JP2015046228A - 微小信号検出システム及びこれを搭載した電子顕微鏡 - Google Patents
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Abstract
【課題】信号検出精度を向上する微小信号検出システム及びこれを搭載した電子顕微鏡を提供することを目的とする。【解決手段】所望信号にノイズが重畳した入力信号の平均値や分布を測定して前記所望信号の振幅、ノイズの分散などを算出し、得た算出データを出力する統計データ取得部と、入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答した信号を出力する非線形特性部と、前記非線形特性部の出力信号が前記所望信号であるか判定して、前記所望信号である場合の検出率を算出して検出率データを出力する信号検出率評価部と、前記信号検出率評価部で得られた検出率データと前記統計データ取得部で得られた算出データに基づき、前記非線形特性部の応答性に関する制御パラメータを調整するパラメータ調整部と、前記非線形特性部の出力信号を演算処理してディジタルデータまたは画像データに変換する信号処理部と、を有することを特徴とする微小信号検出システム。【選択図】図1
Description
本発明は、微小信号を検出するシステム及びこれを搭載した電子顕微鏡に関するものである。
近年、半導体検査装置や医療診断・計測装置などでは、検査対象物の微細化に伴い、対象物を検査・計測するための検出信号において信号対雑音比(Signal to Noise Ratio:SNR)が低下しており、このような低SNRの検出信号から検査対象物の形状や物性などを反映した所望信号を精度よく検出することが要求されている。例えば、半導体検査・計測装置は、検査・計測対象のウェハに、レーザや光、電子ビーム等を照射し、ウェハからの散乱光や二次電子をフォトマルやシンチレータなどの検出器で電気信号に変換して、前置増幅器、演算処理回路、ディスプレイを通して、ウェハ上の異物やパターン形状を検査・計測する装置である。
半導体検査・計測装置では、半導体の微細化に伴いレーザや光、電子ビームの照射量を絞ることで測定分解能を向上しているが、一方で、照射量を絞ることにより、所望信号の強度が、検出器や増幅器などで発生するノイズに比べて相対的に小さくなるため、所望信号を高精度に検出することが困難となる。
そのため、例えばノイズのランダム性を利用して、複数の検出信号を平均化して所望信号を精度良く検出する方法がある。例えば、特開2008−286736号公報(特許文献1)では「ある入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して応答する信号を検出対象とし、特に時間的に変化する複数の応答信号を検出する多チャンネルの微弱信号検出系において、入力信号を時分割多重すると共に、多重化の条件を最適化し、応答信号に対して2段階の平均化処理を施すことにより、微弱信号を高いSN比で検出する。」と記載されている。
また、ノイズ強度が小さい入力信号おける信号検出率の低下を改善する方法として、特開2002−221546号公報(特許文献2)に記載の技術があり、特許文献2には、「入力信号を非線形回路11へ入力し、その出力時系列を記憶し(13)、そのパワースペクトルを計算し(15)、またノイズを生成し(16)、その強度を徐々に上げて入力信号と合成して非線形回路11へ供給し、各ノイズ強度ごとにパワースペクトルを計算し、各パワースペクトルのピークを検出し(18)、そのピーク値を求め、これらピーク値の最大のものを求め、その最大ピークの周期を求める微弱信号の周期とする(20)。」と記載されている。
半導体検査・計測装置では、半導体の微細化に伴いレーザや光、電子ビームの照射量を絞ることで測定分解能を向上しているが、一方で、照射量を絞ることにより、所望信号の強度が、検出器や増幅器などで発生するノイズに比べて相対的に小さくなるため、所望信号を高精度に検出することが困難となる。
そのため、例えばノイズのランダム性を利用して、複数の検出信号を平均化して所望信号を精度良く検出する方法がある。例えば、特開2008−286736号公報(特許文献1)では「ある入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して応答する信号を検出対象とし、特に時間的に変化する複数の応答信号を検出する多チャンネルの微弱信号検出系において、入力信号を時分割多重すると共に、多重化の条件を最適化し、応答信号に対して2段階の平均化処理を施すことにより、微弱信号を高いSN比で検出する。」と記載されている。
また、ノイズ強度が小さい入力信号おける信号検出率の低下を改善する方法として、特開2002−221546号公報(特許文献2)に記載の技術があり、特許文献2には、「入力信号を非線形回路11へ入力し、その出力時系列を記憶し(13)、そのパワースペクトルを計算し(15)、またノイズを生成し(16)、その強度を徐々に上げて入力信号と合成して非線形回路11へ供給し、各ノイズ強度ごとにパワースペクトルを計算し、各パワースペクトルのピークを検出し(18)、そのピーク値を求め、これらピーク値の最大のものを求め、その最大ピークの周期を求める微弱信号の周期とする(20)。」と記載されている。
特許文献1の方法によれば、半導体のさらなる微細化に伴い、平均化回数を更に増やす必要があり、検出器のチャネル数増加に伴う装置の大型化や高コスト化、また、演算処理回路の高速化により消費電力の増大を招く恐れがある。
また、特許文献2の方法によれば、ノイズ強度が小さく線形システムよりも信号検出率が低下する場合、ノイズ生成回路でノイズを重畳して、ノイズ強度を最適化することにより、信号検出率を改善することができる。しかしながら、この方法では、ノイズ強度の小さい入力信号に対してノイズを重畳するため、線形システムで得られる信号検出率よりも低下する場合がある。例えば、入力信号にノイズが全く存在しない場合、線形システムでは所望信号を完全に再現した出力信号が得られるにもかかわらず、ノイズを重畳して状態遷移を起こすために信号検出率が低下する。
また、ノイズを生成するためのノイズ生成回路や、入力信号に生成ノイズを重畳するための加算回路などが必要であり、回路規模が大きくなると共に消費電力が増加するという課題がある。さらに、ノイズを非線形信号検出システム内で生成するため、ノイズが周辺回路に回り込み、システムの動作が不安定になる可能性がある。
本発明は上記課題を考慮し、信号検出精度を向上する微小信号検出システムおよび及びこれを搭載した電子顕微鏡を提供することを目的とするものである。
また、ノイズを生成するためのノイズ生成回路や、入力信号に生成ノイズを重畳するための加算回路などが必要であり、回路規模が大きくなると共に消費電力が増加するという課題がある。さらに、ノイズを非線形信号検出システム内で生成するため、ノイズが周辺回路に回り込み、システムの動作が不安定になる可能性がある。
本発明は上記課題を考慮し、信号検出精度を向上する微小信号検出システムおよび及びこれを搭載した電子顕微鏡を提供することを目的とするものである。
上記課題を解決するために、例えば特許請求の範囲に記載の構成を採用する。
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、微小信号検出システムであって、所望信号にノイズが重畳した入力信号の平均値や分布を測定して前記所望信号の振幅、ノイズの分散などを算出し、得た算出データを出力する統計データ取得部と、入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答した信号を出力する非線形特性部と、前記非線形特性部の出力信号が前記所望信号であるか判定して、前記所望信号である場合の検出率を算出して検出率データを出力する信号検出率評価部と、前記信号検出率評価部で得られた検出率データと前記統計データ取得部で得られた算出データに基づき、前記非線形特性部の応答性に関する制御パラメータを調整するパラメータ調整部と、前記非線形特性部の出力信号を演算処理してディジタルデータまたは画像データに変換する信号処理部と、を有することを特徴とする。
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、微小信号検出システムであって、所望信号にノイズが重畳した入力信号の平均値や分布を測定して前記所望信号の振幅、ノイズの分散などを算出し、得た算出データを出力する統計データ取得部と、入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答した信号を出力する非線形特性部と、前記非線形特性部の出力信号が前記所望信号であるか判定して、前記所望信号である場合の検出率を算出して検出率データを出力する信号検出率評価部と、前記信号検出率評価部で得られた検出率データと前記統計データ取得部で得られた算出データに基づき、前記非線形特性部の応答性に関する制御パラメータを調整するパラメータ調整部と、前記非線形特性部の出力信号を演算処理してディジタルデータまたは画像データに変換する信号処理部と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、信号検出精度を向上する微小信号検出システムおよび及びこれを搭載した電子顕微鏡を提供することができる。
以下、図面を用いて発明の実施形態について説明する。図面では、機能的に同じ要素は同じ番号で表示される場合もある。なお、図面は本発明の原理に則った具体的な実施形態と実装例を示しているが、これらは本発明の理解のためのものであり、決して本発明を限定的に解釈するために用いられるものではない。
本実施形態では、当業者が本発明を実施するのに十分詳細にその説明がなされているが、他の実装・形態も可能で、本発明の技術的思想の範囲と精神を逸脱することなく構成・構造の変更や多様な要素の置き換えが可能である。
図1は、本発明の第1の実施形態による非線形信号検出システムの構成を示す図である。本発明の非線形信号検出システムは、所望信号にノイズが重畳した入力信号の平均値や分布を測定して所望信号の振幅、ノイズの分散などを算出し、得られた算出データを出力する統計データ取得部104と、入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答して信号を出力する非線形特性部101と、非線形特性部101の出力信号において所望信号の検出率を評価し検出率データを出力する信号検出率評価部103と、信号検出率評価部103から出力された検出率データと統計データ取得部104で得た算出データに基づき、非線形特性部101の制御パラメータを調整するパラメータ調整部105と、非線形特性部101の出力信号を演算処理しディジタルデータや画像データに変換する信号処理部102とで構成される。
非線形特性部101は、入力された信号を線形増幅する1つ以上の線形増幅回路と入力された信号に対して非線形に応答する1つ以上の非線形応答回路とからなり、線形増幅回路と非線形応答回路の増幅率は、非線形特性部において入力信号電圧に応答する状態遷移レベルを調整するパラメータであることを特徴とする。
統計データ取得部104では、入力信号における所望信号の振幅・ノイズの分散を測定する。統計データ取得部104において、所望信号がLoとHiの2値のディジタルデータで、ノイズが白色ガウス分布雑音とするとした場合の所望信号振幅およびノイズの分散を算出する方法の一例を示す。
白色ガウス分布ノイズの累計分布は、シグモイド関数で近似されることから、2値の所望信号に白色ガウス分布雑音を重畳した場合の電圧値累積データは次の[数1]の関数で表される。
ここで、FLは所望信号のLoの出現頻度、FHは所望信号のHiの出現頻度、VLはLoの信号電圧の値、VHはHiの信号電圧の値、σの自乗はノイズの分散を表す。[数1]で表される関数と取得した累積データとの二乗誤差が最小になるように、各パラメータをフィッティングすることで、信号振幅およびノイズの分散を求めることができる。
信号検出率評価部103では、非線形特性部101の出力信号における所望信号の検出率を評価し検出率データを出力する。所望信号の検出率を評価する方法の一例として、予め既知のデータ列を入力信号とし、既知のデータ列と非線形特性部101の出力信号とを比較することにより、信号検出率を評価する方法が有用である。
パラメータ調整部105では、統計データ取得部104で算出した信号振幅やノイズの算出データと、信号検出率評価部103で取得した検出率データをもとに、非線形特性部101が有する線形増幅回路と非線形応答回路の増幅率を調整する。増幅率の最適化調整方法の一例として、各増幅率を挿引して信号検出率評価部103で信号検出率を評価し、信号検出率が最大となる増幅率に設定する方法がある。
そのほかに、予め信号振幅およびノイズの分散に対して信号検出率が最大となる各増幅率をメモリに保持しておき、統計データ取得部104で得た信号振幅およびノイズの分散の値に応じて、メモリから最適な増幅率を読み出し、非線形特性部101を調整する方法でもよい。非線形特性部101が上記方法により最適化して得られた出力信号は信号処理部102で演算処理してディジタルデータや画像データに変換する。
図3に、非線形特性部の構成の一例を示す。まず、はじめに非線形特性部101は、ノイズの確率的変動を利用して、低SNRの微弱な検出信号において所望信号のみの強度が増加する確率共鳴現象を利用した非線形信号検出システムとして、[数2]および[数3]で表される双安定系非線形信号検出システムに基づくものである。
ここで、xは粒子の位置、U(t、x)は系のポテンシャル、s(t)はポテンシャルを傾動する信号、tは時間、a、bは定数を表す。
この双安定系非線形信号検出システムを例に、確率共鳴現象の物理的イメージを説明する。
図14に、[数3]の双安定系非線形信号検出システムのポテンシャル図を示す。まず図14(a)に示すように、このポテンシャルは二つの安定状態をもち、信号s(t)がゼロのとき、2つのポテンシャルの間には高さa2/4b3の障壁が存在する。ここで、一つのポテンシャルの井戸に粒子が存在すると仮定すると、図14(b)に示すように、微弱な信号によりポテンシャルが傾動し、粒子はポテンシャルの井戸の底を左右に移動する。この粒子が隣の井戸に遷移したとき初めてこの粒子の位置の変化を検知できるものとすると、このような微弱な傾動では位置の変化は検知できない。この系にさらにポテンシャルを大きく傾動させる信号が加わると、図14(c)に示すように、2つの井戸の間に存在する障壁が無くなり粒子が他方の井戸に急激に遷移し、このとき位置の変化が検知される。
図14に、[数3]の双安定系非線形信号検出システムのポテンシャル図を示す。まず図14(a)に示すように、このポテンシャルは二つの安定状態をもち、信号s(t)がゼロのとき、2つのポテンシャルの間には高さa2/4b3の障壁が存在する。ここで、一つのポテンシャルの井戸に粒子が存在すると仮定すると、図14(b)に示すように、微弱な信号によりポテンシャルが傾動し、粒子はポテンシャルの井戸の底を左右に移動する。この粒子が隣の井戸に遷移したとき初めてこの粒子の位置の変化を検知できるものとすると、このような微弱な傾動では位置の変化は検知できない。この系にさらにポテンシャルを大きく傾動させる信号が加わると、図14(c)に示すように、2つの井戸の間に存在する障壁が無くなり粒子が他方の井戸に急激に遷移し、このとき位置の変化が検知される。
微弱な信号を所望信号、大きな信号をノイズ、粒子の位置を出力信号とすると、所望信号とノイズを重ねあわせた入力信号が、[数4]で現される状態遷移レベルより大きくになったときに、出力信号の遷移が起こる。
状態遷移が適切に起こる所望信号とノイズが印加されると、所望信号と相関性の高い出力信号が検知される。図9に、所望信号の強度を一定としノイズ強度をパラメータとしたときの、線形システムおよび非線形信号検出システムによる信号検出率を示す。線形システムでは、ノイズ強度が強くなるに従い信号検出率が減少する。一方、非線形信号検出システムでは、特定のノイズ強度において線形システムよりも高い信号検出率が得られる。しかしながら、最適値よりもノイズ強度が弱い場合には、信号検出率が急激に低下し、線形システムよりも信号検出率が大きく低下する。これは、ポテンシャル障壁を無くすだけの入力信号が印加されず、状態遷移が起こりにくくなるためである。
図3に示すように、非線形特性部101は、線形増幅回路306と非線形応答回路307から構成される。非線形応答回路は307は、入力信号と正帰還増幅回路303および三次自乗回路305からの2つの帰還信号を加算する加算回路301と、加算した信号を積分する積分回路302と、積分した信号を線形増幅して加算回路301に出力する正帰還増幅回路303と、積分した信号を線形増幅して三次自乗回路305に出力する負帰還増幅回路304と、線形増幅した信号を三次自乗した信号を加算回路301に出力する三次自乗回路305で構成される。
状態遷移レベルは、[数4]に示したように、正帰還増幅回路303の正帰還増幅率aの三次自乗の平方根に比例し、負帰還増幅回路304の負帰還増幅率bの三次自乗の平方根に反比例する。このことから、状態遷移レベルを下げるには、正帰還増幅率aを下げるか、負帰還増幅率bを上げればよく、状態遷移レベルを上げるには、正帰還増幅率aを上げるか、負帰還増幅率bを下げればよい。
上記構成によれば、例えば、入力信号のノイズ強度が弱く、非線形特性部において状態遷移が発生せず信号検出率が低下する場合、線形増幅回路と非線形応答回路の増幅率を調整して、状態遷移レベルを低くして状態遷移が最適に起こる状態にすることで、信号検出率を改善することができる。また、入力信号のノイズ強度が強く、非線形特性部において状態遷移が過度に発生し信号検出率が低くなった場合、線形増幅回路と非線形応答回路の増幅率を調整して、状態遷移レベルを高くして状態遷移が最適に起こる状態にすることで、信号検出率を改善することができる。
一方で、このような構成の非線形特性部は、正帰還増幅率aと負帰還増幅率bによって、状態遷移レベルだけでなく、応答速度、出力信号振幅にも影響を与える。
図8に、状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅に対する正帰還増幅率aと負帰還増幅率bの感度を示す。状態遷移レベルについては、先に述べたように、正帰還増幅率の三次自乗の平方根に比例し、負帰還増幅率の三次自乗の平方根に反比例して変化する。応答速度については、正帰還増幅率の平方根に反比例して変化し、負帰還増幅率に対する感度はゼロである。出力信号振幅については、正帰還増幅率の平方根に比例し、負帰還増幅率の3次自乗の平方根に反比例して変化する。
図8に、状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅に対する正帰還増幅率aと負帰還増幅率bの感度を示す。状態遷移レベルについては、先に述べたように、正帰還増幅率の三次自乗の平方根に比例し、負帰還増幅率の三次自乗の平方根に反比例して変化する。応答速度については、正帰還増幅率の平方根に反比例して変化し、負帰還増幅率に対する感度はゼロである。出力信号振幅については、正帰還増幅率の平方根に比例し、負帰還増幅率の3次自乗の平方根に反比例して変化する。
つまり、正帰還増幅率aは全ての特性に影響があり、負帰還増幅率bについては状態遷移レベルと出力信号振幅に影響があるため、状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を独立に設定することは不可能である。そのため、いずれの特性を最適化するかの優先順位を決めて、正帰還増幅率、負帰還増幅率を調整する必要がある。
優先度の高い状態遷移レベルと応答速度を最適化するための調整シーケンスを図6に示す。調整シーケンスを開始すると、まず、正帰還増幅率を0dBに設定し(S601)、負帰還増幅率を最大値に設定(S602)する。これは、正帰還増幅率が高い場合、非線形特性部全体が正帰還動作となり動作が不安定になる可能性があるためである。もし、安定動作が保証されているのであれば、初期値は上記値には限定されない。
次に統計データ取得部104で所望信号の信号帯域を測定する(S603)。次に、非線形特性部101の帯域を所望信号の帯域より高くするために、正帰還増幅率を増加させて非線形特性部101の帯域を評価し(S604)、非線形特性部101の帯域が所望信号の帯域よりも高ければ、次のステップへ、低ければ再度正帰還増幅率を増加し帯域を評価する(S605)。
次に、負帰還増幅率を減少させる(S606)。これは、状態遷移レベルを上げることと等価である。次に、信号検出率を評価し(S607)、一つ前の負帰還増幅率より信号検出率が増加しているかを確認し(S608)、増加していなければ一つ前の負帰還増幅率を設定して(S609)調整を終了し、増加していれば、負帰還増幅率を更に減少させる。以上の調整方法により、非線形特性部の帯域および信号検出率を最適化することが可能となる。
次に、非線形特性部の具体的な回路構成の一例を示し、正帰還増幅率a、負帰還増幅率bの調整方法について述べる。図3に示した非線形特性部の具体的な回路構成を図4に示す。オペアンプ401と抵抗408は、入力信号を受信するための前置線形増幅回路(プリアンプ回路)である。加算回路はオペアンプ402と抵抗409、410、410、412で構成され、積分回路はオペアンプ403と抵抗413、414と容量417で構成され、正帰還増幅回路はオペアンプ404、抵抗415、可変抵抗418で構成され、負帰還増幅回路はオペアンプ405と抵抗416と可変抵抗419で構成され、三次自乗回路は2入力の乗算回路406、407で構成されている。
正帰還増幅回路の正帰還増幅率aは可変抵抗418で調整でき、その増幅率は、可変抵抗418の抵抗値をRfa、抵抗415の抵抗値をRsaとすると、(1+Rsa/Rfa)で表される。また、負帰還増幅回路の負帰還増幅率bは可変抵抗419で調整でき、その増幅率は、可変抵抗419の抵抗値をRfb、抵抗416の抵抗値をRsbとすると、−Rsb/Rfbで表される。ここでは、可変抵抗418、419を可変抵抗にして、増幅率を調整する構成としているが、加算回路の抵抗410、411を可変抵抗にすることでも、乗算回路406、407のゲインを可変にすることでも、同様の効果を得ることができる。
以上の構成により、非線形特性部の正帰還増幅率および負帰還増幅率を調整して、状態遷移レベルを最適値に調整することで、非線形信号検出システムで、広いノイズ強度範囲の入力信号のSNRを改善することが可能となる。また、ノイズ生成回路が必要ないため、システムの小型化、低コスト化、省電力化、小型化を可能にする。さらには、ノイズ生成回路が不要であるため、システムの安定化が見込まれる。
図5は、非線形信号検出システムを適用した装置の一例を示す図である。電子ビームを放出する電子銃501と、電子ビーム径を絞るためのレンズ502−1、502−2と、電子ビームの照射位置を調整する偏向電極503と、サンプル505を設置するステージ504と、サンプル505から放出された2次電子を検出する検出器506と、検出信号を増幅し、ディジタル信号に変換して信号処理を行う信号処理基板507と、信号処理したデータを画像表示するモニタ508とで構成される電子顕微鏡である。この電子顕微鏡には、信号処理基板507に非線形信号検出システムを搭載し、検出器506から出力される検出信号のSNRを改善する。
本発明の非線形信号検出システムによれば、広いノイズ強度範囲の入力信号のSNRを改善することが可能となるため、例えば、検出器506の機差により、検出信号のSNRが大きくばらついた場合でも、安定してSNRを改善した信号を取得することができる。また、ノイズ生成回路や加算回路を必要としないことから、装置の小型化、低コスト化、省電力化、小型化を可能にする。
第1の実施形態では、正帰還増幅率と負帰還増幅率の調整により、状態遷移レベルと、応答速度または出力信号振幅を任意に調整でき、その有用性を示した。しかしながら、正帰還増幅率と負帰還増幅率のみでは、状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を独立に調整することができない。そこで、第2の実施例では、非線形特性部の状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅の全ての特性を調整可能な非線形信号検出システムを提供するものである。
図2は、第2の実施形態による非線形信号検出システムの構成を示す図である。本発明の非線形信号検出システムは、所望信号にノイズが重畳した入力信号の平均値や分布を測定して所望信号の振幅、ノイズの分散などを算出し、得た算出データを出力する統計データ取得部104と、入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答して信号を出力する非線形特性部101と、非線形特性部101の出力信号において所望信号の検出率を評価し検出率データを出力する信号検出率評価部103と、検出率データと統計データ取得部104で得た算出データに基づき、非線形特性部101の制御パラメータを調整するパラメータ調整部105と、非線形特性部101の出力信号を演算処理しディジタルデータや画像データに変換する信号処理部102とで構成されている。
そして、非線形特性部101は、入力信号を線形増幅し、増幅率を調整可能な可変線形増幅回路201と線形増幅された入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答する非線形応答回路202とで構成されており、パラメータ調整部105では、可変線形増幅回路201の増幅率と非線形応答回路202の増幅率を調整することを特徴とする。
ここで、可変線形増幅回路201の効果を図10、図11、図12を用いて説明する。図10は、ノイズ強度が弱く、入力信号(b)が状態遷移レベル1001を超えず、出力信号(c)において所望信号(a)が検出できていない状態を示す。図11は、非線形応答回路202のパラメータを調整して状態遷移レベルを低くして、入力信号(b)が状態遷移レベル1101を超える状態にした場合の波形を表しており、出力信号(c)において所望信号(a)を高い精度で検出できている。図12は、図10に示した値と同じ状態遷移レベルであるが、可変線形増幅回路201の線形増幅率を高くした場合の波形を示しており、状態遷移レベルを低くした場合と同様に出力信号(c)において所望信号(a)を高い精度で検出できる。
つまり、可変線形増幅回路201は、状態遷移レベルを調整するのと同等の効果を持つ一方で、応答速度、出力信号振幅には影響を与えない。可変線形増幅回路201の線形増幅率c、正帰還増幅率a、負帰還増幅率b、と、応答速度、出力信号振幅、状態遷移レベルは、[数5]に示す関係が有ることから、正帰還増幅率aによって応答速度を調整し、その後、負帰還増幅率bによって出力信号振幅を調整し、さらに、線形増幅率cによって状態遷移電圧を調整することで、状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を任意の値に調整することが可能となる。
なお、非線形特性部101の状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を調整するための詳細な調整方法については後述する。
なお、非線形特性部101の状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を調整するための詳細な調整方法については後述する。
本実施例で述べた非線形信号検出システムにおける非線形特性部の構成の一例を図13に示す。非線形特性部101は、入力信号を線形増幅する可変線形増幅回路1306と、線形増幅された信号と正帰還増幅回路303および三次自乗回路305からの2つの帰還信号を加算する加算回路301と、加算した信号を積分する積分回路302と、積分した信号を線形増幅して加算回路301に出力する正帰還増幅回路303と、積分した信号を線形増幅して三次自乗回路305に出力する負帰還増幅回路304と、線形増幅した信号を三次自乗した信号を加算回路301に出力する三次自乗回路305で構成される。
本実施例において、非線形特性部101の状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を調整するための調整シーケンスを図7に示す。調整シーケンスを開始すると、まず、正帰還増幅率を0dBに設定(S701)し、負帰還増幅率を最大値に設定(S702)し、線形増幅率を0dBに設定(S703)する。これは、先にも述べたように、正帰還増幅率が高い場合、非線形特性部101全体が正帰還動作となり動作が不安定になる可能性があるためであり、安定動作が保証されているのであれば、初期値は上記値には限定されない。
次に統計データ取得部104で所望信号の信号帯域を測定する(S704)。次に、非線形特性部101の帯域を所望信号の帯域より高くするために、正帰還増幅率を増加させて非線形特性部の帯域を評価し(S705)、非線形特性部の帯域が所望信号の帯域よりも高ければ、次のステップへ、低ければ再度正帰還増幅率を増加し帯域を評価する(S706)。
次に、負帰還増幅率を減少し(S707)、出力信号振幅を測定(S708)する。出力信号振幅が所定の範囲であれば、次のステップに行き、所定の範囲を外れていれば、再度負帰還増幅率を減少する(S709)。
次に、可変線形増幅回路201の線形増幅率を増加(S710)、信号検出率を測定(S711)し、一つ前の線形増幅率と比べて信号検出率が高いかを評価して、高ければ再度線形増幅率を増加して測定し(S712)、低ければ一つ前の線形増幅率を設定して(S713)、調整を完了する。
以上の構成により、非線形特性部の正帰還増幅率、負帰還増幅率、線形増幅率を調整することで、実施例1の構成では不可能であった状態遷移レベル、応答速度、出力信号振幅を任意に調整することが可能になる。
101…非線形特性部
102…信号処理部
103…信号検出率評価部
104…統計データ取得部
105…パラメータ調整部
201…可変線形増幅回路
202…非線形応答回路
301…加算回路
302…積分回路
303…正帰還増幅回路
304…負帰還増幅回路
305…三次自乗回路
306…線形増幅回路
307…非線形応答回路
401〜405…オペアンプ
406、407…乗算回路
408〜416…抵抗
417…容量
418、419…可変抵抗
501…電子銃
502−1、502−2…レンズ
503…偏向電極
504…ステージ
505…サンプル
506…検出器
507…信号処理基板
508…モニタ
1001、1101…状態遷移レベル
1306…線形増幅回路
102…信号処理部
103…信号検出率評価部
104…統計データ取得部
105…パラメータ調整部
201…可変線形増幅回路
202…非線形応答回路
301…加算回路
302…積分回路
303…正帰還増幅回路
304…負帰還増幅回路
305…三次自乗回路
306…線形増幅回路
307…非線形応答回路
401〜405…オペアンプ
406、407…乗算回路
408〜416…抵抗
417…容量
418、419…可変抵抗
501…電子銃
502−1、502−2…レンズ
503…偏向電極
504…ステージ
505…サンプル
506…検出器
507…信号処理基板
508…モニタ
1001、1101…状態遷移レベル
1306…線形増幅回路
Claims (5)
- 所望信号にノイズが重畳した入力信号の平均値や分布を測定して前記所望信号の振幅、ノイズの分散などを算出し、得た算出データを出力する統計データ取得部と、
入力信号の電圧あるいは電流の大きさに対して非線形に応答した信号を出力する非線形特性部と、
前記非線形特性部の出力信号が前記所望信号であるか判定して、前記所望信号である場合の検出率を算出して検出率データを出力する信号検出率評価部と、
前記信号検出率評価部で得られた検出率データと前記統計データ取得部で得られた算出データに基づき、前記非線形特性部の応答性に関する制御パラメータを調整するパラメータ調整部と、
前記非線形特性部の出力信号を演算処理してディジタルデータまたは画像データに変換する信号処理部と、を有することを特徴とする微小信号検出システム。 - 請求項1に記載の微小信号検出システムであって、
前記非線形特性部は、
入力された信号を線形増幅する線形増幅回路と、入力された信号に対して非線形に応答する非線形応答回路とを有し、前記非線形応答回路の増幅率を前記パラメータ調整部で調整して、前記非線形特性部において入力信号電圧に応答する状態遷移レベルと応答速度と出力信号振幅とを調整することを特徴とする微小信号検出システム。 - 請求項2に記載の微小信号検出システムであって、
前記非線形特性部の前記非線形応答回路は、
複数の入力信号を加算して出力する加算回路と、
前記加算回路の出力信号を積分する積分回路と、
前記積分回路で積分した信号を線形増幅して前記加算回路に出力する正帰還増幅回路と、
前記積分回路で積分した信号を線形増幅して出力する負帰還増幅回路と、
前記負帰還増幅回路からの出力信号を三次自乗した信号を前記加算回路に出力する三次自乗回路と、を有し、前記正帰還増幅回路と前記負帰還増幅回路の増幅率を前記パラメータ調整部で調整することを特徴とする微小信号検出システム。 - 請求項2に記載の微小信号検出システムであって、
前記非線形特性部は、入力信号を線形増幅し増幅率を調整可能な可変線形増幅回路を有し、前記可変線形増幅回路の増幅率と前記非線形応答回路の増幅率を前記パラメータ調整部で調整して、前記非線形特性部において入力信号電圧に応答する状態遷移レベルを調整することを特徴とする微小信号検出システム。 - 請求項1乃至4のいずれかに記載の微小信号検出システムを搭載したことを特徴とする電子顕微鏡。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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