JP2015222664A

JP2015222664A - Organic el panel manufacturing method, organic el panel and electronic apparatus

Info

Publication number: JP2015222664A
Application number: JP2014106808A
Authority: JP
Inventors: 信一岩田; Shinichi Iwata
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2014-05-23
Filing date: 2014-05-23
Publication date: 2015-12-10

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve downsizing of an organic EL panel.SOLUTION: An organic EL panel manufacturing method comprises: a first process of forming an organic EL element 30 on each first substrate 10 on a mother board 2 where the first boards 10 are laid out; a second process of forming encapsulation films 34 so as to cover organic EL elements 30, respectively; a third process of forming grooves 5 at least on part of division scheduled lines 4 for removing the first boards 10 from the mother board 2 after the second process; a fourth process of bonding second boards 40 to every plurality of first boards 10 via adhesives 41 after the third process so as to cover the encapsulation films 34; and a fifth process of dividing the mother board 2 at the division scheduled lines 4 after the fourth process.

Description

本発明は、有機ＥＬパネルの製造方法、有機ＥＬパネル、有機ＥＬパネルを備えた電子機器に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL panel, an organic EL panel, and an electronic device including the organic EL panel.

有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルにおいては、一方の基板上に形成された有機ＥＬ素子等を保護するために、該有機ＥＬ素子上に接着剤（充填材）層を介して他方の基板を貼り合せることが一般的である。そして、有機ＥＬパネルの小型化のために、有機ＥＬ素子が配置された表示領域のサイズ（大きさ）を、有機ＥＬパネルの外形サイズに近づけることが求められている。
その方策の一例として、例えば、特許文献１には、一方の基板の表示領域の周辺に溝を形成して、シール材が溝に入り込むように一方の基板と他方の基板とを不活性ガス雰囲気中で貼り合せることで、表示領域を囲んで設けられるシールパターンの幅を狭める手法が開示されている。 In an organic EL (electroluminescence) panel, in order to protect an organic EL element or the like formed on one substrate, the other substrate is bonded onto the organic EL element via an adhesive (filler) layer. It is common. In order to reduce the size of the organic EL panel, it is required to make the size (size) of the display area in which the organic EL element is arranged close to the outer size of the organic EL panel.
As an example of the measures, for example, in Patent Document 1, a groove is formed around the display region of one substrate, and the one substrate and the other substrate are placed in an inert gas atmosphere so that the sealing material enters the groove. A technique is disclosed in which the width of a seal pattern provided so as to surround the display area is narrowed by pasting them together.

特開２００２−３２９５７６号公報JP 2002-329576 A

しかしながら、上記特許文献１に記載の製造方法では、有機ＥＬ素子を形成する前に上記の溝を形成する場合、有機ＥＬ素子形成時に一方の基板が破損する虞がある。また、有機ＥＬ素子を形成した後に上記の溝を形成する場合、有機ＥＬ素子の劣化を低減するために、真空中あるいは不活性ガス雰囲気中で上記の溝を形成する必要がある。したがって、製造コストの増加あるいは不良発生率が上昇しかねないという課題があった。 However, in the manufacturing method described in Patent Document 1, when the groove is formed before the organic EL element is formed, one substrate may be damaged when the organic EL element is formed. Further, when forming the groove after forming the organic EL element, it is necessary to form the groove in a vacuum or in an inert gas atmosphere in order to reduce deterioration of the organic EL element. Therefore, there has been a problem that the manufacturing cost may increase or the defect rate may increase.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法は、第１基板がレイアウトされたマザー基板において、前記第１基板に有機ＥＬ素子を形成する第１の工程と、前記有機ＥＬ素子を覆うように封止膜を形成する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記マザー基板から前記第１基板を取り出すための分断予定線の少なくとも一部に溝を形成する第３の工程と、前記第３の工程の後に、前記封止膜を覆うように接着剤を介して前記複数の第１基板毎に第２基板を貼り合せる第４の工程と、前記第４の工程の後に、前記マザー基板を前記分断予定線で分断する第５の工程と、を有することを特徴とする。 Application Example 1 An organic EL panel manufacturing method according to this application example includes a first step of forming an organic EL element on the first substrate in a mother substrate on which the first substrate is laid, and the organic EL element. A second step of forming a sealing film so as to cover the substrate, and a third step of forming a groove in at least a part of a dividing line for taking out the first substrate from the mother substrate after the second step. After the third step, a fourth step of bonding a second substrate to each of the plurality of first substrates via an adhesive so as to cover the sealing film, and the fourth step And a fifth step of dividing the mother substrate along the planned dividing line.

本適用例の製造方法であれば、第１基板と第２基板とを貼り合せる際の圧力により押し出された接着剤を、溝内に収納できる。したがって、マザー基板において第１基板上に接着剤が流出する（はみ出す）ことを抑制できる。ゆえに、接着剤のはみ出しが抑制されるので、接着剤のはみ出しを考慮して第１基板の大きさを規定する場合に比べて、第１基板の大きさを小さくすることができる。これにより、第１基板の外形と有機ＥＬ素子が形成された表示領域との間の領域を狭くすること、すなわち狭額縁化が達成でき、有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。
そして本適用例の製造方法であれば、溝を形成する第３の工程を行う前に有機ＥＬ素子を封止膜で覆うため、溝を形成する工程で有機ＥＬ素子が損傷することを抑制することができる。加えて、第３の工程を真空中、若しくは不活性雰囲気中で行う必要がない。したがって、新たな設備等を導入する必要がない。
また、溝を形成する第３の工程を行う前に、有機ＥＬ素子を形成する第１の工程を行うため、有機ＥＬ素子を形成する際に、マザー基板に溝が形成されていないので、マザー基板の強度が低下せず、マザー基板が破損等することを低減できる。したがって、狭額縁化を達成でき、小型な有機ＥＬパネルを歩留りよく製造することができる。 If it is the manufacturing method of this application example, the adhesive extruded by the pressure at the time of bonding a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate can be accommodated in a groove | channel. Therefore, it is possible to suppress the adhesive from flowing out (extinging out) onto the first substrate in the mother substrate. Therefore, since the protrusion of the adhesive is suppressed, the size of the first substrate can be reduced as compared with the case where the size of the first substrate is defined in consideration of the protrusion of the adhesive. Thereby, the area between the outer shape of the first substrate and the display area where the organic EL element is formed can be narrowed, that is, the frame can be narrowed, and the organic EL panel can be downsized.
And if it is the manufacturing method of this application example, since an organic EL element is covered with a sealing film before performing the 3rd process of forming a groove | channel, it suppresses that an organic EL element is damaged at the process of forming a groove | channel. be able to. In addition, it is not necessary to perform the third step in a vacuum or in an inert atmosphere. Therefore, it is not necessary to introduce new equipment.
In addition, since the first step of forming the organic EL element is performed before the third step of forming the groove, the groove is not formed in the mother substrate when forming the organic EL element. It is possible to reduce the damage of the mother substrate without lowering the strength of the substrate. Therefore, a narrow frame can be achieved, and a small organic EL panel can be manufactured with a high yield.

［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第１基板の一辺に沿って第１の方向に配列した複数の端子を有し、前記第３の工程は、前記第１の方向と直交する第２の方向に隣り合う前記第１基板のうち一方の前記第１基板の前記複数の端子と、他方の前記第１基板の前記有機ＥＬ素子が形成された表示領域の端部との間の前記分断予定線に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 2 In the method of manufacturing an organic EL panel according to the application example, the organic EL panel includes a plurality of terminals arranged in a first direction along one side of the first substrate, and the third step includes the step of Of the display region in which the plurality of terminals of one of the first substrates and the organic EL element of the other first substrate are formed in the first substrate adjacent to the second direction orthogonal to one direction. A method of manufacturing an organic EL panel, wherein the groove is formed in the planned dividing line between the ends.

本適用例の製造方法であれば、第１基板と第２基板とを接着する際に圧力により押し出された接着剤が、隣り合う有機ＥＬパネルの端子上に被さることを抑制できる。したがって、表示品質に悪影響を与えることなく、有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。 If it is the manufacturing method of this application example, it can suppress that the adhesive agent extruded by the pressure when bonding a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate covers on the terminal of an adjacent organic electroluminescent panel. Therefore, it is possible to reduce the size of the organic EL panel without adversely affecting the display quality.

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第３の工程は、前記分断予定線を中心線とする所定の幅の領域に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 3 In the method for manufacturing an organic EL panel according to the application example, the third step is characterized in that the groove is formed in a region having a predetermined width with the planned dividing line as a center line. Manufacturing method of organic EL panel.

本適用例の製造方法であれば、個々の有機ＥＬパネルにおける全周囲において、接着剤が隣り合う第１基板上に流出することを抑制できる。したがって、表示品質及び貼り合せ後の分断工程に悪影響を与えることなく、有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。 If it is the manufacturing method of this application example, it can suppress that an adhesive agent flows out on the adjacent 1st board | substrate in the perimeter in each organic EL panel. Therefore, it is possible to reduce the size of the organic EL panel without adversely affecting the display quality and the dividing process after bonding.

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記溝の深さは、貼り合された後の前記第１基板と前記第２基板との間の前記接着剤の厚さよりも大きいことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 4 In the method of manufacturing an organic EL panel according to the application example described above, the depth of the groove is based on the thickness of the adhesive between the first substrate and the second substrate after being bonded. The manufacturing method of the organic electroluminescent panel characterized by the above-mentioned.

本適用例の製造方法であれば、第１基板と第２基板とを貼り合せる際に押し出された接着剤を、確実に収納できる。したがって、より確実に有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。 If it is the manufacturing method of this application example, the adhesive extruded when bonding a 1st board | substrate and a 2nd board | substrate can be accommodated reliably. Therefore, the organic EL panel can be more reliably downsized.

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記溝の深さは、前記第１基板の厚さから少なくとも５０μｍを差し引いた値であることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 5 In the method of manufacturing an organic EL panel according to the application example, the depth of the groove is a value obtained by subtracting at least 50 μm from the thickness of the first substrate. Production method.

本適用例の製造方法であれば、第５の工程において第１基板を押し圧のみで分断できる。すなわち溝内に再度溝を形成することなく第１基板を分断できる。したがって、製造コストの上昇を抑制しつつ有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。 If it is the manufacturing method of this application example, a 1st board | substrate can be parted only by pressing pressure in a 5th process. That is, the first substrate can be divided without forming the groove again in the groove. Therefore, it is possible to reduce the size of the organic EL panel while suppressing an increase in manufacturing cost.

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記所定の幅は５０μｍ〜２００μｍであることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 6 In the method of manufacturing an organic EL panel according to the application example, the predetermined width is 50 μm to 200 μm.

本適用例の製造方法であれば、一般的なダイシング装置等を用いて溝を形成できる。したがって、製造コストの上昇を抑制しつつ有機ＥＬパネルの小型化を実現できる。 If it is the manufacturing method of this application example, a groove | channel can be formed using a general dicing apparatus etc. Therefore, it is possible to reduce the size of the organic EL panel while suppressing an increase in manufacturing cost.

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第３の工程は、前記マザー基板の法線に沿った平面視で前記第２基板と重ならない位置に前記溝を形成することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 7 In the method for manufacturing an organic EL panel according to the application example, the third step forms the groove at a position that does not overlap the second substrate in plan view along the normal line of the mother substrate. A method for producing an organic EL panel, comprising:

本適用例の製造方法であれば、例えば、ダイシング法により溝に沿ってマザー基板をダイシングするときに、ダイシングブレードが第２基板に触れることがなく、マザー基板をダイシングできる。 With the manufacturing method of this application example, for example, when the mother substrate is diced along the groove by the dicing method, the mother substrate can be diced without the dicing blade touching the second substrate.

［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬパネルの製造方法において、前記第２の工程と前記第３の工程との間に、前記封止膜の上層にカラーフィルターを形成する第６の工程をさらに有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。 Application Example 8 In the method for manufacturing an organic EL panel according to the application example, a sixth process of forming a color filter on the upper layer of the sealing film between the second process and the third process. A method for producing an organic EL panel, further comprising:

本適用例の製造方法であれば、溝の形成時に生じた例えばマザー基板の破片によって封止膜が損傷することを、カラーフィルターによって保護することができる。つまり封止膜とカラーフィルターとによって有機ＥＬ素子を保護することができる。 According to the manufacturing method of this application example, the color filter can protect the sealing film from being damaged by, for example, a mother substrate fragment generated at the time of forming the groove. That is, the organic EL element can be protected by the sealing film and the color filter.

［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬパネルは、上記の適用例の有機ＥＬパネルの製造方法で製造されたことを特徴とする。 Application Example 9 An organic EL panel according to this application example is manufactured by the method for manufacturing an organic EL panel according to the application example described above.

本適用例の有機ＥＬパネルであれば、狭額縁化及び小型化を実現できる。 With the organic EL panel of this application example, it is possible to realize a narrow frame and a small size.

［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記の適用例の有機ＥＬパネルを備えたことを特徴とする。 Application Example 10 An electronic apparatus according to this application example includes the organic EL panel according to the application example described above.

本適用例の電子機器であれば、狭額縁化された有機ＥＬパネルを備えているため、電子機器の小型化が実現できる。 Since the electronic device according to this application example includes the organic EL panel with a narrow frame, the electronic device can be downsized.

有機ＥＬパネルの概略平面図。The schematic plan view of an organic electroluminescent panel. 有機ＥＬ素子と駆動回路の回路図。The circuit diagram of an organic EL element and a drive circuit. 有機ＥＬパネルの断面図。Sectional drawing of an organic electroluminescent panel. （ａ）はマザー基板の全体図、（ｂ）はマザー基板の一部の拡大図。(A) is a general view of the mother board, (b) is an enlarged view of a part of the mother board. 第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent panel of 1st Embodiment. 第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent panel of 1st Embodiment. 第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す工程断面図。Process sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent panel of 1st Embodiment. 第２実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent panel of 2nd Embodiment. 第２実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the organic electroluminescent panel of 2nd Embodiment. 電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図。Schematic of a head mounted display as an example of an electronic device.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings to be used are appropriately enlarged or reduced so that the part to be described can be recognized.

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。 In the following embodiments, for example, when “on the substrate” is described, the substrate is disposed so as to be in contact with the substrate, or is disposed on the substrate via another component, or the substrate. It is assumed that a part is arranged so as to be in contact with each other and a part is arranged via another component.

（第１実施形態）
＜有機ＥＬパネル＞
まず、有機ＥＬ素子及び有機ＥＬパネル、そして有機ＥＬパネルを複数個取りできるマザー基板について、図１〜図４を参照して説明する。（なお、図１〜図４に記載の有機ＥＬパネル等は、後述する第２実施形態にも共通している。） (First embodiment)
<Organic EL panel>
First, an organic EL element, an organic EL panel, and a mother substrate on which a plurality of organic EL panels can be obtained will be described with reference to FIGS. (Note that the organic EL panels and the like described in FIGS. 1 to 4 are common to the second embodiment described later.)

図１は、本実施形態、（及び後述する第２実施形態）の有機ＥＬパネルの製造方法の対象となる有機ＥＬパネルの概略平面図である。図示するように有機ＥＬパネル１は、平面視で矩形である。具体的には、平面視矩形である第１基板としての素子基板１０と、同じく平面視矩形である第２基板としての保護基板４０と、が貼り合されて構成されている。そして、表示領域（発光エリア）７と、複数の外部接続用端子（以下、「端子」と称する。）１１３と、を有している。複数の端子１１３が配列されている方向が第１の方向としてのＸ方向である。Ｘ方向と平面視で直交する方向が第２の方向としてのＹ方向である。そして、Ｘ方向及びＹ方向の双方と直交する方向がＺ方向である。 FIG. 1 is a schematic plan view of an organic EL panel that is an object of the method for manufacturing an organic EL panel according to the present embodiment (and a second embodiment described later). As shown in the drawing, the organic EL panel 1 is rectangular in plan view. Specifically, an element substrate 10 as a first substrate having a rectangular shape in plan view and a protective substrate 40 as a second substrate having a rectangular shape in plan view are bonded together. It has a display area (light emitting area) 7 and a plurality of external connection terminals (hereinafter referred to as “terminals”) 113. The direction in which the plurality of terminals 113 are arranged is the X direction as the first direction. The direction orthogonal to the X direction in plan view is the Y direction as the second direction. The direction orthogonal to both the X direction and the Y direction is the Z direction.

素子基板１０の外形寸法は例えば、１２．７５ｍｍ（Ｘ方向）×１２．０６ｍｍ（Ｙ方向）である。保護基板４０の外形寸法は１２．５５ｍｍ（Ｘ方向）×９．０６ｍｍ（Ｙ方向）である。保護基板４０は、素子基板１０に対して、Ｘ方向の両側とＹ方向の一方の側（図１における上側）では略０．１ｍｍ内側になり、Ｙ方向のもう一方の側（図１における下側）では略２ｍｍ内側に位置するように貼り合されている。そして、かかる素子基板１０が保護基板４０から略２ｍｍ張り出した領域には、複数の端子１１３配列されている。 The external dimensions of the element substrate 10 are, for example, 12.75 mm (X direction) × 12.06 mm (Y direction). The external dimensions of the protective substrate 40 are 12.55 mm (X direction) × 9.06 mm (Y direction). The protective substrate 40 is approximately 0.1 mm inside the element substrate 10 on both sides in the X direction and on one side in the Y direction (upper side in FIG. 1), and on the other side in the Y direction (lower side in FIG. 1). Side) is bonded so as to be located approximately 2 mm inside. A plurality of terminals 113 are arranged in a region where the element substrate 10 protrudes approximately 2 mm from the protective substrate 40.

保護基板４０の外形線から略０．４ｍｍ内側の領域が封止領域（封止エリア）８である。封止領域８の外形線から略０．５ｍｍ内側の領域が表示領域７である。表示領域７には、有機ＥＬ素子３０が規則的に形成されている。表示領域７と複数の端子１１３との間には、データ線駆動回路（図示は省略）が形成されている。表示領域７のＸ方向の両側には、走査線駆動回路（図示は省略）が形成されている。 A region approximately 0.4 mm inside from the outline of the protective substrate 40 is a sealing region (sealing area) 8. The display area 7 is an area approximately 0.5 mm inside from the outline of the sealing area 8. Organic EL elements 30 are regularly formed in the display area 7. A data line driving circuit (not shown) is formed between the display area 7 and the plurality of terminals 113. On both sides of the display area 7 in the X direction, scanning line driving circuits (not shown) are formed.

有機ＥＬ素子３０は、緑色光を発光する緑色有機ＥＬ素子３０Ｇと青色光を発光する青色有機ＥＬ素子３０Ｂと赤色光を発光する赤色有機ＥＬ素子３０Ｒとの３種類が規則的に形成されている。有機ＥＬ素子３０は、かかる３種類の有機ＥＬ素子（３０Ｇ，３０Ｂ，３０Ｒ）の総称である。そしてかかる３原色光を発光する３種類の有機ＥＬ素子３０で、画素３が構成されている。
個々の有機ＥＬ素子３０は後述する画素電極３１と対向電極３３との間の電流を制御することで任意の強度の発光が可能である。したがって、画素３は、任意の色と強度の光を発光できる。表示領域７には画素３が規則的に配置されている。したがって、有機ＥＬパネル１はカラー画像を表示できる。 The organic EL element 30 is regularly formed in three types: a green organic EL element 30G that emits green light, a blue organic EL element 30B that emits blue light, and a red organic EL element 30R that emits red light. . The organic EL element 30 is a general term for the three types of organic EL elements (30G, 30B, 30R). The pixel 3 is composed of three types of organic EL elements 30 that emit light of the three primary colors.
Each organic EL element 30 can emit light of an arbitrary intensity by controlling a current between a pixel electrode 31 and a counter electrode 33 described later. Therefore, the pixel 3 can emit light of any color and intensity. Pixels 3 are regularly arranged in the display area 7. Therefore, the organic EL panel 1 can display a color image.

図２は、有機ＥＬ素子とその駆動回路を示す回路図である。個々の有機ＥＬ素子とその駆動回路を合わせてサブ画素（符号無し）と称することができる。
図示するように、サブ画素に対応する信号線として、走査線１０３、データ線１０４、点灯制御線１０５、及び電源線１０６が形成されている。走査線１０３と点灯制御線１０５はＸ方向に延在し、上述した走査線駆動回路に電気的に接続されている。データ線１０４と電源線１０６とはＹ方向に延在している。データ線１０４は、上述したデータ線駆動回路に電気的に接続されている。そして電源線１０６は、端子１１３に電気的に接続されている。 FIG. 2 is a circuit diagram showing the organic EL element and its drive circuit. The individual organic EL elements and their drive circuits can be collectively referred to as sub-pixels (no symbol).
As shown in the figure, scanning lines 103, data lines 104, lighting control lines 105, and power supply lines 106 are formed as signal lines corresponding to the sub-pixels. The scanning line 103 and the lighting control line 105 extend in the X direction and are electrically connected to the above-described scanning line driving circuit. The data line 104 and the power supply line 106 extend in the Y direction. The data line 104 is electrically connected to the data line driving circuit described above. The power line 106 is electrically connected to the terminal 113.

走査線１０３とデータ線１０４との交点付近には、サブ画素の駆動回路を構成するトランジスター１２１と、トランジスター１２２と、トランジスター１２３と、容量２４と、有機ＥＬ素子３０と、が形成されている。
有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、対向電極３３と、かかる一対の電極間に挟まれた発光層を含む発光機能層３２とを有している。
対向電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０に跨って形成された共通電極である。対向電極３３には、例えば電源線１０６に与えられる電源電圧Ｖｄｄに対して低電位（例えば、基準電位Ｖｓｓなど）が供給されている。
トランジスター１２１のゲート電極は走査線１０３に電気的に接続され、一方の電流端（ソース電極）はデータ線１０４に電気的に接続され、他方の電流端（ドレイン電極）はトランジスター１２２のゲート電極と、容量２４の一方の電極とに電気的に接続されている。 In the vicinity of the intersection of the scanning line 103 and the data line 104, a transistor 121, a transistor 122, a transistor 123, a capacitor 24, and an organic EL element 30 that form a driving circuit of a subpixel are formed.
The organic EL element 30 includes a pixel electrode 31, a counter electrode 33, and a light emitting functional layer 32 including a light emitting layer sandwiched between the pair of electrodes.
The counter electrode 33 is a common electrode formed across the plurality of organic EL elements 30. The counter electrode 33 is supplied with a low potential (for example, a reference potential Vss) with respect to the power supply voltage Vdd applied to the power supply line 106, for example.
The gate electrode of the transistor 121 is electrically connected to the scanning line 103, one current end (source electrode) is electrically connected to the data line 104, and the other current end (drain electrode) is connected to the gate electrode of the transistor 122. Are electrically connected to one electrode of the capacitor 24.

トランジスター１２２の一方の電流端（ソース電極）は、電源線１０６に電気的に接続されると共に容量２４の他方の電極に電気的に接続されている。トランジスター１２２の他方の電流端（ドレイン電極）は、トランジスター１２３の一方の電流端（ドレイン電極）に電気的に接続されている。トランジスター１２３のゲート電極は点灯制御線１０５に電気的に接続され、他方の電流端（ソース電極）は有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に電気的に接続されている。 One current end (source electrode) of the transistor 122 is electrically connected to the power supply line 106 and is also electrically connected to the other electrode of the capacitor 24. The other current end (drain electrode) of the transistor 122 is electrically connected to one current end (drain electrode) of the transistor 123. The gate electrode of the transistor 123 is electrically connected to the lighting control line 105, and the other current end (source electrode) is electrically connected to the pixel electrode 31 of the organic EL element 30.

走査線駆動回路から走査線１０３に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、トランジスター１２１がオン状態となり、データ線１０４と容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路からデータ線１０４にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１０６に与えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が容量２４に蓄積される。 When the voltage level of the scanning signal Yi supplied from the scanning line driver circuit to the scanning line 103 becomes Hi level, the transistor 121 is turned on, and the data line 104 and the capacitor 24 are electrically connected. When a data signal is supplied from the data line driver circuit to the data line 104, a potential difference between the voltage level Vdata of the data signal and the power supply voltage Vdd applied to the power supply line 106 is accumulated in the capacitor 24.

走査線駆動回路から走査線１０３に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレベルになると、トランジスター１２１がオフ状態となり、トランジスター１２２のゲート・ソース電極間電圧は、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられたときの電圧に保持される。同時に、点灯制御線１０５に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、トランジスター１２３がオン状態となる。そうすると、トランジスター１２２のゲート・ソース電極電圧、つまり容量２４に保持された電圧に応じた電流が、電源線１０６からトランジスター１２２及びトランジスター１２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に供給される。 When the voltage level of the scanning signal Yi supplied from the scanning line driving circuit to the scanning line 103 becomes low level, the transistor 121 is turned off, and the voltage between the gate and the source electrode of the transistor 122 is given by the voltage level Vdata. Is held at a voltage of. At the same time, the voltage level of the lighting control signal Vgi supplied to the lighting control line 105 becomes Hi level, and the transistor 123 is turned on. Then, a current corresponding to the gate / source electrode voltage of the transistor 122, that is, the voltage held in the capacitor 24 is supplied from the power supply line 106 to the organic EL element 30 via the transistor 122 and the transistor 123.

有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる上記の電流の大きさに応じて発光する。有機ＥＬ素子３０を流れる電流は、容量２４に保持された電圧（データ線１０４の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差）、及びトランジスター１２３がオン状態になる期間の長さによって変化する。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、サブ画素において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができる。 The organic EL element 30 emits light according to the magnitude of the current flowing through the organic EL element 30. The current flowing through the organic EL element 30 varies depending on the voltage held in the capacitor 24 (the potential difference between the voltage level Vdata of the data line 104 and the power supply voltage Vdd) and the length of the period during which the transistor 123 is turned on. That is, the gradation of luminance according to the image information can be given to the sub-pixel by the value of the voltage level Vdata in the data signal.

図３は、図１のＡ−Ａ’線部分の断面図であり、端子１１３、表示領域７及び封止領域８の端部等を示す概略断面図である。
図３では、上述の画素を構成する要素のうち、トランジスター１２１，１２２と容量２４の図示を省略している。また、トランジスター１２３と画素電極３１との間に形成されている、複数の配線層、複数の層間絶縁膜、及び該配線層間の導通を図るために該層間絶縁膜を局所的に除去して形成された複数のコンタクトホールの図示を省略している。
なお、トランジスター１２１，１２２は、トランジスター１２３と同一の層に、注入される不純物の種類以外は共通する方法で一括して形成されている。容量２４は上述の複数の配線層のうちの２層と該配線層間の層間絶縁膜とで構成されている。 FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ in FIG.
In FIG. 3, the transistors 121 and 122 and the capacitor 24 are omitted from the elements constituting the pixel. In addition, a plurality of wiring layers, a plurality of interlayer insulating films formed between the transistor 123 and the pixel electrode 31, and the interlayer insulating films are locally removed for electrical connection between the wiring layers. Illustration of the plurality of contact holes is omitted.
Note that the transistors 121 and 122 are collectively formed in the same layer as the transistor 123 by a common method except for the type of impurities to be implanted. The capacitor 24 is composed of two of the plurality of wiring layers described above and an interlayer insulating film between the wiring layers.

図示するように、有機ＥＬパネル１は、素子基板１０、該素子基板１０に形成されたトランジスター１２３と有機ＥＬ素子３０、該有機ＥＬ素子３０等を覆う封止膜３４を有している。 As illustrated, the organic EL panel 1 includes an element substrate 10, a transistor 123 formed on the element substrate 10, an organic EL element 30, a sealing film 34 that covers the organic EL element 30, and the like.

素子基板１０は上述したように例えば単結晶シリコンからなり、その一部は、トランジスター１２３等の構成要素となっている。すなわち、素子基板１０にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０ａがチャネル領域となり、ウェル部１０aと異なる種類のイオンをウェル部１０aに注入することにより形成されたイオン注入部１０ｂが、ソース電極・ドレイン電極領域となっている。隣り合うウェル部１０a間を分離するＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）１０ｃは、素子基板１０の一部をエッチングしてトレンチ（溝）を形成した後に、該トレンチ内にシリコン酸化膜などをデポ等して形成されている。 As described above, the element substrate 10 is made of, for example, single crystal silicon, and a part thereof is a component such as the transistor 123. That is, the well portion 10a formed by implanting ions into the element substrate 10 becomes a channel region, and the ion implant portion 10b formed by implanting ions of a different type from the well portion 10a into the well portion 10a It is an electrode / drain electrode region. An STI (Shallow Trench Isolation) 10c that separates adjacent well portions 10a is formed by etching a part of the element substrate 10 to form a trench, and then depositing a silicon oxide film or the like in the trench. Is formed.

トランジスター１２３等が形成された素子基板１０の上層にはゲート絶縁膜１０ｄが形成されている。ゲート絶縁膜１０ｄの上層には、例えばポリシリコンなどの導電膜からなるゲート電極１１が形成されている。ゲート電極１１の上層には、シリコン酸化物等からなる第１層間絶縁膜２３が形成されている。第１層間絶縁膜２３には、画素電極３１とトランジスター１２３のソース電極（イオン注入部１０ｂの一方）とを導通するコンタクトホール２２が形成されている。 A gate insulating film 10d is formed on the element substrate 10 on which the transistor 123 and the like are formed. Over the gate insulating film 10d, a gate electrode 11 made of a conductive film such as polysilicon is formed. A first interlayer insulating film 23 made of silicon oxide or the like is formed on the gate electrode 11. The first interlayer insulating film 23 is formed with a contact hole 22 that conducts between the pixel electrode 31 and the source electrode of the transistor 123 (one of the ion implantation portions 10b).

また、端子１１３の近傍には、トランジスター１２３の形成層と同一の層にトランジスター１２４が形成されている。トランジスター１２４は、上述のデータ線駆動回路等を形成するトランジスターであり、トランジスター１２４の形成方法等はトランジスター１２３と同一である。そして、トランジスター１２４には、コンタクトホール２２を介して端子１１３が接続されている。端子１１３は上述の複数の配線層のいずれか、あるいは組み合わせで構成されている。したがって、材質は画素電極３１とは異なり得る。同様に端子１１３とトランジスター１２４との間の層も、第１層間絶縁膜２３に他の層間絶縁膜が含まれ得る。トランジスター１２３等を覆う第１層間絶縁膜２３の上層には反射層２７が形成され、反射層２７上に画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とで構成される有機ＥＬ素子３０が形成されている。 In addition, a transistor 124 is formed in the same layer as the transistor 123 in the vicinity of the terminal 113. The transistor 124 is a transistor that forms the above-described data line driving circuit and the like, and the formation method and the like of the transistor 124 are the same as those of the transistor 123. A terminal 113 is connected to the transistor 124 through the contact hole 22. The terminal 113 is configured by any one or a combination of the plurality of wiring layers described above. Therefore, the material can be different from that of the pixel electrode 31. Similarly, in the layer between the terminal 113 and the transistor 124, the first interlayer insulating film 23 may include another interlayer insulating film. A reflective layer 27 is formed on the first interlayer insulating film 23 covering the transistor 123 and the like, and an organic EL element 30 composed of the pixel electrode 31, the light emitting functional layer 32, and the counter electrode 33 is formed on the reflective layer 27. Has been.

画素電極３１は、例えば透明導電材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されている。反射層２７はＡｌ（アルミニウム）で形成されている。有機ＥＬパネル１はトップエミッション型であり、発光機能層３２で生じた光のうち、素子基板１０側に向かう光は反射層２７で反射されて保護基板４０側に向かう。なお、画素電極３１を反射性の材料で形成して反射層２７を省略する構成も可能である。
画素電極３１の上層には第２層間絶縁膜２５が形成されている。第２層間絶縁膜２５はシリコン酸化等からなり、平面視で、画素電極３１の外縁部を除く領域を露出させるように略方形の開口を有している。なお、端子１１３の上層にも同様の層間絶縁膜を形成し、略方形の開口を形成してもよい。 The pixel electrode 31 is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) which is a transparent conductive material. The reflective layer 27 is made of Al (aluminum). The organic EL panel 1 is of a top emission type, and among the light generated in the light emitting functional layer 32, the light directed toward the element substrate 10 is reflected by the reflective layer 27 and travels toward the protective substrate 40. A configuration in which the pixel electrode 31 is formed of a reflective material and the reflective layer 27 is omitted is also possible.
A second interlayer insulating film 25 is formed on the pixel electrode 31. The second interlayer insulating film 25 is made of silicon oxide or the like and has a substantially rectangular opening so as to expose a region excluding the outer edge portion of the pixel electrode 31 in plan view. Note that a similar interlayer insulating film may be formed on the upper layer of the terminal 113 to form a substantially rectangular opening.

画素電極３１及び第２層間絶縁膜２５の上層には、発光機能層３２が形成されている。本実施形態の有機ＥＬパネル１では、すべての有機ＥＬ素子３０において共通の発光機能層が形成されている。そして、発光機能層３２は、素子基板１０上において、画素電極３１が形成されている領域と略同一の範囲に形成されている。かかる画素電極３１及び発光機能層３２が形成されている領域が表示領域（発光領域）７（図１参照）である。
発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有している。有機発光層は、３原色光、すなわち赤色光、緑色光、及び青色光を含む波長範囲の光、すなわち白色光を発光する。 On the pixel electrode 31 and the second interlayer insulating film 25, a light emitting functional layer 32 is formed. In the organic EL panel 1 of the present embodiment, a common light emitting functional layer is formed in all the organic EL elements 30. The light emitting functional layer 32 is formed on the element substrate 10 in substantially the same range as the region where the pixel electrode 31 is formed. A region where the pixel electrode 31 and the light emitting functional layer 32 are formed is a display region (light emitting region) 7 (see FIG. 1).
The light emitting functional layer 32 includes a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and the like, which are sequentially stacked from the pixel electrode 31 side. The organic light emitting layer emits light in a wavelength range including three primary color lights, that is, red light, green light, and blue light, that is, white light.

発光機能層３２の上層には対向電極３３が形成されている。上述したように、画素電極３１と発光機能層３２と対向電極３３とで有機ＥＬ素子３０が構成される。画素電極３１は発光機能層３２に正孔を供給するためのアノードであり、対向電極３３は発光機能層３２に電子を供給するためのカソードである。対向電極３３は、例えばＭｇ（マグネシウム）とＡｇ（銀）との合金等からなる。そして層厚がごく薄いため、導電性と透明性（光透過性）の双方を有しいている。対向電極３３の形成により有機ＥＬ素子３０が形成される。トランジスター１２３から有機ＥＬ素子３０までを含む層が、有機ＥＬ層３５である。 A counter electrode 33 is formed on the light emitting functional layer 32. As described above, the pixel electrode 31, the light emitting functional layer 32, and the counter electrode 33 constitute the organic EL element 30. The pixel electrode 31 is an anode for supplying holes to the light emitting functional layer 32, and the counter electrode 33 is a cathode for supplying electrons to the light emitting functional layer 32. The counter electrode 33 is made of, for example, an alloy of Mg (magnesium) and Ag (silver). And since layer thickness is very thin, it has both electroconductivity and transparency (light transmittance). The organic EL element 30 is formed by forming the counter electrode 33. A layer including the transistor 123 to the organic EL element 30 is the organic EL layer 35.

有機ＥＬ層３５の上層（対向電極３３の上層）には、封止膜３４が配置されている。封止膜３４は、端子１１３の領域には形成されない。有機ＥＬ素子３０が形成される領域が表示領域（発光エリア）７であり、封止膜３４が形成される領域が図１に示す封止領域（封止エリア）８である。封止膜３４は、マスク等を用いて封止領域８のみに、すなわち局所的に形成してもよい。また、封止膜３４は素子基板１０上の全域に形成した後、端子１１３を露出させる開口を形成してもよい。 A sealing film 34 is disposed on the upper layer of the organic EL layer 35 (upper layer of the counter electrode 33). The sealing film 34 is not formed in the region of the terminal 113. A region where the organic EL element 30 is formed is a display region (light emitting area) 7 and a region where the sealing film 34 is formed is a sealing region (sealing area) 8 shown in FIG. The sealing film 34 may be formed only in the sealing region 8 using a mask or the like, that is, locally. The sealing film 34 may be formed over the entire area of the element substrate 10 and then an opening exposing the terminal 113 may be formed.

封止膜３４は、水分や酸素などによる発光機能層３２や対向電極３３の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、発光機能層３２や対向電極３３への水分や酸素の侵入を抑制している。なお、封止膜３４のガスバリア性としては、有機ＥＬ素子３０を大気中の酸素及び水等から保護することが可能な程度であれば特に限定されないが、酸素透過率が０．０１ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが好ましく、水蒸気透過率が７×１０^-3ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、中でも５×１０^-4ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、特に５×１０^-6ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下であることが好ましい。封止膜３４の光の透過率は、対向電極３３からの射出光に対し８０％以上であることが好ましい。
封止膜３４は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止膜３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止膜３４ｃとで構成され、有機ＥＬ素子３０を覆い、素子基板１０の略全面に設けられている。 The sealing film 34 is a passivation film that suppresses deterioration of the light emitting functional layer 32 and the counter electrode 33 due to moisture, oxygen, and the like, and suppresses intrusion of water and oxygen into the light emitting functional layer 32 and the counter electrode 33. The gas barrier property of the sealing film 34 is not particularly limited as long as the organic EL element 30 can be protected from oxygen and water in the atmosphere, but the oxygen permeability is 0.01 cc / m ^2. The water vapor transmission rate is preferably 7 × 10 ⁻³ g / m ² / day or less, more preferably 5 × 10 ⁻⁴ g / m ² / day or less, particularly 5 × 10 ⁻⁶ g / m ^2. / Day or less is preferable. The light transmittance of the sealing film 34 is preferably 80% or more with respect to the light emitted from the counter electrode 33.
The sealing film 34 includes a first sealing film 34a, a planarization layer 34b, and a second sealing film 34c that are sequentially stacked from the counter electrode 33 side, covers the organic EL element 30, and covers the element substrate. 10 are provided on substantially the entire surface.

第１封止膜３４ａ及び第２封止膜３４ｃは、例えば公知技術のプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて形成されたシリコン酸窒化物で構成され、水分や酸素に対して高いバリアー性を有している。
平坦化層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（シリコン酸化物など）などで構成されている。平坦化層３４ｂは、第１封止膜３４ａの欠陥（ピンホール、クラック等）や異物などを被覆し、平坦な面を形成する。封止膜３４が形成されている領域が封止領域（封止エリア）８である。図１及び図３に示すように、封止膜３４は表示領域７よりも広い範囲に形成されている。すなわち平面視で、封止領域８の外周線は表示領域７を囲むように形成されている。 The first sealing film 34a and the second sealing film 34c are made of, for example, silicon oxynitride formed using a known technique such as plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), and have a high barrier against moisture and oxygen. It has sex.
The planarization layer 34b is made of, for example, an epoxy resin or a coating-type inorganic material (silicon oxide or the like) having excellent thermal stability. The planarization layer 34b covers defects (pinholes, cracks, etc.) and foreign matters of the first sealing film 34a, and forms a flat surface. A region where the sealing film 34 is formed is a sealing region (sealing area) 8. As shown in FIGS. 1 and 3, the sealing film 34 is formed in a wider range than the display region 7. That is, the outer peripheral line of the sealing region 8 is formed so as to surround the display region 7 in plan view.

封止膜３４の上層にはカラーフィルター３６が形成されている。カラーフィルター３６は、３原色光のいずれかの波長範囲の光を透過し、他の波長範囲の光を吸収することで、白色光をいずれかの３原色光に変換して射出する機能を有している。したがって、緑色有機ＥＬ素子３０Ｇの上層には緑色光を透過させるカラーフィルター３６が形成され、青色有機ＥＬ素子３０Ｂの上層には青色光を透過させるカラーフィルター３６が形成され、赤色有機ＥＬ素子３０Ｒの上層には赤色光を透過させるカラーフィルター３６が形成されている。 A color filter 36 is formed on the upper layer of the sealing film 34. The color filter 36 has a function of transmitting white light into any one of the three primary colors by transmitting light in any of the three primary colors and absorbing light in the other wavelengths. doing. Accordingly, a color filter 36 that transmits green light is formed on the upper layer of the green organic EL element 30G, and a color filter 36 that transmits blue light is formed on the upper layer of the blue organic EL element 30B. A color filter 36 that transmits red light is formed in the upper layer.

カラーフィルター３６の上層には接着剤層４２により保護基板４０が貼り合されている。保護基板４０は、封止膜３４で覆われた有機ＥＬ素子３０等、及びカラーフィルター３６を保護するための基板であり、所定の強度及び硬度等を有する透明材料、例えばガラス等からなる。 A protective substrate 40 is bonded to the upper layer of the color filter 36 by an adhesive layer 42. The protective substrate 40 is a substrate for protecting the organic EL element 30 and the like covered with the sealing film 34 and the color filter 36, and is made of a transparent material having a predetermined strength and hardness, for example, glass.

接着剤層４２は、例えば、熱硬化性あるいは紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂やアクリル樹脂等の接着剤からなる。保護基板４０は、素子基板１０上（カラーフィルター３６上）にディスペンサー等で供給された接着剤（接着剤層４２）上に配置して押し圧を加えることで接着されている。
ここで、有機ＥＬパネル１は、後述するマザー基板２（図４参照）に複数個が形成された後、個々の有機ＥＬパネル１に分断される。かかる接着工程は、マザー基板２の分断前に行われる。そしてかかる接着時に、接着剤（接着剤層４２）は、押し圧により素子基板１０上に裾を引くように広がる。本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、かかる接着工程の前に素子基板１０を囲むように溝５を形成することで、端子１１３上に接着剤が被さる現象を抑制するものである。 The adhesive layer 42 is made of, for example, an adhesive such as a thermosetting or ultraviolet curable epoxy resin or acrylic resin. The protective substrate 40 is disposed on the element substrate 10 (on the color filter 36) on an adhesive (adhesive layer 42) supplied by a dispenser or the like, and is adhered by applying a pressing pressure.
Here, a plurality of organic EL panels 1 are formed on a mother substrate 2 (see FIG. 4) described later, and then divided into individual organic EL panels 1. Such an adhesion process is performed before the mother substrate 2 is divided. At the time of such bonding, the adhesive (adhesive layer 42) spreads on the element substrate 10 so as to draw a skirt by pressing pressure. In the method for manufacturing the organic EL panel according to the present embodiment, the groove 5 is formed so as to surround the element substrate 10 before the bonding step, thereby suppressing the phenomenon that the adhesive is covered on the terminal 113.

図４は、有機ＥＬパネルを複数個取りできるマザー基板を示す図である。図４（ａ）はマザー基板の全体図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡで示す部分の拡大図である。
本実施形態におけるマザー基板２は、ウェハー状の半導体基板であり、例えば単結晶シリコンからなる。直径は例えば２００ｍｍ、厚さは例えば７２５μｍであり、一か所にいわゆるオリフラが形成されている。オリフラの方向がＸ方向である。そしてＸ方向と直交する方向がＹ方向であり、Ｘ方向及びＹ方向の双方と直交する方向がＺ方向である。 FIG. 4 is a diagram showing a mother substrate on which a plurality of organic EL panels can be obtained. 4A is an overall view of the mother substrate, and FIG. 4B is an enlarged view of a portion indicated by A in FIG. 4A.
The mother substrate 2 in the present embodiment is a wafer-like semiconductor substrate and is made of, for example, single crystal silicon. The diameter is, for example, 200 mm, the thickness is, for example, 725 μm, and a so-called orientation flat is formed in one place. The direction of the orientation flat is the X direction. The direction orthogonal to the X direction is the Y direction, and the direction orthogonal to both the X direction and the Y direction is the Z direction.

上述したように、マザー基板２は、最終的に複数個の第１基板としての素子基板１０に分断される。個々の素子基板１０は分断予定線４で区画されている。マザー基板２には、個々の素子基板１０に、図４（ｂ）に示すように保護基板４０が貼り合された後、分断予定線４を中心とする所定の幅Ｌを有する溝５が形成される。そして最終的には、該溝５により分断される。言い換えると、有機ＥＬパネル１は、マザー基板２上に複数個が一括して形成された後、溝５により分断されて個々の有機ＥＬパネル１となる。なお、本実施形態では、溝５の幅は後述するように略１００μｍである。 As described above, the mother substrate 2 is finally divided into a plurality of element substrates 10 as first substrates. Each element substrate 10 is partitioned by a dividing line 4. In the mother substrate 2, a protective substrate 40 is bonded to each element substrate 10 as shown in FIG. 4 (b), and then a groove 5 having a predetermined width L around the planned dividing line 4 is formed. Is done. Finally, it is divided by the groove 5. In other words, a plurality of organic EL panels 1 are collectively formed on the mother substrate 2 and then divided by the grooves 5 to become individual organic EL panels 1. In the present embodiment, the width of the groove 5 is approximately 100 μm as will be described later.

＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
図５〜図７は、第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法を示す図である。
図５は、第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造工程をステップ毎に示すフローチャートである。図６、図７は、有機ＥＬパネルの製造工程を模式的に示す工程断面図である。なお、図６、図７は、Ｙ方向において有機ＥＬパネルを横断する断面図である。 <Method for producing organic EL panel>
5-7 is a figure which shows the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of 1st Embodiment.
FIG. 5 is a flowchart showing the manufacturing process of the organic EL panel of the first embodiment for each step. 6 and 7 are process cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL panel. 6 and 7 are cross-sectional views crossing the organic EL panel in the Y direction.

図５に示すように、本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ層３５を形成するステップＳ１と、封止膜３４を形成するステップＳ２と、カラーフィルター３６を形成するステップＳ３と、溝５を形成するステップＳ４と、接着剤を供給するステップＳ５と、保護基板４０を貼り合せるステップＳ６と、（マザー基板２を）ダイシングするステップＳ７と、を含んでいる。
ステップＳ１が第１の工程である。ステップＳ２が第２の工程である。ステップＳ３が第６の工程である。ステップＳ４が第３の工程である。ステップＳ５とステップＳ６が第４の工程である。ステップＳ７が第５の工程である。 As shown in FIG. 5, the organic EL panel manufacturing method of the present embodiment includes step S1 for forming the organic EL layer 35, step S2 for forming the sealing film 34, and step S3 for forming the color filter 36. Step S4 for forming the groove 5, step S5 for supplying an adhesive, step S6 for bonding the protective substrate 40, and step S7 for dicing (mother substrate 2) are included.
Step S1 is the first step. Step S2 is the second step. Step S3 is the sixth step. Step S4 is the third step. Steps S5 and S6 are the fourth step. Step S7 is the fifth step.

図６（ａ）は、ステップＳ１を示している。
図６（ａ）に示すように、ステップＳ１では、マザー基板２における個々の素子基板１０の表示領域７に、有機ＥＬ素子３０等を含む有機ＥＬ層３５を形成する。並行して有機ＥＬ層３５に電気的に接続されている端子１１３を形成する。有機ＥＬ層３５等を構成する個々の要素の材料及び形成方法は上述の通りである。
マザー基板２は、将来的にダイシングされて、個々の素子基板１０（有機ＥＬパネル１）に分断される。ダイシングは、所定の幅を有するダイシングブレード５０（図６（ｄ）参照）を用いて、マザー基板２における素子基板１０を囲む環状の領域を切削し除去することで行われる。かかるダイシングされる領域の中心線が分断予定線４である。 FIG. 6A shows step S1.
As shown in FIG. 6A, in step S1, an organic EL layer 35 including the organic EL elements 30 and the like is formed in the display area 7 of each element substrate 10 in the mother substrate 2. In parallel, the terminal 113 electrically connected to the organic EL layer 35 is formed. The material and forming method of the individual elements constituting the organic EL layer 35 and the like are as described above.
The mother substrate 2 is diced in the future and divided into individual element substrates 10 (organic EL panels 1). Dicing is performed by cutting and removing an annular region surrounding the element substrate 10 in the mother substrate 2 using a dicing blade 50 (see FIG. 6D) having a predetermined width. The center line of the region to be diced is the planned dividing line 4.

図６（ｂ）は、ステップＳ２を示している。
図６（ｂ）に示すように、ステップＳ２では、封止領域８に、有機ＥＬ層３５を覆うように封止膜３４を形成する。上述したように、そして図３に示すように、封止膜３４は、対向電極３３の側から順に積層された第１封止膜３４ａと、平坦化層３４ｂと、第２封止膜３４ｃとで構成されている。各膜層の材質及び形成方法も上述の通りである。 FIG. 6B shows step S2.
As shown in FIG. 6B, in step S <b> 2, a sealing film 34 is formed in the sealing region 8 so as to cover the organic EL layer 35. As described above and as shown in FIG. 3, the sealing film 34 includes the first sealing film 34 a, the planarization layer 34 b, and the second sealing film 34 c that are sequentially stacked from the counter electrode 33 side. It consists of The material and formation method of each film layer are also as described above.

図６（ｃ）は、ステップＳ３を示している。
図６（ｃ）に示すように、ステップＳ３では、封止膜３４上の表示領域７にカラーフィルター３６を形成する。カラーフィルター３６は着色材料を含有する感光性樹脂膜を素子基板１０上に成膜後、露光現像工程を行いパターニングすることで形成される。画素３（図１参照）は３原色光のいずれかを射出するため、上記の成膜工程と露光現像工程は３回行っている。なお、Ｙ方向に延在する各カラーフィルター３６間に、黒色材料を含有する感光性樹脂を用いて遮光膜（遮光ライン）を形成してもよい。 FIG. 6C shows step S3.
As shown in FIG. 6C, in step S3, a color filter 36 is formed in the display region 7 on the sealing film 34. The color filter 36 is formed by forming a photosensitive resin film containing a coloring material on the element substrate 10, performing an exposure development process, and patterning. Since the pixel 3 (see FIG. 1) emits one of the three primary colors, the film forming process and the exposure and developing process are performed three times. A light-shielding film (light-shielding line) may be formed between the color filters 36 extending in the Y direction using a photosensitive resin containing a black material.

図６（ｄ）は、ステップＳ４を示している。
図６（ｄ）に示すように、ステップＳ４では、溝５を形成する。溝５の形成は、溝５の幅に相当する厚みを有するダイシングブレード５０を用いて、マザー基板２を所定の深さまで切削することで行う。
溝５は、後述する保護基板４０を貼り合せる工程で、はみ出す接着剤４１を収納するために形成する。したがって、接着剤４１の供給量、貼り合せ後の接着剤層４２の層厚等を考慮して、幅と深さが設定される。また、上記貼り合せ工程等を実施する際のマザー基板２の強度等も考慮する。かかる強度を考えた場合、溝５が形成された部分に残されるマザー基板２の厚さは最低でも５０μｍが必要である。したがって、溝５の深さは、マザー基板２の厚さから少なくとも５０μｍを差し引いた値である。本実施形態において、マザー基板の厚さは７２５μであり、溝５の深さは略４００μｍである。
溝５の幅は一般的に用いられるダイシングブレード５０の幅を考慮すると５０μｍ〜２００μｍが好ましい。本実施形態では略１００μｍである。 FIG. 6D shows step S4.
As shown in FIG. 6D, in step S4, the groove 5 is formed. The groove 5 is formed by cutting the mother substrate 2 to a predetermined depth using a dicing blade 50 having a thickness corresponding to the width of the groove 5.
The groove 5 is formed in order to accommodate the protruding adhesive 41 in the step of bonding a protective substrate 40 described later. Accordingly, the width and depth are set in consideration of the supply amount of the adhesive 41, the layer thickness of the adhesive layer 42 after bonding, and the like. In addition, the strength of the mother substrate 2 when the bonding process is performed is also taken into consideration. In consideration of such strength, the thickness of the mother substrate 2 left in the portion where the groove 5 is formed needs to be at least 50 μm. Therefore, the depth of the groove 5 is a value obtained by subtracting at least 50 μm from the thickness of the mother substrate 2. In the present embodiment, the thickness of the mother substrate is 725 μm, and the depth of the groove 5 is approximately 400 μm.
The width of the groove 5 is preferably 50 μm to 200 μm in consideration of the width of a dicing blade 50 that is generally used. In this embodiment, it is about 100 μm.

また、溝５の幅及び深さは、接着剤層４２の層厚等から経験的に設定することもできる。後述するステップＳ６ではみ出す接着剤４１を収納するために必要な溝５の断面積は、接着剤層４２の層厚に１ｍｍ（１０００μｍ）を乗じた値であることが好ましい。ただし、保護基板４０と素子基板１０の平面視での寸法差がある場合は、それを考慮する必要がある。すなわち、上記の１ｍｍ（１０００μｍ）から上記の寸法差（１００μｍ）を減じた値を接着剤層４２の層厚（本実施形態では略２０μｍ）に乗じた値とする事ができる。したがって、本実施形態の有機ＥＬパネル１の場合、必要な溝５の最低限必要とされる断面積は、
２０μｍ×（１０００−１００）μｍ＝１８０００μｍ²
となる。したがって、例えば溝５の幅が１００μｍの場合、溝５の深さは少なくとも１８０μｍ必要となる。本実施形態では溝５の幅が１００μｍ、溝５の深さを４００μｍとしているので、はみ出した接着剤４１を充分に収納することができる。 The width and depth of the groove 5 can also be set empirically from the layer thickness of the adhesive layer 42 and the like. The cross-sectional area of the groove 5 necessary for housing the adhesive 41 protruding in step S6 described later is preferably a value obtained by multiplying the layer thickness of the adhesive layer 42 by 1 mm (1000 μm). However, when there is a dimensional difference between the protective substrate 40 and the element substrate 10 in plan view, it is necessary to consider it. That is, a value obtained by subtracting the dimensional difference (100 μm) from the above 1 mm (1000 μm) can be multiplied by the layer thickness of the adhesive layer 42 (approximately 20 μm in this embodiment). Therefore, in the case of the organic EL panel 1 of the present embodiment, the minimum required cross-sectional area of the necessary groove 5 is
20 μm × (1000-100) μm = 18000 μm ²
It becomes. Therefore, for example, when the width of the groove 5 is 100 μm, the depth of the groove 5 needs to be at least 180 μm. In this embodiment, since the width of the groove 5 is 100 μm and the depth of the groove 5 is 400 μm, the protruding adhesive 41 can be sufficiently stored.

図６（ｅ）は、ステップＳ５を示している。
図６（ｅ）に示すように、ステップＳ５では、封止膜３４及びカラーフィルター３６を覆うように接着剤４１を供給する。上述したように接着剤４１は、熱硬化性あるいは紫外線硬化性を有するエポキシ樹脂やアクリル樹脂等からなり、ディスペンサー等により供給される。 FIG. 6E shows Step S5.
As shown in FIG. 6E, in step S5, an adhesive 41 is supplied so as to cover the sealing film 34 and the color filter 36. As described above, the adhesive 41 is made of an epoxy resin, an acrylic resin, or the like having thermosetting property or ultraviolet curable property, and is supplied by a dispenser or the like.

図７（ｆ）は、ステップＳ６を示している。
図７（ｆ）に示すように、ステップＳ６では、素子基板１０に接着剤４１を介して保護基板４０を貼り合せる。貼り合せは、供給された接着剤４１上に保護基板４０を配置し所定の圧力を印加して素子基板１０との間隔を一定に保ちながら全面に紫外線を照射するか、あるいはマザー基板２を加熱することで接着剤４１を硬化させて行う。かかる硬化により接着剤層４２が形成される。上述したように、接着剤層４２の層厚は略２０μｍである。 FIG. 7F shows Step S6.
As shown in FIG. 7F, in step S6, the protective substrate 40 is bonded to the element substrate 10 via the adhesive 41. For the bonding, the protective substrate 40 is placed on the supplied adhesive 41 and a predetermined pressure is applied to irradiate the entire surface with ultraviolet rays while keeping the distance from the element substrate 10 constant, or the mother substrate 2 is heated. Thus, the adhesive 41 is cured. The adhesive layer 42 is formed by such curing. As described above, the layer thickness of the adhesive layer 42 is approximately 20 μm.

このステップＳ５とステップＳ６、すなわち第４の工程において、接着剤４１が平面視で保護基板４０からはみ出す。すなわちはみ出してあふれ出た状態で硬化される。ここで、かかるあふれ出た接着剤４１は、図示するように溝５に収納されて硬化する。したがって、溝５が、上述したような好適な幅及び深さを有していれば、あふれ出た接着剤４１が隣り合う素子基板１０に達することはない。そのため、例えば１つの素子基板１０からあふれ出た接着剤４１が、Ｙ方向において、隣り合う素子基板１０の端子１１３上に被さることが低減される。 In this step S5 and step S6, that is, in the fourth step, the adhesive 41 protrudes from the protective substrate 40 in plan view. That is, it hardens in a state of overflowing and overflowing. Here, the overflowing adhesive 41 is accommodated in the groove 5 and cured as shown. Therefore, if the groove 5 has a suitable width and depth as described above, the overflowing adhesive 41 does not reach the adjacent element substrate 10. Therefore, for example, it is reduced that the adhesive 41 overflowing from one element substrate 10 covers the terminals 113 of the adjacent element substrates 10 in the Y direction.

図７（ｇ）は、ステップＳ７を示している。
図７（ｇ）に示すように、ステップＳ７では、マザー基板２を再度ダイシングして、マザー基板２を素子基板１０毎に分断して有機ＥＬパネル１を形成する。ステップＳ７で用いるダイシングブレード５０は、ステップＳ４で用いたものと同一でもよく、また、幅が若干小さいものを用いてもよい。 FIG. 7G shows step S7.
As shown in FIG. 7G, in step S7, the mother substrate 2 is diced again, and the mother substrate 2 is divided into element substrates 10 to form the organic EL panel 1. The dicing blade 50 used in step S7 may be the same as that used in step S4, or may have a slightly smaller width.

本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、以下の効果を得る事ができる。
ステップＳ６（及びステップＳ５）、すなわち保護基板４０の貼り合せ時に、接着剤４１は平面視で保護基板４０の外側にあふれ出す。本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、かかる接着剤４１を溝５に収納することで、隣り合う他の素子基板１０上にはみ出すことを低減できる。特にＹ方向において隣り合う素子基板１０の端子１１３上に被さることを低減できる。 According to the manufacturing method of the organic EL panel of the present embodiment, the following effects can be obtained.
In step S6 (and step S5), that is, when the protective substrate 40 is bonded, the adhesive 41 overflows outside the protective substrate 40 in plan view. According to the manufacturing method of the organic EL panel of the present embodiment, by storing the adhesive 41 in the groove 5, it is possible to reduce the protrusion of the adhesive 41 onto another adjacent element substrate 10. In particular, it can reduce covering on the terminal 113 of the element substrate 10 adjacent in the Y direction.

ここで、端子１１３に接着剤が付着すると、該端子１１３に外部配線を接続する際の導通が損なわれる。すなわち、不良率の増加、及び信頼性の低下をもたらす。かかる現象を回避すべく接着剤４１の供給量を減らすと、保護基板４０が接着剤層４２から庇状に張り出して、信頼性を低下させ得る。本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、保護基板４０の貼り合せに充分な量の接着剤４１を供給し、且つ、かかる接着剤４１が隣り合う素子基板１０上にはみ出すことを低減できる。
また、本実施形態の製造方法によれば、Ｘ方向に隣り合う素子基板１０間においてもはみ出した接着剤４１を溝５に収納できるため、接着剤４１が分断予定線４上に盛り上がることを低減できる。 Here, when an adhesive adheres to the terminal 113, conduction when an external wiring is connected to the terminal 113 is impaired. That is, the defect rate increases and the reliability decreases. If the supply amount of the adhesive 41 is reduced in order to avoid such a phenomenon, the protective substrate 40 may protrude from the adhesive layer 42 in a bowl shape, and the reliability may be lowered. According to the manufacturing method of the organic EL panel of the present embodiment, a sufficient amount of the adhesive 41 for supplying the protective substrate 40 is supplied, and the adhesive 41 is prevented from protruding onto the adjacent element substrate 10. it can.
Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, the adhesive 41 that protrudes between the element substrates 10 adjacent to each other in the X direction can be stored in the groove 5, so that the adhesive 41 is prevented from rising on the planned dividing line 4. it can.

そして本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、素子基板１０（マザー基板２）上に有機ＥＬ素子３０を形成し、有機ＥＬ素子３０を覆う封止膜３４を形成した後に溝５を形成することに特徴がある。
有機ＥＬ素子３０を封止膜３４で覆うことにより、溝５の形成工程を大気中で行う事ができる。すなわち、従来のダイシング工程に要する設備等の転用が可能である。また、溝５の形成位置は、マザー基板２を最終的に分断する分断予定線４と重なっているため、ダイシングブレード５０の位置を深さ方向のみ調整することで溝５を形成できる。したがって、製造コストの増加を最小限にとどめることができる。また、本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法は、有機ＥＬ素子３０が封止膜３４で覆われている状態で溝５を形成するため、溝５の形成時に生じるマザー基板２の砕片等の異物が有機ＥＬ素子３０に付着したり、異物によって有機ＥＬ素子３０が損傷したりすることを回避できる。
したがって、本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、製造コストを殆ど増加させることなく狭額縁化を実現し、かつ、小型な有機ＥＬパネル１を歩留りよく製造することできる。 And the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of this embodiment forms the groove | channel 5 after forming the organic EL element 30 on the element substrate 10 (mother board | substrate 2), and forming the sealing film 34 which covers the organic EL element 30. FIG. There is a special feature.
By covering the organic EL element 30 with the sealing film 34, the step of forming the groove 5 can be performed in the atmosphere. That is, the equipment required for the conventional dicing process can be diverted. Moreover, since the formation position of the groove | channel 5 has overlapped with the division | segmentation planned line 4 which finally divides the mother board | substrate 2, the groove | channel 5 can be formed by adjusting the position of the dicing blade 50 only in the depth direction. Therefore, an increase in manufacturing cost can be minimized. Moreover, since the groove | channel 5 is formed in the manufacturing method of the organic electroluminescent panel of this embodiment in the state in which the organic EL element 30 is covered with the sealing film 34, the fragments etc. of the mother board | substrate 2 produced at the time of formation of the groove | channel 5 are shown. It can be avoided that the foreign matter adheres to the organic EL element 30 or the organic EL element 30 is damaged by the foreign matter.
Therefore, according to the manufacturing method of the organic EL panel of the present embodiment, it is possible to reduce the frame without substantially increasing the manufacturing cost and manufacture the small organic EL panel 1 with a high yield.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬパネルの製造方法について、図８、図９を参照して説明する。図８は本実施形態の製造工程をステップ毎に示すフローチャートである。図示するように、ステップＳ１〜ステップＳ６までは、第１実施形態と共通している。ステップＳ７のダイシング工程に代えて、ステップＳ８の基板押圧工程を実施している。図９は、かかる基板押圧工程を示す断面図である。図示するように、基板押圧工程では、図７（ｆ）に示す第２基板貼り合せ工程が終わり接着剤層４２が形成されたマザー基板に、分断予定線４に沿って、マザー基板２の裏面側から押し圧を加え、溝５に沿って分断している。 (Second Embodiment)
Next, a method for manufacturing an organic EL panel according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a flowchart showing the manufacturing process of this embodiment step by step. As shown in the figure, steps S1 to S6 are common to the first embodiment. Instead of the dicing process in step S7, a substrate pressing process in step S8 is performed. FIG. 9 is a cross-sectional view showing such a substrate pressing step. As shown in the figure, in the substrate pressing step, the back surface of the mother substrate 2 along the planned dividing line 4 is formed on the mother substrate on which the adhesive layer 42 is formed after the second substrate bonding step shown in FIG. A pressing pressure is applied from the side to divide along the groove 5.

上述したように、マザー基板２は７２５μｍの厚さに対して半分以上となる４００μｍの深さの溝５が形成されているので、２回目のダイシングをせずに、押し圧を加えることでも分断できる。
本実施形態の有機ＥＬパネルの製造方法によれば、２回目のダイシング工程を必要としないため、製造コストの増加を抑制できる。特に第１実施形態のステップＳ７で幅の異なるダイシングブレード５０を用いる場合に、より一層効果を奏する。なお、本実施形態において押し圧を加える方向は、マザー基板２の表側からとすることもできる。 As described above, since the mother substrate 2 has the groove 5 having a depth of 400 μm, which is more than half of the thickness of 725 μm, it can be divided by applying a pressing force without dicing the second time. it can.
According to the manufacturing method of the organic EL panel of the present embodiment, since the second dicing process is not required, an increase in manufacturing cost can be suppressed. In particular, when the dicing blade 50 having a different width is used in step S7 of the first embodiment, the effect is further enhanced. In the present embodiment, the direction in which the pressing pressure is applied can be from the front side of the mother substrate 2.

（第３実施形態）
「電子機器」
図１０は、電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイの概略図である。図１０に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。 (Third embodiment)
"Electronics"
FIG. 10 is a schematic diagram of a head mounted display as an example of an electronic apparatus. As shown in FIG. 10, the head mounted display 1000 has two display units 1001 provided corresponding to the left and right eyes. The observer M can see characters and images displayed on the display unit 1001 by wearing the head mounted display 1000 on the head like glasses. For example, if an image in consideration of parallax is displayed on the left and right display units 1001, a stereoscopic video can be viewed and enjoyed.

表示部１００１には、上記実施形態に係る有機ＥＬパネル１が搭載されている。有機ＥＬパネル１は、上述したように狭額縁化により小型化、軽量化が達成されている。また有機ＥＬパネル１の外形に占める表示領域７の大きさが拡大されている。したがって、表示部１００１に上記実施形態に係る有機ＥＬパネル１を搭載することによって、軽量化され表示性能が向上したヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。 The organic EL panel 1 according to the above embodiment is mounted on the display unit 1001. As described above, the organic EL panel 1 is reduced in size and weight by narrowing the frame. Further, the size of the display area 7 occupying the outer shape of the organic EL panel 1 is enlarged. Therefore, by mounting the organic EL panel 1 according to the above embodiment on the display unit 1001, it is possible to provide a head mounted display 1000 that is reduced in weight and improved in display performance.

なお、上記実施形態に係る有機ＥＬパネル１が搭載される電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部を有する電子機器に搭載してもよい。 The electronic device on which the organic EL panel 1 according to the above embodiment is mounted is not limited to the head mounted display 1000. For example, it may be mounted on an electronic device having a display unit such as a head-up display, an electronic viewfinder of a digital camera, a portable information terminal, or a navigator.

本発明の実施の態様は上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能である。そしてそのような変更を伴う有機ＥＬパネルの製造方法、該製造方法で製造された有機ＥＬパネル、及びかかる有機ＥＬパネルを備える電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。以下、具体的な例を挙げて変形例を説明する。 Embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately changed without departing from the spirit or concept of the invention that can be read from the claims and the entire specification. And the manufacturing method of the organic electroluminescent panel accompanying such a change, the organic electroluminescent panel manufactured by this manufacturing method, and an electronic device provided with this organic electroluminescent panel are also contained in the technical scope of this invention. In the following, modifications will be described with specific examples.

（変形例１）
上記各実施形態では、溝５を、Ｘ方向とＹ方向の双方に、すなわち格子状に形成していた。しかし、溝５の形成位置は上記に限定されるわけではなく、例えばＸ方向のみに形成する形態も可能である。
かかる構成であれば、端子１１３上に接着剤４１が被さる現象を、上記各実施形態と同様に低減できる。したがって、信頼性を損ねずに有機ＥＬパネル１の狭額縁化及び小型化が可能となる。そして、溝５の形成をＸ方向のみに限定することで、Ｘ方向とＹ方向とに溝５を形成する場合に比べて、製造コストの増加を抑制できる。 (Modification 1)
In each of the above embodiments, the grooves 5 are formed in both the X direction and the Y direction, that is, in a lattice shape. However, the formation position of the groove 5 is not limited to the above, and a form in which only the X direction is formed, for example, is also possible.
With this configuration, the phenomenon of the adhesive 41 covering the terminals 113 can be reduced as in the above embodiments. Therefore, it is possible to reduce the frame size and size of the organic EL panel 1 without impairing the reliability. Then, by limiting the formation of the groove 5 only to the X direction, an increase in manufacturing cost can be suppressed as compared with the case where the groove 5 is formed in the X direction and the Y direction.

（変形例２）
上記各実施形態では、封止膜３４の上にカラーフィルター３６を形成していた。しかし、カラーフィルター３６を用いない有機ＥＬパネルにおいても、溝５を形成することで、狭額縁化及び小型化を実現することは可能である。
カラーフィルター３６を用いない場合でも、対向電極３３と反射層２７との間に形成される共振構造を利用することで、白色光を発する発光機能層３２を用いつつ有機ＥＬ素子３０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の色毎に特定の波長範囲の光を射出させることが可能となる。 (Modification 2)
In each of the above embodiments, the color filter 36 is formed on the sealing film 34. However, even in an organic EL panel that does not use the color filter 36, it is possible to reduce the frame and reduce the size by forming the grooves 5.
Even when the color filter 36 is not used, the organic EL element 30 (R, G) is used while using the light emitting functional layer 32 that emits white light by utilizing the resonance structure formed between the counter electrode 33 and the reflective layer 27. , B), it is possible to emit light in a specific wavelength range for each color.

（変形例３）
上記各実施形態では、単結晶シリコンからなる半導体基板をマザー基板２として用いている。しかし、マザー基板２は単結晶シリコンではなく石英等の絶縁材料を用いることも可能である。かかる場合でも、ＴＦＴ（薄膜トランジスター）技術を用いることで、有機ＥＬ素子３０と駆動回路とからなるサブ画素を形成でき、マザー基板２に複数の有機ＥＬパネル１を形成する事ができる。そして、石英等からなるマザー基板２を分断する際に溝５を形成して接着剤４１を収納することで、狭額縁化及び小型化を達成できる。 (Modification 3)
In each of the above embodiments, a semiconductor substrate made of single crystal silicon is used as the mother substrate 2. However, the mother substrate 2 can use an insulating material such as quartz instead of single crystal silicon. Even in such a case, by using a TFT (Thin Film Transistor) technique, a sub-pixel including the organic EL element 30 and the drive circuit can be formed, and a plurality of organic EL panels 1 can be formed on the mother substrate 2. Then, when the mother substrate 2 made of quartz or the like is divided, the groove 5 is formed and the adhesive 41 is accommodated, whereby a narrow frame and a small size can be achieved.

上記実施形態では、マザー基板２に複数の第１基板としての素子基板１０がレイアウトされるとしたが、マザー基板２のレイアウトされる素子基板１０の数は、１つでも本願の狭額縁化を実現する効果を得ることができる。 In the above embodiment, the element substrate 10 as a plurality of first substrates is laid out on the mother substrate 2. However, the number of the element substrates 10 laid out on the mother substrate 2 can be reduced to a narrow frame. The effect to be realized can be obtained.

１…有機ＥＬパネル、２…マザー基板、３…画素、４…分断予定線、５…溝、７…表示領域（発光エリア）、８…封止領域（封止エリア）、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…ウェル部、１０ｂ…イオン注入部、１０ｃ…ＳＴＩ、１０ｄ…ゲート絶縁膜、１１…ゲート電極、２２…コンタクトホール、２３…第１層間絶縁膜、２４…容量、２５…第２層間絶縁膜、２７…反射層、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３４…封止膜、３５…有機ＥＬ層、３６…カラーフィルター、４０…第２基板としての保護基板、４１…接着剤、４２…接着剤層、５０…ダイシングブレード、１０３…走査線、１０４…データ線、１０５…点灯制御線、１０６…電源線、１１３…端子、１２１，１２２，１２３，１２４…トランジスター、１０００…ヘッドマウントディスプレイ、１００１…表示部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL panel, 2 ... Mother board | substrate, 3 ... Pixel, 4 ... Planned parting line, 5 ... Groove, 7 ... Display area (light emission area), 8 ... Sealing area (sealing area), 10 ... 1st board | substrate 10a ... well portion, 10b ... ion implanted portion, 10c ... STI, 10d ... gate insulating film, 11 ... gate electrode, 22 ... contact hole, 23 ... first interlayer insulating film, 24 ... capacitance, 25 ... 2nd interlayer insulation film, 27 ... reflective layer, 30 ... organic EL element, 31 ... pixel electrode, 32 ... light emitting functional layer, 33 ... counter electrode, 34 ... sealing film, 35 ... organic EL layer, 36 ... color filter, 40 ... Protective substrate as second substrate, 41 ... Adhesive, 42 ... Adhesive layer, 50 ... Dicing blade, 103 ... Scanning line, 104 ... Data line, 105 ... Lighting control line, 106 ... Power supply line, 113 ... Terminal 121, 122, 12 , 124 ... transistor, 1000 ... head-mounted display, 1001 ... the display unit.

Claims

In a mother substrate on which a first substrate is laid out, a first step of forming an organic EL element on the first substrate;
A second step of forming a sealing film so as to cover the organic EL element;
After the second step, a third step of forming a groove in at least a part of a planned dividing line for taking out the first substrate from the mother substrate;
A fourth step of bonding a second substrate to each of the plurality of first substrates via an adhesive so as to cover the sealing film after the third step;
After the fourth step, a fifth step of dividing the mother substrate along the division line,
The manufacturing method of the organic electroluminescent panel characterized by having.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel according to claim 1, and has a plurality of terminals arranged in the 1st direction along one side of the 1st substrate,
In the third step, the plurality of terminals of one of the first substrates and the organic of the other first substrate among the first substrates adjacent to each other in a second direction orthogonal to the first direction. A method of manufacturing an organic EL panel, wherein the groove is formed in the planned dividing line with an end portion of a display region in which an EL element is formed.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel of Claim 1 or 2, Comprising:
In the third step, the groove is formed in a region having a predetermined width with the planned dividing line as a center line.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel of any one of Claims 1 thru | or 3, Comprising:
The depth of the said groove | channel is larger than the thickness of the said adhesive agent between the said 1st board | substrate after bonding, and the said 2nd board | substrate, The manufacturing method of the organic electroluminescent panel characterized by the above-mentioned.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel of any one of Claims 1 thru | or 3, Comprising:
The depth of the groove is a value obtained by subtracting at least 50 μm from the thickness of the first substrate.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel of any one of Claims 1 thru | or 5, Comprising:
The method for manufacturing an organic EL panel, wherein the predetermined width is 50 μm to 200 μm.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel of any one of Claims 1 thru | or 6, Comprising:
In the third step, the groove is formed at a position that does not overlap the second substrate in plan view along the normal line of the mother substrate.

It is a manufacturing method of the organic electroluminescent panel of any one of Claims 1 thru | or 7, Comprising:
The method for manufacturing an organic EL panel further comprising a sixth step of forming a color filter on the upper layer of the sealing film between the second step and the third step.

An organic EL panel manufactured by the method for manufacturing an organic EL panel according to claim 1.

An electronic apparatus comprising the organic EL panel according to claim 9.