JP2015025171A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スパッタ粒子の保護部材への付着に起因した成膜速度の低下を抑制する。【解決手段】スパッタリング装置は、真空排気されたチャンバーと、プラズマ生成ガス導入部と、ターゲット保持部と、ターゲット保持部に保持されたターゲットに対向するように成膜対象の基板を保持する基板保持部と、プラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマをチャンバー内に発生させるプラズマ発生部と、ターゲットにスパッタ電圧を印加する電源と、プラズマ発生部がチャンバー内に発生したプラズマに晒されないようにプラズマ発生部を保護する誘電体製の保護部材と、保護部材のチャンバー内側に張り出した主面をそれぞれが覆うように保護部材にそれぞれ取り外し可能に重ねられ、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子の保護部材への付着を抑制する１つ以上の付着抑制部材と、を備え、ターゲットのスパッタリングによって基板上に成膜を行う。【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマによりターゲットをスパッタし、基板表面に所定の薄膜を形成するスパッタリング装置に関する。

従来より、チャンバー（「真空チャンバー」）内にスパッタリングターゲット（「ターゲット」）と基板を対向するように配置した平行平板型スパッタリング薄膜形成装置が多く用いられている。この装置では、アルゴンガスなどの不活性ガスをチャンバー内に導入し、ターゲットに直流電圧又は高周波電圧を印加することで、チャンバー内にプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンによりターゲットをスパッタし、基板の表面に目的の薄膜を形成する。

特許文献１には、プラズマ発生を支援する高周波アンテナ、より詳細には、低インダンクタンスアンテナ（Low Inductance Antenna：ＬＩＡ（株式会社イー・エム・ディーの登録商標））により、密度の高い誘導結合型プラズマを発生させて、ターゲットのスパッタリング速度を向上させ、成膜速度を向上させるスパッタリング装置が開示されている。また、当該装置では、高周波アンテナが、誘電体製の仕切材（「保護部材」）によってチャンバーの内部と仕切られたアンテナ配置室に配置されているため、高周波アンテナがプラズマにスパッタされることがない。これにより、高周波アンテナの材料が不純物として薄膜に混入することを防ぐことができ、高品質な薄膜を形成することができる。

特開２０１１−１７９０６１号公報

しかしながら、特許文献１のスパッタリング装置は、成膜の進行に伴って、チャンバー内部に面した誘電体製の保護部材の表面に、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子（非誘電体）が付着する。このため、高周波アンテナの支援により発生する誘導結合型プラズマの発生効率が低下し、成膜速度が低下するといった問題がある。

そして、これらは、ＬＩＡを高周波アンテナとして用いるスパッタリング装置に限らず、保護部材によってプラズマかに晒されないように保護された高周波アンテナを用いて誘導結合型プラズマを発生させてスパッタリングによる成膜を行うスパッタリング装置一般に生じる問題である。

本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、保護部材によってプラズマに晒されないように保護された高周波アンテナを用いて誘導結合型プラズマを発生させてスパッタリングによる成膜を行うスパッタリング装置において、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子の保護部材への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる技術を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、第１の態様に係るスパッタリング装置は、真空排気されたチャンバーと、前記チャンバー内にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入部と、前記チャンバー内に設けられたターゲット保持部と、前記ターゲット保持部に保持されたターゲットに対向するように成膜対象の基板を保持する基板保持部と、前記プラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマを前記チャンバー内に発生させるプラズマ発生部と、前記ターゲットにスパッタ電圧を印加する電源と、前記プラズマ発生部が前記チャンバー内に発生したプラズマに晒されないように前記プラズマ発生部を保護する誘電体製の保護部材と、前記保護部材の前記チャンバー内側に張り出した主面をそれぞれが覆うように前記保護部材にそれぞれ取り外し可能に重ねられ、前記ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子の前記保護部材への付着を抑制する１つ以上の付着抑制部材とを備え、前記ターゲットのスパッタリングによって前記基板上に成膜を行う。

第２の態様に係るスパッタリング装置は、第１の態様に係るスパッタリング装置であって、前記チャンバーが真空排気された状態で、前記１つ以上の付着抑制部材のうち前記プラズマ発生部から最も離れた部材を前記保護部材上から除去する除去部をさらに備える。

第３の態様に係るスパッタリング装置は、第２の態様に係るスパッタリング装置であって、前記１つ以上の付着抑制部材は、前記保護部材の前記主面を覆うように前記保護部材に取り外し可能に重ねられ、前記スパッタ粒子の前記保護部材への付着を抑制する１つの付着抑制部材であり、前記スパッタリング装置は、前記１つの付着抑制部材が除去された前記保護部材の前記主面を覆うように前記スパッタ粒子の前記保護部材への付着を抑制する他の付着抑制部材を、前記チャンバーが真空排気された状態で前記保護部材に取り外し可能に重ねて配置する配置部をさらに備える。

第４の態様に係るスパッタリング装置は、第３の態様に係るスパッタリング装置であって、前記除去部と前記配置部とが同一である。

第５の態様に係るスパッタリング装置は、第３または第４の態様に係るスパッタリング装置であって、真空排気された内部空間を備えるとともに、真空排気された前記チャンバーと連通された１つ以上の収容室をさらに備え、前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室の内部空間には、前記他の付着抑制部材が収容され、前記除去部は、前記保護部材上から除去した前記１つの付着抑制部材を前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室に収容し、前記配置部は、前記１つ以上の収容室のうち前記他の付着抑制部材を収容した収容室から前記他の付着抑制部材を取り出して前記保護部材の前記主面を覆うように前記保護部材上に配置する。

第６の態様に係るスパッタリング装置は、第１から第５の何れか１つの態様に係るスパッタリング装置であって、前記付着抑制部材が剛性を有する板状の誘電体である。

第７の態様に係るスパッタリング装置は、第１から第５の何れか１つの態様に係るスパッタリング装置であって、前記付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体である。

第８の態様に係るスパッタリング装置は、第５の態様に係るスパッタリング装置であって、前記付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体であり、前記除去部は、前記保護部材から除去した前記１つの付着抑制部材を前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室に設けられた収容部材に巻き取り収容する。

第９の態様に係るスパッタリング装置は、第５の態様に係るスパッタリング装置であって、前記付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体であり、前記他の付着抑制部材は、前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室に設けられた収容部材に巻き取り収容されている。

第１０の態様に係るスパッタリング装置は、第１から第９の何れか１つの態様に係るスパッタリング装置であって、前記プラズマ発生部は、前記チャンバー内に設けられ巻数が一周未満の導体からなる高周波アンテナを用いて高周波誘導結合プラズマを発生させる。

第１から第１０の何れの態様に係る発明によっても、スパッタリング装置は、プラズマ発生部がチャンバー内に発生したプラズマに晒されないようにプラズマ発生部を保護する誘電体製の保護部材と、保護部材のチャンバー内側に張り出した主面をそれぞれが覆うように保護部材にそれぞれ取り外し可能に重ねられ、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子の保護部材への付着を抑制する１つ以上の付着抑制部材とを備える。従って、スパッタ粒子が付着した付着抑制部材を取り除くことにより、保護部材および保護部材に重ねられている付着抑制部材の両者または保護部材へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングできる。従って、スパッタ粒子の保護部材への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。

実施形態１に係るスパッタリング装置の概略構成を例示する図である。 高周波アンテナの例を示す側面図である。 図１のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図１のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 実施形態２に係るスパッタリング装置の概略構成を例示する図である。 図５のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 実施形態３に係るスパッタリング装置の概略構成と動作を説明するための図である。 図７のスパッタリング装置の概略構成と動作を説明するための図である。 実施形態４に係るスパッタリング装置の概略構成を例示する図である。 図９のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図９のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図９のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図９のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図９のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図９のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図９のスパッタリング装置の巻取ロール等の構成を説明するための斜視図である。 実施形態５に係るスパッタリング装置の概略構成を例示する図である。 図１７のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図１７のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 実施形態６に係るスパッタリング装置の概略構成を例示する図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。 図２０のスパッタリング装置の動作を説明するための図である。

以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。図面では同様な構成および機能を有する部分に同じ符号が付され、下記説明では重複説明が省略される。また、各図面は模式的に示されたものであり、例えば、各図面における表示物のサイズおよび位置関係等は必ずしも正確に図示されたものではない。また、一部の図面には、方向を説明するためにＸＹＺ直交座標軸が附されている。該座標軸におけるＺ軸の方向は、鉛直線の方向を示し、ＸＹ平面は水平面である。

＜Ａ．実施形態１＞
図１は、実施形態に係るスパッタリング装置１０Ａの要部の概略構成を例示する図である。図２は、高周波アンテナ８０の例を示す側面図である。

スパッタリング装置１０Ａは、例えば、板状の単金属のアルミニウムなどのターゲット（単に、「ターゲット」とも称する）６０をイオンによりスパッタし、基板７４の表面に所定の薄膜を形成するためのものである。なお、アルミニウムは導電性である。

スパッタリング装置１０Ａは、真空ポンプ（図示せず）により内部を真空にすることが可能なチャンバー（「真空チャンバー」）１１と、真空排気されたチャンバー１１内にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入部１９と、チャンバー１１内に設けられ、ターゲット６０を保持するターゲット保持部２４と、成膜対象の基板７４を保持する基板ステージ１５と、スパッタ用電源１６２とを備える。

基板ステージ１５は、ターゲット保持部２４に保持されたターゲット６０の表面（＋Ｚ側の面）と、基板７４の表面（−Ｚ側の面）とが所定の距離を隔てて対向するように、基板７４を保持する。また、スパッタ用電源１６２は、ベース板（「カソード」）１４に、負電圧の直流のスパッタ電圧（「カソード印加電圧」）または、負電圧と正電圧とからなるパルス状のスパッタ電圧（「パルス直流電圧」）、若しくは交流のスパッタ電圧を印加することによりターゲット６０にスパッタ電圧を印加し、ターゲット６０と、基板ステージ１５に保持された基板７４との間にマグネトロンプラズマ用の電界を生成する。スパッタ用電源１６２からの電圧出力は、好ましくは、定電圧になるように制御（「定電圧制御」）される。定電力制御が採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。また、基板ステージ１５は、図示省略のヒーターもしくは冷却機構を備え、基板７４の温度を制御する。

また、スパッタリング装置１０Ａは、チャンバー１１内に導入されたプラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマを発生させるプラズマ発生部９０をさらに備える。基板ステージ１５は、チャンバー１１の上部の内壁に、取り付け部材を介して設けられている。

また、プラズマ発生部９０は、ターゲット６０の側面に接触することなく当該側面に沿って配置された線状の高周波アンテナ（「プラズマ源」）８０を備える。高周波アンテナ８０は、金属製パイプ状導体から構成される。そして、プラズマ発生部９０は、高周波アンテナ８０によって、スパッタガスの高周波誘導結合プラズマを発生させる。

そして、スパッタリング装置１０Ａは、プラズマ発生部９０が発生させたプラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマによるターゲット６０のスパッタリングによって基板７４上の二次元領域に成膜を行う。

成膜対象の基板７４は、チャンバー１１の側面に設けられた開閉可能な図示省略のゲートからチャンバー１１内に搬入されて、不図示の固定部材により基板ステージ１５に取り付けられた後、スパッタリングによる成膜を施されて、ゲートからチャンバー１１の外部に搬出される。基板７４への成膜が行われるときには、成膜に先立って、基板７４がチャンバー１１内に搬入されて、ゲートが閉鎖された状態で、不図示の真空ポンプによってチャンバー１１の内部空間である処理室１１３が真空排気される。

そして、ゲートが閉じられた状態でプラズマ生成ガス導入部１９のガス導入口２０からプラズマ生成ガスがチャンバー１１内に導入されることにより、処理室１１３は、一定圧力下、一定のガス分圧下に維持される。

プラズマ生成ガスとしては、不活性ガスであるＡｒガスまたはＫｒガスなどのスパッタガスが用いられる。

チャンバー１１の底部には、開口が設けられると共に、その開口を下側から塞ぐように、後述のベース板１４及びマグネトロンスパッタ用磁石（永久磁石）１２（併せてマグネトロンカソードという）、並びに高周波アンテナ８０を収容するためのターゲット・アンテナ配置部１８が取り付けられている。ターゲット・アンテナ配置部１８とチャンバー１１の底部との接続部はシール材により気密性が確保されている。従って、ターゲット・アンテナ配置部１８の壁はチャンバー１１の壁の一部としての役割を有する。ターゲット・アンテナ配置部１８には、基板ステージ１５の直下の位置にターゲット配置ブロック（ターゲット配置部）１８１が設けられている。それと共に、ターゲット・アンテナ配置部１８の壁内（即ちチャンバー１１の壁内）であってターゲット配置ブロック１８１の側方に、ターゲット配置ブロック１８１を挟むように１対のアンテナ固定ブロック１８２が設けられている。マグネトロンカソードは、ターゲット６０の表面近傍に静磁場を形成する。

ターゲット配置ブロック１８１の上部にはチャンバー１１の処理室１１３がある。ターゲット配置ブロック１８１内にはマグネトロンスパッタ用磁石１２が載置されている。マグネトロンスパッタ用磁石１２の上面にはベース板１４が設けられるとともに、ベース板１４に対向する基板ステージ１５がチャンバー１１の上側内壁に設けられる。基板ステージ１５は、アースされている。マグネトロンスパッタ用磁石１２の上下方向の位置は、その上面に設けられたベース板１４に載置されるターゲット６０の上面がターゲット・アンテナ配置部１８の上端付近（上端と同じ位置である必要はない）に配置されるように調整されている。また、ターゲット６０は、ベース板１４と、ターゲット保持部２４とによってベース板１４の上面（＋Ｚ側の面）に保持されている。このようにマグネトロンスパッタ用磁石１２及びベース板１４（併せて、マグネトロンカソード）が設けられることにより、ターゲット６０はチャンバー１１の処理室１１３と面した空間内に配置される。

マグネトロンスパッタ用磁石１２は、ターゲット保持部２４に保持されたターゲット６０の表面を含む領域に静磁場（マグネトロン磁場）を形成して、ターゲット６０の表面部分のプラズマを形成できるようにする。ターゲット６０の表面部分におけるプラズマの広がり方は、チャンバー１１に導入されたプラズマ生成ガスの分圧や、マグネトロンスパッタ用磁石１２が発生させるマグネトロン磁場やターゲットに与える電圧の強度などによって変動する。

また、ターゲット配置ブロック１８１上端とチャンバー１１の処理室１１３との境界には、ターゲット配置ブロック１８１の側壁から内側に向かって延び、ターゲット６０の縁付近（縁を含む部分）に対して一定の距離を保つようにアノード１８９が設けられている。

アンテナ固定ブロック１８２内には高周波アンテナ８０が挿入されている。また、スパッタリング装置１０Ａは、高周波アンテナ８０に高周波電力を供給する高周波電源１６１を備えている。高周波電源１６１は整合回路１６３を介して高周波アンテナ８０に接続されている。

また、ターゲット・アンテナ配置部１８の上部の縁部には、チムニー４２０が設けられている。チムニー４２０は、ターゲット配置ブロック１８１およびアンテナ固定ブロック１８２を囲んでターゲット・アンテナ配置部１８の縁部から基板７４側に立設された壁部と、当該壁部の上部開口を覆い、中央部に開口部が設けられた蓋部とを備えている。チムニー４２０は、ターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子が基板７４のうち非成膜対象領域や、チャンバー１１内部の側壁等に付着することを抑制するための部材である。チムニー４２０の蓋部に設けられた開口部は、基板７４のうち成膜対象領域を囲むように設けられており、当該成膜対象領域は、チムニー４２０に遮蔽されることなく、ターゲット６０に対向する。また、後述する除去部３１もチムニー４２０に囲まれた空間内に設けられている。

高周波アンテナ８０は、マグネトロンカソードスパッタによるプラズマ発生を支援するためのもので、例えば、図２に示されるように、金属製のパイプ状導体をＵ字形に曲げたものであり、２つのアンテナ固定ブロック１８２内に３個ずつ、「Ｕ」の字を上下逆向きにした状態で立設されている。なお、高周波アンテナ８０の配置態様は、種々に変更可能である。高周波アンテナ８０の形状として、例えば、円弧状の形状が採用されても良い。また、高周波アンテナ８０の巻数は、一周未満である。定在波の発生を防止するために、高周波アンテナ８０の長さは、好ましくは、高周波電源１６１が供給する電力の波長の１／４以下の長さに設定される。高周波アンテナの一端から高周波電力が供給され、他端は接地される。これにより誘導結合プラズマ（高周波誘導結合プラズマ）が生成される。このような高周波アンテナ８０が採用されれば、コイル状（渦巻き状）のアンテナを用いて誘導結合プラズマを発生させる手法に比べて、アンテナのインダクタンスが低いためにアンテナの電圧を下げられるので、プラズマダメージを抑制できる。また、アンテナ長を、高周波の波長の１／４以下に短くすることで、定在波の影響によるプラズマのむらに起因したスパッタむら（不均一さ）を抑制することが出来る。また、アンテナをチャンバー内に収容できるのでプラズマ生成効率、ひいては、成膜レートを向上できる。さらに、成膜対象の基板サイズに応じて、高周波アンテナ８０の個数を増加させるとともに、ターゲットのサイズを大きくすることにより基板サイズが大きい場合でも、膜厚の均一性を維持しながら成膜レートの向上を図ることが出来る。

Ｕ字形の高周波アンテナは巻数が１周未満の誘導結合アンテナに相当し、巻数が1周以上の誘導結合アンテナよりもインダクタンスが低いため、高周波アンテナの両端に発生する高周波電圧が低減され、生成するプラズマへの容量結合に伴うプラズマ電位の高周波揺動が抑制される。このため、対地電位へのプラズマ電位揺動に伴う過剰な電子損失が低減され、プラズマ電位が低減される。これにより、基板上での低イオンダメージの薄膜形成プロセスが可能となる。高周波アンテナ８０を構成する金属製パイプ状導体は、スパッタリング装置１０Ａの使用時に水などの冷媒１５１をその内部に通過させることにより高周波アンテナ８０を冷却する機能を有する。高周波アンテナ８０の高さ方向の位置は、ターゲット６０の表面近傍のプラズマ密度がより高くなるように、「Ｕ」の字の底部がターゲット６０の上面が同程度の高さよりも数センチ程度高くなるように調整されている。なお、ターゲット６０およびベース板１４なども非常に高温になるため、好ましくは、高周波アンテナ８０と同様に、冷媒１５１によって冷却される。

高周波アンテナ８０の上端側の一部は、アンテナ固定ブロック１８２を貫通して、チャンバー１１の内部側に突設されている。高周波アンテナ８０の該突設部分は、石英などからなる誘電体の板状の保護部材４１１により覆われてチャンバー１１内で発生するプラズマから保護されている。保護部材４１１の下面には、高周波アンテナ８０の該突設部分を収容可能な窪み部が形成されており、保護部材４１１は、当該窪み部が高周波アンテナ８０の該突設部分を覆って被覆するようにアンテナ固定ブロック１８２上に被せられている。これにより、保護部材４１１は、高周波アンテナ８０がチャンバー１１内に発生したプラズマに晒されないように高周波アンテナ８０を保護する。なお、高周波アンテナ８０の「Ｕ」の字の底部が保護部材４１１の下方に位置し、高周波アンテナ８０がアンテナ固定ブロック１８２を貫通しないように、高周波アンテナ８０が設けられてもよい。

保護部材４１１の外周面のうちチャンバー１１内側（処理室１１３側）に面して張り出した主面１、すなわちチャンバー１１内部に面して張り出した主面１には、主面１を覆うように保護部材４１１に取り外し可能に重ねられている１以上（図１の例では、１つ）の付着抑制部材４１２が設けられている。主面１は、基板７４に対向するように、高周波アンテナ８０の「Ｕ」の字の底部に沿って延設されている。当該１以上の付着抑制部材４１２は、ターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子の保護部材４１１への付着を抑制する。これにより、スパッタ粒子がチャンバー１１の処理室１１３に露出している付着抑制部材４１２に付着したしても、当該付着抑制部材を保護部材４１１上から取り除けば、保護部材４１１および保護部材４１１に重ねられている他の付着抑制部材４１２にスパッタ粒子が付着していない状態でスパッタリングできる。従って、スパッタ粒子の保護部材４１１への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。

また、スパッタリング装置１０Ａは、チャンバー１１が真空排気された状態で、保護部材４１１上の１つ以上の付着抑制部材４１２のうち高周波アンテナ８０から最も離れた部材、すなわち、高周波アンテナ８０に対して最も外側の部材を、保護部材４１１上から除去する各除去部３１を備えている。当該部材は、一方の主面がチャンバー１１の内部に露出した部材でもある。除去部３１は、チムニー４２０に囲まれた空間内に設けられている。

図３、図４は、スパッタリング装置１０Ａの除去部３１の動作を説明するための図である。除去部３１は、例えば、保護部材４１１上の１つ以上の付着抑制部材４１２のうち高周波アンテナ８０から最も離れた部材（処理室１１３に露出した部材）に接合された腕部と、当該腕部に接続されて回転軸Ｃ１を中心に自転可能な筒状部材とを備えて構成される。

スパッタリング装置１０Ａがチャンバー１１内に保持された基板７４への成膜処理を長時間行うと、保護部材４１１の主面１を覆っている付着抑制部材４１２の基板７４側の面、すなわちチャンバー１１内部に露出した面には、ターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子が付着する。これにより、スパッタリング装置１０Ａの成膜速度は、スパッタ粒子の付着量に応じて低下する。このため、スパッタ粒子の付着量（付着密度、すなわち単位面積に付着したスパッタ粒子の個数）が基準を超えると、保護部材４１１に重ねられている付着抑制部材４１２は、除去部３１によって保護部材４１１上から除去される。上述のように、付着抑制部材４１２に付着しているスパッタ粒子の付着密度は、装置の運転時間との相関がある。そこで、付着抑制部材４１２の除去は、例えば、運転時間に基づいて行われる。

図３、図４に示されるように、除去部３１は、腕部により最上部の付着抑制部材４１２を支持しつつ回転軸Ｃ１を中心に自転することにより、チャンバー１１が真空排気された状態で、保護部材４１１上の１つ以上の付着抑制部材４１２のうち高周波アンテナ８０から最も離れた部材を、保護部材４１１上から除去できる。

従って、保護部材４１１上の各付着抑制部材４１２のうち高周波アンテナ８０から最も離れて、チャンバー１１内部に露出した部材にスパッタ粒子が付着している場合でも、除去部３１が当該付着抑制部材４１２を保護部材４１１上から取り除くことにより、保護部材４１１および保護部材４１１に重ねられている付着抑制部材４１２へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングできる。従って、スパッタ粒子の保護部材４１１への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。また、除去部３１は、チャンバー１１が真空排気された状態で付着抑制部材４１２を取り除ける。これにより、変質層を除く準備スパッタ処理（「予備スパッタ処理」）が不要となる。従って、チャンバー１１を大気解放して付着抑制部材４１２を取り除く場合に必要となる真空排気のための処理時間や、準備スパッタ処理のためのターゲット６０の消費を抑制できる。なお、チャンバー１１を大気解放すると大気中の水分等がチャンバー１１の内壁に付着することから、メンテナンス作業終了後に真空排気を再開した際に、成膜用の所望の真空度を確保できるようになるまでに多大な時間を要するといった問題もある。

付着抑制部材４１２は、保護部材４１１上から持ち上げやすいように、持ち上げられてもその形状を維持できる剛性を有する板状の誘電体であることが好ましい。しかしながら、巻き取り可能であるとともに、除去部３１による持ち上げが可能な柔軟性を有するシート状の誘電体が付着抑制部材４１２として採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。

なお、マグネトロンスパッタ用磁石１２によるターゲット６０表面の水平磁束密度の最大値は、２０乃至５０ｍＴ（ミリテスラ）で、高周波アンテナの支援がない場合の磁束密度（６０乃至１００ｍＴ）よりも低い磁束密度でも十分なプラズマを生成するこができる。

基板ステージ１５は、基板ステージ１５の下面に設けられた図示省略の爪状部材などによって基板７４を保持することが出来る。基板７４は、例えば、シリコンウエハなどにより構成される。

上記のように構成されたスパッタリング装置１０Ａは、ベース板１４が設けられたチャンバー１１に、スパッタガスを導入して当該カソードに設けられたターゲット６０をスパッタし、ターゲット６０に対向する基板７４上に成膜する。

また、スパッタリング装置１０Ａが、スパッタガスに加えて、酸素などの反応性ガスをプラズマ生成ガス導入部１９等からチャンバー１１内に導入することにより反応性スパッタリングを行うとしても本発明の有用性を損なうものではない。

また、スパッタリング装置１０Ａでは、ターゲット配置ブロック１８１を挟むように１対のアンテナ固定ブロック１８２が設けられているが、１つのアンテナ固定ブロック１８２のみが設けられてもよく、また、３以上のアンテナ固定ブロック１８２が設けられてもよい。なお、反応性スパッタが行われる場合には、保護部材４１１、付着抑制部材４１２へのスパッタ粒子の付着が進行すると、反応性の低下に伴うプロセス条件の変更を強いられることとなり、生産性の低下や操作の煩雑さの要因となる。

＜Ｂ．実施形態２＞
図５は、実施形態２に係るスパッタリング装置１０Ｂの概略構成を例示する図である。図６は、スパッタリング装置１０Ｂの動作を説明するための図である。

スパッタリング装置１０Ｂと、スパッタリング装置１０Ａとの差異は、スパッタリング装置１０Ｂが、チムニー４２０に代えてチムニー４２１を備えるとともに、除去部３１に代えて除去部３２を備えていることである。チムニー４２０および４２１の差異は、チムニー４２１の側壁のうち、除去部３２の近傍部分に開口部が設けられていることである。

また、除去部３１が回転することにより付着抑制部材４１２を除去するのに対して、除去部３２は、保護部材４１１上の各付着抑制部材４１２のうち最上部の付着抑制部材４１２を腕部により支持しつつ、チムニー４２１の開口部を通ってチムニー４２１の外側に移動することにより付着抑制部材４１２を保護部材４１１上から除去する。

従って、保護部材４１１上の各付着抑制部材４１２のうち高周波アンテナ８０から最も離れた部材にスパッタ粒子が付着して成膜速度が低下している場合でも、除去部３２が当該付着抑制部材４１２を保護部材４１１上から取り除くことにより、保護部材４１１および保護部材４１１に重ねられている付着抑制部材４１２へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングできる。従って、スパッタ粒子の保護部材４１１への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。また、除去部３１は、チャンバー１１が真空排気された状態で付着抑制部材４１２を取り除ける。これにより、変質層を除く準備スパッタ処理が不要となる。従って、大気解放して付着抑制部材４１２を取り除く場合に必要となる真空排気のための処理時間や、ターゲット６０の消費を抑制できる。

付着抑制部材４１２としては、剛性を有する板状の誘電体が採用されることが好ましいが、付着抑制部材４１２として、巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体が採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。

＜Ｃ．実施形態３＞
図７、図８は、実施形態３に係るスパッタリング装置１０Ｃの概略構成と動作を説明するための図である。スパッタリング装置１０Ｃは、チャンバー１１の内部に保持された基板７４にスパッタリングによる成膜を行うスパッタリング装置本体１０Ｃａと、収容室１７０とを備える。

スパッタリング装置本体１０Ｃａと、スパッタリング装置１０Ａとの差異は、スパッタリング装置本体１０Ｃａが、アンテナ固定ブロック１８２および保護部材４１１に代えて、誘電体製の保護部材４１０を備えていることと、開閉可能な仕切り扉１３１をさらに備えていることである。また、保護部材４１０上には１個の付着抑制部材４１２が、保護部材４１０のチャンバー１１内側（内部）に張り出してチャンバー１１内部に露出した主面１を覆うように、保護部材４１０に取り外し可能に重ねられている。付着抑制部材４１２は、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着を抑制する板状の誘電体であり、後述する腕部５１１により持ち上げられても形状を維持可能な剛性を有している。

収容室１７０は、直方体上の外形を有し内部空間を備えた部材であり、一面が開閉可能なゲート１４１によって構成されている。収容室１７０の内部空間は、真空ポンプＰ１と接続されており、ゲート１４１によって密閉された状態で、真空ポンプＰ１によりチャンバー１１内と同じ真空状態になるまで真空排気される。収容室１７０は、内部に、底面上を移動可能なロボットなどの除去配置部３９を備え、移動機構６１１によって移動可能に構成されている。また、収容室１７０の内部には、スパッタ粒子が付着していない図示省略の他の付着抑制部材４１２が格納されている。また、ゲート１４１の開口部は、仕切り扉１３１よりも大きい。

収容室１７０は、真空排気された状態で移動機構６１１によって移動され、ゲート１４１がスパッタリング装置本体１０Ｃａの仕切り扉１３１がある壁面に密着して仕切り扉１３１を塞ぐように、スパッタリング装置本体１０Ｃａに当接する。この状態で仕切り扉１３１が収容室１７０の内部空間側に開くことにより、スパッタリング装置本体１０Ｃａのチャンバー１１の内部空間区と、収容室１７０の内部空間とは、真空状態が変動することなく、連通される。

除去配置部３９は、腕部５１１を備えており、上下方向に伸縮可能である。除去配置部３９は、仕切り扉１３１が開かれた状態で、腕部５１１をチャンバー１１内に差し込むように、チャンバー１１側に移動し、腕部５１１により保護部材４１０上の付着抑制部材４１２を下側から持ち上げて保護部材４１０から除去する。このように、除去配置部３９は、除去部として動作する。そして、除去配置部３９は、腕部５１１をチャンバー１１内から抜く方向に移動し、付着抑制部材４１２を収容室１７０内に収容する。

その後、除去配置部３９は、保護部材４１０の主面１を覆うように、スパッタ粒子の保護部材４１０への付着を抑制する他の付着抑制部材４１２を、チャンバー１１が真空排気された状態で保護部材４１０に取り外し可能に重ねて配置する。すなわち、除去配置部３９は、配置部として動作する。

当該他の付着抑制部材４１２に付着しているスパッタ粒子密度は、成膜速度が所定の基準を満たす密度に抑制されている。保護部材４１０上の付着抑制部材４１２が、当該他の付着抑制部材４１２に交換されることにより、スパッタリング装置１０Ｃは、保護部材４１１および付着抑制部材４１２へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングできる。

このように、除去配置部３９は、付着抑制部材４１２の除去部および配置部として動作する。これにより、除去部と配置部とを一体化して、収容室１７０の省スペース化を図ることが出来る。なお、一台の除去配置部３９により各保護部材４１０上にそれぞれ配置されている各付着抑制部材４１２の交換をしてもよいし、各付着抑制部材４１２ごとに除去配置部３９を備えてもよい。

付着抑制部材４１２としては、剛性を有する板状の誘電体が採用されることが好ましいが、付着抑制部材４１２として、巻き取り可能であるとともに、腕部５１１により持ち上げ可能なように形状を維持できる柔軟性を有するシート状の誘電体が採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。

また、スパッタリング装置１０Ｃが、収容室１７０以外に、収容室をさらに備え、これらの収容室のうち１つの収容室の内部空間に他の付着抑制部材４１２が収容されていてもよい。また、除去配置部３９は、保護部材４１０上から除去した付着抑制部材４１２をこれらの収容室のうち１つの収容室に収容するとともに、これらの収容室のうち他の付着抑制部材４１２を収容した収容室から当該付着抑制部材４１２を取り出して保護部材４１０の主面１を覆うように保護部材４１０上に配置してもよい。

＜Ｄ．実施形態４＞
図９は、実施形態４に係るスパッタリング装置１０Ｄの概略構成を例示する図である。図１０〜図１５は、スパッタリング装置１０Ｄの動作を説明するための図である。図１６は、スパッタリング装置１０Ｄの巻取ロール４２等の構成を説明するための斜視図である。

スパッタリング装置１０Ｄは、チャンバー１１の内部に保持された基板７４にスパッタリングによる成膜を行うスパッタリング装置本体１０Ｄａと、スパッタリング装置本体１０Ｄａの一端側と他端側とのそれぞれの壁面に密着して接続された収容室１７１、１７２とを備える。

スパッタリング装置本体１０Ｄａと、スパッタリング装置１０Ｃのスパッタリング装置本体１０Ｃａとの差異の１つは、スパッタリング装置本体１０Ｃａが仕切り扉１３１を備えていたのに対して、スパッタリング装置本体１０Ｄａは、内側仕切り扉１３２、１３３を備えていることである。また、もう１つの差異は、スパッタリング装置本体１０Ｄａにおいて、付着抑制部材４１２に代えて付着抑制部材４１３が保護部材４１０上に配置されていることである。内側仕切り扉１３２は、チャンバー１１の内部空間（処理室）と、収容室１７１の内部空間とを仕切る壁部に設けられた開口部８に開閉可能に設けられており、内側仕切り扉１３２は、閉じられた状態で、開口部８を密閉する。内側仕切り扉１３３は、チャンバー１１の内部空間と、収容室１７２の内部空間とを仕切る壁部に設けられた開口部９に開閉可能に設けられており、閉じられた状態では、開口部９を密閉する。

収容室１７１は、その内部空間に、送出ロール（「収容部材」）４１と、ガイドローラ６３と、保持具５６を備えるとともに、チャンバー１１の壁部と対向している壁部に外側仕切り扉１３４を備えている。外側仕切り扉１３４は、内側仕切り扉１３２とともに閉じられた状態で、収容室１７１を密閉できる。外側仕切り扉１３４が、その下部に設けられたヒンジ部を中心にスパッタリング装置１０Ｄの外側に回転して開くことにより、送出ロール４１を収容室１７１内に出し入れできる。収容室１７１内に入れられた送出ロール４１は、図示省略の回転機構により自転可能なように所定の位置に取り付けられる。また、収容室１７１は、図示省略の真空ポンプにより真空排気可能に構成されている。

収容室１７２は、その内部空間に、巻取ロール（「収容部材」）４２と、２つのガイドローラ６３、レピア機構４４とを備えるとともに、チャンバー１１の壁部と対向している壁部に外側仕切り扉１３５を備えている。外側仕切り扉１３５は、内側仕切り扉１３３とともに閉じられた状態で、収容室１７２を密閉できる。外側仕切り扉１３５が、その下部に設けられたヒンジ部を中心にスパッタリング装置１０Ｄの外側に回転して開くことにより、巻取ロール４２を収容室１７２内に出し入れできる。収容室１７２内に入れられた巻取ロール４２は、図示省略の回転機構により自転可能なように所定の位置に取り付けられる。また、収容室１７２は、図示省略の真空ポンプにより真空排気可能に構成されている。

付着抑制部材４１３は、保護部材４１０のチャンバー１１内側に張り出した主面１を覆うように、保護部材４１０に取り外し可能に重ねられている。付着抑制部材４１３は、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着を抑制するシート状の誘電体であり、送出ロール４１、巻取ロール４２に巻き取り可能な柔軟性を有している。

図９には、スパッタリング装置１０Ｄが、スパッタリングにより基板７４に成膜している状態が示されている。図９に示されるように、スパッタリング装置１０Ｄのスパッタリング動作中は、内側仕切り扉１３２、１３３は、開かれて、スパッタリング装置本体１０Ｄａのチャンバー１１、収容室１７１、１７２の内部空間は、連通している。また、チャンバー１１、収容室１７１、１７２は、独立して動作可能な図示省略の各真空ポンプにそれぞれ接続されている。また、付着抑制部材４１３の一端側の一部は、送出ロール４１に巻かれている。付着抑制部材４１３の他端側部分は、開口部８を通ってチャンバー１１内に送出されて、保護部材４１０上を経て開口部９から収容室１７２内に導かれ、巻取ロール４２に巻き取られている。送出ロール４１および巻取ロール４２は、回転せず静止していても良く、また、ごく低速で回転していても良い。各ガイドローラ６３は、付着抑制部材４１３を案内する。保持具５６は、収容室１７１内の所定位置で付着抑制部材４１３を着脱可能に保持する。付着抑制部材４１３が保持具５６から取り外されれば、保持具５６は、当該所定位置から他の位置へ移動する。レピア機構４４は、一端に固定された釣金具４６が取り付けられているレピア４５を巻き取り収容して、収容室１７２に収容されている。

図１６に示されるように、釣金具４６の先端には、レピア４５側に突出する係止爪４６ａが設けられている。レピア４５の他端は、レピア機構４４（図９）の芯部に固定されている。付着抑制部材４１３のうち送出ロール４１から引き出されている他端には、フック部４８が取り付けられている。金属製のフック部４８の先端部は、付着抑制部材４１３側に折り返されて係止部４８ａをなしている。レピア４５は、例えば、鋼製巻尺の金属製の規身（テープ）のように断面が樋状に形成されている。これにより、レピア４５は、レピア機構４４に巻き取り収容可能であるとともに、レピア機構４４が回転することにより、釣金具４６が収容室１７１の保持具５６部に到達するように、保護部材４１０上を経て収容室１７１側に送り出される。

付着抑制部材４１３の他端側のフック部４８には、一対の窪み部４８ｂが設けられている。窪み部４８ｂには、保持具５６に設けられた突起部が係止可能である。付着抑制部材４１３を巻き取り収容した送出ロール４１が収容室１７１にセットされたときには、保持具５６は、その突起部が、付着抑制部材４１３の他端側に取り付けられたフック部４８の窪み部４８ｂに係止することにより、付着抑制部材４１３を着脱可能に保持する。

巻取ロール４２は、筒状の芯部４２ａと、芯部４２ａの両端に取り付けられたフランジ部４２ｂとを備えている（図１４、図１５参照）。図１６に示されるように、芯部４２ａの側面の一部には、平面部４２ｅが形成されており、平面部４２ｅ上には、一対の係止部４２ｃが間隔を隔てて設けられている。この間隔は、レピア４５および釣金具４６の幅よりも広く、レピア４５と釣金具４６は、一対の係止部４２ｃの間を通ることが出来る。各係止部４２ｃの先端部には、係止部４２ｃの基端側に向けて折り返されて形成された係止爪４２ｄが、付着抑制部材４１３の他端側に取り付けられたフック部４８の係止部４８ａに係止可能に設けられている。

図９に示された状態でスパッタリング装置１０Ｄが、スパッタリング装置本体１０Ｄａのチャンバー１１内に保持された基板７４への成膜処理を長時間行うと、保護部材４１０の主面１を覆っている付着抑制部材４１３の基板７４側の面、すなわちチャンバー１１内部に露出した面には、図示省略のターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子が付着する。スパッタリング装置１０Ｄの成膜速度は、スパッタ粒子の付着量に応じて低下する。このため、スパッタ粒子の付着量（付着密度、すなわち単位面積に付着したスパッタ粒子の個数）が基準を超えると、保護部材４１０に重ねられている付着抑制部材４１３は、スパッタ粒子の付着密度が所定の上限値以下である新たな付着抑制部材４１３に交換される。なお、上述のように、付着抑制部材４１３に付着しているスパッタ粒子の付着密度は、装置の運転時間との相関がある。そこで、付着抑制部材４１３の使用部分の交換は、例えば、運転時間に基づいて行われる。

付着抑制部材４１３の交換においては、先ず、送出ロール４１と巻取ロール４２とがそれぞれ回転（図９の表示で時計回りの回転）を開始することにより、付着抑制部材４１３は、送出ロール４１と保護部材４１０上とから除かれて、巻取ロール４２の芯部４２ａに巻き取られる。このように、送出ロール４１と巻取ロール４２とは、チャンバー１１が真空排気された状態で付着抑制部材４１３を保護部材４１０上から除去する除去部３３である。付着抑制部材４１３の巻取ロール４２への巻き取りが完了すると、送出ロール４１と巻取ロール４２との回転が停止され、内側仕切り扉１３２、１３３が閉じて、チャンバー１１は、真空封止される。

次に、収容室１７２の外側仕切り扉１３５が開いて、付着抑制部材４１３を巻き取った巻取ロール４２が、外側仕切り扉１３５が開かれて出来る開口部からスパッタリング装置１０Ｄ外部に搬出される。巻取ロール４２に巻き取られた付着抑制部材４１３は、巻取ロール４２から取り外されて付着したスパッタ粒子が除去されて再利用されたり、廃棄される。また、付着抑制部材４１３が取り外された巻取ロール４２は、再び、収容室１７２内に戻されて所定位置に取り付けられる。そして、外側仕切り扉１３５が閉じて、収容室１７２内は、チャンバー１１内と同じ真空状態に真空排気される。

また、チャンバー１１が真空封止されると、収容室１７１の外側仕切り扉１３４も外側仕切り扉１３５と同様に開き、付着抑制部材４１３が取り外された送出ロール４１が、外側仕切り扉１３４が開いた開口部からスパッタリング装置１０Ｄ外部に搬出される。送出ロール４１には、新しい付着抑制部材４１３または付着しているスパッタ粒子密度が所定の基準値以下に抑制されている付着抑制部材４１３が新たに巻き付けられる。この際、付着抑制部材４１３は、その一端側を送出ロール４１に固定されることなく、送出ロール４１の芯部に巻回されて送出ロール４１に巻き付けられる。

付着抑制部材４１３を巻き取り収容した送出ロール４１は、再び、外側仕切り扉１３４が開いた開口部から収容室１７１内に搬入されて所定位置に取り付けられる。そして、保持具５６が上方の退避位置から下方の所定位置に移動され、保持具５６の突起部が、付着抑制部材４１３の他端側に取り付けられたフック部４８の窪み部４８ｂに係止することにより、保持具５６が、取り外し可能に付着抑制部材４１３を保持する。この後、外側仕切り扉１３４が閉じられて、収容室１７１内がチャンバー１１内と同じ真空状態に真空排気される。

収容室１７１、１７２の真空排気が完了すると、内側仕切り扉１３２、１３３が開かれ、レピア機構４４が、回転（図１０の矢印方向に回転）して、レピア４５がレピア機構４４から送り出される。これにより、レピア４５の一端側に取り付けられた釣金具４６は、巻取ロール４２の芯部４２ａに設けられた一対の係止部４２ｃの間を通り、開口部９からチャンバー１１内に入って保護部材４１０上を通過し、開口部８から収容室１７１に入る。これにより、レピア４５の先端の釣金具４６は、付着抑制部材４１３を保持している保持具５６の近傍に達する（図１０、図１１参照）。

レピア機構４４は、さらに回転してレピア４５を収容室１７１内に送り出し、釣金具４６が、保持具５６に保持されたフック部４８に係止する（図１２参照）。釣金具４６がフック部４８に係止すると、レピア機構４４は、反転（図１０の矢印と逆方向の反時計回りの回転）を開始してレピア４５を巻き取る。これにより、保持具５６の突起部がフック部４８の窪み部４８ｂから外れて、保持具５６は、バネ機構等により上方の退避位置に戻るとともに、付着抑制部材４１３を釣金具４６によって送出ロール４１から引出可能となる（図１３参照）。この際、予め下方に退避していたガイドローラ６３が上昇し、付着抑制部材４１３に当接する。

レピア機構４４は、レピア４５の巻き取りを継続し、付着抑制部材４１３は、フック部４８を介して釣金具４６に引っ張られた状態で、開口部８からチャンバー１１内に入り、保護部材４１０上を通過して開口部９から収容室１７２に入る。さらに、レピア４５が巻き取られると、釣金具４６が、巻取ロール４２の芯部４２ａの一対の係止部４２ｃの間を通り、釣金具４６の他端側部分が、一対の係止部４２ｃよりもレピア機構４４側に位置するとともに、フック部４８の係止部４８ａが、係止部４２ｃの係止爪４２ｄに係止する（図１４参照）。

レピア機構４４は、レピア４５の巻き取りを、一旦、停止し、フック部４８が芯部４２ａの一対の係止部４２ｃに係止した状態で巻取ロール４２が回転を開始して、付着抑制部材４１３の他端側部分を巻取ロール４２に巻き取る。これにより、釣金具４６の係止爪４６ａは、係止していたフック部４８の係止部４８ａから外れる。また、巻取ロール４２近傍に配置されている上下２つのガイドローラ６３のうち、上側のガイドローラ６３は、上方の退避位置から下方に移動し、上下２つのガイドローラ６３が付着抑制部材４１３を間に挟んで付着抑制部材４１３にそれぞれ当接する（図１５参照）。

そして、レピア機構４４は、レピア４５の巻き取りを再開して、レピア４５を巻き取り収容し、回転を停止する。また、付着抑制部材４１３が保護部材４１０の主面１を覆うとともに、付着抑制部材４１３の一端側が送出ロール４１から外れない程度に送出ロール４１に巻回された状態で、送出ロール４１と巻取ロール４２とはそれぞれ回転を停止する。これにより、スパッタリング装置１０Ｄは、再び、図９に示される状態となり、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングによる基板７４への成膜処理を再開できる。

このように、送出ロール４１と、巻取ロール４２と、レピア機構４４とは、付着抑制部材４１３が除去された保護部材４１０の主面１を覆うようにスパッタ粒子の保護部材４１０への付着を抑制する他の付着抑制部材４１３を、チャンバー１１が真空排気された状態で保護部材４１０に取り外し可能に重ねて配置する配置部３６である。

＜Ｅ．実施形態５＞
図１７は、実施形態５に係るスパッタリング装置１０Ｅの概略構成を例示する図である。図１８、図１９は、スパッタリング装置１０Ｅの動作を説明するための図であり、図１９は、図１８のスパッタリング装置１０Ｅのうち、送出ロール４１近傍のガイドローラ６３部分を拡大して示している。

スパッタリング装置１０Ｅは、チャンバー１１の内部に保持された基板７４にスパッタリングによる成膜を行うスパッタリング装置本体１０Ｅａと、スパッタリング装置本体１０Ｅａの一端側と他端側とのそれぞれの壁面に密着して接続された収容室１７１、１７３とを備える。

スパッタリング装置１０Ｅと、スパッタリング装置１０Ｄとの差異は、スパッタリング装置１０Ｅがスパッタリング装置１０Ｄの収容室１７２に代えて、内部に巻取ロール（「収容部材」）４３を備えた収容室１７３を備えていることである。なお、収容室１７３には、収容室１７２の巻取ロール４２は設けられていない。

図１７には、スパッタリング装置１０Ｅが、スパッタリングにより基板７４に成膜している状態が示されている。図１７に示されるように、スパッタリング装置１０Ｅのスパッタリング動作中は、内側仕切り扉１３２、１３３は、開かれて、スパッタリング装置本体１０Ｅａのチャンバー１１、収容室１７１、１７３の内部空間は、連通している。また、チャンバー１１、収容室１７１、１７３は、独立して動作可能な図示省略の各真空ポンプにそれぞれ接続されている。また、付着抑制部材４１３の一端側部分は、送出ロール４１に巻かれている。付着抑制部材４１３の他端側部分は、開口部８を通ってチャンバー１１内に送り出されて、保護部材４１０上を経て開口部９から収容室１７３内に導かれ、巻取ロール４３に巻き取られている。送出ロール４１および巻取ロール４３は、回転せず静止していても良く、また、ごく低速で回転していても良い。各ガイドローラ６３は、付着抑制部材４１３を案内している。

巻取ロール４３は、円筒状の芯部４３ａと、芯部４３ａの両端に取り付けられたフランジ部４３ｂとを備えており、図示省略の回転機構により自転可能に構成されている。芯部４３ａの外周面には、一端にフック部４９が固定された鋼帯５０の他端が固定されている。鋼帯５０は、芯部４３ａに巻き取り収容されている。フック部４９の先端にはフック部４９の基端側に折り返された係止爪４９ａ（図１９）が設けられている。

付着抑制部材４１３は、シート状の誘電体である。フック部４９の係止爪４９ａと、収容室１７１内の送出ロール４１から引き出された付着抑制部材４１３の他端に固定されたフック部４８の係止部４８ａとが互いに係止することにより、フック部４９とフック部４８とは、互いに係止している。そして、フック部４８とフック部４９とが互いに外れないように、付着抑制部材４１３の他端側部分は、芯部４３ａに巻回されている。また、付着抑制部材４１３の一端側は、送出ロール４１の芯部に固定されることなく、当該芯部に巻回されている。

これにより、付着抑制部材４１３は、保護部材４１０のチャンバー１１内側に張り出した主面１を覆うように、保護部材４１０に取り外し可能に重ねられて、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着を抑制する。付着抑制部材４１３は、送出ロール４１、巻取ロール４３に巻き取り可能な柔軟性を有している。

図１７に示された状態でスパッタリング装置１０Ｅが、スパッタリング装置本体１０Ｅａのチャンバー１１内に保持された基板７４への成膜処理を長時間行うと、保護部材４１０の主面１を覆っている付着抑制部材４１３の基板７４側の面には、図示省略のターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子が付着する。スパッタリング装置１０Ｅの成膜速度は、スパッタ粒子の付着量に応じて低下する。このため、スパッタ粒子の付着量（付着密度）が基準を超えると、保護部材４１０に重ねられている付着抑制部材４１３は、新たな付着抑制部材４１３に交換される。なお、付着抑制部材４１３の使用部分の交換は、例えば、付着密度との相関がある運転時間に基づいて行われる。

付着抑制部材４１３の交換においては、先ず、送出ロール４１と巻取ロール４３とがそれぞれ回転（図１７の表示で時計回りの回転）を開始することにより、付着抑制部材４１３は、送出ロール４１と保護部材４１０上とから除かれて、巻取ロール４３の芯部４３ａに巻き取られる。このように、送出ロール４１と巻取ロール４３とは、チャンバー１１が真空排気された状態で付着抑制部材４１３を保護部材４１０上から除去する除去部３４である。付着抑制部材４１３の巻取ロール４３への巻き取りが完了すると、送出ロール４１と巻取ロール４３との回転が停止され、チャンバー１１は、真空封止される。

次に、スパッタリング装置１０Ｄと同様に、付着抑制部材４１３を巻き取った巻取ロール４３は、スパッタリング装置１０Ｅの外部に搬出され付着抑制部材４１３が取り外された後、再び、収容室１７３内に戻されて所定位置に取り付けられる。そして、収容室１７３内は、チャンバー１１内と同じ真空状態に真空排気される。また、付着抑制部材４１３が取り外された送出ロール４１は、スパッタリング装置１０Ｅ外部に搬出され、新しい付着抑制部材４１３または付着しているスパッタ粒子密度が所定の基準を満足する付着抑制部材４１３が新たに巻き付けられる。この際、付着抑制部材４１３は、その一端側を送出ロール４１に固定されることなく、送出ロール４１に巻き付けられる。そして、送出ロール４１は、再び、収容室１７１内に搬入されて所定位置に取り付けられ、図示省略の保持具５６により付着抑制部材４１３の他端に取り付けられたフック部４８が係止されて、収容室１７１内がチャンバー１１内と同じ真空状態に真空排気される。

収容室１７１、１７３の真空排気が完了すると、内側仕切り扉１３２、１３３が開かれ、巻取ロール４３が回転（図１８の矢印方向に回転）して、鋼帯５０が巻取ロール４３から送出ロール４１側に送り出される。これにより、鋼帯５０の一端側に取り付けられたフック部４９は、開口部９からチャンバー１１内に入って保護部材４１０上を通過し、開口部８から収容室１７１に入る。これにより、フック部４９は、付着抑制部材４１３を保持している保持具５６の近傍に達する（図１８、図１９参照）。

巻取ロール４３は、さらに回転してフック部４９を収容室１７１内に送り出し、フック部４９がフック部４８に係止すると、巻取ロール４３は、反転を開始して鋼帯５０と付着抑制部材４１３を巻き取る。付着抑制部材４１３は、フック部４８を介してフック部４９に引っ張られた状態で、保護部材４１０上を通過して収容室１７３に入る。そして、鋼帯５０、フック部４９、フック部４８が芯部４３ａに巻き取られ、さらにその上に付着抑制部材４１３が巻き取られる。

そして、付着抑制部材４１３が保護部材４１０の主面１を覆うとともに、付着抑制部材４１３の一端側が送出ロール４１から外れない程度に送出ロール４１に巻回された状態で、送出ロール４１と巻取ロール４３とはそれぞれ回転を停止する。これにより、スパッタリング装置１０Ｅは、再び、図１７に示される状態となり、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングによる基板７４への成膜処理を再開できる。

このように、送出ロール４１と、巻取ロール４３とは、付着抑制部材４１３が除去された保護部材４１０の主面１を覆うようにスパッタ粒子の保護部材４１０への付着を抑制する他の付着抑制部材４１３を、チャンバー１１が真空排気された状態で保護部材４１０に取り外し可能に重ねて配置する配置部３７でもある。

＜Ｆ．実施形態６＞
図２０は、実施形態６に係るスパッタリング装置１０Ｆの概略構成を例示する図である。図２１〜図２７は、スパッタリング装置１０Ｆの動作を説明するための図である。

スパッタリング装置１０Ｆは、チャンバー１１１の内部に保持された基板７４にスパッタリングによる成膜を行うスパッタリング装置本体１０Ｆａと、スパッタリング装置本体１０Ｆａの一端側と他端側とのそれぞれの壁面に密着して接続された収容室１７４、１７５とを備える。

スパッタリング装置１０Ｆと、スパッタリング装置１０Ｄとの差異は、スパッタリング装置１０Ｆがスパッタリング装置１０Ｄのチャンバー１１、収容室１７１、１７２に代えて、チャンバー１１１、収容室１７４、１７５をそれぞれ備えていることである。

スパッタリング装置本体１０Ｆａのチャンバー１１１とスパッタリング装置本体１０Ｄａのチャンバー１１との差異は、チャンバー１１１が複数（図示３個）の排出ローラー５４と、クランプ５２とを備えるとともに、内側仕切り扉１３２に代えて、より大きな内側仕切り扉１３６を一端側の壁部に備えることである。収容室１７４と、収容室１７１との差異は、収容室１７４が、仕切壁５８によって上下に仕切られた２つの部屋を備え、上側の部屋に送出ロール４１と複数（図示４個）のガイドローラ６３と、カッター５１を備えることである。収容室１７５と収容室１７２との差異は、収容室１７５が、レピア機構４４に代えてレピア機構１４４を備えるとともに、巻取ロール４２を備えていないことである。

図２０には、スパッタリング装置１０Ｆが、スパッタリングにより基板７４に成膜している状態が示されている。図２０に示されるように、スパッタリング装置１０Ｆのスパッタリング動作中は、内側仕切り扉１３３、１３６は閉じられている。また、チャンバー１１１、収容室１７４、１７５は、独立して動作可能な図示省略の各真空ポンプにそれぞれ接続されている。

スパッタリング装置本体１０Ｆａのチャンバー１１１は、一端側に内側仕切り扉１３６を備え、保護部材４１０の一端と内側仕切り扉１３６との間に複数（図示３個）の排出ローラー５４を備えている。保護部材４１０上には、両端をそれぞれ切断された付着抑制部材４１３が保護部材４１０のチャンバー１１１内側に張り出した主面１を覆うように、保護部材４１０に取り外し可能に重ねて配置されている。付着抑制部材４１３は、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着を抑制する。付着抑制部材４１３は、送出ロール４１に巻き取り可能な柔軟性を有している。

また、チャンバー１１１は、保護部材４１０の他端と内側仕切り扉１３３との間にクランプ５２を備えている。クランプ５２は、保護部材４１０上に載置された付着抑制部材４１３の他端側部分を上下から挟むことにより、付着抑制部材４１３を固定可能に構成されている。クランプ５２は、スパッタリング装置１０Ｆのスパッタリング動作中は、付着抑制部材４１３を固定する（図２０参照）。また、クランプ５２は、付着抑制部材４１３の保護部材４１０上からの除去時や、付着抑制部材４１３の保護部材４１０上への配置時には、開放状態とされる（図２４〜図２６参照）。

チャンバー１１１内の各排出ローラー５４は、保護部材４１０上の付着抑制部材４１３の一端部分を挟んだ状態で回転しないことにより当該一端部分を固定可能である。また、各排出ローラー５４は、クランプ５２が保護部材４１０上の付着抑制部材４１３の他端側部分を解放している状態で、付着抑制部材４１３の一端部分を挟んで回転することにより、付着抑制部材４１３を保護部材４１０上から除去して内側仕切り扉１３６が開いた開口部から１７４内に排出する（図２１参照）。排出された付着抑制部材４１３は、開かれた内側仕切り扉１３６の上面に沿って移動し、仕切壁５８の開口部から収容室１７４内の排出ポート５５に排出される。排出ローラー５４は、スパッタリング装置１０Ｆのスパッタリング動作中は、付着抑制部材４１３を固定する（図２０参照）。また、付着抑制部材４１３の保護部材４１０上への配置時には、一旦、開放状態とし（図２２参照）、その後固定状態とする（図２３〜図２６参照）。

収容室１７４は、開口部を備える仕切壁５８によって２つの部屋に分けられている。上側の部屋には、送出ロール４１が図示省略の回転機構により回転可能に設けられ、その芯部には、付着抑制部材４１３が、他端側部分を残して巻き取り収容されている。スパッタリング装置１０Ｄの送出ロール４１に収容される付着抑制部材４１３は、その他端にフック部４８を備えていたが、スパッタリング装置１０Ｆの送出ロール４１に収容される付着抑制部材４１３は、端部にフック等を備えていない。

また、付着抑制部材４１３の他端側部分には、送出ロール４１から送出される付着抑制部材４１３の引出方向を規制可能なように、当該他端側部分に上下から当接する複数（図示４個）のガイドローラ６３が設けられている。送出ロール４１が回転（図２０の表示状態で時計回りの回転）をすると、付着抑制部材４１３の他端側部分は、ガイドローラ６３にガイドされて内側仕切り扉１３６に向けて送出される。スパッタリング装置１０Ｆのスパッタリング動作中は、送出ロール４１は、回転せず静止している。また、複数のガイドローラ６３と、内側仕切り扉１３６の間には、付着抑制部材４１３を上下から挟んで切断可能なカッター５１が設けられている。また、収容室１７４の下側の部屋は、保護部材４１０上から除去された付着抑制部材４１３が排出される排出ポート５５をなしている。

収容室１７５には、レピア機構１４４が設けられている。レピア機構１４４には、レピア４５が巻き取り収容されている。レピア４５の一端には引き込みローラー４７が固定され、他端は、レピア機構１４４の芯部に固定されている。引き込みローラー４７は、棒状の基部と、当該基部に取り付けられた一対のローラーを備えて構成されている。引き込みローラー４７が、当該一対のローラの間に付着抑制部材４１３を挟んだ状態で保護部材４１０上をレピア機構１４４側に移動することにより、付着抑制部材４１３は、保護部材４１０上に配設される。スパッタリング装置１０Ｆのスパッタリング動作中は、レピア機構１４４は、回転せず静止している。

図２０に示された状態でスパッタリング装置１０Ｆが、スパッタリング装置本体１０Ｆａのチャンバー１１１内に保持された基板７４への成膜処理を長時間行うと、保護部材４１０の主面１を覆っている付着抑制部材４１３の基板７４側の面、すなわちチャンバー１１１内部に露出した面には、図示省略のターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子が付着する。スパッタリング装置１０Ｆの成膜速度は、スパッタ粒子の付着量に応じて低下する。このため、スパッタ粒子の付着密度が基準を超えると、保護部材４１０に重ねられている付着抑制部材４１３は、スパッタ粒子の付着密度が所定の上限値以下である新たな付着抑制部材４１３に交換される。なお、付着抑制部材４１３の使用部分の交換は、例えば、付着密度との相関がある運転時間に基づいて行われる。

付着抑制部材４１３の交換においては、先ず、内側仕切り扉１３６が収容室１７４側に開かれる。そして、保護部材４１０上に配置されている付着抑制部材４１３の他端側部分をクランプ５２が解放するとともに、一端側部分を各排出ローラー５４が上下から挟んで回転する。これにより、付着抑制部材４１３は、保護部材４１０上から取り除かれて、チャンバー１１１の一端側壁部の開口部８から収容室１７４側に搬送され、内側仕切り扉１３６に沿って、仕切壁５８の開口部８から排出ポート５５に排出される（図２１参照）。このように、各排出ローラー５４とクランプ５２とは、チャンバー１１１が真空排気された状態で付着抑制部材４１３を保護部材４１０上から除去する除去部３５である。付着抑制部材４１３の排出ポート５５への排出が完了すると、排出ローラー５４は回転を停止する。なお、排出ポート５５に排出された付着抑制部材４１３をスパッタリング装置１０Ｆ外部に取り出して再生処理等を行う場合には、内側仕切り扉１３６が閉じられた状態で、収容室１７４の排出ポート５５側の壁部に設けられた図示省略の扉が開かれて、付着抑制部材４１３が取り出される。取り出しが完了すると当該扉は再び閉じられる。

次に、チャンバー１１１の内側仕切り扉１３３が開き、レピア機構１４４が回転（図２０の表示状態で反時計回りの回転）を開始してレピア４５がチャンバー１１１側に送り出される。これにより、レピア４５の先端に取り付けられた引き込みローラー４７は、チャンバー１１１の他端側の開口部９からチャンバー１１１内に入り、保護部材４１０上を通って、チャンバー１１１の一端側の開口部８に到達する。そして、送出ロール４１が反転、すなわち図示時計回りの回転を開始するとともに、各ガイドローラ６３が付着抑制部材４１３を送り出す方向に回転する。これにより、付着抑制部材４１３の他端は、カッター５１の一対の刃部の間と、引き込みローラー４７の一対のローラーの間とをそれぞれ通過して各排出ローラー５４の位置まで送り出される（図２２参照）。このとき、付着抑制部材４１３の他端は、各排出ローラー５４のうち上側の２つの排出ローラー５４の間を通り過ぎた位置にまで達する。

次に、各排出ローラー５４のうち上側の２つの排出ローラー５４が移動して、付着抑制部材４１３の他端側部分を挟み込む。そして、レピア機構１４４は、反転（図２０の表示状態で時計回りの回転）を開始し、レピア４５はレピア機構１４４の芯部に巻き取られ始め、引き込みローラー４７は、収容室１７５側への移動を開始する。この際に、付着抑制部材４１３の他端側部分のうち排出ローラー５４に固定された他端と、カッター５１との間の部分は、引き込みローラー４７の一対のローラーのうち送出ロール４１側のローラーによって引き出される（図２３参照）。

当該ローラーは動滑車として動作し、付着抑制部材４１３を収容室１７５側に引き出して保護部材４１０上に配置していく。そして、排出ローラー５４に固定された部分からカッター５１に至る付着抑制部材４１３の長さが、付着抑制部材４１３が保護部材４１０を覆える長さになったタイミングでカッター５１が付着抑制部材４１３を切断する（図２４参照）。当該長さは、保護部材４１０上に配設された付着抑制部材４１３の両端を、排出ローラー５４と、クランプ５２とによってそれぞれ固定可能な長さである。

レピア機構１４４は、引き込みローラー４７の巻き取り収容を継続し、付着抑制部材４１３は、一端側部分を排出ローラー５４に固定された状態で、他端側を収容室１７５側へ引き出されていく（図２５参照）。このとき、クランプ５２は解放されており、引き込みローラー４７は、その間を通過していく。

そして、引き込みローラー４７の一対のローラーのうち一方が収容室１７５に入り、他方がクランプ５２を通過すると、クランプ５２は閉じ始め（図２６参照）、レピア４５のレピア機構１４４への巻き取り収容が完了するとレピア機構１４４は、回転を停止する。また、クランプ５２は、保護部材４１０を覆うように保護部材４１０上に配置された付着抑制部材４１３の他端部分を固定するとともに、チャンバー１１１の内側仕切り１３３、１３６がそれぞれ閉じて、チャンバー１１１は、真空封止される（図２７参照）。これにより、スパッタリング装置１０Ｆは、再び、図２０に示される状態となり、保護部材４１０へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングによる基板７４への成膜処理を再開できる。

このように、送出ロール４１と、レピア機構１４４と、排出ローラー５４と、クランプ５２とは、協働して、付着抑制部材４１３が除去された保護部材４１０の主面１を覆うようにスパッタ粒子の保護部材４１０への付着を抑制する他の付着抑制部材４１３を、チャンバー１１１が真空排気された状態で保護部材４１０に取り外し可能に重ねて配置する配置部３８として動作する。

以上のように構成された本実施形態１〜２に係るスパッタリング装置によれば、高周波アンテナ８０がチャンバー１１内に発生したプラズマに晒されないように高周波アンテナ８０を保護する誘電体製の保護部材４１１と、保護部材４１１のチャンバー１１内に張り出した主面をそれぞれが覆うように保護部材４１１にそれぞれ取り外し可能に重ねられ、ターゲット６０からスパッタされたスパッタ粒子の保護部材４１１への付着を抑制する１つ以上の付着抑制部材４１２とを備える。これにより、スパッタ粒子がチャンバー１１の処理室１１３に露出している付着抑制部材４１２に付着して成膜速度が低下していたとしても、当該付着抑制部材を保護部材４１１上から取り除けば、保護部材４１１および保護部材４１１に重ねられている他の付着抑制部材４１２の両者または保護部材４１１へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングできる。従って、スパッタ粒子の保護部材４１１への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。

また、以上のように構成された本実施形態１〜２に係るスパッタリング装置によれば、チャンバーが真空排気された状態で、１つ以上の付着抑制部材のうち高周波アンテナ８０から最も離れた部材を保護部材上から除去する除去部をさらに備えている。従って、各付着抑制部材のうち高周波アンテナ８０から最も離れた部材にスパッタ粒子が付着して成膜速度が低下している場合でも、当該付着抑制部材を保護部材上から取り除くことにより、保護部材および保護部材に重ねられている付着抑制部材へのスパッタ粒子の付着が抑制された状態でスパッタリングできる。従って、スパッタ粒子の保護部材への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。また、チャンバー１１が真空排気された状態で付着抑制部材を取り除ける。これにより、変質層を除く準備スパッタ処理が不要となる。従って、大気解放して付着抑制部材を取り除く場合に必要となる真空排気のための処理時間や、ターゲット６０の消費を抑制できる。

また、以上のように構成された本実施形態３〜６に係るスパッタリング装置によれば、保護部材のチャンバー内側に張り出した主面１を覆うように当該保護部材に取り外し可能に重ねられ、スパッタ粒子の保護部材への付着を抑制する１つの付着抑制部材を備える。また、当該スパッタリング装置は、保護部材上の付着抑制部材をチャンバーが真空排気された状態で保護部材上から除去する除去部を備える。そして、当該スパッタリング装置は、当該付着抑制部材が除去された保護部材のチャンバー内側に張り出した主面１を覆うように、スパッタ粒子の保護部材への付着を抑制する他の付着抑制部材を、チャンバーが真空排気された状態で保護部材に取り外し可能に重ねて配置する配置部をさらに備えている。従って、付着抑制部材にスパッタ粒子が付着して成膜速度が低下した場合でも、付着しているスパッタ粒子密度が目標値以上の成膜速度に対応した所定の基準を満たしている他の付着抑制部材に交換できる。これにより、スパッタ粒子の保護部材への付着に起因した成膜速度の低下を抑制できる。また、チャンバーが真空排気された状態で付着抑制部材を交換できる。これにより、変質層を除く準備スパッタ処理が不要となる。従って、大気解放して付着抑制部材を取り除く場合に必要となる真空排気のための処理時間や、ターゲット６０の消費を抑制できる。

また、以上のように構成された本実施形態３に係るスパッタリング装置によれば、除去部と配置部とが同一である。従って、スパッタリング装置の省スペース化を図ることが出来る。

また、以上のように構成された本実施形態３〜６に係るスパッタリング装置によれば、真空排気された内部空間を備えるとともに、真空排気されたチャンバーと連通された１つ以上の収容室をさらに備える。そして、１つ以上の収容室のうち１つの収容室の内部空間には、他の付着抑制部材が収容される。除去部は、保護部材上から除去した付着抑制部材を当該１つ以上の収容室のうち１つの収容室に収容し、配置部は、当該１つ以上の収容室のうち他の付着抑制部材を収容した収容室から他の付着抑制部材を取り出して保護部材のチャンバー内側に張り出した主面１を覆うように保護部材に配置する。従って、取り除いた付着抑制部材をチャンバー内に置いたり、他の付着抑制部材をチャンバー内に置いておく必要がないので、チャンバー内の構成を簡略化できる。

また、以上のように構成された本実施形態４〜５に係るスパッタリング装置によれば、付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体であり、除去部は、保護部材上から除去した付着抑制部材を１つ以上の収容室のうち１つの収容室に設けられた収容部材に巻き取り収容する。これにより、除去した付着抑制部材の収容スペースの省スペース化を図ることが出来る。

また、以上のように構成された本実施形態４〜６に係るスパッタリング装置によれば、付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体であり、他の付着抑制部材は、１つ以上の収容室のうち１つの収容室に設けられた収容部材に巻き取り収容されている。従って、他の付着抑制部材の収容スペースの省スペース化を図ることが出来る。

また、以上のように構成された本実施形態１〜６の何れのスパッタリング装置によっても、チャンバー内に設けられ巻数が一周未満の導体からなる高周波アンテナ８０を用いて高周波誘導結合プラズマを発生させる。従って、付着抑制部材を一次元方向に搬送して、付着抑制部材を除いたり配置したり出来るので、付着抑制部材の除去や交換が容易となる。

本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ スパッタリング装置
１１，１１１ チャンバー
１１３ 処理室
１２ マグネトロンスパッタ用磁石
１４ ベース板
１５ 基板ステージ
１６１ 高周波電源
１６２ スパッタ用電源
１７０，１７１，１７２，１７３，１７４ 収容室
１８ ターゲット・アンテナ配置部
１８１ ターゲット配置ブロック
１８２ アンテナ固定ブロック
２４ ターゲット保持部
３１，３２，３３，３４，３５ 除去部
３６，３７，３８ 配置部
３９ 除去配置部
４１ 送出ロール（収容部材）
４２，４３ 巻取ロール（収容部材）
４４，１４４ レピア機構
４５ レピア
４６ 釣金具
４７ 引き込みローラー
４８，４９ フック部
５０ 鋼帯
５１ カッター
５２ クランプ
５４ 排出ローラー
５５ 排出ポート
５６ 保持具
５８ 仕切壁
４１０，４１１ 保護部材
４１２，４１３ 付着抑制部材
４２０，４２１ チムニー
６０ ターゲット
７４ 基板
８０ 高周波アンテナ
９０ プラズマ発生部
Ｐ１ 真空ポンプ

Claims (10)

1. 真空排気されたチャンバーと、
   前記チャンバー内にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入部と、
   前記チャンバー内に設けられたターゲット保持部と、
   前記ターゲット保持部に保持されたターゲットに対向するように成膜対象の基板を保持する基板保持部と、
   前記プラズマ生成ガスの高周波誘導結合プラズマを前記チャンバー内に発生させるプラズマ発生部と、
   前記ターゲットにスパッタ電圧を印加する電源と、
   前記プラズマ発生部が前記チャンバー内に発生したプラズマに晒されないように前記プラズマ発生部を保護する誘電体製の保護部材と、
   前記保護部材の前記チャンバー内側に張り出した主面をそれぞれが覆うように前記保護部材にそれぞれ取り外し可能に重ねられ、前記ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子の前記保護部材への付着を抑制する１つ以上の付着抑制部材と、
   を備え、前記ターゲットのスパッタリングによって前記基板上に成膜を行うスパッタリング装置。
2. 請求項１に記載のスパッタリング装置であって、
   前記チャンバーが真空排気された状態で、前記１つ以上の付着抑制部材のうち前記プラズマ発生部から最も離れた部材を前記保護部材上から除去する除去部、
   をさらに備える、スパッタリング装置。
3. 請求項２に記載のスパッタリング装置であって、
   前記１つ以上の付着抑制部材は、
   前記保護部材の前記主面を覆うように前記保護部材に取り外し可能に重ねられ、前記スパッタ粒子の前記保護部材への付着を抑制する１つの付着抑制部材であり、
   前記スパッタリング装置は、
   前記１つの付着抑制部材が除去された前記保護部材の前記主面を覆うように前記スパッタ粒子の前記保護部材への付着を抑制する他の付着抑制部材を、前記チャンバーが真空排気された状態で前記保護部材に取り外し可能に重ねて配置する配置部、
   をさらに備える、スパッタリング装置。
4. 請求項３に記載のスパッタリング装置であって、
   前記除去部と前記配置部とが同一である、スパッタリング装置。
5. 請求項３または請求項４に記載のスパッタリング装置であって、
   真空排気された内部空間を備えるとともに、真空排気された前記チャンバーと連通された１つ以上の収容室をさらに備え、
   前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室の内部空間には、前記他の付着抑制部材が収容され、
   前記除去部は、前記保護部材上から除去した前記１つの付着抑制部材を前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室に収容し、
   前記配置部は、前記１つ以上の収容室のうち前記他の付着抑制部材を収容した収容室から前記他の付着抑制部材を取り出して前記保護部材の前記主面を覆うように前記保護部材上に配置する、スパッタリング装置。
6. 請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載のスパッタリング装置であって、
   前記付着抑制部材が剛性を有する板状の誘電体である、スパッタリング装置。
7. 請求項１から請求項５の何れか１つの請求項に記載のスパッタリング装置であって、
   前記付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体である、スパッタリング装置。
8. 請求項５に記載のスパッタリング装置であって、
   前記付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体であり、
   前記除去部は、前記保護部材から除去した前記１つの付着抑制部材を前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室に設けられた収容部材に巻き取り収容する、スパッタリング装置。
9. 請求項５に記載のスパッタリング装置であって、
   前記付着抑制部材が巻き取り可能な柔軟性を有するシート状の誘電体であり、
   前記他の付着抑制部材は、前記１つ以上の収容室のうち１つの収容室に設けられた収容部材に巻き取り収容されている、スパッタリング装置。
10. 請求項１から請求項９の何れか１つの請求項に記載のスパッタリング装置であって、
    前記プラズマ発生部は、前記チャンバー内に設けられ巻数が一周未満の導体からなる高周波アンテナを用いて高周波誘導結合プラズマを発生させる、スパッタリング装置。

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