JP2015068640A - 位置センサ - Google Patents

Abstract

【課題】検出精度向上可能な位置センサの提供。【解決手段】励磁コイル２３と検出コイル４０とをセンサステータ１３０に備え、センサステータ１３０に対向するセンサロータ１２０と、センサロータ１２０の移動に伴いセンサロータ１２０の位置を検出する位置センサ１００において、センサステータ１３０は、検出コイル４０と、検出コイル４０の内周に配置される励磁コイル２３と、を備え、正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂは、互いに重なり合うことなくセンサステータ１３０の面上に交互に配置され、センサロータ１２０は、磁界遮蔽部Ａ１と磁界非遮蔽部Ａ２とを備え、磁界非遮蔽部Ａ２は、磁界を遮蔽する磁界遮蔽領域１２５ａがセンサロータ１２０の径方向の幅が回転方向に変化するよう形成されることで、磁界を遮蔽しない磁界非遮蔽領域１２５ｂのセンサロータ１２０の径方向の幅が回転方向に変化するよう形成される。【選択図】図４

Description

この発明は、励磁コイルの内側又は外側に検出コイルを配置し、対向する導電性スクリーンの相対的な移動に伴うインダクタンス変化により相対位置を検出する位置センサの技術に関し、詳しくは、対向する導電性スクリーンの形状を工夫することで、検出精度の向上を図る技術に関するものである。

従来、位置センサに関する技術としては、例えば各分野で広く用いられている回転角センサを挙げることが出来る。自動車に搭載されるエンジンには、その回転速度や回転位相を検出する為に、回転角センサの１つであるクランク角を検出するロータリーエンコーダが採用されている。

特許文献１には、位置センサ及び速度センサに関する技術が開示されている。励磁巻線の内側に電圧が誘起される二次（感知）巻線を配置し、対向する導電性スクリーンの相対的な移動に伴うインダクタンス変化によって、相対位置を検出する。この際、正弦波相と余弦波相の二次巻線が９０度分ずらした状態で重なって配置されている。

特許文献２には、回転角センサに関する技術が開示されている。この回転角センサのロータ側には平板状の検出コイルが配置されている。また検出コイルに重ねられて励磁コイルが配置されている。一方のステータ側には、９０度ずつ開口部を備える非磁性遮蔽板が用意されている。励磁コイル側で形成される磁界が非磁性遮蔽板で遮蔽されない位置で形成され、この磁界を検出コイルで検出する。この非磁性遮蔽板が回転することで、検出コイルで検出する信号が変化し、回転角度を得ることが出来る。

特開昭６１−１５９１０１号公報 特開２０１１―１３７６３３号公報

しかしながら、特許文献１又は特許文献２の技術を用いた位置センサには、次のような課題が考えられる。

特許文献１の位置センサの場合、二次巻線と導電性スクリーンとの距離が正弦波相と余弦波相とで異なる。このため、正弦波相と余弦波相とで出力値が異なり、結果、位置センサの検出精度が低下する虞がある。一方、特許文献２の位置センサの場合、正弦波コイルと余弦波コイルとが重ねられて形成され、それぞれのコイルに発生する誘導起電力によって得られる正弦波カーブ及び余弦波カーブは、正弦波コイルと余弦波コイル共に位置センサの周方向のパターンピッチの精度によって決定される。即ち、位置センサの精度はこれらのコイルのパターンピッチで決定される。しかし、パターンピッチの精度向上は、コイルの巻き数や位置センサの大きさの制限などにより制限されてしまう。

そこで、本発明はこのような課題を解決するために、検出精度向上可能な位置センサを提供することを目的とする。

前記目的を達成するために、本発明による位置センサは以下のような特徴を有する。

（１）励磁信号が入力される励磁コイルと検出信号を出力する検出コイルとを固定子に備え、前記固定子に対向する位置にあって回転する可動子と、前記可動子の移動に伴う前記検出コイルのインダクタンス変化を捉えて前記可動子の位置を検出する位置センサにおいて、前記固定子は、正弦波コイルと余弦波コイルを含む、前記検出コイルと、前記検出コイルの内周又は外周側に配置される前記励磁コイルと、を備え、前記正弦波コイルと前記余弦波コイルは、互いに重なり合うことなく前記固定子の面上に交互に配置され、前記可動子は、前記正弦波コイル１つと前記余弦波コイル１つとを前記回転方向に並べた長さに相当する磁界遮蔽部と、前記正弦波コイル１つと前記余弦波コイル１つとを前記回転方向に並べた長さに相当する磁界非遮蔽部とを備え、前記磁界非遮蔽部は、磁界を遮蔽する磁界遮蔽領域が前記可動子の径方向の幅が前記回転方向に変化するよう形成されることで、磁界を遮蔽しない磁界非遮蔽領域の前記可動子の径方向の幅が前記回転方向に変化するよう形成されること、を特徴とする。

上記（１）に記載の態様により、位置センサの可動子には正弦波コイルと余弦波コイルとが重ならず、並んで形成される。そして、回転子の磁界非遮蔽部には磁界非遮蔽領域と磁界遮蔽領域が可動子の径方向の幅が回転方向に変化するように形成される。そして、励磁コイルに励磁されることで正弦波コイル及び余弦波コイルに発生する誘起電流が、それぞれ正弦波及び余弦波の出力として得られる。この様な構成である為、正弦波コイルと余弦波コイルとが特許文献１や特許文献２に開示される方法のように重ねられておらず、正弦波コイルと磁界非遮蔽領域、余弦波コイルと磁界非遮蔽領域との距離を等しくすることができる。この結果、出力の大きさを等しくすることとなり、位置センサの検出精度の向上が見込める。

（２）（１）に記載の位置センサにおいて、前記磁界遮蔽部及び前記磁界非遮蔽部は、非磁性導電部材よりなる一面によってその機能を果たしていること、が好ましい。

上記（２）に記載の構成により、非導電性部材に例えば非磁性金属を用いて渦電流を生じる事でシールド効果を得ることができ、外部からの磁界ノイズの侵入を低減することが可能となる。位置センサのＳ／Ｎ比を向上させることが可能となる。その結果、位置センサの検出精度向上を見込める。

（３）（２）に記載の位置センサにおいて、前記磁界非遮蔽部の前記磁界非遮蔽領域は、非磁性導電部材表面に設けられた磁性部材であること、が好ましい。

上記（３）に記載の構成により、非磁性導電部材の表面に磁性部材を設ける構成、即ち、非磁性導電材料で覆われる構成となる。この為、外部からの磁界ノイズの侵入を低減することが可能となる。その結果、位置センサの検出精度向上を見込める。

（４）（２）に記載の位置センサにおいて、前記磁界非遮蔽部の前記磁界非遮蔽領域は、非磁性導電部材に形成された凹部又は切り欠きであること、が好ましい。

上記（４）に記載の構成により、機械加工により磁界非遮蔽部が構成できる。特許文献２では正弦波コイル及び余弦波コイルのパターンピッチを調整することで、出力として得られる正弦波状出力の調整を行っているが、機械加工により磁界非遮蔽部の形成をすることで正弦波状出力の調整が可能となるので、より検出精度を高める事が可能となる。

第１実施形態の、モータの側面断面図である。 第１実施形態の、位置センサの電気的構成を表すブロック図である。 第１実施形態の、センサステータの平面図である。 第１実施形態の、センサロータの平面図である。 第１実施形態の、位置センサの断面図である。 第１実施形態の、センサステータにセンサロータを重ねた状態を示す平面図である。 第２実施形態の、位置センサの部分断面図である。 第３実施形態の、センサステータの平面図である。 第３実施形態の、センサロータの平面図である。

次に、本発明の第１の実施形態について、電気自動車やハイブリッド自動車の駆動力として用いられるモータの回転角を検出する為の位置センサ（ロータリーエンコーダ）に用いた具体例にて、図面を参照しつつ説明する。なお、自動車以外の用途に用いることが可能であることは言うまでもない。

図１に、第１実施形態の、モータ１０の側面断面図を示す。モータ１０は、ケース本体１１と、ケースカバー１２と、モータステータ１３と、モータロータ１４と、モータ軸１５と、モータ軸受１６ａ及びモータ軸受１６ｂと、を備えているブラシレスモータである。ケース本体１１及びケースカバー１２はアルミニウム合金などを鋳造して作られており、ケース本体１１にはモータ軸受１６ａが勘合され、ケースカバー１２にはモータ軸受１６ｂが勘合され、モータ軸１５を回転可能に軸支している。

ケース本体１１にはその内周にモータステータ１３が固定されている。モータステータ１３は、コイルが備えられており通電することで、磁力を発生する。一方、モータ軸１５には永久磁石を備えたモータロータ１４が固定されている。モータステータ１３とモータロータ１４は所定距離離れて保持され、モータステータ１３に通電することでモータロータ１４が回転し、駆動力を発生してモータ軸１５に動力を伝える。モータロータ１４の端面には磁気遮蔽板１７が備えられている。そして、磁気遮蔽板１７の一端にはモータロータ１４が当接し、他端にはセンサロータ１２０が当接するように構成されている。

ケースカバー１２にはセンサステータ１３０が固定されており、ケース本体１１とケースカバー１２を組み付けた状態で、センサロータ１２０とセンサステータ１３０が所定距離だけ離れて配置される。センサロータ１２０とセンサステータ１３０とで位置センサ１００を構成する。センサロータ１２０とセンサステータ１３０との間の距離は近くした方が位置センサ１００の検出精度を向上させることができるが、寸法公差や温度による寸法変化等も考慮された上で決定される。

図２に、位置センサ１００の電気的構成を表すブロック図を示す。位置センサ１００は、大きく回路部１４０とセンサ部１５０に分けられる。回路部１４０において、基準クロック発生器５５は、第１分周回路５６に接続している。また、第１分周回路５６は、カウンタ５７に接続している。また、カウンタ５７は、Ｄ／Ａコンバータ５８と第２分周回路５９に接続している。また、Ｄ／Ａコンバータ５８は、励磁コイル２３に接続している。また、カウンタ５７は、第２分周回路５９に接続している。

また、第２分周回路５９は、正弦波用の第１同期検波回路５１、及び余弦波用の第２同期検波回路５２に接続している。また、第１同期検波回路５１は、第１積分回路５３に接続している。また、第２同期検波回路５２は、第２積分回路５４に接続している。また、第１積分回路５３と第２積分回路５４は、演算機６０に接続している。センサ部１５０において、正弦波コイル４０Ａは、第１同期検波回路５１に接続している。また、余弦波コイル４０Ｂは、第２同期検波回路５２に接続している。励磁コイル２３は、Ｄ／Ａコンバータに接続している。センサロータ１２０は、電気的接続を有していない。

図３に、センサステータ１３０の平面図を示す。図４に、センサロータ１２０の平面図を示す。なお、図３及び図４には、説明の都合で断面でない部分にドットハッチングが施してある。図５に、位置センサ１００の断面図を示す。センサステータ１３０には、検出コイル４０として正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂとが交互に４つずつ配置され、及び励磁コイル２３を備えている。正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂは、図３では省略されているが、それぞれ導体が複数回巻回されて形成されており、お互いに重なり合わないように、センサステータ１３０の表面上に配置されている。センサステータ１３０の及びその表面は非磁性体が用いられている。

一方、センサロータ１２０には、磁界遮蔽部Ａ１と磁界非遮蔽部Ａ２が交互に設けられており、磁界非遮蔽部Ａ２には磁界遮蔽領域としてベース部１２１と、磁界非遮蔽領域としてプレート部１２２が設けられている。ベース部１２１の材質は例えばＳＵＳ３０５のような非磁性導電体金属などが挙げられるが、これに限定されるものではない。磁界遮蔽部Ａ１及び磁界非遮蔽部Ａ２の幅はそれぞれ、並べられた正弦波コイル４０Ａ及び余弦波コイル４０Ｂをカバーするような幅に設定されている。すなわち、２つ並べられた検出コイル４０の幅と等しくなるように磁界遮蔽部Ａ１又は磁界非遮蔽部Ａ２の幅が決定されている。プレート部１２２は所定の厚みを有しプレス加工等機械加工された鉄等の磁性部材を用いることが好ましいが、材質や加工方法を特に限定するものではない。

この様に、センサステータ１３０に検出コイル４０及び励磁コイル２３を４つずつ交互に備え、センサロータ１２０にそれぞれ２つずつの磁界遮蔽部Ａ１と磁界非遮蔽部Ａ２を交互に備えることで、２Ｘの位置センサ１００として機能する。磁界遮蔽部Ａ１はセンサロータ１２０のベース素材の端面であってもよいし、その表面に別途、非磁性素材を塗布する構成でも良い。磁界非遮蔽部Ａ２は、磁界遮蔽領域１２５ａと磁界非遮蔽領域１２５ｂとを備え、磁界非遮蔽領域１２５ｂは図４に示すような、センサロータ１２０の外周方向に凸となるような曲線形状で形成されている。

次に、位置センサ１００の動作について説明する。図２に示す制御回路において、基準クロック発生器５５は、３２ＭＨｚの高周波の基準クロックを生成する。第１分周回路５６は、周波数分割回路とも呼ばれ、基準クロック発生器５５で生成した高い周波数のクロックを、低周波のクロックに変換する回路である。第１分周回路５６は、３２ＭＨｚの基準クロックを５００ｋＨｚの周波数に分周する。カウンタ５７は、６４個のパルスをカウントし、Ｄ／Ａコンバータ５８に対して、６４個のパルスを１周期として出力する。

Ｄ／Ａコンバータ５８は６４個のパルスを１周期として、振幅変調させることにより、５００ｋＨｚ／６４＝７．８１２５ｋＨｚの正弦波励磁信号を作成し、励磁コイル２３を励磁する。励磁コイル２３に正弦波励磁信号が通電されることにより、磁界が発生し、図５に示すように、プレート部１２２の内部を磁界が通過することで、検出コイル４０である正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂに誘起電流である検出電流が流れる。この作用については、後述する。

第２分周回路５９は、カウンタ５７のカウント値を受けて、必要な検出タイミングで、第１同期検波回路５１、第２同期検波回路５２に、検出タイミング信号を入力する。第１同期検波回路５１は、第２分周回路５９のタイミングで、正弦波コイル４０Ａから入力された検出電流値を読み出し、第１積分回路５３に送る。第１積分回路５３は、検出電流の電流値を、所定時間分だけ積分することにより、検出電流値を部分平均している。部分平均された積分回路出力は、演算機６０に送られる。

所定時間分だけ積分を行っている理由は、本実施の形態では、５００ｋＨｚの搬送波を振幅変調して、７．８１２５ｋＨｚの信号波としているので、ある時刻における誘起電流は、搬送波による誘起電流値となる。搬送波の誘起電流値でなく、信号波の誘起電流値を得るために、所定時間内における誘起電流値の積分を算出しているのである。すなわち、複数個の搬送波を積分している。

同様に、第２同期検波回路５２は、第２分周回路５９のタイミングで、余弦波コイル４０Ｂから入力された検出電流値を読み出し、第２積分回路５４に送る。第２積分回路５４は、検出電流の電流値を、所定時間分だけ積分することにより、検出電流値を部分平均している。第２積分回路５４の機能は、第１積分回路５３と同じである。部分平均された積分回路出力は、演算機６０に送られる。

演算機６０は、第１積分回路５３から入力した正弦波コイル４０Ａの積分回路出力と、第２積分回路５４から入力した余弦波コイル４０Ｂの積分回路出力との比を求め、その比を角度データ６１として、出力する。振幅式の位置センサ（レゾルバ）では、ある瞬間の電気角における、正弦波コイル４０Ａの積分回路出力と、余弦波コイル４０Ｂの積分回路出力との比は、電気角と一義的に対応しているため、その比を角度データとして得れば、現在の位置センサ１００の角度を測定することができる。

第１実施形態の位置センサ１００は上記構成であるので、以下に説明する作用及び効果を奏する。

まず、位置センサ１００の検出精度を向上させることが可能であることが、効果として挙げられる。第１実施形態の位置センサ１００は、励磁信号が入力される励磁コイル２３と検出信号を出力する検出コイル４０とをセンサステータ１３０に備え、固定子に相当するセンサステータ１３０に対向する位置にあって回転する可動子に相当するセンサロータ１２０と、センサロータ１２０の移動に伴う検出コイル４０のインダクタンス変化を捉えてセンサロータ１２０の位置を検出する位置センサ１００において、センサステータ１３０は、正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂを含む、検出コイル４０と、検出コイル４０の内周又は外周側に配置される励磁コイル２３と、を備えている。

また、正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂは、互いに重なり合うことなくセンサステータ１３０の面上に交互に配置され、センサロータ１２０は、正弦波コイル４０Ａをと余弦波コイル４０Ｂをとそれぞれ１つずつ回転方向に並べた長さに相当する磁界遮蔽部Ａ１と、正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂとをそれぞれ１つずつと回転方向に並べた長さに相当する磁界非遮蔽部Ａ２とを備えている。また、磁界非遮蔽部Ａ２は、磁界を遮蔽する磁界遮蔽領域１２５ａがセンサロータ１２０の径方向の幅が回転方向に変化するよう形成されることで、磁界を遮蔽しない磁界非遮蔽領域１２５ｂのセンサロータ１２０の径方向の幅が回転方向に変化するよう形成されるものである。

前述した図５に示すように、センサロータ１２０はベース部１２１が非磁性の金属を用いて居るため、磁束が通過すると渦電流が発生し磁束ｆを弱める。一方で、プレート部１２２の磁界遮蔽領域１２５ａによって、その内部を通過する磁束ｆは検出コイル４０によって検出されることとなる。図６に、センサロータ１２０のプレート部１２２とセンサステータ１３０とを重ねた平面図を示す。正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂは、磁界非遮蔽領域１２５ｂと重なっている部分では励磁コイル２３より生じた磁界を検出し、磁界非遮蔽領域１２５ｂと重ならない、即ち磁界遮蔽領域１２５ａと重なる部分では、磁界を検出しない。この為、プレート部１２２が回転方向Ｒに沿って移動する事で、検出コイル４０で検出される信号が変化する。

この際、正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂが重ねられて居ないため、正弦波コイル４０Ａと磁界非遮蔽領域１２５ｂの距離、余弦波コイル４０Ｂと磁界非遮蔽領域１２５ｂの距離が等しくなり、位置センサ１００への出力が等しくなる。この結果、センサロータ１２０とセンサステータ１３０との距離ｘが変化しても、隙間の変化により発生する誤差を低減できる。この為、位置センサ１００の検出精度を向上させることが可能となる。また、センサロータ１２０は非磁性の金属が用いられて居るため、シールド効果が得られて外部からのノイズが入り難い。この為、位置センサ１００のＳ／Ｎ比を向上させることができ、検出精度の向上に貢献ができる。

また、正弦波コイル４０Ａ及び余弦波コイル４０Ｂで検出される波形の形状を、正弦波又は余弦波とするためには、磁界遮蔽領域１２５ａの形状、又は磁界非遮蔽領域１２５ｂの形状を変更することで調整することができる。磁界遮蔽領域１２５ａ及び磁界非遮蔽領域１２５ｂは機械加工によって形成されているため、微調整が容易であり、一度形状が決定してしまえば形状再現性が高いという点も有利である。この結果、特許文献２に示すようなパターンピッチを用いる場合に比べて、位置センサ１００の精度向上が容易となる。また、パターンピッチを用いないため、検出コイル４０の巻回数を最適化し、より検出コイル４０の巻回数を増やすことが可能となる。この結果、位置センサ１００の検出精度の向上が期待出来る。

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第２実施形態の位置センサ１００は、第１実施形態の位置センサ１００と類似の構成だが、センサロータ１２０の形状が若干異なる。

図７に、第２実施形態の、センサロータ１２０とセンサステータ１３０の断面図を示す。第２実施形態のセンサロータ１２０は、第１実施形態のセンサロータ１２０と同様であるが、センサステータ１３０は、プレート部１２２に相当する部分が凹部１２３として形成されている。つまり、機械加工によって、図４に示すプレート部１２２の部分が切り欠かれた状態に形成されている。つまり、磁界遮蔽領域１２５ａ及び磁界非遮蔽領域１２５ｂが機械加工によって形成される点で、第１実施形態と同様と言える。凹部１２３の形状は、磁束ｆの通過を阻害しないように軸方向に深く形成され、センサロータ１２０のベース部１２１は第１実施形態同様に非磁性の金属が用いられているので、渦電流の発生により磁束を打ち消す効果がある。したがって、第１実施形態の位置センサ１００と同等の効果が得られる。

次に、本発明の第３の実施形態について説明する。第３実施形態の位置センサ１００は、第１実施形態の位置センサ１００と類似の構成だが、センサロータ１２０の形状が若干異なる。

図８に、第３実施形態のセンサステータ１３０の平面図を示す。図９に、センサロータ１２０の平面図を示す。センサステータ１３０は、図８に示すように、検出コイル４０として正弦波コイル４０Ａと余弦波コイル４０Ｂとが交互に形成される点では、第１実施形態と同様であるが、励磁コイル２３が検出コイル４０の外周側に設けられている点で異なる。

プレート部１２２はセンサロータ１２０の外周側から内周側に凸になるように形成されており、磁界遮蔽領域１２５ａと磁界非遮蔽領域１２５ｂを形成する。磁界遮蔽領域１２５ａはベース部１２１となる非磁性の金属によって形成されている。一方の磁界非遮蔽領域１２５ｂは、第１実施形態のプレート部１２２のようにプレート状のもので形成されても良いし、第２実施形態の凹部１２３の用に、凹部として形成されても良い。

第３実施形態のセンサロータ１２０はこの様な形態であるため、第１実施形態とほぼ同様の作用効果が得られる。第１実施形態とは、外周側に凸に形成されるか、内周側に凸荷形成されるかの違いであり、センサステータ１３０は励磁コイル２３が検出コイル４０の内周に設けられるか、外周に設けられるかの違いである。位置センサ１００の特性や、加工のし易さなどを勘案して適宜選択されることが望ましい。

以上において、実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることは言うまでもない。例えば、第１実施形態乃至第３実施形態で示した材質などは、単なる励磁に過ぎないのでその機能を満足する他の材質に変更することを妨げない。また、磁界遮蔽領域１２５ａ及び磁界非遮蔽領域１２５ｂの形状についても、図に示される以外の形状にすることを妨げない。

１０ モータ
２３ 励磁コイル
４０ 検出コイル
４０Ａ 正弦波コイル
４０Ｂ 余弦波コイル
５１、５２ 第１、第２同期検波回路
５３、５４ 第１、第２積分回路
５５ 基準クロック発生器
５６、５９ 第１、第２分周回路
５７ カウンタ
５８ Ｄ／Ａコンバータ
６０ 演算機
６１ 角度データ
１００ 位置センサ
１２０ センサロータ
１２１ ベース部
１２２ プレート部
１２３ 凹部
１２５ａ 磁界遮蔽領域
１２５ｂ 磁界非遮蔽領域
１３０ センサステータ
１４０ 回路部
１５０ センサ部
Ａ１ 磁界遮蔽部
Ａ２ 磁界非遮蔽部
Ｒ 回転方向
ｆ 磁束

Claims (4)

1. 励磁信号が入力される励磁コイルと検出信号を出力する検出コイルとを固定子に備え、前記固定子に対向する位置にあって回転する可動子と、前記可動子の移動に伴う前記検出コイルのインダクタンス変化を捉えて前記可動子の位置を検出する位置センサにおいて、
   前記固定子は、
   正弦波コイルと余弦波コイルを含む、前記検出コイルと、
   前記検出コイルの内周又は外周側に配置される前記励磁コイルと、を備え、
   前記正弦波コイルと前記余弦波コイルは、互いに重なり合うことなく前記固定子の面上に交互に配置され、
   前記可動子は、
   前記正弦波コイル１つと前記余弦波コイル１つとを前記回転方向に並べた長さに相当する磁界遮蔽部と、
   前記正弦波コイル１つと前記余弦波コイル１つとを前記回転方向に並べた長さに相当する磁界非遮蔽部とを備え、
   前記磁界非遮蔽部は、磁界を遮蔽する磁界遮蔽領域が前記可動子の径方向の幅が前記回転方向に変化するよう形成されることで、磁界を遮蔽しない磁界非遮蔽領域の前記可動子の径方向の幅が前記回転方向に変化するよう形成されること、
   を特徴とする位置センサ。
2. 請求項１に記載の位置センサにおいて、
   前記磁界遮蔽部及び前記磁界非遮蔽部は、非磁性導電部材よりなる一面によってその機能を果たしていること、
   を特徴とする位置センサ。
3. 請求項２に記載の位置センサにおいて、
   前記磁界非遮蔽部の前記磁界非遮蔽領域は、非磁性導電部材表面に設けられた磁性部材であること、
   を特徴とする位置センサ。
4. 請求項２に記載の位置センサにおいて、
   前記磁界非遮蔽部の前記磁界非遮蔽領域は、非磁性導電部材に形成された凹部又は切り欠きであること、
   を特徴とする位置センサ。

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