JP2015052468A - 除染装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】土壌等の処理対象物からセシウムを効率よく除染するとともに、セシウムに汚染された対象物を減容化する設備を提供する。【解決手段】除染装置100は、処理対象物SCsをセシウムの沸点以上に加熱し、当該処理対象物からセシウムを気化させる加熱炉210と、気化したセシウムを冷却する冷却部310と、セシウムを吸着する吸着材Aを内在させ、冷却部310によって冷却されたセシウムを当該吸着材Aに吸着させる吸着部410と、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、土壌等の処理対象物に付着した放射性物質を除去する除染装置に関する。
近年、土壌が広範囲に亘って放射性物質(例えば、セシウム137)で汚染される事態が発生したため、土壌の除染が行われている。土壌の除染として、例えば、汚染された土壌(以下、「汚染土壌」と称する)を取り除いて貯蔵施設で貯蔵し、取り除いた汚染土壌に代えて汚染されていない土壌を設置する技術がある。しかし、土壌の汚染は広範囲に亘るため、莫大な量の汚染土壌の貯蔵が必要となり、莫大な敷地を確保して貯蔵施設を建設しなければならず、現実的ではなかった。
一方、昨今、土壌のうち相対的に粒径が小さいシルトに、多くの放射性物質が付着していることが分かってきた。そこで、汚染されたシルト(以下、「汚染シルト」と称する)を汚染土壌から分離し、汚染シルトのみを貯蔵するということが考えられる。しかし、汚染土壌から汚染シルトを分離するには、煩雑な作業やコストを要してしまう。また、汚染シルトのみを貯蔵する場合、汚染土壌全体を貯蔵する場合と比較して、貯蔵施設をある程度小さくすることができる。しかし、貯蔵施設は小さければ小さい方が好ましいため、放射性物質に汚染された物のさらなる減容化(濃縮)が希求されている。
そこで、使用済み核燃料等の高レベル放射性廃棄物からセシウムを除去する技術として、高レベル放射性廃棄物を900℃に加熱し、セシウムを気化させて除去する技術が開示されており(例えば、特許文献1)、この技術を利用して、汚染土壌からセシウムを除去する(汚染土壌を除染する)ことが考えられる。
特公平7−69466号公報
しかし、特許文献1の技術では、気化させたセシウムをどのように処理するかといった具体的な構成が一切開示されておらず、気化させたセシウムの処理についての技術は未だ確立されていない。
そこで、本発明は、土壌等の処理対象物を加熱することで、当該処理対象物からセシウムを気化させて分離し、気化したセシウムを濃縮することで、処理対象物を効率よく除染するとともに、セシウムに汚染された物を減容化することが可能な除染装置を提供することを目的としている。
上記課題を解決するために、本発明の除染装置は、処理対象物をセシウムの沸点以上に加熱し、当該処理対象物からセシウムを気化させる加熱炉と、気化したセシウムを冷却する冷却部と、セシウムを吸着する吸着材を内在させて、冷却部によって冷却されたセシウムを当該吸着材に吸着させる吸着部と、を備えたことを特徴とする。
また、冷却部は、気化したセシウムにHOを噴霧し、当該気化したセシウムをセシウムの沸点未満であって、HOの沸点以上に冷却するとしてもよい。
また、冷却部は、気化したセシウムを20℃〜50℃の範囲の任意の温度に冷却するとしてもよい。
吸着材は、ゼオライトであるとしてもよい。
本発明によれば、土壌等の処理対象物を加熱することで、当該処理対象物からセシウムを気化させて分離し、気化したセシウムを濃縮することで、処理対象物を効率よく除染するとともに、セシウムに汚染された物を減容化することが可能となる。
第1の実施形態にかかる除染装置の概略的な構造を説明するための図である。 第2の実施形態にかかる除染装置の概略的な構造を説明するための図である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値等は、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態にかかる除染装置100の概略的な構造を説明するための図である。図1に示すように、除染装置100は、加熱炉210と、第1連通管110と、冷却部310と、第2連通管120と、吸着部410と、排気管130と、フィルタ140と、排気部150とを含んで構成される。図1中、固体の流れを白抜きの矢印で、ガスの流れを実線の矢印で示す。また、本実施形態の図1では、垂直に交わるX軸、Y軸、Z軸を図示の通り定義している。
ここで、各機能部の連通関係について説明すると、加熱炉210は第1連通管110を介して冷却部310と連通しており、冷却部310は第2連通管120を介して吸着部410と連通している。そして、吸着部410には、排気管130が接続されている。したがって、加熱炉210、第1連通管110、冷却部310、第2連通管120、吸着部410、排気管130は、内部で連通していることになる。排気管130には、ガスを排気するファン等で構成される排気部150が設けられているため、排気部150を駆動すると、加熱炉210、第1連通管110、冷却部310、第2連通管120、吸着部410、排気管130は負圧となり、加熱炉210で発生したガスは、第1連通管110、冷却部310、第2連通管120、吸着部410、排気管130を介して外部に排気されることになる。以下、各機能部の具体的な構成について詳述する。
加熱炉210は、導入部212と、炉本体214と、加熱部216と、送出部218とを含んで構成される。導入部212は、例えば、ロータリーバルブで構成され、炉本体214に、処理対象物SCsを導入する。処理対象物SCsは、セシウム(セシウム137)が付着(吸着)した土壌等の固形物である。
加熱部216は、炉本体214に導入された処理対象物SCsをセシウムの沸点(671℃)以上の予め定められた温度T1になるように加熱する。ここで温度T1は、セシウムの沸点以上であればよいが、処理対象物SCsからのセシウムの脱着に要するエネルギーを加味して、800℃以上が好ましい。また、温度T1を上げすぎると、加熱に要する消費エネルギーが増加してしまうので、例えば、下限値を800℃とし上限値を850℃とし、温度T1が800℃〜850℃の範囲内になるようにヒステリシス制御を行うとよい。具体的に説明すると、800℃未満になると加熱部216が加熱を開始し、850℃以上になると加熱部216が加熱を停止してもよい。
加熱部216が処理対象物SCsを加熱することにより、処理対象物SCsからセシウムを気化させて除去することができる。そして、気化したセシウム(以下、「セシウムガスG1」と称する)は、第1連通管110を通じて後段の冷却部310に導入される。
送出部218は、例えば、ロータリーバルブで構成され、セシウムが除去された処理対象物Sを炉本体214から外部へ送出する。このようにして、セシウムが除去された処理対象物Sは、除染された土壌として利用することができる。
第1連通管110は、炉本体214の上部と、後述する冷却塔312の上部とを接続し、炉本体214と、冷却塔312とを連通する管であり、セシウムガスG1が流通する。
冷却部310は、冷却塔312と、冷却機構314とを含んで構成される。冷却塔312には、第1連通管110を介して、加熱部216で生成されたセシウムガスG1が導入される。冷却機構314は、例えば、冷却塔312内のセシウムガスG1にHO(物質としての水)を噴霧(スプレー)する噴霧部で構成され、セシウムガスG1を予め定められた温度T2まで冷却してセシウムガスG2を生成する。
後段の吸着部410では、雰囲気温度が低いほど吸着材によるセシウムの吸着効率が上昇する。そこで、冷却部310を備え、吸着部410に導入する前にセシウムガスG1を冷却することにより、吸着部410における吸着効率を向上させることができる。また、本実施形態における冷却機構314は、熱容量の大きいHOを噴霧してセシウムガスG1を冷却するので、冷却に要するコストを低減することが可能となる。
本実施形態において、上記温度T2は、HOが凝縮しない温度、すなわち、セシウムの沸点未満であってHOの沸点(100℃)以上の温度であり、例えば、150℃程度である。そうすると、セシウムガスG2中において、セシウムは、粒子状(ミスト状)の液体として存在することとなる。
このように、冷却部310が、HOが凝縮しない温度までセシウムガスG1を冷却することにより、冷却部310から吸着部410へ送出されるガス中でHOが凝縮してしまう事態を回避することができる。つまり、セシウムガスG2は、気体のセシウムと、水蒸気とで構成されることとなる。吸着部410に配される吸着材は、セシウムのみならず水(液体)を吸着してしまうため、冷却部310がHOを凝縮させない構成により、吸着部410においてセシウムを選択的に吸着させることが可能となる。
第2連通管120は、冷却塔312の下部と、後述する吸着塔412の下部とを接続し、冷却塔312と吸着塔412とを連通する管であり、セシウムガスG2が流通する。
吸着部410は、吸着塔412と、保持部414と、導入部416と、排出部418とを含んで構成され、セシウムを吸着する吸着材Aを内在させて、冷却部310によって冷却されたセシウムガスG2を吸着材Aに吸着させる。
具体的に説明すると、保持部414は、吸着塔412の水平面(図1中、XY平面)に亘って設けられた第1の多孔板414aと、第1の多孔板414aより鉛直上方であって吸着塔412の水平面に亘って設けられた第2の多孔板414bとを含んで構成され、吸着材Aを保持する。第1の多孔板414aおよび第2の多孔板414bは、複数の孔が設けられた板であり、孔の大きさは、吸着材Aが通過不可能であり、第2連通管120を通じて導入されたセシウムガスG2が通過可能な寸法関係を維持している。
導入部416は、例えば、ロータリーバルブで構成され、吸着塔412の上部から保持部414に吸着材Aを導入する。また、排出部418は、例えば、ロータリーバルブで構成され、吸着塔412の下部から外部へ吸着材ACsを排出する。
このように、吸着塔412(保持部414)において、吸着材Aは、鉛直上方から鉛直下方に向けて流動し、セシウムガスG2は、鉛直下方から鉛直上方に向けて流動することとなり(対向流)、保持部414において、吸着材AとセシウムガスG2とが接触する。したがって、保持部414を通過する間にセシウムガスG2中のセシウムが吸着材Aに吸着される(セシウムガスG2からセシウムが除去される)。
これにより、保持部414を通過し排気管130に導かれるガスG3には、セシウムがほとんど含まれないことになる。一方、保持部414を通過し、排出部418によって排出される吸着材ACsは、セシウムが吸着した(濃縮された)吸着材ACsとなる。
ここで、吸着材Aは、例えば、ゼオライトや活性炭であり、好ましくはゼオライトである。吸着材Aとしてゼオライトを採用することで、セシウムを効率よく吸着できる。したがって、セシウムを高濃度に濃縮することができ、セシウムに汚染された物(以下、「セシウム汚染物」と称する)を減容化することが可能となる。また、セシウム汚染物として、セシウムが吸着されたゼオライトを貯蔵する場合、出火等の心配がなく安全に保管することができる。さらに、ゼオライトは安価であるため、吸着材Aに要するコストを低減することが可能となる。
なお、上述したように、吸着塔412内は、負圧であるため、吸着材Aによってセシウムが除去されたガスG3は、導入部416や、排出部418から外部へ流出することなく、排気部150によって排気管130に導かれる。
フィルタ140は、例えば、HEPA(High Efficiency Particulate Air)フィルタであり、ガスG3に微量のセシウムが含まれる場合を勘案して設けられ、ガスG3に含まれるセシウムを除去する。そして、フィルタ140によってセシウムが除去されたガスG4は、排気部150によって、外部に排出されることとなる。
以上説明したように、本実施形態にかかる除染装置100によれば、汚染土壌等の処理対象物SCsを加熱することで、当該処理対象物SCsからセシウムを気化させて分離し、気化したセシウムを吸着材Aで濃縮することで、処理対象物SCsを効率よく除染するとともに、セシウム汚染物(セシウムが吸着した吸着材ACs)を減容化することが可能となる。また、除染装置100は、汚染シルトを分離することなく汚染土壌をそのまま処理することができるため、作業者の手間を省くことが可能となる。
(第2の実施形態)
上述した第1の実施形態では、冷却機構314がHOを噴霧する噴霧部で構成される場合について説明した。したがって、セシウムガスG1をHOが凝縮しない程度の温度までしか冷却することができない。そこで、第2の実施形態では、冷却機構を工夫することで、セシウムガスG1をさらに冷却させることができる除染装置について説明する。
図2は、第2の実施形態にかかる除染装置500の概略的な構造を説明するための図である。図2に示すように、除染装置500は、加熱炉210と、第1連通管110と、冷却部510と、第2連通管120と、吸着部410と、排気管130と、フィルタ140と、排気部150とを含んで構成される。図2中、固体の流れを白抜きの矢印で、ガスの流れを実線の矢印で示す。
なお、第1の実施形態における構成要素として既に述べた加熱炉210、第1連通管110、第2連通管120、吸着部410、排気管130、フィルタ140、排気部150は、実質的に機能が等しいので重複説明を省略し、ここでは、構成が相違する冷却部510を主に説明する。
冷却部510は、冷却塔312と、冷却機構514とを含んで構成される。冷却塔312には、第1連通管110を介して、加熱部216で生成されたセシウムガスG1が導入される。冷却機構514は、熱交換器で構成され、冷却塔312内のセシウムガスG1を予め定められた温度T3になるように冷却してセシウムガスG5を生成するとともに、熱媒体を加熱する。本実施形態において、温度T3は、例えば、下限値を20℃とし上限値を50℃とし、温度T3が20℃〜50℃の範囲内になるようにヒステリシス制御を行うとよい。具体的に説明すると、50℃以上になると冷却機構514が冷却を開始し、20℃未満になると冷却機構514が冷却を停止してもよい。
ここで、熱交換器を流通する熱媒体は、例えば、水や空気である。なお、温度T3がセシウムの融点(28℃)未満である場合、セシウムガスG5中において、セシウムは、粒子状の固体として存在し、セシウムの融点以上である場合、セシウムガスG5中において、セシウムは、粒子状の液体として存在する。
このように、冷却機構514を熱交換器で構成することにより、セシウムガスG1をHOの沸点未満まで冷却することができ、吸着部410における吸着効率をさらに向上させることが可能となる。
また、冷却塔312にHOを導入することがないため、セシウムガスG5の量(つまり、ガスG3、G4の量)が増加してしまう事態を回避することができる。したがって、フィルタ140や排気部150のメンテナンス性を向上することができる。また、排気部150の消費エネルギーを削減することが可能となる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上述した第1の実施形態において、冷却機構314が、セシウムガスG1にHOを噴霧する構成について説明したが、HOに代えて空気を噴霧してセシウムガスG1を冷却してもよい。この場合、冷却機構314は、セシウムガスG1をHOの沸点未満まで冷却することができる。
本発明は、土壌等の処理対象物に付着した放射性物質を除去する除染装置に利用することができる。
100、500 除染装置
210 加熱炉
310、510 冷却部
410 吸着部

Claims (4)

  1. 処理対象物をセシウムの沸点以上に加熱し、当該処理対象物からセシウムを気化させる加熱炉と、
    気化した前記セシウムを冷却する冷却部と、
    前記セシウムを吸着する吸着材を内在させて、前記冷却部によって冷却された前記セシウムを当該吸着材に吸着させる吸着部と、
    を備えたことを特徴とする除染装置。
  2. 前記冷却部は、前記気化したセシウムにHOを噴霧し、当該気化したセシウムを前記セシウムの沸点未満であって、HOの沸点以上に冷却することを特徴とする請求項1に記載の除染装置。
  3. 前記冷却部は、前記気化したセシウムを20℃〜50℃の範囲の任意の温度に冷却することを特徴とする請求項1に記載の除染装置。
  4. 前記吸着材は、ゼオライトであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の除染装置。
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