JP2015076853A - 電波選択構造及び電波選択方法 - Google Patents

Abstract

【課題】隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることができる、電波選択構造、及び電波選択方法を提供する。
【解決手段】電波選択構造は、第１層と、中間領域を介して第１層の外側に設けられた、第２層と、中間領域に配置された少なくとも一つのプラズマポートとを備える。プラズマポートは、中間領域に電界が発生した場合に、中間領域にプラズマを発生させるように構成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、電波選択構造及び電波選択方法に関する。

レーダ及び通信装置などに用いられるアンテナは、外部環境から保護するため、レドームにより覆われる場合がある。

レドームとして、周波数選択構造を有するものがある。図１Ａは、そのようなレドーム１００の一例を示す図である。図１Ａには、レドーム１００の一部を示す断面図及び正面図が描かれている。このレドーム１００には、周波数選択構造１０１が設けられている。周波数選択構造１０１は、アンテナが使用する周波数の電波を透過させ、他の周波数の電波を遮断する機能を有している。図１Ｂに示されるように、アンテナ１０２が使用する電波１０３−１は、レドーム１００を透過する。一方、図１Ｃに示されるように、他の周波数の電波１０３−２は、遮断される。これにより、他の装置による捜索電波又は妨害電波などがアンテナ１０２に入射することが防止され、隠蔽性及び耐妨害性の向上が図られる。

上記に関連して、特許文献１（特許第４７８４１１５号）には、レドームが開示されている。このレドームは、レーダアンテナを周波数選択層を備えた壁体で覆い、レーダアンテナが送受信する所定の周波数帯域の電波を透過可能とするレドームである。このレドームは、壁体の周波数選択層の外側に、レーダアンテナで使用される周波数帯域よりも低い帯域の周波数１００ＭＨｚ以上５ＧＨｚ以下用の低周波アンテナが設けられ、周波数選択層は低周波アンテナで送受信する低周波帯域の電波を透過させないように設定される。

特許第４７８４１１５号

しかしながら、周波数選択構造を用いた場合であっても、自アンテナが使用する周波数に同一又は近い周波数の電波は、透過する。そのため、捜索電波又は妨害電波などの周波数によっては、探知されたり、妨害されてしまうことがある。

そこで、本発明の課題は、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることができる、電波選択構造、及び電波選択方法を提供することにある。

本発明に係る電波選択構造は、アンテナを覆うように配置される。電波選択構造は、外側に設けられた第１層と、中間領域を介して第１層の内側に設けられた、第２層と、中間領域に配置された少なくとも一つのプラズマポートとを備える。プラズマポートは、中間領域にある電界強度以上の強度を有する電界（以下、高電界という）が発生した場合に、中間領域にプラズマを発生させるように構成されている。

本発明に係る電波選択方法は、電波選択構造内に高電界が発生した場合に、電波選択構造内にプラズマを発生させるステップを含んでいる。電波選択構造は、アンテナを覆うように配置される。電波選択構造は、第１層と、中間領域を介して前記第１層と対向するように配置された、第２層とを有している。プラズマを発生させるステップは、中間領域に高電界が発生した場合に、中間領域にプラズマを発生させるステップを含んでいる。

本発明によれば、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることができる、電波選択構造、及び電波選択方法が提供される。

図１Ａは、レドームの一例を示す図である。 図１Ｂは、レドームの動作の一例を示す図である。 図１Ｃは、レドームの動作の一例を示す図である。 図２は、第１の実施形態に係る電波選択構造を示す概略図である。 図３は、電波選択構造を模式的に示す断面図である。 図４は、電波選択構造の一部を示す断面図及び正面図である。 図５Ａは、電波選択構造２の動作を示す概略断面図である。 図５Ｂは、電波選択構造２の動作を示す概略断面図である。 図６は、第１の実施形態の変形例に係る電波選択構造の断面を示す模式図である。 図７は、第２の実施形態に係る電波選択構造を示す断面図、及び正面図である。 図８は、電波選択構造の一部を示す断面図である。 図９Ａは、通常時における電波選択構造の動作を説明する為の図である。 図９Ｂは、中間領域にプラズマが発生した状態を示す図である。 図１０は、第３の実施形態に係る電波選択構造を示す断面図、及び正面図である。 図１１Ａは、通常時における電波選択構造の動作を説明する為の図である。 図１１Ｂは、中間領域がプラズマで満たされた場合における電波選択構造の動作を説明する為の図である。 図１２は、第４の実施形態に係る電波選択構造を示す断面図、及び正面図である。 図１３は、第５の実施形態に係る電波選択構造を示す断面図、及び正面図である。 図１４は、第６の実施形態に係る電波選択構造を示す断面図、及び正面図である。 図１５は、第７の実施形態に係る電波選択構造を示す模式図である。 図１６Ａは、通常時における電波選択構造の動作を説明する為の図である。 図１６Ｂは、中間領域がプラズマで満たされた場合における電波選択構造の動作を説明する為の図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について説明する。

（第１の実施形態）
図２は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す概略図である。図２に示されるように、電波選択構造２は、アンテナ１を覆うように配置されている。電波選択構造２は、アンテナ１を外部の環境から保護する機能も有しており、いわゆるレドームとして用いられる。

図３は、電波選択構造２を模式的に示す断面図である。図３に示されるように、電波選択構造２は、コア材５、スキン３（第１層）、スキン４（第２層）、及びプラズマポート６を備えている。

スキン３は、コア材５におけるアンテナ１側の面に設けられている。一方、スキン４は、コア材５における外側の面に設けられている。言い換えれば、スキン３は内側に設けられ、スキン４は外側に設けられている。スキン３とスキン４とは、中間領域２０を介して対向するように配置され、中間領域２０にはコア材５が充填されている。中間領域２０は、閉じられた領域である。

コア材５としては、スキン３及びスキン４よりも電気的特性が良い（電波の透過性が高い）材料が用いられる。また、コア材５としては、内部に空隙構造を有する層が用いられる。コア材５としては、例えば、発泡性樹脂層が用いられる。発泡性樹脂層としては、例えば、ウレタンフォーム層が挙げられる。なお、電波の透過性は、材料の誘電率及び誘電正接という物性値により決まり、電波の周波数に強く依存する。また、コア材５とスキン（３、４）との境界では、反射波の存在も考慮する必要があるため、コア材５とスキン（３、４）とを組み合わせた状態で、使用する周波数での電波の透過率を計算し、各材料及び厚みを決定することが好ましい。

スキン３及びスキン４としては、コア材５よりも強度が高い材料が用いられる。また、スキン３及びスキン４としては、後述するプラズマを閉じ込めておくことができる材料が用いられる。スキン３及びスキン４としては、例えば、ＦＲＰ樹脂層などが用いられる。

上述のように、コア材５、スキン３、及びスキン４が積層された構造を採用することにより、良好な電気的特性と高い強度とを両立させることができる。

プラズマポート６は、スキン３とスキン４との間の領域（中間領域２０）に配置されている。プラズマポート６は、高電界が中間領域２０に発生した場合に、中間領域２０にプラズマを発生させるように構成されている。具体的には、プラズマポート６は、環境により生じる高電界（スキン４の外部から中間領域２０に入射する妨害電波等に基づく高電界）により、プラズマを発生させるように構成されている。また、例えば、コア材５として発泡性樹脂層が用いられる場合、プラズマポート６は、コア材５内の空隙にプラズマを発生させる。

尚、プラズマポート６は、自装置が使用する電波により生じる電界によっては、プラズマを発生させないように構成されている。

プラズマポート６の材料は、中間領域２０に高電界が発生した場合にプラズマを発生させることができるものであればよく、特に限定されない。但し、プラズマポート６としては、カーボンナノチューブが好ましく用いられる。カーボンナノチューブは、電界が発生した場合にイオン化しやすく、容易にプラズマを発生させることができる。

次に、図４乃至図５Ｂを参照して、本実施形態に係る電波選択方法について説明する。

図４（ａ）及び（ｂ）には、それぞれ、電波選択構造２を示す断面図と、電波選択構造２の一部を示す正面図とが示されている。図４（ａ）は、通常時の状態を示しており、図４（ｂ）は、高電界が発生した場合の状態を示している。

図４（ａ）に示されるように、通常時には、中間領域２０にプラズマが存在しない。この場合、図５Ａに示されるように、電波８−１は電波選択構造２を透過する。

一方、図４（ｂ）に示されるように、環境により（外部から妨害電波などが中間領域２０に入射すると）、中間領域２０に高電界が発生する。その結果、プラズマポート６がプラズマを発生させ、中間領域２０（コア材５内の空隙部分）にプラズマ７が充満する。プラズマは、プラズマ周波数と呼ばれる値よりも低い周波数の電波を反射する性質を有する。プラズマ周波数は、一般的に数百ＧＨｚ程度である。プラズマの密度が高いほど、プラズマ周波数は高くなる。一般に、レーダ又は通信装置などに用いられる電波の周波数は、数十ＧＨｚ以下である。従って、中間領域２０にプラズマが充満すると、図５Ｂに示されるように、実質的に全ての電波８−２が反射又は遮断される。これにより、隠蔽性及び耐妨害性を向上させることができる。尚、高電界が消えると、プラズマが消滅し、元のレドームとしての機能が戻る。

以上説明したように、本実施形態によれば、プラズマポート６が中間領域２０にプラズマ７を発生させるため、全ての周波数の電波を一時的に遮断することが可能である。

尚、図３に示した例では、プラズマポート６が、スキン３とコア材５との境界部分に配置されている。但し、プラズマポート６は、中間領域２０に配置されていればよく、必ずしもスキン３とコア材５との境界部分に配置されている必要はない。

また、図３に示した例では、プラズマポート６は、先端部分が先鋭な形状を有している。このような形状を有している場合、電界を制御しやすく、プラズマポート６が先端部分でプラズマ化しやすい。但し、プラズマポート６の形状はこれに限定されるものではない。

また、プラズマポート６としてカーボンナノチューブなどを用いた場合、カーボンナノチューブの構成成分が電離し、プラズマ化する。但し、必ずしも、プラズマポート６の構成成分自体がプラズマ化する必要はない。プラズマポート６は、中間領域２０内に存在する気体成分をプラズマ化させるように構成されていてもよい。また、中間領域２０には、プラズマ化されるべき気体成分として、空気以外の気体が充填されていてもよい。

また、既述のように、本実施形態では、プラズマポート６は、自装置が使用する電波により生じる電界によっては、プラズマを発生させないように構成されている。物質がプラズマ化する電界強度の値は、材料と形状によって決まる。従って、自装置の出力、及び想定される外部環境（妨害電波などの電界強度）を考慮することにより、自装置が使用する電波に基づく電界によってはプラズマが発生しないように、プラズマポート６の材料及び形状を決定することができる。

また、自装置の電波放射時にプラズマポート６を導体で覆う機構が追加されてもよい。この場合、プラズマポート６及び覆いとしては、電波の波長に比べて小さいものが用いられる。このような構成を採用することによっても、自装置の電波放射時におけるプラズマの発生を防ぐことができる。

また、外部から入射する電波は、電波源からの距離が遠く、平面波となり、レドーム（電波選択構造２）付近では電界強度が空間的に一様となる。これに対し、自装置の電波は、電波源からの距離が近い近傍界であり、例えば電波源の広がりによる干渉によって電界強度が空間的に強い場所と弱い場所が発生する。従って、プラズマポート６を電界強度が弱い場所に配置することによっても、自装置の電波源によるプラズマ化を防ぐことが可能である。

（変形例）
続いて、本実施形態の変形例に係る電波選択構造２について説明する。図６は、本変形例に係る電波選択構造２の断面を示す模式図である。本実施形態では、電界発生回路１１が追加されており、電界発生回路１１によって中間領域２０に高電界が発生させられる。その他の点については、上述の実施形態と同様の構成を採用することができるので、詳細な説明は省略する。

図６に示されるように、本変形例では、スキン３とコア材５との間に、導体層９が設けられている。また、スキン４とコア材５との間に、導体層１０が設けられている。導体層９及び導体層１０は、電界発生回路１１に接続されている。電界発生回路１１は、導体層９及び導体層１０の間に電圧を印加することにより、中間領域２０に高電界を発生させる。

尚、導体層９及び導体層１０は、スキン３及びスキン４の全面に設けられているのではなく、自装置が使用する電波を遮断しないようなパターンを有している。また、導体層９及び導体層１０は、例えば、銅箔層により実現される。

本変形例では、電界発生回路１１が、外部指令を受けて、中間領域２０に高電界を発生させる。これにより、プラズマポート６が中間領域２０にプラズマ７を発生させ、電波が遮断される。その結果、上述の実施形態と同様に、全ての周波数の電波を一時的に遮断することができる。また、本変形例によれば、任意のタイミングで、プラズマを発生させることが可能である。

尚、本変形例では、導体層９及び導体層１０が設けられている場合について説明したが、他の手段により中間領域２０に高電界が発生させられてもよい。

また、本変形例においても、上述の実施形態と同様に、外部から妨害電波などが入射した場合にも、プラズマが発生するように、電波選択構造２が構成されていてもよい。

（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態について説明する。図７は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す断面図、及び正面図である。図７（ａ）は通常時の状態を示しており、図７（ｂ）は高電界が発生したときの状態を示している。

図７に示されるように、本実施形態では、電波選択構造２に、周波数選択構造１２が追加されている。その他の点については、既述の実施形態と同様の構成を採用することができるので、詳細な説明は省略する。

周波数選択構造１２は、一部の周波数の電波を遮断するように構成されている。具体的には、周波数選択構造１２は、自装置（アンテナ１）が使用する周波数を含む周波数帯の電波を透過させ、その他の周波数の電波を遮断するように構成されている。

図８は、電波選択構造２の一部を示す断面図である。図８に示されるように、スキン４とコア材５との境界部分には、導体層１４（例えば銅箔層）が設けられている。周波数選択構造１２は、この導体層１４により実現される。詳細には、図７に示されるように、導体層１４（周波数選択構造１２）は、周期的な形状を有しており、自装置が使用する周波数の電波を透過させ、他の周波数の電波を遮断するような形状を有している。

図９Ａは、通常時における動作を説明する為の図である。図９Ａに示されるように、通常時には、自装置が使用する周波数の電波８−４は、電波選択構造２を透過する。一方、他の周波数の電波８−３は、周波数選択構造１２により遮断され、アンテナ１に到達しない。

一方、中間領域２０に高電界が発生すると、既述の実施形態と同様に、プラズマポート６が、中間領域２０にプラズマ７を発生させる（図７（ｂ）参照）。図９Ｂは、中間領域２０にプラズマが発生した状態を示す図である。プラズマが発生すると、図９Ｂに示されるように、全ての電波（自装置が使用する周波数の電波８−６、及び他の周波数の電波８−５）が、遮断される。尚、高電界は、既述の実施形態と同様に、外部から入射する電波により発生されてもよいし、電界発生回路１１により発生されてもよい。

本実施形態によれば、既述の実施形態と同様の効果に加え、周波数選択構造１２が設けられているため、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることができる。

尚、周波数選択構造１２（導体層１４）のパターンは、図７に示されるような枠状であってもよいし、他の形状であってもよい。また、図８に示した例では、導体層１４が、スキン４とコア材５との間に設けられている。ただし、導体層１４は、スキン３とコア材５との間に設けられていてもよい。更に、導体層１４は、第１の実施形態の変形例（図６参照）における導体層１０と共通であってもよい

また、周波数選択構造１２の具体的構成は、他の周波数の電波を遮断することができるような構成であれば、特に限定されるものではない。すなわち、導体層１４以外の構成によって周波数選択構造１２が実現されてもよい。

（第３の実施形態）
続いて、第３の実施形態について説明する。図１０は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す断面図、及び正面図である。図１０（ａ）は通常時の状態を示しており、図１０（ｂ）は高電界が発生したときの状態を示している。

図１０に示されるように、本実施形態では、電波選択構造２に、入射角選択構造１３（１３−１、１３−２）が追加されている。その他の点については、第１の実施形態と同様の構成を採用することができるので、詳細な説明については省略する。

入射角選択構造１３は、電波選択構造２の外側から入射する電波のうち、特定の入射角の電波だけをスキン３のアンテナ１側へ透過させるように構成されている。

入射角選択構造１３の具体的構造は、特に限定されない。

例えば、図１０（ａ）の断面図に示される例では、コア材５の厚みが、位置に応じて異なっている。このような構成を採用することにより、特定の入射角の電波だけを透過させることができ、入射角選択構造１３−１が実現される。

また、図１０（ａ）の正面図に示される例では、中間領域２０に、入射角選択構造１３−２として、非周期的なパターンが設けられている。この非周期的なパターンは、例えば、スキン３とスキン４との間に配置された導体層に設けられる。このような構成により、メタマテリアルが実現され、入射角選択構造１３−２を実現できる。尚、非周期的パターンを有する導体層は、例えば、図６などに示した例と同様に、コア材５とスキン（３又は４）との界面に設けることができる。

また、入射角選択構造１３としては、必ずしも入射角選択構造１３−１及び入射角選択構造１３−２の双方が用いられる必要はなく、何れか一方が用いられてもよい。

図１１Ａは、通常時における電波選択構造２の動作を説明する為の図である。図１１Ａに示されるように、通常時には、特定の入射角の電波８−９だけが、電波選択構造２を透過する。具体的には、自アンテナ１が使用するべき電波の入射角の電波が、電波選択構造２を透過する。他の入射角の電波（８−８、８−７）は、入射角選択構造１３により遮断され、アンテナ１に到達しない。

一方、中間領域２０に高電界が発生すると、既述の実施形態と同様、図１０（ｂ）に示されるように、中間領域２０がプラズマ７で満たされる。図１１Ｂは、中間領域２０がプラズマ７で満たされた場合における電波選択構造２の動作を説明する為の図である。図１１Ｂに示されるように、中間領域２０がプラズマで満たされると、全ての電波（８−１０〜８−１２）が、遮断される。

以上説明したように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。加えて、本実施形態によれば、入射角選択構造１３が設けられていることにより、通常時には特定の入射角の電波だけが電波選択構造２を透過する。これにより、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることが可能となる。

（第４の実施形態）
続いて、第４の実施形態について説明する。図１２は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す断面図、及び正面図である。図１２（ａ）は通常時の状態を示しており、図１２（ｂ）は高電界が発生したときの状態を示している。

図１２に示されるように、本実施形態では、中間領域２０における複数の部分に、プラズマポート（６−１〜６−４）が設けられている。その他の点については、第１の実施形態と同様の構成を採用することができるので、詳細な説明については省略する。

本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、中間領域２０に高電界が加えられると、プラズマポート（６−１〜６−４）がプラズマ７を発生させ、中間領域２０にプラズマ７が充満する（図１２（ｂ）参照）。これにより、第１の実施形態と同様に、全ての周波数の電波が、電波選択構造２により遮断され、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることが可能となる。

加えて、本実施形態によれば、プラズマポート（６−１〜６−４）が複数の部分に設けられているため、より速やかに、中間領域２０をプラズマで満たすことができる。

また、プラズマポート（６−１〜６−４）がプラズマを発生させることができる回数には、限りがある場合がある。このような場合であっても、本実施形態によれば、プラズマポート（６−１〜６−４）が複数の部分に設けられているため、プラズマをより多くの回数、発生させることが可能である。

（第５の実施形態）
続いて、第５の実施形態について説明する。図１３は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す断面図、及び正面図である。図１３（ａ）は通常時の状態を示しており、図１３（ｂ）は高電界が発生したときの状態を示している。

図１３に示されるように、本実施形態では、第２の実施形態と同様に、電波選択構造２に、周波数選択構造１２が設けられている。また、第４の実施形態と同様に、中間領域２０における複数の部分に、プラズマポート（６−１〜６−４）が設けられている。その他の点については、既述の実施形態と同様の構成を採用することができるので、詳細な説明については省略する。

本実施形態によれば、中間領域２０に高電界が発生すると、既述の実施形態と同様に、プラズマポート（６−１〜６−４）により、中間領域２０がプラズマ７により満たされる（図１３（ｂ）参照）。これにより、全ての周波数の電波が遮断される。

加えて、第２の実施形態と同様に、周波数選択構造１２が設けられているため、通常時には、自装置が使用する周波数に近い周波数の電波だけが、透過する。これにより、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることが可能となる。

また、第４の実施形態と同様に、プラズマポート（６−１〜６−４）が複数の部分に設けられているため、より速やかに、多くの回数、中間領域２０をプラズマで満たすことができる。

（第６の実施形態）
続いて、第６の実施形態について説明する。図１４は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す断面図、及び正面図である。図１４（ａ）は通常時の状態を示しており、図１４（ｂ）は高電界が発生したときの状態を示している。

図１４に示されるように、本実施形態では、第３の実施形態と同様に、電波選択構造２に、入射角選択構造１３（１３−１、１３−２）が設けられている。また、第４の実施形態と同様に、中間領域２０における複数の部分に、プラズマポート（６−１〜６−３）が設けられている。その他の点については、既述の実施形態と同様の構成を採用することができるので、詳細な説明については省略する。

本実施形態によれば、中間領域２０に高電界が発生すると、既述の実施形態と同様に、プラズマポート（６−１〜６−４）により、中間領域２０がプラズマにより満たされる。これにより、全ての周波数の電波が遮断される。

加えて、第３の実施形態と同様に、入射角選択構造１３が設けられているため、通常時には、自装置が使用する周波数の電波だけが、透過する。これにより、隠蔽性及び耐妨害性をより向上させることが可能となる。

また、第４の実施形態と同様に、プラズマポート（６−１〜６−４）が複数の部分に設けられているため、より速やかに、多くの回数、中間領域２０をプラズマで満たすことができる。

（第７の実施形態）
続いて、第７の実施形態について説明する。既述の実施形態では、電波選択構造２がいわゆるレドームとして用いられる場合について説明した。但し、電波選択構造２は、必ずしもレドームである必要はなく、レドームとは別に電波選択構造２が設けられていてもよい。本実施形態では、レドームとは別に電波選択構造２が設けられている場合の例について説明する。

図１５は、本実施形態に係る電波選択構造２を示す模式図である。図１５（ａ）は通常時の状態を示しており、図１５（ｂ）は高電界が発生したときの状態を示している。

図１５に示されるように、アンテナ１は、レドーム２１により覆われている。ここで、電波選択構造２は、アンテナ１の前面を覆うように、レドーム２１の内部に配置されている。電波選択構造２は、レドーム２１によって支持されている。

電波選択構造２は、遮蔽板２２（第１層）、遮蔽板２３（第２層）、及び複数のプラズマポート６（６−１〜６−３）を有している。遮蔽板２２及び遮蔽板２３は、対向するように配置されている。遮蔽板２２と遮蔽板２３との間には、中間領域２０として、密閉された空間が形成されている。複数のプラズマポート６（６−１〜６−３）は、中間領域２０に配置されている。

尚、遮蔽板２２及び遮蔽板２３の材質としては、電波を透過させ、プラズマを閉じ込めておくことができる機能を有するものであればよく、特に限定されない。

図１６Ａは、通常時における電波選択構造２の動作を説明する為の図である。図１６Ａに示されるように、通常時には、電波８−１３は、電波選択構造２を透過する。

一方、中間領域２０に高電界が発生すると、図１５（ｂ）に示されるように、既述の実施形態と同様に、プラズマポート６（６−１〜６−３）がプラズマを発生させ、中間領域２０がプラズマ７で満たされる。図１６Ｂは、中間領域２０がプラズマ７で満たされた場合における電波選択構造２の動作を説明する為の図である。図１６Ｂに示されるように、中間領域２０がプラズマで満たされると、全ての周波数の電波が、遮断される。すなわち、本実施形態によっても、既述の実施形態と同様に、全ての周波数の電波を、一時的に遮断することができる。

尚、本実施形態においては、中間領域２０にコア材５が充填されている必要はない。但し、中間領域２０にコア材が充填されていてもよい。また、中間領域２０には空気が充填されていてもよいし、プラズマ化されるべき他の気体成分が充填されていてもよい。このような構成を採用した場合であっても、上述の実施形態と同様の作用効果を得ることが可能である。

また、高電界は、第１の実施形態と同様に、環境（電波選択構造２に入射する妨害電波など）により発生されてもよいし、第１の実施形態の変形例と同様に、電界発生回路１１（図６参照）により発生されてもよい。

また、プラズマポート６は、複数の部分に設けられてよいし、単一であってもよい。

また、本実施形態においても、第２の実施形態と同様に周波数選択構造が設けられていてもよいし、第３の実施形態と同様に入射角選択構造が設けられていてもよい。

以上、本発明について、第１乃至第７の実施形態、及び変形例を用いて説明した。尚、これらの実施形態及び変形例は独立するものではなく、矛盾のない範囲内で組み合わせて用いることも可能である。

１ アンテナ
２ 電波選択構造
３ スキン
４ スキン
５ コア材
６ プラズマポート
７ プラズマ
８ 電波
９ 導体層
１０ 導体層
１１ 電界発生回路
１２ 周波数選択構造
１３ 入射角選択構造
１４ 導体層
２０ 中間領域
２１ レドーム
２２ 遮蔽板
２３ 遮蔽板
２４ 中間領域
１００ レドーム
１０１ 周波数選択構造
１０２ アンテナ
１０３ 電波

Claims (12)

1. アンテナを覆うように配置される電波選択構造であって、
   第１層と、
   中間領域を介して前記第１層の外側に設けられた、第２層と、
   前記中間領域に配置された少なくとも一つのプラズマポートと、
   を具備し、
   前記プラズマポートは、前記中間領域に電界が発生した場合に、前記中間領域にプラズマを発生させるように構成されている
   電波選択構造。
2. 請求項１に記載された電波選択構造であって、
   更に、
   前記中間領域に電界を発生させる、電界発生回路、
   を具備する
   電波選択構造。
3. 請求項１に記載された電波選択構造であって、
   前記プラズマポートは、外部から前記中間領域に入射する電波に基づく電界により、プラズマを発生させるように構成されている
   電波選択構造。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載された電波選択構造であって、
   前記プラズマポートは、カーボンナノチューブを含んでいる
   電波選択構造。
5. 請求項１乃至４のいずれかに記載された電波選択構造であって、
   更に、
   前記中間領域に配置され、一部の周波数の電波を透過させ、他の周波数の電波を遮断するように構成された、周波数選択構造、
   を具備する
   電波選択構造。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載された電波選択構造であって、
   前記プラズマポートは、複数の部分に配置されている
   電波選択構造。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載された電波選択構造であって、
   更に、
   一部の入射角の電波を外部から前記アンテナ側へ透過させ、他の入射角の電波を遮断するように構成された、入射角選択構造
   を具備する
   電波選択構造。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載された電波選択構造であって、
   前記中間領域には、コア材が充填されている
   電波選択構造。
9. 請求項８に記載された電波選択構造であって、
   前記コア材は、発泡性樹脂を含んでいる
   電波選択構造。
10. 電波選択構造内に電界が発生した場合に、前記電波選択構造内にプラズマを発生させるステップ、
    を具備し、
    前記電波選択構造は、アンテナを覆うように配置され、
    前記電波選択構造は、
    第１層と、
    中間領域を介して前記第１層の外側に設けられた、第２層とを有し、
    前記プラズマを発生させるステップは、前記中間領域に電界が発生した場合に、前記中間領域にプラズマを発生させるステップを含んでいる
    電波選択方法。
11. 請求項１０に記載された電波選択方法であって、
    前記プラズマを発生させるステップは、電界発生回路が電界を発生させるステップを含んでいる
    電波選択方法。
12. 請求項１０に記載された電波選択方法であって、
    前記プラズマを発生させるステップは、外部から前記電波選択構造に入射した電波に基づく電界により、プラズマを発生させるステップを含んでいる
    電波選択方法。

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