JP2015063252A

JP2015063252A - Lighting circuit for vehicular lighting fixture, light source unit for vehicular lighting fixture, and vehicular lighting fixture

Info

Publication number: JP2015063252A
Application number: JP2013198936A
Authority: JP
Inventors: 勝昭中野; Katsuaki Nakano; 松岡　健二; Kenji Matsuoka; 健二松岡
Original assignee: Ichikoh Industries Ltd
Current assignee: Ichikoh Industries Ltd
Priority date: 2013-09-25
Filing date: 2013-09-25
Publication date: 2015-04-09
Anticipated expiration: 2033-09-25
Also published as: JP6303359B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of a conventional vehicular lighting fixture system in which there are cases where a plurality of semiconductor light-emitting elements in a light emission state go out even if an input voltage is within a voltage variation range in a rating mode of a battery.SOLUTION: A lighting circuit for a vehicular lighting fixture includes: three semiconductor light-emitting elements 21-23 connected in series; resistors R1, R2 connected in series with the semiconductor light-emitting elements 21-23; and changeover means. When an input voltage falls to a prescribed voltage value (11 V) or less, the changeover means reduces the number of the semiconductor light-emitting elements in a light emission state from the three element 21-23 to the two elements 21, 22. As a result, if the input voltage is within a voltage variation range (9-16 V) in a rating mode of a battery, the lighting circuit for the vehicular lighting fixture can maintain the light emission state of the reduced the two semiconductor light-emitting elements 21, 22.

Description

この発明は、車両用灯具の点灯回路であって、複数個の半導体発光素子が直列に接続されている車両用灯具の点灯回路に関するものである。また、この発明は、車両用灯具の光源ユニットであって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットに関するものである。さらに、この発明は、車両用灯具であって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする光源ユニットを使用する車両用灯具に関するものである。特に、この発明は、入力電圧（供給電圧）が低下しても、半導体発光素子の発光状態（点灯状態）を確実に維持することができる車両用灯具の点灯回路、車両用灯具の光源ユニット、車両用灯具（以下、総称して、あるいは、組み合わせて、あるいは、単独で、「車両用灯具システム」と称する）に関するものである。 The present invention relates to a lighting circuit for a vehicular lamp, in which a plurality of semiconductor light emitting elements are connected in series. The present invention also relates to a light source unit for a vehicular lamp that uses a plurality of semiconductor light emitting elements connected in series as a light source. Furthermore, the present invention relates to a vehicular lamp that uses a light source unit having a plurality of semiconductor light emitting elements connected in series as a light source. In particular, the present invention relates to a lighting circuit for a vehicle lamp that can reliably maintain the light emitting state (lighting state) of the semiconductor light emitting device even when the input voltage (supply voltage) decreases, a light source unit for the vehicle lamp, The present invention relates to a vehicular lamp (hereinafter, collectively, combined or singularly referred to as a “vehicle lamp system”).

この種の車両用灯具システムは、従来からある（たとえば、特許文献１、特許文献２、特許文献３）。従来の車両用灯具システムは、複数個の半導体発光素子（発光素子、発光ダイオード、ＬＥＤ）が直列に接続されていて、かつ、半導体発光素子に抵抗が直列に接続されているものである。半導体発光素子に順方向降下電圧（Ｖｆ）以上の電圧を加えると、半導体発光素子に電流が供給されて、半導体発光素子が発光する。 Conventionally, this kind of vehicle lamp system is (for example, patent document 1, patent document 2, patent document 3). In a conventional vehicle lamp system, a plurality of semiconductor light emitting elements (light emitting elements, light emitting diodes, and LEDs) are connected in series, and a resistor is connected in series to the semiconductor light emitting elements. When a voltage equal to or higher than the forward voltage drop (Vf) is applied to the semiconductor light emitting element, current is supplied to the semiconductor light emitting element, and the semiconductor light emitting element emits light.

特開２０１２−２４０６２７号公報JP 2012-240627 A 特開２０１２−２４０４９２号公報JP 2012-240492 A 特開２００８−６０６０４号公報JP 2008-60604 A

前記の車両用灯具システムにおいては、車両に搭載したバッテリーを電源とするものである。この車両搭載バッテリーの定格モード（通常モード）における電圧の変化範囲（変動範囲）は、９Ｖ〜１６Ｖの範囲内である。このために、前記の車両用灯具システムにおいては、バッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲内において、複数個の半導体発光素子の発光状態（点灯状態）を確実に維持することが必要である。また、近年のアイドリングストップ機能（７Ｖまで低下する）での電圧低下時でも確実に点灯維持することが求められている。 In the vehicle lamp system, a battery mounted on the vehicle is used as a power source. The change range (variation range) of the voltage in the rated mode (normal mode) of the vehicle-mounted battery is in the range of 9V to 16V. For this reason, in the vehicle lamp system described above, it is necessary to reliably maintain the light emitting states (lighting states) of the plurality of semiconductor light emitting elements within the voltage change range in the rated mode of the battery. In addition, there is a demand for reliably maintaining lighting even when the voltage drops in a recent idling stop function (lowering to 7V).

ところが、前記の従来の車両用灯具システムは、入力電圧がバッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲内であっても、その入力電圧が直列に接続されている複数個の半導体発光素子の順方向降下電圧（Ｖｆ）以下になると、発光状態の複数個の半導体発光素子が消える場合がある。また、アイドリングストップ時の電圧低下状態ではより消える状況にある。 However, the conventional vehicular lamp system has a forward voltage drop of a plurality of semiconductor light emitting elements connected in series even when the input voltage is within the voltage change range in the rated mode of the battery. Below (Vf), the plurality of semiconductor light emitting elements in the light emitting state may disappear. In addition, the state disappears more in the voltage drop state when idling is stopped.

この発明が解決しようとする課題は、従来の車両用灯具では、入力電圧がバッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲内であっても、発光状態の複数個の半導体発光素子が消える場合があり、また、アイドリングストップ時の急激な低下ではより顕著に消える状況にある、という点にある。 The problem to be solved by the present invention is that, in the conventional vehicle lamp, even if the input voltage is within the voltage change range in the rated mode of the battery, the plurality of light emitting semiconductor light emitting elements may disappear, It is in the point that it is in a situation that disappears more remarkably when it suddenly drops when idling stops.

この発明（請求項１にかかる発明）は、車両用灯具の点灯回路であって、直列に接続されている複数個の半導体発光素子と、半導体発光素子に直列に接続されている抵抗と、入力電圧が所定電圧値以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子の個数を減らす切替手段と、を備える、ことを特徴とする。 The present invention (invention according to claim 1) is a lighting circuit for a vehicle lamp, comprising a plurality of semiconductor light emitting elements connected in series, a resistor connected in series to the semiconductor light emitting elements, and an input Switching means for reducing the number of semiconductor light emitting elements in a light emitting state when the voltage drops below a predetermined voltage value.

この発明（請求項２にかかる発明）は、切替手段が、入力電圧が所定電圧値以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子の個数を減らすと同時に、抵抗の抵抗値を増やす、ことを特徴とする。 This invention (the invention according to claim 2) is characterized in that, when the input voltage drops below a predetermined voltage value, the switching means reduces the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state and simultaneously increases the resistance value of the resistor. And

この発明（請求項３にかかる発明）は、発光状態の半導体発光素子から放射される光束と入力電圧との負荷線において、発光状態の半導体発光素子の個数が減らされる前の負荷線と、発光状態の半導体発光素子の個数が減らされた後の負荷線とが、所定電圧値もしくはその近傍で交差する、ことを特徴とする。 According to the present invention (the invention according to claim 3), in the load line of the luminous flux emitted from the light emitting semiconductor light emitting element and the input voltage, the load line before the number of light emitting semiconductor light emitting elements is reduced, and the light emission The load line after the number of semiconductor light emitting elements in the state is reduced intersects at a predetermined voltage value or in the vicinity thereof.

この発明（請求項４にかかる発明）は、直列に接続されている複数個の半導体発光素子を光源とする車両用灯具の光源ユニットにおいて、光源部と、ソケット部と、を備え、光源部が、基板と、基板に実装されている前記請求項１〜３のいずれか１項に記載の車両用灯具の点灯回路と、を有し、ソケット部が、光源部を保持する保持部材と、点灯回路に給電する給電部材と、を有する、ことを特徴とする。 The present invention (invention according to claim 4) is a light source unit for a vehicle lamp that uses a plurality of semiconductor light emitting elements connected in series as a light source. The light source unit includes a light source part and a socket part. A lighting circuit for the vehicular lamp according to any one of claims 1 to 3 mounted on the board, the socket portion holding the light source portion, and lighting And a power supply member for supplying power to the circuit.

この発明（請求項５にかかる発明）は、複数個の半導体発光素子が、基板に集中して実装されている、ことを特徴とする。 The present invention (invention according to claim 5) is characterized in that a plurality of semiconductor light emitting elements are mounted concentrated on a substrate.

この発明（請求項６にかかる発明）は、灯室を区画するランプハウジングおよびランプレンズと、ソケット部がランプハウジングに取り付けられていて、かつ、光源部が灯室内に配置されている請求項４または５に記載の車両用灯具の光源ユニットと、を備える、ことを特徴とする。 According to the present invention (the invention according to claim 6), the lamp housing and the lamp lens that define the lamp chamber, the socket portion is attached to the lamp housing, and the light source portion is disposed in the lamp chamber. Or a light source unit for a vehicular lamp as described in 5 above.

この発明の車両用灯具システムは、切替手段により、入力電圧が所定電圧値以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子の個数を減らすものである。このために、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分低下する。これにより、入力電圧がバッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲内であれば、減らされた個数において半導体発光素子の発光状態を維持することができると共に、アイドリングストップレベルの低下状態（７Ｖ）でも発光状態を維持することができる。 The vehicular lamp system according to the present invention reduces the number of semiconductor light emitting elements in a light emitting state when the input voltage is lowered below a predetermined voltage value by the switching means. For this reason, the forward voltage drop of the semiconductor light emitting elements connected in series is reduced by reducing the number of light emitting semiconductor light emitting elements. As a result, if the input voltage is within the voltage change range in the rated mode of the battery, the light emitting state of the semiconductor light emitting elements can be maintained with the reduced number, and the light emitting state can be maintained even when the idling stop level is lowered (7 V). Can be maintained.

図１は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態１を示す点灯回路の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a lighting circuit showing Embodiment 1 of a vehicular lamp system according to the present invention. 図２は、車両用灯具および光源ユニットを示す一部が破断されている一部側面図である。FIG. 2 is a partial side view in which a part showing the vehicle lamp and the light source unit is broken. 図３は、レンズ部を除いた状態の光源ユニットを示す正面図（レンズ部を除いた状態の図２におけるＩＩＩ矢視図）である。FIG. 3 is a front view showing the light source unit in a state where the lens portion is removed (a view taken along the arrow III in FIG. 2 in a state where the lens portion is removed). 図４は、３個の半導体発光素子の配置を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing the arrangement of three semiconductor light emitting elements. 図５は、発光状態の半導体発光素子から放射される光束と入力電圧との負荷線を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a load line between a luminous flux emitted from a semiconductor light emitting element in a light emitting state and an input voltage. 図６は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態２を示す点灯回路の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a lighting circuit showing a second embodiment of the vehicular lamp system according to the present invention. 図７は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態３を示す点灯回路の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a lighting circuit showing Embodiment 3 of the vehicular lamp system according to the present invention. 図８は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態４を示す点灯回路の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a lighting circuit showing Embodiment 4 of the vehicular lamp system according to the present invention. 図９は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態５を示す点灯回路の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a lighting circuit showing Embodiment 5 of the vehicular lamp system according to the present invention.

以下、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態（実施例）のうちの５例にいて、図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, five examples of the embodiments (examples) of the vehicular lamp system according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment.

（実施形態１の構成の説明）
図１〜図５は、この発明にかかる車両用灯具システムの実施形態１を示す。以下、この実施形態１における車両用灯具システムの構成について説明する。図２において、符号１００は、この実施形態１における車両用灯具である。 (Description of Configuration of Embodiment 1)
1 to 5 show Embodiment 1 of a vehicular lamp system according to the present invention. Hereinafter, the configuration of the vehicular lamp system in the first embodiment will be described. In FIG. 2, reference numeral 100 denotes a vehicular lamp in the first embodiment.

（車両用灯具１００の説明）
前記車両用灯具１００は、この例では、白色光あるいはアンバー色光を照射するランプ（デイタイムランニングランプ、バックアップランプ、クリアランスランプ、ターンシグナルランプ）である。前記車両用灯具１００は、車両（図示せず）の前部あるいは後部あるいは前後両部の左右にそれぞれ装備される。前記車両用灯具１００は、他のランプと組み合わせられる場合がある。 (Description of vehicle lamp 100)
In this example, the vehicular lamp 100 is a lamp that emits white light or amber light (daytime running lamp, backup lamp, clearance lamp, turn signal lamp). The vehicular lamp 100 is mounted on the front or rear of a vehicle (not shown) or on the left and right of both front and rear. The vehicle lamp 100 may be combined with other lamps.

前記車両用灯具１００は、図１に示すように、ランプハウジング１０１およびランプレンズ（図示せず）と、この実施形態１における車両用灯具の光源ユニット１と、を備えるものである。 As shown in FIG. 1, the vehicle lamp 100 includes a lamp housing 101 and a lamp lens (not shown), and the light source unit 1 of the vehicle lamp according to the first embodiment.

前記ランプハウジング１０１は、たとえば、光不透過性の部材、例えば、樹脂部材から構成されている。前記ランプハウジング１０１は、一方（後方）が開口し、他方（前方）が閉塞されている中空形状をなす。前記ランプハウジング１０１の閉塞部には、取付孔１０２が設けられている。前記取付孔１０２は、円形形状をなす。前記取付孔１０２の縁には、複数個の凹部（図示せず）と複数個のストッパ部（図示せず）とがほぼ等間隔に設けられている。 The lamp housing 101 is made of, for example, a light impermeable member, for example, a resin member. The lamp housing 101 has a hollow shape in which one (rear) is open and the other (front) is closed. A mounting hole 102 is provided in the closed portion of the lamp housing 101. The mounting hole 102 has a circular shape. A plurality of concave portions (not shown) and a plurality of stopper portions (not shown) are provided at substantially equal intervals on the edge of the mounting hole 102.

前記ランプレンズは、たとえば、光透過性の部材、例えば、透明樹脂部材やガラス部材から構成されている。前記ランプレンズは、一方（前方）が開口し、他方（後方）が閉塞されている中空形状をなす。前記ランプレンズの開口部の周縁部と前記ランプハウジング１０１の開口部の周縁部とは、水密に固定されている。前記ランプハウジング１０１および前記ランプレンズにより、灯室１０３が区画されている。なお、前記灯室１０３内にリフレクタ（図示せず）を配置しても良い。前記リフレクタは、前記光源ユニット１から放射される光を所定の配光パターンに配光制御する配光制御部である。 The lamp lens is composed of, for example, a light transmissive member, for example, a transparent resin member or a glass member. The lamp lens has a hollow shape in which one (front) is open and the other (rear) is closed. The peripheral edge of the opening of the lamp lens and the peripheral edge of the opening of the lamp housing 101 are fixed in a watertight manner. A lamp chamber 103 is defined by the lamp housing 101 and the lamp lens. A reflector (not shown) may be disposed in the lamp chamber 103. The reflector is a light distribution control unit that controls light distribution from the light source unit 1 to a predetermined light distribution pattern.

（光源ユニット１の説明）
前記光源ユニット１は、図２〜図４に示すように、光源部１０と、ソケット部１１と、光学部品としてのレンズ部１２と、を備える。前記光源部１０は、前記ソケット部１１の一端部に取り付けられている。前記レンズ部１２は、前記ソケット部１１の一端部に固定もしくは着脱可能に取り付けられている。前記光源部１０は、前記ソケット部１１と、キャップ形状もしくはカバー形状の前記レンズ部１２と、により覆われている。 (Description of the light source unit 1)
As shown in FIGS. 2 to 4, the light source unit 1 includes a light source unit 10, a socket unit 11, and a lens unit 12 as an optical component. The light source unit 10 is attached to one end of the socket unit 11. The lens portion 12 is fixedly or detachably attached to one end portion of the socket portion 11. The light source unit 10 is covered with the socket unit 11 and the lens unit 12 having a cap shape or a cover shape.

前記光源ユニット１は、図２に示すように、前記車両用灯具１００に装備されている。すなわち、前記ソケット部１１が前記ランプハウジング１０１にパッキン（リングリング）１０４を介して着脱可能に取り付けられている。前記光源部１０および前記レンズ部１２が前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２を経て前記灯室１０３内に配置されている。 The light source unit 1 is mounted on the vehicular lamp 100 as shown in FIG. That is, the socket part 11 is detachably attached to the lamp housing 101 via a packing (ring ring) 104. The light source unit 10 and the lens unit 12 are disposed in the lamp chamber 103 through the mounting hole 102 of the lamp housing 101.

（光源部１０の説明）
前記光源部１０は、図１、図３、図４に示すように、基板２と、前記基板２に実装されているこの実施形態１における車両用灯具の点灯回路と、前記基板２に取り付けられている包囲壁部材２０および封止部材２００と、を有するものである。 (Description of the light source unit 10)
As shown in FIGS. 1, 3, and 4, the light source unit 10 is attached to the substrate 2, the lighting circuit for the vehicular lamp according to the first embodiment mounted on the substrate 2, and the substrate 2. The surrounding wall member 20 and the sealing member 200 are provided.

（基板２の説明）
前記基板２は、この例では、セラミック基板、一面に絶縁層が設けられている金属基板（アルミ基板）、ＦＲ４などである。前記基板２の一面には、前記点灯回路、前記包囲壁部材２０、前記封止部材２００が実装されている。なお、前記基板２の一面の実装面には、高反射塗料や高反射蒸着などの高反射面を設けても良い。前記基板２の他面は、図示しない熱伝導性媒体（熱伝導性接着剤、グリース、熱伝導性グリースなど）を介して前記ソケット部１１に密着固定されている。前記基板２は、図３に示すように、平面から見てほぼ長方形形状もしくはほぼ正方形形状をなす。 (Description of substrate 2)
In this example, the substrate 2 is a ceramic substrate, a metal substrate (aluminum substrate) provided with an insulating layer on one surface, FR4, or the like. The lighting circuit, the surrounding wall member 20, and the sealing member 200 are mounted on one surface of the substrate 2. Note that a highly reflective surface such as a highly reflective paint or highly reflective vapor deposition may be provided on one mounting surface of the substrate 2. The other surface of the substrate 2 is tightly fixed to the socket portion 11 via a heat conductive medium (not shown) (thermal conductive adhesive, grease, heat conductive grease, etc.). As shown in FIG. 3, the substrate 2 has a substantially rectangular shape or a substantially square shape when seen from the plane.

（点灯回路の説明）
前記点灯回路は、図１に示すように、複数個この例では３個の半導体発光素子２１、２２、２３（以下、「２１〜２３」と記載する場合がある）と、制御素子と、配線素子と、切替手段と、を備える。 (Explanation of lighting circuit)
As shown in FIG. 1, the lighting circuit includes a plurality of semiconductor light emitting elements 21, 22, and 23 (hereinafter may be referred to as “21 to 23”), a control element, and a wiring in this example. An element and switching means.

３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、ＬＥＤ、ＥＬ（有機ＥＬ）などの自発光半導体（この実施形態１ではＬＥＤ）を使用する。前記半導体発光素子２１〜２３は、図３、図４に示すように、正面方向（前記基板２の前記実装面に対して垂直方向、図２中の矢印ＩＩＩ方向、図２中の前記光源ユニット１の光軸Ｚ（Ｚ軸）方向）から見て微小な矩形（正方形もしくは長方形）形状の半導体チップ（光源チップ、ＬＥＤチップ、発光チップ、ベアチップ）からなる。 The three semiconductor light emitting elements 21 to 23 use self-luminous semiconductors (LEDs in the first embodiment) such as LEDs and ELs (organic ELs). As shown in FIGS. 3 and 4, the semiconductor light emitting devices 21 to 23 are arranged in a front direction (a direction perpendicular to the mounting surface of the substrate 2, a direction indicated by an arrow III in FIG. 2, and the light source unit in FIG. 2. It is composed of a semiconductor chip (light source chip, LED chip, light emitting chip, bare chip) having a small rectangular shape (square or rectangular) as viewed from one optical axis Z (Z-axis direction).

３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、この例では、青色の光を放射するＧａＮ系のチップから構成されている。この１個のＧａＮ系のチップの順方向降下電圧は、約３Ｖ前後である。３個の前記半導体発光素子２１〜２３には、黄色の蛍光体（図示せず）が覆われている。この結果、前記半導体発光素子２１〜２３が青色の光を放射する場合は、青色の光が黄色の蛍光体を透過して白色光が得られる。前記半導体発光素子２１〜２３が黄色と赤色の蛍光体を透過させるとアンバー色光が得られる。 In this example, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are composed of GaN-based chips that emit blue light. The forward voltage drop of this single GaN-based chip is about 3V. The three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are covered with a yellow phosphor (not shown). As a result, when the semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit blue light, the blue light passes through the yellow phosphor and white light is obtained. When the semiconductor light emitting elements 21 to 23 transmit yellow and red phosphors, amber color light is obtained.

３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、図３、図４（Ａ）に示すように、前記基板２の前記実装面の中心からほぼ等距離位置にかつほぼ等中心角（約１２０°）位置に集中して実装されていて、かつ、Ｙ軸（前記Ｚ軸に対して垂直な軸）に対して左右対称に配置されている。すなわち、３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、正三角形の３角にそれぞれ位置する。３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、前記基板２の前記実装面に実装されている面以外の一正面および一正面と４側面から光を放射する。３個の前記半導体発光素子２１〜２３は、電源ラインＬ１とグランド（アース）ラインＬ２との間に直列に接続されている。 As shown in FIG. 3 and FIG. 4A, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are located at substantially equal distances from the center of the mounting surface of the substrate 2 and at substantially equal central angles (about 120 °). It is mounted in a concentrated manner and is arranged symmetrically with respect to the Y axis (axis perpendicular to the Z axis). That is, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are respectively located at three corners of an equilateral triangle. The three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light from one front surface, one front surface, and four side surfaces other than the surface mounted on the mounting surface of the substrate 2. The three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are connected in series between a power supply line L1 and a ground (earth) line L2.

前記制御素子は、抵抗Ｒ１、Ｒ２、ダイオードＤ、コンデンサ（図示せず）などを備える。前記制御素子は、前記基板２に実装されていて、前記配線素子を介して３個の前記半導体発光素子２１〜２３に供給する電流を制御するものである。前記ダイオードＤと前記抵抗Ｒ１、Ｒ２とは、前記電源ラインＬ１に直列に接続されていて、かつ、３個の前記半導体発光素子２１〜２３に直列に接続されている。 The control element includes resistors R1 and R2, a diode D, a capacitor (not shown), and the like. The control element is mounted on the substrate 2 and controls the current supplied to the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 through the wiring element. The diode D and the resistors R1 and R2 are connected in series to the power supply line L1, and are connected in series to the three semiconductor light emitting elements 21 to 23.

前記配線素子は、前記電源ラインＬ１と、前記グランドラインＬ２などを備える。すなわち、前記配線素子は、複数の配線パターンと、複数本のボンディングワイヤと、複数個の導電性接着剤と、複数個の実装パッドと、複数個のワイヤパッドと、複数個の半田と、複数個の接続ラウンド部と、を備える。前記配線素子は、前記基板２に実装されている。 The wiring element includes the power supply line L1, the ground line L2, and the like. That is, the wiring element includes a plurality of wiring patterns, a plurality of bonding wires, a plurality of conductive adhesives, a plurality of mounting pads, a plurality of wire pads, a plurality of solders, and a plurality of solders. Connection round portions. The wiring element is mounted on the substrate 2.

前記切替手段は、ツエナーダイオードＺＤと、スイッチ素子としてのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２と、抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５と、などを備える。前記切替手段は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３への入力電圧が所定電圧値以下に低下すると、発光状態の前記半導体発光素子２１〜２３の個数を３個から２個に減らすものである。 The switching means includes a Zener diode ZD, transistors Tr1 and Tr2 as switching elements, resistors R3, R4, and R5. The switching means reduces the number of the semiconductor light emitting elements 21 to 23 in the light emitting state from three to two when the input voltage to the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 falls below a predetermined voltage value. is there.

前記所定電圧値は、この例では、１１Ｖである。すなわち、前記所定電圧値は、図示しない車両搭載のバッテリー（電源、直流電源のバッテリー）の定格モードにおける電圧変化範囲（９Ｖ〜１６Ｖ）内であって、前記バッテリーの通常変動範囲（１２Ｖ〜１６Ｖ）以下の範囲である。具体的な数値としては、１０Ｖ〜１２Ｖの範囲であって、好ましくは１１Ｖである。 The predetermined voltage value is 11 V in this example. That is, the predetermined voltage value is within a voltage change range (9V to 16V) in a rated mode of a vehicle-mounted battery (power source, DC power source battery) (not shown), and the normal fluctuation range (12V to 16V) of the battery. The range is as follows. As a specific numerical value, it is the range of 10V-12V, Preferably it is 11V.

前記抵抗Ｒ３と前記ツエナーダイオードＺＤと前記抵抗Ｒ４とは、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記抵抗Ｒ５と前記トランジスタＴｒ１とは、同じく、前記電源ラインＬ１と前記グランドラインＬ２との間に直列に接続されている。前記抵抗Ｒ３および前記ツエナーダイオードＺＤおよび前記抵抗Ｒ４と前記抵抗Ｒ５および前記トランジスタＴｒ１とは、並列に接続されている。 The resistor R3, the Zener diode ZD, and the resistor R4 are connected in series between the power supply line L1 and the ground line L2. Similarly, the resistor R5 and the transistor Tr1 are connected in series between the power supply line L1 and the ground line L2. The resistor R3, the Zener diode ZD, the resistor R4, the resistor R5, and the transistor Tr1 are connected in parallel.

前記ツエナーダイオードＺＤのカソードは、前記抵抗Ｒ３を介して前記電源ラインＬ１に接続されている。前記ツエナーダイオードＺＤのアノードは、前記抵抗Ｒ４を介して前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒ１のベースは、前記ツエナーダイオードＺＤのアノードに接続されている。前記トランジスタＴｒ１のコレクタは、前記抵抗Ｒ５を介して前記電源ラインＬ１と、直接前記トランジスタＴｒ２のベースとに、それぞれ接続されている。前記トランジスタＴｒ２のエミッタは、前記グランドラインＬ２に接続されている。前記トランジスタＴｒ２のコレクタは、前記半導体型光源２２のカソードと前記半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている。 The cathode of the Zener diode ZD is connected to the power supply line L1 through the resistor R3. The anode of the Zener diode ZD is connected to the ground line L2 through the resistor R4. The emitter of the transistor Tr1 is connected to the ground line L2. The base of the transistor Tr1 is connected to the anode of the Zener diode ZD. The collector of the transistor Tr1 is connected to the power supply line L1 and the base of the transistor Tr2 via the resistor R5. The emitter of the transistor Tr2 is connected to the ground line L2. The collector of the transistor Tr2 is connected between the cathode of the semiconductor-type light source 22 and the anode of the semiconductor light-emitting element 23.

（包囲壁部材２０の説明）
前記包囲壁部材２０は、絶縁性部材たとえば樹脂、この例では、反射率を上げた樹脂から構成されている。前記包囲壁部材２０は、図３、図４に示すように、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部を包囲する円環状形状をなすものである。すなわち、前記包囲壁部材２０は、中央部が中空部であり、かつ、周囲部が壁部である円環状形状をなすものである。前記包囲壁部材２０の前記壁部の肉厚（前記壁部の内周面から外周面までの厚さ）は、ほぼ均一（均等）である。 (Description of the surrounding wall member 20)
The surrounding wall member 20 is made of an insulating member, for example, a resin, in this example, a resin having an increased reflectance. As shown in FIGS. 3 and 4, the surrounding wall member 20 has an annular shape surrounding all of the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 and a part of the wiring element. That is, the surrounding wall member 20 has an annular shape in which the central portion is a hollow portion and the peripheral portion is a wall portion. The wall thickness of the surrounding wall member 20 (the thickness from the inner peripheral surface to the outer peripheral surface of the wall portion) is substantially uniform (equal).

前記包囲壁部材２０は、前記半導体発光素子２１〜２３および前記配線素子の高さよりも十分な高さを有する。前記包囲壁部材２０は、前記封止部材２００を充填（注入、モールド、モールディング）する容量（範囲）を小容量に規制する部材（土手、ダム）である。前記包囲壁部材２０の前記壁部の一端面は、前記基板２の前記実装面に、嵌合接着により、固定されかつ位置決めされている。 The surrounding wall member 20 has a height sufficiently higher than the heights of the semiconductor light emitting elements 21 to 23 and the wiring elements. The surrounding wall member 20 is a member (bank, dam) that regulates the capacity (range) for filling (injecting, molding, molding) the sealing member 200 to a small capacity. One end surface of the wall portion of the surrounding wall member 20 is fixed and positioned on the mounting surface of the substrate 2 by fitting adhesion.

前記包囲壁部材２０の前記壁部の内周面には、前記半導体発光素子２１〜２３（特に、前記半導体発光素子２１〜２３の４側面）から放射される光（図示せず）を所定の方向（たとえば、前記半導体発光素子２１〜２３の一正面から放射される光の方向とほぼ同方向）に反射させる反射面が設けられている。 Light (not shown) radiated from the semiconductor light emitting elements 21 to 23 (particularly, four side surfaces of the semiconductor light emitting elements 21 to 23) is given to the inner peripheral surface of the wall portion of the surrounding wall member 20. A reflecting surface is provided that reflects in a direction (for example, substantially the same direction as the direction of light emitted from one front surface of the semiconductor light emitting elements 21 to 23).

前記封止部材２００は、光透過性部材、たとえば、エポキシ系樹脂またはシリコン系樹脂から構成されている。前記封止部材２００は、前記基板２の前記実装面に、前記半導体発光素子２１〜２３が実装され、かつ、ワイヤがボンディング配線された後に、前記基板２に実装された前記包囲壁部材２０の前記中空部中であって、前記基板２の前記実装面と前記包囲壁部材２０の前記壁部の内周面とにより区画されている空間中に充填される。前記封止部材２００が硬化することにより、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部が前記封止部材２００により封止されることとなる。 The sealing member 200 is made of a light transmissive member, for example, an epoxy resin or a silicon resin. The sealing member 200 is formed of the surrounding wall member 20 mounted on the substrate 2 after the semiconductor light emitting elements 21 to 23 are mounted on the mounting surface of the substrate 2 and wires are bonded. The space is filled in the hollow portion and defined by the mounting surface of the substrate 2 and the inner peripheral surface of the wall portion of the surrounding wall member 20. When the sealing member 200 is cured, all of the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 and a part of the wiring element are sealed by the sealing member 200.

前記封止部材２００は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３全部と、前記配線素子の一部を外からの影響、たとえば、他のものが接触したり、塵埃が付着したりするのを防ぎ、かつ、紫外線や硫化ガスやＮＯｘや水から保護するものである。すなわち、前記封止部材２００は、３個の前記半導体発光素子２１〜２３などを外乱から保護するものである。 The sealing member 200 prevents all of the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 and a part of the wiring element from being influenced from the outside, for example, contact with other things or adhesion of dust. It prevents and protects from ultraviolet rays, sulfurized gas, NOx and water. That is, the sealing member 200 protects the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 from disturbance.

（ソケット部１１の説明）
前記ソケット部１１は、図２、図３に示すように、保持部材３と、２本の給電部材３０、３１とを有するものである。前記ソケット部１１は、前記保持部材３と２本の前記給電部材３０、３１とを、絶縁部材（図示せず）を介して一体に構成したものでる。前記保持部材３は、前記光源部１０を保持する。前記給電部材３０、３１は、前記点灯回路に給電する。 (Description of socket part 11)
As shown in FIGS. 2 and 3, the socket portion 11 includes a holding member 3 and two power supply members 30 and 31. The socket part 11 is configured by integrally forming the holding member 3 and the two power supply members 30 and 31 via an insulating member (not shown). The holding member 3 holds the light source unit 10. The power supply members 30 and 31 supply power to the lighting circuit.

（保持部材３の説明）
前記保持部材３は、一端部の嵌合部３２と、中間部の円形形状の鍔部３３と、他端部のコネクタ嵌合部３４と、から一体に構成されている。前記保持部材３は、熱伝導性樹脂、たとえば、炭素繊維（短炭素繊維）、あるいは、炭素顆粒、あるいは、炭素平板、あるいは、炭素繊維と炭素顆粒との混合物を含有する樹脂から構成されている。前記保持部材３は、この例では、少なくとも炭素繊維を含有する樹脂の射出成形品から構成されている。なお、前記保持部材３は、たとえば、熱伝導性なお導電性をも有するアルミダイカストから構成されているものであっても良い。 (Description of holding member 3)
The holding member 3 is integrally formed from a fitting portion 32 at one end, a circular flange portion 33 at an intermediate portion, and a connector fitting portion 34 at the other end. The holding member 3 is made of a heat conductive resin such as carbon fiber (short carbon fiber), carbon granule, carbon flat plate, or a resin containing a mixture of carbon fiber and carbon granule. . In this example, the holding member 3 is composed of an injection molded product of resin containing at least carbon fiber. Note that the holding member 3 may be made of, for example, an aluminum die cast that has heat conductivity and conductivity.

前記嵌合部３２は、外径が前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２の内径より若干小さいほぼ円筒形状をなす。前記嵌合部３２の内周面および円形の底面には、前記基板２が密着固定されている。この結果、前記光源部１０は、前記ソケット部１１の前記保持部材３に保持される。なお、前記保持部材３に前記基板２を金属体（図示せず）を介して密着固定しても良い。 The fitting portion 32 has a substantially cylindrical shape whose outer diameter is slightly smaller than the inner diameter of the mounting hole 102 of the lamp housing 101. The substrate 2 is tightly fixed to the inner peripheral surface and the circular bottom surface of the fitting portion 32. As a result, the light source unit 10 is held by the holding member 3 of the socket unit 11. The substrate 2 may be tightly fixed to the holding member 3 via a metal body (not shown).

前記嵌合部３２の一端部の外周面には、複数個この例では４個の凸部３５が、前記ランプハウジング１０１の前記凹部と対応させて、かつ、前記鍔部３３と対向して、一体に設けられている。前記コネクタ嵌合部３４には、電源側のコネクタ（図示せず）が挿入する挿入凹部３６が設けられている。 On the outer peripheral surface of the one end portion of the fitting portion 32, a plurality of four convex portions 35 in this example correspond to the concave portion of the lamp housing 101 and face the flange portion 33. It is provided integrally. The connector fitting portion 34 is provided with an insertion recess 36 into which a power supply side connector (not shown) is inserted.

前記鍔部３３および４個の前記凸部３５は、前記光源ユニット１を前記車両用灯具１００に取り付けるものである。すなわち、前記保持部材３の前記嵌合部３２および前記凸部３５を前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２および前記凹部中に図２中の矢印ＩＩＩ方向と反対方向に挿入する。その状態で、前記保持部材３を前記Ｚ軸回りに回転させて、前記凸部３５を前記ランプハウジング１０１の前記ストッパ部に当てる。この時点において、前記凸部３５と前記鍔部３３とが前記パッキン１０４を介して前記ランプハウジング１０１の前記取付孔１０２の縁部を上下から挟み込む（図２参照）。 The flange portion 33 and the four convex portions 35 are for attaching the light source unit 1 to the vehicular lamp 100. That is, the fitting portion 32 and the convex portion 35 of the holding member 3 are inserted into the mounting hole 102 and the concave portion of the lamp housing 101 in the direction opposite to the arrow III direction in FIG. In this state, the holding member 3 is rotated around the Z axis, and the convex portion 35 is brought into contact with the stopper portion of the lamp housing 101. At this time, the convex portion 35 and the flange portion 33 sandwich the edge of the mounting hole 102 of the lamp housing 101 from above and below via the packing 104 (see FIG. 2).

この結果、前記光源ユニット１の前記ソケット部１１は、図２に示すように、前記車両用灯具１００の前記ランプハウジング１０１に前記パッキン１０４を介して着脱可能にあるいは固定的に取り付けられる。この時点において、図２に示すように、前記ソケット部１１のうち前記ランプハウジング１０１から外側に突出している部分（図２中の前記ランプハウジング１０１よりも下側の部分）が前記ソケット部１１のうち前記灯室１０３内に収納されている部分（図２中の前記ランプハウジング１０１よりも上側の部分）よりも大である。 As a result, the socket portion 11 of the light source unit 1 is detachably or fixedly attached to the lamp housing 101 of the vehicle lamp 100 via the packing 104, as shown in FIG. At this time, as shown in FIG. 2, a portion of the socket portion 11 that protrudes outward from the lamp housing 101 (a portion below the lamp housing 101 in FIG. 2) of the socket portion 11. Of these, it is larger than the part housed in the lamp chamber 103 (the part above the lamp housing 101 in FIG. 2).

（給電部材３０、３１の説明）
前記給電部材３０、３１は、導電性部材から構成されている。前記給電部材３０、３１は、細長い長方形形状（短冊形状）をなすものである。前記給電部材３０、３１の中間部は、前記絶縁部材を介して前記保持部材３に一体に設けられている。前記給電部材３０、３１の一端部は、前記基板２に機械的に取り付けられていて、かつ、前記配線素子に電気的に接続されている。 (Description of power supply members 30, 31)
The power supply members 30 and 31 are made of a conductive member. The power supply members 30 and 31 have an elongated rectangular shape (strip shape). Intermediate portions of the power feeding members 30 and 31 are provided integrally with the holding member 3 through the insulating member. One end portions of the power supply members 30 and 31 are mechanically attached to the substrate 2 and are electrically connected to the wiring element.

前記給電部材３０、３１の他端部は、細長い長方形形状（短冊形状）のターミナル部を形成する。前記給電部材３０、３１の他端部は、前記コネクタ嵌合部３４の前記挿入凹部３６中に位置する。前記保持部材３の一部の前記コネクタ嵌合部３４および前記給電部材３０、３１の他端部は、コネクタ部を構成する。前記コネクタ部には、電源側のコネクタ（図示せず）が機械的に着脱可能にかつ電気的に断続可能に取り付けられている。前記コネクタは、ハーネス（図示せず）およびスイッチ（図示せず）を介して前記バッテリーに接続されている。前記コネクタ部および前記コネクタは、防水構造をなす。 The other end portions of the power supply members 30 and 31 form a terminal portion having an elongated rectangular shape (strip shape). The other end portions of the power supply members 30 and 31 are located in the insertion recess 36 of the connector fitting portion 34. A part of the connector fitting part 34 of the holding member 3 and the other end part of the power feeding members 30 and 31 constitute a connector part. A connector (not shown) on the power supply side is attached to the connector portion so as to be mechanically detachable and electrically connectable. The connector is connected to the battery via a harness (not shown) and a switch (not shown). The connector part and the connector have a waterproof structure.

（レンズ部１２の説明）
前記レンズ部１２は、光透過性部材からなる光学部品でかつカバー部材である。前記レンズ部１２は、図２に示すように、前記光源部１０をカバーするように、前記ソケット部１１に着脱可能にまたは固定的に取り付けられている。前記レンズ部１２と前記ソケット部１１とには、誤組付部（図示せず）が設けられている。 (Description of the lens unit 12)
The lens portion 12 is an optical component made of a light transmissive member and a cover member. As shown in FIG. 2, the lens unit 12 is detachably or fixedly attached to the socket unit 11 so as to cover the light source unit 10. The lens part 12 and the socket part 11 are provided with an incorrect assembly part (not shown).

前記レンズ部１２には、前記半導体発光素子２１〜２３から放射される光を光学制御して出射させるプリズムなどの光学制御部（図示せず）が設けられている。前記レンズ部１２は、前記封止部材２００と共に、前記半導体発光素子２１〜２３を外からの影響、たとえば、他のものが接触したり、塵埃が付着したりするのを防ぎ、かつ、紫外線や硫化ガスやＮＯｘや水から保護するものである。すなわち、前記レンズ部１２は、前記半導体発光素子２１〜２３を外乱から保護するものである。また、前記レンズ部１２は、前記半導体発光素子２１〜２３以外に、前記制御素子および前記配線素子および前記導電性接着剤をも外乱から保護するものである。 The lens unit 12 is provided with an optical control unit (not shown) such as a prism that optically controls and emits light emitted from the semiconductor light emitting elements 21 to 23. The lens unit 12, together with the sealing member 200, prevents the semiconductor light emitting elements 21 to 23 from being influenced from the outside, for example, contact with other things or adhesion of dust, It protects against sulfurized gas, NOx and water. That is, the lens unit 12 protects the semiconductor light emitting elements 21 to 23 from disturbance. In addition to the semiconductor light emitting elements 21 to 23, the lens unit 12 also protects the control element, the wiring element, and the conductive adhesive from disturbance.

（実施形態１の作用の説明）
この実施形態１における車両用灯具システム（この実施形態１における車両用灯具の点灯回路、この実施形態１における車両用灯具の光源ユニット１、この実施形態１における車両用灯具１００）は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。 (Description of the operation of the first embodiment)
The vehicle lamp system according to the first embodiment (the lighting circuit for the vehicle lamp according to the first embodiment, the light source unit 1 of the vehicle lamp according to the first embodiment, and the vehicle lamp 100 according to the first embodiment) is as described above. The configuration will be described below.

まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図１中の実線矢印に示すように流れる。すなわち、ダイオードＤからの電流は、抵抗Ｒ１、Ｒ２を通って、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。３個の半導体発光素子２１〜２３から放射される光は、レンズ部１２を透過して配光制御され、かつ、ランプレンズを透過して配光制御され、所定の配光パターンで外部に照射される。 First, the switch is turned on (on, lit). Then, a current (drive current) flows as shown by a solid line arrow in FIG. That is, the current from the diode D flows through the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 through the resistors R1 and R2. Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light. Light emitted from the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 is transmitted through the lens unit 12 and is subjected to light distribution control, and is transmitted through the lamp lens to be subjected to light distribution control, and is irradiated to the outside with a predetermined light distribution pattern. Is done.

点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、電流がツエナーダイオードＺＤのカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れる。一方、電流がトランジスタＴｒ２のベースからエミッタに流れていないので、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１から２個の半導体発光素子２１、２２を通った電流は、トランジスタＴｒ２のコレクタからエミッタに流れずに、１個の半導体発光素子２３を通ってグランドラインＬ２に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 When a voltage equal to or higher than a predetermined voltage value (11 V) is input to the lighting circuit, current flows from the cathode of the Zener diode ZD to the anode and from the base of the transistor Tr1 to the emitter. For this reason, the transistor Tr1 is in an ON state, and a current flows from the collector of the transistor Tr1 to the emitter. On the other hand, since no current flows from the base of the transistor Tr2 to the emitter, the transistor Tr2 is in an OFF state. As a result, the current passing through the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 from the power supply line L1 does not flow from the collector of the transistor Tr2 to the emitter, but flows through the single semiconductor light emitting element 23 to the ground line L2. Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

ここで、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、電流がツエナーダイオードＺＤのカソードからアノードに流れなくなり、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れなくなる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れなくなる。一方、電流がトランジスタＴｒ２のベースからエミッタに流れるので、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態に切り替わる。この結果、電源ラインＬ１から２個の半導体発光素子２１、２２を通った電流は、トランジスタＴｒ２のコレクタからエミッタに流れて、グランドラインＬ２に通じ、１個の半導体発光素子２３に流れない。これにより、発光状態の半導体発光素子が３個２１〜２３から２個２１、２２に減る。 Here, when the input voltage drops below the predetermined voltage value (11 V), the current does not flow from the cathode of the Zener diode ZD to the anode, and does not flow from the base of the transistor Tr1 to the emitter. For this reason, the transistor Tr1 is switched from the ON state to the OFF state, and current does not flow from the collector of the transistor Tr1 to the emitter. On the other hand, since the current flows from the base of the transistor Tr2 to the emitter, the transistor Tr2 is switched from the OFF state to the ON state. As a result, the current passing through the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 from the power supply line L1 flows from the collector of the transistor Tr2 to the emitter, passes through the ground line L2, and does not flow into one semiconductor light emitting element 23. As a result, the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state is reduced from three 21 to 23 to two 21 and 22.

入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以上になると、前記の通り、発光状態の半導体発光素子が２個２１、２２から３個２１〜２３に増える。 When the input voltage becomes equal to or higher than the predetermined voltage value (11 V), as described above, the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state increases from two 21 and 22 to three 21 to 23.

（実施形態１の効果の説明）
この実施形態１における車両用灯具システムは、切替手段により、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子の個数を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らすものである。このために、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分低下する。たとえば、ＧａＮ系のチップから構成されている１個の半導体発光素子の順方向降下電圧は、約３Ｖ前後である。このために、３個の半導体発光素子２１〜２３の順方向降下電圧は、約９Ｖ前後になる。これに対して、２個の半導体発光素子２１、２２の順方向降下電圧は、約６Ｖ前後になる。このように、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分約３Ｖ前後低下する。これにより、入力電圧がバッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲（９Ｖ〜１６Ｖ）内であれば、減らされた個数においてすなわち２個の半導体発光素子２１、２２の発光状態を維持することができる。 (Description of the effect of Embodiment 1)
In the vehicular lamp system according to the first embodiment, when the input voltage is lowered to a predetermined voltage value (11 V) or less by the switching unit, the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state is changed from three 21 to 23 to two 21,22. To reduce. For this reason, the forward voltage drop of the semiconductor light emitting elements connected in series is reduced by reducing the number of light emitting semiconductor light emitting elements. For example, the forward voltage drop of one semiconductor light emitting device composed of a GaN-based chip is about 3V. For this reason, the forward voltage drop of the three semiconductor light emitting devices 21 to 23 is about 9V. On the other hand, the forward voltage drop of the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 is about 6V. As described above, the forward voltage drop of the semiconductor light emitting devices connected in series is reduced by about 3 V by the number of the semiconductor light emitting devices in the light emitting state. Thus, if the input voltage is within the voltage change range (9V to 16V) in the rated mode of the battery, the light emission state of the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 can be maintained in the reduced number.

以下、図５を参照して説明する。図５において、縦軸は、発光状態の半導体発光素子から放射される光束であって、単位はルーメン（ｌｍ）であり、横軸は、半導体発光素子に供給される入力電圧（供給電圧）であって、単位は、ボルト（Ｖ）である。Ｌ３（小黒丸を結んだ線）は、抵抗値（Ｒ１＋Ｒ２）において、３個の半導体発光素子２１〜２３が発光している状態の光束と入力電圧との負荷線を示す。Ｌ４（小白四角を結んだ線）は、抵抗値（Ｒ１＋Ｒ２）において、２個の半導体発光素子２１、２２が発光している状態の光束と入力電圧との負荷線を示す。 Hereinafter, a description will be given with reference to FIG. In FIG. 5, the vertical axis is a luminous flux emitted from a semiconductor light emitting element in a light emitting state, the unit is lumen (lm), and the horizontal axis is an input voltage (supply voltage) supplied to the semiconductor light emitting element. The unit is volts (V). L3 (line connecting small black circles) indicates a load line between the light flux and the input voltage in a state where the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light at the resistance value (R1 + R2). L4 (line connecting small white squares) indicates a load line between the light flux and the input voltage in a state where the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 emit light at the resistance value (R1 + R2).

ここで、直列に接続されている３個の半導体発光素子２１〜２３の順方向降下電圧は、前記の例の通り、約９Ｖ前後である。このために、図５に示すように、入力電圧がバッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲内の９Ｖに近付くと、発光状態にある３個の半導体発光素子２１〜２３が消える場合がある。ところが、この実施形態１における車両用灯具システムは、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子の個数を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らすものである。このために、負荷線は、図５中の矢印Ａに示すように、所定電圧値（１１Ｖ）において、負荷線Ｌ３から負荷線Ｌ４に切り替わる。すなわち、直列に接続されている半導体発光素子の順方向降下電圧が、発光状態の半導体発光素子の個数を減らした分約３Ｖ前後低下する。この結果、入力電圧がバッテリーの定格モードにおける電圧変化範囲内の９Ｖに近付いても、２個の半導体発光素子２１、２２の発光状態は、維持される。しかも、入力電圧がバッテリーの特異モード、たとえば、エンジンの起動時（アイドリングストップからのエンジン起動時も含む）の約７Ｖに近付いても、２個の半導体発光素子２１、２２の発光状態は、光束が下がるが維持される。 Here, the forward voltage drop of the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 connected in series is about 9 V as in the above example. For this reason, as shown in FIG. 5, when the input voltage approaches 9V within the voltage change range in the rated mode of the battery, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 in the light emitting state may disappear. However, the vehicular lamp system according to the first embodiment reduces the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state from three 21 to 23 to two 21 and 22 when the input voltage drops below a predetermined voltage value (11V). It is. For this reason, the load line is switched from the load line L3 to the load line L4 at a predetermined voltage value (11 V) as indicated by an arrow A in FIG. That is, the forward voltage drop of the semiconductor light emitting elements connected in series is reduced by about 3 V by the number of the semiconductor light emitting elements in the light emitting state. As a result, even if the input voltage approaches 9 V within the voltage change range in the rated mode of the battery, the light emission state of the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 is maintained. Moreover, even if the input voltage approaches a singular mode of the battery, for example, about 7 V when the engine is started (including when the engine is started from the idling stop), the light emission state of the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 is the luminous flux. Will continue to fall.

この実施形態１における車両用灯具システムは、所定電圧値をバッテリーの通常変動範囲（１２Ｖ〜１６Ｖ）以下の１１Ｖにすることにより、発光状態の半導体発光素子の個数を３個２１〜２３から２個２１、２２に逆に２個２１、２２から３個２１〜２３に切り替える頻度を少なくすることができる。この結果、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に逆に２個２１、２２から３個２１〜２３に切り替わることによる光束の変化（変動）の煩わしさを軽減することができる。 In the vehicular lamp system according to the first embodiment, the predetermined voltage value is set to 11 V that is less than or equal to the normal fluctuation range (12 V to 16 V) of the battery, so that the number of light emitting semiconductor light emitting elements is 3 to 21 to 2 On the contrary, the frequency of switching from two 21 and 22 to three 21 to 23 can be reduced. As a result, troublesome change (fluctuation) in the luminous flux due to the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state being switched from three 21 to 23 to two 21 and 22 and two 21 and 22 to three 21 to 23. Can be reduced.

この実施形態１における車両用灯具システムは、３個の半導体発光素子２１〜２３を基板２に集中して実装するものである。このために、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に逆に２個２１、２２から３個２１〜２３に切り替わっても、光束は多少変化するが、配光パターン（形状やバランスなど）の変化は小さい。 The vehicular lamp system according to the first embodiment is configured such that three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are concentrated on the substrate 2. For this reason, even if the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state is switched from three 21 to 23 to two 21 and 22 and conversely from two 21 and 22 to three 21 to 23, the luminous flux changes somewhat, The change in the light distribution pattern (shape, balance, etc.) is small.

この実施形態１における車両用灯具システムは、３個の半導体発光素子２１〜２３を基板２に集中して実装するものである。このために、基板２すなわち光源ユニット１の小型化を図ることができる。 The vehicular lamp system according to the first embodiment is configured such that three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are concentrated on the substrate 2. For this reason, the board | substrate 2, ie, the light source unit 1, can be reduced in size.

この実施形態１における車両用灯具システムは、ソケット部１１の保持部材３が熱伝導性樹脂から構成されているので、光源部１０において発生する熱を外部に効率良く放出（放射）することができる。 In the vehicular lamp system according to the first embodiment, since the holding member 3 of the socket portion 11 is made of a heat conductive resin, the heat generated in the light source portion 10 can be efficiently released (radiated) to the outside. .

（実施形態２の構成の説明）
図６は、この発明にかかる車両用灯具の実施形態２を示す。以下、この実施形態２にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図５と同符号は、同一のものを示す。 (Description of Configuration of Embodiment 2)
FIG. 6 shows Embodiment 2 of the vehicular lamp according to the present invention. Hereinafter, the configuration of the vehicular lamp system according to the second embodiment will be described. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 5 denote the same components.

この実施形態２の車両用灯具システムは、図１に示す点灯回路に対して図６に示す点灯回路を使用するものである。すなわち、図１の点灯回路のトランジスタＴｒ２の代わりに電界効果トランジスタＦＥＴを使用する。電界効果トランジスタＦＥＴのゲートは、トランジスタＴｒ１のコレクタと、抵抗Ｒ５を介して電源ラインＬ１とにそれぞれ接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴのソースは、グランドラインＬ２に接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴのドレインは、半導体型光源２２のカソードと半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている。 The vehicle lamp system of the second embodiment uses a lighting circuit shown in FIG. 6 with respect to the lighting circuit shown in FIG. That is, a field effect transistor FET is used instead of the transistor Tr2 in the lighting circuit of FIG. The gate of the field effect transistor FET is connected to the collector of the transistor Tr1 and the power supply line L1 via the resistor R5. The source of the field effect transistor FET is connected to the ground line L2. The drain of the field effect transistor FET is connected between the cathode of the semiconductor light source 22 and the anode of the semiconductor light emitting element 23.

また、図１の点灯回路の抵抗Ｒ１、Ｒ２に新たに抵抗Ｒ６を直列に接続する。さらに、２個のコンデンサＣ１、Ｃ２を電源ラインＬ１とグランドラインＬ２とに直列に接続する。そして、ツエナーダイオードＺＤのカソードは、直接電源ラインＬ１に接続されている。ツエナーダイオードＺＤのアノードは、抵抗Ｒ３を介してトランジスタＴｒ１のベースに接続されていて、かつ、抵抗Ｒ３、Ｒ４を介してグランドラインＬ２に接続されている。 Further, a resistor R6 is newly connected in series with the resistors R1 and R2 of the lighting circuit of FIG. Further, two capacitors C1 and C2 are connected in series to the power supply line L1 and the ground line L2. The cathode of the Zener diode ZD is directly connected to the power supply line L1. The anode of the Zener diode ZD is connected to the base of the transistor Tr1 through the resistor R3, and is connected to the ground line L2 through the resistors R3 and R4.

（実施形態２の作用の説明）
まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図６中の実線矢印に示すように流れる。すなわち、ダイオードＤからの電流は、抵抗Ｒ１、Ｒ２を通って、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 (Description of operation of Embodiment 2)
First, the switch is turned on (on, lit). Then, a current (drive current) flows as shown by a solid line arrow in FIG. That is, the current from the diode D flows through the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 through the resistors R1 and R2. Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、電流がツエナーダイオードＺＤのカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れる。一方、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴのゲート・ソース間に加えられていないので、電界効果トランジスタＦＥＴはＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１から２個の半導体発光素子２１、２２を通った電流は、電界効果トランジスタＦＥＴのドレインからソースに流れずに、１個の半導体発光素子２３を通ってグランドラインＬ２に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 When a voltage equal to or higher than a predetermined voltage value (11 V) is input to the lighting circuit, current flows from the cathode of the Zener diode ZD to the anode and from the base of the transistor Tr1 to the emitter. For this reason, the transistor Tr1 is in an ON state, and a current flows from the collector of the transistor Tr1 to the emitter. On the other hand, since no voltage is applied between the gate and the source of the field effect transistor FET, the field effect transistor FET is in an OFF state. As a result, the current passing through the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 from the power supply line L1 does not flow from the drain to the source of the field effect transistor FET, but flows through the single semiconductor light emitting element 23 to the ground line L2. . Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

ここで、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、電流がツエナーダイオードＺＤのカソードからアノードに流れなくなり、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れなくなる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れなくなる。一方、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴのゲート・ソース間に加えられるので、電界効果トランジスタＦＥＴはＯＦＦ（オフ）状態からＯＮ（オン）状態に切り替わる。この結果、電源ラインＬ１から２個の半導体発光素子２１、２２を通った電流は、電界効果トランジスタＦＥＴのドレインからソースに流れて、グランドラインＬ２に通じ、１個の半導体発光素子２３に流れない。これにより、発光状態の半導体発光素子が３個２１〜２３から２個２１、２２に減る。 Here, when the input voltage drops below the predetermined voltage value (11 V), the current does not flow from the cathode of the Zener diode ZD to the anode, and does not flow from the base of the transistor Tr1 to the emitter. For this reason, the transistor Tr1 is switched from the ON state to the OFF state, and current does not flow from the collector of the transistor Tr1 to the emitter. On the other hand, since the voltage is applied between the gate and the source of the field effect transistor FET, the field effect transistor FET is switched from the OFF state to the ON state. As a result, the current passing through the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 from the power supply line L1 flows from the drain to the source of the field effect transistor FET, passes through the ground line L2, and does not flow to one semiconductor light emitting element 23. . As a result, the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state is reduced from three 21 to 23 to two 21 and 22.

（実施形態２の効果の説明）
この実施形態２の車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなるので、前記の実施形態１の車両用灯具システムとほぼ同様の効果を達成することができる。特に、この実施形態２の車両用灯具システムは、図１の点灯回路のトランジスタＴｒ２の代わりに電界効果トランジスタＦＥＴを使用するものであるから、高精度のスイッチング作用が得られる。 (Description of the effect of Embodiment 2)
Since the vehicular lamp system according to the second embodiment is configured as described above, substantially the same effects as those of the vehicular lamp system according to the first embodiment can be achieved. In particular, since the vehicle lamp system according to the second embodiment uses the field effect transistor FET instead of the transistor Tr2 of the lighting circuit of FIG. 1, a highly accurate switching action can be obtained.

（実施形態３の構成の説明）
図７は、この発明にかかる車両用灯具の実施形態３を示す。以下、この実施形態３にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図６と同符号は、同一のものを示す。 (Description of Configuration of Embodiment 3)
FIG. 7 shows Embodiment 3 of the vehicular lamp according to the present invention. Hereinafter, the configuration of the vehicular lamp system according to the third embodiment will be described. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 6 denote the same components.

この実施形態３の車両用灯具システムは、図１に示す点灯回路に対して図７に示す点灯回路を使用するものである。すなわち、図１の点灯回路の抵抗Ｒ１、Ｒ２に新たに抵抗Ｒ６を直列に接続する。また、図１の点灯回路の抵抗Ｒ３に新たに抵抗Ｒ７を直列に接続する。さらに、図１の点灯回路にトランジスタＴｒ３を設ける。トランジスタＴｒ３のエミッタは、電源ラインＬ１の抵抗Ｒ６の入力端子側に接続されている。トランジスタＴｒ３のベースは、抵抗Ｒ３を介してツエナーダイオードＺＤのカソードに接続されている。トランジスタＴｒ３のコレクタは、電源ラインＬ１の抵抗Ｒ６の出力端子側に接続されている。 The vehicular lamp system according to the third embodiment uses the lighting circuit shown in FIG. 7 with respect to the lighting circuit shown in FIG. That is, the resistor R6 is newly connected in series to the resistors R1 and R2 of the lighting circuit of FIG. Further, a resistor R7 is newly connected in series to the resistor R3 of the lighting circuit in FIG. Further, a transistor Tr3 is provided in the lighting circuit of FIG. The emitter of the transistor Tr3 is connected to the input terminal side of the resistor R6 of the power supply line L1. The base of the transistor Tr3 is connected to the cathode of the Zener diode ZD through the resistor R3. The collector of the transistor Tr3 is connected to the output terminal side of the resistor R6 of the power supply line L1.

この実施形態３の車両用灯具システムの切替手段は、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子２１〜２３の個数を３個から２個に減らすと同時に、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６の抵抗値をＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増やすものである。 When the input voltage drops below the predetermined voltage value (11 V), the switching means of the vehicle lamp system of Embodiment 3 reduces the number of semiconductor light emitting elements 21 to 23 in the light emitting state from three to two, The resistance values of the resistors R1, R2, and R6 are increased from R1 + R2 to R1 + R2 + R6.

ここで、図５において、Ｌ５（小白三角を結んだ線）は、抵抗値（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ６）において、２個の半導体発光素子２１、２２が発光している状態の光束と入力電圧との負荷線を示す。この図５に示すように、この実施形態３の車両用灯具システムは、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３で減らされる前の負荷線Ｌ３と、発光状態の半導体発光素子の個数が３個２１〜２３から２個２１、２２に減らされた同時に抵抗値がＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増えた負荷線Ｌ５とが、所定電圧値（１１Ｖ）もしくはその近傍で交差する。 Here, in FIG. 5, L5 (line connecting small white triangles) is a load line between the light flux and the input voltage in a state where the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 emit light at the resistance value (R1 + R2 + R6). Indicates. As shown in FIG. 5, the vehicular lamp system according to the third embodiment includes a load line L3 before the number of light emitting semiconductor light emitting elements is reduced by three 21 to 23, and a light emitting semiconductor light emitting element. The load line L5, the number of which has been reduced from 3 to 21 to 2, 21 and 22, and the resistance value has increased from R1 + R2 to R1 + R2 + R6 at the same time, intersects at or near a predetermined voltage value (11V).

（実施形態３の作用の説明）
この実施形態３の車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。 (Description of the operation of the third embodiment)
The vehicular lamp system of the third embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図７中の実線矢印に示すように流れる。点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、ダイオードＤからの電流は、トランジスタＴｒ３のエミッタからベースに流れる。このために、トランジスタＴｒ３はＯＮ（オン）状態にある。このために、ダイオードＤからの電流が抵抗Ｒ６を迂回してトランジスタＴｒ３のエミッタからコレクタに流れ、さらに、抵抗Ｒ１、Ｒ２を通って、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 First, the switch is turned on (on, lit). Then, a current (drive current) flows as shown by a solid line arrow in FIG. When a voltage equal to or higher than a predetermined voltage value (11V) is input to the lighting circuit, the current from the diode D flows from the emitter of the transistor Tr3 to the base. For this reason, the transistor Tr3 is in an ON state. For this reason, the current from the diode D bypasses the resistor R6 and flows from the emitter to the collector of the transistor Tr3, and further flows through the resistors R1 and R2 to the three semiconductor light emitting elements 21 to 23. Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

また、点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、前記の通り、電流がツエナーダイオードＺＤのカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れる。一方、電流がトランジスタＴｒ２のベースからエミッタに流れていないので、トランジスタＴｒ２はＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１から２個の半導体発光素子２１、２２を通った電流は、トランジスタＴｒ２のコレクタからエミッタに流れずに、１個の半導体発光素子２３を通ってグランドラインＬ２に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 Further, when a voltage of a predetermined voltage value (11V) or more is input to the lighting circuit, as described above, current flows from the cathode of the Zener diode ZD to the anode and from the base of the transistor Tr1 to the emitter. For this reason, the transistor Tr1 is in an ON state, and a current flows from the collector of the transistor Tr1 to the emitter. On the other hand, since no current flows from the base of the transistor Tr2 to the emitter, the transistor Tr2 is in an OFF state. As a result, the current passing through the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 from the power supply line L1 does not flow from the collector of the transistor Tr2 to the emitter, but flows through the single semiconductor light emitting element 23 to the ground line L2. Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

また、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、ダイオードＤからの電流がトランジスタＴｒ３のエミッタからベースに流れなくなる。このために、トランジスタＴｒ３はＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わり、ダイオードＤからの電流がトランジスタＴｒ３のエミッタからコレクタに流れなくなる。これにより、ダイオードＤからの電流が抵抗Ｒ６に流れる。これにより、抵抗値がＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増加する。 Further, when the input voltage falls below a predetermined voltage value (11 V), the current from the diode D does not flow from the emitter of the transistor Tr3 to the base. For this reason, the transistor Tr3 is switched from the ON state to the OFF state, and the current from the diode D does not flow from the emitter of the transistor Tr3 to the collector. Thereby, the current from the diode D flows through the resistor R6. As a result, the resistance value increases from R1 + R2 to R1 + R2 + R6.

（実施形態３の効果の説明）
この実施形態３の車両用灯具システムは、以上のごとき構成作用からなるので、前記の実施形態１、２の車両用灯具システムとほぼ同様の効果を達成することができる。特に、この実施形態３の車両用灯具システムは、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、切替手段により、発光状態の半導体発光素子を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らすと同時に、抵抗の抵抗値をＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増やすものである。このために、発光状態の半導体発光素子の個数の減少に伴う光束の変化（変動）をスムーズにすることができる。 (Description of the effect of Embodiment 3)
Since the vehicular lamp system according to the third embodiment is configured as described above, substantially the same effects as the vehicular lamp system according to the first and second embodiments can be achieved. In particular, in the vehicular lamp system according to the third embodiment, when the input voltage is lowered to a predetermined voltage value (11 V) or less, the semiconductor light emitting element in the light emitting state is changed from three 21 to 23 to two 21, 22 by the switching means. Simultaneously with the decrease, the resistance value of the resistor is increased from R1 + R2 to R1 + R2 + R6. For this reason, the change (fluctuation) of the light flux accompanying the decrease in the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state can be made smooth.

この実施形態３における車両用灯具システムは、図５に示すように、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、発光状態の半導体発光素子の個数を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らすと同時に、抵抗の抵抗値をＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増やすものである。このために、負荷線は、図５中の矢印Ｂに示すように、所定電圧値（１１Ｖ）において、負荷線Ｌ３から負荷線Ｌ５に切り替わる。この結果、所定電圧値（１１Ｖ）における光束の変化が小さい。これにより、発光状態の半導体発光素子の個数の減少に伴う光束の変化（変動）を、煩わしくなくスムーズにすることができる。 As shown in FIG. 5, in the vehicle lamp system according to the third embodiment, when the input voltage drops below a predetermined voltage value (11 V), the number of light emitting semiconductor light emitting elements is changed from three to 21 to 21. , 22 and the resistance value of the resistor is increased from R1 + R2 to R1 + R2 + R6. For this reason, the load line is switched from the load line L3 to the load line L5 at a predetermined voltage value (11 V) as indicated by an arrow B in FIG. As a result, the change in the luminous flux at the predetermined voltage value (11 V) is small. Thereby, the change (fluctuation) of the light flux accompanying the decrease in the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state can be made smooth without being bothered.

また、この実施形態３の車両用灯具システムは、発光状態の半導体発光素子を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らすと同時に、抵抗の抵抗値をＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増やすものである。このために、発光状態の半導体発光素子を３個２１〜２３から２個２１、２２に減らすと同時に、抵抗の抵抗値をＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増やさずにＲ１＋Ｒ２のままにする場合と比較して、抵抗ロスを小さくする。すなわち、抵抗において発生する熱を小さくすることができ、放熱効率が向上する。 In the vehicle lamp system according to the third embodiment, the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state is reduced from three to 21 to 22, and the resistance value of the resistor is increased from R1 + R2 to R1 + R2 + R6. For this reason, the number of semiconductor light emitting elements in the light emitting state is reduced from three to 21 to two, and at the same time, the resistance loss is increased as compared with the case where the resistance value of the resistor is not increased to R1 + R2 + R6 but remains R1 + R2. Make it smaller. That is, the heat generated in the resistor can be reduced, and the heat dissipation efficiency is improved.

（実施形態４の構成の説明）
図８は、この発明にかかる車両用灯具の実施形態４を示す。以下、この実施形態４にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図７と同符号は、同一のものを示す。 (Description of Configuration of Embodiment 4)
FIG. 8 shows Embodiment 4 of the vehicular lamp according to the present invention. Hereinafter, the configuration of the vehicular lamp system according to the fourth embodiment will be described. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 7 denote the same components.

この実施形態４の車両用灯具システムは、図７に示す点灯回路に対して図８に示す点灯回路を使用するものである。すなわち、図７の点灯回路のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３の代わりに電界効果トランジスタＦＥＴ、ＦＥＴ１を使用する。電界効果トランジスタＦＥＴのゲートは、トランジスタＴｒ１のコレクタと、抵抗Ｒ５を介して電源ラインＬ１とにそれぞれ接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴのソースは、グランドラインＬ２に接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴのドレインは、半導体型光源２２のカソードと半導体発光素子２３のアノードとの間に接続されている。 The vehicle lamp system according to the fourth embodiment uses the lighting circuit shown in FIG. 8 with respect to the lighting circuit shown in FIG. That is, field effect transistors FET and FET1 are used instead of the transistors Tr2 and Tr3 in the lighting circuit of FIG. The gate of the field effect transistor FET is connected to the collector of the transistor Tr1 and the power supply line L1 via the resistor R5. The source of the field effect transistor FET is connected to the ground line L2. The drain of the field effect transistor FET is connected between the cathode of the semiconductor light source 22 and the anode of the semiconductor light emitting element 23.

一方、電界効果トランジスタＦＥＴ１のゲートは、ツエナーダイオードＺＤのカソードに接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースは、電源ラインＬ１の抵抗Ｒ６の入力端子側に接続されている。電界効果トランジスタＦＥＴのドレインは、電源ラインＬ１の抵抗Ｒ６の出力端子側に接続されている。 On the other hand, the gate of the field effect transistor FET1 is connected to the cathode of the Zener diode ZD. The source of the field effect transistor FET1 is connected to the input terminal side of the resistor R6 of the power supply line L1. The drain of the field effect transistor FET is connected to the output terminal side of the resistor R6 of the power supply line L1.

また、図８の点灯回路において、２個のコンデンサＣ１、Ｃ２を電源ラインＬ１とグランドラインＬ２とに直列に接続し、かつ、ツエナーダイオードＺＤ１を電源ラインＬ１とグランドラインＬ２とに直列に接続する。 In the lighting circuit of FIG. 8, two capacitors C1 and C2 are connected in series with the power supply line L1 and the ground line L2, and a Zener diode ZD1 is connected in series with the power supply line L1 and the ground line L2. .

（実施形態４の作用の説明）
この実施形態４の車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。 (Description of the operation of the fourth embodiment)
The vehicular lamp system according to the fourth embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below.

まず、スイッチをＯＮ（オン、点灯）に操作する。すると、電流（駆動電流）は、図８中の実線矢印に示すように流れる。点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース・ゲート間に加えられるので、電界効果トランジスタＦＥＴ１はＯＮ（オン）状態にある。このために、ダイオードＤからの電流が抵抗Ｒ６を迂回して電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースからドレインに流れ、さらに、抵抗Ｒ１、Ｒ２を通って、３個の半導体発光素子２１〜２３に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 First, the switch is turned on (on, lit). Then, a current (drive current) flows as shown by a solid line arrow in FIG. When a voltage equal to or higher than a predetermined voltage value (11 V) is input to the lighting circuit, the voltage is applied between the source and gate of the field effect transistor FET1, so that the field effect transistor FET1 is in an ON state. For this reason, the current from the diode D bypasses the resistor R6 and flows from the source to the drain of the field effect transistor FET1, and further flows through the resistors R1 and R2 to the three semiconductor light emitting elements 21 to 23. Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

また、点灯回路に所定電圧値（１１Ｖ）以上の電圧が入力されているときは、前記の通り、電流がツエナーダイオードＺＤのカソードからアノードに流れ、かつ、トランジスタＴｒ１のベースからエミッタに流れる。このために、トランジスタＴｒ１はＯＮ（オン）状態にあり、電流がトランジスタＴｒ１のコレクタからエミッタに流れる。一方、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴのゲート・ソース間に加えられていないので、電界効果トランジスタＦＥＴはＯＦＦ（オフ）状態にある。この結果、電源ラインＬ１から２個の半導体発光素子２１、２２を通った電流は、電界効果トランジスタＦＥＴのドレインからソースに流れずに、１個の半導体発光素子２３を通ってグランドラインＬ２に流れる。これにより、３個の半導体発光素子２１〜２３は、発光する。 Further, when a voltage of a predetermined voltage value (11V) or more is input to the lighting circuit, as described above, current flows from the cathode of the Zener diode ZD to the anode and from the base of the transistor Tr1 to the emitter. For this reason, the transistor Tr1 is in an ON state, and a current flows from the collector of the transistor Tr1 to the emitter. On the other hand, since no voltage is applied between the gate and the source of the field effect transistor FET, the field effect transistor FET is in an OFF state. As a result, the current passing through the two semiconductor light emitting elements 21 and 22 from the power supply line L1 does not flow from the drain to the source of the field effect transistor FET, but flows through the single semiconductor light emitting element 23 to the ground line L2. . Thereby, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 emit light.

また、入力電圧が所定電圧値（１１Ｖ）以下に低下すると、電圧が電界効果トランジスタＦＥＴ１のソース・ゲート間に加えられていないので、電界効果トランジスタＦＥＴ１はＯＮ（オン）状態からＯＦＦ（オフ）状態に切り替わる。このために、ダイオードＤからの電流が電界効果トランジスタＦＥＴ１のソースからドレインに流れなくなる。これにより、ダイオードＤからの電流が抵抗Ｒ６に流れる。これにより、抵抗値がＲ１＋Ｒ２からＲ１＋Ｒ２＋Ｒ６に増加する。 When the input voltage drops below a predetermined voltage value (11 V), no voltage is applied between the source and gate of the field effect transistor FET1, so that the field effect transistor FET1 is turned from the ON state to the OFF state. Switch to For this reason, the current from the diode D does not flow from the source to the drain of the field effect transistor FET1. Thereby, the current from the diode D flows through the resistor R6. As a result, the resistance value increases from R1 + R2 to R1 + R2 + R6.

（実施形態４の効果の説明）
この実施形態４の車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなるので、前記の実施形態３の車両用灯具システムとほぼ同様の作用効果を達成することができる。特に、この実施形態４の車両用灯具システムは、図７の点灯回路のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３の代わりに電界効果トランジスタＦＥＴ、ＦＥＴ１を使用するものであるから、高精度のスイッチング作用が得られる。 (Description of the effect of Embodiment 4)
Since the vehicular lamp system according to the fourth embodiment is configured as described above, substantially the same functions and effects as those of the vehicular lamp system according to the third embodiment can be achieved. In particular, since the vehicle lamp system according to the fourth embodiment uses field effect transistors FET and FET1 instead of the transistors Tr2 and Tr3 in the lighting circuit of FIG. 7, a highly accurate switching action can be obtained.

（実施形態５の構成の説明）
図９は、この発明にかかる車両用灯具の実施形態５を示す。以下、この実施形態５にかかる車両用灯具システムの構成について説明する。図中、図１〜図８と同符号は、同一のものを示す。 (Description of Configuration of Embodiment 5)
FIG. 9 shows Embodiment 5 of a vehicle lamp according to the present invention. Hereinafter, the configuration of the vehicular lamp system according to the fifth embodiment will be described. In the figure, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 8 denote the same components.

この実施形態５の車両用灯具システムは、図７、図８に示す点灯回路に対して図９に示す点灯回路を使用するものである。すなわち、図７、図８の点灯回路の３個の半導体発光素子２１〜２３、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、ダイオードＤ以外の切替手段の電子素子をディスクリートからパッケージＩＣ化（ＩＣ化、集積化）するものである。 The vehicle lamp system according to the fifth embodiment uses the lighting circuit shown in FIG. 9 with respect to the lighting circuit shown in FIGS. That is, the electronic elements of the switching means other than the three semiconductor light emitting elements 21 to 23, the resistors R1, R2, and R6, and the diode D of the lighting circuit of FIGS. 7 and 8 are packaged into a package IC (integrated and integrated). To do.

（実施形態５の作用効果の説明）
この実施形態５の車両用灯具システムは、以上のごとき構成からなるので、前記の実施形態３、４の車両用灯具システムとほぼ同様の作用効果を達成することができる。特に、この実施形態５の車両用灯具システムは、図７、図８の点灯回路の３個の半導体発光素子２１〜２３、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ６、ダイオードＤ以外の切替手段の電子素子をディスクリートからパッケージＩＣ化（ＩＣ化、集積化）するものであるから、基板２すなわち光源ユニット１の小型化を図ることができる。 (Description of the effect of Embodiment 5)
Since the vehicular lamp system according to the fifth embodiment is configured as described above, it is possible to achieve substantially the same operational effects as the vehicular lamp system according to the third and fourth embodiments. In particular, the vehicular lamp system according to the fifth embodiment has discrete electronic elements of switching means other than the three semiconductor light emitting elements 21 to 23, resistors R1, R2, R6, and diode D of the lighting circuit of FIGS. Therefore, the substrate 2, that is, the light source unit 1 can be reduced in size.

（実施形態１〜５以外の例の説明）
なお、前記の実施形態１〜５においては、３個の半導体発光素子２１〜２３を使用するものである。ところが、この発明においては、半導体発光素子を２個、もしくは、４個以上使用しても良い。 (Description of examples other than Embodiments 1-5)
In the first to fifth embodiments, three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are used. However, in the present invention, two semiconductor light emitting elements or four or more semiconductor light emitting elements may be used.

また、前記の実施形態１〜５においては、図１、図６〜図９に示す構成の点灯回路を使用するものである。ところが、この発明においては、図１、図６〜図９に示す構成以外の構成の点灯回路を使用しても良い。 Moreover, in the said Embodiment 1-5, the lighting circuit of the structure shown to FIG. 1, FIG. 6-FIG. 9 is used. However, in the present invention, a lighting circuit having a configuration other than the configurations shown in FIGS. 1 and 6 to 9 may be used.

さらに、前記の実施形態１〜５においては、基板２が、セラミック基板、一面に絶縁層が設けられている金属基板（アルミ基板）、ＦＲ４などから構成されたものであって、一枚の板形状をなすものである。ところが、この発明においては、基板として、フレキシブル基板を使用して、Ｌ字形状に（垂直にもしくはほぼ垂直に）に折り曲げたものを使用しても良い。 Furthermore, in the first to fifth embodiments, the substrate 2 is composed of a ceramic substrate, a metal substrate (aluminum substrate) provided with an insulating layer on one surface, FR4, etc. It has a shape. However, in the present invention, a flexible substrate may be used as the substrate, and the substrate may be bent into an L shape (vertically or substantially vertically).

さらに、前記の実施形態１〜５においては、光源ユニット１が、レンズ部１２を使用するものである。ところが、この発明においては、レンズ部１２を使用せずに半導体発光素子からの光を導光部材で所定の位置に導くように構成しても良い。 Furthermore, in the first to fifth embodiments, the light source unit 1 uses the lens unit 12. However, in the present invention, the light from the semiconductor light emitting element may be guided to a predetermined position by the light guide member without using the lens portion 12.

さらにまた、前記の実施形態１においては、図３、図４（Ａ）に示すように、円環状形状をなす包囲壁部材２０を使用するものである。ところが、この発明においては、包囲壁部材として、円環状形状の包囲壁部材２０以外の包囲壁部材、たとえば、図４（Ｂ）に示すように、楕円状形状もしくは長円状形状の包囲壁部材２４を使用しても良い。この場合においては、３個の半導体発光素子２１〜２３をＸ軸上に、Ｘ軸に対して上下対称に、かつ、Ｙ軸に対して左右対称に、配置されている。すなわち、Ｘ軸とＹ軸との交点に対して点対称に配置されている。 Furthermore, in the first embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4A, the surrounding wall member 20 having an annular shape is used. However, in the present invention, as the surrounding wall member, an surrounding wall member other than the annular surrounding wall member 20, for example, an oval or oval shaped surrounding wall member as shown in FIG. 24 may be used. In this case, the three semiconductor light emitting elements 21 to 23 are arranged on the X axis, vertically symmetrical with respect to the X axis, and symmetrically with respect to the Y axis. That is, they are arranged point-symmetrically with respect to the intersection of the X axis and the Y axis.

１００車両用灯具
１０１ランプハウジング
１０２取付孔
１０３灯室
１０４パッキン
１光源ユニット
１０光源部
１１ソケット部
１２レンズ部
２基板
２０、２４包囲壁部材
２１、２２、２３半導体発光素子
２００封止部材
３保持部材
３０、３１給電部材
３２嵌合部
３３鍔部
３４コネクタ嵌合部
３５凸部
３６挿入凹部
Ａ矢印Ａ
Ｂ矢印Ｂ
Ｃ１、Ｃ２コンデンサ
Ｄダイオード
ＦＥＴ、ＦＥＴ１電界効果トランジスタ
ＩＣパッケージ
Ｌ１電源ライン
Ｌ２グランドライン
Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５負荷線
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７抵抗
Ｔｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３トランジスタ
ＸＸ軸
ＹＹ軸
Ｚ光軸（Ｚ軸）
ＺＤ、ＺＤ１ツエナーダイオード DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Vehicle lamp 101 Lamp housing 102 Mounting hole 103 Lamp chamber 104 Packing 1 Light source unit 10 Light source part 11 Socket part 12 Lens part 2 Substrate 20, 24 Enclosure wall member 21, 22, 23 Semiconductor light emitting element 200 Sealing member 3 Holding member 30, 31 Power supply member 32 Fitting portion 33 Hook 34 Connector fitting portion 35 Convex portion 36 Insertion concave portion A Arrow A
B Arrow B
C1, C2 Capacitor D Diode FET, FET1 Field Effect Transistor IC Package L1 Power Line L2 Ground Line L3, L4, L5 Load Line R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 Resistance Tr1, Tr2, Tr3 Transistor X X axis Y Y axis Z Optical axis (Z axis)
ZD, ZD1 Zener diode

Claims

A lighting circuit for a vehicle lamp,
A plurality of semiconductor light emitting devices connected in series;
A resistor connected in series to the semiconductor light emitting device;
When the input voltage drops below a predetermined voltage value, switching means for reducing the number of the semiconductor light emitting elements in the light emitting state,
Comprising
A lighting circuit for a vehicular lamp characterized by the above.

When the input voltage decreases below the predetermined voltage value, the switching unit decreases the number of the semiconductor light emitting elements in the light emitting state and simultaneously increases the resistance value of the resistor.
The lighting circuit for the vehicular lamp according to claim 1.

In the load line between the luminous flux emitted from the semiconductor light emitting element in the light emitting state and the input voltage,
The load line before the number of the semiconductor light emitting elements in the light emitting state is reduced and the load line after the number of the semiconductor light emitting elements in the light emitting state are reduced intersect at or near the predetermined voltage value.
The lighting circuit for a vehicular lamp according to claim 2, wherein

In a light source unit of a vehicle lamp using a plurality of semiconductor light emitting elements connected in series as a light source,
A light source part and a socket part,
The said light source part has a board | substrate and the lighting circuit of the vehicle lamp of any one of the said Claims 1-3 mounted in the said board | substrate,
The socket part includes a holding member that holds the light source part, and a power supply member that supplies power to the lighting circuit.
A light source unit for a vehicle lamp characterized by the above.

The plurality of semiconductor light emitting elements are mounted concentrated on the substrate,
The light source unit for a vehicular lamp according to claim 4.

A lamp housing and a lamp lens that partition the lamp chamber;
The light source unit for a vehicle lamp according to claim 4 or 5, wherein the socket part is attached to the lamp housing, and the light source part is disposed in the lamp chamber.
Comprising
A vehicular lamp characterized by the above.