JP2015039635A5

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Publication number: JP2015039635A5
Application number: JP2014167592A
Authority: JP
Filing date: 2014-08-20
Publication date: 2017-11-24

Claims

シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）と、シム制御部（１１７）とを有する磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）であって、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）のボア（１０３）を包囲する領域（ＢＲＧ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，１１２ｘ，１１２ｙ，１１２ｚ）内に少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）を含み、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）の１つの局所コイル（１０６）内に少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）を含み、
シム制御部（１１７）は、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のためのシム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ，ｎ×ＩＧＳＣ，ｍ×ＩＬＳＣ）を規定するように構成されている
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）。
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）のボア（１０３）を包囲する領域（ＢＲＧ）内に複数のグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）、
および、
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）の１つの局所コイル（１０６）内に複数の局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）、
の少なくとも一方を含み、
シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シムシステム（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
記憶装置（ＳＰ−１０１，ＳＰ−１０６）内に記憶されたグローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）が、少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のシム特性に関するグローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）、および、少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ）の少なくとも一方に関係すること、
および
記憶装置（ＳＰ−１０１，ＳＰ−１０６）内に記憶された局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）が、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のシム特性に関する局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）、および、少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）の少なくとも一方に関係すること、
の少なくとも一方であり、
記憶されたグローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）および局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）を考慮してグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部が構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）の少なくとも一方が、局所コイル（１０６）の外部に記録されていることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）が、局所コイル（１０６）内の記憶装置（ＳＰ−１０６）に記憶されていることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の位置（Ｐｏｓ）を表す局所シムコイル位置データ（ＬＳＣ−ＰＯＳ）を考慮して、
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＧＳＣ）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）の空間磁場分布に関する磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）の少なくとも一方は、それぞれ、１つのシムコイルにより生成可能な空間磁場分布を３Ｄ磁場マップとして、ピクセルマップとしてまたは関数の係数として特定することを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
グローバルシムコイルデータ（ＧＳＣ−Ｄ）および局所シムコイルデータ（ＬＳＣ−Ｄ）の少なくとも一方は、それぞれ、少なくとも１つのシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）の感度を、１つのシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）におけるシム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）の単位アンペア当たりどれくらいの磁場（Ｂ₀シム）が生成可能であるかに基づいて特定することを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
磁気共鳴装置（１０１）の複数の静磁場磁石（１０７）の１つだけによって生成される静磁場（Ｂ₀）およびシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成される静磁場（Ｂ₀）の少なくとも一方の調整測定で予め決定されて記憶（ＳＰ−１０１）されたＢ₀磁場分布（ＦＭ１）を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のために測定されて記憶（ＳＰ−１０１）された、シム電流（ＩＬＣ１，ＩＬＣ２）の単位（アンペア）当たりに生成可能なシム磁場強度（ＳＶＣ）を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）によって生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）および局所シムコイル（ＬＳＣ，１０６）の位置（Ｐｏｓ）を表す位置データ（ＬＳＣ−ＰＯＳ）を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１０の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）により目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）によって生成可能なシム磁場の磁場分布を表す磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）を考慮して、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されており、
その磁場分布データ（Ｂ−Ｓｈｉｍ−Ｖ−ＬＳＣ）が１つのシムコイル（ＬＳＣ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）についてそれぞれ３つのデータセットを含み、これらの３つのデータセットはそれぞれ、可能なシム空間の互いに直交する３つの基礎ベクトル（ｘ，ｙ，ｚ）の１つの方向における磁場分布に関する磁場分布データであり、一緒に線形結合として、シムコイル（ＬＳＣ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の磁場分布を表すことを特徴とする請求項１乃至１１の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
検査されるべき患者（１０５）によって生じ静磁場（Ｂ₀）の変化を表す磁場誤差に関する記憶データを考慮して、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されており、
前記磁場誤差は、とりわけ、目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）によりグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）と局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）とにおいて生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）によって低減可能であることを特徴とする請求項１乃至１２の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
検査されるべき患者（１０５）によって生じ静磁場（Ｂ₀）の変化を表す磁場誤差に関する記憶データを考慮して、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されており、
前記磁場誤差は、それぞれ可能なシム空間の互いに直交する３つの基礎ベクトル（ｘ，ｙ，ｚ）のうちの１つのベクトルの方向における磁場分布の変化に関する磁場分布データであり、一緒に線形結合として静磁場（Ｂ₀）の磁場分布の変化を表す３つのデータセットを含み、
前記磁場誤差に関するデータセットと、シムコイル（ＬＳＣ，ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）により生成可能なシム磁場の磁場分布に関するデータセット（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）とに基づいて、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）が規定される請求項１乃至１３の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための静磁場不均一性の最小化をもたらす目標シム電流を探し求める最適化方法により、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）によって生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ，Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）の３次元の線形結合を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１４の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
先ず広範囲の不均一性を減らすべくグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を規定し、その後グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）における目標シム電流（ＩＧＳＣ）によって生成可能なシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）と、患者（１０５）によって引き起こされる静磁場不均一性と、静磁場（Ｂ₀）とを考慮した新たな磁場マップ（ＦＭ２）を決定し、その後局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＬＳＣ）を規定することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１５の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
先ず広範囲の不均一性を減らすべくグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を規定し、その後、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）における目標シム電流（ＩＧＳＣ）によって生成されて測定されるシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＧＳＣ）と、患者（１０５）によって引き起こされる静磁場不均一性と、静磁場（Ｂ₀）とを考慮した新たな磁場マップ（ＦＭ２）を決定し、その後局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＬＳＣ）を規定することによって、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１６の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
先ず、磁気共鳴装置（１０１）の複数の静磁場磁石（１０７）の１つだけによって生成された静磁場（Ｂ₀）およびシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ₀）の少なくとも一方の調整測定で決定されたＢ₀磁場分布（ＦＭ１）から、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を算出し、
その後、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）の可能な範囲にわたり分布させられた異なる設定を有する複数の磁場マップを、それぞれ、検査視野（ＦｏＶ）においてまたは関心領域（Ｂ，ＷＳ）の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて測定し、
それに基づいて、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）のうち、静磁場（Ｂ₀）の変化を表す測定された磁場誤差が最小である目標シム電流（ＩＬＳＣ）または最適化からもたらされる目標シム電流（ＩＬＳＣ）を選定することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１７の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
先ず、磁気共鳴装置（１０１）の複数の静磁場磁石（１０７）の１つだけによって生成された静磁場（Ｂ₀）およびシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ₀）の少なくとも一方の調整測定で決定されたＢ₀磁場分布（ＦＭ１）から、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を算出し、
その後、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）の異なる設定を有する複数の磁場マップをそれぞれ検査視野（ＦｏＶ）においてまたは関心領域（ＰＯＩ）の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて最小値が生じるまで測定し、それに基づいて、局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）のうち、静磁場（Ｂ₀）の変化を表す測定された磁場誤差が最小である目標シム電流（ＩＬＳＣ）または最適化からもたらされる目標シム電流（ＩＬＳＣ）を選定することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１８の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
先ず、磁気共鳴装置（１０１）の複数の静磁場磁石（１０７）の１つだけによって生成された静磁場（Ｂ₀）およびシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４，ＬＳＣ）による磁場生成なしに生成された静磁場（Ｂ₀）の少なくとも一方の調整測定で決定されたＢ₀磁場分布（ＦＭ−１）から、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ）を算出し、
既にＢ₀磁場分布（ＦＭ−１）の測定時において、グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の少なくとも一方に、シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を予め割り当てることによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至１９の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のシム磁場（Ｂ−Ｓｈｉｍ−ＬＳＣ）を、全シムボリュームのうちの少なくとも一部に対してのみ、または低い磁場成分を有する領域を除外することにより自動的に算出された一部に対してのみ最適化することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至２０の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＬＳＣ）の可能な範囲にわたり分布させられた異なる設定を有する複数の磁場マップ（Ｎ）を、それぞれ検査視野（ＦｏＶ）においてまたは関心領域（Ｂ，ＷＳ）の１つのスライスまたは複数のスライスにおいて測定し、
その後、１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）にとって最大の電流限界が到達された際に、新たなグローバルシム電流設定により、最大許容電流限界に突き当たらないＬＳＣ設定を見つけるべく探索することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至２１の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
各方法の終端で、検査視野（ＦｏＶ）の一部において、測定されたＢ₀磁場を算出されたＢ₀磁場と比較し、
良好な一致の際には測定を続行し、不十分な一致の際に照会を行うかまたはシム電流のための他の開始パラメータにより新たに測定を開始することによって、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように、シム制御部（１１７）が構成されていることを特徴とする請求項１乃至２２の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）の局所コイル（１０６）の領域内の１つまたは複数の局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）が、局所コイル装置（１０６）の高周波送信アンテナの領域内に設けられていること、それらの高周波送信アンテナの一部として設けられていること、および患者テーブル（１０４）内に設けられていることの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至２３の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
局所コイルによって検査可能な身体部位（Ｂ，Ｋ，ＷＳ）に関してどの形式の局所シムコイル（１０６，１０６ａ）が磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）および患者テーブル（１０４）の少なくとも一方に、接続されることおよび検出されることの少なくとも一方を考慮して、
グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の少なくとも一方のための目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定するように構成されているシム制御部（１１７）を備えている請求項１乃至２４の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の少なくとも一方が、傾斜磁場を生成するための傾斜磁場コイル（１１２ｚ）、または、高周波磁場を生成するためのＲＦ送信コイルおよびＲＦ受信コイル（ＲＸ，ＴＸ；１０８ａ〜１０８ｃ）の少なくとも一方でもあることを特徴とする請求項１乃至２５の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
少なくとも１つのグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および少なくとも１つの局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）のほかに、さらに磁気共鳴装置（１０１）内の少なくとも１つの傾斜磁場コイル（１１２ｚ）および傾斜磁場を生成するための局所コイル（１０６）の少なくとも一方も設けられていることを特徴とする請求項１乃至２６の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
１つのまたは各グローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）が、磁気共鳴装置（１０１）のボア（１０３）の半径方向外側に配置されたシムコイル、磁気共鳴装置（１０１）のボア（１０３）のハウジングカバー（ＵＭ）の半径方向外側に配置されたシムコイルおよび磁気共鳴装置ハウジングシムコイルの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１乃至２７の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム。
磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）のグローバルシムコイル（ＧＳＣ１，ＧＳＣ２，ＧＳＣ３，ＧＳＣ４）および局所シムコイル（ＬＳＣ１，ＬＳＣ２）の目標シム電流（ＩＧＳＣ，ＩＬＳＣ）を規定する、請求項１乃至２８の１つに記載の磁気共鳴トモグラフィシステム（１０１）を用いた磁気共鳴トモグラフィシステムのシム方法。