JP2015035381A - 透明導電体及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】金属ナノワイヤを有する透明導電体の製造方法において、コストを抑えながら、透明性を良好に維持しつつ、導電性を向上させる製造方法を提供する。また、透明性と導電性が良好な透明導電体を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電体10の製造方法は、搬送される基材11上に、塗工装置3によって、金属ナノワイヤ及び溶媒を含有する塗布液13を塗工する塗工工程と、乾燥炉4で搬送される基材11上の前記溶媒を乾燥させる乾燥工程と、を備え、乾燥炉4は、搬送される基材11に対する前記溶媒の表面直上を流れる風の相対速度が8.0m/s以下である区間41を含む。
【選択図】図2

Description

本発明は、透明導電体及びその製造方法に関する。詳しくは、基材上に金属ナノワイヤを有する透明導電体及びその製造方法に関する。
透明導電体は、ディスプレイ、タッチパネル、エレクトロルミネッセンスデバイス、太陽電池など身近な機器に幅広く用いられている。一般的な透明導電体としては、基材上に酸化インジウムスズ(ITO)膜が形成されたものが知られているが、ITO膜はフレキシブル性に乏しく、またインジウムは高価なレアメタルであるなどの理由から代替品の開発が盛んに行われている。
これらの問題を解決するものとして、基材上に金属ナノワイヤを有する透明導電体が注目されている。この透明導電体は、例えば特許文献1に記載されるように、搬送される基材上に、金属ナノワイヤを含有する塗布液を塗工し、当該塗布液に直接風を吹き付けて乾燥させることによって作製される。
特開2013−56291号公報
透明導電体の性能として、導電性と透明性を両立させることは重要である。しかしながら、特許文献1に記載されるような製造方法においては、導電性を向上させるため金属ナノワイヤの量を増加させようとすると、コストアップや透明性の低下につながるという問題があった。
そこで本発明は、金属ナノワイヤを有する透明導電体の製造方法において、コストを抑えながら、透明性を良好に維持しつつ、導電性を向上させる製造方法の提供を目的とする。また、透明性と導電性が良好な透明導電体の提供を目的とする。
本発明の透明導電体の製造方法は、搬送される基材上に、塗工装置によって、金属ナノワイヤ及び溶媒を含有する塗布液を塗工する塗工工程と、乾燥炉で前記搬送される基材上の前記溶媒を乾燥させる乾燥工程と、を備え、前記乾燥炉は、前記搬送される基材に対する前記溶媒の表面直上を流れる風の相対速度が8.0m/s以下である区間を含む。
この製造方法によれば、塗工装置によって金属ナノワイヤを含む塗布液を基材上に塗工する際に、基材が搬送されているため、金属ナノワイヤは塗布液とともに搬送方向の力を受け、搬送方向に配向する。そして、配向した金属ナノワイヤは、乾燥炉において、従来のように塗布液に風が直接吹き付けられてしまうとその配向を乱してしまっていたが、搬送される基材に対する基材上の溶媒の表面直上を流れる風の相対速度を8.0m/s以下である区間を有することによって、その区間において金属ナノワイヤの配向の乱れを緩和させることができる。この結果、従来のものと比較して、搬送方向の金属ナノワイヤのネットワークが強まり、搬送方向の導電性を向上させることができる。また、これは、金属ナノワイヤの量を増やすものではないため、コストの抑制や、透明性の維持の効果も奏する。
ここで、基材上の溶媒の表面直上とは、溶媒表面から上方10mmの間のことをいう。また、表面直上を流れる風を、搬送される基材に対する相対速度で特定した理由としては、見た目上基材上に風が流れていなかったとしても、基材の搬送によって、基材上の金属ナノワイヤは、実質上搬送方向に風の流れを受けることから、表面直上を流れる風だけでなく、基材の搬送による影響も考慮したためである。基材の搬送速度が速くなればなるほど、この影響は大きくなる。なお、図4に示すように、搬送される基材に対する、基材上における溶媒の表面直上を流れる風の相対速度Cは、表面直上を流れる風の方向と基材の搬送方向とのなす角度α、表面直上を流れる風の速さA及び基材の搬送速度Bから、余弦定理(C=A+B−2ABcosα)によって求められる。
また、本発明においては、前記相対速度を1.0m/s以下にすることもできる。これにより、金属ナノワイヤの配向を確実に維持することができる。
また、本発明においては、前記乾燥炉が、上記のように風が設定された区間を、前記溶媒の前記表面から前記金属ナノワイヤが突出した後に含むように構成することもできる。このように、金属ナノワイヤの風の影響を受けやすいタイミングに、上記のように風が設定された区間を合わせることによって、金属ナノワイヤの配向を確実に維持することができる。
さらに、本発明においては、塗工装置としてスロットダイコータを用いることができる。この構成によれば、塗布液を基材上に塗工する際に、基材に向かって大きな力で押し出すため、その力によって金属ナノワイヤを十分に配向させることができる。
本発明の導電体は、基材と、前記基材上の金属ナノワイヤと、を有し、ヘイズが1.7%以下であり、前記基材の一方向の表面抵抗値と前記基材の前記一方向と直行する方向の表面抵抗値の比が1.3以上である。
本発明の透明導電体においては、前記ヘイズを1.5%以下にし、前記表面抵抗値の比を1.7以上にすることができる。
本発明の、金属ナノワイヤを含む透明導電体の製造方法によれば、コストを抑えながら、透明性を良好に維持しつつ、導電性を向上させることができる。また、透明性及び導電性が良好な透明導電体を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る透明導電体の断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造工程を示す概略図である。 本発明の他の実施形態に係る透明導電体の断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る風の相対速度を示す模式図である。
以下、本発明の一実施形態に係る透明導電体及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図1は、透明導電体10の断面模式図である。図1に示すように、透明導電体10は、基材11と、基材11上に位置する金属ナノワイヤ12によって構成される。金属ナノワイヤ12は、基材11上に金属ナノワイヤ12、添加剤及び溶媒を含む塗布液13が塗工され、乾燥されて形成されたものである。各構成要素について、順を追って説明する。
<基材>
基材11は、可視光に対して透過性を有する材料で構成されたもので、例えば無機材料又はプラスチック材料で構成される。基材11としては、例えばフィルム状、シート状又は基板状に形成される。
基材11を構成する無機材料としては、例えば、石英、サファイア、ガラスなどが挙げられる。また、基材11を構成するプラスチック材料としては、例えば、トリアセチルセルロース(TAC)、ジアセチルセルロース、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリアミド(PA)、ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、シクロオレフィンポリマー(COP)、シクロオレフィンコポリマー(COC)、ポリアクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、などが挙げられる。プラスチック材料を用いて基材11を構成した場合、生産性の観点から、厚さを例えば20〜200μmとすることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
<金属ナノワイヤ>
金属ナノワイヤ12は金属から構成されたものであって、構成元素としては、例えばAg、Cu、Au、Al、Rh、Ir、Co、Zn、Ni、In、Fe、Pd、Pt、Sn、Ti等から選択される1種類以上のものが挙げられる。また、これらの合金、酸化物、メッキされたものであってもよい。
金属ナノワイヤ12は微細なワイヤ状の形状を有する。平均短軸径は、透明性の観点から、例えば200nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。平均長軸径は、導電性及び透明性の観点から、例えば1〜100μmであることが好ましく、1〜50μmであることがより好ましく、3〜50μmであることがさらに好ましい。
金属ナノワイヤ12の目付量は、導電性及び透明性の観点から、例えば0.001〜1.000g/mに設定される。
複数の金属ナノワイヤ12が互いに接触し合うことによりネットワークが形成されて、良好な導電性が発現される。また、金属ナノワイヤ12の存在しない部分を光が透過するため、良好な透明性が発現される。金属ナノワイヤ12の製造方法としては、特に限定されるものではなく、例えば液相法や気相法等の公知のものが挙げられる。
<溶媒>
塗布液13を構成する溶媒としては、金属ナノワイヤ12が分散されるものが用いられ、例えば水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素、芳香族溶剤(ベンゼン、トルエン、キシレン等)及びこれらを組み合わせたものが用いられる。金属ナノワイヤ12を容易に配向させる観点から、50質量%以上の水で構成される水系溶媒が好ましい。
<添加剤>
溶媒中における金属ナノワイヤ12の分散性や、基材11上における金属ナノワイヤ12同士の結合性の観点から、溶媒に添加剤を添加することができる。添加剤としては、例えばカルボキシメチルセルロース(CMC)、2−ヒドロキシエチルセルロース(HEC)、ヒドロキシプロピルメチルセルロース(HPMC)、メチルセルロース(MC)、ポリビニルアルコール(PVA)、トリプロピレングリコール(TPG)、およびキサンタンゴム(XG)、およびエトキシレート、アルコキシレート、エチレンオキシド、および酸化プロピレンなどの界面活性剤、およびそれらの共重合体、スルホン酸塩、硫酸塩、ジスルホン酸塩、塩、スルホコハク酸塩、リン酸エステル、およびふっ素系界面活性剤が挙げられる。
次に、本発明の一実施形態に係る透明導電体の製造方法について説明する。図2は透明導電体10の製造工程を示す概略図である。図2に示すように、透明導電体10の製造方法は、繰出装置1により長尺の基材11を繰り出す繰出工程と、塗工装置3により基材11上に塗布液13を塗工する塗工工程と、乾燥炉4により塗工された塗布液13を乾燥させる乾燥工程と、巻取装置5により透明導電体10を巻き取る巻取工程によって構成され、搬送手段2により繰出工程から巻取工程まで基材11を搬送させる搬送工程を備える。そして、乾燥炉4は、搬送される基材11に対する、基材上の溶媒の表面直上を流れる風の相対速度が8.0m/s以下、好ましくは1.0m/s以下に設定された区間41を含む。なお、この製造工程における各工程は、例えば基材11の形状に合わせて適宜変更、省略等が可能である。各工程について、順を追って説明する。
<繰出工程>
繰出装置1は長尺の基材11が巻回されたロールを回転させて、基材11を繰り出すものであって、公知のものが使用される。
<塗工工程>
塗工装置3は、基材11上に塗布液13を連続して塗工するものであって、例えばスロットダイコータ、ロールコータ、バーコータ、ナイフコータ、スクイズコータ、ファンテンコータ、キスコータ等が用いられる。金属ナノワイヤ12を確実に配向させる観点から、好ましくはスロットダイコータが使用される。その場合、その塗布量は例えば5〜40g/mに設定される。
<乾燥工程>
乾燥炉4は、内部に基材11が搬送され、基材11上の塗布液13を乾燥させるものであって、公知のものが使用される。乾燥温度は、生産性の観点から例えば30〜120℃に設定される。そして、乾燥炉4において、搬送される基材11に対する、基材11上における溶媒の表面直上を流れる風の相対速度が8.0m/s以下、好ましくは1.0m/s以下である区間41が設けられる。これによって、金属ナノワイヤ12の配向を維持した状態で、塗布液13を乾燥させることができる。表面直上を流れる風の方向は、特に限定されない。区間41の位置としては、乾燥炉4のどの領域においても設けることができ、また乾燥炉4全体を区間41とすることもできる。区間41は、特に、金属ナノワイヤの配向を確実に維持するため、乾燥によって溶媒の表面から金属ナノワイヤ12が突出した後に設けられることが好ましい。区間41の搬送方向の長さとしては、例えば基材11が1〜20秒で搬送される距離とすることができるが、これに限定されない。
<巻取工程>
巻取装置5は、作製された透明導電体10をロールに巻き取るものであって、公知のものが使用される。
<搬送工程>
搬送手段2は、基材11を所定のテンションで、塗工装置3、乾燥炉4、巻取装置5へ順に搬送させるものであって、例えば駆動ローラ、従動ローラ、ダンサーローラ等によって構成される。基材11の搬送速度は、例えば5〜50m/minに設定されるが、この範囲に限定されるものではない。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の具体的な態様は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態において、図1に示すように基材11上に直接金属ナノワイヤ12を位置させたが、これらの間に、反射防止層、防眩層、接着層、障壁層及び硬質被膜などの1つ以上の層を設けることもできる。
また、上記実施形態において、図1に示すように金属ナノワイヤ12はむき出しの状態であったが、金属ナノワイヤ12上にマトリクス14を塗工したりすることによって、図3のように金属ナノワイヤ12がマトリクス14に分散された構成にすることもできる。マトリクス14としては、光学的に透明なものであって、例えば公知の樹脂が用いられる。マトリクス14の厚みとしては、例えば10〜5000nm、好ましくは20〜1000nm、より好ましくは50〜200nmに設定される。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれによって限定されるものではない。
(比較例1)
前述の製造方法において、基材として、厚さ125μmのポリエチレンテレフタレートを準備した。塗布液としては、銀ナノワイヤ(長軸径1〜100μm)を0.24重量%、少量の添加剤を含む水系溶媒(超純水100%)を99.76重量%含有するものを準備した。搬送速度は15m/min(=0.25m/s)に設定した。塗工装置としてはスロットダイコータを使用し、塗布量を22.5g/mに設定した。乾燥炉においては、乾燥温度を40℃に設定した。そして、乾燥により基材上における溶媒の表面から金属ナノワイヤが突出した後に、基材が搬送される区間(0.25m/s×5秒=1.25m)において、基材上における溶媒の表面直上の幅方向(搬送方向と直交する方向)に流れる風の速さが8〜12m/sとなるように設定した。この場合において、基材に対する溶媒の表面直上を流れる風の相対速度は、余弦定理(三平方の定理)より、8.004〜12.003m/sとなる。以上の条件により、透明導電体を作製した。
(実施例1)
比較例1において風の速さを8〜12m/sから4〜8m/sとなるように変更した以外は、比較例1と同じ条件で透明導電体を作製した。この場合において、風の相対速度は、4.008〜8.004m/sとなる。
(比較例2)
比較例1において塗布量を22.5g/mにから19.0g/mに変更した以外は、比較例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
(実施例2)
比較例2において風の速さを8〜12m/sから0〜1.0m/sとなるように変更した以外は、比較例2と同じ条件で透明導電体を作製した。この場合において、風の相対速度は、0〜1.031m/sとなる。
(比較例3)
比較例1において塗布量を22.5g/mから21.3g/mに変更した以外は、比較例1と同じ条件で透明導電体を作製した。
<風速測定>
基材上における溶媒の表面直上を流れる風の速さを確認するために、溶媒の表面から上方5mm付近に風速計(柴田科学株式会社 ISA−911)をセットして、風の速さを測定した。
<表面抵抗値測定>
導電性を評価するために、作製した透明導電体を搬送方向90mm×幅方向80mmに切り出し、搬送方向の上流端及び下流端のそれぞれに5mm幅の銀ペーストを塗り、乾燥させたものを準備した。そして、マルチテスター(三和電気計器株式会社製 PC720M)を用いて、透明導電体の搬送方向の表面抵抗値を測定した。また、金属ナノワイヤの配向性を評価するために、幅方向の表面抵抗値についても測定して、幅方向の表面抵抗値を搬送方向の表面抵抗値で割り算して、この値を配向比とした。なお、幅方向の表面抵抗値は、透明導電体を搬送方向80mm×幅方向90mmに切り出し、幅方向の両端のそれぞれに5mm幅の銀ペーストを塗ったもの準備して、測定した。
<ヘイズ測定>
透明性を評価するために、ヘイズメータ(日本電色工業株式会社製 NDH−2000)を用いて、ヘイズを測定した。
比較例1と実施例1の測定結果を表1に、比較例2と実施例2の測定結果を表2に、比較例1〜3と実施例2の測定結果を表3に示す。
表1の結果より、塗布量を増加させることなく、風の相対速度を8.0m/s以下にすることにより、金属ナノワイヤの配向比が1.3以上となって、ヘイズを1.70%以下と良好に維持しつつ、搬送方向の表面抵抗値を低下させることができた(低下率:(39−33)/39×100=約15%)。
また、表2の結果より、塗布量を増加させることなく、風の相対速度を1.0m/s以下にすることにより、金属ナノワイヤの配向比が1.7以上となって、ヘイズを1.50%以下と良好に維持しつつ、搬送方向の表面抵抗値を、表1の結果と比べてより大きく低下させることができた(低下率:(47−37)/47×100=約21%)。したがって、風の相対速度は1.0m/s以下であることが好ましい。
なお、表3の結果より、塗布量を増加させることによって、表面抵抗値が低下することがわかる。そして、比較例1と実施例2の結果より、塗布量が22.5g/mの比較例1の表面抵抗値は、塗布量が19.0g/mの実施例1で達成できることが確認できた。
1 繰出装置
2 搬送手段
3 塗工装置
4 乾燥炉
41 風の相対速度が8.0m/s以下(好ましくは1.0m/s以下)の区間
5 巻取装置
10 透明導電体
11 基材
12 金属ナノワイヤ
13 塗布液
14 マトリクス
α 風の方向と基材の搬送方向のなす角度
A 風の速さ
B 基材の搬送速度
C 基材に対する風の相対速度

Claims (6)

  1. 搬送される基材上に、塗工装置によって、金属ナノワイヤ及び溶媒を含有する塗布液を塗工する塗工工程と、
    乾燥炉で前記搬送される基材上の前記溶媒を乾燥させる乾燥工程と、を備え、
    前記乾燥炉は、前記搬送される基材に対する前記溶媒の表面直上を流れる風の相対速度が8.0m/s以下である区間を含む、透明導電体の製造方法。
  2. 前記相対速度は1.0m/s以下である、請求項1に記載の透明導電体の製造方法。
  3. 前記乾燥炉は、前記溶媒の前記表面から前記金属ナノワイヤが突出した後において、前記区間を含む、請求項1又は2に記載の透明導電体の製造方法。
  4. 前記塗工装置はスロットダイコータである、請求項1から3のいずれかに記載の透明導電体の製造方法。
  5. 基材と、
    前記基材上の金属ナノワイヤと、を有し、
    ヘイズが1.7%以下であり、
    前記基材の一方向の表面抵抗値と前記基材の前記一方向と直行する方向の表面抵抗値の比が1.3以上である、透明導電体。
  6. 前記ヘイズが1.5%以下であり、前記表面抵抗値の比が1.7以上である、請求項5に記載の透明導電体。
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