organic EL substrate so that the laser absorption layer and the organic EL substrate face each other. Examples of the method for arranging the organic EL substrate and the mask base material in close contact with each other include the following methods. That is, by providing a difference in the pressure between the space between the mask base material and the organic EL substrate and the outer peripheral space, the mask base material and the organic EL substrate are placed in close contact with each other, or disposed on the organic EL substrate. For example, a method of placing a heavy article that transmits laser light used in a laser light irradiation process described later on the mask base material to closely adhere the mask base material and the organic EL substrate may be used. In the present invention, it is particularly preferable to use the method mentioned above.
Hereinafter, a method for bringing the mask base material and the organic EL substrate into close contact with each other by providing a difference in pressure between the space between the mask base material and the organic EL substrate and the outer peripheral space will be described in detail.

まず、マスク基材および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設ける方法としては、例えば、減圧された空間にてマスク基材および有機EL基板を密着させ、その後、マスク基材および有機EL基板を常圧空間にさらす方法や、減圧された空間にてマスク基材および有機EL基板を密着させ、その後、マスク基材および有機EL基板の外周を加圧する方法が挙げられる。なお、マスク基材および有機EL基板を常圧空間にさらす場合における上記「常圧空間」としては、有機EL基板の劣化を抑制するという観点から、例えば酸素濃度および水分濃度が少なくとも1ppm以下であり、窒素やアルゴン等の不活性ガスで充填された空間であることが好ましい。   First, as a method for providing a difference in pressure between the space between the mask base material and the organic EL substrate and the outer peripheral space, for example, the mask base material and the organic EL substrate are brought into close contact with each other in a reduced pressure space, and then Examples include a method of exposing the mask base material and the organic EL substrate to a normal pressure space, and a method of bringing the mask base material and the organic EL substrate into close contact with each other in a decompressed space and then pressurizing the outer periphery of the mask base material and the organic EL substrate. It is done. The above-mentioned “normal pressure space” when the mask base material and the organic EL substrate are exposed to a normal pressure space is, for example, an oxygen concentration and a water concentration of at least 1 ppm or less from the viewpoint of suppressing deterioration of the organic EL substrate. A space filled with an inert gas such as nitrogen or argon is preferable.

ここで、上記「減圧された空間にてマスク基材および有機EL基板を密着」させる方法としては、所定の真空度に設定された真空チャンバー内において、外周部にシール剤が形成された有機EL基板とマスク基材とを対向させて配置し、有機EL基板とマスク基材とを接触させて、有機EL基板とマスク基材との間の空間を密封する方法や、真空チャンバー内において、治具等を用いて有機EL基板とマスク基材との間の空間を密封する方法が挙げられる。
なお、上記「治具」としては、例えば、磁性体および上記磁性体と磁力により密着する金属層が挙げられる。具体的には、有機EL基板の基板側およびマスク基材の支持基材側における外周部に、磁性体および上記磁性体と磁力により密着する金属層を形成することにより、有機EL基板とマスク基材とを密着させることができる。
Here, as a method of “adhering the mask base material and the organic EL substrate in a decompressed space”, an organic EL in which a sealant is formed on the outer periphery in a vacuum chamber set to a predetermined degree of vacuum. In a method of sealing the space between the organic EL substrate and the mask base material by placing the substrate and the mask base material facing each other and bringing the organic EL substrate and the mask base material into contact with each other, or in a vacuum chamber, The method of sealing the space between an organic electroluminescent board | substrate and a mask base material using a tool etc. is mentioned.
Examples of the “jig” include a magnetic body and a metal layer that is in close contact with the magnetic body by a magnetic force. Specifically, the organic EL substrate and the mask substrate are formed by forming a magnetic body and a metal layer in close contact with the magnetic body by a magnetic force on the outer peripheral portion on the substrate side of the organic EL substrate and the support base material side of the mask base material. The material can be brought into close contact.

上記「減圧された空間」の具体的な真空度としては、マスク基材および有機EL基板を常圧空間にさらした際や、マスク基材および有機EL基板の外周を加圧した際に、マスク基材および有機EL基板の間の空間とマスク基材および有機EL基板の外周の空間との圧力に差を設け、上記マスク基材および上記有機EL基板を十分に密着させることにより、後述するレーザー光照射工程においてレーザー光により除去されるレーザー吸収層の粉塵が画素領域に飛散するのを防ぐことができれば特に限定されるものではない。具体的には、常圧に比べて真空度の値ができるだけ大きいこと、すなわち、マスク基材および有機EL基板の間の空間の圧力の間が常圧に比べてできるだけ小さいことが好ましい。中でも、本工程においては、有機EL基板とマスク基材との間の空間が真空空間であることが好ましく、例えば、1×10−5Pa〜1×10Paの範囲内であることが好ましく、中でも1×10−5Pa〜1×10Paの範囲内であることが好ましく、特に1×10−5Pa〜1×10Paの範囲内であることが好ましい。 The specific degree of vacuum of the above-mentioned “depressed space” is that when the mask base material and the organic EL substrate are exposed to a normal pressure space, or when the outer periphery of the mask base material and the organic EL substrate is pressurized, A laser, which will be described later, is provided by providing a difference in pressure between the space between the base material and the organic EL substrate and the space around the mask base material and the organic EL substrate, and sufficiently adhering the mask base material and the organic EL substrate. There is no particular limitation as long as dust in the laser absorption layer removed by the laser light in the light irradiation step can be prevented from scattering into the pixel region. Specifically, it is preferable that the value of the degree of vacuum is as large as possible as compared with the normal pressure, that is, the space pressure between the mask base material and the organic EL substrate is as small as possible as compared with the normal pressure. Among these, in this step, the space between the organic EL substrate and the mask base material is preferably a vacuum space, and is preferably in the range of, for example, 1 × 10 −5 Pa to 1 × 10 4 Pa. Especially, it is preferable to be in the range of 1 × 10 −5 Pa to 1 × 10 3 Pa, and it is particularly preferable to be in the range of 1 × 10 −5 Pa to 1 × 10 2 Pa.

(2)レーザー光照射工程
本発明におけるレーザー光照射工程としては、上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極を囲う枠状の上記スペーサ部の外周に沿って、上記マスク基材側からレーザー光を照射して上記レーザー吸収層に切り取り線を形成する工程である。なお、密着工程として、例えば、上述したように、減圧された真空チャンバー内にてマスク基材および有機EL基板を密着させ、その後、真空チャンバー内に気体を流入させて加圧し、マスク基材および有機EL基板を密着させる方法を用いる場合には、例えば次のような方法により本工程を行うことができる。すなわち、ガラス等の透光性基材から構成される真空チャンバーに設置されたレーザー光透過窓等を介してレーザー光を照射し、レーザー吸収層に切り取り線を形成する方法である。
以下、本工程において用いられるレーザー光、本工程においてレーザー吸収層に形成される切り取り線および具体的なレーザー光照射工程について説明する。
(2) Laser light irradiation step As the laser light irradiation step in the present invention, the mask base material is formed along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion surrounding the pixel electrode of the pixel region of one color among the plurality of colors. This is a step of forming a cut line in the laser absorption layer by irradiating a laser beam from the side. In addition, as a contact | adherence process, as mentioned above, a mask base material and an organic electroluminescent board | substrate are closely_contact | adhered in the vacuum chamber decompressed, Then, gas is made to flow in into a vacuum chamber and it pressurizes, and a mask base material and In the case of using a method of closely attaching the organic EL substrate, this step can be performed by the following method, for example. That is, it is a method of irradiating a laser beam through a laser beam transmitting window or the like installed in a vacuum chamber composed of a transparent substrate such as glass and forming a cut line in the laser absorption layer.
Hereinafter, the laser beam used in this step, the cut line formed in the laser absorption layer in this step, and a specific laser beam irradiation step will be described.

(a)レーザー光
本工程に用いられるレーザー光としては、マスク基材の支持基材側からレーザー光を照射した際に上記支持基材を透過してレーザー吸収層を除去することが可能なものであれば特に限定されるものではない。レーザー光が有する波長域としては、本発明において用いられるマスク基材における支持基材を透過し、レーザー吸収層を効率的に除去することができる波長域であれば特に限定されるものではないが、例えば、紫外線領域であることが好ましい。具体的な紫外線領域としては、300nm〜400nmの範囲内であることが好ましく、中でも320nm〜380nmの範囲内であることが好ましく、特に340nm〜360nmの範囲内であることが好ましい。このような波長域を有するレーザー光としては、例えば、YAG、YVO等の固体レーザー、XeCl、XeF等のエキシマーレーザーや半導体レーザー等が挙げられる。
(A) Laser light The laser light used in this step is capable of removing the laser absorbing layer through the support substrate when irradiated with laser light from the support substrate side of the mask substrate. If it is, it will not specifically limit. The wavelength range of the laser beam is not particularly limited as long as it is a wavelength range that can pass through the support substrate in the mask substrate used in the present invention and efficiently remove the laser absorption layer. For example, it is preferable to be in the ultraviolet region. The specific ultraviolet region is preferably within a range of 300 nm to 400 nm, more preferably within a range of 320 nm to 380 nm, and particularly preferably within a range of 340 nm to 360 nm. Examples of laser light having such a wavelength range include solid lasers such as YAG and YVO 4 , excimer lasers such as XeCl and XeF, and semiconductor lasers.

(b)切り取り線
本工程において形成される切り取り線としては、上述したレーザー吸収層にレーザー光を照射することにより形成されるものであり、後述する開口部形成工程において支持基材とともに剥離されるレーザー吸収層、すなわち開口部を画定するものである。
(B) Cut line The cut line formed in this step is formed by irradiating the above-described laser absorption layer with laser light, and is peeled off together with the supporting substrate in the opening forming step described later. A laser absorbing layer, ie, an opening is defined.

本工程において、赤色の画素領域、緑色の画素領域、青色の画素領域がランダムに配置されている場合には、例えば図5(a)、(b)に例示するように、レーザー吸収層4bにおいて赤色の画素領域Rに対応する位置に開口部を形成するために、赤色の画素領域Rに形成された画素電極2を囲う枠状のスペーサ部の外周に沿って切り取り線Xが形成される。なお、図5(a)、(b)では、レーザー吸収層4bにおいて赤色の画素領域Rに対応する位置に開口部を形成する場合の一例であり、図示はしないが、レーザー吸収層において緑色の画素領域、あるいは青色の画素領域に対応する位置に開口部を形成する場合も同様である。また、図5(a)では、説明の簡単のためにスペーサ部について省略している。   In this step, when the red pixel region, the green pixel region, and the blue pixel region are randomly arranged, as illustrated in FIGS. 5A and 5B, for example, in the laser absorption layer 4b. In order to form an opening at a position corresponding to the red pixel region R, a cut line X is formed along the outer periphery of a frame-shaped spacer portion surrounding the pixel electrode 2 formed in the red pixel region R. FIGS. 5A and 5B show an example in which an opening is formed at a position corresponding to the red pixel region R in the laser absorption layer 4b. Although not shown, the laser absorption layer has a green color. The same applies to the case where the opening is formed at a position corresponding to the pixel region or the blue pixel region. In FIG. 5A, the spacer portion is omitted for the sake of simplicity.

また、本工程において、赤色の画素領域、緑色の画素領域、青色の画素領域が一列に配置されている場合には、例えば図6(a)、(b)に例示するように、レーザー吸収層4bにおいて赤色の画素領域Rに対応する位置に開口部を形成するために、一列に配置された赤色の画素領域Rにおける複数の画素電極2を囲う枠状のスペーサ部の外周に沿って切り取り線Xを形成してもよい。図6(a)、(b)では、レーザー吸収層4bにおいて赤色の画素領域Rに対応する位置に一括して開口部を形成する場合の一例であり、図示はしないが、緑色の画素領域G、あるいは青色の画素領域Bが一列に配置されている場合であって、レーザー吸収層において緑色の画素領域、あるいは青色の画素領域に対応する位置に一括して開口部を形成する場合も同様である。また、図6(a)では、説明の簡単のためにスペーサ部について省略している。さらに、図6(a)、(b)において説明していない符号については図1(a)〜(g)と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。   In this step, when the red pixel region, the green pixel region, and the blue pixel region are arranged in a line, as illustrated in FIGS. 6A and 6B, for example, the laser absorption layer In order to form an opening at a position corresponding to the red pixel region R in 4b, a cut line along the outer periphery of a frame-shaped spacer portion surrounding the plurality of pixel electrodes 2 in the red pixel region R arranged in a row X may be formed. FIGS. 6A and 6B show an example in which openings are collectively formed at positions corresponding to the red pixel region R in the laser absorption layer 4b. Although not shown, the green pixel region G is illustrated. The same applies to the case where the blue pixel regions B are arranged in a line and the openings are collectively formed at positions corresponding to the green pixel region or the blue pixel region in the laser absorption layer. is there. In FIG. 6A, the spacer portion is omitted for the sake of simplicity of explanation. Furthermore, since reference numerals not described in FIGS. 6A and 6B can be the same as those in FIGS. 1A to 1G, description thereof is omitted here.

本工程において形成される切り取り線としては、後述する開口部形成工程にて、支持基材とともに切り取り線により画定されたレーザー吸収層の一部を剥離することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば図7(a)に例示するように、レーザー光を連続して照射することによりストライプ状に切り取り線Xを形成してもよく、あるいは図7(b)に例示するように、レーザー光をショットとして照射することによりドット状に切り取り線Xを形成してもよい。   The tear line formed in this step is particularly limited as long as it can peel a part of the laser absorption layer defined by the tear line together with the support base material in the opening forming step described later. For example, as illustrated in FIG. 7A, the cut lines X may be formed in stripes by continuously irradiating laser light, or as illustrated in FIG. 7B. The cut line X may be formed in a dot shape by irradiating the laser beam as a shot.

(c)レーザー光照射工程
上述したレーザー光をマスク基材に照射してマスク基材におけるレーザー吸収層に切り取り線を形成する方法としては、開口部を形成する領域を画定するように切り取り線を形成することができる方法であれば特に限定されないが、複数の開口部を形成する場合には、開口部の数に応じて形成される切り取り線を、複数のレーザー光を用いて一括して形成することが好ましい。製造効率の向上を図ることができるからである。
(C) Laser light irradiation step As a method of irradiating the mask base material with the above-described laser light to form a cut line in the laser absorption layer of the mask base material, a cut line is defined so as to define a region for forming an opening. Although it is not particularly limited as long as it is a method that can be formed, in the case of forming a plurality of openings, cut lines formed according to the number of openings are collectively formed using a plurality of laser beams. It is preferable to do. This is because the manufacturing efficiency can be improved.

(3)開口部形成工程
本発明における開口部形成工程は、上記有機EL基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離して、上記レーザー吸収層に開口部を形成する工程である。
以下、本工程において形成される開口部および具体的な開口部形成工程について説明する。
(3) Opening part formation process The opening part formation process in this invention peels the said laser absorption layer enclosed by the cut line formed in the said support base material and the said laser beam irradiation process from the said organic electroluminescent board | substrate. And forming an opening in the laser absorption layer.
Hereinafter, the opening formed in this step and a specific opening forming step will be described.

(a)開口部
本工程において形成される開口部は、上記有機EL基板から、上記支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離することにより形成されるものである。
(A) Opening The opening formed in this step peels off the laser absorbing layer surrounded by the support base and the cut line formed in the laser light irradiation step from the organic EL substrate. It is formed by.

図8(a)は、レーザー光照射工程にて図5(b)に例示するように切り取り線Xを形成した場合に、本工程においてレーザー吸収層4bに開口部Pが形成された場合の一例を示す概略平面図である。また、図8(b)は、レーザー光照射工程にて図6(b)に例示するように切り取り線Xを形成した場合に、本工程においてレーザー吸収層4bに開口部Pが形成された場合の一例を示す概略平面図である。このように、本工程において形成される開口部の形状は、上述したレーザー光照射工程において形成される切り取り線に応じて適宜選択されるものであり、特に限定されるものではない。   FIG. 8A shows an example in which an opening P is formed in the laser absorption layer 4b in this step when the cut line X is formed as illustrated in FIG. 5B in the laser light irradiation step. It is a schematic plan view which shows. FIG. 8B shows the case where the opening P is formed in the laser absorption layer 4b in this step when the cut line X is formed as illustrated in FIG. 6B in the laser light irradiation step. It is a schematic plan view which shows an example. As described above, the shape of the opening formed in this step is appropriately selected according to the cut line formed in the laser light irradiation step described above, and is not particularly limited.

(b)開口部形成工程
本工程は、有機EL基板から支持基材および上記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた上記レーザー吸収層を剥離することにより、レーザー吸収層に開口部を形成することができる方法であれば特に限定されるものではない。
(B) Opening part formation process This process opens an opening to a laser absorption layer by peeling the said laser absorption layer surrounded by the support base material and the cutting line formed in the said laser beam irradiation process from an organic electroluminescent board | substrate. The method is not particularly limited as long as the method can form the part.

本工程では、有機EL基板から支持基材を剥離する際に、切り取り線により囲われたレーザー吸収層の一部が支持基材とともに剥離される。そのため、支持基材と切り取り線により囲われたレーザー吸収層の一部とが所定の密着性を有することが好ましい。支持基材と切り取り線により囲われたレーザー吸収層の一部との間に所定の密着性を付与する方法としては、例えば、支持基材とともに剥離するレーザー吸収層の一部に所定のエネルギーを有するレーザー光を照射して、レーザー吸収層の一部を支持基材に溶着させる方法が挙げられる。具体的には、まず、図9(a)に例示するように、マスク基材の支持基材4a側からレーザー光Lを照射してレーザー吸収層4bに切り取り線Xを形成する。なお、図9(a)は、赤色の画素領域Rにおける画素電極2を囲うように形成された枠状のスペーサ部3の外周に沿って切り取り線Xを形成する場合を示す一例である。次に、図9(b)に例示するように、マスク基材の支持基材4a側から、切り取り線Xにより囲われた赤色の画素領域Rに対応する領域のレーザー吸収層4bに、図9(a)において用いられたレーザー光Lよりも弱いエネルギーを有するレーザー光Lsを照射する。これにより、赤色の画素領域Rに対応する領域のレーザー吸収層4bが支持基材4aに溶着し、図9(c)に例示するように、有機EL基板から支持基材4aを剥離する際に、赤色の画素領域Rに対応する領域のレーザー吸収層4bを支持基材4aとともに有機EL基板から容易に剥離することが可能になる。なお、図9(a)〜(c)において説明していない符号については、図1と同様とすることができるためここでの説明は省略する。   In this step, when the supporting base material is peeled from the organic EL substrate, a part of the laser absorption layer surrounded by the cut line is peeled together with the supporting base material. Therefore, it is preferable that the supporting substrate and a part of the laser absorption layer surrounded by the cut line have predetermined adhesion. As a method for imparting a predetermined adhesion between the support substrate and a part of the laser absorption layer surrounded by the cut line, for example, a predetermined energy is applied to a part of the laser absorption layer to be peeled off together with the support substrate. The method of irradiating the laser beam which has and welding a part of laser absorption layer to a support base material is mentioned. Specifically, first, as illustrated in FIG. 9A, the cut line X is formed in the laser absorption layer 4b by irradiating the laser light L from the support base material 4a side of the mask base material. FIG. 9A is an example showing a case where the cut line X is formed along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion 3 formed so as to surround the pixel electrode 2 in the red pixel region R. Next, as illustrated in FIG. 9B, the laser absorbing layer 4 b in the region corresponding to the red pixel region R surrounded by the cut line X is formed on the mask base material from the support base material 4 a side. The laser beam Ls having an energy weaker than that of the laser beam L used in (a) is irradiated. Thereby, the laser absorption layer 4b in the region corresponding to the red pixel region R is welded to the support base material 4a, and when the support base material 4a is peeled from the organic EL substrate as illustrated in FIG. 9C. The laser absorption layer 4b in the region corresponding to the red pixel region R can be easily peeled from the organic EL substrate together with the support base 4a. In addition, about the code | symbol which is not demonstrated in Fig.9 (a)-(c), since it can be made the same as that of FIG. 1, description here is abbreviate | omitted.

(4)有機EL層形成工程
本発明における有機EL層形成工程は、上記開口部を介して上記複数色の中の一色の上記画素領域の上記画素電極上に、少なくとも当該色の上記発光層を有する有機EL層を形成する工程である。
以下、本工程において形成される有機EL層および具体的な有機EL層形成工程について説明する。
(4) Organic EL layer forming step In the organic EL layer forming step of the present invention, at least the light emitting layer of the color is provided on the pixel electrode of the pixel region of one color among the plurality of colors through the opening. This is a step of forming an organic EL layer.
Hereinafter, the organic EL layer formed in this step and a specific organic EL layer forming step will be described.

(a)有機EL層
有機EL層を構成する有機層としては、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。
以下、有機EL層を構成する各有機層について説明する。
(A) Organic EL layer As an organic layer which comprises an organic EL layer, a positive hole injection layer, a positive hole transport layer, an electron injection layer, an electron transport layer, etc. other than a light emitting layer are mentioned.
Hereinafter, each organic layer constituting the organic EL layer will be described.

(i)発光層
本工程においては、複数色の発光層が形成される。発光色の種類としては、製造する有機EL表示装置の用途等に応じて適宜選択されるものであり、例えば、赤色、緑色、青色の3色の発光層を形成してもよく、赤色、緑色、青色、白色の4色の発光層を形成してもよい。
(I) Light emitting layer In this step, a light emitting layer of a plurality of colors is formed. The type of luminescent color is appropriately selected according to the application of the organic EL display device to be manufactured. For example, three luminescent layers of red, green, and blue may be formed. , Blue and white light emitting layers of four colors may be formed.

発光層に用いられる発光材料としては、蛍光もしくは燐光を発するものであればよく例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等を挙げることができる。なお、具体的な色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料については、一般的に用いられるものと同様とすることができるため、ここでの記載は省略する。   The light emitting material used for the light emitting layer may be any material that emits fluorescence or phosphorescence, and examples thereof include dye materials, metal complex materials, and polymer materials. Note that specific pigment materials, metal complex materials, and polymer materials can be the same as those generally used, and thus description thereof is omitted here.

発光層の厚みとしては、電子および正孔の再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば10nm〜500nm程度にすることができる。   The thickness of the light-emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a function of emitting light by providing a recombination field of electrons and holes, and may be, for example, about 10 nm to 500 nm. it can.

(ii)正孔注入輸送層
本工程において形成される有機EL層としては、発光層と陽極との間に正孔注入輸送層が形成されていてもよい。
正孔注入輸送層は、正孔注入機能を有する正孔注入層であってもよく、正孔輸送機能を有する正孔輸送層であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
(Ii) Hole Injecting and Transporting Layer As the organic EL layer formed in this step, a hole injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the anode.
The hole injection transport layer may be a hole injection layer having a hole injection function, or a hole transport layer having a hole transport function, and the hole injection layer and the hole transport layer are laminated. And may have both a hole injection function and a hole transport function.

正孔注入輸送層に用いられる材料としては、発光層への正孔の注入、輸送を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、一般的な材料を用いることができる。   The material used for the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection and transportation of holes to the light emitting layer, and a general material can be used. .

正孔注入輸送層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には0.5nm〜1000nmの範囲内、中でも10nm〜500nmの範囲内であることが好ましい。   The thickness of the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as the hole injecting function and the hole transporting function are sufficiently exhibited. Specifically, the thickness is in the range of 0.5 nm to 1000 nm, particularly 10 nm to It is preferable to be in the range of 500 nm.

(iii)電子注入輸送層
本工程において形成される有機EL層としては、発光層と陰極との間に電子注入輸送層が形成されていてもよい。
電子注入輸送層は、電子注入機能を有する電子注入層であってもよく、電子輸送機能を有する電子輸送層であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有するものであってもよい。
(Iii) Electron Injecting and Transporting Layer As the organic EL layer formed in this step, an electron injecting and transporting layer may be formed between the light emitting layer and the cathode.
The electron injection / transport layer may be an electron injection layer having an electron injection function, may be an electron transport layer having an electron transport function, or may be a laminate of an electron injection layer and an electron transport layer. It may have both an electron injection function and an electron transport function.

電子注入層に用いられる材料としては、発光層への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、また、電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではない。
電子注入層および電子輸送層に用いられる具体的な材料としては、一般的な材料を用いることができる。
The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer, and the material used for the electron transport layer is from the cathode. The material is not particularly limited as long as the injected electrons can be transported to the light emitting layer.
A general material can be used as a specific material used for the electron injection layer and the electron transport layer.

電子注入輸送層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。   The thickness of the electron injection / transport layer is not particularly limited as long as the electron injection function and the electron transport function are sufficiently exhibited.

(b)有機EL層形成工程
本工程は、上述した有機EL層を画素電極上に形成する工程を有する。なお、ここでは有機EL層が、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の順で積層される場合について説明する。
(B) Organic EL layer formation process This process has the process of forming the organic EL layer mentioned above on a pixel electrode. Here, a case where the organic EL layer is laminated in the order of the hole injection transport layer, the light emitting layer, and the electron injection transport layer will be described.

正孔注入輸送層の形成方法としては、少なくとも画素電極上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた正孔注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、上述したマスク基材を用いた真空蒸着法等のドライプロセス等が挙げられる。   The method for forming the hole injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can be formed on at least the pixel electrode, and is appropriately selected according to the kind of material. For example, a wet process in which a coating solution for forming a hole injecting and transporting layer in which a material or the like is dissolved or dispersed in a solvent, a dry process such as a vacuum deposition method using the above-described mask substrate, and the like can be given.

次に、発光層の形成方法としては、上述したマスク基材を用いた真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。   Next, as a formation method of a light emitting layer, dry processes, such as a vacuum evaporation method using the mask base material mentioned above, are mentioned.

次に、電子注入輸送層の形成方法としては、上記発光層上に形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、材料の種類等に応じて適宜選択される。例えば、材料等を溶媒に溶解もしくは分散させた電子注入輸送層形成用塗工液を塗布するウェットプロセスや、上述したマスク基材を用いた真空蒸着法等のドライプロセスが挙げられる。   Next, the method for forming the electron injecting and transporting layer is not particularly limited as long as it can be formed on the light emitting layer, and is appropriately selected according to the type of material. For example, a dry process such as a wet process in which a coating solution for forming an electron injecting and transporting layer in which a material or the like is dissolved or dispersed in a solvent, or a vacuum deposition method using the above-described mask base material is used.

(5)有機EL層塗り分け工程
本発明における有機EL層塗り分け工程においては、次にような工程順により、各有機層を塗り分ける方法が挙げられる。例えば、レーザー吸収層の第1の色の画素領域に開口部を形成して、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層等の複数の有機層を形成し、その後、新たなマスク基材を用いてレーザー吸収層の第2の色の画素領域に開口部を形成し、正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層等の複数の有機層を形成する工程を、画素領域の色の数分繰り返すことにより各有機層を塗り分ける方法や、また、レーザー吸収層の第1の色の画素領域に開口部を形成して正孔注入輸送層を形成し、次いで、レーザー吸収層の第2の色の画素領域に開口部を形成して正孔注入輸送層を形成する工程を画素領域の色の数分繰り返し、その後、同様の方法により発光層および電子注入輸送層を形成する工程を行うことにより、各有機層を塗り分ける方法が挙げられる。本発明においては、前者に示す工程順により各有機層を塗り分けることが、製造効率の観点から好ましい。
(5) Organic EL layer coating step In the organic EL layer coating step in the present invention, there is a method of coating each organic layer in the following process order. For example, an opening is formed in the pixel region of the first color of the laser absorption layer to form a plurality of organic layers such as a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and an electron injecting and transporting layer. Forming a plurality of organic layers such as a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and an electron injecting and transporting layer in the pixel region of the second color of the laser absorption layer using a material, A method of coating each organic layer by repeating the number of colors, or forming a hole injection transport layer by forming an opening in the pixel region of the first color of the laser absorption layer, and then the laser absorption layer The step of forming an opening in the pixel region of the second color and forming the hole injecting and transporting layer is repeated for the number of colors of the pixel region, and then the light emitting layer and the electron injecting and transporting layer are formed by the same method. By performing the process, there is a method to paint each organic layer separately It is. In the present invention, it is preferable from the viewpoint of production efficiency that each organic layer is applied separately according to the order of steps shown in the former.

また、有機EL層塗り分け工程においては、第1の色の画素領域に有機EL層を形成するために、上述した密着工程、レーザー光照射工程、開口部形成工程、および有機EL層形成工程を行った後には、第1の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機EL基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行い、その後に、第2の色の画素領域に有機EL層を形成するための各工程が繰り返し行われる。したがって、例えば図1(e)に示すように、赤色の画素領域Rに開口部を有するレーザー吸収層4bを用いた工程を終えた後には、当該赤色の画素領域Rに開口部を有するレーザー吸収層4bを有機EL基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行い、その後に、緑色または青色の画素領域に開口部を形成して有機EL層を形成する工程に移る。   In addition, in the organic EL layer coating step, in order to form the organic EL layer in the pixel region of the first color, the above-described adhesion step, laser light irradiation step, opening formation step, and organic EL layer formation step are performed. After performing, the laser absorption layer peeling process which peels the laser absorption layer which has an opening part in the pixel area of the 1st color from an organic EL substrate is performed, Then, an organic EL layer is applied to the pixel area of the 2nd color Each process for forming is repeated. Therefore, for example, as shown in FIG. 1E, after the process using the laser absorption layer 4b having an opening in the red pixel region R is completed, the laser absorption having the opening in the red pixel region R is completed. A laser absorption layer peeling process for peeling the layer 4b from the organic EL substrate is performed, and then the process proceeds to a process of forming an organic EL layer by forming an opening in a green or blue pixel region.

有機EL基板からレーザー吸収層を剥離する方法としては特に限定されるものではなく、例えば、レーザー吸収層に粘着層を有する基材を貼りつけて有機EL基板からレーザー吸収層を剥離する方法や、ピーラー等を用いた物理的手法により有機EL基板からレーザー吸収層を剥離する方法等が挙げられる。また、マスク基材および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力に差を設けることにより、マスク基材と有機EL基板とを減圧密封して密着させた場合には、レーザー吸収層剥離工程として次のような方法が挙げられる。すなわち、レーザー吸収層の所定の位置にレーザー光を照射して貫通孔を形成し、上記貫通孔より減圧密封されたレーザー吸収層と有機EL基板との間に気体を流入させて、レーザー吸収層および有機EL基板の間の空間とその外周の空間との圧力の差を解消することにより、有機EL基板からレーザー吸収層を剥離する方法が挙げられる。なお、上記貫通孔は、例えば、図1(e)、図8(a)に示すように、赤色の画素領域Rに開口部を有するレーザー吸収層4bの場合には、緑色の画素領域Gおよび青色の画素領域Bに対応するレーザー吸収層4bに形成される。   The method of peeling the laser absorption layer from the organic EL substrate is not particularly limited, for example, a method of attaching a base material having an adhesive layer to the laser absorption layer and peeling the laser absorption layer from the organic EL substrate, Examples thereof include a method of peeling the laser absorption layer from the organic EL substrate by a physical method using a peeler or the like. In addition, by providing a difference in the pressure between the space between the mask base material and the organic EL substrate and the outer peripheral space, when the mask base material and the organic EL substrate are sealed under reduced pressure, they absorb laser. The following method is mentioned as a layer peeling process. That is, a laser beam is irradiated to a predetermined position of the laser absorption layer to form a through hole, and a gas is allowed to flow between the laser absorption layer sealed under reduced pressure from the through hole and the organic EL substrate, so that the laser absorption layer And the method of peeling a laser absorption layer from an organic EL substrate by eliminating the difference in pressure between the space between the organic EL substrate and the outer peripheral space. For example, as shown in FIGS. 1 (e) and 8 (a), the through hole is formed in the green pixel region G and the laser absorbing layer 4b having an opening in the red pixel region R. It is formed on the laser absorption layer 4b corresponding to the blue pixel region B.

具体的には、次のような工程順により有機EL層塗り分け工程を行うことができる。
以下、本発明における有機EL層塗り分け工程の具体例について図を参照しながら説明する。
例えば、図10(a)に例示するような工程順により有機EL層塗り分け工程を行うことができる。すなわち、有機EL基板形成工程後に密着工程を行い、次いでレーザー光照射工程を行うことにより、レーザー吸収層において第1の色の画素領域に対応する領域を囲うように切り取り線を形成して、その後、支持基材および切り取り線で囲われたレーザー吸収層の一部を剥離することにより開口部を形成する開口部形成工程を行う。このようにして得られた第1の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を用いて、第1の色の画素領域に正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層を順に形成する。最後に、第1の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機EL基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。第1の色の画素領域への有機EL層の形成方法と同様に、密着工程、レーザー光照射工程、開口部形成工程を行うことにより、第2の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を形成し、上記レーザー吸収層を用いて第2の色の画素領域に正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層を順に形成する。最後に、第2の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機EL基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。図10(a)の矢印に示すように、画素領域の種類に応じて上述した工程を繰り返し行うことにより正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の塗り分けを行い、最後に後述する上部電極形成工程を行うことにより、本発明における有機EL表示装置を得ることができる。
Specifically, the organic EL layer coating step can be performed in the following order of steps.
Hereinafter, specific examples of the organic EL layer coating step in the present invention will be described with reference to the drawings.
For example, the organic EL layer coating step can be performed in the order of steps illustrated in FIG. That is, by performing an adhesion process after the organic EL substrate formation process, and then performing a laser light irradiation process, a cut line is formed so as to surround the area corresponding to the pixel area of the first color in the laser absorption layer, and thereafter Then, an opening portion forming step is performed in which an opening portion is formed by peeling off a part of the laser absorbing layer surrounded by the support base and the cut line. Using the laser absorption layer having an opening in the first color pixel region thus obtained, a hole injection transport layer, a light emitting layer, and an electron injection transport layer are sequentially formed in the first color pixel region. To do. Finally, a laser absorption layer peeling process is performed for peeling the laser absorption layer having an opening in the pixel area of the first color from the organic EL substrate. Similar to the method of forming the organic EL layer in the first color pixel region, the laser absorption having the opening in the second color pixel region by performing the adhesion step, the laser light irradiation step, and the opening formation step. A layer is formed, and a hole injecting and transporting layer, a light emitting layer, and an electron injecting and transporting layer are sequentially formed in the pixel region of the second color using the laser absorption layer. Finally, a laser absorption layer peeling process is performed for peeling the laser absorption layer having an opening in the pixel region of the second color from the organic EL substrate. As shown by the arrows in FIG. 10A, the hole injection / transport layer, the light-emitting layer, and the electron injection / transport layer are separately applied by repeating the above-described process according to the type of the pixel region. By performing the upper electrode forming step, the organic EL display device of the present invention can be obtained.

その他にも、図10(b)に例示するような工程順により有機EL層塗り分け工程を行うことができる。すなわち、有機EL基板形成工程を行い、得られた有機EL基板上に正孔注入輸送層を形成する正孔注入輸送層形成工程を行う。その後、密着工程を行い、次いでレーザー光照射工程を行うことにより、レーザー吸収層において第1の色の画素領域に対応する領域を囲うように切り取り線を形成して、その後、支持基材および切り取り線で囲われたレーザー吸収層の一部を剥離することにより開口部を形成する開口部形成工程を行う。このようにして得られた第1の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を用いて、第1の色の画素領域に発光層を形成する。最後に、第1の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機EL基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。第1の色の画素領域への発光層の形成方法と同様に、密着工程、レーザー光照射工程、開口部形成工程を行うことにより、第2の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を形成し、上記レーザー吸収層を用いて第2の色の画素領域に発光層を形成する。最後に、第2の色の画素領域に開口部を有するレーザー吸収層を有機EL基板から剥離するレーザー吸収層剥離工程を行う。図10(b)の矢印に示すように、画素領域の種類に応じて上述した工程を繰り返し行うことにより発光層の塗り分けを行い、最後に後述する上部電極形成工程を行うことにより、本発明における有機EL表示装置を得ることができる。   In addition, the organic EL layer coating step can be performed in the order of steps illustrated in FIG. That is, an organic EL substrate forming step is performed, and a hole injecting and transporting layer forming step for forming a hole injecting and transporting layer on the obtained organic EL substrate is performed. Thereafter, an adhesion process is performed, and then a laser beam irradiation process is performed to form a cut line so as to surround an area corresponding to the pixel area of the first color in the laser absorption layer. An opening forming step of forming an opening by peeling a part of the laser absorption layer surrounded by the line is performed. A light emitting layer is formed in the pixel region of the first color using the laser absorption layer having an opening in the pixel region of the first color obtained in this way. Finally, a laser absorption layer peeling process is performed for peeling the laser absorption layer having an opening in the pixel area of the first color from the organic EL substrate. Similar to the method of forming the light emitting layer in the first color pixel region, the laser absorbing layer having the opening in the second color pixel region by performing the adhesion process, the laser light irradiation process, and the opening forming process. And a light emitting layer is formed in the pixel region of the second color using the laser absorption layer. Finally, a laser absorption layer peeling process is performed for peeling the laser absorption layer having an opening in the pixel region of the second color from the organic EL substrate. As shown by the arrow in FIG. 10B, the above-described steps are repeated according to the type of the pixel region to separately coat the light emitting layer, and finally the upper electrode forming step described later is performed to thereby complete the present invention. An organic EL display device can be obtained.

3.上部電極形成工程
本発明における上部電極形成工程は、上記有機EL層が形成された上記有機EL基板上に上部電極を形成することができれば特に限定されるものではない。
以下、本工程において形成される上部電極および具体的な上部電極形成工程について説明する。
3. Upper electrode formation process The upper electrode formation process in this invention will not be specifically limited if an upper electrode can be formed on the said organic EL board | substrate with which the said organic EL layer was formed.
Hereinafter, the upper electrode formed in this step and a specific upper electrode forming step will be described.

(1)上部電極
本工程における上部電極は、有機EL層が形成された有機EL基板上に形成されるものである。このような上部電極は、光透過性を有していてもよく、有さなくてもよい
(1) Upper electrode The upper electrode in this process is formed on the organic EL substrate on which the organic EL layer is formed. Such an upper electrode may or may not have optical transparency.

上部電極は、陽極および陰極のいずれであってもよい。
上部電極が陽極である場合には、抵抗が小さいことが好ましく、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陽極には、正孔が注入しやすいように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、Au、Cr、Mo等の金属;酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛、酸化インジウム等の無機酸化物;金属ドープされたポリチオフェン等の導電性高分子等が挙げられる。これらの導電性材料は、単独で用いても、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。2種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。
The upper electrode may be either an anode or a cathode.
When the upper electrode is an anode, it is preferable that the resistance is small, and generally a metal material which is a conductive material is used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the anode, a conductive material having a large work function is preferably used so that holes can be easily injected. Examples thereof include metals such as Au, Cr, and Mo; inorganic oxides such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide, and indium oxide; and conductive polymers such as metal-doped polythiophene. It is done. These conductive materials may be used alone or in combination of two or more. When two or more types are used, layers made of each material may be stacked.

また、上部電極が陰極である場合には、一般的には導電性材料である金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
陰極には、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましい。例えば、MgAg等のマグネシウム合金、AlLi、AlCa、AlMg等のアルミニウム合金、Li、Cs、Ba、Sr、Ca等のアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等が挙げられる。
When the upper electrode is a cathode, a metal material that is a conductive material is generally used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
For the cathode, it is preferable to use a conductive material having a low work function so that electrons can be easily injected. Examples thereof include magnesium alloys such as MgAg, aluminum alloys such as AlLi, AlCa, and AlMg, and alloys of alkali metals and alkaline earth metals such as Li, Cs, Ba, Sr, and Ca.

(2)上部電極形成工程
上部電極の形成方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、EB蒸着法、イオンプレーティング法等のPVD法、またはCVD法等を挙げることができる。
(2) Upper electrode forming step As a method for forming the upper electrode, a general electrode forming method can be used. For example, a PVD method such as a vacuum evaporation method, a sputtering method, an EB evaporation method, an ion plating method, Or CVD method etc. can be mentioned.

4.その他の工程
本発明においては、上述した工程を有していれば特に限定されるものではなく、その他の工程を有していてもよい。その他の工程としては、例えば、有機EL表示装置を封止基板により封止する封止工程が挙げられる。
以下、封止基板について説明する。
4). Other Steps The present invention is not particularly limited as long as it has the steps described above, and may have other steps. As another process, the sealing process which seals an organic EL display device with a sealing substrate is mentioned, for example.
Hereinafter, the sealing substrate will be described.

封止基板は光透過性を有していてもよく有さなくてもよい。また、封止基板は、可撓性を有していてもよく有さなくてもよく、有機EL表示装置の用途により適宜選択される。   The sealing substrate may or may not have optical transparency. Further, the sealing substrate may or may not have flexibility, and is appropriately selected depending on the use of the organic EL display device.

封止基板の材料としては、一般的に封止基板に用いらる材料であれば特に限定されるものではなく、例えば、石英、ガラス等の無機材料や、アクリル樹脂、COPと称されるシクロオレフィンポリマー、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂が挙げられる。
また、樹脂製の封止基板の表面にはガスバリア層が形成されていてもよい。
The material of the sealing substrate is not particularly limited as long as it is a material generally used for the sealing substrate. For example, inorganic materials such as quartz and glass, acrylic resin, and cyclohexane called COP are used. Examples thereof include resins such as olefin polymers, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyphenylene sulfide, polyimide, polyamide imide, polyether sulfone, polyether imide, and polyether ether ketone.
A gas barrier layer may be formed on the surface of the resin sealing substrate.

封止基板の厚みとしては、封止基板の材料および有機EL表示装置の用途により適宜選択される。具体的に、封止基板の厚みは0.001mm〜5mm程度である。   The thickness of the sealing substrate is appropriately selected depending on the material of the sealing substrate and the use of the organic EL display device. Specifically, the thickness of the sealing substrate is about 0.001 mm to 5 mm.

B.有機EL表示装置形成用マスク基材
本発明の有機EL表示装置形成用マスク基材は、上述の有機EL表示装置の製造方法に用いられるものであって、レーザー光を透過する支持基材と、上記支持基材上に形成され、レーザー光を吸収するレーザー吸収層とを有することを特徴とするものである。なお、以下、有機EL表示装置形成用マスク基材をマスク基材と略す場合がある。
B. Organic EL display device forming mask base material The organic EL display device forming mask base material of the present invention is used in the above-described organic EL display device manufacturing method, and a supporting base material that transmits laser light; It has the laser absorption layer which is formed on the said support base material and absorbs a laser beam, It is characterized by the above-mentioned. Hereinafter, the mask substrate for forming an organic EL display device may be abbreviated as a mask substrate.

本発明のマスク基材は、上述の有機EL表示装置の製造方法に用いることができる。したがって、次のような効果を得ることができる。すなわち、本発明においては、マスク基材がレーザー光を透過する支持基材とレーザー光を吸収するレーザー吸収層との2層を有するため、レーザー光照射工程において切り取り線を形成した後に支持基材を剥離することによって、支持基材とともに、切り取り線により囲われたレーザー吸収層を部分的に剥離することができ、レーザー吸収層に所望の開口部を容易に形成することができる。さらに、マスク基材が支持基材およびレーザー吸収層の2層を有するため、マスク基材にレーザー光を照射してレーザー吸収層に切り取り線を形成した際に、支持基材によってマスク基材と有機EL基板との間の空間を密閉状態に保つことができる。これにより、レーザー光により除去されたレーザー吸収層の粉塵が広い領域に飛散し、有機EL表示装置の表示特性が低下するという不具合を抑制することができる。   The mask base material of this invention can be used for the manufacturing method of the above-mentioned organic electroluminescence display. Therefore, the following effects can be obtained. That is, in the present invention, since the mask base material has two layers of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light, the support base material is formed after forming a cut line in the laser light irradiation step. By peeling off, the laser absorbing layer surrounded by the tear line can be partly peeled together with the supporting substrate, and a desired opening can be easily formed in the laser absorbing layer. Furthermore, since the mask base material has two layers of the support base material and the laser absorption layer, when the mask base material is irradiated with laser light to form a cut line in the laser absorption layer, the support base material and the mask base material The space between the organic EL substrate can be kept sealed. Thereby, the malfunction that the dust of the laser absorption layer removed by the laser beam scatters to a wide area | region, and the display characteristic of an organic electroluminescent display apparatus falls can be suppressed.

上記マスク基材については、上記「A.有機EL表示装置の製造方法 2.有機EL層塗り分け工程 (1)密着工程 (a)マスク基材」の項に記載したものと同様であるため、ここでの説明は省略する。   About the said mask base material, since it is the same as that of what was described in the above-mentioned "A. Manufacturing method of an organic EL display device 2. Organic EL layer coating process (1) Adhesion process (a) Mask base material", The description here is omitted.

本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.

1 … 基板
2 … 画素電極
3 … スペーサ部
4a … 支持基材
4b … レーザー吸収層
5 … 有機EL層
6 … 上部電極
10 … 有機EL基板
100… 有機EL表示装置
X … 切り取り線
P … 開口部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Pixel electrode 3 ... Spacer part 4a ... Support base material 4b ... Laser absorption layer 5 ... Organic EL layer 6 ... Upper electrode 10 ... Organic EL substrate 100 ... Organic EL display device X ... Cut line P ... Opening part

Claims (2)

基板、前記基板上に形成され、複数色の画素領域を形成する複数の画素電極、前記画素電極を囲うように枠状に形成されたスペーサ部、前記画素領域に形成された少なくとも発光層を有する複数色の有機エレクトロルミネッセンス層、および前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された上部電極、を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、前記画素領域に、前記複数色の有機エレクトロルミネッセンス層を塗り分ける有機エレクトロルミネッセンス層塗り分け工程を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス層塗り分け工程は、前記基板上に前記画素電極および前記スペーサ部が形成された有機エレクトロルミネッセンス基板に、レーザー光を透過する支持基材およびレーザー光を吸収するレーザー吸収層から構成されたマスク基材を、前記レーザー吸収層および前記有機エレクトロルミネッセンス基板が対向するように配置して、前記有機エレクトロルミネッセンス基板および前記マスク基材を密着させる密着工程と、
前記複数色の中の一色の前記画素領域の前記画素電極を囲う枠状の前記スペーサ部の外周に沿って、前記マスク基材側からレーザー光を照射して前記レーザー吸収層に切り取り線を形成するレーザー光照射工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス基板から、前記支持基材および前記レーザー光照射工程にて形成された切り取り線により囲われた前記レーザー吸収層を剥離して、前記レーザー吸収層に開口部を形成する開口部形成工程と、
前記開口部を介して当該色の前記画素領域の前記画素電極上に、当該色の前記発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程とを有し、
前記密着工程、前記レーザー光照射工程、前記開口部形成工程、および前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程が前記複数色の色の数分繰り返し行われることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
A substrate, a plurality of pixel electrodes formed on the substrate and forming pixel regions of a plurality of colors, a spacer portion formed in a frame shape so as to surround the pixel electrodes, and at least a light emitting layer formed in the pixel region An organic electroluminescence display device manufacturing method for manufacturing an organic electroluminescence display device having an organic electroluminescence layer of a plurality of colors and an upper electrode formed on the organic electroluminescence layer,
The manufacturing method of the organic electroluminescence display device includes an organic electroluminescence layer coating step for coating the organic electroluminescence layer of the plurality of colors on the pixel region,
The organic electroluminescence layer coating step is composed of a support base material that transmits laser light and a laser absorption layer that absorbs laser light on the organic electroluminescence substrate in which the pixel electrode and the spacer portion are formed on the substrate. An adhesion step of placing the mask base material so that the laser absorption layer and the organic electroluminescence substrate face each other, and bringing the organic electroluminescence substrate and the mask base material into close contact with each other;
A laser beam is irradiated from the mask substrate side along the outer periphery of the frame-shaped spacer portion surrounding the pixel electrode of the pixel region of one color of the plurality of colors to form a cut line in the laser absorption layer Laser light irradiation process to
Forming an opening in the laser absorption layer by peeling the laser absorption layer surrounded by the support substrate and the cut line formed in the laser light irradiation step from the organic electroluminescence substrate Process,
An organic electroluminescence layer forming step of forming an organic electroluminescence layer having the light emitting layer of the color on the pixel electrode of the pixel region of the color through the opening;
The method for manufacturing an organic electroluminescence display device, wherein the adhesion step, the laser light irradiation step, the opening portion formation step, and the organic electroluminescence layer formation step are repeated for the number of colors of the plurality of colors.
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に用いられる有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用マスク基材であって、
レーザー光を透過する支持基材と、
前記支持基材上に形成され、レーザー光を吸収するレーザー吸収層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置形成用マスク基材。
A mask base material for forming an organic electroluminescence display device used in the method for producing an organic electroluminescence display device according to claim 1,
A support substrate that transmits laser light;
A mask base material for forming an organic electroluminescence display device, comprising: a laser absorption layer that is formed on the support base material and absorbs laser light.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107331791A (en) * 2017-07-20 2017-11-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 Organic electroluminescence display panel and preparation method thereof, organic light-emitting display device
US10032836B2 (en) 2015-10-02 2018-07-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with spacer on pixel definition layer and method for manufacturing the same
JP6543000B1 (en) * 2018-03-05 2019-07-10 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic EL display device
JP2019167632A (en) * 2019-06-13 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition mask, method for manufacturing the same and method for manufacturing organic el display
JP2019210553A (en) * 2017-09-15 2019-12-12 凸版印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask having glass substrate and mask sheet having glass substrate
CN111863890A (en) * 2020-07-07 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and display device
US11610948B2 (en) 2020-07-07 2023-03-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED with butterfly-shaped spacer

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013065446A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 V Technology Co Ltd Thin film pattern forming method
JP2013077541A (en) * 2011-09-16 2013-04-25 V Technology Co Ltd Thin film pattern formation method and manufacturing method for organic el display device
JP2013134847A (en) * 2011-12-26 2013-07-08 Panasonic Corp Display panel manufacturing method and display panel
JP2014091860A (en) * 2012-11-06 2014-05-19 V Technology Co Ltd Production method of vapor deposition mask
US20140199808A1 (en) * 2011-09-16 2014-07-17 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013065446A (en) * 2011-09-16 2013-04-11 V Technology Co Ltd Thin film pattern forming method
JP2013077541A (en) * 2011-09-16 2013-04-25 V Technology Co Ltd Thin film pattern formation method and manufacturing method for organic el display device
US20140199808A1 (en) * 2011-09-16 2014-07-17 V Technology Co., Ltd. Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern
JP2013134847A (en) * 2011-12-26 2013-07-08 Panasonic Corp Display panel manufacturing method and display panel
JP2014091860A (en) * 2012-11-06 2014-05-19 V Technology Co Ltd Production method of vapor deposition mask

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10032836B2 (en) 2015-10-02 2018-07-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with spacer on pixel definition layer and method for manufacturing the same
CN107331791B (en) * 2017-07-20 2019-01-29 上海天马有机发光显示技术有限公司 Organic light emitting display panel and preparation method thereof, organic light-emitting display device
US10199442B1 (en) 2017-07-20 2019-02-05 Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. Organic light-emitting display panel, method for preparing the same, and organic light-emitting display device
CN107331791A (en) * 2017-07-20 2017-11-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 Organic electroluminescence display panel and preparation method thereof, organic light-emitting display device
JP2019210553A (en) * 2017-09-15 2019-12-12 凸版印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask having glass substrate and mask sheet having glass substrate
US10957882B2 (en) 2018-03-05 2021-03-23 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition mask, production method therefor, and production method for organic EL display device
WO2019171432A1 (en) * 2018-03-05 2019-09-12 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition mask, production method therefor, and production method for organic el display device
JP6543000B1 (en) * 2018-03-05 2019-07-10 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing organic EL display device
US11101455B2 (en) 2018-03-05 2021-08-24 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition mask, production method therefor, and production method for organic EL display device
JP2019167632A (en) * 2019-06-13 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Vapor deposition mask, method for manufacturing the same and method for manufacturing organic el display
CN111863890A (en) * 2020-07-07 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and display device
CN111863890B (en) * 2020-07-07 2021-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and display device
WO2022007058A1 (en) * 2020-07-07 2022-01-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Display panel and display device
US11610948B2 (en) 2020-07-07 2023-03-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED with butterfly-shaped spacer

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