JP2015056570A - 有機装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機半導体を用いた素子のオフ電流を抑制する【解決手段】有機装置１０は、ソース電極１３０（第１電極）、ドレイン電極１４０（第２電極）、有機層１５０、第１絶縁層１７０、及び第２絶縁層１６０を備えている。ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、互いに離れている。有機層１５０は、ソース電極１３０及びドレイン電極１４０と接し、かつ、ソース電極１３０とドレイン電極１４０の間の領域にも位置している。第１絶縁層１７０は、有機層１５０のうち、ソース電極１３０とドレイン電極１４０の間の領域と重ならない領域に接している。第２絶縁層１６０は、有機層１５０のうちソース電極１３０とドレイン電極１４０の間の領域に接している。そして、第１絶縁層１７０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度は、第２絶縁層１６０の融点、軟化温度、又はガラス転移温度よりも低い。【選択図】図１

Description

本発明は、有機装置に関する。

近年は、有機半導体層を用いた有機装置の開発が進められている。このような有機装置の一つに、有機半導体層をチャネルとした有機トランジスタがある。有機トランジスタに求められる性能のひとつに、オフ電流（すなわち漏洩電流）を抑制することが挙げられる。オフ電流が存在すると、信号増幅デバイスとしても、スイッチデバイスとしても、正常な機能を果たすことができない。さらに、ディスプレイ等を駆動する場合、複数のトランジスタをアレイ状に配置するが、漏洩電流が無視できないトランジスタでは、隣接素子間で互いに導通し、表示不具合の原因となる。そこで、オフ電流抑制、または、素子分離の一例として、有機半導体層をパターニングする手法が開示されている。

特許文献１には、有機半導体前駆体の熱処理を光熱変換層からの熱を用いて行うことで、特定の部分のみを有機半導体層に変換する手法が記載されている。

特許文献２には、有機半導体層を堆積する前に逆テーパ型の絶縁層を形成しておき、上部から有機半導体を気相成膜することで、有機半導体層をパターニングすることが記載されている。

特開２００４−１４６５７５号公報 国際公開第２００８／１１７３６２号

特許文献１に記載された方法では、有機半導体前駆体層のうち、光照射された部分のみが熱処理され、半導体層に変換される。しかしながら、このような光熱変換層を用いた手法では熱伝導によりパターンがぼやけることが懸念され、微細なパターニングをすることが困難である。また、特許文献２に記載された方法では、有機半導体の形成手法が気相成長法に限られてしまう。

本発明が解決しようとする課題としては、有機半導体を用いた素子のオフ電流（すなわち漏洩電流）を抑制することが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、第１電極と、
前記第１電極から離れている第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極に接し、かつ前記第１電極と前記第２電極の間の領域にも位置する有機層と、
前記有機層のうち、前記第１電極と前記第２電極の間の領域と重ならない領域に少なくとも一部は接している第１絶縁層と、
前記有機層のうち、前記第１電極と前記第２電極の間の領域と重なる部分に少なくとも一部は接している第２絶縁層と、
を備え、
前記第１絶縁層の融点、軟化温度、またはガラス転移温度は、前記第２絶縁層の融点、軟化温度、またはガラス転移温度よりも低い有機装置である。

請求項４に記載の発明は、第１電極と、
前記第１電極から離れている第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極に接し、かつ前記第１電極と前記第２電極の間の領域にも位置する有機層と、
前記有機層のうち、前記第１電極と前記第２電極の間の領域とは異なる領域に少なくとも一部は形成され、熱軟化型の樹脂からなる第１絶縁層と、
を備え、
前記有機層のうち前記第１絶縁層と重なっていない領域に位置する部分の少なくとも表層は、変質している有機装置である。

実施形態に係る有機装置の構成を示す断面図である。 図１に示した有機装置の平面図である。 実施例１に係る第１トランジスタのドレイン・ソース間の電流と、ゲート電圧の関係を示すグラフである。 実施例２に係る有機装置の構成を示す断面図である。 実施例３に係る有機装置の構成を示す断面図である。 実施例３に係る有機装置の平面図である。 図６の変形例を示す平面図である。 実施例４に係る有機装置の構成を示す図である。 実施例５に係る有機装置の構成を示す平面図である。 図９のＢ−Ｂ′断面図である。 図９に示した有機装置の回路図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る有機装置１０の構成を示す断面図である。図２は、図１に示した有機装置１０の平面図である。図１は、図２のＡ−Ａ断面に対応しているが、図１において配線１３２は省略されている。また図２において、基板１００、ゲート絶縁膜１２０、及び第１絶縁層１７０は省略されている。

有機装置１０は、ソース電極１３０（第１電極）、ドレイン電極１４０（第２電極）、有機層１５０、第１絶縁層１７０、及び第２絶縁層１６０を備えている。ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、互いに離れている。有機層１５０は、ソース電極１３０及びドレイン電極１４０と接し、かつ、ソース電極１３０とドレイン電極１４０の間の領域にも位置している。第１絶縁層１７０は、有機層１５０のうち、ソース電極１３０とドレイン電極１４０の間の領域と重ならない領域に少なくとも一部は接している。第２絶縁層１６０は、有機層１５０のうちソース電極１３０とドレイン電極１４０の間の領域に少なくとも一部は接している。そして、第１絶縁層１７０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度は、第２絶縁層１６０の融点、軟化温度、又はガラス転移温度よりも低い。以下、詳細に説明する。

有機装置１０は、ボトムゲート型の第１トランジスタ１２を有している。第１トランジスタ１２は、基板１００上に形成されている。基板１００は、例えばガラスや樹脂材料で形成されているが、他の材料であっても良い。

基板１００上には、ゲート電極１１０及びゲート絶縁膜１２０が形成されている。ゲート電極１１０は、基板１００の一部の上に位置しており、例えばＣｒ又はＡｌなどの金属によって形成されている。ただしゲート電極１１０は、ＩＴＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類などの共役性高分子を含む有機導電材料など、他の導電性を有する材料によって形成されていても良い。また、基板１００とゲート電極１１０の間には、絶縁層が形成されていても良い。

ゲート絶縁膜１２０は、基板１００上及びゲート電極１１０上に形成されている。ゲート絶縁膜１２０は、例えば酸化シリコンなどの金属酸化物によって形成されているが、金属窒化物、金属酸窒化物、有機絶縁材料、またはそれらの積層物によって形成されていても良い。

ゲート絶縁膜１２０の上には、ソース電極１３０及びドレイン電極１４０が形成されている。ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、例えばＣｒとＡｕの積層膜などの金属によって形成されている。ただしソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、ＩＴＯのような金属酸化物類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類などの共役性高分子を含む有機導電材料など、他の導電性を有する材料によって形成されていても良い。ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、平面視でゲート電極１１０を挟んで互いに対向する位置に形成されている。言い換えると、ゲート電極１１０は、有機層１５０のうちソース電極１３０とドレイン電極１４０の間に位置する部分と重なっている。

なお、図２に示すように、ソース電極１３０は配線１３２に接続している。配線１３２は、ソース電極１３０及びドレイン電極１４０と同一層に形成されている。また、ゲート電極１１０はゲート配線１１２に接続している。ゲート配線１１２は、ゲート電極１１０と同一層に形成されている。配線１３２とゲート配線１１２は交わる方向、例えば直交する方向に延在しているが、これに限られない。

ゲート絶縁膜１２０のうちソース電極１３０とドレイン電極１４０の間に位置する領域の上、ソース電極１３０の上、およびドレイン電極１４０の上には、有機層１５０が形成されている。有機層１５０を構成する材料は、半導体特性を示す有機材料であればよく、例えば、ペンタセンなどのアセン類、鉛フタロシアニンを含むフタロシアニン類、ベンゾポルフィリン等のポルフィリン類、ペリレンやそのテトラカルボン酸誘導体、テトラチアフルバレン類、α−チエニールもしくはセクシチオフェンと呼ばれるチオフェン６量体を代表例とする芳香族オリゴマー、又は、ポリチオフェン、ポリチエニレンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレンといった共役高分子等である。

このうち特に好ましい有機材料としては、ポリマーのような高分子よりも、前述のアセン類やフタロシアニン類、ポルフィリン類、テトラカルボン酸誘導体、テトラチアフルバレン類、芳香族オリゴマーのような低分子量のものが好ましい。上に例示したような低分子量（ここではポリマーに対する意味で低分子量という言葉を使用する）の有機半導体は、分子から分子へと次つぎに電荷が伝わっていくことにより電流が流れるため、その分子の配列を乱すことにより、導電性を大きく変化させることができるため、本発明に適している。

そしてより好ましい有機材料は、ポルフィリン類である。逆にポリマーのような高分子の有機材料は、主にその分子内を伝わって電流が流れるため、第１絶縁層を構成する物質が侵入してきた際に、比較的導電性の変化の割合が小さくなることがある。

有機層１５０のうちソース電極１３０とドレイン電極１４０の間に位置する部分は、第１トランジスタ１２のチャネルとして機能する。そして有機層１５０のうちこの領域の上には、第２絶縁層１６０が形成されており、有機層１５０のうち残りの領域の上には、第１絶縁層１７０が形成されている。第１絶縁層１７０は、例えばエポキシ系の樹脂からなり、第２絶縁層１６０は、例えばアクリル系ポリマーからなる。ただし第１絶縁層１７０及び第２絶縁層１６０は、これらに限定されない。

有機層１５０のうち第１絶縁層１７０と重なっている領域は高抵抗な膜となっている。このような状態は、有機層１５０上に第１絶縁層１７０を形成した後、第１絶縁層１７０の温度を第１絶縁層１７０の融点以上、軟化温度以上、またはガラス転移温度以上にすることで、実現できる。有機層１５０の直上の絶縁層１７０が熱処理により軟化すると、有機層１５０がダメージを受けて変質し、半導体特性が劣化するためである。本図に示す例において、第１絶縁層１７０は、有機層１５０のうちチャネルとして機能する部分を囲んでおり、また、第２絶縁層１６０の上にも形成されている。

一方、有機層１５０のうち第１トランジスタ１２のチャネルとして機能する部分は、第２絶縁層１６０によって覆われている。第２絶縁層１６０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度は、第１絶縁層１７０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度よりも高い。このため、有機層１５０のうち第２絶縁層１６０で覆われた部分は、熱処理による半導体特性の劣化を防止することができる。これらの効果を得るためには、第１絶縁層１７０と第２絶縁層１６０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度の差が、例えば２０℃以上であることが好ましい。この場合、処理温度を、第１絶縁層１７０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度よりも１０℃以上高くしつつ、第２絶縁層１６０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度よりも１０℃以上低くすることができる。また、第１絶縁層１７０と第２絶縁層１６０の融点、軟化温度、またはガラス転移温度の温度差が望ましくは１２０℃以上であるのが好ましい。

そして更に好ましくは、第２絶縁層１６０が有機層１５０のうちチャネルとして使用する部分全体を覆っていることであり、特に好ましくは、第２絶縁層１６０がチャネルとして使用する部分よりも、有機層１５０の膜厚以上に大きく覆っていることである。これは、第１絶縁層１７０が熱処理により軟化し有機層１５０にダメージを与える場合に、例えば図１であれば基板１００に向かう方向（厚さ方向）だけにダメージを与えるのではなく、図１の紙面に垂直な方向（基板１００の面方向）にもダメージを広げていくことが考えられるためである。そして、有機層１５０のチャネルとして使用する部分にまでダメージが及ぶ可能性を減少させるためには、有機層１５０のうちチャネルとして使用される部分のみではなくその周囲も覆っていることが好ましい。この場合においても、第１樹脂層１７０は、トランジスタのチャネルを囲んでいる。

次に、有機装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上にゲート電極１１０を形成する。ゲート電極１１０は、例えば印刷法又はインクジェット法などの塗布法によって形成されても良いし、スパッタリング、フォトリソグラフィ、及びエッチングを用いて形成されても良い。この工程において、ゲート配線１１２も形成される。

次いで、基板１００及びゲート電極１１０上に、ゲート絶縁膜１２０を形成する。ゲート絶縁膜１２０は、スピンコーティング法やインクジェット法などの塗布法（印刷法）を用いて形成されても良いし、真空成膜法を用いて形成されても良い。

次いで、ゲート絶縁膜１２０上にソース電極１３０及びドレイン電極１４０を形成する。ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、例えばインクジェット法などの塗布法によって形成されても良いし、スパッタリング、フォトリソグラフィ、及びエッチングを用いて形成されても良い。この工程において、配線１３２も形成される。

次いで、ゲート絶縁膜１２０上、ソース電極１３０上、及びドレイン電極１４０上に、有機層１５０を形成する。有機層１５０は、蒸着法を用いて形成されても良いし、スピンコーティング法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法などの塗布法を用いて形成されても良い。

次いで、有機層１５０上に、第２絶縁層１６０を形成し、その後第１絶縁層１７０を形成する。第２絶縁層１６０は、例えばスピンコーティング法などの塗布法に、フォトリソグラフィを組み合わせることで形成されるが、他の方法（例えばインクジェット法）を用いて形成されても良い。また、第１絶縁層１７０は、例えばスピンコーティング法やオフセット印刷法などの塗布法を用いて形成される。

その後、第２絶縁層１６０及び第１絶縁層１７０を、第１絶縁層１７０の軟化点以上（又は融点温度以上もしくはガラス転移温度以上）、かつ、第２絶縁層１６０の軟化点未満（又は融点未満もしくはガラス転移温度未満）に加熱する。

以上、本実施形態によれば、有機層１５０のうち第１絶縁層１７０と重なっている領域は熱処理による絶縁層１７０の軟化のダメージを受け、抵抗が高くなっている。言い換えると、有機層１５０のうちチャネルとして動作しない部分の少なくとも一部は高抵抗になっている。従って有機層１５０を用いた素子（例えば第１トランジスタ１２）において、有機層１５０を介して電流が漏洩することを抑制できる。

特に本実施形態では、第１絶縁層１７０は、平面視で有機層１５０のうち第１トランジスタ１２のチャネルとなる領域を囲んでいる。従って、有機層１５０のうちランジスタのチャネルとなる領域の周囲に位置する部分は、高抵抗になっている。従って、第１トランジスタ１２の漏洩電流はさらに小さく、隣接した素子との分離にも効果的である。

また、本実施形態において、隣り合う第１トランジスタ１２の素子分離は、有機層１５０のうち第１絶縁層１７０と重なっている領域によって行われている。従って、有機層１５０のパターニングが不要になるため、隣り合う第１トランジスタ１２を容易に分離することができる。

さらに、本実施形態において、有機層１５０を形成する際には、パターニングが不要なため、蒸着法やスピンコーティング法などの面内均一性に優れた手法を用いることが可能であり、特性バラツキが少ないトランジスタアレイを形成することができる。

（実施例１）
実施形態に示した構造の有機装置１０を作製した。ゲート電極１１０にはＣｒを使用し、ゲート絶縁膜１２０は多官能性アクリルポリマーをスピンコートにより形成した。ソース電極１３０及びドレイン電極１４０は、ＣｒとＡｕの積層膜を使用し、有機層１５０はテトラベンゾポルフィリンの誘導体をスピンコートし、加熱処理して結晶化した。第２絶縁層１６０には感光性アクリルポリマーを使用し、第１絶縁層１７０にはエポキシ系の樹脂を使用した。第２絶縁層１６０のガラス転移温度は１６０℃であり、第１絶縁層１７０のガラス転移温度は４０℃であった。そして、第２絶縁層１６０及び第１絶縁層１７０を形成した後の熱処理温度を、１５０℃とした。

また、比較例に係る有機装置を作製した。この有機装置は、第１絶縁層１７０がなく第２絶縁層１６０が全面に塗布されている点を除いて、実施例に係る有機装置と同様の構成である。

図３は、実施例１に係る第１トランジスタ１２のドレイン・ソース間の電流と、ゲート電圧の関係を示すグラフである。本図では、比較例に係る第１トランジスタ１２における、ドレイン・ソース間の電流と、ゲート電圧の関係も示している。第１トランジスタ１２は、ゲート電圧が負になるとオンする。

比較例においては、ゲート電圧が正になっても、ドレイン・ソース間にある程度の量の電流が流れている。これは、比較例に係るトランジスタの漏洩電流はある程度大きいことを示している。これに対して本実施例においては、ゲート電圧が０以上になったとき、ドレイン・ソース間の電流は非常に小さくなる。これは、本実施例に係る第１トランジスタ１２の漏洩電流は非常に小さいことを示している。

なお、本実施例に係る第１トランジスタ１２の電子の移動度は４×１０^−２（ｃｍ^２／Ｖｓ）であり、オフ電流は３×１０^−１２（Ａ）であり、オンオフ比（オン電流／オフ電流）は１×１０^７であった。一方、比較例に係る第１トランジスタ１２の電子の移動度は２×１０^−１（ｃｍ^２／Ｖｓ）であり、オフ電流は９×１０^−１０（Ａ）であり、オンオフ比（オン電流／オフ電流）は３×１０^４であった。この点からも、本実施例に係る第１トランジスタ１２の特性が優れているといえる。

（実施例２）
図４は、実施例２に係る有機装置１０の構成を示す断面図である。本実施例に係る有機装置１０は、第１絶縁層１７０を形成した後に第２絶縁層１６０が形成されている点を除いて、実施形態に係る有機装置１０と同様の構成である。

詳細には、第１絶縁層１７０は、有機層１５０のうち第１トランジスタ１２のチャネルとなるべき領域を除いた部分の上に、形成されている。言い換えると、第１絶縁層１７０は、有機層１５０のうち第１トランジスタ１２のチャネルとなるべき領域と重なる部分に、開口を有している。そして第２絶縁層１６０は、有機層１５０のうち第１絶縁層１７０の開口内に位置する部分の上、第１絶縁層１７０の開口の側面の上、及び第１絶縁層１７０の上に形成されている。

本実施例においても、実施形態と同様に、第１トランジスタ１２の漏洩電流を小さくすることができる。また、隣り合う第１トランジスタ１２を容易に分離することができる。また、第２絶縁層１６０が第１トランジスタ１２を覆っているため、第２絶縁層１６０によって第１トランジスタ１２を保護することもできる。

（実施例３）
図５は、実施例３に係る有機装置１０の構成を示す断面図である。図６は、本実施例に係る有機装置１０の平面図である。図６において、基板１００及びゲート絶縁膜１２０は省略されている。

本実施例に係る有機装置１０は、第１絶縁層１７０が第２絶縁層１６０の上及び第２絶縁層１６０の周囲にのみ形成されている点を除いて、実施形態に係る有機装置１０と同様の構成である。本実施例においても、実施形態と同様に、第１トランジスタ１２の漏洩電流を小さくすることができる。

なお、図７の平面図に示すように、第１絶縁層１７０は、第２絶縁層１６０の周囲にのみ（言い換えると、第２絶縁層１６０を囲むように）形成されていても良い。この場合においても、有機層１５０のうち抵抗が高くなっている領域は、第１トランジスタ１２のチャネル領域を囲んでいるため、第１トランジスタ１２の漏洩電流を小さくすることができる。

（実施例４）
図８は、実施例４に係る有機装置１０の構成を示す図である。本実施例に係る有機装置１０は、第１絶縁層１７０が、有機層１５０のうちチャネルとなる部分の周囲にのみ形成されている点を除いて、実施例２に係る有機装置１０と同様の構成である。

詳細には、第１絶縁層１７０は、有機層１５０のうちチャネルとなる部分を囲むように形成されている。第１絶縁層１７０の平面レイアウトは、例えば図７に示した例と同様である。そして、第２絶縁層１６０は、有機層１５０のうち第１絶縁層１７０で覆われていない領域、及び第１絶縁層１７０の上並びに側面を覆っている。ただし、第２絶縁層１６０は少なくともチャネル上を覆っていればよく、これに限らない。

本実施例によっても、第１トランジスタ１２の漏洩電流を小さくすることができる。また、第２絶縁層１６０が第１トランジスタ１２を覆っているため、第２絶縁層１６０によって第１トランジスタ１２を保護することもできる。

（実施例５）
図９は、実施例５に係る有機装置２０の構成を示す平面図である。本実施例に係る有機装置２０は、第１トランジスタ１２、第２トランジスタ１４、容量素子２００、及び発光素子３００を複数組備えている。発光素子３００は、例えばディスプレイの発光領域であり、第１トランジスタ１２及び第２トランジスタ１４は、発光素子３００の発光を制御する。第２トランジスタ１４は第１トランジスタ１２と同様の構成を有している。

図１０は、図９のＢ−Ｂ′断面図である。基板１００上には、第１トランジスタ１２のゲート電極１１０、容量素子２００の第２電極２０４、及び第２トランジスタ１４のゲート電極１１４が形成されている。これらは互いに同一の工程で形成されている。そして基板１００の上、ゲート電極１１０，１１４の上、及び第２電極２０４の上には、ゲート絶縁膜１２０が形成されている。

ゲート絶縁膜１２０の上には、第１トランジスタ１２のソース電極１３０、ドレイン電極１４０のほかに、容量素子２００の第１電極２０２、及び、第２トランジスタ１４のソース電極１３４並びにドレイン電極１４４が形成されている。これらは、互いに同一の工程で形成されている。

平面視でソース電極１３４及びドレイン電極１４４の間に位置する部分には、ゲート電極１１４が形成されている。そしてゲート電極１１４は、有機層１５０のうちソース電極１３４とドレイン電極１４４の間に位置する部分と重なっている。

第２電極２０４は、平面視で第１電極２０２と重なっている。すなわちゲート絶縁膜１２０は容量素子２００の絶縁層としても機能する。また、第１電極２０２は、ソース電極１３０と一体に形成されている。そしてゲート絶縁膜１２０には、ゲート電極１１４を容量素子２００の第１電極２０２に接続するためのコンタクトホール１１５が埋め込まれている。

ソース電極１３０の上、ドレイン電極１４０の上、ソース電極１３４の上、ドレイン電極１４４の上、ゲート絶縁膜１２０上のうちドレイン電極１４０とソース電極１３０の間に位置する部分の上、及びゲート絶縁膜１２０のうちドレイン電極１４４とソース電極１３４の間に位置する部分の上には、有機層１５０が形成されている。

有機層１５０の上には、第２絶縁層１６０が形成され、その上に第１絶縁層１７０が形成されている。第１絶縁層１７０のうち、発光素子の部分には開口が形成されている。すなわち第２絶縁層１６０及び第１絶縁層１７０は、実施例１と同様の構成になっている。

また、ゲート絶縁膜１２０のうち発光領域となる部分の上には、電極３１０が形成されている。電極３１０の上には、有機層１８２及び電極１８４が形成されている。電極３１０は例えば陽極であり、電極１８４は陰極である。有機層１８２は、例えば電子注入層、発光層、及び正孔注入層を積層した構成を有している。なお、第２絶縁層１６０及び第１絶縁層１７０は、電極３１０上には形成されていない。有機層１８２からの発光は、基板１００を介して外部に放射される。

有機トランジスタおよび有機ＥＬは、大気中の水分や酸素によってダメージを受ける。本図に示す例では省略されているが、それらから保護するための保護膜、あるいは封止構造を設けることが望ましい。

図１１は、有機装置２０の回路図である。第１トランジスタ１２のゲート配線１１０及びソース配線には、発光素子３００の発光を制御するための制御信号が入力される。第１トランジスタ１２のドレイン電極は第２トランジスタ１４のゲート電極１１４に接続している。また容量素子２００の第１電極２０２は、第１トランジスタ１２のドレイン電極と第２トランジスタのゲート電極１１４に接続している。そして第２トランジスタ１４のドレイン電極は発光素子３００の陽極に接続している。

本実施形態によると、隣接する画素への電流の漏洩を抑制し、隣接画素間での素子分離をすることができる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０，２０ 有機装置
１２ 第１トランジスタ
１４ 第２トランジスタ
１００ 基板
１１０ ゲート電極
１１４ ゲート電極
１２０ ゲート絶縁膜
１３０ ソース電極
１３２ 配線
１３４ ソース電極
１４０ ドレイン電極
１４４ ドレイン電極
１５０ 有機層
１６０ 第２絶縁層
１７０ 第１絶縁層

Claims (7)

1. 第１電極と、
   前記第１電極から離れている第２電極と、
   前記第１電極及び前記第２電極に接し、かつ前記第１電極と前記第２電極の間の領域にも位置する有機層と、
   前記有機層のうち、前記第１電極と前記第２電極の間の領域と重ならない領域に少なくとも一部は接している第１絶縁層と、
   前記有機層のうち、前記第１電極と前記第２電極の間の領域と重なる部分に少なくとも一部は接している第２絶縁層と、
   を備え、
   前記第１絶縁層の融点、軟化温度、またはガラス転移温度は、前記第２絶縁層の融点、軟化温度、またはガラス転移温度よりも低い有機装置。
2. 請求項１に記載の有機装置において、
   前記第１絶縁層の融点、軟化温度、またはガラス転移温度は、前記第２絶縁層の融点、軟化温度、またはガラス転移温度よりも、２０℃以上低い有機装置。
3. 請求項１又は２に記載の有機装置において、
   前記第１絶縁層は、エポキシ系の樹脂からなり、
   前記第２絶縁層は、アクリル系ポリマーからなる有機装置。
4. 第１電極と、
   前記第１電極から離れている第２電極と、
   前記第１電極及び前記第２電極に接し、かつ前記第１電極と前記第２電極の間の領域にも位置する有機層と、
   前記有機層のうち、前記第１電極と前記第２電極の間の領域とは異なる領域に少なくとも一部は形成され、熱軟化型の樹脂からなる第１絶縁層と、
   を備え、
   前記有機層のうち前記第１絶縁層と重なっていない領域に位置する部分の少なくとも表層は、変質している有機装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機装置において、
   前記有機層は有機半導体層である有機装置。
6. 請求項５に記載の有機装置において、
   前記有機層のうち前記第１電極と前記第２電極の間の領域に位置する部分と重なっているゲート電極と、
   前記ゲート電極と前記有機層の間に位置するゲート絶縁膜と、
   を備えるトランジスタを有する有機装置。
7. 請求項６に記載の有機装置において、
   前記第１絶縁層は、平面視で、前記トランジスタのチャネルを囲んでいる有機装置。

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