JP2015022279A - カラーフィルタアレイ、固体撮像素子、撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
金属構造と絶縁体とから構成され、中心周波数が異なる複数のカラーフィルタと、
前記複数のカラーフィルタにまたがって形成された第1の共通電極と、
前記第1の共通電極と対向し、前記複数のカラーフィルタと前記金属構造から前記絶縁体によって隔てられており、前記複数のカラーフィルタにまたがって形成された第2の共通電極と、
前記第1の共通電極および前記第2の共通電極の間に電圧を印加して、前記複数のカラーフィルタの中心周波数を同時に変化させる電圧印加部と、
を備えることを特徴とする。
<撮像装置(分光画像取得装置)>
本実施例は、カラーフィルタを有する固体撮像素子を用いた撮像装置である。本発明に係る撮像装置100の構成を図1に示す。図1において、撮像装置100は、結像光学系101、固体撮像素子102、制御部103から構成される。固体撮像素子102は結像光学系101の光軸上に配置され、結像光学系101は固体撮像素子102上に被写体像を結像する。
図2(a)は、固体撮像素子102の平面図であり、図2(b)は固体撮像素子102の断面図である。固体撮像素子102は、2種類の画素110、111を有する。画素110と画素111は、カラーフィルタの透過周波数特性が異なり、すなわち検出する光の周波数帯域が異なる。各々の画素は、光の入射側より、マイクロレンズ112、カラーフ
ィルタ120または121、基板113を有している。マイクロレンズ112は、検出する周波数帯域で透明な材料であるSiO2などで形成されており、基板113は、検出する波長帯域で吸収を有するSiなどの材料で形成されている。そして、基板113内には、光電変換部114が形成されている。光電変換部114は、基板113に対してボロンなどのイオンを打ち込むことで形成する。また、画素110及び111には図示しない配線が設けられており、光電変換部で発生した電荷は配線によって信号処理回路に転送される。発生した電荷の転送方式は任意であってよい。すなわち、固体撮像素子103は、CCD(Charge Coupled Device: 電荷結合素子)であってもよいし、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor: 相補型MOS)であってもよい。
図3は、カラーフィルタ120、121内の金属構造を示した図である。図3(a)はカラーフィルタ120の平面図であり、図3(b)はカラーフィルタ120の断面図である。図3(c)はカラーフィルタ121の平面図であり、図3(d)はカラーフィルタ121の断面図である。
、カラーフィルタ121は、絶縁体膜132中に金属構造131が設けられた構造である。金属構造130、131はその大きさに応じたプラズモン共鳴を生じるため、カラーフィルタ120、121の透過スペクトルは、プラズモン共鳴を生じる周波数に対して透過スペクトルのディップを有する。実施例1のように、カラーフィルタの透過スペクトルがディップを有する反射型のフィルタの場合、ディップの周波数をカラーフィルタの中心周波数と呼ぶ。
図4(a)(b)は、それぞれカラーフィルタ120および121の透過スペクトルを示したものである。実線401、411は、共通電極間に電圧を印加しなかったときの透過スペクトルである。破線402、412は共通電極123に、共通電極122に対して+12Vの電圧(+2.4V/nmの電界に相当)を印加した時の透過スペクトルである。点線403、413は共通電極123に、共通電極122に対して−12Vの電圧(−2.4V/nmの電界に相当)を印加した時の透過スペクトルを示す。
ペクトルのディップは周波数0.393PHz〜周波数0.436PHzまで変化する。一方、カラーフィルタ121の透過スペクトルのディップは周波数0.282PHz〜周波数0.312PHzまで変化する。なお、PHzはペタヘルツ(1015Hz)である。
このように、金属構造130と金属構造131のXY面内での大きさ(面積)は異なっているため、カラーフィルタアレイ125は異なる周波数の分光情報を同時に取得することができる。具体的には、カラーフィルタアレイ125において、単一の回路124により共通電極122、123間に印加する電圧を変えつつ、画像情報を取得すればよい。その結果、周波数0.282PHz〜周波数0.312PHzおよび、周波数0.393PHz〜周波数0.436PHzの分光画像情報を同時に取得することができる。
実施例1に示すカラーフィルタ120及びカラーフィルタ121は透過率にディップを有するフィルタであるため、得られる分光情報は、全周波数の分光情報から特定の周波数の分光情報が抜けたものになる。逆に、特定の周波数の分光情報のみを得たい場合には、全周波数の分光画像信号を加算した値から、特定の周波数の分光画像信号の値を減算して求めればよい。また、カラーフィルタを設けない画素を設けておき、その画素で取得した全周波数成分の分光画像信号から、カラーフィルタを設けた画素で取得した分光画像信号を減算して求めても良い。
カラーフィルタを構成する金属構造は、フォトリソグラフィやEBリソグラフィなどで、金属構造の平面視の反転パターンをレジストで作成し、EB蒸着やスパッタ等によって金属を成膜した後、リフトオフを行うことで製造できる。または、先に金属構造を形成する金属薄膜を成膜してから、リソグラフィによって金属構造の平面視パターンをレジストで形成し、ドライエッチイングによって製造しても良い。
本実施例は、実施例1と比較して固体撮像素子におけるカラーフィルタアレイの構成が異なる。実施例に係るカラーフィルタアレイ225を構成するカラーフィルタの透過スペクトルは二つのディップを有する。すなわち、各カラーフィルタは、2つのディップの中間にピークを有する透過型のカラーフィルタである。カラーフィルタアレイは、このような複数の透過型のカラーフィルタから構成されているものである。
図5は、カラーフィルタアレイ225を構成するカラーフィルタ220、221内の金属構造を示した図である。図5(a)はカラーフィルタ220の平面図であり、図3(b
)はカラーフィルタ220の断面図である。図5(c)はカラーフィルタ221の平面図であり、図5(d)はカラーフィルタ221の断面図である。
図6(a)、(b)は、それぞれカラーフィルタ220及びカラーフィルタ221の透過スペクトルを示す図である。実線601、611は、共通電極に電圧を印加しなかったときの透過スペクトルである。破線602、612は共通電極123に、共通電極122に対して+12Vの電圧(+2.4V/nmの電界に相当)を印加した時の透過スペクトルである。点線603、613は共通電極123に、共通電極122に対して−4Vの電圧(−0.8V/nmの電界に相当)を印加した時の透過スペクトルを示す。
を用いているため、実施例1に示すカラーフィルタアレイ125とは異なり、減算処理を行わずに特定の周波数の分光情報を取得できる。
また、カラーフィルタが大きさの異なる金属構造から形成されている場合、面内方向(XY方向)の大きさが小さい金属構造の数密度の方が、面内方向(XY方向)の大きさが大きい金属構造の数密度よりも大きいことが好ましい。なぜなら、異なる大きさの金属構造を同一の数密度で並べた場合、大きい金属構造の方が強い共鳴を生じるため、共鳴ディップの中間に生じるスペクトルのピーク形状の非対称性が増すためである。透過スペクトルの非対称性が大きいと、分光情報の質の低下を招いてしまう。特に、複数の金属構造の大きさに差があるほど、透過スペクトルは非対称になる。
なお、図5に示すカラーフィルタ220、221では、大きさが異なる直方体の二つの異なる金属構造を絶縁膜内に設けることによって透過スペクトルがピークを持つカラーフィルタを実現している。しかしながら、カラーフィルタの金属構造は、金属膜から一部が抜けている構造であってもよい。この構成をホール型と称する。図9(a)(c)は、それぞれホール型のカラーフィルタ226、227の平面図であり、図9(b)(d)はその断面図である。図9において、網掛けして示した部分(238)が金属膜であり、白抜き部分(236、237)が空孔である。図9に示すカラーフィルタ226、227は、金属膜238中に離散的な空孔236、237を設け、空孔を絶縁体132で充填した構造である。空孔236の形状はXY面内において一辺20nmの正方形であり、Z方向の厚みが5nmの直方体である。空孔237の形状はXY面内において一辺15nmの正方形であり、Z方向の厚みが5nmの直方体である。空孔236は周期40nmで、空孔237は周期30nmで周期的にXY方向に配列されている。金属膜238は第1の共通電極123に接し、第2の共通電極122とは絶縁体膜132を介して5nm隔てられている。金属材料はAuであり、絶縁体材料はHfO2である。
本実施例は、実施例1、2と比較して固体撮像素子におけるカラーフィルタアレイの構成が異なる。実施例3に係るカラーフィルタアレイは、必要な分光情報の周波数分解能に応じて、各々のカラーフィルタの構造を変更(調整)したものである。
数シフト敏感度とは、一定電圧を加えたときのカラーフィルタの中心周波数のシフト量である。
以下で、電圧に対する敏感度を制御する方法について説明する。共通電極間に電圧ΔVを印加した際、電圧変化ΔVに応じた電荷密度変化ΔQが金属構造表面に誘起される。そして、その電荷密度変化ΔQに応じて、中心周波数FcのシフトΔFcが生じる。従って、電圧に対する敏感度ΔFc/ΔVの値を制御するには、ΔQ/ΔVを制御するか、ΔFc/ΔQを制御すればよい。
まず、ΔFc/ΔQを制御する方法について説明する。表1は、金属表面層の誘電率変化が等しい場合(即ち、電荷密度変化が等しい場合)の、ΔFc/Fcの金属構造の厚みに対する依存性を示したものである。表1では、電圧+12V印加時と電圧−12V印加時の中心周波数のシフト量をΔFcとした(即ち、ΔVは24Vである)。表1よりわかるように、金属構造の面内方向の大きさや周期によらず、金属構造の厚みが厚いほど、ΔFc/Fcは大きくなる。
次に、ΔQ/ΔVを制御する方法について説明する。共通電極間に電圧ΔVを印加した場合、金属表面層に誘起される電荷密度変化ΔQは、金属構造と第2の共通電極間に形成されるキャパシタの静電容量Cと、ΔVの積によって決定される(ΔQ〜C×ΔV)。静電容量Cは、絶縁体の誘電率εに比例し、金属構造と第2の共通電極の間の距離dに反比例するため、ΔQ/ΔVは誘電率εに比例し距離dに反比例する(ΔQ/ΔV〜ε/d)。したがって、ΔQ/ΔVを小さくするためには、Cを小さくする、すなわち、絶縁体の誘電率εを小さくするか、金属構造と第2の共通電極の間の距離dを離せばよい。
以下で、具体例を示す。まず、必要な周波数分解能ΔFが、周波数によらず一定の場合を示す。電圧に対する中心周波数シフトの敏感度(ΔFc/ΔV)を一定とするためには、具体的には、中心周波数Fcが大きいカラーフィルタほど、金属構造の厚みを薄くするか、絶縁体の誘電率を小さくするか、金属構造と第2の共通電極の間の距離を大きくすればよい。全てのカラーフィルタにおいて、中心周波数Fcと、h×d/εとの比を一定とすれば、単位電圧あたりの中心周波数のシフト量を同一にすることができる。
図11は、金属構造の厚みhを変えたカラーフィルタアレイ301の例を示す。図11(a)はカラーフィルタアレイ301の平面図であり、図11(b)は断面図である。カラーフィルタ320を構成する金属構造330の形状は、XY面内において一辺20nmの正方形であり、Z方向の厚みが10nmの直方体である。金属構造330は、周期40nmで正方格子状に配置されている。また、カラーフィルタ321を構成する金属構造331の形状は、XY面内において一辺65nmの正方形であり、Z方向の厚みが5nmの直方体である。金属構造331は、周期130nmで正方格子状に配置されている。各金属構造は第1の共通電極123に接し、第2の共通電極122とは絶縁体膜132を介して5nm隔てられている。金属材料はAuであり、絶縁体材料はHfO2である。
図12は、金属構造と第2の共通電極の間の距離dを変えたカラーフィルタアレイ302の例を示す。図12(a)はカラーフィルタアレイ302の平面図であり、図12(b)は断面図である。カラーフィルタ322、323を構成する金属構造332、333のXY方向の構造は、図11と同じである。但し、金属構造332及び333のZ方向の厚みは5nmで等しく、金属構造332と第2の共通電極122間の距離は8nm、金属構造333と第2の共通電極122間の距離は5nmである。すなわち、カラーフィルタ322とカラーフィルタ323は、Fc/dの値がほぼ同一に構成される。
することにより、カラーフィルタの中心周波数によらず、同一の周波数分解能が実現できている。
また、前述したように、カラーフィルタ320中の絶縁体と、カラーフィルタ321中の絶縁体の誘電率を変えても良い。即ち、中心周波数が大きいカラーフィルタほど、カラーフィルタを構成する絶縁体の誘電率を小さくすればよい。例えばカラーフィルタ320ではSiO2を使用し、カラーフィルタ321ではHfO2を使用すればよい。
次に、必要な周波数分解能が、周波数によって異なる場合を示す。分光情報を取得する目的に応じて、周波数帯に応じて必要な周波数分解能が異なる場合がある。例えば、所定の周波数範囲ではより細かい周波数分解能が要求されるのに対し、それ以外の周波数範囲ではより粗い周波数分解能で十分な場合がある。以下では、必要な周波数分解能が、周波数0.54PHz付近で細かい場合を示す。周波数0.54PHz付近は、ポルフィリンとコラーゲンの特徴的な吸収ピークがある周波数帯域であり、医療用の撮像装置(分光画像取得装置)等で必要とされる。
いて、ΔFc/ΔV〜(Fc/h)×(ε/d)となる。そこで、より細かい周波数分解能が要求される周波数範囲内(ここでは、0.54PHz付近)に中心周波数があるカラーフィルタは、それ以外のカラーフィルタと比較して、(Fc/h)×(ε/d)の値が小さくなるように構成される。具体的には、中心周波数Fcと比較して、金属構造の厚みhを大きく(厚く)するか、絶縁体の誘電率εを小さくするか、金属構造と第2の共通電極の間の距離dを大きくすればよい。このようにすれば、中心周波数が所定の範囲内にあるカラーフィルタの単位電圧あたりの中心周波数のシフト量を、それ以外のカラーフィルタと比較して、小さくすることができる。
(a)はカラーフィルタアレイ303の平面図であり、図13(b)は断面図である。カラーフィルタ326、327を構成する金属構造336、337のXY方向の構造は、図11と同じである。但し、金属構造336のZ方向の厚みは20nm、金属構造337のZ方向の厚みは5nmである。すなわち、カラーフィルタ326の方が、カラーフィルタ327よりも、Fc/hが小さくなるように構成されている。
特許文献1に開示されている従来のカラーフィルタアレイにおいては、各々のカラーフィルタに対して設けられた回路に対し、印加電圧を独立に制御して、各々のカラーフィルタの周波数分解能を制御していた。本実施例では、中心周波数が異なる複数のカラーフィルタの中心周波数を、単一回路によって制御している。そのため、従来のカラーフィルタアレイと同一の手法では、周波数分解能の制御が困難である。本実施例のように、カラーフィルタの構造を周波数分解能に応じて変更すれば、単一回路を使用しつつ、周波数分解能が制御できるため、実施例1、2よりも更に好ましいカラーフィルタアレイが実現できる。
実施例3に示すカラーフィルタアレイのように、金属構造や、金属構造と第2の共通電極の間の距離を、カラーフィルタ毎に変えるには、カラーフィルタ毎にリソグラフィと金属や絶縁体の成膜を行えばよい。
14(c))。その後、カラーフィルタ320を再度犠牲層で覆い、カラーフィルタ321を同様の手順で作製する(図14(d))。最後に、共通電極122を成膜し、回路124に接続することでカラーフィルタアレイ301が完成する(図14(e))。
本実施例は、実施例1−3と比較して固体撮像素子におけるカラーフィルタアレイの構成が異なる。実施例4に係るカラーフィルタアレイ425は、各カラーフィルタが取得する分光情報の周波数帯域の間の、漏れや重なりをなくしたものである。漏れや重なりをなくすことで、効率良く分光情報が取得できるため、好ましい。
特に、金属構造の厚み、金属構造と第2の共通電極の間の距離、絶縁体の誘電率が全て等しいカラーフィルタからなるカラーフィルタアレイを考える。すなわち、それぞれのカラーフィルタにおいて金属構造のXY面内での大きさが異なるカラーフィルタを考える。このようなカラーフィルタアレイは、カラーフィルタ毎にリソグラフィと成膜を行う必要が無いため製造が容易になり、好ましい。
701との差であり、周波数間隔1712,1713も同様である。図に示すように、中心周波数が大きいほど、中心周波数が隣接するカラーフィルタ同士の周波数間隔を大きくすることが好ましい。すなわち、周波数間隔1711<周波数間隔1712<周波数間隔1713となるように構成することが好ましい。このようにすることで、製造が容易で、分光情報を広帯域にわたって効率良く取得可能なカラーフィルタアレイが実現できる。
以上の実施例1〜4において、2種類の中心周波数の異なるカラーフィルタを用いたカラーフィルタアレイを示したが、3種類以上のカラーフィルタを使用しても良い。カラーフィルタアレイに使用するカラーフィルタの種類を増やすほど、広帯域で周波数分解能の高い分光情報が得られる。一方で、同一の中心周波数を有するカラーフィルタ間の距離が広がるため、取得できる画像の分解能は低下する。従って、必要な周波数分解能と画像分解能によって、カラーフィルタの数を決定すればよい。
122:第2の共通電極
123:第1の共通電極
124:電圧印加回路
125:カラーフィルタアレイ
130、131:金属構造
132:絶縁体
Claims (19)
- 金属構造と絶縁体とから構成され、中心周波数が異なる複数のカラーフィルタと、
前記複数のカラーフィルタにまたがって形成された第1の共通電極と、
前記第1の共通電極と対向し、前記複数のカラーフィルタの前記金属構造から前記絶縁体によって隔てられており、前記複数のカラーフィルタにまたがって形成された第2の共通電極と、
前記第1の共通電極および前記第2の共通電極の間に電圧を印加して、前記複数のカラーフィルタの中心周波数を同時に変化させる電圧印加部と、
を備える、カラーフィルタアレイ。 - 前記複数のカラーフィルタのそれぞれに含まれる前記金属構造の大きさが互いに異なる、
請求項1に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記複数のカラーフィルタのそれぞれに含まれる前記金属構造の前記第1および第2の共通電極と平行な面における面積が互いに異なる、
請求項2に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記金属構造の厚みが1nm以上、20nm以下である、
請求項1から3のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記金属構造と前記第2の共通電極との間の距離が1nm以上、20nm以下である、
請求項1から4のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記第1および第2の共通電極に電圧を印加したときに、前記複数のカラーフィルタにおいて、単位電圧あたりの中心周波数のシフト量が同一となるように構成されている、
請求項1から5のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 中心周波数が高いカラーフィルタほど、前記金属構造の厚みが厚い、
請求項6に記載のカラーフィルタアレイ。 - 中心周波数が高いカラーフィルタほど、前記金属構造と前記第2の共通電極の間の距離が大きい、
請求項6または7に記載のカラーフィルタアレイ。 - 中心周波数が高いカラーフィルタほど、前記絶縁体の誘電率が小さい、
請求項6から8のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記第1および第2の共通電極に電圧を印加したときに、前記複数のカラーフィルタのうち中心周波数が所定の範囲にあるカラーフィルタは、それ以外のカラーフィルタと比較して、単位電圧あたりの中心周波数のシフト量が小さくなるように構成されている、
請求項1から5のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記第1および第2の共通電極に電圧を印加したときに、前記複数のカラーフィルタのうち中心周波数が所定の範囲にあるカラーフィルタは、それ以外のカラーフィルタと比較して、中心周波数と誘電率の積を、金属構造の厚みと金属構造と第2の共通電極の間の距離との積で除した値が小さくなるように構成されている、
請求項1から5のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 中心周波数が前記所定の範囲にあるカラーフィルタは、それ以外のカラーフィルタと比較して、中心周波数に対する前記金属構造の厚みの比が大きい、
請求項10または11に記載のカラーフィルタアレイ。 - 中心周波数が前記所定の範囲にあるカラーフィルタは、それ以外のカラーフィルタと比較して、中心周波数に対する前記金属構造と前記第2の共通電極の間の距離の比が大きい、
請求項10から12のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 中心周波数が前記所定の範囲にあるカラーフィルタは、それ以外のカラーフィルタと比較して、中心周波数と前記絶縁体の誘電率の積が小さい、
請求項10から13のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記複数のカラーフィルタはそれぞれ、前記第1および第2の共通電極と平行な断面における面積が異なる複数種類の金属構造を有している、
請求項1から14のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記複数のカラーフィルタはそれぞれ、透過する光の周波数帯域を制限する吸収フィルタを更に備える、
請求項15に記載のカラーフィルタアレイ。 - 前記第1および第2の共通電極と平行な断面における面積が小さな金属構造ほど、数密度が高く配置されている、
請求項15または16に記載のカラーフィルタアレイ。 - 請求項1から17のいずれか1項に記載のカラーフィルタアレイと、
当該カラーフィルタアレイの前記複数のカラーフィルタに対応する画素と、
を備える、固体撮像素子。 - 結像光学系と、
請求項18に記載の固体撮像素子と、
を備える、撮像装置。
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