JP2015037103A - Semiconductor device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration of heat radiation performance in a resin sealing type semiconductor device including a substrate, a lead fixed to the substrate, a semiconductor element electrically connected with the lead, and a sealing resin which seals the substrate, the lead, and the semiconductor element.SOLUTION: A manufacturing method of a semiconductor device includes: a preparation step where a lead frame including leads 11, 12, 21 is prepared; and a molding step where a substrate 30 is molded. In the molding step, the leads 11, 21 are fixed to the upper surface 30a side of the substrate 30.

Description

この発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the semiconductor device.

従来、リードフレームを用いて製造される樹脂封止型の半導体装置には、例えば特許文献１のように、複数のリードを絶縁シートの上面に配した上で、絶縁シートの下面が外部に露出するように複数のリード及び絶縁シートを封止樹脂（モールド樹脂）により封止して構成されたものがある。この半導体装置では、封止樹脂の内部において通電により発生した熱を、リードから絶縁シートを介して外部に放熱することが可能である。   Conventionally, in a resin-encapsulated semiconductor device manufactured using a lead frame, for example, as disclosed in Patent Document 1, a plurality of leads are arranged on an upper surface of an insulating sheet, and the lower surface of the insulating sheet is exposed to the outside. In some cases, a plurality of leads and an insulating sheet are sealed with a sealing resin (mold resin). In this semiconductor device, heat generated by energization inside the sealing resin can be radiated to the outside from the lead through the insulating sheet.

特開２０１３−０３０６７０号公報JP 2013-030670 A

近年、この種の半導体装置には、高機能化が求められている。このため、例えばリードにより封止樹脂内の回路を形成すると、封止樹脂により封止されるリードの部分が細長くなる傾向にある。この場合、封止樹脂を成形する際に、絶縁シート上に配されたリードの部分が溶融した封止樹脂の流れによってばたつきやすい、という問題がある。リードのばたつきが生じると、リードと絶縁シートとの間に封止樹脂が介在するため、リードから絶縁シートへの熱伝導が低下してしまう。すなわち、半導体装置の放熱性が低下する、という問題がある。
リードのばたつきを防ぐためには、例えば、封止樹脂を成形する前に、リードを接着剤等により絶縁シート上に固定しておくことが考えられる。しかしながら、リードと絶縁シートとの間に接着剤等が介在するため、リードから絶縁シートへの熱伝導が低下する、という問題が依然として残る。 In recent years, this type of semiconductor device is required to have high functionality. For this reason, for example, when a circuit in the sealing resin is formed by a lead, the portion of the lead sealed by the sealing resin tends to be elongated. In this case, when molding the sealing resin, there is a problem that the portion of the lead arranged on the insulating sheet is likely to flutter due to the molten sealing resin flow. When the lead flutters, since the sealing resin is interposed between the lead and the insulating sheet, heat conduction from the lead to the insulating sheet is reduced. That is, there is a problem that the heat dissipation of the semiconductor device is lowered.
In order to prevent the lead from flapping, for example, it is conceivable to fix the lead on the insulating sheet with an adhesive or the like before molding the sealing resin. However, since an adhesive or the like is interposed between the lead and the insulating sheet, there still remains a problem that heat conduction from the lead to the insulating sheet is reduced.

本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、半導体装置の放熱性低下を防止できる半導体装置の製造方法、及び、該製造方法によって製造される半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing a reduction in heat dissipation of the semiconductor device, and a semiconductor device manufactured by the manufacturing method.

この課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、リードを有するリードフレームを準備する準備工程と、基板を成形する成形工程と、を備え、前記成形工程において前記リードを前記基板の上面側に固定することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、前記製造方法によって製造される半導体装置であって、前記基板と、前記基板に固定された前記リードと、前記リードに電気接続された半導体素子と、前記基板の下面が露出するように、前記基板、前記リード及び前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする。 In order to solve this problem, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a preparation step of preparing a lead frame having leads, and a molding step of molding a substrate, and the leads are formed on the substrate in the molding step. It fixes to the upper surface side of this.
The semiconductor device of the present invention is a semiconductor device manufactured by the manufacturing method, wherein the substrate, the lead fixed to the substrate, a semiconductor element electrically connected to the lead, and the substrate And a sealing resin for sealing the substrate, the lead, and the semiconductor element so that the lower surface is exposed.

本発明によれば、リードと基板とが、接着剤等を介在させることなく直接固定されるため、リードから基板への熱伝導の低下を防止できる。したがって、半導体装置の放熱性の低下を防ぐことが可能となる。
また、本発明の製造方法により樹脂封止型の半導体装置を製造する際には、成形工程の後に、封止樹脂を成形する樹脂成形用金型のキャビティ内に配し、キャビティ内に封止樹脂を注入することで、リード及び基板を封止樹脂により封止すればよい。リードは成形工程において基板の上面側に固定されるため、例え封止樹脂に封止されるリードが細長くても、前述した樹脂封止の際にリードが基板上においてばたつくことを防止できる。 According to the present invention, since the lead and the substrate are directly fixed without interposing an adhesive or the like, it is possible to prevent a decrease in heat conduction from the lead to the substrate. Therefore, it is possible to prevent a decrease in heat dissipation of the semiconductor device.
Further, when a resin-encapsulated semiconductor device is manufactured by the manufacturing method of the present invention, the resin-encapsulated semiconductor device is placed in a cavity of a resin molding mold for molding a sealing resin after the molding process, and sealed in the cavity. By injecting resin, the leads and the substrate may be sealed with a sealing resin. Since the lead is fixed to the upper surface side of the substrate in the molding process, even if the lead sealed with the sealing resin is elongated, the lead can be prevented from fluttering on the substrate during the resin sealing described above.

本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる二つのリードフレームを重ねて配した状態を示す斜視図である。It is a perspective view showing the state where two lead frames used for the manufacturing method of the semiconductor device concerning a first embodiment of the present invention were piled up. 本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法に用いる二つのリードフレームを重ねて配した状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state which has distribute | arranged and arrange | positioned two lead frames used for the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法において成形工程を説明するための要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view for demonstrating a formation process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment of this invention. 図３の成形工程後の状態を示す平面図である。It is a top view which shows the state after the shaping | molding process of FIG. 図３の成形工程後の状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state after the shaping | molding process of FIG. 本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法において素子搭載工程、接続工程及び封止工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating an element mounting process, a connection process, and a sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device concerning a first embodiment of the present invention. 本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法において封止工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第一実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor device manufactured by the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 1st embodiment of this invention. 本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法における成形工程を説明するための要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view for demonstrating the shaping | molding process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 2nd embodiment of this invention. 図９の成形工程後の状態を示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the state after the shaping | molding process of FIG. 本発明の第二実施形態に係る半導体装置の製造方法において成形工程後の状態の変形例を示す要部拡大断面図である。It is a principal part expanded sectional view which shows the modification of the state after a shaping | molding process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 2nd embodiment of this invention. 本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法における封止工程を説明するための平面図である。It is a top view for demonstrating the sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 3rd embodiment of this invention. 本発明の第三実施形態に係る半導体装置の製造方法における封止工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the sealing process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 3rd embodiment of this invention.

〔第一実施形態〕
以下、図１〜８を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法は、図８に示すように、基板３０と、基板３０の上面３０ａ側に固定されたリード１１，１２，２１と、リード１１，１２，２１に電気接続された半導体素子４０と、基板３０の下面３０ｂが露出するように、基板３０、リード１１，１２，２１及び半導体素子４０を封止する封止樹脂６０と、を備える半導体装置１を製造する方法である。 [First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 8, the manufacturing method of this embodiment includes a substrate 30, leads 11, 12, 21 fixed to the upper surface 30 a side of the substrate 30, and semiconductor elements electrically connected to the leads 11, 12, 21. 40 and a sealing resin 60 for sealing the substrate 30, the leads 11, 12, 21 and the semiconductor element 40 so that the lower surface 30b of the substrate 30 is exposed.

半導体装置１を製造する際には、はじめに、図１，２に示すリードフレーム１０，２０を準備する準備工程を行う。準備工程では、複数（図示例では２つ）のリードフレーム１０，２０を用意する。各リードフレーム１０，２０は、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。   When the semiconductor device 1 is manufactured, first, a preparation process for preparing the lead frames 10 and 20 shown in FIGS. In the preparation step, a plurality (two in the illustrated example) of lead frames 10 and 20 are prepared. Each of the lead frames 10 and 20 can be obtained by subjecting a conductive plate material such as a copper plate to press working.

第一リードフレーム（一のリードフレーム）１０は、第一リード１１、第二リード１２及び枠体部１３を一体に形成して構成されている。
第一リード１１は、半導体装置１において電力供給用のリードとなるものであり、幅広の帯板状に形成されると共に、幅方向に間隔をあけて複数（図示例では５本）配列されている。第二リード１２は、半導体装置１において電気信号取り出し用のリードとなるものであり、第一リード１１よりも幅寸法の小さい帯板状に形成されると共に、幅方向に間隔をあけて複数（図示例では１４本）配列されている。これら第一リード１１及び第二リード１２は、その長手方向の一端部１１Ａ，１２Ａ側が互い対向するように配されている。第一リード１１及び第二リード１２の長手方向の一端部１１Ａ，１２Ａは、封止樹脂６０（図８参照）によって封止される部分を含む。一方、第一リード１１及び第二リード１２の他端部１１Ｂ，１２Ｂは、封止樹脂６０に封止されず、封止樹脂６０から突出する部分である。 The first lead frame (one lead frame) 10 is configured by integrally forming a first lead 11, a second lead 12, and a frame body portion 13.
The first lead 11 serves as a power supply lead in the semiconductor device 1 and is formed in a wide band plate shape, and a plurality (five in the illustrated example) are arranged at intervals in the width direction. Yes. The second lead 12 serves as a lead for extracting an electric signal in the semiconductor device 1 and is formed in a strip shape having a smaller width than the first lead 11 and a plurality of ( 14 in the illustrated example) are arranged. The first lead 11 and the second lead 12 are arranged so that the ends 11A and 12A in the longitudinal direction face each other. One end 11A, 12A in the longitudinal direction of the first lead 11 and the second lead 12 includes a portion sealed by a sealing resin 60 (see FIG. 8). On the other hand, the other end portions 11 </ b> B and 12 </ b> B of the first lead 11 and the second lead 12 are portions that are not sealed by the sealing resin 60 and project from the sealing resin 60.

枠体部１３は、互いに隣り合う第一リード１１同士や、互いに隣り合う第二リード１２同士をつなぐリード連結部１３Ａと、第一、第二リード１１，１２及びリード連結部１３Ａをともに所定の剛性を持たせて支持する外枠部１３Ｂと、を備える。リード連結部１３Ａは、例えば、隣り合う第一リード１１の間や、隣り合う第二リード１２の間においてこれらの配列方向に延びる帯状に形成されている。リード連結部１３Ａは、第一リード１１や第二リード１２の長手方向の中途部に接続されている。   The frame portion 13 includes a lead connecting portion 13A for connecting the first leads 11 adjacent to each other or the second leads 12 adjacent to each other, and the first, second leads 11, 12 and the lead connecting portion 13A. And an outer frame portion 13B that is supported with rigidity. For example, the lead connecting portion 13 </ b> A is formed in a strip shape extending in the arrangement direction between the adjacent first leads 11 or between the adjacent second leads 12. The lead connecting portion 13 </ b> A is connected to a midway portion in the longitudinal direction of the first lead 11 and the second lead 12.

また、準備工程では、各第一リード１１の長手方向の一端部１１Ａに折り曲げ加工が施される。この折り曲げ加工は、銅板から第一リードフレーム１０を得るための加工（例えばプレス加工）と同時に実施されてもよいし、この加工の後に実施されてもよい。これにより、各第一リード１１の長手方向の一端部１１Ａには、互いに第一リードフレーム１０の板厚方向にずれて位置する固定部１４及び上方配置部１５が形成される。   Further, in the preparation step, bending is performed on one end portion 11 </ b> A in the longitudinal direction of each first lead 11. This bending process may be performed simultaneously with the process (for example, press process) for obtaining the first lead frame 10 from the copper plate, or may be performed after this process. As a result, a fixing portion 14 and an upper placement portion 15 are formed at one end portion 11 </ b> A in the longitudinal direction of each first lead 11 so as to be shifted from each other in the plate thickness direction of the first lead frame 10.

固定部１４は、リード連結部１３Ａから延出する第一リード１１の一端部１１Ａの先端部分であり、また、後述する成形工程において基板３０の上面３０ａ（図５参照）側に固定される部分である。一部の第一リード１１（図２における右から１〜４番目の第一リード１１）の固定部１４には、第一リードフレーム１０の主面に沿う方向に折れ曲がる部分や、半導体素子４０を搭載する部分（図６参照）が形成されている。また、一部の第一リード１１（特に図２における右から４番目の第一リード１１）の固定部１４は、細長い部分を有する。
上方配置部１５は、第一リード１１の固定部１４と他端部１１Ｂとの間に形成される部分であり、第一リード１１の他端部１１Ｂや第二リード１２、枠体部１３と同じ高さ位置に配されている。 The fixing portion 14 is a tip portion of one end portion 11A of the first lead 11 extending from the lead connecting portion 13A, and is a portion that is fixed to the upper surface 30a (see FIG. 5) side of the substrate 30 in a molding process described later. It is. The fixed portion 14 of some of the first leads 11 (first to fourth first leads 11 from the right in FIG. 2) includes a portion bent in a direction along the main surface of the first lead frame 10 and the semiconductor element 40. A portion to be mounted (see FIG. 6) is formed. Further, the fixing portions 14 of some of the first leads 11 (particularly the fourth first lead 11 from the right in FIG. 2) have an elongated portion.
The upper placement portion 15 is a portion formed between the fixing portion 14 of the first lead 11 and the other end portion 11B, and the other end portion 11B, the second lead 12, and the frame body portion 13 of the first lead 11. It is arranged at the same height.

また、本実施形態の準備工程では、一部の第一リード１１（図２における右から４番目の第一リード１１）の固定部１４に、被押付部１６を形成する。被押付部１６は、後述する封止工程においてサポートピン８２Ａ（図６，７参照）が押し付けられる部分である。また、被押付部１６は、第一リード１１の固定部１４のうち、基板３０の上面３０ａの周縁領域に固定される部分でもある。   Moreover, in the preparatory process of this embodiment, the to-be-pressed part 16 is formed in the fixing | fixed part 14 of some 1st leads 11 (the 4th 1st lead 11 from the right in FIG. 2). The pressed portion 16 is a portion to which the support pin 82A (see FIGS. 6 and 7) is pressed in a sealing process described later. The pressed portion 16 is also a portion that is fixed to the peripheral region of the upper surface 30 a of the substrate 30 in the fixing portion 14 of the first lead 11.

第二リードフレーム（他のリードフレーム）２０は、第三リード２１及びリード支持部２３を一体に形成して構成されている。本実施形態の第二リードフレーム２０は、第三リード２１及びリード支持部２３を一つずつ備えている。第三リード２１は、リード支持部２３から延びる帯板状に形成されている。
準備工程では、第三リード２１に、第一リード１１と同様の折り曲げ加工が施され、これによって、第三リード２１には、第一リード１１と同様に、互いに第二リードフレーム２０の板厚方向にずれて位置する固定部２４及び上方配置部２５が形成される。第三リード２１の固定部２４から上方配置部２５に至る第二リードフレーム２０の板厚方向の間隔は、例えば、第一リード１１の固定部１４から上方配置部１５に至る第一リードフレーム１０の板厚方向の間隔に一致しているとよい。 The second lead frame (another lead frame) 20 is configured by integrally forming a third lead 21 and a lead support portion 23. The second lead frame 20 of this embodiment includes one third lead 21 and one lead support portion 23. The third lead 21 is formed in a strip shape extending from the lead support portion 23.
In the preparation step, the third lead 21 is subjected to the same bending process as that of the first lead 11, whereby the third lead 21 has a plate thickness of the second lead frame 20. A fixing portion 24 and an upper arrangement portion 25 that are displaced in the direction are formed. The distance in the thickness direction of the second lead frame 20 from the fixing portion 24 of the third lead 21 to the upper placement portion 25 is, for example, the first lead frame 10 from the fixing portion 14 of the first lead 11 to the upper placement portion 15. It is good if it matches the interval in the plate thickness direction.

固定部２４は、リード支持部２３から延出する第三リード２１の先端部分であり、後述する成形工程において基板３０の上面３０ａ（図５参照）側に固定される部分である。固定部２４は、細長く形成されている。また、固定部２４には、第二リードフレーム２０の主面に沿う方向に折れ曲がる部分が形成されている。
上方配置部２５は、固定部２４とリード支持部２３との間に形成される部分であり、リード支持部２３と同じ高さ位置に配されている。 The fixing portion 24 is a tip portion of the third lead 21 extending from the lead support portion 23, and is a portion that is fixed to the upper surface 30a (see FIG. 5) side of the substrate 30 in a molding process described later. The fixing part 24 is formed in an elongated shape. The fixed portion 24 is formed with a portion that is bent in a direction along the main surface of the second lead frame 20.
The upper arrangement portion 25 is a portion formed between the fixing portion 24 and the lead support portion 23, and is disposed at the same height position as the lead support portion 23.

上記準備工程後には、図３〜５に示すように基板３０を成形する成形工程を実施する。この成形工程においては、図５に示すように、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４を基板３０の上面３０ａ側に固定する。本実施形態では、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂのみが基板３０に接触するように、固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａに固定される。固定部１４，２４が。以下、本実施形態における成形工程についてさらに説明する。   After the preparation step, a forming step for forming the substrate 30 is performed as shown in FIGS. In this molding process, as shown in FIG. 5, the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21 are fixed to the upper surface 30 a side of the substrate 30. In the present embodiment, the fixing portions 14 and 24 are fixed to the upper surface 30 a of the substrate 30 so that only the lower surfaces 14 b and 24 b of the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21 are in contact with the substrate 30. . Fixing parts 14, 24. Hereinafter, the molding process in the present embodiment will be further described.

本実施形態の成形工程では、例えば図３に示すように、第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を収容する収容部７１Ａ、及び、基板３０（図４，５参照）を成形するためのキャビティ７２Ａを有する基板成形用金型７０Ａを用いる。図３の収容部７１Ａには、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４が収容される。
固定部１４，２４を収容部７１Ａに収容した状態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂがキャビティ７２Ａ側に露出し、固定部１４，２４の他の面は収容部７１Ａの内面によって隙間なく覆われる。また、収容部７１Ａに収容された固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂは、キャビティ７２Ａの内面と同一平面をなす。この状態で、例えば射出成形により、キャビティ７２Ａに基板３０の成形材料（樹脂材料）を流し込むことで、図４，５に示す基板３０が成形される。基板３０の成形材料は、基板３０に固定される複数のリード１１，２１同士が基板３０を介して電気接続されないように、電気的な絶縁性を有することが好ましく、例えばガラスエポキシ樹脂であるとよい。 In the molding process of the present embodiment, for example, as shown in FIG. 3, the housing portion 71A for housing the first lead frame 10 and the second lead frame 20 and the substrate 30 (see FIGS. 4 and 5) are molded. A substrate molding die 70A having a cavity 72A is used. In the accommodating portion 71A of FIG. 3, the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21 are accommodated.
In a state where the fixing portions 14 and 24 are accommodated in the accommodating portion 71A, the lower surfaces 14b and 24b of the fixing portions 14 and 24 are exposed to the cavity 72A side, and the other surfaces of the fixing portions 14 and 24 are spaced by the inner surface of the accommodating portion 71A. Covered without. Further, the lower surfaces 14b and 24b of the fixing portions 14 and 24 accommodated in the accommodating portion 71A are flush with the inner surface of the cavity 72A. In this state, the substrate 30 shown in FIGS. 4 and 5 is molded by pouring the molding material (resin material) of the substrate 30 into the cavity 72A by, for example, injection molding. The molding material of the substrate 30 preferably has electrical insulation so that the leads 11 and 21 fixed to the substrate 30 are not electrically connected via the substrate 30, for example, glass epoxy resin. Good.

さらに、本実施形態の成形工程では、前述した基板成形用金型７０Ａに第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を収容する際に、一部の第一リード１１（図２，４における右から１〜３番目の第一リード１１）の上方配置部１５と、第三リード２１の固定部２４とが、リードフレーム１０，２０の板厚方向に間隔をあけて重なるように配する（図１，５参照）。その上で、前述したように基板３０を成形することで、基板３０の成形材料が第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４に密着して、これら固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａ側に固定される。   Furthermore, in the molding process of the present embodiment, when the first lead frame 10 and the second lead frame 20 are accommodated in the above-described substrate molding die 70A, a part of the first leads 11 (the right side in FIGS. 2 and 4). The first to third upper leads 15) and the fixing portion 24 of the third lead 21 are arranged so as to overlap with each other in the plate thickness direction of the lead frames 10 and 20 (see FIG. 1, 5). Then, by molding the substrate 30 as described above, the molding material of the substrate 30 comes into close contact with the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21, and these fixing portions 14 and 24 are the substrate. 30 is fixed to the upper surface 30a side.

成形工程後の状態では、図４，５に示すように、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａ側に固定されている。本実施形態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂのみが基板３０によって覆われ、固定部１４，２４の他の面（上面１４ａ，２４ａや側面）は外部に露出している。また、本実施形態の基板３０は、平面視矩形状に形成されている。そして、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４の一部は、基板３０の上面３０ａの角部領域に配されている。さらに、本実施形態において、基板３０の上面３０ａの一部の角部領域に配される第一リード１１の固定部１４は、固定部１４に形成された被押付部１６である。
また、成形工程後の状態では、第一リード１１の上方配置部１５が、基板３０の上面３０ａの上方に間隔をあけて配されている。なお、第二リード１２、枠体部１３、第三リード２１の上方配置部２５及びリード支持部２３は、第一リード１１の上方配置部１５と同様に、基板３０の上面３０ａよりも上方に位置するが、平面視で基板３０の外側に位置する。 In the state after the molding process, as shown in FIGS. 4 and 5, the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21 are fixed to the upper surface 30 a side of the substrate 30. In the present embodiment, only the lower surfaces 14b, 24b of the fixing portions 14, 24 are covered with the substrate 30, and the other surfaces (upper surfaces 14a, 24a and side surfaces) of the fixing portions 14, 24 are exposed to the outside. Further, the substrate 30 of the present embodiment is formed in a rectangular shape in plan view. A part of the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21 is arranged in a corner region of the upper surface 30 a of the substrate 30. Further, in the present embodiment, the fixing part 14 of the first lead 11 disposed in a part of the corner area of the upper surface 30 a of the substrate 30 is a pressed part 16 formed in the fixing part 14.
Further, in the state after the molding process, the upper placement portion 15 of the first lead 11 is disposed above the upper surface 30 a of the substrate 30 with a gap. The second lead 12, the frame portion 13, the upper placement portion 25 of the third lead 21, and the lead support portion 23 are located above the upper surface 30 a of the substrate 30 in the same manner as the upper placement portion 15 of the first lead 11. Although located, it is located outside the substrate 30 in plan view.

上記成形工程後には、図６に示すように、半導体素子４０と各リード１１，１２，２１とを電気接続する接続工程を行う。本実施形態の接続工程では、半導体素子４０を第一リード１１に搭載する搭載工程を実施した後に、半導体素子４０と第二リード１２、第三リード２１とをワイヤー等の接続子５０により電気接続する配線工程を実施する。
半導体素子４０としては、例えばダイオードやドランジスタ等のように通電によって発熱する半導体部品であり、平面視矩形の板状に形成されてその上面及び下面の両方に電極パッドを有して構成されるものが挙げられる。この場合、搭載工程では、半導体素子４０の下面を半田によって第一リード１１の固定部１４の上面１４ａに接合することで、半導体素子４０が第一リード１１に電気接続される。 After the molding step, as shown in FIG. 6, a connection step for electrically connecting the semiconductor element 40 and the leads 11, 12, 21 is performed. In the connection process of the present embodiment, after the mounting process of mounting the semiconductor element 40 on the first lead 11 is performed, the semiconductor element 40 and the second lead 12 and the third lead 21 are electrically connected by a connector 50 such as a wire. A wiring process is performed.
The semiconductor element 40 is a semiconductor component that generates heat when energized, such as a diode or a drain transistor, and is configured to have a rectangular plate shape with electrode pads on both the upper and lower surfaces thereof. Is mentioned. In this case, in the mounting process, the semiconductor element 40 is electrically connected to the first lead 11 by joining the lower surface of the semiconductor element 40 to the upper surface 14a of the fixing portion 14 of the first lead 11 with solder.

上記接続工程後には、図６〜８に示すように、基板３０、リード１１，１２，２１、半導体素子４０、及び、接続子５０を封止樹脂６０により封止する封止工程を行う。本実施形態の封止工程においては、リード１１，１２，２１のうち、第一、第二リード１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、及び、第三リード２１が封止樹脂６０によって封止される。
封止工程では、封止樹脂６０を成形するためのキャビティ８１Ａを有する樹脂成形用金型８０Ａを用い、はじめに、基板３０、第一、第二リード１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、第三リード２１、半導体素子４０、及び、接続子５０をキャビティ８１Ａ内に配する。その後、キャビティ８１Ａ内に封止樹脂６０を注入することで、図８に示すように、基板３０、リード１１，１２，２１、半導体素子４０及び接続子５０が封止樹脂６０によって封止される。 After the connection step, as shown in FIGS. 6 to 8, a sealing step for sealing the substrate 30, the leads 11, 12, 21, the semiconductor element 40, and the connector 50 with the sealing resin 60 is performed. In the sealing process of this embodiment, among the leads 11, 12, and 21, the one end portions 11 </ b> A and 12 </ b> A of the first and second leads 12 and the third lead 21 are sealed with the sealing resin 60.
In the sealing step, a resin molding die 80A having a cavity 81A for molding the sealing resin 60 is used. First, the substrate 30, first ends 11A and 12A of the second lead 12, and the third lead 21 are used. The semiconductor element 40 and the connector 50 are arranged in the cavity 81A. Thereafter, by injecting the sealing resin 60 into the cavity 81A, the substrate 30, the leads 11, 12, 21, the semiconductor element 40, and the connector 50 are sealed with the sealing resin 60 as shown in FIG. .

また、封止工程では、半導体装置１において基板３０の下面３０ｂが外部に露出するように、図７に示すように、樹脂成形用金型８０Ａのキャビティ８１Ａ内に突出する複数のサポートピン８２Ａにより、基板３０の下面３０ｂをキャビティ８１Ａの内面に押し付けた状態で、キャビティ８１Ａ内に封止樹脂６０を注入する。
本実施形態の封止工程では、図６，７に示すように、サポートピン８２Ａを基板３０の上面３０ａの角部領域に配された第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４に押し付ける。また、一部のサポートピン８２Ａは、第一リード１１の固定部１４に形成された被押付部１６に押し付けられる。 Further, in the sealing process, as shown in FIG. 7, a plurality of support pins 82A projecting into the cavity 81A of the resin molding die 80A so that the lower surface 30b of the substrate 30 is exposed to the outside in the semiconductor device 1. The sealing resin 60 is injected into the cavity 81A while the lower surface 30b of the substrate 30 is pressed against the inner surface of the cavity 81A.
In the sealing process of this embodiment, as shown in FIGS. 6 and 7, the support pins 82 </ b> A are disposed in the corner regions of the upper surface 30 a of the substrate 30, and the fixing portions 14 and 24 of the third lead 21. Press on. A part of the support pins 82 </ b> A is pressed against the pressed portion 16 formed on the fixing portion 14 of the first lead 11.

上記封止工程後には、第一リードフレーム１０の枠体部１３及び第二リードフレーム２０のリード支持部２３（図６参照）を切り落とし、第一リードフレーム１０の複数の第一リード１１及び第二リード１２を、封止樹脂６０の外側において互いに電気的に独立させることで、図８に示す半導体装置１の製造が完了する。   After the sealing step, the frame body portion 13 of the first lead frame 10 and the lead support portion 23 (see FIG. 6) of the second lead frame 20 are cut off, and the first leads 11 and the first leads 11 of the first lead frame 10 are cut off. By making the two leads 12 electrically independent from each other outside the sealing resin 60, the manufacture of the semiconductor device 1 shown in FIG.

以上のように製造される本実施形態の半導体装置１は、図６，８に示すように、基板３０と、リード１１，１２，２１と、リード１１，１２，２１に電気接続された半導体素子４０と、これら基板３０、リード１１，１２，２１及び半導体素子４０を封止する封止樹脂６０とを備える。   The semiconductor device 1 of the present embodiment manufactured as described above includes a substrate 30, a lead 11, 12, 21 and a semiconductor element electrically connected to the leads 11, 12, 21 as shown in FIGS. 40 and a sealing resin 60 for sealing the substrate 30, the leads 11, 12, and 21 and the semiconductor element 40.

本実施形態のリード１１，１２，２１には、基板３０の上面３０ａ側に固定された第一、第三リード１１，２１の他に、基板３０に固定されずにその上面３０ａよりも上方に間隔をあけて位置する第二リード１２もある。第一、第二リード１１，１２の長手方向の一端部１１Ａ，１２Ａは封止樹脂６０内に埋設され、第一、第二リード１１，１２の他端部１１Ｂ，１２Ｂは封止樹脂６０から外部に突出している。   In addition to the first and third leads 11 and 21 fixed to the upper surface 30a side of the substrate 30, the leads 11, 12, and 21 of the present embodiment are not fixed to the substrate 30 but above the upper surface 30a. There are also second leads 12 that are spaced apart. One end portions 11A and 12A in the longitudinal direction of the first and second leads 11 and 12 are embedded in the sealing resin 60, and the other end portions 11B and 12B of the first and second leads 11 and 12 are formed from the sealing resin 60. It protrudes to the outside.

第一リード１１の一端部１１Ａ及び第三リード２１は、それぞれ、基板３０の上面３０ａ側に固定された固定部１４，２４と、基板３０の上面３０ａの上方に間隔をあけて配された上方配置部１５，２５と、を備える。本実施形態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂのみが基板３０の上面３０ａに接触するように、固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａに固定されている。そして、第三リード２１の固定部２４の上方には、一部の第一リード１１（図６において右から１〜３番目の第一リード１１）の上方配置部１５がリード１１，１２，２１の板厚方向に間隔をあけて配されている。また、第三リード２１の固定部２４は、複数の第一リード１１の配列方向に延びており、平面視で一部の第一リード１１と交差している。   One end portion 11A and the third lead 21 of the first lead 11 are respectively fixed portions 14 and 24 fixed to the upper surface 30a side of the substrate 30 and an upper portion arranged above the upper surface 30a of the substrate 30 with a space therebetween. And placement units 15 and 25. In the present embodiment, the fixing portions 14 and 24 are fixed to the upper surface 30 a of the substrate 30 so that only the lower surfaces 14 b and 24 b of the fixing portions 14 and 24 are in contact with the upper surface 30 a of the substrate 30. Above the fixing portion 24 of the third lead 21, the upper arrangement portion 15 of some of the first leads 11 (the first to third first leads 11 from the right in FIG. 6) is the leads 11, 12, 21. It is arranged at intervals in the plate thickness direction. Further, the fixing portion 24 of the third lead 21 extends in the arrangement direction of the plurality of first leads 11 and intersects a part of the first leads 11 in plan view.

半導体素子４０は、一部の第一リード１１（図６において右から１〜４番目の第一リード１１）の上面１４ａに搭載されている。また、半導体素子４０は、これを搭載した第一リード１１とは別個のリード１１，１２，２１と、ワイヤー等の接続子５０によって適宜電気接続されている。なお、半導体素子４０は、これを搭載した第一リード１１と電気接続されてもよいが、例えば電気接続されなくてもよい。
封止樹脂６０は、基板３０のうち上面３０ａ及び側面を封止している。すなわち、基板３０の下面３０ｂは外部に露出している。また、本実施形態の封止樹脂６０には、樹脂成形用金型８０Ａのサポートピン８２Ａ（図７参照）による孔６１が形成されている。 The semiconductor element 40 is mounted on the upper surface 14a of some of the first leads 11 (first to fourth first leads 11 from the right in FIG. 6). In addition, the semiconductor element 40 is appropriately electrically connected by leads 11, 12, 21 separate from the first lead 11 on which the semiconductor element 40 is mounted, and a connector 50 such as a wire. The semiconductor element 40 may be electrically connected to the first lead 11 on which the semiconductor element 40 is mounted, but may not be electrically connected, for example.
The sealing resin 60 seals the upper surface 30 a and the side surface of the substrate 30. That is, the lower surface 30b of the substrate 30 is exposed to the outside. Moreover, the hole 61 by the support pin 82A (refer FIG. 7) of the mold 80A for resin molding is formed in the sealing resin 60 of this embodiment.

以上説明したように、本実施形態に係る半導体装置１の製造方法によれば、成形工程において基板３０を成形する際に第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４を基板３０の上面３０ａに固定するため、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４と基板３０とが接着剤等を介在させることなく直接固定される。したがって、製造後の半導体装置１では、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４から基板３０への熱伝導の低下を防止できる。すなわち、半導体装置１の放熱性の低下を防ぐことが可能となる。例えば、半導体装置１において半導体素子４０が通電により発熱しても、この熱を第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４及び基板３０を介して外部に効率よく逃がすことができる。   As described above, according to the manufacturing method of the semiconductor device 1 according to the present embodiment, when the substrate 30 is molded in the molding process, the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 are connected to the substrate 30. In order to fix to the upper surface 30a, the fixing parts 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 and the substrate 30 are directly fixed without interposing an adhesive or the like. Therefore, in the semiconductor device 1 after manufacture, it is possible to prevent a decrease in heat conduction from the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 to the substrate 30. That is, it is possible to prevent the heat dissipation of the semiconductor device 1 from being lowered. For example, even if the semiconductor element 40 generates heat by energization in the semiconductor device 1, this heat can be efficiently released to the outside through the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 and the substrate 30.

また、本実施形態の製造方法によれば、成形工程において第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４が基板３０の上面３０ａ側に固定されるため、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４が細長く形成されていても、封止工程の際に、リード１１，１２，２１が基板３０上においてばたつくことを防止できる。
さらに、本実施形態の製造方法によれば、封止工程において、基板３０の下面３０ｂがサポートピン８２Ａによってキャビティ８１Ａの内面に押し付けられるため、製造後の半導体装置１において、基板３０の下面３０ｂが封止樹脂６０によって覆われることを防止できる。 Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 are fixed to the upper surface 30a side of the substrate 30 in the molding process, and therefore the first and third leads 11 , 21 can be prevented from fluttering on the substrate 30 during the sealing process even if the fixing portions 14, 24 are elongated.
Furthermore, according to the manufacturing method of the present embodiment, in the sealing process, the lower surface 30b of the substrate 30 is pressed against the inner surface of the cavity 81A by the support pins 82A. Covering with the sealing resin 60 can be prevented.

また、本実施形態の製造方法によれば、準備工程において、第一リード１１の固定部１４に形成されてサポートピン８２Ａを押し付けるための被押付部１６の形成位置を、基板３０上の同一位置に対応づけて設定すれば、例え半導体装置１の仕様に応じて基板３０に固定される第一、第三リード１１，２１の形状や数が異なっていても、封止工程では、同一位置に設けられたサポートピン８２Ａを固定部１４に押し付けることが可能となる。したがって、リード１１，１２，２１の形状や数が異なる様々な種類の半導体装置１を同一の樹脂成形用金型８０Ａを用いて製造することが可能となり、半導体装置１の製造コスト削減を図ることができる。
さらに、本実施形態では、封止工程において、サポートピン８２Ａを基板３０ではなく第一、第三リード１１，２１の固定部１４、２４に押し付けるため、例えば基板３０の厚みが薄く、これに伴って基板３０の強度が弱くても、基板３０の保護を図ることが可能となる。 Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, the formation position of the pressed portion 16 that is formed on the fixing portion 14 of the first lead 11 and presses the support pin 82 </ b> A is the same position on the substrate 30 in the preparation step. If the shape and number of the first and third leads 11 and 21 fixed to the substrate 30 are different according to the specifications of the semiconductor device 1, even if the shape and number are different, It is possible to press the provided support pin 82A against the fixing portion 14. Accordingly, various types of semiconductor devices 1 having different shapes and numbers of leads 11, 12, and 21 can be manufactured using the same resin molding die 80A, and the manufacturing cost of the semiconductor device 1 can be reduced. Can do.
Further, in the present embodiment, in the sealing process, the support pins 82A are pressed against the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 instead of the substrate 30, so that the thickness of the substrate 30 is thin, for example. Even if the strength of the substrate 30 is weak, the substrate 30 can be protected.

さらに、本実施形態の製造方法によれば、第一リードフレーム１０の第一リード１１に上方配置部１５が形成されることで、二つのリードフレーム１０，２０の第一リード１１と第三リード２１とを、基板３０上において電気的に絶縁した状態で交差させることができる。したがって、複雑な回路を有する半導体装置１を製造することが可能となる。   Furthermore, according to the manufacturing method of the present embodiment, the upper placement portion 15 is formed on the first lead 11 of the first lead frame 10, whereby the first lead 11 and the third lead of the two lead frames 10 and 20. 21 can be crossed on the substrate 30 in an electrically insulated state. Therefore, the semiconductor device 1 having a complicated circuit can be manufactured.

また、本実施形態のように、基板３０が電気的な絶縁性を有していれば、半導体装置１において、封止樹脂６０内において基板３０に固定された第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４を外部に対して電気的に絶縁することが可能となる。したがって、半導体装置１を放熱フィンや筐体等のように導電性を有する部材（導電性部材）に実装する際に、基板３０の下面３０ｂと導電性部材との間に、別個の絶縁シート等の絶縁材を介在させることなく、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４とを電気的に絶縁させることができる。すなわち、半導体装置１の実装を簡便に行うことができる。   Further, as in this embodiment, if the substrate 30 has electrical insulation, the first and third leads 11 and 21 fixed to the substrate 30 in the sealing resin 60 in the semiconductor device 1. It is possible to electrically insulate the fixing portions 14 and 24 from the outside. Therefore, when the semiconductor device 1 is mounted on a conductive member (conductive member) such as a heat radiating fin or a casing, a separate insulating sheet or the like is provided between the lower surface 30b of the substrate 30 and the conductive member. Thus, the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 can be electrically insulated without interposing any insulating material. That is, the semiconductor device 1 can be easily mounted.

〔第二実施形態〕
次に、図９，１０を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態の製造方法と比較して、成形工程のみが異なっており、その他の工程については第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
本実施形態の成形工程では、第一実施形態と同様に、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４を基板３０の上面３０ａ側に固定するが、図１０に示すように、固定部１４，２４の一部のみが基板３０の上面３０ａに露出するように、基板３０に埋設される。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this embodiment, as compared with the manufacturing method of the first embodiment, only the molding process is different, and the other processes are the same as those of the first embodiment. In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In the molding process of this embodiment, as in the first embodiment, the fixing portions 14 and 24 of the first lead 11 and the third lead 21 are fixed to the upper surface 30a side of the substrate 30, but as shown in FIG. The fixing portions 14 and 24 are embedded in the substrate 30 so that only a part of the fixing portions 14 and 24 is exposed on the upper surface 30 a of the substrate 30.

具体的に説明すれば、本実施形態の成形工程では、図９に示す基板成形用金型７０Ｂを用いる。基板成形用金型７０Ｂは、第一実施形態の基板成形用金型７０Ａ（図３参照）と同様に、第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を収容する収容部７１Ｂ、及び、基板３０を成形するためのキャビティ７２Ｂを有する。図９の収容部７１Ｂには、第一リード１１及び第三リード２１の固定部１４，２４が収容される。
固定部１４，２４を収容部７１Ｂに収容した状態では、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂがキャビティ７２Ｂ側に露出し、固定部１４，２４の上面１４ａ，２４ａが収容部７１Ａの内面によって隙間なく覆われる。また、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂがキャビティ７２Ｂの内面と同一平面をなす。ただし、本実施形態では、固定部１４，２４を収容部７１Ｂに収容した状態で、固定部１４，２４の側面と収容部７１Ｂの内面（内側面）との間に隙間が生じる。また、本実施形態では、キャビティ７２Ｂの内面と収容部７１Ｂの内面との角部が丸みを帯びている。
この収容状態で、キャビティ７２Ｂに基板３０の成形材料（樹脂材料）を流し込むと、成形材料の一部がキャビティ７２Ｂから固定部１４の側面と収容部７１Ｂの内面との隙間に入り込む。なお、前述したように、キャビティ７２Ｂの内面と収容部７１Ｂの内面との角部が丸みを帯びていることで、成形材料は上記隙間に入り込みやすい。 If it demonstrates concretely, in the shaping | molding process of this embodiment, the metal mold | die 70B for board | substrate shaping | molding shown in FIG. 9 will be used. Similarly to the substrate molding die 70A (see FIG. 3) of the first embodiment, the substrate molding die 70B includes an accommodating portion 71B that accommodates the first lead frame 10 and the second lead frame 20, and the substrate 30. Has a cavity 72B for molding. In the accommodating portion 71B of FIG. 9, the fixing portions 14, 24 of the first lead 11 and the third lead 21 are accommodated.
In a state where the fixing portions 14 and 24 are accommodated in the accommodating portion 71B, the lower surfaces 14b and 24b of the fixing portions 14 and 24 are exposed to the cavity 72B side, and the upper surfaces 14a and 24a of the fixing portions 14 and 24 are covered by the inner surface of the accommodating portion 71A. Covered without gaps. Further, the lower surfaces 14b, 24b of the fixing portions 14, 24 are flush with the inner surface of the cavity 72B. However, in the present embodiment, a gap is generated between the side surfaces of the fixing portions 14 and 24 and the inner surface (inner side surface) of the accommodating portion 71B in a state where the fixing portions 14 and 24 are accommodated in the accommodating portion 71B. In the present embodiment, corners between the inner surface of the cavity 72B and the inner surface of the accommodating portion 71B are rounded.
When the molding material (resin material) of the substrate 30 is poured into the cavity 72B in this accommodated state, a part of the molding material enters the gap between the side surface of the fixed portion 14 and the inner surface of the accommodating portion 71B from the cavity 72B. As described above, since the corners of the inner surface of the cavity 72B and the inner surface of the accommodating portion 71B are rounded, the molding material easily enters the gap.

以上のように成形工程を実施すると、図１０に示すように、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂに加え、固定部１４，２４の側面の一部（下面１４ｂ，２４ｂ側の部分）が、基板３０によって覆われる。すなわち、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂ側の部分が基板３０に埋設される。
本実施形態の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏することに加え、成形工程において、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４を基板３０に対してより強固に固定できる、という効果も奏する。 When the molding process is performed as described above, as shown in FIG. 10, in addition to the lower surfaces 14b and 24b of the fixing portions 14 and 24, a part of the side surfaces of the fixing portions 14 and 24 (portions on the lower surface 14b and 24b side). The substrate 30 is covered. In other words, the portions on the lower surfaces 14 b and 24 b side of the fixing portions 14 and 24 are embedded in the substrate 30.
According to the manufacturing method of the present embodiment, in addition to the same effects as those of the first embodiment, in the molding process, the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 are more than the substrate 30. There is also an effect that it can be firmly fixed.

なお、上記第二実施形態では、成形工程において、固定部１４，２４の下面１４ｂ，２４ｂ側の部分だけが基板３０に埋設されるが、例えば図１１に示すように、固定部１４，２４の上面１４ａ，２４ａのみが露出するように、基板３０に埋設されてもよい。   In the second embodiment, only the portions on the lower surfaces 14b and 24b side of the fixing portions 14 and 24 are embedded in the substrate 30 in the molding process. For example, as shown in FIG. It may be embedded in the substrate 30 so that only the upper surfaces 14a and 24a are exposed.

〔第三実施形態〕
次に、図１２，１３を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態の製造方法と比較して、準備工程及び封止工程のみが異なっており、その他の工程については第一実施形態や第二実施形態と同様であってよい。本実施形態では、第一実施形態と同一の構成要素について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
本実施形態の準備工程では、第一実施形態と同様の第一リードフレーム１０及び第二リードフレーム２０を用意する。ただし、本実施形態の準備工程では、図１２に示すように、第一リード１１に被押付部１６（図２参照）が形成されない。 [Third embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In this embodiment, compared with the manufacturing method of 1st embodiment, only a preparatory process and a sealing process differ, and it may be the same as that of 1st embodiment and 2nd embodiment about another process. In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In the preparation process of the present embodiment, the first lead frame 10 and the second lead frame 20 similar to those of the first embodiment are prepared. However, in the preparation process of this embodiment, as shown in FIG. 12, the pressed portion 16 (see FIG. 2) is not formed on the first lead 11.

そして、本実施形態の封止工程では、図１２，１３に示すように、第一実施形態の場合と同様に、樹脂成形用金型８０Ｂのキャビティ８１Ｂ内に、基板３０、第一、第二リード１１,１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、第三リード２１、半導体素子４０及び接続子５０を配すると共に、樹脂成形用金型８０Ｂの複数のサポートピン８２Ｂにより基板３０の下面３０ｂをキャビティ８１Ｂの内面に押し付けた状態で、キャビティ８１Ｂ内に封止樹脂６０を注入する。これにより、基板３０、第一、第二リード１２の一端部１１Ａ，１２Ａ、第三リード２１、半導体素子４０、及び、接続子５０が、封止樹脂６０によって封止される。
ただし、本実施形態の封止工程では、サポートピン８２Ｂを基板３０の上面３０ａに押し付けた状態で、封止樹脂６０をキャビティ８１Ｂ内に注入する。 And in the sealing process of this embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, in the same manner as in the first embodiment, in the cavity 81B of the resin molding die 80B, the substrate 30, the first and second One end portions 11A and 12A of the leads 11 and 12, the third lead 21, the semiconductor element 40, and the connector 50 are arranged, and the lower surface 30b of the substrate 30 is formed in the cavity 81B by a plurality of support pins 82B of the resin molding die 80B. The sealing resin 60 is injected into the cavity 81B while being pressed against the inner surface. Thus, the substrate 30, the one end portions 11 </ b> A and 12 </ b> A of the first and second leads 12, the third lead 21, the semiconductor element 40, and the connector 50 are sealed with the sealing resin 60.
However, in the sealing process of the present embodiment, the sealing resin 60 is injected into the cavity 81B in a state where the support pins 82B are pressed against the upper surface 30a of the substrate 30.

本実施形態の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の製造方法によれば、封止工程において、サポートピン８２Ｂを基板３０の上面３０ａに押し付けることで、基板３０の下面３０ｂをキャビティ８１Ｂの内面に押し付けるため、例え半導体装置１の仕様に応じて基板３０に固定される第一、第三リード１１，２１の形状や数が異なっていても、サポートピン８２Ｂを基板３０の上面３０ａの同一位置に押し付けることができる。したがって、リード１１，１２，２１の形状や数が異なる様々な種類の半導体装置１を、同一の樹脂成形用金型８０Ｂを用いて製造することが可能となり、半導体装置１の製造コスト削減を図ることができる。
また、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４に被押付部１６（図２参照）を形成する必要がないため、リードフレーム１０，２０の設計を容易に行うことが可能となる。 According to the manufacturing method of the present embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.
Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, in the sealing process, the support pin 82B is pressed against the upper surface 30a of the substrate 30 to press the lower surface 30b of the substrate 30 against the inner surface of the cavity 81B. The support pins 82B can be pressed against the same position on the upper surface 30a of the substrate 30 even if the shape and number of the first and third leads 11 and 21 fixed to the substrate 30 differ according to the specifications. Therefore, various types of semiconductor devices 1 having different shapes and numbers of leads 11, 12, and 21 can be manufactured using the same resin molding die 80B, and the manufacturing cost of the semiconductor device 1 can be reduced. be able to.
Further, since it is not necessary to form the pressed portion 16 (see FIG. 2) on the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21, the lead frames 10 and 20 can be easily designed. Become.

以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、準備工程において第二リードフレーム２０の第三リード２１に折り曲げ加工が施されるとしたが、施されなくてもよい。また、上記実施形態では、第一リード１１と第三リード２１とがその板厚方向に間隔をあけて重なるように配されているが、例えば重ならなくてもよい。この場合、準備工程において第一リード１１に折り曲げ加工を施す必要はない。すなわち、第一、第三リード１１，２１は、例えば上方配置部１５，２５を備えなくてもよい。この場合、第一、第三リード１１，２１の固定部１４，２４は、第二リード１２や枠体部１３、リード支持部２３と同じ高さ位置に配されればよい。 Although the details of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the above embodiment, the bending process is performed on the third lead 21 of the second lead frame 20 in the preparation step. Moreover, in the said embodiment, although the 1st lead 11 and the 3rd lead 21 are distribute | arranged so that it may overlap in the plate | board thickness direction at intervals, it does not need to overlap, for example. In this case, it is not necessary to bend the first lead 11 in the preparation step. That is, the first and third leads 11 and 21 may not include the upper placement portions 15 and 25, for example. In this case, the fixing portions 14 and 24 of the first and third leads 11 and 21 may be arranged at the same height as the second lead 12, the frame body portion 13, and the lead support portion 23.

また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記実施形態の半導体装置の製造に適用されることに限らず、例えば基板３０の下面３０ｂが露出しないように、基板３０、リード１１，１２，２１及び半導体素子４０を封止樹脂６０により封止した半導体装置の製造にも適用可能である。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることが可能である。 The semiconductor device manufacturing method of the present invention is not limited to the manufacturing of the semiconductor device of the above-described embodiment. For example, the substrate 30 and the leads 11, 12, and 21 are not exposed so that the lower surface 30b of the substrate 30 is not exposed. The present invention is also applicable to the manufacture of a semiconductor device in which the semiconductor element 40 is sealed with the sealing resin 60.
In addition to this, the configuration described in the above embodiment can be selected or changed to another configuration as appropriate without departing from the gist of the present invention.

１ 半導体装置
１０ 第一リードフレーム（一のリードフレーム）
１１ 第一リード
１２ 第二リード
１４ 固定部
１５ 上方配置部
１６ 被押付部
２０ 第二リードフレーム（他のリードフレーム）
２１ 第三リード
２４ 固定部
３０ 基板
３０ａ 上面
３０ｂ 下面
４０ 半導体素子
５０ 接続子
６０ 封止樹脂
７０Ａ，７０Ｂ 基板成形用金型
７１Ａ，７１Ｂ 収容部
７２Ａ，７２Ｂ キャビティ
８０Ａ，８０Ｂ 樹脂成形用金型
８１Ａ，８１Ｂ キャビティ
８２Ａ，８２Ｂ サポートピン 1 Semiconductor Device 10 First Lead Frame (One Lead Frame)
11 First lead 12 Second lead 14 Fixing portion 15 Upper arrangement portion 16 Pressed portion 20 Second lead frame (other lead frame)
21 Third lead 24 Fixed portion 30 Substrate 30a Upper surface 30b Lower surface 40 Semiconductor element 50 Connector 60 Sealing resin 70A, 70B Molding die 71A, 71B Housing portion 72A, 72B Cavity 80A, 80B Resin molding die 81A, 81B Cavity 82A, 82B Support pin

Claims (4)

リードを有するリードフレームを準備する準備工程と、基板を成形する成形工程と、を備え、
前記成形工程において前記リードを前記基板の上面側に固定することを特徴とする半導体装置の製造方法。 A preparation step of preparing a lead frame having leads, and a molding step of molding a substrate,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the lead is fixed to an upper surface side of the substrate in the molding step. 前記準備工程において、複数の前記リードフレームを用意すると共に、少なくとも一のリードフレームの前記リードに折り曲げ加工を施して、前記基板の上面側に固定される固定部と、前記基板の上面の上方に間隔をあけて配される上方配置部と、を形成し、
前記成形工程において、前記一のリードフレームの固定部、及び、他のリードフレームのリードを前記基板に固定する際に、前記一のリードフレームの上方配置部と、前記他のリードフレームのリードとが、前記リードフレームの板厚方向に間隔をあけて重なるように配されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 In the preparation step, a plurality of the lead frames are prepared, and the leads of the at least one lead frame are subjected to a bending process, and a fixing portion fixed to the upper surface side of the substrate, and an upper surface of the substrate. Forming an upper arrangement portion arranged at intervals,
In the molding step, when fixing the lead portion of the one lead frame and the lead of the other lead frame to the substrate, the upper arrangement portion of the one lead frame, the lead of the other lead frame, 2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the first and second lead frames are arranged so as to overlap each other with a space in the plate thickness direction of the lead frame. 前記成形工程において、前記リードは、その少なくとも一部が前記基板の上面に露出するように前記基板に埋設されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。   3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein, in the molding step, the lead is embedded in the substrate so that at least a part of the lead is exposed on an upper surface of the substrate. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の製造方法によって製造される半導体装置であって、
前記基板と、前記基板に固定された前記リードと、前記リードに電気接続された半導体素子と、前記基板の下面が露出するように、前記基板、前記リード及び前記半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする半導体装置。
A semiconductor device manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 3,
Seal that seals the substrate, the leads, and the semiconductor element such that the substrate, the lead fixed to the substrate, a semiconductor element electrically connected to the lead, and a lower surface of the substrate are exposed And a semiconductor device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016225629A (en) * 2015-06-01 2016-12-28 日本精工株式会社 Heat dissipation substrate for mounting electronic component

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194623A (en) * 2006-01-20 2007-08-02 Memsic Inc Three-dimensional multichip, three-axis sensor and manufacturing method therefor
JP2011181651A (en) * 2010-03-01 2011-09-15 Panasonic Corp Heat dissipation substrate and method for manufacturing the same
JP2012059885A (en) * 2010-09-08 2012-03-22 Denso Corp Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007194623A (en) * 2006-01-20 2007-08-02 Memsic Inc Three-dimensional multichip, three-axis sensor and manufacturing method therefor
JP2011181651A (en) * 2010-03-01 2011-09-15 Panasonic Corp Heat dissipation substrate and method for manufacturing the same
JP2012059885A (en) * 2010-09-08 2012-03-22 Denso Corp Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016225629A (en) * 2015-06-01 2016-12-28 日本精工株式会社 Heat dissipation substrate for mounting electronic component

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