JP2015073271A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015073271A5 JP2015073271A5 JP2014202936A JP2014202936A JP2015073271A5 JP 2015073271 A5 JP2015073271 A5 JP 2015073271A5 JP 2014202936 A JP2014202936 A JP 2014202936A JP 2014202936 A JP2014202936 A JP 2014202936A JP 2015073271 A5 JP2015073271 A5 JP 2015073271A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- reflector
- baw
- electrode
- wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
Claims (22)
- バルク弾性波(BAW)デバイスであって、
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に結合される圧電層と、
温度補償を提供する反射体層を有し、前記第2電極に結合される反射体スタックと、を備え、
前記反射体層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の約3/4から前記音波の縦波波長の約4/5の間の厚さを有するBAWデバイス。 - 前記反射体層は、二酸化シリコン層を備える、請求項1に記載のBAWデバイス。
- 当該BAWデバイスは、SMR(solidly mounted resonator)型であり、
前記反射体層は、二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む、請求項2に記載のBAWデバイス。 - 前記反射体層は、前記反射体スタックの最上層である、請求項3に記載のBAWデバイス。
- バルク弾性波(BAW)デバイスであって、
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に結合される圧電層と、
温度補償を提供する反射体層を有し、前記第2電極に結合される反射体スタックと、を備え、
前記反射体層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有し、
前記反射体層は、BAWデバイスにおける音波のエネルギーの約30%を含むように構成されるBAWデバイス。 - バルク弾性波(BAW)デバイスであって、
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極および前記第2電極の間に結合される圧電層と、
温度補償を提供する反射体層を有し、前記第2電極に結合される反射体スタックと、を備え、
前記反射体層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有し、
前記反射体層は、前記反射体スタックの最上層であり、前記反射体スタックは、前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する別の反射体層をさらに含むBAWデバイス。 - 電極対と圧電層を有する共振器と、
前記共振器に結合され、複数のミラーモードを提供するためのオーバーモード構造となる最上層を含む反射体スタックと、を備えるバルク弾性波(BAW)デバイス。 - 前記最上層は、当該BAWデバイスにおける音波のエネルギーの約20%以上を含むように構成される、請求項7に記載のBAWデバイス。
- 前記最上層は、当該BAWデバイスの音波のエネルギーの約30%を含むように構成される、請求項8に記載のBAWデバイス。
- 前記最上層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する、請求項7に記載のBAWデバイス。
- 前記厚さは、前記音波の縦波波長の約3/4から前記音波の縦波波長の4/5の間である、請求項10に記載のBAWデバイス。
- 前記最上層は、二酸化シリコン層を備える、請求項7に記載のBAWデバイス。
- 当該BAWデバイスは、SMR(solidly mounted resonator)型であり、
前記反射体スタックは、二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む、請求項7に記載のBAWデバイス。 - 前記反射体スタックは、オーバーモード構造となる別の層を含む、請求項7に記載のBAWデバイス。
- オーバーモード構造となる前記別の層は、当該BAWデバイスにおけるミラーモードの大きさの低減を助けるためのものである、請求項14に記載のBAWデバイス。
- 最上部の反射体層は、第1の音響インピーダンスを有し、前記反射体スタックの別の層は、前記第1の音響インピーダンスよりも大きい第2の音響インピーダンスを有する、請求項7に記載のBAWデバイス。
- 前記反射体スタックは、第1の音響インピーダンスを有する層と第2の音響インピーダンスを有する層とが交互に積層された層を含む、請求項15に記載のBAWデバイス。
- アンテナ構造と、
前記アンテナ構造に結合され、無線周波数信号を受信または送信するように構成され、温度補償型のバルク弾性波(BAW)デバイスを有するフィルタを含むトランシーバと、を備え、
前記BAWデバイスは、
音波の形態と電気的な形態との間でエネルギーを変換するように構成される共振器と、
前記共振器に結合され、当該BAWデバイスにおける音波のエネルギーの約20%以上を有するように構成される温度補償層を有する反射体と、
を有する、システム。 - 前記温度補償層は、前記BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する、請求項18に記載のシステム。
- 前記反射体は、音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する別の温度補償層を含む、請求項18に記載のシステム。
- バルク弾性波(BAW)デバイスの製造方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板の上に複数の反射体層を形成するステップであって、最上部の反射体層が当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の約3/4から前記音波の縦波波長の4/5の間の厚さを有するようにするステップと、
前記最上部の反射体層の上に共振器を形成するステップと、を備える方法。 - バルク弾性波(BAW)デバイスの製造方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板の上に複数の反射体層を形成するステップであって、最上部の反射体層が当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有し、別の反射体層が前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有するようにするステップと、
前記最上部の反射体層の上に共振器を形成するステップと、を備える方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/044,782 | 2013-10-02 | ||
US14/044,782 US9219517B2 (en) | 2013-10-02 | 2013-10-02 | Temperature compensated bulk acoustic wave devices using over-moded acoustic reflector layers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015073271A JP2015073271A (ja) | 2015-04-16 |
JP2015073271A5 true JP2015073271A5 (ja) | 2017-11-09 |
Family
ID=52740633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014202936A Pending JP2015073271A (ja) | 2013-10-02 | 2014-10-01 | オーバーモード音響反射体層を用いた温度補償型バルク弾性波デバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9219517B2 (ja) |
JP (1) | JP2015073271A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8601655B2 (en) * | 2007-08-14 | 2013-12-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Process of making a bulk acoustic wave structure with an aluminum copper nitride piezoelectric layer |
US9735755B2 (en) * | 2015-08-20 | 2017-08-15 | Qorvo Us, Inc. | BAW resonator having lateral energy confinement and methods of fabrication thereof |
US10193524B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-01-29 | Qorvo Us, Inc. | Resonator structure with enhanced reflection of shear and longitudinal modes of acoustic vibrations |
JP6572812B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2019-09-11 | 横浜ゴム株式会社 | 音響透過性部材 |
GB2600838A (en) * | 2016-10-20 | 2022-05-11 | Skyworks Solutions Inc | Elastic wave device with sub-wavelength thick piezoelectric layer |
WO2018106814A1 (en) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | Qorvo Us, Inc. | Bulk acoustic wave sensor having an overmoded resonating structure |
EP3556014B1 (en) | 2017-01-05 | 2021-03-10 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Bragg mirror, resonator and filter device |
US11362638B2 (en) * | 2020-08-19 | 2022-06-14 | RF360 Europe GmbH | Bulk acoustic wave resonator with a heatsink region and electrical insulator region |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6107721A (en) | 1999-07-27 | 2000-08-22 | Tfr Technologies, Inc. | Piezoelectric resonators on a differentially offset reflector |
US6420820B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-07-16 | Agilent Technologies, Inc. | Acoustic wave resonator and method of operating the same to maintain resonance when subjected to temperature variations |
DE10251876B4 (de) | 2002-11-07 | 2008-08-21 | Infineon Technologies Ag | BAW-Resonator mit akustischem Reflektor und Filterschaltung |
JP4339604B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2009-10-07 | 京セラキンセキ株式会社 | 圧電薄膜素子 |
US7391285B2 (en) | 2003-10-30 | 2008-06-24 | Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd | Film acoustically-coupled transformer |
EP1575165B1 (en) | 2004-03-09 | 2008-05-07 | Infineon Technologies AG | Bulk acoustic wave filter and method for eliminating unwanted side passands |
DE102004035812A1 (de) * | 2004-07-23 | 2006-03-16 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
DE102004062312B3 (de) | 2004-12-23 | 2006-06-01 | Infineon Technologies Ag | Piezoelektrischer Resonator mit verbesserter Temperaturkompensation und Verfahren zum Herstellen desselben |
DE102005061344A1 (de) * | 2005-12-21 | 2007-06-28 | Epcos Ag | Mit akustischen Volumenwellen arbeitender Resonator |
US7684109B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-03-23 | Maxim Integrated Products, Inc. | Bragg mirror optimized for shear waves |
FR2951026B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2011-12-02 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de resonateurs baw sur une tranche semiconductrice |
FR2951024B1 (fr) * | 2009-10-01 | 2012-03-23 | St Microelectronics Sa | Procede de fabrication de resonateur baw a facteur de qualite eleve |
US8253513B2 (en) | 2010-03-16 | 2012-08-28 | Hao Zhang | Temperature compensated thin film acoustic wave resonator |
US8923794B2 (en) * | 2011-11-02 | 2014-12-30 | Triquint Semiconductor, Inc. | Temperature compensation of acoustic resonators in the electrical domain |
-
2013
- 2013-10-02 US US14/044,782 patent/US9219517B2/en active Active
-
2014
- 2014-10-01 JP JP2014202936A patent/JP2015073271A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2015073271A5 (ja) | ||
JP5187597B2 (ja) | 弾性波素子 | |
CN103988427B (zh) | 体声波谐振器 | |
JP2014176095A5 (ja) | ||
US9093979B2 (en) | Laterally-coupled acoustic resonators | |
JP6441761B2 (ja) | 圧電薄膜共振器及びフィルタ | |
CN104321965B (zh) | 体波谐振器 | |
JP2017220929A5 (ja) | 分波器と分波モジュール | |
JP2024029118A (ja) | バルク超音波(baw)共振器 | |
US20120299444A1 (en) | Piezoelectric thin-film resonator, communication module and communication device | |
CN107925397A (zh) | 弹性波装置、高频前端电路以及通信装置 | |
JP2007312164A (ja) | 圧電薄膜共振器並びにそれを用いた高周波フィルタ及び高周波モジュール | |
JP2012244616A (ja) | 圧電薄膜共振子、フィルタおよびモジュール | |
WO2021021730A3 (en) | Doped bulk acoustic wave (baw) resonator structures, devices and systems | |
JP6464735B2 (ja) | 弾性波装置及びその製造方法 | |
JP4836748B2 (ja) | バルク音響波共振子及びフィルタ装置並びに通信装置 | |
JP2015035587A5 (ja) | ||
JP2016096466A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびデュプレクサ | |
JP2009290371A (ja) | Baw共振装置 | |
JP2019208260A (ja) | 圧電薄膜素子の製造方法 | |
JP2015073271A (ja) | オーバーモード音響反射体層を用いた温度補償型バルク弾性波デバイス | |
JP2015144418A5 (ja) | 可変周波数弾性表面波変換器とこれを用いた電子装置 | |
JP2009290369A (ja) | Baw共振装置 | |
JP2008211392A (ja) | 共振器及びその製造方法 | |
WO2021241696A1 (ja) | 周波数フィルタ |