JP2015040142A - Manufacturing method of silicon single crystal material, and silicon single crystal material - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a silicon single crystal material to be used as a sputtering target material having no slip and less deviation from a target resistivity or an electrode for plasma etching.SOLUTION: A manufacturing method of a silicon single crystal material pulls upward a silicon single crystal having a resistivity of 10 to 50 Ωcm by a Czochralski method, cuts the silicon single crystal into pieces of a thickness of 5 to 50 mm, and controls the resistivity within the range of ±10% of a target resistivity without donor killer heat treatment. Preferably, the concentration of interstitial oxygen in the silicon single crystal to be pulled upward is set to be a low oxygen concentration of 6.6 to 10×1017 atoms/cm3 (ASTM'79) in order that the deviation from the target resistivity is certainly controlled within the range of ±10%. Preferably, a site is cut which is located upward from the bottom edge of a silicon single crystal trunk by 20% of the length ratio of the trunk.

Description

本発明は、半導体製造に使用されるスパッタリングやプラズマエッチングを行う装置に搭載されるシリコン単結晶材料において、特に３００ｍｍウェーハを用いた半導体デバイスを製造する製造装置（スパッターやプラズマエッチャー）に使用される、シリコン単結晶材料に関する。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is a silicon single crystal material mounted on an apparatus for performing sputtering or plasma etching used for semiconductor manufacturing, and particularly used for a manufacturing apparatus (sputtering or plasma etcher) for manufacturing a semiconductor device using a 300 mm wafer. And relates to a silicon single crystal material.

半導体デバイス製造工程において、金属ケイ素や酸化ケイ素等の薄膜を得る方法としてスパッタリングが知られている。このスパッタリングのターゲット材として、特許文献１、２に示されるように、シリコンが用いられている。また、特許文献３では、シリコン薄膜の製造効率を高めるため、シリコン単結晶材料をターゲット材として使用している。また、半導体デバイス製造工程における加工方法の一つとしてプラズマエッチングが知られており、上記と同様の材料をプラズマエッチング用の電極として使用することもある（特許文献４）。通常、これらのシリコン単結晶材料は、半導体製造用のシリコンウェーハとは異なり、所要の厚さ、例えば１０ｍｍ程度の厚さを有する。   In a semiconductor device manufacturing process, sputtering is known as a method for obtaining a thin film of metal silicon, silicon oxide or the like. As a sputtering target material, silicon is used as disclosed in Patent Documents 1 and 2. Moreover, in patent document 3, in order to improve the manufacturing efficiency of a silicon thin film, the silicon single crystal material is used as a target material. Further, plasma etching is known as one of processing methods in a semiconductor device manufacturing process, and the same material as described above may be used as an electrode for plasma etching (Patent Document 4). Usually, these silicon single crystal materials have a required thickness, for example, a thickness of about 10 mm, unlike a silicon wafer for semiconductor manufacturing.

近年の半導体用シリコンウェーハの大口径化に伴い、半導体デバイス製造工程であるスパッタリングのターゲット材やプラズマエッチング用電極も大口径のものが要求されている。そのため、上記のターゲット材やプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料を大口径結晶の製造が比較的容易なチョクラルスキー（ＣＺ）法で製造する機会が増えている。従って、シリコンウェーハの大口径化に伴い、ターゲット材やプラズマエッチング用電極自体のサイズも大きくなってきた。近年主流である、直径３００ｍｍのウェーハにスパッタリングやプラズマエッチングを施すには、処理対象のウェーハよりも大きなターゲットや電極が必要となる。   With the recent increase in diameter of silicon wafers for semiconductors, sputtering target materials and plasma etching electrodes, which are semiconductor device manufacturing processes, are also required to have large diameters. For this reason, there are increasing opportunities to manufacture the silicon single crystal material used as the target material or the plasma etching electrode by the Czochralski (CZ) method, which makes it relatively easy to manufacture large-diameter crystals. Therefore, with the increase in the diameter of the silicon wafer, the size of the target material and the plasma etching electrode itself has also increased. In order to perform sputtering and plasma etching on a wafer having a diameter of 300 mm, which is the mainstream in recent years, a larger target and electrode than the wafer to be processed are required.

一般的に、ＣＺ法により得られたシリコン単結晶は、単結晶中に格子間酸素に起因するサーマルドナーが発生する。このサーマルドナーによりシリコン単結晶材料とした際に抵抗率が目標抵抗率に対してずれが生じる。スパッタリングのターゲット材やプラズマエッチング用電極に用いるシリコン単結晶材料及びその製造方法において、特許文献４では抵抗率の制御方法としてドナーキラー熱処理の方法が開示されている。   In general, a silicon single crystal obtained by the CZ method generates thermal donors due to interstitial oxygen in the single crystal. When the silicon single crystal material is formed by this thermal donor, the resistivity is shifted from the target resistivity. In a silicon single crystal material used for a sputtering target material or a plasma etching electrode and a manufacturing method thereof, Patent Document 4 discloses a donor killer heat treatment method as a resistivity control method.

特開昭６１−１１７２７５号公報Japanese Patent Laid-Open No. 61-117275 特開平１１−１１７０６３号公報JP 11-117063 A 特開２００１−６０５５３号公報JP 2001-60553 A 特許４１０５６８８号公報Japanese Patent No. 4105688

しかし、近年要求されているような厚さが１０ｍｍ程度かつ大口径のターゲット材や電極のシリコン単結晶材料では、単結晶製造後の抵抗測定の前にドナーキラー熱処理を行い、加熱後の急冷工程を行うことにより、単結晶材料の内部にスリップが導入されることが明らかになり、抵抗率を制御するために上記のドナーキラー熱処理ができない問題がでてきた。   However, in the case of a silicon single crystal material of a target material or electrode having a thickness of about 10 mm and a large diameter as required in recent years, a donor killer heat treatment is performed before resistance measurement after the single crystal is manufactured, and a rapid cooling process after heating. As a result, it became clear that slip was introduced into the single crystal material, and the above-mentioned donor killer heat treatment could not be performed in order to control the resistivity.

ドナーキラー熱処理を施さない場合のターゲット材や電極でスパッタリングやエッチングを行うと、目標抵抗率からのずれが生じるため、所望のスパッタリングやエッチングができない。そこで、大口径でありながら目標抵抗率に対しサーマルドナーによる抵抗率のずれが少ない、スパッタリング用のターゲット材やプラズマエッチング用の電極材に用いられるシリコン単結晶材料の製造方法が必要とされている。   When sputtering or etching is performed with a target material or electrode when the donor killer heat treatment is not performed, deviation from the target resistivity occurs, and thus desired sputtering or etching cannot be performed. Therefore, there is a need for a method for producing a silicon single crystal material used for a sputtering target material or plasma etching electrode material, which has a large diameter but has a small deviation in resistivity due to a thermal donor with respect to a target resistivity. .

本発明は上記問題点を鑑みなされたものであり、大口径であっても、スリップの導入がなく、かつ、目標抵抗率からのずれの少ないシリコン単結晶材料を製造することのできるシリコン単結晶材料の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a silicon single crystal capable of producing a silicon single crystal material that does not introduce slip and has a small deviation from the target resistivity even when having a large diameter. It aims at providing the manufacturing method of material.

上記課題を解決するために、本発明によれば、
スパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料の製造方法であって、
チョクラルスキー法により抵抗率が１０〜５０Ωｃｍのシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出して、ドナーキラー熱処理を行わずに、抵抗率を目標抵抗率の±１０％の範囲内に制御するシリコン単結晶材料の製造方法を提供する。 In order to solve the above problems, according to the present invention,
A method for producing a silicon single crystal material used as a sputtering target material or plasma etching electrode,
A silicon single crystal having a resistivity of 10 to 50 Ωcm is pulled up by the Czochralski method, the silicon single crystal is cut into a thickness of 5 to 50 mm, and the resistivity is ± 10% of the target resistivity without performing donor killer heat treatment. A method for producing a silicon single crystal material that is controlled within the above range is provided.

このようなシリコン単結晶材料の製造方法であれば、ドナーキラー熱処理を行わないことからスリップの導入がなく、かつ、目標抵抗率からのずれの少ないシリコン単結晶材料を製造することができる。   With such a method for producing a silicon single crystal material, it is possible to produce a silicon single crystal material which does not introduce a slip and does not undergo a donor killer heat treatment and has little deviation from the target resistivity.

このとき、前記チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げで、格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のものを引き上げることが好ましい。 At this time, it is preferable that the silicon single crystal is pulled by the Czochralski method and the one having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) is pulled.

このようなシリコン単結晶を引き上げて切り出すことで、ドナーキラー熱処理を行わなくても、目標抵抗率からのずれの少ないシリコン単結晶材料を製造することができる。   By pulling up and cutting out such a silicon single crystal, a silicon single crystal material with little deviation from the target resistivity can be manufactured without performing donor killer heat treatment.

また、前記チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げで、格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のものを引き上げ、前記シリコン単結晶の切り出しは、直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域から切り出すことが好ましい。 Further, by pulling up the silicon single crystal by the Czochralski method, a silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) is pulled up. It is preferable to cut out from the region of 20% upward in the length ratio of the straight body from the lower end of the part.

このようなシリコン単結晶の切り出しを行うことでも、ドナーキラー熱処理を行わなくても、目標抵抗率からのずれの少ないシリコン単結晶材料を製造することができる。   A silicon single crystal material with little deviation from the target resistivity can be manufactured without performing such silicon single crystal cutting or donor killer heat treatment.

また、本発明は、
スパッタリングのターゲット材として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料を提供する。 The present invention also provides:
A silicon single crystal material used as a sputtering target material,
A silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) pulled up by the Czochralski method is cut out to a thickness of 5 to 50 mm, and a donor killer heat treatment is performed. A silicon single crystal material having a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm is provided.

さらに、本発明は、
スパッタリングのターゲット材として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料を提供する。 Furthermore, the present invention provides
A silicon single crystal material used as a sputtering target material,
The interstitial oxygen concentration pulled up by the Czochralski method is 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). Provided is a silicon single crystal material in which a region is cut to a thickness of 5 to 50 mm, has not been subjected to donor killer heat treatment, and has a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.

このようなシリコン単結晶材料は、ドナーキラー熱処理が施されていないためスリップが導入されることがなく、また、ドナーキラー熱処理が施されておらずとも目標抵抗率のものとなっており、ターゲット材と使用しても抵抗率のずれが少ないため、スパッタリングのターゲット材として好適に用いることができる。   Such a silicon single crystal material is not subjected to donor killer heat treatment, so that slip is not introduced, and even if it is not subjected to donor killer heat treatment, it has a target resistivity. Since there is little deviation in resistivity even when used with a material, it can be suitably used as a sputtering target material.

また、本発明は、
プラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料を提供する。 The present invention also provides:
A silicon single crystal material used as an electrode for plasma etching,
A silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) pulled up by the Czochralski method is cut out to a thickness of 5 to 50 mm, and a donor killer heat treatment is performed. A silicon single crystal material having a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm is provided.

さらに、本発明は、
プラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料を提供する。 Furthermore, the present invention provides
A silicon single crystal material used as an electrode for plasma etching,
The interstitial oxygen concentration pulled up by the Czochralski method is 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). Provided is a silicon single crystal material in which a region is cut to a thickness of 5 to 50 mm, has not been subjected to donor killer heat treatment, and has a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.

このようなシリコン単結晶材料は、ドナーキラー熱処理が施されていないためスリップが導入されることがなく、また、ドナーキラー熱処理が施されておらずとも目標抵抗率のものとなっており、電極と使用しても抵抗率のずれが少ないため、プラズマエッチング用電極として好適に用いることができる。   Such a silicon single crystal material is not subjected to donor killer heat treatment, so that slip is not introduced, and even if it is not subjected to donor killer heat treatment, it has a target resistivity. Can be suitably used as an electrode for plasma etching.

以上説明したように、本発明のシリコン単結晶材料の製造方法であれば、スリップの導入がなく、かつ、目標抵抗率からのずれの少ないシリコン単結晶材料を製造することができる。また、このように製造されたシリコン単結晶材料は、ドナーキラー熱処理が施されていないためスリップが導入されることがなく、また、目標抵抗率からのずれが少ないため、スパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として好適に用いることができる。   As described above, according to the method for producing a silicon single crystal material of the present invention, it is possible to produce a silicon single crystal material that does not introduce slip and has little deviation from the target resistivity. Further, since the silicon single crystal material thus manufactured is not subjected to donor killer heat treatment, slip is not introduced, and since there is little deviation from the target resistivity, sputtering target material or plasma It can be suitably used as an etching electrode.

実験における目標抵抗率からのずれと目標抵抗率との関係性を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the deviation | shift from the target resistivity in an experiment, and target resistivity. 実施例１における目標抵抗率１０Ωｃｍ時の目標抵抗率からのずれと格子間酸素濃度との関係性を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the deviation | shift from the target resistivity at the time of the target resistivity of 10 Ωcm in Example 1 and the interstitial oxygen concentration. 実施例２における目標抵抗率５０Ωｃｍ時の目標抵抗率からのずれと格子間酸素濃度との関係性を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the shift | offset | difference from the target resistivity at the time of the target resistivity of 50 ohm-cm in Example 2, and an interstitial oxygen concentration. 実施例３における直胴長さと目標抵抗率からのずれとの関係性を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the straight body length in Example 3, and the shift | offset | difference from target resistivity.

本発明者らは、ドナーキラー熱処理を行わなくとも抵抗率のずれを抑制することのできるシリコン単結晶材料の製造方法について鋭意検討したところ、切り出しに用いるシリコン単結晶自体の抵抗率が特定の範囲内であれば、抵抗率のずれをある程度抑制できることを見出した。また、上記のような抵抗率を有するシリコン単結晶のうち、格子間酸素濃度の値が低いものから切り出しを行うことで、抵抗率のずれをさらに抑制できることを見出した。さらに、格子間酸素濃度の値がある程度高い場合においても、上記シリコン単結晶の直胴部下端の特定領域から切り出しを行うことで、格子間酸素濃度の値が低いものの場合と同程度に抵抗率のずれを抑制できることを見出し、本発明を完成させた。   The present inventors have intensively studied a method for producing a silicon single crystal material that can suppress the deviation in resistivity without performing donor killer heat treatment. As a result, the resistivity of the silicon single crystal itself used for cutting is within a specific range. It was found that the deviation in resistivity can be suppressed to some extent within the range. Moreover, it discovered that the shift | offset | difference of a resistivity could further be suppressed by cutting out from the silicon | silicone single crystal which has the above resistivities from the thing with the low value of interstitial oxygen concentration. Furthermore, even when the value of interstitial oxygen concentration is high to some extent, by cutting out from the specific region at the lower end of the straight body of the silicon single crystal, the resistivity is about the same as when the value of interstitial oxygen concentration is low The present inventors have found that the deviation can be suppressed and completed the present invention.

即ち、本発明は、
スパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料の製造方法であって、
チョクラルスキー法により抵抗率が１０〜５０Ωｃｍのシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出して、ドナーキラー熱処理を行わずに、抵抗率を目標抵抗率の±１０％の範囲内に制御するシリコン単結晶材料の製造方法である。 That is, the present invention
A method for producing a silicon single crystal material used as a sputtering target material or plasma etching electrode,
A silicon single crystal having a resistivity of 10 to 50 Ωcm is pulled up by the Czochralski method, the silicon single crystal is cut into a thickness of 5 to 50 mm, and the resistivity is ± 10% of the target resistivity without performing donor killer heat treatment. This is a method for producing a silicon single crystal material that is controlled within the above range.

本発明では、スパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料をＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶から製造する。従って、直径３００ｍｍ以上の大口径の単結晶を容易に製造することができる。
このシリコン単結晶の抵抗率は１０〜５０Ωｃｍであり、好ましくは１０〜３０Ωｃｍである。１０Ωｃｍ未満ではスパッタリング又はプラズマエッチングを安定して行うことが困難となり、５０Ωｃｍを超えると抵抗率のずれが抑制・制御できる範囲よりも大幅に外れてしまう。 In the present invention, a silicon single crystal material used as a sputtering target material or a plasma etching electrode is manufactured from a silicon single crystal pulled by the CZ method. Therefore, a single crystal having a large diameter of 300 mm or more can be easily produced.
The resistivity of this silicon single crystal is 10 to 50 Ωcm, preferably 10 to 30 Ωcm. If it is less than 10 Ωcm, it is difficult to perform sputtering or plasma etching stably, and if it exceeds 50 Ωcm, the deviation in resistivity is significantly out of the range in which it can be suppressed and controlled.

通常、ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結晶は、格子間酸素を含有し、ドナーキラー熱処理を施さない場合、単結晶中に格子間酸素に起因するサーマルドナーが発生する。このサーマルドナーにより、添加したドーパントに基づく目標抵抗率からのずれが生じる。本発明では、シリコン単結晶の抵抗率を上記の範囲に設定することにより、ターゲット材や電極として用いることができるとともに、抵抗率のずれを抑制することができる。   Usually, a silicon single crystal pulled by the CZ method contains interstitial oxygen, and when donor killer heat treatment is not performed, thermal donors due to interstitial oxygen are generated in the single crystal. This thermal donor causes a deviation from the target resistivity based on the added dopant. In the present invention, by setting the resistivity of the silicon single crystal in the above range, it can be used as a target material or an electrode, and a deviation in resistivity can be suppressed.

本発明では、シリコン単結晶材料の抵抗率のずれを目標抵抗率の値に対して±１０％の範囲内と設定する。スパッタリングのターゲット材として用いる際にシリコン単結晶材料の抵抗率のずれが±１０％の範囲を超えていると、ターゲット材裏面に設定電圧を負荷しても、ターゲット材表面の電圧が変化するため、狙い通りのスパッタリングができない。また、プラズマエッチング用電極として用いる際にシリコン単結晶材料の抵抗率のずれが±１０％の範囲を超えていると、所望のプラズマエッチングを安定して行うことができない。   In the present invention, the deviation in resistivity of the silicon single crystal material is set within a range of ± 10% with respect to the target resistivity value. If the deviation of resistivity of silicon single crystal material exceeds the range of ± 10% when used as a sputtering target material, the voltage on the surface of the target material changes even when a set voltage is applied to the back surface of the target material. Can't perform sputtering as intended. Further, when the deviation of the resistivity of the silicon single crystal material exceeds the range of ± 10% when used as an electrode for plasma etching, desired plasma etching cannot be stably performed.

上記の目標抵抗率からのずれを確実に±１０％とするために、本発明は、一態様として、引き上げるシリコン単結晶の格子間酸素濃度を６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）といった低酸素濃度とする方法を提供する。１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすれば、低酸素濃度であることから、発生するサーマルドナーの量を確実に減少させることができ、抵抗率のずれを±１０％の範囲内とすることができるため好ましい。また、６．６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であれば、ターゲット材や電極として用いた際の十分な強度を得ることができるし、ＣＺ法における低酸素濃度結晶の製造も可能な濃度である。 In order to ensure that the deviation from the target resistivity is ± 10%, according to one aspect of the present invention, the interstitial oxygen concentration of the silicon single crystal to be pulled is set to 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 ( A method for providing a low oxygen concentration such as ASTM '79) is provided. If it is 10 × 10 17 atoms / cm 3 or less, the amount of generated thermal donors can be surely reduced because the oxygen concentration is low, and the deviation in resistivity is within ± 10%. Is preferable. Moreover, if it is 6.6 * 10 < 17 > atoms / cm < 3 > or more, sufficient intensity | strength at the time of using it as a target material or an electrode can be obtained, and it is the density | concentration which can manufacture the low oxygen concentration crystal | crystallization in CZ method. is there.

また、本発明は、別の態様として、引き上げるシリコン単結晶の格子間酸素濃度を１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）とし、このシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を切り出す方法を提供する。通常、格子間酸素濃度が１０．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超えてしまうと、直胴部の上方部分ではサーマルドナーにより目標抵抗率からのずれが±１０％を超えてしまうことがある。しかし、ＣＺ法により引き上げられるシリコン単結晶は、成長中の単結晶の熱履歴の違いから直胴部下端ではサーマルドナーが発生しにくい。従って、直胴部下端の領域であれば、シリコン単結晶中の格子間酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のものであっても好適に用いることができる。また、１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であれば、抵抗率のずれを確実に±１０％の範囲内とすることができるため好ましい。この態様では、酸素濃度を極端に低酸素にしなくてもよいため、単結晶の製造が容易で、歩留りが向上する利点がある。 Further, according to another aspect of the present invention, the interstitial oxygen concentration of the silicon single crystal to be pulled is set to 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). A method of cutting out a 20% region upward at a length ratio of Normally, when the interstitial oxygen concentration exceeds 10.0 × 10 17 atoms / cm 3 , the deviation from the target resistivity may exceed ± 10% due to the thermal donor in the upper part of the straight body portion. . However, a silicon single crystal pulled by the CZ method is unlikely to generate a thermal donor at the lower end of the straight body due to a difference in thermal history of the growing single crystal. Therefore, the region at the lower end of the straight body portion can be suitably used even if the interstitial oxygen concentration in the silicon single crystal is 10 × 10 17 atoms / cm 3 or more. Moreover, if it is 13 * 10 < 17 > atoms / cm < 3 > or less, since the shift | offset | difference of a resistivity can be reliably within the range of +/- 10%, it is preferable. In this aspect, since it is not necessary to make the oxygen concentration extremely low, there is an advantage that the production of the single crystal is easy and the yield is improved.

ＣＺ法により引き上げられるシリコン単結晶の抵抗率及び格子間酸素濃度は、例えば、磁場印加ＣＺ（ＭＣＺ）法における製造条件や、ドープ剤を単結晶育成に用いるシリコン融液に投入すること等により適宜調整することができる。例えば、酸素濃度の調整は、原料融液を保持するルツボの回転数や炉内圧、導入ガス流量、ヒーターの温度分布等を制御することにより行うことができる。また、抵抗率は、例えばＰ型であれば、Ｂ、Ｇａ、Ａｌ等のドーパントの投入量、ｎ型であれば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ等のドーパントの投入量により制御することができる。   The resistivity and interstitial oxygen concentration of the silicon single crystal pulled by the CZ method are appropriately determined depending on, for example, the manufacturing conditions in the magnetic field application CZ (MCZ) method, or by introducing a dopant into the silicon melt used for single crystal growth. Can be adjusted. For example, the oxygen concentration can be adjusted by controlling the number of revolutions of the crucible holding the raw material melt, the furnace pressure, the introduced gas flow rate, the heater temperature distribution, and the like. The resistivity can be controlled by the amount of dopant such as B, Ga, Al, etc., if it is P-type, and by the amount of dopant such as P, As, Sb, etc. if it is n-type.

本発明のシリコン単結晶材料の製造方法は、３００ｍｍ以上の大口径のシリコン単結晶材料を製造するのに好適に用いることができる。   The method for producing a silicon single crystal material of the present invention can be suitably used for producing a silicon single crystal material having a large diameter of 300 mm or more.

シリコン単結晶からの切り出しは、例えば、通常のウェーハのスライス工程と同様に行うことができる。このときの厚さは、５〜５０ｍｍであり、１０ｍｍ程度のものが特に好ましい。   The cutting from the silicon single crystal can be performed, for example, in the same manner as a normal wafer slicing step. The thickness at this time is 5 to 50 mm, and a thickness of about 10 mm is particularly preferable.

従来、小口径のスパッタリング用のターゲット材やプラズマエッチング用電極の材料には、所望の抵抗率からの変化を抑制するため、ドナーキラー熱処理を施していた。しかし、前述のように３００ｍｍ以上の大口径で、かつ、５〜５０ｍｍの厚さを持つ材料に対してドナーキラー熱処理を施した場合、材料の内部にスリップが導入されてしまう問題が発生した。
本発明では、ドナーキラー熱処理を施さないため、ドナーキラー熱処理由来のスリップの導入は起こらない。 Conventionally, donor killer heat treatment has been applied to a target material for sputtering having a small diameter and a material for an electrode for plasma etching in order to suppress a change from a desired resistivity. However, as described above, when donor killer heat treatment is performed on a material having a large diameter of 300 mm or more and a thickness of 5 to 50 mm, a problem that slip is introduced into the material occurs.
In the present invention, since the donor killer heat treatment is not performed, the introduction of slips derived from the donor killer heat treatment does not occur.

上記の製造方法により、スリップの導入がなく、抵抗率が目標抵抗率の±１０％の範囲内に制御されているため、特に直径３００ｍｍ以上、さらには直径５００ｍｍ以上といった大口径のスパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極に好適に用いられるシリコン単結晶材料を提供することができる。
具体的には、以下のようなものを提供することができる。 By the above manufacturing method, no slip is introduced, and the resistivity is controlled within a range of ± 10% of the target resistivity. Therefore, a sputtering target material having a large diameter of particularly 300 mm or more, further 500 mm or more in diameter. Alternatively, it is possible to provide a silicon single crystal material suitably used for an electrode for plasma etching.
Specifically, the following can be provided.

スパッタリングのターゲット材として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as a sputtering target material,
A silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) pulled up by the Czochralski method is cut out to a thickness of 5 to 50 mm, and a donor killer heat treatment is performed. Is a silicon single crystal material having a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.

スパッタリングのターゲット材として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as a sputtering target material,
The interstitial oxygen concentration pulled up by the Czochralski method is 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). A silicon single crystal material having a region cut into a thickness of 5 to 50 mm, not subjected to donor killer heat treatment, and having a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.

このようなシリコン単結晶材料をスパッタリングのターゲット材として使用すれば、内部にスリップの導入がなく。抵抗率も目標抵抗率の範囲内となっているため、ターゲット材裏面に設定電圧を負荷しても、ターゲット材表面の電圧が変化することなく、狙い通りのスパッタリングができる。   If such a silicon single crystal material is used as a sputtering target material, no slip is introduced inside. Since the resistivity is also within the range of the target resistivity, even if a set voltage is applied to the back surface of the target material, the target sputtering can be performed without changing the voltage on the target material surface.

スパッタリングの方法としては、特に限定されないが、本発明では、目標抵抗率を１０〜５０Ωｃｍとしていることから、ＤＣスパッタリングに好適に用いることができる。   Although it does not specifically limit as a sputtering method, In this invention, since the target resistivity is 10-50 ohm-cm, it can use suitably for DC sputtering.

また、スパッタリングのターゲット材としての用途以外にも以下のようなものを提供することができる。   In addition to the use as a sputtering target material, the following can be provided.

プラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as an electrode for plasma etching,
A silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) pulled up by the Czochralski method is cut out to a thickness of 5 to 50 mm, and a donor killer heat treatment is performed. Is a silicon single crystal material having a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.

プラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであるシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as an electrode for plasma etching,
The interstitial oxygen concentration pulled up by the Czochralski method is 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). A silicon single crystal material having a region cut into a thickness of 5 to 50 mm, not subjected to donor killer heat treatment, and having a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.

このようなシリコン単結晶材料をプラズマエッチング用電極として使用すれば、内部にスリップの導入がなく。抵抗率も目標抵抗率の範囲内となっているため、プラズマエッチング時に設定電圧を負荷しても、電極の電圧が変化することなく、安定したプラズマエッチングを行うことができる。   If such a silicon single crystal material is used as an electrode for plasma etching, no slip is introduced inside. Since the resistivity is also within the range of the target resistivity, stable plasma etching can be performed without changing the electrode voltage even when a set voltage is applied during plasma etching.

以下、実験及び実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an experiment and an Example are shown and this invention is demonstrated more concretely, this invention is not limited to these.

＜目標抵抗率からのずれと目標抵抗率との関係性＞
［実験］
まず、同一の格子間酸素濃度を持つシリコン単結晶を、抵抗率を変化させて、ドナーキラー熱処理を施さずに、目標抵抗率からのずれを確認した。尚、このときのシリコン単結晶材料は、直胴部下端から直胴の長さ比で上方に６０％〜９０％の位置から切り出した。
図１に、格子間酸素濃度１．２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）における、目標抵抗率からのずれと目標抵抗率の関係を示す。
図１に示される様に、格子間酸素濃度が同じでも、目標抵抗率の値が高くなるほど目標抵抗率からのずれが大きくなることがわかる。 <Relationship between target resistivity and target resistivity>
[Experiment]
First, a silicon single crystal having the same interstitial oxygen concentration was checked for deviation from the target resistivity without changing the resistivity and performing donor killer heat treatment. In addition, the silicon single crystal material at this time was cut out from the position of 60% to 90% upward in the length ratio of the straight body from the lower end of the straight body.
FIG. 1 shows the relationship between the deviation from the target resistivity and the target resistivity at an interstitial oxygen concentration of 1.2 × 10 18 atoms / cm 3 (ASTM'79).
As shown in FIG. 1, even when the interstitial oxygen concentration is the same, the deviation from the target resistivity increases as the target resistivity value increases.

次に、シリコン単結晶の抵抗率１０Ωｃｍ及び５０Ωｃｍとして、目標抵抗率からのずれと格子間酸素濃度の関係性を確認した。   Next, the relationship between the deviation from the target resistivity and the interstitial oxygen concentration was confirmed with the resistivity of the silicon single crystal being 10 Ωcm and 50 Ωcm.

＜目標抵抗率からのずれと格子間酸素濃度との関係性＞
［実施例１］
図２に、抵抗率が１０Ωｃｍのシリコン単結晶において、格子間酸素濃度を変化させたときの、目標抵抗率からのずれの関係性を示す。尚、このときのシリコン単結晶材料は、直胴部下端から直胴の長さ比で上方に６０％〜９０％の位置から切り出した。
図２に示されているように、抵抗率が１０Ωｃｍかつ格子間酸素濃度が１０．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以下のシリコン単結晶であれば、目標抵抗率からのずれが確実に±１０％の範囲内になることがわかる。 <Relationship between deviation from target resistivity and interstitial oxygen concentration>
[Example 1]
FIG. 2 shows the relationship of deviation from the target resistivity when the interstitial oxygen concentration is changed in a silicon single crystal having a resistivity of 10 Ωcm. In addition, the silicon single crystal material at this time was cut out from the position of 60% to 90% upward in the length ratio of the straight body from the lower end of the straight body.
As shown in FIG. 2, if the silicon single crystal has a resistivity of 10 Ωcm and an interstitial oxygen concentration of 10.0 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) or less, the deviation from the target resistivity is achieved. It can be seen that is surely within the range of ± 10%.

［実施例２］
図３は、図２と同様に、抵抗率５０Ωｃｍのシリコン単結晶において、格子間酸素濃度と目標抵抗率からのずれの関係性を示す。尚、このときのシリコン単結晶材料は、直胴部下端から直胴の長さ比で上方に６０％〜９０％の位置から切り出した。
図３に示されているように、抵抗率が５０Ωｃｍかつ格子間酸素濃度が１０．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以下のシリコン単結晶においても、目標抵抗率からのずれが確実に±１０％の範囲内になることがわかる。 [Example 2]
FIG. 3 shows the relationship between the interstitial oxygen concentration and the deviation from the target resistivity in a silicon single crystal having a resistivity of 50 Ωcm, as in FIG. In addition, the silicon single crystal material at this time was cut out from the position of 60% to 90% upward in the length ratio of the straight body from the lower end of the straight body.
As shown in FIG. 3, even in a silicon single crystal having a resistivity of 50 Ωcm and an interstitial oxygen concentration of 10.0 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) or less, there is a deviation from the target resistivity. It can be seen that it is within the range of ± 10%.

＜直胴長さと目標抵抗率からのずれとの関係性＞
［実施例３］
図４は、目標抵抗率１０Ωｃｍにおける格子間酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以下の場合（○）と、１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）よりも高い値の場合（●）の直胴長さと目標抵抗率からのずれとの関係性を示す。
図４に示されているように、格子間酸素濃度１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）の場合は直胴全長に渡って目標抵抗からのずれが±１０％以下の範囲内であるが、高酸素の場合は直胴部の上方では±１０％よりも大きい範囲となるものもある。しかし、直胴全長を１として規格化した直胴位置が直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％以内（直胴長さ：０．８以上）であれば、高酸素である１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以上の場合でも、ドナーキラー熱処理をせずに、測定した抵抗値が目標抵抗率の±１０％の範囲内に確実に入っていることがわかる。 <Relationship between straight body length and deviation from target resistivity>
[Example 3]
FIG. 4 shows a case where the interstitial oxygen concentration at the target resistivity of 10 Ωcm is 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) or less (◯), and more than 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). In the case of a high value, the relationship between the straight body length and the deviation from the target resistivity is shown.
As shown in FIG. 4, when the interstitial oxygen concentration is 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79), the deviation from the target resistance is within ± 10% or less over the entire length of the straight body. However, in the case of high oxygen, there are some which are larger than ± 10% above the straight body portion. However, if the straight cylinder position normalized with the total length of the straight cylinder as 1 is within 20% upward (straight cylinder length: 0.8 or more) in the length ratio of the straight cylinder from the lower end of the straight cylinder part, high oxygen Even in the case of 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) or more, the measured resistance value is surely within the range of ± 10% of the target resistivity without performing the donor killer heat treatment. Recognize.

以上の結果から、本発明のシリコン単結晶材料の製造方法であれば、ドナーキラー熱処理を行わないことから、スリップの導入がなく、かつ、目標抵抗率からのずれの少ないシリコン単結晶材料を製造できることが明らかになった。   From the above results, the silicon single crystal material production method of the present invention does not perform donor killer heat treatment, and thus produces a silicon single crystal material that does not introduce slip and has little deviation from the target resistivity. It became clear that we could do it.

尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。   The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.

しかし、近年要求されているような厚さが１０ｍｍ程度かつ大口径のターゲット材や電極のシリコン単結晶材料では、単結晶製造後の抵抗測定の前にドナーキラー熱処理を行い、加熱後の急冷工程を行うことにより、単結晶材料の内部にスリップが導入されることが明らかになり、抵抗率を制御するための上記のドナーキラー熱処理ができない問題がでてきた。 However, in the case of a silicon single crystal material of a target material or electrode having a thickness of about 10 mm and a large diameter as required in recent years, a donor killer heat treatment is performed before resistance measurement after the single crystal is manufactured, and a rapid cooling process after heating. As a result, it became clear that slip was introduced into the single crystal material, and the above-mentioned donor killer heat treatment for controlling the resistivity could not be performed.

このようなシリコン単結晶材料は、ドナーキラー熱処理が施されていないためスリップが導入されることがなく、また、ドナーキラー熱処理が施されておらずとも目標抵抗率のものとなっており、電極として使用しても抵抗率のずれが少ないため、プラズマエッチング用電極として好適に用いることができる。 Such a silicon single crystal material is not subjected to donor killer heat treatment, so that slip is not introduced, and even if it is not subjected to donor killer heat treatment, it has a target resistivity. deviation of resistivity also be used as for a small, it can be suitably used as a plasma etching electrode.

このようなシリコン単結晶材料をスパッタリングのターゲット材として使用すれば、内部にスリップの導入がなく、抵抗率も目標抵抗率の範囲内となっているため、ターゲット材裏面に設定電圧を負荷しても、ターゲット材表面の電圧が変化することなく、狙い通りのスパッタリングができる。 If such a silicon single crystal material is used as a sputtering target material, no slip is introduced inside, and the resistivity is within the target resistivity range. However, the target sputtering can be performed without changing the voltage on the surface of the target material.

このようなシリコン単結晶材料をプラズマエッチング用電極として使用すれば、内部にスリップの導入がなく、抵抗率も目標抵抗率の範囲内となっているため、プラズマエッチング時に設定電圧を負荷しても、電極の電圧が変化することなく、安定したプラズマエッチングを行うことができる。 If such a silicon single crystal material is used as an electrode for plasma etching, no slip is introduced inside, and the resistivity is within the range of the target resistivity. Stable plasma etching can be performed without changing the voltage of the electrode.

＜直胴長さと目標抵抗率からのずれとの関係性＞
［実施例３］
図４は、目標抵抗率１０Ωｃｍにおける格子間酸素濃度が１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以下の場合（○）と、１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）よりも高い値の場合（●）の直胴長さと目標抵抗率からのずれとの関係性を示す。
図４に示されているように、格子間酸素濃度１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）以下の低酸素の場合は直胴全長に渡って目標抵抗からのずれが±１０％以下の範囲内であるが、格子間酸素濃度が１０×１０ １７ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ （ＡＳＴＭ’７９）より高い高酸素の場合は直胴部の上方では±１０％よりも大きい範囲となるものもある。しかし、直胴全長を１として規格化した直胴位置が直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％以内（直胴長さ：０．８以上）であれば、高酸素である１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）より高い場合でも、ドナーキラー熱処理をせずに、測定した抵抗値が目標抵抗率の±１０％の範囲内に確実に入っていることがわかる。 <Relationship between straight body length and deviation from target resistivity>
[Example 3]
FIG. 4 shows a case where the interstitial oxygen concentration at the target resistivity of 10 Ωcm is 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) or less (◯), and more than 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). In the case of a high value, the relationship between the straight body length and the deviation from the target resistivity is shown.
As shown in FIG. 4, in the case of low oxygen with an interstitial oxygen concentration of 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) or less, the deviation from the target resistance is ± 10% or less over the entire length of the straight body. In the case of high oxygen with an interstitial oxygen concentration higher than 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) , there may be a range larger than ± 10% above the straight body portion. . However, if the straight cylinder position normalized with the total length of the straight cylinder as 1 is within 20% upward (straight cylinder length: 0.8 or more) in the length ratio of the straight cylinder from the lower end of the straight cylinder part, high oxygen Even when higher than a certain 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79), the measured resistance value is surely within a range of ± 10% of the target resistivity without donor killer heat treatment. Recognize.

Claims (7)

スパッタリングのターゲット材又はプラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料の製造方法であって、
チョクラルスキー法により抵抗率が１０〜５０Ωｃｍのシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出して、ドナーキラー熱処理を行わずに、抵抗率を目標抵抗率の±１０％の範囲内に制御することを特徴とするシリコン単結晶材料の製造方法。 A method for producing a silicon single crystal material used as a sputtering target material or plasma etching electrode,
A silicon single crystal having a resistivity of 10 to 50 Ωcm is pulled up by the Czochralski method, the silicon single crystal is cut into a thickness of 5 to 50 mm, and the resistivity is ± 10% of the target resistivity without performing donor killer heat treatment. The manufacturing method of the silicon single crystal material characterized by controlling within the range. 前記チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げで、格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のものを引き上げることを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶材料の製造方法。 The silicon single crystal is pulled by the Czochralski method, and a silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) is pulled. A method for producing a silicon single crystal material. 前記チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げで、格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のものを引き上げ、前記シリコン単結晶の切り出しは、直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域から切り出すことを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶材料の製造方法。 By pulling up the silicon single crystal by the Czochralski method, a silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 10-13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) is pulled up, 2. The method for producing a silicon single crystal material according to claim 1, wherein a length ratio of the straight body is cut out from a region of 20% upward from the first portion. スパッタリングのターゲット材として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであることを特徴とするシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as a sputtering target material,
A silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) pulled up by the Czochralski method is cut out to a thickness of 5 to 50 mm, and a donor killer heat treatment is performed. A silicon single crystal material having a resistivity in a range of 10 to 50 Ωcm. スパッタリングのターゲット材として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであることを特徴とするシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as a sputtering target material,
The interstitial oxygen concentration pulled up by the Czochralski method is 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). A silicon single crystal material characterized in that a region is cut to a thickness of 5 to 50 mm, has not been subjected to donor killer heat treatment, and has a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm. プラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が６．６〜１０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであることを特徴とするシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as an electrode for plasma etching,
A silicon single crystal having an interstitial oxygen concentration of 6.6 to 10 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79) pulled up by the Czochralski method is cut out to a thickness of 5 to 50 mm, and a donor killer heat treatment is performed. A silicon single crystal material having a resistivity in a range of 10 to 50 Ωcm. プラズマエッチング用電極として用いるシリコン単結晶材料であって、
チョクラルスキー法により引き上げられた格子間酸素濃度が１０〜１３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３（ＡＳＴＭ’７９）のシリコン単結晶の直胴部下端から直胴の長さ比で上方に２０％の領域を厚さ５〜５０ｍｍに切り出したものであり、ドナーキラー熱処理が施されていないものであり、抵抗率が１０〜５０Ωｃｍの範囲内のものであることを特徴とするシリコン単結晶材料。 A silicon single crystal material used as an electrode for plasma etching,
The interstitial oxygen concentration pulled up by the Czochralski method is 10 to 13 × 10 17 atoms / cm 3 (ASTM'79). A silicon single crystal material characterized in that a region is cut to a thickness of 5 to 50 mm, has not been subjected to donor killer heat treatment, and has a resistivity in the range of 10 to 50 Ωcm.
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