JP2015056335A - Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device - Google Patents

Electro-optical device, electronic apparatus, and method of manufacturing electro-optical device Download PDF

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正憲 岩▲崎▼
Masanori Iwasaki
正憲 岩▲崎▼
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electro-optical device having excellent reliability and quality, an electronic apparatus including the electro-optical device, and a method of manufacturing the electro-optical device.SOLUTION: The electro-optical device includes: a substrate 10 having a first surface P1; an organic EL element 40 which is a light-emitting element arranged on the first surface P1; an inspection terminal 24 arranged between an arrangement region E of the organic EL element 40 and an outer edge of the substrate 10 on the first surface P1; and a sealing layer 50 which is a resin layer formed over at least the arrangement region E and covering the organic EL element 40. The sealing layer 50 covers the inspection terminal 24.

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置を備えた電子機器及び電気光学装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an electro-optical device, an electronic apparatus including the electro-optical device, and a method for manufacturing the electro-optical device.

従来、電気光学装置、例えば有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と呼ぶ)において、発光画素となる有機EL素子や有機EL素子を駆動する回路が形成された素子基板には、製造の途中で有機EL素子や駆動回路を検査するための検査端子と、外部回路と接続するための外部接続端子と、が設けられている。有機EL装置の製造の途中において、検査端子を用いて有機EL素子や駆動回路の電気的な特性を測定して、早期に不良を検出していた。一方で、有機EL装置完成後、検査端子が露出した状態では、外部から検査端子を経て侵入した静電気により駆動回路が故障して誤動作を起こす原因となっていた。そのため、特許文献1においては、検査端子上に絶縁層による平坦化膜を形成し、また、特許文献2においては、検査端子上に発光画素の劣化防止のための保護膜、例えは樹脂層を形成することで、誤動作を防止していた。   2. Description of the Related Art Conventionally, in an electro-optical device, for example, an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as an organic EL device), an element substrate on which an organic EL element serving as a light emitting pixel and a circuit for driving the organic EL element are formed is in the middle of manufacturing An inspection terminal for inspecting the organic EL element and the drive circuit and an external connection terminal for connecting to an external circuit are provided. During the manufacture of the organic EL device, the electrical characteristics of the organic EL element and the drive circuit were measured using the inspection terminal, and a defect was detected at an early stage. On the other hand, after the completion of the organic EL device, when the inspection terminal is exposed, the drive circuit breaks down due to static electricity entering from the outside through the inspection terminal, causing malfunction. Therefore, in Patent Document 1, a planarizing film made of an insulating layer is formed on the inspection terminal, and in Patent Document 2, a protective film for preventing deterioration of the light emitting pixel, for example, a resin layer is formed on the inspection terminal. By forming, malfunction was prevented.

特開2010−33090号公報JP 2010-33090 A 特開2010−160950号公報JP 2010-160950 A

しかしながら、特許文献1における検査端子は、発光画素と駆動回路との間で、発光画素に隣接して設けられているため、検査時にプローブを検査端子と接触させることで生ずる傷により素子基板の表面に凹凸が生じ、その後のカラーフィルターを形成する際に塗布プロセスにおいて膜厚が不均一となる不具合が発生した。また、有機EL素子を保護するための封止層に欠陥が発生し、有機EL装置の信頼性品質が低下するという問題があった。また、特許文献2における検査端子は、発光画素ごとに設けられているため、上記検査時の傷による信頼性品質の低下と共に、有機EL装置の小型化や発光画素の微細化を図る上で問題となっていた。   However, since the inspection terminal in Patent Document 1 is provided adjacent to the light emitting pixel between the light emitting pixel and the drive circuit, the surface of the element substrate is caused by scratches caused by bringing the probe into contact with the inspection terminal during inspection. Concavities and convexities were formed on the film, and the film thickness was not uniform in the coating process when forming the subsequent color filter. Further, there is a problem that a defect occurs in the sealing layer for protecting the organic EL element, and the reliability quality of the organic EL device is lowered. In addition, since the inspection terminals in Patent Document 2 are provided for each light emitting pixel, there is a problem in reducing the reliability quality due to the scratch during the inspection and reducing the size of the organic EL device and miniaturizing the light emitting pixels. It was.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置は、第1の面を有する基板と、前記第1の面上に配置された発光素子と、前記第1の面上で、前記発光素子の配置領域と前記基板の外縁との間に配置された検査端子と、少なくとも前記配置領域に亘って形成され前記発光素子を覆う樹脂層と、を有し、前記樹脂層は、前記検査端子を覆っていることを特徴とする。   Application Example An electro-optical device according to this application example includes a substrate having a first surface, a light-emitting element disposed on the first surface, and an arrangement of the light-emitting elements on the first surface. An inspection terminal disposed between the region and the outer edge of the substrate, and a resin layer formed over at least the arrangement region and covering the light emitting element, and the resin layer covers the inspection terminal. It is characterized by being.

本適用例によれば、検査端子が発光素子の配置領域と基板の外縁との間に配置され、樹脂層で覆われているため、検査時の傷により基板の表面に生じた凹凸の影響による、その後の製造工程における塗布プロセス等での膜厚の不均一や有機EL素子を保護するための封止層に欠陥が発生するのを抑え、且つ外部からの静電気等による影響を低減できる。また、上記配置領域内において発光素子ごとに対応して検査端子を設ける場合に比べて、電気光学装置の小型化を図ることができる。すなわち、高い信頼性品質を有する小型な電気光学装置を提供することができる。   According to this application example, the inspection terminal is arranged between the light emitting element arrangement region and the outer edge of the substrate, and is covered with the resin layer. In addition, it is possible to suppress non-uniform film thickness in the coating process in the subsequent manufacturing process and the occurrence of defects in the sealing layer for protecting the organic EL element, and to reduce the influence of external static electricity or the like. In addition, the electro-optical device can be reduced in size as compared with the case where inspection terminals are provided corresponding to each light emitting element in the arrangement region. That is, a small electro-optical device having high reliability quality can be provided.

上記適用例に記載の電気光学装置において、前記樹脂層は、カラーフィルター層を含んでいることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the resin layer includes a color filter layer.

この構成によれば、カラーフィルター層を利用して検査端子を覆い、外部からの静電気等による影響を低減できる。   According to this configuration, the inspection terminal is covered using the color filter layer, and the influence of static electricity from the outside can be reduced.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記カラーフィルター層は、少なくとも青色、緑色及び赤色のフィルター層を含み、少なくとも1つの前記フィルター層により前記検査端子が覆われていることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the color filter layer includes at least blue, green, and red filter layers, and the inspection terminal is covered with at least one filter layer. To do.

この構成によれば、青色、緑色及び赤色のフィルター層の少なくとも1つのフィルター層で検査端子を覆い、外部からの静電気等による影響を低減できる。   According to this configuration, the inspection terminal is covered with at least one of the blue, green, and red filter layers, so that the influence of static electricity from the outside can be reduced.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記樹脂層は、有機緩衝層を含んでいることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the resin layer includes an organic buffer layer.

この構成によれば、有機緩衝層で検査端子を覆い、検査端子に付いた傷などの凹凸の影響が後の製造プロセスに影響することを低減できる。   According to this configuration, the inspection terminal is covered with the organic buffer layer, and it is possible to reduce the influence of irregularities such as scratches attached to the inspection terminal on the subsequent manufacturing process.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記有機緩衝層は、無機封止層により覆われていることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the organic buffer layer is covered with an inorganic sealing layer.

この構成によれば、無機封止層により水分などが検査端子に及ぼす影響を低減することができる。   According to this configuration, it is possible to reduce the influence of moisture or the like on the inspection terminal by the inorganic sealing layer.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記樹脂層は、光学調整層を含んでいることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the resin layer includes an optical adjustment layer.

この構成によれば、光学調整層で検査端子を覆って、外部からの静電気等による影響を低減できる。   According to this configuration, the inspection terminal is covered with the optical adjustment layer, and the influence of external static electricity or the like can be reduced.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記樹脂層は、前記発光素子を覆う第1の部分と、前記検査端子を覆う第2の部分と、を有し、前記第1の部分と前記第2の部分とが互いに離れていることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the resin layer includes a first portion that covers the light emitting element, and a second portion that covers the inspection terminal, and the first portion; The second portion is separated from each other.

この構成によれば、第2の部分の樹脂層を介して水分が浸入したとしても、発光素子を覆う樹脂層の第1の部分と、検査端子を覆う樹脂層の第2の部分とが互いに離れているため、水分が発光素子を覆う樹脂層の第1の部分まで、到達するのを防止でき、水分の影響による発光素子の特性劣化を防ぐことができる。   According to this configuration, even if moisture enters through the resin layer of the second part, the first part of the resin layer covering the light emitting element and the second part of the resin layer covering the inspection terminal are mutually connected. Since they are separated from each other, moisture can be prevented from reaching the first portion of the resin layer covering the light emitting element, and deterioration of the characteristics of the light emitting element due to the influence of moisture can be prevented.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第2の部分は、前記第1の部分を囲むように前記基板の外縁に沿って設けられていることを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example described above, the second portion is provided along an outer edge of the substrate so as to surround the first portion.

この構成によれば、発光素子を覆う第1の部分は、基板の外縁に沿って設けられた第2の部分によって囲まれているので、第2の部分の樹脂層を介して発光素子を覆う第1の部分の樹脂層に水分が到達するのを防止できるため、水分の影響による発光素子の特性劣化をより確実に防ぐことができる。   According to this configuration, the first portion covering the light emitting element is surrounded by the second portion provided along the outer edge of the substrate, and thus covers the light emitting element through the resin layer of the second portion. Since it is possible to prevent moisture from reaching the resin layer of the first portion, it is possible to more reliably prevent deterioration of the characteristics of the light emitting element due to the influence of moisture.

また、上記適用例に記載の電気光学装置において、前記発光素子は、第1電極と、前記第1電極に対向して配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光機能層と、を有することを特徴とする。   In the electro-optical device according to the application example, the light-emitting element includes a first electrode, a second electrode disposed to face the first electrode, and the first electrode and the second electrode. And a light emitting functional layer disposed therebetween.

この構成によれば、高い信頼性品質を有する発光素子を備えた電気光学装置を提供できる。   According to this configuration, it is possible to provide an electro-optical device including a light emitting element having high reliability quality.

[適用例]本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。   [Application Example] An electronic apparatus according to this application example includes the electro-optical device according to the application example described above.

本適用例の構成によれば、高い信頼性品質を有する電気光学装置を備えた電子機器を提供することができる。   According to the configuration of this application example, it is possible to provide an electronic apparatus including an electro-optical device having high reliability quality.

[適用例]本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第1の面を有する基板と、前記第1の面上に配置された発光素子と、前記第1の面上で、前記発光素子の配置領域と前記基板の外縁との間に配置された検査端子と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記第1の面上に、前記発光素子を形成した後に、前記発光素子の配置領域と、前記検査端子と、を覆う樹脂層を形成する工程、を含むことを特徴とする。   [Application Example] A method for manufacturing an electro-optical device according to this application example includes a substrate having a first surface, a light emitting element disposed on the first surface, and the light emission on the first surface. An electro-optical device manufacturing method comprising: an inspection terminal disposed between an element arrangement region and an outer edge of the substrate; and after forming the light emitting element on the first surface, And a step of forming a resin layer covering the light emitting element placement region and the inspection terminal.

本適用例の方法によれば、検査端子を発光素子の配置領域と基板の外縁との間に配置し、検査端子を樹脂層で覆っているため、検査時の傷により基板の表面に生じた凹凸の影響による、その後の製造工程における塗布プロセス等での膜厚の不均一や有機EL素子を保護するための封止層に欠陥が発生するのを抑え、且つ外部からの静電気等による影響を低減できるため、高い信頼性品質を有する発光素子を備えた電気光学装置を製造することができる。   According to the method of this application example, the inspection terminal is arranged between the light emitting element arrangement region and the outer edge of the substrate, and the inspection terminal is covered with the resin layer. Suppresses the occurrence of defects in the coating layer in the subsequent manufacturing process due to the unevenness and the occurrence of defects in the sealing layer for protecting the organic EL element, and the influence of external static electricity, etc. Therefore, an electro-optical device including a light-emitting element having high reliability quality can be manufactured.

上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程は、カラーフィルター層を形成する工程を含むことを特徴とする。   In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the step of forming the resin layer includes a step of forming a color filter layer.

この方法によれば、発光素子に対向するカラーフィルター層を形成する工程において、カラーフィルター層で検査端子を覆うことができるので、新たな工程を必要とせずに、低コストで、高い信頼性品質を有する電気光学装置を製造することができる。   According to this method, since the inspection terminal can be covered with the color filter layer in the step of forming the color filter layer facing the light emitting element, a low cost and high reliability quality can be achieved without requiring a new step. Can be manufactured.

また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記カラーフィルター層を形成する工程は、少なくとも青色、緑色及び赤色のフィルター層を形成し、少なくとも1つの前記フィルター層で前記検査端子を覆うことを特徴とする。   In the method of manufacturing an electro-optical device according to the application example, the step of forming the color filter layer includes forming at least a blue, green, and red filter layer, and the inspection terminal is formed by at least one filter layer. It is characterized by covering.

この方法によれば、青色、緑色及び赤色のフィルター層を形成する工程において、検査端子を少なくとも1つのフィルター層で覆うことができるので、新たな工程を必要とせずに、低コストで、高い信頼性品質を有する電気光学装置を製造することができる。   According to this method, since the inspection terminal can be covered with at least one filter layer in the process of forming the blue, green and red filter layers, a new process is not required, and the cost is high and the reliability is high. An electro-optical device having high quality can be manufactured.

また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程は、有機緩衝層を形成する工程を含むことを特徴とする。   In the method of manufacturing the electro-optical device according to the application example, the step of forming the resin layer includes a step of forming an organic buffer layer.

この方法によれば、有機緩衝層を形成する工程において、有機緩衝層で検査端子を覆うことができるので、新たな工程を必要とせずに、低コストで、高い信頼性品質を有する電気光学装置を製造することができる。   According to this method, since the inspection terminal can be covered with the organic buffer layer in the step of forming the organic buffer layer, the electro-optical device having high reliability and low cost without requiring a new step. Can be manufactured.

また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程は、前記有機緩衝層を覆う無機封止層を形成する工程を含むことを特徴とする。   In the electro-optical device manufacturing method according to the application example, the step of forming the resin layer includes a step of forming an inorganic sealing layer that covers the organic buffer layer.

この方法によれば、有機緩衝層を覆う無機封止層を形成する工程において、検査端子上に、先ず無機封止層を形成し、その上に、有機緩衝層を形成し、更にその上に無機封止層を形成することで、検査端子を覆うことができるので、新たな工程を必要とせずに、低コストで、高い信頼性品質を有する電気光学装置を製造することができる。   According to this method, in the step of forming the inorganic sealing layer covering the organic buffer layer, the inorganic sealing layer is first formed on the inspection terminal, and the organic buffer layer is further formed thereon, and further thereon Since the inspection terminal can be covered by forming the inorganic sealing layer, an electro-optical device having high reliability quality can be manufactured at low cost without requiring a new process.

また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程は、光学調整層を形成する工程を含むことを特徴とする。   In the electro-optical device manufacturing method according to the application example, the step of forming the resin layer includes a step of forming an optical adjustment layer.

この方法によれば、光学調整層を形成する工程において、検査端子を光学調整層で覆うことができるので、新たな工程を必要とせずに、低コストで、高い信頼性品質を有する電気光学装置を製造することができる。   According to this method, since the inspection terminal can be covered with the optical adjustment layer in the step of forming the optical adjustment layer, an electro-optical device having a high reliability and a low cost without requiring a new step. Can be manufactured.

また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記樹脂層を形成する工程は、前記発光素子を覆う前記樹脂層の第1の部分と、前記検査端子を覆う前記樹脂層の第2の部分と、を互いに離して形成することを特徴とする。   In the electro-optical device manufacturing method according to the application example described above, the step of forming the resin layer may include a first portion of the resin layer that covers the light emitting element and a first portion of the resin layer that covers the inspection terminal. The two portions are formed apart from each other.

この方法によれば、基板外縁に面した第2の部分の樹脂層を介して浸入する水分が、発光素子を覆う樹脂層の第1の部分と、検査端子を覆う樹脂層の第2の部分と、を互いに離して形成されているため、発光素子を覆う樹脂層の第1の部分まで、到達するのを防止でき、水分による発光素子の特性劣化を防いだ電気光学装置を製造することができる。   According to this method, the moisture that enters through the second portion of the resin layer facing the outer edge of the substrate causes the first portion of the resin layer that covers the light emitting element and the second portion of the resin layer that covers the inspection terminal. Can be prevented from reaching the first portion of the resin layer covering the light emitting element, and an electro-optical device that prevents deterioration of the characteristics of the light emitting element due to moisture can be manufactured. it can.

また、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法において、前記第2の部分は、前記第1の部分を囲むように前記基板の外縁に沿って形成することを特徴とする。   In the electro-optical device manufacturing method according to the application example, the second portion is formed along an outer edge of the substrate so as to surround the first portion.

この方法によれば、発光素子を覆う第1の部分を、基板の外縁に沿って設けられた第2の部分で囲むように形成することで、基板の外縁に面した第2の部分の樹脂層を介して浸入する水分が、発光素子を覆う樹脂層の第1の部分に到達するのを防止できるため、水分による発光素子の特性劣化をより確実に防いだ電気光学装置を製造することができる。   According to this method, the first part covering the light emitting element is formed so as to be surrounded by the second part provided along the outer edge of the substrate, whereby the resin of the second part facing the outer edge of the substrate. Since it is possible to prevent moisture entering through the layer from reaching the first portion of the resin layer covering the light emitting element, it is possible to manufacture an electro-optical device that more reliably prevents deterioration of characteristics of the light emitting element due to moisture. it can.

第1実施形態に係る電気光学装置としての有機EL装置の構成を示す概略平面図。1 is a schematic plan view showing a configuration of an organic EL device as an electro-optical device according to a first embodiment. 図1に示す有機EL装置のA−A線の概略断面図。The schematic sectional drawing of the AA line of the organic electroluminescent apparatus shown in FIG. 図1に示す有機EL装置のH−H線の概略断面図。The schematic sectional drawing of the HH line | wire of the organic electroluminescent apparatus shown in FIG. 有機EL装置を製造するためのマザー基板の概略構成図であり、(a)はマザー基板を示す概略平面図、(b)はマザー基板における素子基板の配置を示す概略平面図。It is a schematic block diagram of the mother board | substrate for manufacturing an organic EL apparatus, (a) is a schematic plan view which shows a mother board | substrate, (b) is a schematic plan view which shows arrangement | positioning of the element substrate in a mother board | substrate. 第2実施形態に係る有機EL装置の構成を示し、図1のA−A線の断面に相当する概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus concerning 2nd Embodiment, and is equivalent to the cross section of the AA line of FIG. 第3実施形態に係る有機EL装置の構成を示し、図1のA−A線の断面に相当する概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 3rd Embodiment, and corresponds to the cross section of the AA line of FIG. 第4実施形態に係る有機EL装置の構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the organic electroluminescent apparatus which concerns on 4th Embodiment. 図7に示す有機EL装置のB−B線の概略断面図。The schematic sectional drawing of the BB line of the organic electroluminescent apparatus shown in FIG. 電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。Schematic which shows the head mounted display as an example of an electronic device.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の第1の面P1(+Z軸方向側の面)の上に接するように配置される場合、又は基板の第1の面P1の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の第1の面P1の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。   In the following embodiments, for example, “on the substrate”, the case where the substrate is disposed so as to be in contact with the first surface P1 (the surface on the + Z-axis direction side) of the substrate, or the first of the substrate. When disposed on the surface P1 of the substrate via another component, or disposed so as to partially contact the first surface P1 of the substrate, and partially disposed via the other component. Represents the case.

(第1実施形態)
<電気光学装置>
先ず、第1実施形態に係る電気光学装置の一例として、有機EL装置を挙げ、図1〜図3を参照して説明する。
図1は、第1実施形態に係る電気光学装置としての有機EL装置の構成を示す概略平面図である。図2は、図1に示す有機EL装置のA−A線の概略断面図であり、図3は、図1に示す有機EL装置のH−H線の概略断面図である。
第1実施形態に係る有機EL装置1は、図1に示すように、基板10の第1の面P1の上に発光画素62、データ線駆動回路12、走査線駆動回路14、検査回路16、外部回路との電気的な接続を図るための外部接続端子20、及び複数の検査端子24が設けられている素子基板100と、発光画素62等を保護する封止基板80と、素子基板100と封止基板80とを接着する樹脂層である充填材70(図2参照)と、を備えている。
(First embodiment)
<Electro-optical device>
First, as an example of the electro-optical device according to the first embodiment, an organic EL device will be described and described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a schematic plan view showing a configuration of an organic EL device as an electro-optical device according to the first embodiment. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA of the organic EL device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along line HH of the organic EL device shown in FIG.
As shown in FIG. 1, the organic EL device 1 according to the first embodiment includes a light emitting pixel 62, a data line driving circuit 12, a scanning line driving circuit 14, an inspection circuit 16 on a first surface P <b> 1 of the substrate 10. An element substrate 100 provided with an external connection terminal 20 for electrical connection with an external circuit and a plurality of inspection terminals 24, a sealing substrate 80 for protecting the light emitting pixels 62, and the like, And a filler 70 (see FIG. 2), which is a resin layer that adheres the sealing substrate 80.

発光画素62は、素子基板100の配置領域Eにマトリックス状に配置されている。青色(B)の発光が得られる発光画素62Bと、緑色(G)の発光が得られる発光画素62Gと、赤色(R)の発光が得られる発光画素62Rとがある。また、同色の発光が得られる発光画素62が図面上において縦方向(Y軸方向)に配列し、異なる色の発光が得られる発光画素62が、図面上において横方向(X軸方向)にB,G,Rの順に繰り返して配置されている。このような発光画素62の配置は、ストライプ方式と呼ばれるものであるが、これに限定されるものではない。例えば、異なる色の発光が得られる発光画素62の横方向(X軸方向)における配置は、B,G,Rの順でなくてもよく、例えば、R,G,Bの順としてもよい。   The light emitting pixels 62 are arranged in a matrix in the arrangement region E of the element substrate 100. There are a light emitting pixel 62B that can emit blue (B) light, a light emitting pixel 62G that can emit green (G) light, and a light emitting pixel 62R that can emit red (R) light. The light emitting pixels 62 that can emit light of the same color are arranged in the vertical direction (Y-axis direction) in the drawing, and the light emitting pixels 62 that can emit light of different colors are B in the horizontal direction (X-axis direction) in the drawing. , G, R are repeatedly arranged in this order. Such an arrangement of the light emitting pixels 62 is called a stripe method, but is not limited to this. For example, the arrangement in the horizontal direction (X-axis direction) of the light emitting pixels 62 that can emit light of different colors does not have to be in the order of B, G, and R, and may be in the order of R, G, and B, for example.

発光画素62B,62G,62Rのそれぞれは、図2に示すように、発光素子としての有機EL素子40と、B,G,Rに対応するカラーフィルター層60(60B,60G,60R)とを備え、有機EL素子40からの発光をB,G,Rの発光色に変換してフルカラー表示を可能とするものである。また、有機EL素子40からの発光波長範囲のうち特定の波長の輝度を向上させる光共振構造が発光画素62B,62G,62Rごとに構築されていてもよい。   As shown in FIG. 2, each of the light emitting pixels 62B, 62G, and 62R includes an organic EL element 40 as a light emitting element and a color filter layer 60 (60B, 60G, 60R) corresponding to B, G, and R. The light emitted from the organic EL element 40 is converted into B, G, and R emission colors to enable full color display. In addition, an optical resonance structure that improves the luminance of a specific wavelength in the light emission wavelength range from the organic EL element 40 may be constructed for each of the light emitting pixels 62B, 62G, and 62R.

有機EL装置1において、発光画素62B,62G,62Rは、サブ画素として機能するものであり、B,G,Rに対応する発光が得られる3つの発光画素62B,62G,62Rにより、画像表示における1つの画素単位が構成されている。なお、画素単位の構成はこれに限定されず、B,G,R以外の発光色(白色を含む)が得られる発光画素62が画素単位に含まれていてもよい。なお、素子基板100において、異なる色の発光画素62が並ぶ方向をX軸方向とし、同じ色の発光画素62が並ぶ方向をY軸方向として、以降説明する。   In the organic EL device 1, the light emitting pixels 62B, 62G, and 62R function as sub-pixels. In the image display, the three light emitting pixels 62B, 62G, and 62R that can emit light corresponding to B, G, and R are used. One pixel unit is configured. Note that the configuration of the pixel unit is not limited to this, and the light emitting pixel 62 that can obtain a light emission color (including white) other than B, G, and R may be included in the pixel unit. Hereinafter, in the element substrate 100, the direction in which the light emitting pixels 62 of different colors are arranged is referred to as an X-axis direction, and the direction in which the light emitting pixels 62 of the same color are arranged is described as a Y-axis direction.

外部接続端子20は、素子基板100の第1辺部(−Y軸方向と交差する辺部)に沿って、X軸方向に配列して設けられている。また、複数の発光画素62を駆動制御するデータ線駆動回路12及び走査線駆動回路14のそれぞれとは配線22により電気的に接続されている。   The external connection terminals 20 are arranged in the X-axis direction along the first side of the element substrate 100 (side crossing the −Y-axis direction). Each of the data line driving circuit 12 and the scanning line driving circuit 14 for driving and controlling the plurality of light emitting pixels 62 is electrically connected by the wiring 22.

また、検査端子24は、素子基板100の上記第1辺部と直交する第2辺部(−X軸方向と交差する辺部)、第3辺部(+X軸方向と交差する辺部)及び上記第1辺部と平行する第4辺部(+Y軸方向と交差する辺部)とに沿って、Y軸方向とX軸方向にそれぞれ配列して設けられている。また、検査端子24は、発光画素62の配置領域Eと素子基板100の外縁部との間に設けられ、走査線駆動回路14及び検査回路16のそれぞれとは配線26により電気的に接続されている。   The inspection terminal 24 includes a second side (a side that intersects the −X axis direction) orthogonal to the first side of the element substrate 100, a third side (a side that intersects the + X axis direction), and They are arranged in the Y-axis direction and the X-axis direction, respectively, along a fourth side (parallel to the + Y-axis direction) parallel to the first side. The inspection terminal 24 is provided between the arrangement region E of the light emitting pixels 62 and the outer edge portion of the element substrate 100, and is electrically connected to the scanning line driving circuit 14 and the inspection circuit 16 by the wiring 26. Yes.

データ線駆動回路12は、Y軸方向において外部接続端子20と配置領域Eとの間に配置され、X軸方向に延在している。また、一対の走査線駆動回路14は、X軸方向において発光画素62の配置領域Eを挟んで互いに対向するように設けられ、上記第1辺部と直交する第2辺部及び第3辺部と発光画素62の配置領域Eとの間に配置され、Y軸方向に延在している。更に、検査回路16は、Y軸方向において検査端子24と発光画素62の配置領域Eとの間に配置され、X軸方向に延在している。   The data line driving circuit 12 is arranged between the external connection terminal 20 and the arrangement region E in the Y-axis direction and extends in the X-axis direction. The pair of scanning line driving circuits 14 are provided so as to face each other across the arrangement region E of the light emitting pixels 62 in the X-axis direction, and the second side and the third side that are orthogonal to the first side. And the arrangement region E of the light emitting pixels 62, and extends in the Y-axis direction. Further, the inspection circuit 16 is arranged between the inspection terminal 24 and the arrangement region E of the light emitting pixels 62 in the Y-axis direction, and extends in the X-axis direction.

図2及び図3に示すように、有機EL素子40やカラーフィルター層60(フィルター層(60B,60G,60R))が設けられた素子基板100と光透過性の封止基板80とは、接着性と光透過性とを兼ね備えた樹脂層である充填材70によって貼り合わされている。なお、有機EL素子40から発せられた光は、対応するフィルター層60B,60G,60Rを透過して封止基板80側から射出される。つまり、有機EL装置1は、トップエミッション構造となっている。   2 and 3, the element substrate 100 provided with the organic EL element 40 and the color filter layer 60 (filter layers (60B, 60G, 60R)) and the light-transmissive sealing substrate 80 are bonded to each other. Are bonded together by a filler 70 which is a resin layer having both properties and light transmittance. The light emitted from the organic EL element 40 passes through the corresponding filter layers 60B, 60G, and 60R and is emitted from the sealing substrate 80 side. That is, the organic EL device 1 has a top emission structure.

基板10の材料は、有機EL装置1がトップエミッション構造であることから、光透過性を有するガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いることができる。
なお、本実施形態では、素子基板100の基板10として半導体基板を用いている。半導体基板は例えばシリコン基板である。
As the material of the substrate 10, since the organic EL device 1 has a top emission structure, not only a light-transmissive glass substrate but also an opaque ceramic substrate or semiconductor substrate can be used.
In the present embodiment, a semiconductor substrate is used as the substrate 10 of the element substrate 100. The semiconductor substrate is, for example, a silicon substrate.

次に、素子基板100の構成について、図2及び図3を参照して詳細に説明する。
素子基板100は、図2に示すように、基板10上の配置領域Eに、複数の発光画素62(62B,62G,62R)が形成されており、基板10側から、発光画素62(62B,62G,62R)の発光を反射する反射層32、反射層32と有機EL素子40の第1電極41とを絶縁するための絶縁層34、有機EL素子40、樹脂層としての封止層50及びカラーフィルター層60の順で積層されている。
Next, the configuration of the element substrate 100 will be described in detail with reference to FIGS.
As shown in FIG. 2, the element substrate 100 has a plurality of light emitting pixels 62 (62B, 62G, 62R) formed in the arrangement region E on the substrate 10, and the light emitting pixels 62 (62B, 62G, 62R) for reflecting the light emission, the insulating layer 34 for insulating the reflective layer 32 and the first electrode 41 of the organic EL element 40, the organic EL element 40, the sealing layer 50 as a resin layer, and The color filter layers 60 are stacked in this order.

ここで、有機EL素子40は、第1電極41と、第1電極41に対向して配置された第2電極43との間に、発光機能層42を配置する構成で形成されている。また、発光画素62(62B,62G,62R)に対応するそれぞれの有機EL素子40は、絶縁膜30により分離された開口部に配置されている。   Here, the organic EL element 40 is formed in a configuration in which the light emitting functional layer 42 is disposed between the first electrode 41 and the second electrode 43 disposed to face the first electrode 41. In addition, each organic EL element 40 corresponding to the light emitting pixel 62 (62B, 62G, 62R) is disposed in an opening separated by the insulating film 30.

なお、本実施形態では、反射層32を形成する材料としてアルミニュウム(Al)が用いられている。絶縁層34を形成する絶縁材料として窒化シリコン(SiN)が用いられている。絶縁膜30を形成する絶縁材料として酸化シリコン(SiO2)が用いられている。 In the present embodiment, aluminum (Al) is used as a material for forming the reflective layer 32. Silicon nitride (SiN) is used as an insulating material for forming the insulating layer 34. Silicon oxide (SiO 2 ) is used as an insulating material for forming the insulating film 30.

次に、絶縁膜30により形成された開口部に有機EL素子40が形成される。
先ず、基板10の第1の面P1上に反射層32と絶縁層34が積層され、更にその上に、絶縁膜30が積層され、エッチングにより開口部が形成される。その後、開口部の内部に陽極である第1電極41が形成される。第1電極41を形成する電極材料として透明導電膜が用いられており、例えばITO(Indium Tin Oxide)膜、IZO(Indium Zinc Oxide)膜である。第1電極41の膜厚は、およそ100nmである。
Next, the organic EL element 40 is formed in the opening formed by the insulating film 30.
First, the reflective layer 32 and the insulating layer 34 are laminated on the first surface P1 of the substrate 10, and the insulating film 30 is further laminated thereon, and an opening is formed by etching. Then, the 1st electrode 41 which is an anode is formed in the inside of an opening part. A transparent conductive film is used as an electrode material for forming the first electrode 41, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film or an IZO (Indium Zinc Oxide) film. The film thickness of the first electrode 41 is approximately 100 nm.

次に、第1電極41の上に発光機能層42が形成される。発光機能層42は、発光材料として有機半導体材料が用いられた発光層を含んでおり、例えば、第1電極41側から順に積層された、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などを含んで構成される。白色発光が得られる発光機能層42の構成は、特に限定されるものではなく、公知の構成を適用することができる。例えば、発光機能層42は、B(青),G(緑),R(赤)の各発光色が得られる発光層が積層された積層体を含むものや、B(青)と橙の2つの発光によって擬似白色が得られる発光層の積層体を含むものでもよい。また、発光効率などを改善する目的で、発光層に注入されるキャリアとしての正孔や電子の移動を助けたり、妨げたりする中間層を含む構成としてもよい。
発光機能層42を構成する各層の形成方法についても特に限定されるものではなく、例えば、真空蒸着法などの気相プロセスやインクジェット法などの液相プロセスを用いることができる。あるいは気相プロセスと液相プロセスの両方を組み合わせて発光機能層42を形成してもよい。
Next, the light emitting functional layer 42 is formed on the first electrode 41. The light-emitting functional layer 42 includes a light-emitting layer in which an organic semiconductor material is used as a light-emitting material. For example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron stacked in order from the first electrode 41 side. It includes a transport layer, an electron injection layer, and the like. The structure of the light emitting functional layer 42 capable of obtaining white light emission is not particularly limited, and a known structure can be applied. For example, the light emitting functional layer 42 includes a laminated body in which light emitting layers that can obtain B (blue), G (green), and R (red) emission colors are stacked, or two layers of B (blue) and orange. It may include a laminate of a light emitting layer in which a pseudo white color is obtained by one light emission. Further, for the purpose of improving the light emission efficiency, an intermediate layer that assists or prevents the movement of holes and electrons as carriers injected into the light emitting layer may be included.
A method for forming each layer constituting the light emitting functional layer 42 is not particularly limited, and for example, a gas phase process such as a vacuum deposition method or a liquid phase process such as an ink jet method can be used. Alternatively, the light emitting functional layer 42 may be formed by combining both the gas phase process and the liquid phase process.

次に、少なくとも配置領域Eに跨って発光機能層42を覆うように共通の陰極である第2電極43が形成される。本実施形態では、第2電極43は、光反射性と光透過性とを有するように、例えば、Agを含む合金(MgAgなど)を用い膜厚を制御して形成される。第2電極43は、水分や熱などによる発光機能層42の損傷を考慮して、真空蒸着法などの気相プロセスを用いて形成することが好ましい。これにより、発光画素62B,62G,62Rごとに有機EL素子40が形成される。   Next, the second electrode 43 which is a common cathode is formed so as to cover the light emitting functional layer 42 over at least the arrangement region E. In the present embodiment, the second electrode 43 is formed by controlling the film thickness using, for example, an alloy containing Ag (MgAg or the like) so as to have light reflectivity and light transmissivity. The second electrode 43 is preferably formed by using a vapor phase process such as a vacuum evaporation method in consideration of damage to the light emitting functional layer 42 due to moisture or heat. Thereby, the organic EL element 40 is formed for each of the light emitting pixels 62B, 62G, and 62R.

次に、配置領域Eに形成された複数の有機EL素子40を覆う封止層50を形成する。本実施形態では、封止層50は、第2電極43の表面を覆う第1無機封止層51と、有機緩衝層52と、有機緩衝層52を覆う第2無機封止層53とにより構成されている。   Next, the sealing layer 50 that covers the plurality of organic EL elements 40 formed in the arrangement region E is formed. In the present embodiment, the sealing layer 50 includes a first inorganic sealing layer 51 that covers the surface of the second electrode 43, an organic buffer layer 52, and a second inorganic sealing layer 53 that covers the organic buffer layer 52. Has been.

第1無機封止層51は、水分や酸素などのガスを透過し難く(ガスバリア性)、且つ透明性が得られる、例えば、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(Si34)、酸窒化シリコン(SiON)、酸化チタン(TiO2)などの金属酸化物などの無機化合物を用いて形成される。形成方法としては、低温で緻密な膜を形成可能な気相プロセスを用いることが好ましく、例えば、プラズマCVD法やECRプラズマスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法を挙げることができる。第1無機封止層51の膜厚はおよそ200nm〜400nmである。 The first inorganic sealing layer 51 is difficult to transmit gas such as moisture and oxygen (gas barrier property) and can be transparent. For example, silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), acid It is formed using an inorganic compound such as a metal oxide such as silicon nitride (SiON) or titanium oxide (TiO 2 ). As a forming method, it is preferable to use a vapor phase process capable of forming a dense film at a low temperature. For example, a high-density plasma film forming method such as a plasma CVD method or an ECR plasma sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, or the like. The law can be mentioned. The film thickness of the first inorganic sealing layer 51 is approximately 200 nm to 400 nm.

第1無機封止層51の表面は、下層に設けられた有機EL素子40などの構造体の影響を受けて凹凸が生ずる。本実施形態では、該凹凸や異物の付着などに起因する第2無機封止層53の封止機能の低下を防止するために、第1無機封止層51の表面のうち少なくとも配置領域Eにおける該凹凸を緩和して平坦化する有機緩衝層52が形成される。   The surface of the first inorganic sealing layer 51 is uneven due to the influence of a structure such as the organic EL element 40 provided in the lower layer. In the present embodiment, in order to prevent a decrease in the sealing function of the second inorganic sealing layer 53 due to the unevenness or adhesion of foreign matters, at least in the arrangement region E of the surface of the first inorganic sealing layer 51. An organic buffer layer 52 that relaxes and flattens the unevenness is formed.

有機緩衝層52は、例えば、透明性を有する有機樹脂を溶媒に溶解させた溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより形成された有機樹脂層である。有機樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。第1無機封止層51の表面の該凹凸を緩和したり、第1無機封止層51に付着した異物を覆って平坦化することから、その膜厚は、1μm〜5μmが好ましく、本実施形態では、エポキシ樹脂を用いて膜厚がおよそ3μmの有機緩衝層52を形成した。また、平面視で、図2では、配置領域E、走査線駆動回路14及び検査端子24を覆うように、図3では、外部接続端子20を覆わずに、配置領域Eとデータ線駆動回路12とを覆うように第1無機封止層51及び有機緩衝層52を形成した。   The organic buffer layer 52 is, for example, an organic resin layer formed by applying a solution obtained by dissolving a transparent organic resin in a solvent, applying the solution by a printing method or a spin coating method, and drying the solution. Examples of the organic resin include an epoxy resin. Since the unevenness on the surface of the first inorganic sealing layer 51 is relaxed or the foreign matter attached to the first inorganic sealing layer 51 is covered and flattened, the film thickness is preferably 1 μm to 5 μm. In the embodiment, an organic buffer layer 52 having a thickness of about 3 μm was formed using an epoxy resin. In plan view, the arrangement area E and the data line driving circuit 12 are not covered in FIG. 3 without covering the external connection terminals 20 so as to cover the arrangement area E, the scanning line driving circuit 14 and the inspection terminal 24 in FIG. The first inorganic sealing layer 51 and the organic buffer layer 52 were formed so as to cover

次に、有機緩衝層52を覆う第2無機封止層53が形成される。第2無機封止層53は、第1無機封止層51と同様に、透明性とガスバリア性とを兼ね備え、耐水性、耐熱性に優れた無機化合物を用いて形成される。無機化合物としては、酸化シリコン(SiO2)、窒化シリコン(Si34)、酸窒化シリコン(SiON)が挙げられる。第2無機封止層53は、第1無機封止層51と同じ方法を用いて形成することができる。第2無機封止層53の膜厚は、成膜時にクラックが生じないように、300nm〜700nmの範囲で成膜されることが好ましく、200nm〜400nmの範囲で成膜することがより好ましい。これにより、少なくとも配置領域Eにおいて、有機緩衝層52を挟んで第1無機封止層51と第2無機封止層53とが積層された封止層50ができあがる。
ここで、配置領域Eの外側で、第2無機封止層53は、第1無機封止層51と接している。より詳しく言えば、検査端子24、走査線駆動回路14及び検査回路16が設けられた領域の外側で、第2無機封止層53は、第1無機封止層51と接している。
Next, a second inorganic sealing layer 53 that covers the organic buffer layer 52 is formed. Similar to the first inorganic sealing layer 51, the second inorganic sealing layer 53 is formed using an inorganic compound that has both transparency and gas barrier properties and is excellent in water resistance and heat resistance. Examples of the inorganic compound include silicon oxide (SiO 2 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ), and silicon oxynitride (SiON). The second inorganic sealing layer 53 can be formed using the same method as the first inorganic sealing layer 51. The film thickness of the second inorganic sealing layer 53 is preferably in the range of 300 nm to 700 nm, and more preferably in the range of 200 nm to 400 nm so that cracks do not occur during film formation. Thereby, at least in the arrangement region E, the sealing layer 50 in which the first inorganic sealing layer 51 and the second inorganic sealing layer 53 are laminated with the organic buffer layer 52 interposed therebetween is completed.
Here, outside the arrangement region E, the second inorganic sealing layer 53 is in contact with the first inorganic sealing layer 51. More specifically, the second inorganic sealing layer 53 is in contact with the first inorganic sealing layer 51 outside the region where the inspection terminal 24, the scanning line driving circuit 14, and the inspection circuit 16 are provided.

次に、封止層50上にカラーフィルター層60(フィルター層(60B,60G,60R))が形成される。カラーフィルター層60は、発光画素62B,62G,62Rに対応したフィルター層60B,60G,60Rを有するものである。フィルター層60B,60G,60Rのそれぞれは、例えば、染料や顔料などの色材が溶解あるいは分散された感光性樹脂材料を含む溶液を塗布して乾燥することにより得られた感光性樹脂層を露光・現像することにより形成される。   Next, the color filter layer 60 (filter layers (60B, 60G, 60R)) is formed on the sealing layer 50. The color filter layer 60 includes filter layers 60B, 60G, and 60R corresponding to the light emitting pixels 62B, 62G, and 62R. Each of the filter layers 60B, 60G, and 60R exposes a photosensitive resin layer obtained by, for example, applying and drying a solution containing a photosensitive resin material in which a coloring material such as a dye or pigment is dissolved or dispersed. -It is formed by developing.

従って、3色のフィルター層60B,60G,60Rを形成する場合、少なくとも3回の露光・現像が行われる。図2では、フィルター層60B,60G,60Rの膜厚が同じであるように示されているが、実際には、有機EL素子40からの発光が各フィルター層60B,60G,60Rを透過したときに、適正な色度やホワイトバランスなどの光学特性が得られるように、1.0μm〜2.0μmの範囲内でフィルター層60B,60G,60Rの膜厚がそれぞれ調整される。   Accordingly, when the three color filter layers 60B, 60G, and 60R are formed, at least three times of exposure and development are performed. In FIG. 2, the filter layers 60B, 60G, and 60R are shown to have the same film thickness, but actually, when light emitted from the organic EL element 40 passes through the filter layers 60B, 60G, and 60R. In addition, the film thicknesses of the filter layers 60B, 60G, and 60R are adjusted within a range of 1.0 μm to 2.0 μm so that appropriate optical characteristics such as chromaticity and white balance can be obtained.

また、フィルター層60B,60G,60Rは平面視でそれぞれ対応する第1電極41と重なり合うように露光・現像されている。さらに、隣り合うフィルター層の境界は、画素電極間に位置して、一方のフィルター層に対して他方のフィルター層一部が重なるように露光・現像されていてもよい。   The filter layers 60B, 60G, and 60R are exposed and developed so as to overlap the corresponding first electrodes 41 in plan view. Further, the boundary between adjacent filter layers may be located between the pixel electrodes, and may be exposed and developed so that a part of the other filter layer overlaps with one filter layer.

本実施形態では、有機EL素子40から発せられた白色発光がフィルター層60B,60G,60Rを透過することで、発光画素62B,62G,62Rごとに所望の発光色が得られる構成となっている。   In the present embodiment, white light emitted from the organic EL element 40 is transmitted through the filter layers 60B, 60G, and 60R, so that a desired light emission color can be obtained for each of the light emitting pixels 62B, 62G, and 62R. .

基板10の第1の面P1上に形成された、有機EL素子40、封止層50及びカラーフィルター層60を含む素子基板100は、接着性と透明性とを兼ね備えた充填材70を介して封止基板80と貼り合わされる。充填材70は、例えば、熱硬化型や光硬化型のエポキシ樹脂材料などを用いることができる。充填材70を素子基板100に塗布した後に、封止基板80を素子基板100に押圧して、充填材70を所定の範囲に押し広げた後に硬化させる。   The element substrate 100 including the organic EL element 40, the sealing layer 50, and the color filter layer 60 formed on the first surface P <b> 1 of the substrate 10 is interposed via a filler 70 having both adhesiveness and transparency. It is bonded to the sealing substrate 80. As the filler 70, for example, a thermosetting or photocurable epoxy resin material can be used. After the filler 70 is applied to the element substrate 100, the sealing substrate 80 is pressed against the element substrate 100, and the filler 70 is expanded to a predetermined range and then cured.

次に、検査端子24の構成について説明する。図2に示すように、素子基板100は基板10上の発光画素62(62B,62G,62R)の配置領域Eと基板10の外縁部との間に、検査端子24と走査線駆動回路14とが形成されている。検査端子24と走査線駆動回路14との上には、第1無機封止層51、有機緩衝層52及び第2無機封止層53により構成された封止層50が形成されている。   Next, the configuration of the inspection terminal 24 will be described. As shown in FIG. 2, the element substrate 100 includes an inspection terminal 24, a scanning line driving circuit 14, and an area between the arrangement region E of the light emitting pixels 62 (62 B, 62 G, 62 R) on the substrate 10 and the outer edge portion of the substrate 10. Is formed. A sealing layer 50 including a first inorganic sealing layer 51, an organic buffer layer 52, and a second inorganic sealing layer 53 is formed on the inspection terminal 24 and the scanning line driving circuit 14.

そのため、検査端子24が封止層50で覆われて、露出していないため、有機EL素子40を形成した後の、封止層50やカラーフィルター層60を形成する際に発生する静電気による走査線駆動回路14、個々の配線及び有機EL素子40の静電破壊を防止することができる。また、検査端子24は発光画素62(62B,62G,62R)の配置領域Eとの間に走査線駆動回路14を設けて、発光画素62(62B,62G,62R)の配置領域Eと距離を隔てて配置されているため、走査線駆動回路14や有機EL素子40の電気的な特性を検査した時に生じた傷の凹凸による塗布プロセスにおける膜厚の不均一に伴う不良や封止層50の欠陥の発生を低減することができる。   Therefore, since the inspection terminal 24 is covered with the sealing layer 50 and is not exposed, scanning due to static electricity generated when the sealing layer 50 and the color filter layer 60 are formed after the organic EL element 40 is formed. It is possible to prevent electrostatic breakdown of the line driving circuit 14, individual wirings, and the organic EL element 40. Further, the inspection terminal 24 is provided with the scanning line driving circuit 14 between the light emitting pixel 62 (62B, 62G, 62R) and the arrangement region E, and the distance between the inspection terminal 24 and the light emitting pixel 62 (62B, 62G, 62R) is set. Since they are arranged apart from each other, defects due to unevenness of the film thickness in the coating process due to unevenness of scratches generated when the electrical characteristics of the scanning line driving circuit 14 and the organic EL element 40 are inspected, and the sealing layer 50 The occurrence of defects can be reduced.

なお、データ線駆動回路12や検査回路16についても検査端子24により、電気的な特性の検査を行った後、封止層50によって覆われる。   The data line driving circuit 12 and the inspection circuit 16 are also covered with the sealing layer 50 after the electrical characteristics are inspected by the inspection terminal 24.

<電気光学装置の製造方法>
次に、本実施形態の電気光学装置としての有機EL装置1の製造方法について、図4及び図2を参照して説明する。図4は、有機EL装置を製造するためのマザー基板の概略構成図であり、図4(a)はマザー基板を示す概略平面図、図4(b)はマザー基板における素子基板の配置を示す概略平面図である。
<Method of manufacturing electro-optical device>
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 as the electro-optical device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a mother substrate for manufacturing an organic EL device. FIG. 4A is a schematic plan view showing the mother substrate, and FIG. 4B is an arrangement of element substrates on the mother substrate. It is a schematic plan view.

本実施形態における有機EL装置1の素子基板100は基板10として前述したように半導体基板を用いている。実際の有機EL装置1の製造においては、図4(a)に示すマザー基板Wを用いる。マザー基板Wは例えばシリコンウェハである。マザー基板Wには、複数の素子基板100がマトリックス状にレイアウト(面付け)されて、上述した有機EL素子40、封止層50、カラーフィルター層60、周辺回路(データ線駆動回路12、走査線駆動回路14、検査回路16)、検査端子24、外部接続端子20及び配線22,26が形成される。例えば、マザー基板Wの大きさは直径がφ25cm程度であり、素子基板100の対角の長さは、およそ14mm以下である。つまり、有機EL装置1は小型な自発光のディスプレイデバイスである。マザー基板Wには素子基板100をレイアウトするときの設計上の基準となるオリフラが設けられている。   As described above, the element substrate 100 of the organic EL device 1 in this embodiment uses a semiconductor substrate as the substrate 10. In the actual manufacture of the organic EL device 1, a mother substrate W shown in FIG. The mother substrate W is, for example, a silicon wafer. On the mother substrate W, a plurality of element substrates 100 are laid out (impositioned) in a matrix, and the organic EL element 40, the sealing layer 50, the color filter layer 60, the peripheral circuit (the data line driving circuit 12, the scanning) described above. The line driving circuit 14, the inspection circuit 16), the inspection terminal 24, the external connection terminal 20, and the wirings 22 and 26 are formed. For example, the mother substrate W has a diameter of about φ25 cm, and the element substrate 100 has a diagonal length of about 14 mm or less. That is, the organic EL device 1 is a small self-luminous display device. The mother substrate W is provided with an orientation flat serving as a design reference when the element substrate 100 is laid out.

本実施形態の有機EL装置1の製造方法は、図2に示すように、先ず、基板10の第1の面P1の上で、有機EL素子40が設けられる配置領域Eの周辺に、周辺回路(データ線駆動回路12、走査線駆動回路14、検査回路16)、検査端子24、外部接続端子20及び配線22,26を形成する。つまり、有機EL素子40が設けられる配置領域Eを取り囲むように、周辺回路(データ線駆動回路12、走査線駆動回路14、検査回路16)、検査端子24及び外部接続端子20を形成する。その後、検査端子24にプローブを接触させ、周辺回路(データ線駆動回路12、走査線駆動回路14、検査回路16)の電気的な特性の検査を行う。   In the manufacturing method of the organic EL device 1 according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, first, on the first surface P <b> 1 of the substrate 10, there is a peripheral circuit around the arrangement region E where the organic EL element 40 is provided. (Data line driving circuit 12, scanning line driving circuit 14, inspection circuit 16), inspection terminal 24, external connection terminal 20, and wirings 22 and 26 are formed. That is, the peripheral circuit (the data line driving circuit 12, the scanning line driving circuit 14, and the inspection circuit 16), the inspection terminal 24, and the external connection terminal 20 are formed so as to surround the arrangement region E where the organic EL element 40 is provided. Thereafter, the probe is brought into contact with the inspection terminal 24 to inspect the electrical characteristics of the peripheral circuits (the data line driving circuit 12, the scanning line driving circuit 14, and the inspection circuit 16).

次に、有機EL素子40が設けられる配置領域Eに反射層32と絶縁層34を積層する。その後、基板10全域に絶縁膜30を積層した後に絶縁膜30をエッチングし、発光画素62に対応する位置に開口部を形成する。次に、第1電極41、発光機能層42、第2電極43の順で積層し、有機EL素子40を形成する。その後、検査端子24にプローブを接触させ、有機EL素子40の電気的な特性の検査を行う。   Next, the reflective layer 32 and the insulating layer 34 are laminated in the arrangement region E where the organic EL element 40 is provided. Thereafter, the insulating film 30 is stacked over the entire substrate 10 and then the insulating film 30 is etched to form openings at positions corresponding to the light emitting pixels 62. Next, the organic EL element 40 is formed by laminating the first electrode 41, the light emitting functional layer 42, and the second electrode 43 in this order. Thereafter, the probe is brought into contact with the inspection terminal 24 to inspect the electrical characteristics of the organic EL element 40.

その後、第1無機封止層51、有機緩衝層52、第2無機封止層53の順で積層し、樹脂層である封止層50を、マザー基板Wにレイアウトされた個々の素子基板100ごとに、配置領域Eと、周辺回路(データ線駆動回路12、走査線駆動回路14、検査回路16)、配線22の一部、配線26及び検査端子24を覆うように形成する。   Thereafter, the first inorganic sealing layer 51, the organic buffer layer 52, and the second inorganic sealing layer 53 are stacked in this order, and the sealing layer 50 that is a resin layer is placed on each of the element substrates 100 laid out on the mother substrate W. Each is formed so as to cover the arrangement region E, peripheral circuits (the data line driving circuit 12, the scanning line driving circuit 14, and the inspection circuit 16), a part of the wiring 22, the wiring 26, and the inspection terminal 24.

封止層50上にカラーフィルター層60を形成する方法は、前述したとおり、感光性樹脂層を露光・現像する工程を、B,G,Rのフィルター色に対応して少なくとも3回繰り返しておこなう。   As described above, the method of forming the color filter layer 60 on the sealing layer 50 is performed by repeating the process of exposing and developing the photosensitive resin layer at least three times corresponding to the B, G, and R filter colors. .

そして、カラーフィルター層60が形成された個々の素子基板100に対して、充填材70を構成するところの樹脂材料を印刷法などにより塗布し、個片化された封止基板80を個々の素子基板100に貼り付けて、充填材70を硬化させる。これによって、マザー基板Wにレイアウトされた状態で有機EL装置1ができあがる。   Then, a resin material constituting the filler 70 is applied to each element substrate 100 on which the color filter layer 60 is formed by a printing method or the like, and the separated sealing substrate 80 is applied to each element substrate 100. The filler 70 is cured by being attached to the substrate 100. As a result, the organic EL device 1 is completed in a state laid out on the mother substrate W.

続いて、図4(a)及び図4(b)に示すように、マザー基板Wを仮想の切断ラインSLに沿って切断して個々の有機EL装置1を取り出す。マザー基板Wを切断する方法は、ダイシング法、レーザーカット法、スジ入れスクライブ法などを採用することができる。   Subsequently, as shown in FIGS. 4A and 4B, the mother substrate W is cut along a virtual cutting line SL, and each organic EL device 1 is taken out. As a method for cutting the mother substrate W, a dicing method, a laser cutting method, a streak-in scribing method, or the like can be employed.

なお、素子基板100に充填材70を介して封止基板80を貼り付ける方法は、個片化された封止基板80を用いることに限定されない。例えば、マザー基板Wとほぼ同じ形状、大きさの透明なガラス基板をマザー基板Wに貼り付けて、ガラス基板とマザー基板Wとを切断することで、個々の有機EL装置1を取り出すようにしてもよい。   Note that the method of attaching the sealing substrate 80 to the element substrate 100 via the filler 70 is not limited to using the individual sealing substrate 80. For example, a transparent glass substrate having substantially the same shape and size as the mother substrate W is attached to the mother substrate W, and the glass substrate and the mother substrate W are cut to take out the individual organic EL devices 1. Also good.

上記第1実施形態によれば、以下の効果が得られる。
有機EL装置1及びその製造方法によれば、検査端子24を発光素子の配置領域Eと基板10の外縁との間に配置し、検査端子24を樹脂層である封止層50で覆っているため、検査時の傷により基板10の表面に生じた凹凸の影響による、その後の製造工程における塗布プロセス等での膜厚の不均一や有機EL素子40を保護するための封止層50に欠陥が発生するのを抑え、且つ外部から検査端子24を経由して侵入する静電気等による影響を低減できるため、高い信頼性品質を有する有機EL装置1を提供あるいは製造することができる。
また、封止層50を形成する工程において、検査端子24を覆うことができるため、新たな工程を必要とせずに、低コストで、高い信頼性品質を有する有機EL装置1を提供あるいは製造することができる。
According to the first embodiment, the following effects can be obtained.
According to the organic EL device 1 and the manufacturing method thereof, the inspection terminal 24 is disposed between the light emitting element arrangement region E and the outer edge of the substrate 10, and the inspection terminal 24 is covered with the sealing layer 50 that is a resin layer. Therefore, due to the influence of unevenness generated on the surface of the substrate 10 due to scratches at the time of inspection, film thickness non-uniformity in a coating process or the like in a subsequent manufacturing process or a defect in the sealing layer 50 for protecting the organic EL element 40 Can be suppressed, and the influence of static electricity or the like entering from the outside via the inspection terminal 24 can be reduced. Therefore, the organic EL device 1 having high reliability quality can be provided or manufactured.
In addition, since the inspection terminal 24 can be covered in the process of forming the sealing layer 50, the organic EL device 1 having high reliability and quality can be provided or manufactured at a low cost without requiring a new process. be able to.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る有機EL装置1aの構成について、図5を参照して説明する。
図5は、第2実施形態に係る有機EL装置の構成を説明する概略断面図であり、図1のA−A線の断面に相当する。
(Second Embodiment)
Next, the configuration of the organic EL device 1a according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the organic EL device according to the second embodiment, and corresponds to a cross section taken along line AA in FIG.

第2実施形態に係る有機EL装置1aは、第1実施形態に係る有機EL装置1に対して、検査端子24上に形成された樹脂層の構成を異ならせたものである。従って、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。   The organic EL device 1 a according to the second embodiment is different from the organic EL device 1 according to the first embodiment in the configuration of the resin layer formed on the inspection terminal 24. Accordingly, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図5に示すように、検査端子24の上に、カラーフィルター層60が検査端子24側から、フィルター層60B,60G,60Rの順に積層して形成されている。また、充填材70は発光画素62の配置領域Eと走査線駆動回路14との上に形成されている。カラーフィルター層60を形成する方法は、封止層50により,有機EL素子40が形成された発光画素62の配置領域Eと走査線駆動回路14(素子基板100aにおいてはデータ線駆動回路12と検査回路16とを含む)とを覆った後に、カラーフィルター層60を形成する際に、検査端子24の上に同時にカラーフィルター層60を形成する。なお、本実施形態では3色のフィルター層60B,60G,60Rを検査端子24上に形成しているが、これに限定されることはなく、少なくとも1つのフィルター層で検査端子24を覆えばよい。また、積層するフィルター層60B,60G,60Rの順番も、これに限定されることはなく、発光画素62の配置領域Eに形成する順番で、検査端子24上に積層しても構わない。   As shown in FIG. 5, the color filter layer 60 is formed on the inspection terminal 24 by laminating the filter layers 60B, 60G, and 60R in this order from the inspection terminal 24 side. The filling material 70 is formed on the arrangement region E of the light emitting pixels 62 and the scanning line driving circuit 14. The color filter layer 60 is formed by the sealing layer 50 and the arrangement region E of the light emitting pixels 62 on which the organic EL elements 40 are formed and the scanning line driving circuit 14 (in the element substrate 100a, the data line driving circuit 12 and the inspection). When the color filter layer 60 is formed, the color filter layer 60 is formed on the inspection terminal 24 at the same time. In the present embodiment, the three color filter layers 60B, 60G, and 60R are formed on the inspection terminal 24. However, the present invention is not limited to this, and the inspection terminal 24 may be covered with at least one filter layer. . The order of the filter layers 60B, 60G, and 60R to be stacked is not limited to this, and the filter layers 60B, 60G, and 60R may be stacked on the inspection terminal 24 in the order of formation in the arrangement region E of the light emitting pixels 62.

このような構成とすることで、検査端子24の上にカラーフィルター層60(フィルター層(60B,60G,60R))による保護膜が形成されるので、外部からの静電気等による影響を低減でき、有機EL装置1aの信頼性品質を確保することができる。   By adopting such a configuration, since the protective film by the color filter layer 60 (filter layers (60B, 60G, 60R)) is formed on the inspection terminal 24, the influence of static electricity from the outside can be reduced, The reliability quality of the organic EL device 1a can be ensured.

(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る有機EL装置1bの構成について、図6を参照して説明する。
図6は、第3実施形態に係る有機EL装置の構成を説明する概略断面図であり、図1のA−A線の断面に相当する。
(Third embodiment)
Next, the configuration of the organic EL device 1b according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating the configuration of the organic EL device according to the third embodiment, and corresponds to a cross section taken along line AA in FIG.

第3実施形態に係る有機EL装置1bは、第2実施形態に係る有機EL装置第1aと同様に、第1実施形態に係る有機EL装置1に対して、検査端子24上に形成された樹脂層の構成を異ならせたものである。従って、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。   Similar to the organic EL device 1a according to the second embodiment, the organic EL device 1b according to the third embodiment is a resin formed on the inspection terminal 24 with respect to the organic EL device 1 according to the first embodiment. The layer structure is different. Accordingly, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図6に示すように、検査端子24の上に、カラーフィルター層60が検査端子24側から、フィルター層60B,60G,60Rの順に積層して形成され、カラーフィルター層60の上に、充填材70を塗布し、封止基板80と貼り合わされている。有機EL装置1aの製造方法は、先ず、封止層50により有機EL素子40が形成された発光画素62の配置領域Eと走査線駆動回路14(素子基板100aにおいてはデータ線駆動回路12と検査回路16とを含む)とを覆った後に、カラーフィルター層60を形成する際に、検査端子24の上に、同時にカラーフィルター層60を形成する。その後、充填材70を素子基板100aに塗布した後に、封止基板80を素子基板100aに押圧して、充填材70を所定の範囲(検査端子24を含む範囲)に押し広げた後に硬化させる。つまり、検査端子24はカラーフィルター層60に加えて充填材70によっても覆われている。   As shown in FIG. 6, the color filter layer 60 is formed on the inspection terminal 24 by laminating the filter layers 60B, 60G, and 60R in this order from the inspection terminal 24 side. 70 is applied and bonded to the sealing substrate 80. In the manufacturing method of the organic EL device 1a, first, the arrangement region E of the light emitting pixels 62 in which the organic EL elements 40 are formed by the sealing layer 50 and the scanning line driving circuit 14 (in the element substrate 100a, the data line driving circuit 12 and the inspection) When the color filter layer 60 is formed, the color filter layer 60 is formed on the inspection terminal 24 at the same time. Then, after applying the filler 70 to the element substrate 100a, the sealing substrate 80 is pressed against the element substrate 100a, and the filler 70 is expanded to a predetermined range (a range including the inspection terminals 24) and then cured. That is, the inspection terminal 24 is covered with the filler 70 in addition to the color filter layer 60.

なお、本実施形態では3色のフィルター層60B,60G,60Rを検査端子24上に形成しているが、これに限定されることはなく、少なくとも1つのフィルター層であればよい。また、積層するフィルター層60B,60G,60Rの順番も、これに限定されることはなく、発光画素62の配置領域Eに形成する順番で、検査端子24上に積層しても構わない。   In the present embodiment, the three color filter layers 60B, 60G, and 60R are formed on the inspection terminal 24. However, the present invention is not limited to this, and at least one filter layer may be used. The order of the filter layers 60B, 60G, and 60R to be stacked is not limited to this, and the filter layers 60B, 60G, and 60R may be stacked on the inspection terminal 24 in the order of formation in the arrangement region E of the light emitting pixels 62.

また、カラーフィルター層60(フィルター層(60B,60G,60R))の換わりに、有機EL素子40を構成する光学調整層であるAlq3(Tris(8−hydroxyquinoline)aluminum)や窒化シリコン(Si34)、酸化シリコン(SiO2)、酸化チタン(TiO2)等の窒化膜や酸化膜であっても構わない。 Further, instead of the color filter layer 60 (filter layers (60B, 60G, 60R)), Alq3 (Tris (8-hydroxyquinoline) aluminum) or silicon nitride (Si 3 N) which is an optical adjustment layer constituting the organic EL element 40 is used. 4 ), a nitride film such as silicon oxide (SiO 2 ), titanium oxide (TiO 2 ), or an oxide film may be used.

このような構成とすることで、検査端子24の上にカラーフィルター層60(フィルター層(60B,60G,60R))及び充填材70により、検査端子24を覆っているので、外部からの静電気等による影響を低減でき、有機EL装置1bの信頼性品質をより向上させることができる。また、充填材70が封止層50の側面部を覆っているため、封止層50の側面部から浸入する水分を防止でき、水分の影響による光学素子の特性劣化を防ぐことができる。つまり、より高い信頼性品質を有する有機EL装置1bを提供あるいは製造することができる。   With such a configuration, since the inspection terminal 24 is covered with the color filter layer 60 (filter layers (60B, 60G, 60R)) and the filler 70 on the inspection terminal 24, static electricity from the outside, etc. Can be reduced, and the reliability quality of the organic EL device 1b can be further improved. Moreover, since the filler 70 covers the side surface portion of the sealing layer 50, moisture entering from the side surface portion of the sealing layer 50 can be prevented, and deterioration of the characteristics of the optical element due to the influence of moisture can be prevented. That is, the organic EL device 1b having higher reliability quality can be provided or manufactured.

(第4実施形態)
次に、第4実施形態に係る有機EL装置1cの構成について、図7と図8を参照して説明する。図7は、第4実施形態に係る有機EL装置の構成を示す概略平面図である。図8は、図7に示す有機EL装置のB−B線の概略断面図である。
(Fourth embodiment)
Next, the configuration of the organic EL device 1c according to the fourth embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a schematic plan view showing the configuration of the organic EL device according to the fourth embodiment. FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device shown in FIG.

第4実施形態に係る有機EL装置1cは、第1実施形態に係る有機EL装置1に対して、検査端子24上に形成された樹脂層と有機EL素子40上に形成された樹脂層とを分離し、樹脂層の構成を異ならせたものである。従って、第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。   The organic EL device 1c according to the fourth embodiment is different from the organic EL device 1 according to the first embodiment in that a resin layer formed on the inspection terminal 24 and a resin layer formed on the organic EL element 40 are provided. The resin layers are separated and have different structures. Accordingly, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

図7と図8に示すように、封止層50は、走査線駆動回路14や検査回路16と素子基板100cの外縁部との間に設けられた検査端子24を覆う第2の部分である配置領域Gと、発光画素62の配置領域E、データ線駆動回路12、走査線駆動回路14及び検査回路16を覆う第1の部分である配置領域Fと、に離して形成されている。また、配置領域Fと配置領域Gとの間には、封止基板80を貼り合わせるための充填材70が塗布され、硬化されている。   As shown in FIGS. 7 and 8, the sealing layer 50 is a second portion that covers the inspection terminal 24 provided between the scanning line driving circuit 14 and the inspection circuit 16 and the outer edge portion of the element substrate 100c. The arrangement area G is separated from the arrangement area E of the light emitting pixels 62, the data line driving circuit 12, the scanning line driving circuit 14, and the inspection area 16. In addition, between the arrangement area F and the arrangement area G, a filler 70 for bonding the sealing substrate 80 is applied and cured.

このような構成とすることで、有機EL素子40を覆う封止層50の第1の部分である配置領域Fに対して、検査端子24を覆う封止層50の第2の部分である配置領域Gが離れているため、素子基板100cの外縁に面した配置領域Gの封止層50を介して浸入する水分が、有機EL素子40を覆う封止層50の配置領域Fに到達するのを防止でき、水分の影響による有機EL素子40の特性劣化を防ぐことができる。
ここで、配置領域Fと配置領域Gとの間で、第2無機封止層53は、第1無機封止層51と接している。また、第1無機封止層51及び第2無機封止層53は、配置領域Fと配置領域Gとの間に形成されていないが、形成するようにしてもよく、配置領域Fと配置領域Gとの間の領域に亘り、第2無機封止層53は、第1無機封止層51と接するようにしてもよい。このような構成によれば、第1無機封止層51及び第2無機封止層53を配置領域Fと配置領域Gとの間でパターニングする必要がない。
With such a configuration, the arrangement that is the second part of the sealing layer 50 that covers the inspection terminal 24 with respect to the arrangement region F that is the first part of the sealing layer 50 that covers the organic EL element 40. Since the region G is separated, the moisture that enters through the sealing layer 50 in the arrangement region G facing the outer edge of the element substrate 100 c reaches the arrangement region F of the sealing layer 50 that covers the organic EL element 40. It is possible to prevent the deterioration of the characteristics of the organic EL element 40 due to the influence of moisture.
Here, the second inorganic sealing layer 53 is in contact with the first inorganic sealing layer 51 between the placement region F and the placement region G. Moreover, although the 1st inorganic sealing layer 51 and the 2nd inorganic sealing layer 53 are not formed between the arrangement | positioning area | region F and the arrangement | positioning area | region G, you may make it form, the arrangement | positioning area | region F and an arrangement | positioning area | region. The second inorganic sealing layer 53 may be in contact with the first inorganic sealing layer 51 over the region between G. According to such a configuration, it is not necessary to pattern the first inorganic sealing layer 51 and the second inorganic sealing layer 53 between the placement region F and the placement region G.

なお、本実施形態では検査端子24を覆う配置領域Gは、平面視で略矩形状の配置領域Fのデータ線駆動回路12が配置された辺を除く3辺を囲むように基板10の外縁に沿って設けられているが、配置領域Fの4辺を囲む枠状であっても構わない。   In the present embodiment, the arrangement region G that covers the inspection terminal 24 is formed on the outer edge of the substrate 10 so as to surround three sides excluding the side where the data line driving circuit 12 of the arrangement region F in a substantially rectangular shape in plan view is arranged. However, it may have a frame shape surrounding the four sides of the arrangement area F.

また、検査端子24を覆う配置領域Gと配置領域Fに分離して形成された封止層50は、封止層50のうち有機緩衝層52が分離されていればよく、第1無機封止層51と第2無機封止層53とは繋がって形成されていても構わない。   In addition, the sealing layer 50 formed separately from the placement region G and the placement region F that covers the inspection terminal 24 is only required to have the organic buffer layer 52 separated from the sealing layer 50, and the first inorganic sealing. The layer 51 and the second inorganic sealing layer 53 may be connected to each other.

(第5実施形態)
<電子機器>
次に、本発明の実施形態に係る電子機器について、図9を参照して説明する。図9は電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
(Fifth embodiment)
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a schematic view showing a head mounted display as an example of an electronic apparatus.

図9に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ(HMD)1000は、左右の目に対応して設けられた2つの表示部1001を有している。観察者Mはヘッドマウントディスプレイ1000を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部1001に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部1001に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。   As shown in FIG. 9, a head mounted display (HMD) 1000 as an electronic apparatus according to the present embodiment has two display units 1001 provided corresponding to the left and right eyes. The observer M can see characters and images displayed on the display unit 1001 by wearing the head mounted display 1000 on the head like glasses. For example, if an image in consideration of parallax is displayed on the left and right display units 1001, a stereoscopic video can be viewed and enjoyed.

表示部1001には、上記実施形態の自発光型の表示装置である有機EL装置1または有機EL装置1a,1b,1cのいずれかが搭載されている。従って、発光機能において高い信頼性品質を有する軽量なヘッドマウントディスプレイ1000を提供することができる。   The display unit 1001 is mounted with either the organic EL device 1 or the organic EL devices 1a, 1b, and 1c that are the self-luminous display devices of the above-described embodiment. Accordingly, it is possible to provide a lightweight head mounted display 1000 having high reliability quality in the light emitting function.

ヘッドマウントディスプレイ1000は、観察者Mが表示部1001の表示内容を直接見る構成に限定されず、ミラーなどによって間接的に表示内容を見る構成としてもよい。
また、ヘッドマウントディスプレイ1000は、2つの表示部1001を有することに限定されず、左右の目のいずれかに対応させた1つの表示部1001を備える構成としてもよい。
The head mounted display 1000 is not limited to the configuration in which the observer M directly sees the display content of the display unit 1001, but may be configured to indirectly view the display content by a mirror or the like.
Further, the head mounted display 1000 is not limited to having the two display units 1001, and may be configured to include one display unit 1001 corresponding to either the left or right eye.

なお、上記有機EL装置1が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ1000に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラのEVF(電子ビューファー)、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。また、表示部に限定されず、本発明を照明装置や露光装置にも適用することができる。   The electronic device on which the organic EL device 1 is mounted is not limited to the head mounted display 1000. For example, an electronic device having a display unit such as a head-up display, an EVF (electronic viewer) of a digital camera, a portable information terminal, or a navigator can be given. Further, the present invention is not limited to the display unit, and the present invention can be applied to an illumination device and an exposure device.

以上、本発明の実装構造、電気光学装置及び電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、前述した各実施形態を適宜組み合わせてもよい。   As described above, the mounting structure, the electro-optical device, and the electronic apparatus of the present invention have been described based on the illustrated embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of each part has the same function. Any configuration can be substituted. In addition, any other component may be added to the present invention. Moreover, you may combine each embodiment mentioned above suitably.

1,1a,1b,1c…有機EL装置、10…基板、12…データ線駆動回路、14…走査線駆動回路、16…検査回路、20…外部接続端子、22…配線、24…検査端子、26…配線、30…絶縁膜、32…反射層、34…絶縁層、40…有機EL素子、41…第1電極、42…発光機能層、43…第2電極、50…封止層、51…第1無機封止層、52…有機緩衝層、53…第2無機封止層、60…カラーフィルター層、60B,60G,60R…フィルター層、62,62B,62G,62R…発光画素、70…充填材、80…封止基板、100,100a,100b,100c…素子基板、1000…ヘッドマウントディスプレイ、1001…表示部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,1a, 1b, 1c ... Organic EL apparatus, 10 ... Board | substrate, 12 ... Data line drive circuit, 14 ... Scanning line drive circuit, 16 ... Inspection circuit, 20 ... External connection terminal, 22 ... Wiring, 24 ... Inspection terminal, 26 ... wiring, 30 ... insulating film, 32 ... reflective layer, 34 ... insulating layer, 40 ... organic EL element, 41 ... first electrode, 42 ... light emitting functional layer, 43 ... second electrode, 50 ... sealing layer, 51 ... 1st inorganic sealing layer, 52 ... Organic buffer layer, 53 ... 2nd inorganic sealing layer, 60 ... Color filter layer, 60B, 60G, 60R ... Filter layer, 62, 62B, 62G, 62R ... Luminescent pixel, 70 ... Filler, 80 ... Sealing substrate, 100, 100a, 100b, 100c ... Element substrate, 1000 ... Head mounted display, 1001 ... Display unit.

Claims (18)

第1の面を有する基板と、
前記第1の面上に配置された発光素子と、
前記第1の面上で、前記発光素子の配置領域と前記基板の外縁との間に配置された検査端子と、
少なくとも前記配置領域に亘って形成され前記発光素子を覆う樹脂層と、を有し、
前記樹脂層は、前記検査端子を覆っていることを特徴とする電気光学装置。
A substrate having a first surface;
A light emitting device disposed on the first surface;
An inspection terminal disposed on the first surface between the light emitting element disposition region and the outer edge of the substrate;
A resin layer formed over at least the arrangement region and covering the light emitting element,
The electro-optical device, wherein the resin layer covers the inspection terminal.
前記樹脂層は、カラーフィルター層を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the resin layer includes a color filter layer. 前記カラーフィルター層は、少なくとも青色、緑色及び赤色のフィルター層を含み、少なくとも1つの前記フィルター層により前記検査端子が覆われていることを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 2, wherein the color filter layer includes at least blue, green, and red filter layers, and the inspection terminal is covered with at least one filter layer. 前記樹脂層は、有機緩衝層を含んでいることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the resin layer includes an organic buffer layer. 前記有機緩衝層は、無機封止層により覆われていることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 4, wherein the organic buffer layer is covered with an inorganic sealing layer. 前記樹脂層は、光学調整層を含んでいることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 1, wherein the resin layer includes an optical adjustment layer. 前記樹脂層は、前記発光素子を覆う第1の部分と、前記検査端子を覆う第2の部分と、を有し、
前記第1の部分と前記第2の部分とが互いに離れていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置。
The resin layer has a first portion that covers the light emitting element, and a second portion that covers the inspection terminal,
The electro-optical device according to claim 1, wherein the first portion and the second portion are separated from each other.
前記第2の部分は、前記第1の部分を囲むように前記基板の外縁に沿って設けられていることを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。   The electro-optical device according to claim 7, wherein the second portion is provided along an outer edge of the substrate so as to surround the first portion. 前記発光素子は、第1電極と、前記第1電極に対向して配置された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光機能層と、を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の電気光学装置。   The light emitting element includes a first electrode, a second electrode disposed to face the first electrode, and a light emitting functional layer disposed between the first electrode and the second electrode. The electro-optical device according to claim 1. 請求項1乃至9のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1. 第1の面を有する基板と、
前記第1の面上に配置された発光素子と、
前記第1の面上で、前記発光素子の配置領域と前記基板の外縁との間に配置された検査端子と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記第1の面上に、前記発光素子を形成した後に、
前記発光素子の配置領域と、前記検査端子と、を覆う樹脂層を形成する工程、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
A substrate having a first surface;
A light emitting device disposed on the first surface;
An inspection terminal disposed on the first surface between the light emitting element disposition region and an outer edge of the substrate;
After forming the light emitting element on the first surface,
Forming a resin layer covering the light emitting element placement region and the inspection terminal;
A method for manufacturing an electro-optical device.
前記樹脂層を形成する工程は、カラーフィルター層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置の製造方法。   12. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11, wherein the step of forming the resin layer includes a step of forming a color filter layer. 前記カラーフィルター層を形成する工程は、少なくとも青色、緑色及び赤色のフィルター層を形成し、少なくとも1つの前記フィルター層で前記検査端子を覆うことを特徴とする請求項12に記載の電気光学装置の製造方法。   13. The electro-optical device according to claim 12, wherein the step of forming the color filter layer forms at least a blue, green, and red filter layer, and covers the inspection terminal with at least one filter layer. Production method. 前記樹脂層を形成する工程は、有機緩衝層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11又は12に記載の電気光学装置の製造方法。   13. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11, wherein the step of forming the resin layer includes a step of forming an organic buffer layer. 前記樹脂層を形成する工程は、前記有機緩衝層を覆う無機封止層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項14に記載の電気光学装置の製造方法。   The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 14, wherein the step of forming the resin layer includes a step of forming an inorganic sealing layer that covers the organic buffer layer. 前記樹脂層を形成する工程は、光学調整層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の電気光学装置の製造方法。   12. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11, wherein the step of forming the resin layer includes a step of forming an optical adjustment layer. 前記樹脂層を形成する工程は、前記発光素子を覆う前記樹脂層の第1の部分と、前記検査端子を覆う前記樹脂層の第2の部分と、を互いに離して形成することを特徴とする請求項11乃至16のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。   The step of forming the resin layer is characterized in that a first portion of the resin layer covering the light emitting element and a second portion of the resin layer covering the inspection terminal are formed apart from each other. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 11. 前記第2の部分は、前記第1の部分を囲むように前記基板の外縁に沿って形成することを特徴とする請求項17に記載の電気光学装置の製造方法。   The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 17, wherein the second part is formed along an outer edge of the substrate so as to surround the first part.
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