JP2015046236A - 発光装置及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高信頼性の発光装置及び照明装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、ベース部材と、複数の半導体発光素子と、実装基板部と、金属板と、接合層と、グリス層と、固定部と、を含む照明装置が提供される。複数の半導体発光素子は、ベース部材と離間する。実装基板部は、ベース部材と複数の半導体発光素子との間に設けられたセラミック基板を含む。金属板は、ベース部材と実装基板部との間に設けられる。金属板は、外縁部と外縁部の内側の内側部とを有する。内側部の最大の長さに対する金属板の厚さの比は、０．０４２以上である。接合層は、実装基板部と金属板との間に設けられ実装基板部と金属板とを接合する。グリス層は、ベース部材と金属板との間に設けられる。固定部は、金属板の外縁部とベース部材とを固定する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、発光装置及び照明装置に関する。

例えば、青色光を発光する半導体発光素子と、光の波長を変換する蛍光体と、を組み合わせて白色光を発光する発光装置がある。このような発光装置は、投光器などの照明装置などに応用できる。このような発光装置において、信頼性を高めることが望まれる。

特開平８−８３７２号公報

本発明の実施形態は、高信頼性の発光装置及び照明装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、ベース部材と、複数の半導体発光素子と、実装基板部と、金属板と、接合層と、グリス層と、固定部と、を含む照明装置が提供される。前記複数の半導体発光素子は、前記ベース部材と離間する。前記実装基板部は、前記ベース部材と前記複数の半導体発光素子との間に設けられたセラミック基板を含む。前記金属板は、前記ベース部材と前記実装基板部との間に設けられる。前記金属板は、外縁部と前記外縁部の内側の内側部とを有する。前記内側部の最大の長さに対する前記金属板の厚さの比は、０．０４２以上である。前記接合層は、前記実装基板部と前記金属板との間に設けられ前記実装基板部と前記金属板とを接合する。前記グリス層は、前記ベース部材と前記金属板との間に設けられる。前記固定部は、前記金属板の前記外縁部と前記ベース部材とを固定する。

本発明の実施形態によれば、高信頼性の発光装置及び照明装置が提供される。

図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。 発光装置及び照明装置の特性を例示する模式図である。 発光装置及び照明装置の特性を例示するグラフ図である。 発光装置及び照明装置の特性を例示するグラフ図である。 第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。 第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式的平面図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。 第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式的断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
図１（ａ）は平面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示す断面図である。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、ベース部材７１と、グリス層５３と、金属板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、複数の半導体発光素子２０と、を含む。発光装置１１０は、例えば、照明装置２１０に用いられる。

ベース部材７１から実装基板部１５に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

ベース部材７１の上に、グリス層５３、金属板５１、接合層５２、実装基板部１５、及び、複数の半導体発光素子２０が、この順で配置される。

すなわち、複数の半導体発光素子２０は、ベース部材７１と、Ｚ軸方向において離間する。実装基板部１５は、セラミック基板１０を含む。セラミック基板１０は、ベース部材７１と複数の半導体発光素子との間に設けられる。金属板５１は、ベース部材７１と実装基板部１５との間に設けられる。

図１（ａ）に例示したように、金属板５１は、外縁部５１ｏと、内側部５１ｉと、を有する。内側部５１ｉは、外縁部５１ｏの内側に位置する。金属板５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、外縁部５１ｏは、金属板５１の外縁５１ｒに沿って設けられる。金属板５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、内側部５１ｉは、外縁部５１ｏの内側に位置する。外縁部５１ｏと、内側部５１ｉと、の例については、後述する。

図１（ｂ）に例示したように、接合層５２は、実装基板部１５と金属板５１との間に設けられる。接合層５２は、実装基板部１５と金属板５１とを接合する。

グリス層５３は、ベース部材７１と金属板５１との間に設けられる。グリス層５３は、金属板５１の熱をベース部材７１に伝達する。

固定部７５は、金属板５１の外縁部５１ｏと、ベース部材７１と、を固定する。この例では、金属板５１は、外縁部５１ｏに設けられた孔５８（例えば貫通孔）を有している。固定部７５には、ネジが用いられる。ネジが、孔５８を介して、ベース部材７１に到達する。すなわち、固定部７５の一部が、孔５８を通る。これにより、金属板５１の外縁部５１ｏと、ベース部材７１と、が固定される。なお、金属板５１の内側部５１ｉは、ベース部材７１とは固定されない。

以下、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した発光装置１１０（及び照明装置２１０）の例について、説明する。

発光装置１１０において、発光部４０が設けられる。金属板５１の上に、発光部４０が設けられる。金属板５１と発光部４０との間に、接合層５２が設けられる。

本願明細書において、上に設けられる状態は、直接的に上に設けられる状態の他に、間に別の要素が挿入される状態も含む。

金属板５１から発光部４０に向かう方向が積層方向に対応する。本願明細書において、積層される状態は、直接接して重ねられる状態の他に、間に別の要素が挿入されて重ねられる状態も含む。

金属板５１は、例えば板状である。金属板５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。金属板５１の平面形状は、例えば矩形である。金属板５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。金属板５１の平面形状のコーナ部は、曲線状でも良い。金属板５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。

金属板５１には、例えば、金属などの基板が用いられる。金属板５１には、例えば、銅、銅合金、または、アルミニウムなどが用いられる。

発光部４０は、光を放出する。それと同時に、発光部４０は熱を発生する。接合層５２は、発光部４０で発生した熱を、金属板５１に効率良く伝導する。接合層５２には、例えば、はんだなどが用いられる。すなわち、接合層５２は、はんだを含む。接合層５２には、例えば、Ｓｎを主材とするはんだ材が用いられる。接合層５２には、例えば、ＳｎＡｇ、ＳｎＣｕ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＳｂ、ＳｎＢｉ、または、ＳｎＺｎなどが用いられる。

発光部４０は、実装基板部１５と、発光素子部３５と、を含む。
実装基板部１５は、セラミック基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。

セラミック基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。金属板５１は、セラミック基板１０の第２主面に対向している。換言すると、第２主面１０ｂは、金属板５１側の面である。すなわち、第２主面１０ｂは、接合層５２の側の面である。

本願明細書において、対向している状態は、直接面している状態に加え、間に別の要素が挿入されている状態も含む。

第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りに設けられる。実装領域１６の例については、後述する。

セラミック基板１０は、例えば、アルミナを含む。セラミック基板１０には、例えば、アルミナを主成分とするセラミックが用いられる。高い熱伝導性と、高い絶縁性と、が得られる。高い信頼性が得られる。

第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。例えば、複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれかは、島状である。複数の実装パターン１１ｐの２つは、互いに独立している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。

複数の実装パターン１１ｐのそれぞれは、例えば、第１実装部分１１ａと、第２実装部分１１ｂと、を含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。これらの実装部分の例については、後述する。

第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含んでも良い。この例では、第１金属層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのその１つとは別の１つと電気的に接続される。例えば、１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。

この例では、発光部４０は、第１主面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。この例では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光素子部３５が配置される。これらのコネクタを介して、発光部４０に電力が供給される。

第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。

このように、セラミック基板１０の上面（第１主面１０ａ）に第１金属層１１が設けられ、セラミック基板１０の下面（第２主面１０ｂ）に第２金属層１２が設けられる。

発光素子部３５は、セラミック基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光素子部３５は、複数の半導体発光素子２０と、波長変換層３１と、を含む。

複数の半導体発光素子２０は、第１主面１０ａ上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。半導体発光素子２０は、例えば、Ｉｎ_ｙＡｌ_ｚＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）を含む。ただし、実施形態において、半導体発光素子２０は任意である。

複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂなどを含む。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。

例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。

例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。

第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（金属板５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。

第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。
半導体発光素子２０は、例えばフリップチップ型のＬＥＤである。

例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、第１実装部分１１ａと電気的に接続される。第２半導体層２２が、第２実装部分１１ｂと電気的に接続される。この接続には、例えば、はんだや金バンプなどが用いられる。この接続は、例えば、金属溶融はんだ接合により行われる。または、この接続は、例えば、金バンプを用いた超音波熱圧着法により行われる。

すなわち、例えば、発光素子部３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。

波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０の少なくとも一部を覆う。波長変換層３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。第２光の波長（例えばピーク波長）は、第１光の波長（例えばピーク波長）とは、異なる。波長変換層３１には、例えば、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。第１光は、例えば青色光を含む。第２光は、第１光よりも波長が長い光を含む。第２光は、例えば、黄色光及び赤色光の少なくともいずれかを含む。

この例では、発光素子部３５は、反射層３２をさらに含む。反射層３２は、Ｘ−Ｙ平面内で波長変換層３１を囲む。反射層３２には、例えば、金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。金属酸化物などの粒子は、光反射性を有する。この金属酸化物などの粒子として、例えば、ＴｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくともいずれか用いることができる。反射層３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。

発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。

本実施形態においては、発光素子部３５（複数の半導体発光素子２０）から放出される光の光束発散度は、１０ｌｍ／ｍｍ^２（ルーメン/平方ミリメートル）以上、１００ｌｍ／ｍｍ^２以下である。望ましくは、２０ｌｍ／ｍｍ^２以上である。すなわち、本実施形態においては、発光素子部３５から放出される光の発光面積に対する比（光束発散度）が、非常に高い。本願明細書においては、発光面積は、実質的に実装領域１６の面積に対応する。

本実施形態に係る発光装置１１０は、例えば、投光器などの照明装置２１０に利用される。

グリス層５３には、液体状、ペースト状、粘土状、または、固体状の放熱グリスなどが用いられる。放熱グリスには、例えば、シリコーンオイルが用いられる。例えば、シリコーンオイルには、金属粒子及びセラミック粒子の少なくともいずれかが混合される。これにより、シリコーンオイルの熱伝導率が高くなる。グリス層５３には、例えば、導電性を有する放熱グリス（導電性グリス）などを用いても良い。この導電性グリスは、例えば、シリコーンに熱伝導率の高い純金属の粒子を含む。例えば、発光素子部３５の熱は、グリス層５３により、ベース部材７１に伝導されて、放熱される。

本実施形態に係る発光装置１１０においては、例えば、金属板５１をＸ−Ｙ平面に投影したときに、金属板５１は、実装領域１６の面積の５倍以上の面積を有する。すなわち、本実施形態においては、実装領域１６の面積に対して、金属板５１の面積が非常に大きく設定されている。これにより、実装領域１６の上に設けられた発光素子部３５で生じる熱を、面積の大きい金属板５１により、面内方向（Ｘ−Ｙ面内方向）に広げる。そして、面内方向に拡がった熱が、例えば、ベース部材７１に向けて、伝達され、効率良く放熱される。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。
図２（ａ）は、金属板５１を例示する模式的平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ１−Ｂ２断面図である。
図２（ａ）に例示したように、金属板５１は、外縁部５１ｏを有する。外縁部５１ｏは、金属板５１の外縁５１ｒに沿って、環状に設けられる。外縁部５１ｏの内側が、内側部５１ｉとなる。

この例では、金属板５１は、孔５８を有している。孔５８は、外縁部５１ｏに設けられ、金属板５１を貫通する。孔５８が設けられている領域が、外縁部５１ｏとなる。外縁部５１ｏと内側部５１ｉとの境界は、例えば、孔５８の内側の端に接する。

例えば、内側部５１ｉの外接矩形は、孔５８に接する。例えば、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、内側部５１ｉの外接矩形は、固定部７５に接する。この例では、内側部５１ｉは、矩形である。

この例では、金属板５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。例えば、第１辺５５ａは、Ｘ軸方向に沿って延在する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間し、Ｘ軸方向に沿って延在する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。この例では、第１辺５５ａの長さ及び第２辺５５ｂの長さのそれぞれは、第３辺５５ｃの長さ及び第４辺５５ｄの長さのそれぞれよりも長い。

この例で、金属板５１の形状は、矩形である。例えば、金属板５１のＸ軸方向の長さ（第１長さＬ０１）は、例えば、７６ｍｍ（ミリメートル）である。例えば、金属板５１のＹ軸方向の長さ（第２長さＬ０２）は、例えば、６５ｍｍである。これらの値は、例であり、実施形態において、これらの値は、任意である。第１長さＬ０１が、第２長さＬ０２と同じでも良い。金属板５１のコーナ部に、曲線部分が設けられても良い。コーナ部が、辺の延在方向に対して傾斜していても良い。

実施形態において、内側部５１ｉの最大の長さを最大長Ｌｍａｘとする。最大長Ｌｍａｘは、金属板５１をＸ−Ｙ平面に投影したときの、内側部５１ｉのＸ−Ｙ平面内の長さの最大値である。この例では、内側部５１ｉは、矩形であり、最大長Ｌｍａｘは、矩形の対角線の長さに対応する。最大長Ｌｍａｘの単位は、例えば、ミリメートルである。

図２（ｂ）に例示したように、金属板５１は反っていても良い。例えば、金属板５１と発光部４０とは、高温で接合される。熱膨張係数の差によって、金属板５１が反る場合がある。

金属板５１の反りＣ５１を、金属板５１の内側部５１ｉの端のＺ軸方向の位置と、内側部５１ｉのＺ軸方向の位置と、差の絶対値の最大値である。内側部５１ｉの中心部が、内側部５１ｉの端よりも上方に位置する。例えば、反りＣ５１は、内側部５１ｉの端における金属板５１の下面と、内側部５１ｉの中心における金属板５１の下面と、の間のＺ軸方向の距離である。反りＣ５１は、内側部５１ｉの端における金属板５１の上面と、内側部５１ｉの中心における金属板５１の上面と、の間のＺ軸方向の距離である。反りＣ５１の単位は、例えば、ミリメートルである。

一方、金属板５１は、厚さｔ５１を有する。厚さｔ５１は、例えば、内側部５１ｉの中心部における金属板５１のＺ軸方向の長さに対応する。厚さｔ５１の単位は、例えば、ミリメートルである。

実施形態において、最大長Ｌｍａｘ、反りＣ５１及び厚さｔ５１は、室温（２５℃）における値である。

実施形態においては、内側部５１ｉの最大の長さ（最大長Ｌｍａｘ）に対する、金属板５１の厚さｔ５１の比は、０．０４２以上とする。比は、ｔ５１／Ｌｍａｘである。外側部５１ｏは、固定部７５で押さえられる。外側部５１оには、実質的に反りは発生しない。そこで、内側部５１ｉの最大の長さ（最大長Ｌｍａｘ）に対する、金属板５１の厚さｔ５１の比を用いる。
これにより、発光装置１１０（及び照明装置２１０）において、高い信頼性が得られる。

以下、本実施形態に係る構成を導出する基となった実験結果について、説明する。
この実験では、金属板５１の形状は、矩形であり、金属板５１の第１長さＬ０１は、７６ｍｍであり、金属板５１の第２長さＬ０２は、６５ｍｍである。内側部５１ｉのＸ軸方向の長さは、５９．６ｍｍであり、内側部５１ｉのＹ軸方向の長さは、４８．６ｍｍである。内側部５１ｉの最大長Ｌｍａｘ（内側部５１ｉの対角線の長さ）は、７６．９ｍｍである。そして、金属板５１の厚さｔ５１を変えた複数の試料を作製し、これらの試料における反りＣ５１が測定された。金属板５１は、銅板である。セラミック基板１０は、アルミナ基板である。ベース部材７１は、アルミニウム、または、アルミニウム合金である。

これらの試料において、信頼性試験を行い、信頼性試験の後におけるグリス層５３の状態が評価された。信頼性試験は、温度サイクル試験である。例えば、試料を−４０℃で３０分間保持した後、１２０℃で３０分間保持することを１サイクルとする。サイクルを繰り返し、試料に熱履歴を与える。

このような信頼性試験を行うと、試料の温度は、室温と、高温（例えば９０℃程度）と、の間で繰り返し変化する。この温度の変化により、金属板５１の中心部（内側部５１ｉ）と、ベース部材７１と、の間の距離が、変化する。これにより、グリス層５３が、金属板５１とベース部材７１との間から、外部に押し出される現象が観察される。すなわち、グリス層５３の材料が、ポンプアウトされる。

図３は、発光装置及び照明装置の特性を例示する模式図である。 図３は、上記の信頼性試験の後のグリス層５３の状態を示す模式図である。すなわち、信頼性試験の後に、固定部７５を除去して、金属板５１がベース部材７１から分離される。露出したグリス層５３の状態が、に示されている。図３に示した試料ＳＰ１では、金属板５１の厚さｔ５１は、５ｍｍである。

図３においては、金属板５１と、孔５８と、グリス層５３と、が示されている。信頼性試験の前においては、グリス層５３は、金属板５１の全面に設けられている。信頼性試験の後においては、ポンプアウトによって、グリス層５３の一部のグリスが消失する。このため、図３に表したように、グリス残存部５３ｒとグリス消失部５３ｓとが生じる。グリス残存部５３ｒにおいては、グリスにより金属板５１が覆われている。グリス消失部５３ｓにおいては、グリスが消失して、金属板５１が露出している。

図３から分かるように、厚さｔ５１が５ｍｍの試料ＳＰ１においては、グリス残存部５３ｒの面積が大きく、グリス消失部５３ｓの面積が小さい。

グリス残存部５３ｒの面積が小さく、グリス消失部５３ｓの面積が大きいと、金属板５１の熱をベース部材７１に伝達することが困難になり。この状態において、発光装置を動作させると、発光部の温度が過度に上昇する。例えば、発光効率が低下する。例えば、素子が破壊される。

グリス残存部５３ｒの面積をＳ５３ｒとし、金属板５１の面積をＳ５１とする。このとき、グリス残存面積率ＲＡは、Ｓ５３ｒ／Ｓ５１で表される。信頼性試験の結果に基づいて、グリス残存部５３ｒの面積（Ｓ５３ｒ）の、試験前の面積（Ｓ５１に対応）に対する比（グリス残存面積率ＲＡ）が高いときに、良好な信頼性が得られることが分かった。

グリス残存面積率ＲＡは、反りＣ５１に依存することが分かった。反りＣ５１は、室温（２５℃）での値である。信頼性試験中に、発光装置の温度は、大きな変動を繰り返す。この変化により生じるポンプアウトの程度が、反りＣ５１に依存していると考えられる。
この実験では、金属板５１の厚さｔ５１が２ｍｍのときに、反りＣ５１は、約０．４４ｍｍである。金属板５１の厚さｔ５１が３ｍｍのときに、反りＣ５１は、約０．２６ｍｍである。金属板５１の厚さｔ５１が５ｍｍのときに、反りＣ５１は、約０．１２ｍｍである。

図４は、発光装置及び照明装置の特性を例示するグラフ図である。
図４は、信頼性試験の結果を例示している。図４の軸は、相対的な反りＲＣ１である。相対的な反りＲＣ１は、Ｃ５１／Ｌｍａｘである。相対的な反りＲＣ１は、内側部５１ｉの最大の長さに対する、金属板５１の反りの比である。図４の縦軸は、グリス残存面積率ＲＡである。

金属板５１の厚さｔ５１が２ｍｍのときに、グリス残存面積率ＲＡは約３７％である。金属板５１の厚さｔ５１が３ｍｍのときに、グリス残存面積率ＲＡは約３７％である。金属板５１の厚さｔ５１が５ｍｍのときに、グリス残存面積率ＲＡは約７０％である。

図４から分かるように、相対的な反りＲＣ１が０．２８％以下のときに、グリス残存面積率ＲＡの改善する傾向が見られる。相対的な反りＲＣ１は、望ましくは０．２３％以下である。これにより、例えば、グリス残存面積ＲＡは、５０％以上となる。グリス残存面積率ＲＡが５０％以上のときに、発光素子で生じた熱の半分程度を金属板５１に伝えることが可能となる。相対的な反りＲＣ１は、さらに望ましくは、０．２％以下である。これにより、例えば、グリス残存面積ＲＡは、６０％以上となる。

相対的な反りＲＣ１が、０．０３％よりも低いと、金属板５１の重量が大きくなる場合や、コストが高くなる場合がある。相対的な反りＲＣ１が０．０３％よりも低い場合は、相対的な反りＲＣ１が高い場合とは逆方向に、金属板５１が反って、ネジ等に負担が生じ、固定が不安定になる場合がある。

実施形態においては、例えば、相対的な反りＲＣ１を０．２８％以下とする。これにより、高い信頼性が得られる。

図５は、発光装置及び照明装置の特性を例示するグラフ図である。
図５は、信頼性試験の結果を例示している。図５の軸は、相対的な厚さＲＴ１である。相対的な厚さＲＴ１は、ｔ５１／Ｌｍａｘである。相対的な厚さＲＴ１は、内側部５１ｉの最大の長さ（最大長Ｌｍａｘ）に対する、金属板５１の厚さｔ５１の比である。

図５から分かるように、相対的な厚さＲＴ１が０．０４２以上のときに、グリス残存面積率ＲＡの改善する傾向が見られる。望ましくは、ＲＴ１は、０．０５０以上である。これにより、例えば、グリス残存面積率ＲＡは、５０％以上となる。さらに望ましくは、ＲＴ１は、０．０５６以上である。これにより、例えば、グリス残存面積ＲＡは、６０％以上となる。

相対的な厚さＲＴ１は、望ましくは、０．１３以下である。相対的な厚さＲＴ１が、０．１３よりも大きいと、金属板５１の重量が大きくなる場合や、コストが高くなる場合がある。相対的な厚さＲＴ１が０．１３よりも大きい場合には、相対的な厚さＲＴ１が小さい場合とは逆方向に、金属板５１が反って、ネジ等に負担が生じ、固定が不安定になる場合がある。

実施形態においては、相対的な厚さＲＴ１を０．５５以上とする。これにより、高い信頼性が得られる。

上記で説明した実験では、金属板５１は、銅板であり、セラミック基板１０は、アルミナ基板である。実施形態はこれに限らず、金属板５１として、アルミニウム板を用いても同様の結果が得られる。すなわち、上記のように信頼性の指標となるグリス残存面積率ＲＡは、反りＣ５１（すなわち、相対的な反りＲＣ１）に依存する。反りＣ５１は、金属板５１と、セラミック基板１０と、における熱膨張の差によって生じる。反りＣ５１は、材料の熱膨張係数の差にだけではなく、サイズにも依存する。セラミック基板１０の熱膨張係数は、金属板５１の熱膨張係数よりも小さい。この差は、金属板５１として用いる材料（銅またはアルミニウムなど）による差よりも大きい。従って、金属板５１の材料が銅以外の材料を用いた場合にも、上記と同様の結果が得られる。

実施形態においては、内側部５１ｉとベース部材７１との間の距離は、温度により変化する。この変化が、ポンプアウト現象を発生させて、放熱性を低下（劣化または悪化）させ、製品の寿命を短くする。すなわち、外縁部５１ｏは、固定部７５によってベース部材７１により固定されているが、内側部５１ｉのＺ軸方向に沿った相対的な位置が、温度変化によって変化する。例えば、内側部５１ｉとベース部材７１との間の距離の温度変化は、外縁部５１ｏとベース部材７１との間の距離の温度変化よりも大きい。

このとき、相対的な反りＲＣ１を小さく維持することで、グリス残存面積率ＲＡを大きく維持できる。相対的な厚さＲＴ１が０．５５以上のときに、高い信頼性が維持できる。

図６は、第１の実施形態に係る発光装置を例示する模式的断面図である。
図６は、発光部４０の一部を例示している。

図６に表したように、第１金属層１１は、銅層１３ａ（Ｃｕ層）を含む。第１金属層１１は、金層１３ｄ（Ａｕ）層）をさらに含んでも良い。銅層１３ａは、金層１３ｄとセラミック基板１０との間に設けられる。この例では、第１金属層１１は、銅層１３ａと金層１３ｄの間に設けられたニッケル層１３ｂ（Ｎｉ層）と、ニッケル層１３ｂと金層１３ｄとの間に設けられたパラジウム層１３ｃ（Ｐｄ層）と、をさらに含んでいる。このように、この例では、第１金属層１１は、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの積層構造を有している。

一方、第２金属層１２は、銅層１４ａを含む。第２金属層１２は、金層１４ｄをさらに含んでも良い。銅層１４ａは、金層１４ｄとセラミック基板１０との間に設けられる。この例では、第２金属層１２は、銅層１４ａと金層１４ｄの間に設けられたニッケル層１４ｂと、ニッケル層１４ｂと金層１４ｄとの間に設けられたパラジウム層１４ｃと、をさらに含んでいる。このように、この例では、第２金属層１２は、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの積層構造を有している。

上記において、銅層、ニッケル層、パラジウム層及び金層のそれぞれの間の境界が明確でない場合がある。これらの層の一部が、混合された状態（例えば合金状態）を有していても良い。

第２金属層１２には、例えば、第１金属層１１の材料と同じ材料を用いることができる。第２金属層１２には、第１金属層１１の積層構造と同じ積層構造を適用できる。これにより、これらの金属層の形成が容易になる。実施形態において、第２金属層１２の構成は、第１金属層１１の構成と異なっても良い。

第１金属層１１の厚さｔ１１は、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、例えば、４０μｍ以上６０μｍ以下である。第２金属層１２の厚さｔ１２は、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、例えば、４０μｍ以上６０μｍ以下である。

第１金属層１１の銅層１３ａ及び第２金属層１２の銅層１４ａは、例えば、電解めっきにより形成できる。銅層１３ａの厚さ、及び、銅層１４ａの厚さのそれぞれは、例えば、３０μｍ以上１００μｍ以下であり、例えば、約５０μｍである。

ニッケル層１３ｂ、パラジウム層１３ｃ及び金層１３ｄは、例えば、無電解めっきにより形成される。ニッケル層１４ｂ、パラジウム層１４ｃ及び金層１４ｄは、例えば、電解めっきにより形成される。

ニッケル層１３ｂの厚さ及びニッケル層１４ｂの厚さのそれぞれは、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であり、例えば、約４．５μｍである。パラジウム層１３ｃの厚さ及びパラジウム層１４ｃの厚さのそれぞれは、例えば、０．０７５μｍ以上０．２μｍ以下であり、例えば、約０．１μｍである。金層１３ｄの厚さ及び金層１４ｄの厚さのそれぞれは、例えば、０．０５μｍ以上０．２μｍ以下であり、例えば、約０．１μｍである。

第１金属層１１の少なくとも一部、及び、第２金属層１２の少なくとも一部を無電解めっきにより形成することで、第１金属層１１の側面、及び、第２金属層１２の側面を、実質的に垂直にできる。

例えば、第１主面１０ａに対して垂直な平面（例えば、Ｙ−Ｚ平面などの第２平面）で切断したときの第１金属層１１の側面１１ｓは、積層方向（Ｚ軸方向）に対してほぼ平行にできる。第１金属層１１の側面１１ｓと、第１主面１０ａと、の間の角度θは、例えば、８０度以上９５度以下である。角度θは、例えば、８５度以上であることがさらに好ましい。

もし、この角度θが小さい場合は、第１金属層１１の一部である実装パターン１１ｐの実装のための面積（例えば上面の面積）に対して、実装パターン１１ｐの下面の面積が、過度に大きくなってしまう。このため、セラミック基板１０の上面（第１主面１０ａ）のうちで、実装パターン１１ｐで覆われてしまう部分の割合が高くなる。このため、実装領域１６の全体としての反射率を高くすることが困難になる。

第１金属層１１の側面１１ｓと、第１主面１０ａと、の間の角度θを８０度以上９５度以下にすることで、セラミック基板１０の上面（第１主面１０ａ）のうちで、実装パターン１１ｐで覆われてしまう部分の割合を低くできる。これにより、実装領域１６の全体としての反射率を十分に高くすることができる。これにより、光束発散度を向上できる。

第１金属層１１の断面のコーナ部の曲率は、比較的高い。すなわち、曲率半径が小さい。第１金属層１１の断面は矩形に近く、すなわち、側面１１ｓは垂直に近い。例えば、第１金属層１１は、Ｘ−Ｙ平面（第１平面）に対して平行な上面１１ｕをさらに有する。第１金属層１１の上面１１ｕと、第１金属層１１の側面１１ｓと、を繋ぐコーナ部１１ｓｕの曲率半径は、１０μｍ以下である。これにより、実装パターン１１ｐの実装のため面積（例えば実装パターン１１ｐの上面１１ｕの面積）に対して、実装パターン１１ｐの下面の面積を小さくできる。これにより、実装領域１６の全体としての反射率を高くして、光束発散度を向上できる。

この例では、波長変換層３１の一部は、複数の半導体発光素子２０のいずれかと、セラミック基板１０と、の間の位置１１ｇ（スペース）に配置されている。位置１１ｇは、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装パターン１１ｐａ）と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間の位置である。この位置１１ｇ（スペース）にも波長変換層３１の一部が配置されることで、半導体発光素子２０から放出される第１光を効率良く波長変換層３１で第２光に変換できる。位置１１ｇ（スペース）には、透明の樹脂や、他の蛍光体材料を含む波長変換部材を、別途、配置してもよい。

波長変換層３１の一部を上記の位置１１ｇ（スペース）に配置するために、位置１１ｇを含む空間を大きくするようにしても良い。例えば、半導体発光素子２０とセラミック基板１０との間のギャップを大きくする。例えば、Ｚ軸方向（金属板５１から発光部４０に向かう積層方向）に沿った、複数の半導体発光素子２０のいずれかと、セラミック基板１０と、の間の距離ｔｇは、比較的長く設定される。例えば、距離ｔｇは、複数の半導体発光素子２０のＺ軸方向に沿った厚さｔ２０（高さ）の１／１０以上である。

例えば、半導体発光素子２０の高さ（Ｚ軸方向に沿った厚さｔ２０）は、例えば、５０μｍ以上５００μｍ以下であり、例えば３００μｍである。距離ｔｇは、例えば、４０μｍ以上１１０μｍ以下であり、例えば６０μｍである。第１金属層１１の厚さｔ１１を厚くすることで、距離ｔｇを長くすることができる。

実施形態において、セラミック基板１０の厚さｔ１０は、例えば、例えば、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下であり、例えば０．６３５ｍｍである。セラミック基板１０の厚さｔ１０が０．３ｍｍ未満だと、例えば、セラミック基板１０の機械的強度が弱くなる。セラミック基板１０の厚さｔ１０が２ｍｍを超えると、例えば、半導体発光素子２０（発光素子部３５）で発生する熱の、金属板５１への伝導の効率が低くなる。

図６に例示したように、波長変換層３１は、蛍光体などの複数の波長変換粒子３１ａと、複数の波長変換粒子３１ａが分散された光透過性樹脂３１ｂと、を含む。波長変換粒子３１ａは、複数の半導体発光素子２０から放出される第１光の少なくとも一部を吸収し第１光の波長とは異なる波長の第２光を放出する。

図７は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式的平面図である。 図７は、金属板５１を例示している。図７に表したように、この例では、孔５８は、金属板５１の４つのコーナ部に近接して、それぞれ１つの孔５８が設けられている。このときも、図７に例示したように、外縁部５１ｏと内側部５１ｉとが定義できる。

図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。図８（ａ）は、金属板５１を例示する模式的平面図である。図８（ａ）に表したように、この例では、金属板５１は、外縁部５１ｏに孔５８を有していない。この例では、固定部７５によって、金属板５１の４つのコーナ部が固定される。固定部７５と金属板５１との接触部分によって、図８（ａ）に表したように、外縁部５１ｏと内側部５１ｉとが定義できる。
図８（ｂ）は、図８（ａ）に例示した発光装置及び照明装置のＹ−Ｚ平面への透視平面図である。

図９は、第１の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式的平面図である。 図９は、第２金属層１２を例示している。第２金属層１２の面積は、大きく設計される。第２金属層１２の面積は、実装領域１６の面積よりも大きい。

接合層５２の平面パターンは、実質的に第２金属層１２のパターンに沿っている。第２金属層１２の面積を大きくすることで、接合層５２の面積を広げることができる。これにより、接合層５２を介した熱伝導の効率が向上できる。

例えば、Ｘ−Ｙ平面（第１平面）に投影したときの第２金属層１２の外縁１２ｒは、実装領域１６の外縁１６ｒの外側に位置する。

この例では、第２金属層１２の外縁１２ｒのコーナ部１２ｃは、曲線状である。コーナ部１２ｃにおけるＲ値は、例えば、１ｍｍ以上である。これにより、第２金属層１２及び接合層５２に生じる応力が分散され、局所的な歪みが低減する。コーナ部１２ｃにおける、はんだの歪みが減少する。例えば、セラミック基板１０に生じる歪みが減少し、クラック発生が抑制できる。これにより、より高い信頼性が得られる。

実施形態において、Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１金属層１１のパターン外端は、第２金属層１２の外縁１２ｒよりも内側に位置する。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１金属層１１のパターン外端と、第２金属層１２の外縁１２ｒと、の間の距離は、２ｍｍ以上である。これにより歪みがより抑制でき、より高い信頼性が得られる。

（第２の実施形態）
本実施形態は、照明装置に係る。本照明装置は、上記の発光装置を含む。本照明装置は、以下に説明する反射部をさらに含んでも良い。

図１０は、第２の実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式的断面図である。
図１０に例示したように、本実施形態に係る照明装置２２１は、発光装置１２１と、ベース部材７１と、を含む。ベース部材７１は、例えば、ベース７２と、反射部７３と、を含む。この例では、ベース７２は、板状である。反射部７３は、ベース７２の縁に沿って設けられている。ベース７２の上に発光装置１２１が設けられている。反射部７３は、発光装置１２１から出射される光ＬＬを反射する。反射部７３により、光ＬＬを所望の方向に向けて効率良く照射できる。ベース７２は、発光装置１２１を保持しつつ、発光装置１２１で発生する熱を効率良く放熱する。

この例では、発光装置１２１は、金属板５１と、接合層５２と、複数の発光部４０（例えば、第１発光部４０ａ及び第２発光部４０ｂなど）と、を含む。

この例においても、内側部５１ｉの最大の長さに対する、金属板５１の厚さｔ５１の比を、０．０４２以上にする。これにより、高い信頼性が得られる。

実施形態において、実装領域１６は、半導体発光素子２０が実装される領域である。この領域が、発光領域に対応する。実装領域１６の面積に対する、実装基板部１５の面積の比は、例えば、２以上１１倍以下である。実装領域１６の面積に対する、金属板５１の面積の比は、６以上３３以下である。

金属板５１には、銅板を用いることができる。この銅板における銅の純度は、例えば、９８％以上である。金属板５１の線熱膨張係数は、例えば、１６ｐｐｍ／Ｋ以上１８ｐｐｍ／Ｋ以下である。金属板５１の熱伝導率は、例えば、３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。金属板５１の引っ張り強さは、２５０Ｎ／ｍｍ^２以上６００Ｎ／ｍｍ^２以下である。金属板５１のビッカース硬さは、７５以上１６０以下である。これにより、高い信頼性が得易くなる。

例えば、青色ＬＥＤと蛍光体とを組み合わせて白色を発光する発光装置がある。このような発光装置の発光効率（投入電力に対して得られる光量の比）の向上により、電球などの光源からこのような発光装置への置き換えが進んでいる。さらに、例えば、家庭用光源よりも光出力の高い、屋外照明または高天井照明に搭載できる発光装置が望まれる。この発光装置においては、例えば、投入電力は５０Ｗ以上であり、全光束は５，０００ｌｍ以上である。このような高出力な発光装置において、絶縁耐圧及び雷サージ耐性は、５ｋＶ以上である。

高出力な発光装置において、適切な放熱構造が求められ、すなわち、低熱抵抗構造が求められる。本実施形態によれば、低熱抵抗でありつつ、高い信頼性が得られる。

実施形態によれば、高信頼性の発光装置及び照明装置が提供される。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、発光装置及び照明装置に含まれる発光部、実装基板部、発光素子部、基板、第１金属層、第２金属層、半導体発光素子、波長変換層、反射層、金属板、接合層、グリス層、光反射樹脂層、ベース部材、ベース及び反射部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した発光装置及び照明装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての発光装置及び照明装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…セラミック基板、 １０ａ…第１主面、 １０ｂ…第２主面、 １０ｒ…外縁、 １１…第１金属層、 １１ａ…第１実装部分、 １１ｂ…第２実装部分、 １１ｃ…第３実装部分、 １１ｇ…位置、 １１ｐ…実装パターン、 １１ｐａ…第１実装パターン、 １１ｐｂ…第２実装パターン、 １１ｓ…側面、 １１ｓｕ…コーナ部、 １１ｕ…上面、 １２…第２金属層、 １２ｃ…コーナ部、 １２ｒ…外縁、 １３ａ…銅層、 １３ｂ…ニッケル層、 １３ｃ…パラジウム層、 １３ｄ…金層、 １４ａ…銅層、 １４ｂ…ニッケル層、 １４ｃ…パラジウム層、 １４ｄ…金層、 １５…実装基板部、 １６…実装領域、 １６ｒ…外縁、 １７…周辺領域、 ２０…半導体発光素子、 ２０ａ…第１半導体発光素子、 ２０ｂ…第２半導体発光素子、 ２１…第１半導体層、 ２１ａ…第１半導体部分、 ２１ｂ…第２半導体部分、 ２１ｅ…第１接合金属部材、 ２２…第２半導体層、 ２２ｅ…第２接合金属部材、 ２３…発光層、 ３１…波長変換層、 ３１ａ…波長変換粒子、 ３１ｂ…光透過性樹脂、 ３２…反射層、 ３５…発光素子部、 ４０…発光部、 ４０ａ…第１発光部、 ４０ｂ…第２発光部、 ４４…接続部、 ４５…第１コネクタ、 ４５ｅ…第１コネクタ用電極部、 ４６…第２コネクタ、 ４６ｅ…第２コネクタ用電極部、 ５１…金属板、 ５１ｉ…内側部、 ５１ｏ…外縁部、 ５１ｒ…縁部、 ５２…接合層、 ５３…グリス層、 ５３ｒ…グリス残存部、 ５３ｓ…グリス消失部、 ５５ａ〜５５ｄ…第１〜第４辺、 ５８…孔、 ７１…ベース部材、 ７２…ベース、 ７３…反射部、 ７５…固定部、 θ…角度、 １１０、１２１…発光装置、 ２１０、２２１…照明装置、 Ｃ５１…反り、 Ｌ０１、Ｌ０２…第１、第２長さ、 ＬＬ…光、 Ｌｍａｘ…最大長さ、 ＲＡ…グリス残存面積率、 ＲＣ１…相対的な反り、 ＲＴ１…相対的な厚さ、 ＳＰ１…試料、 ｔ１０、ｔ１１、ｔ１２、ｔ２０、ｔ５１…厚さ、 ｔｇ…距離

Claims (10)

1. ベース部材と、
   前記ベース部材と離間した複数の半導体発光素子と、
   前記ベース部材と前記複数の半導体発光素子との間に設けられたセラミック基板を含む実装基板部と、
   前記ベース部材と前記実装基板部との間に設けられた金属板であって、外縁部と前記外縁部の内側の内側部とを有し、前記内側部の最大の長さに対する前記金属板の厚さの比は、０．０４２以上である金属板と、
   前記実装基板部と前記金属板との間に設けられ前記実装基板部と前記金属板とを接合する接合層と、
   前記ベース部材と前記金属板との間に設けられたグリス層と、
   前記金属板の前記外縁部と前記ベース部材とを固定する固定部と、
   を備えた照明装置。
2. 前記金属板の前記厚さは、４ｍｍ以上である請求項１記載の照明装置。
3. 前記接合層は、はんだを含む請求項１または２に記載の照明装置。
4. 前記セラミック基板は、第１主面と、前記第１主面とは反対側で前記接合層の側の第２主面と、を有し、
   前記実装基板部が、前記第１主面上に設けられ前記複数の半導体発光素子が実装される第１金属層、
   前記第２主面上に設けられた前記第２金属層と、
   を含み、
   前記接合層は、前記第２金属層と前記金属板とを接合する請求項１〜３のいずれか１つに記載の照明装置。
5. 前記内側部と前記ベース部材との間の距離は、温度により変化し、前記距離の温度変化は、前記外縁部と前記ベース部材との間の距離の温度変化よりも大きい請求項１〜４のいずれか１つに記載の照明装置。
6. 前記内側部の外接矩形は、前記固定部に接する請求項１〜５のいずれか１つに記載の照明装置。
7. 前記金属板は、前記外縁部に設けられた貫通孔を有し、
   前記固定部の一部は、前記貫通孔を通る請求項１〜６のいずれか１つに記載の照明装置。
8. 前記内側部の最大の長さに対する前記金属板の反りの比は、０．２８以下である請求項１〜７のいずれか１つに記載の照明装置。
9. 前記セラミック基板は、アルミナ基板であり、
   前記金属板は、銅板である請求項１〜８のいずれか１つに記載の照明装置。
10. ベース部材との間にグリス層を介在した状態で、固定部によって前記ベース部材に固定される発光装置であって、
    セラミック基板を含む実装基板部と、
    前記実装基板部の一端側に設けられる複数の半導体発光素子と、
    前記実装基板部の他端側に設けられるとともに、その他端側が前記グリス層を介して前記ベース部材と熱伝導的に接続される金属板であって、前記固定部によって固定される領域である外縁部と前記外縁部の内側の内側部とを有し、前記内側部の最大の長さに対する前記金属板の厚さの比は、０．０４２以上である金属板と、
    前記実装基板部と前記金属板との間に設けられ前記実装基板部と前記金属板とを接合する接合層と、
    を備えた発光装置。

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