JP2015041670A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ゲート絶縁膜の絶縁耐圧劣化を抑制する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一対の選択ゲートトランジスタと、この一対の選択ゲートトランジスタ間に直列接続されて配置される複数のメモリセルトランジスタを有する。メモリセルトランジスタは、第1の絶縁膜、第1の電荷蓄積層、第1の電極間絶縁膜、第2の電荷蓄積層、第2の電極間絶縁膜、及び制御電極を積層して備え、選択ゲートトランジスタは、第2の絶縁膜と、第1の電極層と、第3の電極間絶縁膜と、第2の電極層と、第4の電極間絶縁膜と、第3の電極層を積層して備える。選択ゲートトランジスタは、第2の電極層と第4の電極間絶縁膜が除去された領域を有し、当該領域において、第3の電極間絶縁膜と、第5の電極間絶縁膜とを積層して備える。第3の電極間絶縁膜と第5の電極間絶縁膜との積層膜厚は、第1の電極間絶縁膜の膜厚より厚い。
【選択図】図3
【解決手段】一対の選択ゲートトランジスタと、この一対の選択ゲートトランジスタ間に直列接続されて配置される複数のメモリセルトランジスタを有する。メモリセルトランジスタは、第1の絶縁膜、第1の電荷蓄積層、第1の電極間絶縁膜、第2の電荷蓄積層、第2の電極間絶縁膜、及び制御電極を積層して備え、選択ゲートトランジスタは、第2の絶縁膜と、第1の電極層と、第3の電極間絶縁膜と、第2の電極層と、第4の電極間絶縁膜と、第3の電極層を積層して備える。選択ゲートトランジスタは、第2の電極層と第4の電極間絶縁膜が除去された領域を有し、当該領域において、第3の電極間絶縁膜と、第5の電極間絶縁膜とを積層して備える。第3の電極間絶縁膜と第5の電極間絶縁膜との積層膜厚は、第1の電極間絶縁膜の膜厚より厚い。
【選択図】図3
Description
本発明の実施形態は、不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法に関する。
NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性半導体記憶装置において、下部フローティングゲート電極と上部フローティングゲート電極と、その間を絶縁する電極間絶縁膜を備えた構造が提案されている。また、下部フローティングゲート電極を薄く形成する構成が提案されている。
書込み/読み出しを行うメモリセルユニットを選択する選択ゲートトランジスタの形成工程において、電極間絶縁膜がダメージを受けることによってゲート絶縁膜がエッチングされ、絶縁耐圧が劣化する場合がある。
そこで、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧劣化を抑制する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
そこで、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧劣化を抑制する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、一対の選択ゲートトランジスタと、この一対の選択ゲートトランジスタ間に直列接続されて配置される複数のメモリセルトランジスタを有する。メモリセルトランジスタは、第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上部に配置された第1の電荷蓄積層と、前記第1の電荷蓄積層の上部に配置された第1の電極間絶縁膜と、前記第1の電極間絶縁膜の上部に配置された第2の電荷蓄積層と、前記第2の電荷蓄積層の上部に配置された第2の電極間絶縁膜と、前記第2の電極間絶縁膜の上部に配置された制御電極を積層して備える。選択ゲートトランジスタは、第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上部に配置された第1の電極層と、前記第1の電極層の上部に配置された第3の電極間絶縁膜と、前記第3の電極間絶縁膜の上部に配置された第2の電極層と、前記第2の電極層の上部に配置された第4の電極間絶縁膜と、前記第4の電極間絶縁膜の上部に配置された第3の電極層を積層して備えている。選択ゲートトランジスタは第2の電極層と第4の電極間絶縁膜が除去された領域を有している。当該領域においては、第3の電極間絶縁膜と、第5の電極間絶縁膜とが積層して備えられている。
(第1の実施形態)
以下、第1の実施形態に係る半導体装置として、NAND型のフラッシュメモリ装置に適用したものを図1〜図13を参照して説明する。なお、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、上下左右の方向についても、後述する半導体基板における回路形成面側を上とした場合の相対的な方向を示し、必ずしも重力加速度方向を基準としたものとは一致しない。なお、以下の説明において、説明の便宜上、XYZ直交座標系を使用する。この座標系においては、半導体基板10の表面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向およびY方向とし、これらX方向およびY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
以下、第1の実施形態に係る半導体装置として、NAND型のフラッシュメモリ装置に適用したものを図1〜図13を参照して説明する。なお、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは必ずしも一致しない。また、上下左右の方向についても、後述する半導体基板における回路形成面側を上とした場合の相対的な方向を示し、必ずしも重力加速度方向を基準としたものとは一致しない。なお、以下の説明において、説明の便宜上、XYZ直交座標系を使用する。この座標系においては、半導体基板10の表面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向およびY方向とし、これらX方向およびY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
図1は、NAND型フラッシュメモリ装置の電気的構成を概略的に示すブロック図の一例である。図1に示すように、NAND型フラッシュメモリ装置1は、多数のメモリセルをマトリクス状に配設したメモリセルアレイArを有する。
メモリセル領域M内のメモリセルアレイArには、ユニットメモリセルUCが複数配設されている。ユニットメモリセルUCには、ビット線BL0〜BLn−1との接続側に選択ゲートトランジスタSTDが、ソース線SL側に選択ゲートトランジスタSTSが設けられている。これら選択ゲートトランジスタSTD−STS間にm個(m=2k、例えばm=32)のメモリセルトランジスタMT0〜MTm−1が直列接続されている。
複数のユニットメモリセルUCはメモリセルブロックを構成し、複数のメモリセルブロックはメモリセルアレイArを構成する。すなわち、1つのブロックは、ユニットメモリセルUCを行方向(図1中X方向)にn列並列に配列したものである。メモリセルアレイArは、ブロックを列方向(図1中Y方向)に複数配列したものである。尚、説明を簡略化するため図1には1つのブロックを示している。
制御線SGDは、選択ゲートトランジスタSTDのゲートに接続されている。ワード線WLm−1は、ビット線BL0〜BLn−1に接続されるm番目のメモリセルトランジスタMTm−1の制御ゲートに接続されている。ワード線WL2は、ビット線BL0〜BLn−1に接続される3番目のメモリセルトランジスタMT2の制御ゲートに接続されている。ワード線WL1は、ビット線BL0〜BLn−1に接続される2番目のメモリセルトランジスタMT1の制御ゲートに接続されている。ワード線WL0は、ビット線BL0〜BLn−1に接続される1番目のメモリセルトランジスタMT0の制御ゲートに接続されている。制御線SGSは、ソース線SLに接続される選択ゲートトランジスタSTSのゲートに接続されている。制御線SGD、ワード線WL0〜WLm−1、制御線SGS及びソース線SLは、ビット線BL0〜BLn−1とそれぞれ交差している。ビット線BL0〜BLn−1は、センスアンプ(図示せず)に接続されている。
行方向に配列された複数のユニットメモリセルUCの選択ゲートトランジスタSTDは、そのゲート電極が制御線SGDによって電気的に接続されている。同じく行方向に配列された複数のユニットメモリセルUCの選択ゲートトランジスタSTSは、そのゲート電極が制御線SGSによって電気的に接続されている。選択ゲートトランジスタSTSのソースは、ソース線SLに共通接続されている。行方向に配列された複数のユニットメモリセルUCのメモリセルトランジスタMT0〜MTm−1は、それぞれ、そのゲート電極がワード線WL0〜WLm−1によって電気的に接続されている。
図2は、メモリセル領域Mの一部のレイアウトパターンを模式的に示した平面図の一例である。なお、以下、個々のビット線BL0〜BLn−1をビット線BLと、ワード線WL0〜WLm−1をワード線WLと、メモリセルトランジスタMT0〜MTm−1をメモリセルトランジスタMTと称する。
図2において、ソース線SL、制御線SGS、ワード線WL、及び制御線SGDが、Y方向に互いに離間され、X方向に延伸して並列配置されている。ビット線BLはX方向に互いに所定の間隔で離間され、Y方向に延伸して並列配置されている。
素子分離領域Sbは、図中Y方向に延伸して形成されている。素子分離領域Sbは、トレンチ内に絶縁膜を埋め込まれて形成されるSTI(shallow trench isolation)構造を有している。この素子分離領域SbはX方向に所定間隔で複数形成されている。素子分離領域Sbにより、半導体基板10の表層部に、Y方向に沿って延伸形成された複数の素子領域Saが、X方向に分離して形成される。すなわち、素子領域Sa間には素子分離領域Sbが設けられており、半導体基板は素子分離領域Sbによって複数の素子領域Saに分離されている。
ワード線WLは、素子領域Saと直交する方向(図2中X方向)に沿って延伸形成されている。ワード線WLは、図中Y方向に所定間隔で複数本形成されている。ワード線WLと素子領域Saの交点部分にはメモリセルトランジスタMTが配置されている。Y方向に隣接した複数のメモリセルトランジスタMTはNAND列(メモリセルストリング)の一部となる。
制御線SGS、SGDには開口部100が設けられており、開口部100において第1電極層20bと第3電極層28bが電気的に接続されている(図3参照)。制御線SGS、SGDと素子領域Saの交点部分には選択ゲートトランジスタSTS、STDが配置されている。選択ゲートトランジスタSTS、STDは、NAND列の端部のメモリセルトランジスタMTのY方向両外側に隣接して設けられる。
ソース線SL側の選択ゲートトランジスタSTSはX方向に複数設けられており、複数の選択ゲートトランジスタSTSのゲート電極は制御線SGSにより電気的に接続されている。選択ゲートトランジスタSTSのゲート電極SGは制御線SGSと素子領域Saが交差する部分に形成されている。ソース線コンタクトSLCは、ソース線SLとビット線BLの交差部分に設けられる。
選択ゲートトランジスタSTDは、図中X方向に複数設けられており、選択ゲートトランジスタSTDのゲート電極SGは制御線SGDによって電気的に接続されている。選択ゲートトランジスタSTDは制御線SGDと素子領域Saが交差する部分に形成されている。ビット線コンタクトBLCは、隣接する選択ゲートトランジスタSTD間の、それぞれの素子領域Sa上に形成されている。
以上が、第1の実施形態が適用されるNAND型フラッシュメモリ装置の基本的な構成である。
以上が、第1の実施形態が適用されるNAND型フラッシュメモリ装置の基本的な構成である。
次に、図3〜図13を参照して、第1の実施形態におけるNAND型フラッシュメモリ装置1の具体的な構成について説明する。
図3は選択ゲートトランジスタSTD及びメモリセルトランジスタMTの断面構造を模式的に示す縦断面図の一例であり、図2の3−3線における断面構造を模式的に示す図の一例である。なお、選択ゲートトランジスタSTSの断面構造も選択ゲートトランジスタSTDの断面構造とほぼ同じである。
図3において、半導体基板10上に、複数のメモリセルトランジスタMTを構成するメモリセルゲート電極MGが設けられている。半導体基板10としては、例えば導電型がp型のシリコン基板を用いることができる。pウェルを形成したシリコン基板を用いても良い。半導体基板10上にはゲート絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12としては、例えば熱酸化により形成したシリコン酸化膜を用いることができる。シリコン酸化膜に代えて、シリコン酸窒化膜を用いても良い。ゲート絶縁膜12はFN(Fowler-Nordheim)トンネル膜として用いられる。
メモリセルゲート電極MGは、ゲート絶縁膜12上に、下部フローティングゲート電極20a、第1電極間絶縁膜22a、上部フローティングゲート電極24a、第2電極間絶縁膜26a、コントロールゲート電極28a及び第4絶縁膜40を積層して有している。下部フローティングゲート電極20aは、例えば不純物が導入されたポリシリコン膜により形成されている。不純物としては例えばボロン(B)等を用いることができ、p型ポリシリコンとなっている。下部フローティングゲート電極20aは、ゲート絶縁膜12を通過して注入された電荷を保持(蓄積)することができる。すなわち、下部フローティングゲート電極20aは電荷蓄積層として機能する。下部フローティングゲート電極20aはその膜厚がおよそ5nm程度と薄く形成されている。第1電極間絶縁膜22aは、例えばシリコン窒化膜により形成されている。
上部フローティングゲート電極24aは例えばタングステンシリサイド(WSi)膜により形成されている。また、タングステンシリサイド膜に代えて、窒化タンタル(TaN)、ルテニウム(Ru)膜、又は不純物として例えばボロンが導入されたポリシリコン膜等により形成してもよい。
ゲート絶縁膜12、下部フローティングゲート電極20a及び第1電極間絶縁膜22aの積層膜は、また、全体として一つのトンネル膜として機能する。半導体基板10から注入された電荷は、ゲート絶縁膜12、下部フローティングゲート電極20a、第1電極間絶縁膜22aを通過して上部フローティングゲート電極24aにも書き込まれることができる。上部フローティングゲート電極24aは書き込まれた電荷を保持(蓄積)する。すなわち、上部フローティングゲート電極24aは電荷蓄積層として機能する。第1電極間絶縁膜22aによって、上部フローティングゲート電極24aに書き込まれた電荷の保持特性が向上している。
第2電極間絶縁膜26aは、例えばシリコン含有ハフニウムオキサイド膜(HfSiO)、シリコン酸化膜(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、シリコン酸窒化膜(SiON)、及びシリコン窒化膜(SiN)等による積層膜により形成されている。第2電極間絶縁膜26aは、上部フローティングゲート電極24aに蓄積された電荷の、コントロールゲート電極28aへの抜けを抑制する機能を有する。
コントロールゲート電極28aは金属膜により形成されており、例えば窒化タングステン(WN)とタングステン(W)の積層膜により形成されている。コントロールゲート電極28aの上部には第4絶縁膜40が形成されている。第4絶縁膜40は例えばシリコン窒化膜により形成されている。
メモリセルゲート電極MGと、その両側の半導体基板10に設けられた第1ソースドレイン領域14は、メモリセルトランジスタMTを構成している。
選択ゲートトランジスタSTDの選択ゲート電極SGは、ゲート絶縁膜12上に、第1電極層20b、第3電極間絶縁膜22b、第2電極層24b、第4電極間絶縁膜26b、第5電極間絶縁膜30、第3電極層28b、及び第4絶縁膜40を積層して有している。第1電極層20bは、例えば不純物が導入されたポリシリコン膜により形成されている。不純物としては例えばボロン(B)等を用いることができ、p型ポリシリコンとなっている。第3電極間絶縁膜22bは、例えばシリコン窒化膜により形成されている。
選択ゲートトランジスタSTDの選択ゲート電極SGは、ゲート絶縁膜12上に、第1電極層20b、第3電極間絶縁膜22b、第2電極層24b、第4電極間絶縁膜26b、第5電極間絶縁膜30、第3電極層28b、及び第4絶縁膜40を積層して有している。第1電極層20bは、例えば不純物が導入されたポリシリコン膜により形成されている。不純物としては例えばボロン(B)等を用いることができ、p型ポリシリコンとなっている。第3電極間絶縁膜22bは、例えばシリコン窒化膜により形成されている。
第2電極層24bは例えばタングステンシリサイド(WSi)膜、窒化タンタル(TaN)、ルテニウム(Ru)、又は不純物として例えばボロンが導入されたポリシリコン等により形成されている。第4電極間絶縁膜26bは、例えばシリコン含有ハフニウムオキサイド膜(HfSiO)、シリコン酸化膜(SiO2)、アルミナ(Al2O3)、シリコン酸窒化膜(SiON)、及びシリコン窒化膜(SiN)等による積層膜により形成されている。第5電極間絶縁膜30は、例えばシリコン窒化膜により形成されている。
第3電極層28bは金属膜により形成されており、例えば窒化タングステン(WN)とタングステン(W)の積層膜により形成されている。第3電極層28bの上部には第4絶縁膜40が形成されている。第4絶縁膜40は例えばシリコン窒化膜により形成されている。選択ゲート電極SGに隣接する半導体基板10には第2ソースドレイン領域16が設けられており、選択ゲートトランジスタSTDを構成している。
選択ゲート電極SGには、第2電極層24b及び第4電極間絶縁膜26bが局所的に除去された領域である開口部100が設けられており、開口部100において第5電極間絶縁膜30と第3電極間絶縁膜22bが接触して積層している。従って、選択ゲート電極SGにおいて、第3電極層28bと第1電極層20b間に介在する絶縁膜(第3電極間絶縁膜22b及び第5電極間絶縁膜30の積層膜)の膜厚は、メモリセルゲート電極MGにおいて、上部フローティングゲート電極24aと下部フローティングゲート電極20a間に介在する絶縁膜(第1電極間絶縁膜22a)の膜厚より厚い。また、選択ゲート電極SGにおいて、第3電極層28bと第1電極層20b間に介在する絶縁膜(第3電極間絶縁膜22b及び第5電極間絶縁膜30)の膜厚は、第2電極層24bと第1電極層20b間に介在する絶縁膜(第3電極間絶縁膜22b)の膜厚よりも厚い。
選択ゲート電極SGにおいては、第3電極間絶縁膜22b及び第5電極間絶縁膜30にはチャージがトラップされている。このトラップされたチャージを経路として電流が流れることが可能となるため、第3電極間絶縁膜22b及び第5電極間絶縁膜30は開口部100において導電性を有している。従って、開口部100において、第1電極層20bと第3電極層28bは、第3電極間絶縁膜22b及び第5電極間絶縁膜30を介して電気的に接続されている。開口部100により、第1電極層20bが電気的にフローティングとならないようにしている。これにより、選択ゲートトランジスタSTDはフローティングゲート電極を有さない通常のトランジスタとして動作する。
メモリセルゲート電極MGと選択ゲート電極SGは、共通する膜構成を有している。すなわち、下部フローティングゲート電極20aと第1電極層20bとは同一の膜材料で形成されている。第1電極間絶縁膜22aと第3電極間絶縁膜22bとは同一の膜材料で形成されている。上部フローティングゲート電極24aと第2電極層24bとは同一の膜材料で形成されている。第2電極間絶縁膜26aと第4電極間絶縁膜26bとは同一の膜材料で形成されている。コントロールゲート電極28aと第3電極層28bとは同一の膜材料で形成されている。
ゲート絶縁膜12上面、メモリセルゲート電極MG及び選択ゲート電極SGの表面を覆うように第5絶縁膜42が設けられている。第5絶縁膜42としては、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。第5絶縁膜42はライナー膜として用いられる。
複数のメモリセルゲート電極MG間には複数の空隙があり、これら複数のメモリセルゲート電極MG、及びメモリセルゲート電極MG間の空隙の上部を覆って蓋をするように第6絶縁膜44が設けられている。これにより、メモリセルゲート電極MG間の空隙は、エアギャップAGとなっている。第6絶縁膜44としては例えばプラズマCVD法により成膜したシリコン酸化膜を用いることができる。第6絶縁膜44は被覆性の悪い条件にて成膜されているため、エアギャップAG内を埋設することはない。第6絶縁膜44は、複数のメモリセルゲート電極MG上、及び、複数のエアギャップAG上を架け渡すように覆って形成されている。エアギャップAGにより、メモリセルゲート電極MG間、及びメモリセルゲート電極MG−選択ゲート電極SG間の寄生容量が低減される。
複数のメモリセルゲート電極MG、及び選択ゲート電極SGの両側の半導体基板10表面には、第1ソースドレイン領域14及び第2ソースドレイン領域16が設けられている。第1ソースドレイン領域14は、低濃度に不純物が導入された領域であって、不純物として例えばリンが導入されており、n型不純物層領域となっている。第2ソースドレイン領域16は、高濃度に不純物が導入された領域であって、不純物として例えばリンが導入されており、n型不純物層領域となっている。
<製造方法>
以下、本実形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する。一般的な工程であれば各工程間に他の工程を追加しても良いし、実用的に可能であれば各工程は必要に応じて入れ替えても良い。
以下、本実形態に係る半導体装置の製造方法の一例を説明する。一般的な工程であれば各工程間に他の工程を追加しても良いし、実用的に可能であれば各工程は必要に応じて入れ替えても良い。
図3〜13は第1の実施形態のNAND型フラッシュメモリ装置の製造工程を説明するための途中工程を示す縦断面図の一例であり、図2の3−3線における断面図の一例を示している。
はじめに、図4に至るまでの工程の概略を説明する。半導体基板10上にゲート絶縁膜12、第1導電膜20、第1絶縁膜22、第2導電膜24及びマスク窒化膜を形成する。ゲート絶縁膜12は例えば熱酸化法によって形成したシリコン酸化膜を用いることができる。また、酸窒化法によって形成したシリコン酸窒化膜を用いても良い。ゲート絶縁膜12は例えば膜厚5nm〜7nm程度に成膜される。
第1導電膜20には例えばCVD法を用いて成膜したポリシリコン膜を用いることができる。ポリシリコン膜には不純物として例えばボロンが導入されている。不純物の導入は、例えばポリシリコンを成膜した後にイオン注入法によって行っても良いし、ポリシリコンの成膜中にin−situで不純物を導入しても良い。第1導電膜20は例えば膜厚5nm〜10nmで形成され、薄い膜厚となっている。第1絶縁膜22は例えばCVD法によって成膜したシリコン窒化膜を用いることができる。第1絶縁膜22は例えば膜厚3nm程度に成膜することができる。第2導電膜24は例えばスパッタリング法によって成膜したタングステンシリサイド又はルテニウムを用いることができる。これに代えて、不純物が導入されたポリシリコンを用いても良い。ポリシリコンの形成は第1導電膜20と同様の方法により行うことができる。第2導電膜24は例えば膜厚5nm程度に形成することができる。
第1導電膜20は後に下部フローティングゲート電極20a及び第1電極層20bとなる膜である。第1絶縁膜22は後に第1電極間絶縁膜22a及び第3電極間絶縁膜22bとなる膜である。第2導電膜24は後に上部フローティングゲート電極24a及び第2電極層24bとなる膜である。
次に、リソグラフィ法及びRIE(Reactive Ion Etching、反応性イオンエッチング)法によるドライエッチングを用いてこれらを選択的にパターニングする。この工程で、半導体基板10にもエッチングを施し、素子分離溝(図2のSbに相当)を形成する。なお、素子分離溝は図4には表示されない(図2参照)。
次に、全面にシリコン酸化膜(素子分離絶縁膜)を形成し、素子分離溝、下部フローティングゲート電極20a間を埋設し、さらにこれらの上部を覆う。次に、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法によりマスク窒化膜上面高さまでシリコン酸化膜を研磨し、次いでドライエッチングにより、シリコン酸化膜表面高さを上部フローティングゲート電極24a上面高さまで後退させる。次に、マスク窒化膜を、例えば140℃程度に加熱したリン酸(ホットリン酸)によりエッチング除去する。これにより素子分離絶縁膜を形成することができ、素子分離絶縁膜が形成された領域が素子分離領域となる。半導体基板10表面は素子分離領域Sbによって、図2におけるX方向に分断され、素子分離領域Sb間の領域が素子領域Saとなる。
次に、図4に示すように、第2絶縁膜26、カーボン膜70及びハードマスク膜72を成膜する。第2絶縁膜26は、例えばシリコン含有ハフニウムオキサイド膜(HfSiO)、シリコン酸化膜(SiO2)、及びシリコン窒化膜(SiN)等による積層膜により形成されている。これらの膜の成膜方法としては例えばCVD法が用いられる。第2絶縁膜26は後に第2電極間絶縁膜26a及び第4電極間絶縁膜26bとなる膜である。カーボン膜70は例えばカーボン(C)膜をCVD法若しくは塗布法によって形成することができる。ハードマスク膜72としては例えばCVD法によって形成したシリコン酸化膜を用いることができる。
次に、図5に示すように、リソグラフィ法及びRIE法を後いて、ハードマスク膜72及びカーボン膜70を選択的にエッチングし、後に選択ゲート電極SGが形成される領域に開口部100を設ける。開口部100においてはハードマスク膜72及びカーボン膜70が貫通され、第2絶縁膜26表面が露出している。
次に、図6に示すように、ハードマスク膜72をエッチングマスクとして、RIE法によるエッチングを施す。エッチングは異方性条件を用いて行い、開口部100の第2絶縁膜26及び第2導電膜24を選択的にエッチングし、第1絶縁膜22表面にてストップさせる。このエッチング中にハードマスク膜72は膜減りして除去される場合がある。この場合は、図6に示すようにカーボン膜70が露出し、ハードマスクの役割を担う。
次に、図7に示すように、カーボン膜70を除去する。カーボン膜70の除去は例えば酸素プラズマを用いたアッシング処理により行うことができる。これにより、開口部100においては第2絶縁膜26及び第2導電膜24が選択的に除去されて第1絶縁膜22が露出している。
次に、図8に示すように、全面に第5電極間絶縁膜30を形成する。第5電極間絶縁膜30の形成は、例えばALD(atomic layer deposition)法を用いてシリコン窒化膜を成膜することにより行うことができる。シリコン窒化膜のALD法による成膜は、例えばソースガスとしてジクロロシラン(SiH2Cl2)、若しくはモノシラン(SiH4)を用いることができる。シリコン窒化膜に代えて、シリコン酸化膜を形成しても良い。この場合はソースガスとして例えばアミノシラン系のガスが用いられる。ALD成膜装置としては、枚様式又はバッチ式を用いることが可能である。シリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を交互に成膜して、シリコン窒化膜/シリコン酸化膜の積層膜としてもよい。第5電極間絶縁膜30は例えば膜厚3nm程度で形成することができる。開口部100において、第1絶縁膜22と第5電極間絶縁膜30が接触し、積層膜となっている。次に、イオン注入法を用いて、酸素(O2)又は窒素(N)を低加速で第5電極間絶縁膜30に注入し、第5電極間絶縁膜30に電荷をトラップさせる。これにより、第5電極間絶縁膜30及び開口部100における第1絶縁膜22(第3電極間絶縁膜22b)に電荷がトラップされ、導電性を付与することができる。この方法に代えて、若しくはこの方法と併用して、上述のALD法による成膜時のRF(Radio Frequency)パワーを調整することにより第5電極間絶縁膜30に電荷をチャージさせることで、第5電極間絶縁膜30及び開口部100における第1絶縁膜22に電荷をトラップさせても良い。
このように、開口部100において、第1絶縁膜22及び第5電極間絶縁膜30に電荷がトラップされているため、この部分で、第1絶縁膜22及び第5電極間絶縁膜30は導電性を有し、後に形成される第3電極層28b−第1電極層20b間を導通させることが可能となる。
次に、図9に示すように、リソグラフィ法及びRIE法を用いて、第5電極間絶縁膜30を選択的に除去し、選択ゲート電極SGを含む領域に第5電極間絶縁膜30を残存させる。後にメモリセルゲート電極MGが形成される領域の第5電極間絶縁膜30は除去されている。
次に図10に示すように、第3導電膜28及び第4絶縁膜40を順次成膜する。第3導電膜28としては例えばタングステンを用いることができる。タングステンは例えばスパッタリング法により形成することができる。タングステンのスパッタリングによる成膜を行う前に、前処理として例えば希釈フッ酸処理を施す。第4絶縁膜40としては例えばシリコン窒化膜を用いることができる。シリコン窒化膜は例えばCVD法により形成することができる。
ここで、仮に第5電極間絶縁膜30を形成しなかった場合、以下の現象が生じる、すなわち、開口部100における第1絶縁膜22は、図6における工程において、RIE法によるドライエッチング雰囲気に曝されている。これにより、開口部100における第1絶縁膜22はダメージを受け、例えば膜質が劣化したり、ピンホールが生じたりする場合がある。この状態で、上述の希釈フッ酸処理を施すと、希釈フッ酸溶液が第1絶縁膜22を通り抜けて第1導電膜20に達する場合がある。本実施形態では第1導電膜20は薄い膜厚で形成されている。この場合、希釈フッ酸溶液は第1導電膜20を形成するポリシリコンのグレイン粒界を通り抜け、ゲート絶縁膜12に達する場合がある。希釈フッ酸溶液がゲート絶縁膜12に達すると、ゲート絶縁膜12が僅かにエッチングされる場合がある。ゲート絶縁膜12がエッチングされると、ゲート絶縁膜12の絶縁耐圧が劣化することになり、これを用いた選択ゲートトランジスタSTD(又はSTS)の信頼性の劣化につながる。
本実施形態では、開口部100において、第1絶縁膜22上部に、エッチング等に曝されておらず膜質が劣化していない第5電極間絶縁膜30を設けている。これにより、希釈フッ酸溶液が第1絶縁膜22及び第1導電膜20を通過し、ゲート絶縁膜12に達することを抑制することが可能となる。従って、本実施形態によれば、信頼性が向上したNAND型フラッシュメモリ装置1を提供することが可能となる。
次に、図11に示すように、リソグラフィ法及びRIE法によるドライエッチングを用いて、第4絶縁膜40、第3導電膜28、第2絶縁膜26、第2導電膜24、第1絶縁膜22及び第1導電膜20を選択的に除去する。これにより、メモリセルゲート電極MG(第4絶縁膜40、コントロールゲート電極28a、第2電極間絶縁膜26a、上部フローティングゲート電極24a、第1電極間絶縁膜22a、下部フローティングゲート電極20a)が加工形成される。また、同様に選択ゲート電極SG(第4絶縁膜40、第3電極層28b、第5電極間絶縁膜30、第4電極間絶縁膜26b、第2電極層24b、第3電極間絶縁膜22b、第1電極層20b)のメモリセルゲート電極MGに面する側面が加工形成される。
次に、図12に示すように、第5絶縁膜42を形成する。第5絶縁膜42としては例えばシリコン酸化膜を用いることができる。第5絶縁膜42は例えばCVD法を用いて成膜することができ、CVD法による成膜においては被覆性が良好な条件にて成膜することができる。これにより、メモリセルゲート電極MG等で形成された立体的形状の表面にコンフォーマルに第5絶縁膜42を形成することができる。
その後、イオン注入法を用いて、メモリセルゲート電極MGに隣接する半導体基板10表面に不純物を低濃度に注入し、第1ソースドレイン領域14を形成する。不純物としては例えばリン(P)又はヒ素(As)を用いることができる。
続いて、第6絶縁膜44を形成する。第6絶縁膜44としては例えばシリコン酸化膜を用いることができる。第6絶縁膜44は例えばプラズマCVD法を用いて、被覆性が悪い条件にて成膜することができる。これにより、第6絶縁膜44はメモリセルゲート電極MG間に入り込むことなく成膜される。メモリセルゲート電極MG間の間隙は第6絶縁膜44により埋設されることがなく、複数のメモリセルゲート電極MG、選択ゲート電極SG及びそれらの間隙の上部を架け渡して蓋をするように第6絶縁膜44を形成することができる。これによりメモリセルゲート電極MG間の間隙はエアギャップAGとなる。エアギャップAGによりメモリセルゲート電極MG間の寄生容量が低減される。
次に、図13に示すように、リソグラフィ法及びRIE法によるドライエッチングを用いて、選択ゲート電極SGのメモリセルゲート電極MGに面していない側の側面を加工する。エッチングは異方性条件を用いて行われ、第4絶縁膜40から第1電極層20bまでをエッチング除去する。これにより第4絶縁膜40、第3電極層28b、第5電極間絶縁膜30、第4電極間絶縁膜26b、第2電極層24b、第3電極間絶縁膜22b及び第1電極層20bを有する選択ゲート電極SGが形成される。
続いて、図3に示すように、選択ゲート電極SGのメモリセルゲート電極MGに面していない側の側面に側壁絶縁膜62を形成する。側壁絶縁膜62は例えばシリコン酸化膜により形成することができる。側壁絶縁膜62は以下の方法により形成される。すなわち、CVD法を用いて、被覆性の良い条件にてシリコン酸化膜を成膜する。シリコン酸化膜は第6絶縁膜44表面及び選択ゲート電極SG側面の形状に沿ってコンフォーマルに成膜される。次いで、RIE法による異方性エッチングを用いて、成膜したシリコン酸化膜を垂直方向にエッチバックする。これにより、選択ゲート電極SG側面を覆うように側壁絶縁膜62が形成される。
次いで、イオン注入法を用いて選択ゲート電極SGに隣接する半導体基板10表面に不純物を高濃度に注入することにより、第2ソースドレイン領域16を形成する。不純物としては例えばリン又はヒ素を用いることができる。側壁絶縁膜62の幅は、選択ゲート電極SG−第2ソースドレイン領域16間のオフセット幅となる。続いて、第7絶縁膜64及び第8絶縁膜66を形成する。第7絶縁膜64としては例えばシリコン酸化膜を用いることができ、第8絶縁膜66としては例えばシリコン窒化膜を用いることができる。第7絶縁膜64及び第8絶縁膜66は例えばCVD法を用いて成膜することができる。
以上により、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ装置1が形成される。
上述のように、実施形態に係る不揮発性半導体装置の製造方法によれば、選択ゲート電極SGの設けられる開口部100において、第1絶縁膜22(第3電極間絶縁膜22b)上部に第5電極間絶縁膜30が形成されている。これにより、この領域で、第1電極層20b上部表面は、第3電極間絶縁膜22bだけでなく第5電極間絶縁膜30によっても保護される。また、第5電極間絶縁膜30はエッチング等に曝されていないためダメージを受けておらず、ピンホール等を有していないため、希釈フッ酸溶液の透過を阻止する能力が高い。従って、第3電極層28bの形成前処理にて用いられる希釈フッ酸溶液が、第3電極間絶縁膜22bを通り抜けて、さらに第1電極層20bを形成するポリシリコンの粒界を通り、ゲート絶縁膜12に達することを抑制する。従って、ゲート絶縁膜12の劣化を防止することが可能となる。
上述のように、実施形態に係る不揮発性半導体装置の製造方法によれば、選択ゲート電極SGの設けられる開口部100において、第1絶縁膜22(第3電極間絶縁膜22b)上部に第5電極間絶縁膜30が形成されている。これにより、この領域で、第1電極層20b上部表面は、第3電極間絶縁膜22bだけでなく第5電極間絶縁膜30によっても保護される。また、第5電極間絶縁膜30はエッチング等に曝されていないためダメージを受けておらず、ピンホール等を有していないため、希釈フッ酸溶液の透過を阻止する能力が高い。従って、第3電極層28bの形成前処理にて用いられる希釈フッ酸溶液が、第3電極間絶縁膜22bを通り抜けて、さらに第1電極層20bを形成するポリシリコンの粒界を通り、ゲート絶縁膜12に達することを抑制する。従って、ゲート絶縁膜12の劣化を防止することが可能となる。
また、第5電極間絶縁膜30に電荷をトラップさせる処理を施すことによって、第5電極間絶縁膜30及び開口部100における第1絶縁膜22(第3電極間絶縁膜22b)に電荷をトラップさせることが可能となる。これにより、この部分で第5電極間絶縁膜30及び第1絶縁膜22に導電性を付与し、第3電極層28bと第1電極層20bの間を導通させることが可能となる。
(他の実施形態)
上記実施形態で説明したもの以外に次のような変形をすることができる。
上記実施形態では、NAND型のフラッシュメモリ装置に適用した一例を示したが、その他、NOR型のフラッシュメモリ装置、EEPROM等の不揮発性半導体記憶装置に適用しても良い。
上記実施形態で説明したもの以外に次のような変形をすることができる。
上記実施形態では、NAND型のフラッシュメモリ装置に適用した一例を示したが、その他、NOR型のフラッシュメモリ装置、EEPROM等の不揮発性半導体記憶装置に適用しても良い。
半導体基板10としては、p型のシリコン半導体基板、pウェルが形成されたシリコン基板の他、p型のシリコン領域を有するSOI(Silicon on Insulator)基板を用いても良い。
上述のように、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1はNAND型フラッシュメモリ装置、10は半導体基板、12はゲート絶縁膜、20aは下部フローティングゲート電極、20bは第1電極層、22aは第1電極間絶縁膜、22bは第3電極間絶縁膜、24aは上部フローティングゲート電極、24bは第2電極層、26aは第2電極間絶縁膜、26bは第4電極間絶縁膜、28aはコントロールゲート電極、28bは第3電極層、30は第5電極間絶縁膜である。
Claims (5)
- 一対の選択ゲートトランジスタと、
前記一対の選択ゲートトランジスタ間に直列接続されて配置される複数のメモリセルトランジスタを有し、
前記メモリセルトランジスタは、第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上部に配置された第1の電荷蓄積層と、前記第1の電荷蓄積層の上部に配置された第1の電極間絶縁膜と、前記第1の電極間絶縁膜の上部に配置された第2の電荷蓄積層と、前記第2の電荷蓄積層の上部に配置された第2の電極間絶縁膜と、前記第2の電極間絶縁膜の上部に配置された制御電極とを積層して備え、
前記選択ゲートトランジスタは、第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜の上部に配置された第1の電極層と、前記第1の電極層の上部に配置された第3の電極間絶縁膜と、前記第3の電極間絶縁膜の上部に配置された第2の電極層と、前記第2の電極層の上部に配置された第4の電極間絶縁膜と、前記第4の電極間絶縁膜の上部に配置された第3の電極層を積層して備えており、前記選択ゲートトランジスタは前記第2の電極層と前記第4の電極間絶縁膜が除去された領域を有し、当該領域においては、前記第3の電極間絶縁膜と、第5の電極間絶縁膜とが積層して備えられている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記領域における前記第3の電極間絶縁膜と前記第5の電極間絶縁膜との積層膜厚は、前記第1の電極間絶縁膜の膜厚より厚いことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 一対の選択ゲートトランジスタと、
前記一対の選択ゲートトランジスタに挟まれて配置される複数のメモリセルトランジスタを有する不揮発性半導体記憶装置を製造する方法であって、
前記選択ゲートトランジスタは、
半導体基板上に、第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の上部に第1の電極層と、前記第1の電極層上に第1の電極間絶縁膜と、前記第1の電極間絶縁膜の上部に第2の電極層と、前記第2の電極層の上部に第2の電極間絶縁膜と、を形成する工程と、
前記選択ゲートの一部領域において、前記第2の電極層と前記第2の電極間絶縁膜を選択的に除去する工程と、
前記第2の電極間絶縁膜の上部、及び前記第2の電極層と前記第2の電極間絶縁膜が選択的に除去された前記第1の電極間絶縁膜の上部に第3の電極間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の電極間絶縁膜の上部に第3の電極層を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 前記第3の電極間絶縁膜を形成する工程において、成膜中に前記第3の電極間絶縁膜に電荷をトラップさせることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
- 前記第3の電極間絶縁膜を形成する工程の後に、イオン注入法を用いて酸素又は窒素を注入することにより前記第3の電極間絶縁膜に電荷をトラップさせる工程を有することを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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JP2013171256A JP2015041670A (ja) | 2013-08-21 | 2013-08-21 | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
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