JP2015073271A5 - - Google Patents

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Claims (22)

  1. バルク弾性波(BAW)デバイスであって、
    第1電極と、
    第2電極と、
    前記第1電極および前記第2電極の間に結合される圧電層と、
    温度補償を提供する反射体層を有し、前記第2電極に結合される反射体スタックと、を備え、
    前記反射体層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の約3/4から前記音波の縦波波長の約4/5の間の厚さを有するBAWデバイス。
  2. 前記反射体層は、二酸化シリコン層を備える、請求項1に記載のBAWデバイス。
  3. 当該BAWデバイスは、SMR(solidly mounted resonator)型であり、
    前記反射体層は、二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む、請求項2に記載のBAWデバイス。
  4. 前記反射体層は、前記反射体スタックの最上層である、請求項3に記載のBAWデバイス。
  5. バルク弾性波(BAW)デバイスであって、
    第1電極と、
    第2電極と、
    前記第1電極および前記第2電極の間に結合される圧電層と、
    温度補償を提供する反射体層を有し、前記第2電極に結合される反射体スタックと、を備え、
    前記反射体層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有し、
    前記反射体層は、BAWデバイスにおける音波のエネルギーの約30%を含むように構成されるBAWデバイス。
  6. バルク弾性波(BAW)デバイスであって、
    第1電極と、
    第2電極と、
    前記第1電極および前記第2電極の間に結合される圧電層と、
    温度補償を提供する反射体層を有し、前記第2電極に結合される反射体スタックと、を備え、
    前記反射体層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有し、
    前記反射体層は、前記反射体スタックの最上層であり、前記反射体スタックは、前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する別の反射体層をさらに含むBAWデバイス。
  7. 電極対と圧電層を有する共振器と、
    前記共振器に結合され、複数のミラーモードを提供するためのオーバーモード構造となる最上層を含む反射体スタックと、を備えるバルク弾性波(BAW)デバイス。
  8. 前記最上層は、当該BAWデバイスにおける音波のエネルギーの約20%以上を含むように構成される、請求項に記載のBAWデバイス。
  9. 前記最上層は、当該BAWデバイスの音波のエネルギーの約30%を含むように構成される、請求項に記載のBAWデバイス。
  10. 前記最上層は、当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する、請求項に記載のBAWデバイス。
  11. 前記厚さは、前記音波の縦波波長の約3/4から前記音波の縦波波長の4/5の間である、請求項1に記載のBAWデバイス。
  12. 前記最上層は、二酸化シリコン層を備える、請求項に記載のBAWデバイス。
  13. 当該BAWデバイスは、SMR(solidly mounted resonator)型であり、
    前記反射体スタックは、二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む、請求項に記載のBAWデバイス。
  14. 前記反射体スタックは、オーバーモード構造となる別の層を含む、請求項に記載のBAWデバイス。
  15. オーバーモード構造となる前記別の層は、当該BAWデバイスにおけるミラーモードの大きさの低減を助けるためのものである、請求項1に記載のBAWデバイス。
  16. 最上部の反射体層は、第1の音響インピーダンスを有し、前記反射体スタックの別の層は、前記第1の音響インピーダンスよりも大きい第2の音響インピーダンスを有する、請求項に記載のBAWデバイス。
  17. 前記反射体スタックは、第1の音響インピーダンスを有する層と第2の音響インピーダンスを有する層とが交互に積層された層を含む、請求項1に記載のBAWデバイス。
  18. アンテナ構造と、
    前記アンテナ構造に結合され、無線周波数信号を受信または送信するように構成され、温度補償型のバルク弾性波(BAW)デバイスを有するフィルタを含むトランシーバと、を備え、
    前記BAWデバイスは、
    音波の形態と電気的な形態との間でエネルギーを変換するように構成される共振器と、
    前記共振器に結合され、当該BAWデバイスにおける音波のエネルギーの約20%以上を有するように構成される温度補償層を有する反射体と、
    を有する、システム。
  19. 前記温度補償層は、前記BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する、請求項1に記載のシステム。
  20. 前記反射体は、音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する別の温度補償層を含む、請求項1に記載のシステム。
  21. バルク弾性波(BAW)デバイスの製造方法であって、
    基板を提供するステップと、
    前記基板の上に複数の反射体層を形成するステップであって、最上部の反射体層が当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の約3/4から前記音波の縦波波長の4/5の間の厚さを有するようにするステップと、
    前記最上部の反射体層の上に共振器を形成するステップと、を備える方法。
  22. バルク弾性波(BAW)デバイスの製造方法であって、
    基板を提供するステップと、
    前記基板の上に複数の反射体層を形成するステップであって、最上部の反射体層が当該BAWデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有し、別の反射体層が前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有するようにするステップと、
    前記最上部の反射体層の上に共振器を形成するステップと、を備える方法。
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