JP2015011733A - 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】主表面の平滑な領域をより広く確保する。
【解決手段】６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有し磁気ヘッドの浮上量が５ｎｍ以下に設定される情報記録媒体の作製に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、結晶化ガラスを用いて作製されたガラス素板を準備する工程Ｓ１０と、ガラス素板に粗研磨処理を施す工程Ｓ６０と、粗研磨処理が施されたガラス素板に、主表面から０．１μｍ以上３０μｍ未満の深さを有する圧縮応力層を形成する工程Ｓ７０と、を備える。
【選択図】図８

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法に関し、特に、ハードディスクドライブなどの情報記録装置に情報記録媒体の一部として備えられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。

情報記録装置は、コンピューター等のさまざまな機器に内蔵されている。このような情報記録装置には、円盤状の情報記録媒体（磁気ディスクともいう）が搭載される。情報記録媒体は、ガラス基板と、ガラス基板の主表面上に形成された磁気記録層とを含んでいる。近年、スマートフォンおよびタブレット機器が普及している。情報記録装置には、より大きな記憶容量を有するものが求められ、情報記録媒体としては、より高い記録密度（たとえば６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度）を有するものが求められている。

このような要求に応えるためには、たとえば、１枚の磁気ディスクが持つ記録可能な領域（磁気記録層）の面積を可能な限り大きくすることが必要となる。これを実現するためには、ガラス基板の外周端部のより近くにまで記録可能な領域を形成することが必要となる。しかしながら、ガラス基板の外周端部の付近は、主表面に対して面が盛り上がる隆起（スキージャンプ）や、主表面に対して面が下がる面だれが形成されやすいという実情がある。

記録密度を高くすることに加えて、ハードディスクドライブとしての耐衝撃性を向上させることも求められている。特許第４２９３３８９号（特許文献１）、特開２００４−２６５５８２号公報（特許文献２）、および特開平０５−０８９４５９号公報（特許文献３）に開示されているように、一般的に、ガラス基板の表層には圧縮応力層が形成される。

特許第４２９３３８９号 特開２００４−２６５５８２号公報 特開平０５−０８９４５９号公報

本出願の発明者らは、従来の製造方法を使用して３２．５ｍｍの半径を有する磁気ディスク（情報記録媒体）を作製した。この従来の製造方法は、ガラス素板に粗研磨処理を施した後に、そのガラス素板に化学強化処理を施すというものである。磁気ディスクをハードディスクに組み込みリード／ライト試験を実施したところ、磁気記録層のうちの半径が３１．５ｍｍ以下の領域においては電磁変換特性に大きな問題はなかったが、３１．５ｍｍよりも外側の領域においてはリード／ライトエラーが多発し、記録領域として使用することは困難であることが分かった。

すなわち、ガラス基板の外周端部の付近にスキージャンプ等が形成される原因の一つには、ガラス基板に粗研磨処理を施した後に圧縮応力層を形成することが挙げられるものと考えられる。スキージャンプ等が形成されると、磁気ヘッドが飛行時に傾いたり、磁気ヘッドの飛行が不安定になったりする。したがって、ガラス基板の製造時には、スキージャンプ等の発生を抑制し、ガラス基板の主表面の平滑な領域をできるだけ広く確保することが求められる。

本発明は、主表面の平滑な領域を従来に比して広く確保することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法は、６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有し磁気ヘッドの浮上量が５ｎｍ以下に設定される情報記録媒体の作製に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、結晶化ガラスを用いて作製されたガラス素板を準備する工程と、上記ガラス素板に粗研磨処理を施す工程と、上記粗研磨処理が施された上記ガラス素板に、主表面から０．１μｍ以上３０μｍ未満の深さを有する圧縮応力層を形成する工程と、を備える。

好ましくは、上記圧縮応力層は、上記ガラス素板の表層にイオン交換層を形成する工程によって形成され、形成された上記圧縮応力層は、表面が平滑になるように研磨する精密研磨工程の研磨量によって、その厚みが変化する。好ましくは、上記精密研磨工程では、上記イオン交換層が形成された上記ガラス素板の取り代が両面で計５μｍ以下である。

好ましくは、上記情報記録媒体用ガラス基板の回転中心軸が延びる方向における長さ寸法を高さという場合において、上記情報記録媒体用ガラス基板の半径をＲ（ｍｍ）とし、径方向における位置がＲ−４．５ｍｍとなる点と上記径方向における位置がＲ−２．５ｍｍとなる点とを結ぶことにより得られる直線を基準高さとすると、上記情報記録媒体用ガラス基板のうちの半径位置がＲ−１．０ｍｍとなる円よりも径方向外側に位置する領域の高さの最大値と上記基準高さとの差が３００ｎｍ以下である。

好ましくは、上記ガラス素板を準備する工程においては、直径が２０ｎｍ以下のナノ結晶を含む結晶化ガラスを用いて作製された上記ガラス素板が準備される。

好ましくは、上記ガラス素板を準備する工程においては、スピネル系のナノ結晶を含む結晶化ガラスを用いて作製された上記ガラス素板が準備される。

好ましくは、上記情報記録媒体用ガラス基板は、０．６５０ｍｍ以下の厚さを有している。

本発明によれば、主表面の平滑な領域を従来に比して広く確保することが可能な情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を得ることができる。

実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用することによって製造されたガラス基板を備える情報記録装置を示す斜視図である。 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用することによって製造されたガラス基板を示す平面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。 図３中のＩＶ線で囲まれた領域を拡大して示す断面図である。 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用することによって製造されたガラス基板のうちの外周端面の近傍を拡大して示す断面図である。 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用することによって製造されたガラス基板のうちの主表面と外周端面とを拡大して示す断面図である。 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を使用することによって製造されたガラス基板を用いて作製された情報記録媒体を示す断面図である。 実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。 実施の形態の第１変形例における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。 実施の形態の第２変形例における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。 実施の形態の第３変形例における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を示すフローチャートである。 実験例に関する実験条件および実験結果を示す図である。 実験例に関する実験条件（ガラス基板の組成）を示す図である。

本発明に基づいた実施の形態および各実施例について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態および各実施例の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態および各実施例の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。

［実施の形態］
（情報記録装置３０）
図１を参照して、まず、情報記録装置３０について説明する。図１は、情報記録装置３０を示す斜視図である。情報記録装置３０は、情報記録媒体１０などを備えている。情報記録媒体１０は、情報記録媒体用ガラス基板１（以下、ガラス基板１という）に磁気記録層が形成されることによって作製されたものである。ガラス基板１は、本実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の製造方法（詳細は図８を参照して後述する）によって製造されたものである。

具体的には、情報記録装置３０は、情報記録媒体１０、筐体２０、ヘッドスライダー２１、サスペンション２２、アーム２３、垂直軸２４、ボイスコイル２５、ボイスコイルモーター２６、クランプ２７、および固定ネジ２８を備える。筐体２０の上面上には、スピンドルモーター（図示せず）が設置される。

情報記録媒体１０は、クランプ２７および固定ネジ２８によって、上記のスピンドルモーターに回転可能に固定される。情報記録媒体１０は、このスピンドルモーターによって、たとえば４２００ｒｐｍ〜１５０００ｒｐｍの回転数で回転駆動される。詳細は図５を参照して後述されるが、情報記録媒体１０は、ガラス基板１の両面に磁気記録層１４，１５（図５参照）がそれぞれ形成されることによって製造される。

アーム２３は、垂直軸２４の回りに揺動可能に取り付けられる。アーム２３の先端には、板バネ（片持ち梁）状の一対のサスペンション２２が取り付けられる。サスペンション２２の先端には、ヘッドスライダー２１が設けられる。一対のヘッドスライダー２１は、情報記録媒体１０をその両面から挟み込むように配置される。

アーム２３のヘッドスライダー２１が位置している側の反対側には、ボイスコイル２５が取り付けられる。ボイスコイル２５は、筐体２０上に設けられたマグネット（図示せず）によって挟持される。ボイスコイル２５およびこのマグネットにより、ボイスコイルモーター２６が構成される。ボイスコイル２５に供給される電流と上記マグネットの磁場とにより電磁力が発生し、アーム２３は、この電磁力の作用によって垂直軸２４の回りに揺動することができる。

アーム２３の揺動によって、サスペンション２２およびヘッドスライダー２１も矢印ＡＲ１方向に揺動する。上下一対のヘッドスライダー２１は、情報記録媒体１０の表面上および裏面上を、情報記録媒体１０の半径方向に往復移動する。ヘッドスライダー２１に設けられた磁気ヘッド（図示せず）はシーク動作を行なう。

当該シーク動作が行なわれる一方で、磁気ヘッドは、情報記録媒体１０の回転に伴って発生する空気流により浮揚力を受ける。当該浮揚力とサスペンション２２の弾性力（押圧力）とのバランスによって、磁気ヘッドは情報記録媒体１０の表面に対して５ｎｍ以下の浮上量で飛行（走行）する。当該飛行によって、ヘッドスライダー２１に設けられた磁気ヘッドは、情報記録媒体１０内の所定のトラックに対して情報（データ）の記録および再生を行なうことが可能となる。情報記録装置３０は、以上のように構成される。

（ガラス基板１）
図２は、本実施の形態に基づく情報記録媒体用ガラス基板の製造方法（図８）によって製造されるガラス基板１を示す平面図である。図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。図２および図３に示すように、ガラス基板１（情報記録媒体用ガラス基板）は、主表面２，３、内周端面４、孔５、外周端面６、および面取部７，８を含む、主表面２，３、内周端面４、外周端面６および面取部７，８の表層には、その全体にわたって圧縮応力層１２（図３参照）が形成されている。

孔５は、一方の主表面２から他方の主表面３に向かって貫通するように設けられる。面取部７は、主表面２と内周端面４との間、および、主表面３と内周端面４との間にそれぞれ形成される。面取部８（チャンファー部）は、主表面２と外周端面６との間、および、主表面３と外周端面６との間にそれぞれ形成される。

ガラス基板１の大きさは、たとえば０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチである。ガラス基板１の厚さＴＨ（図３）は、たとえば０．３０ｍｍ〜２．２０ｍｍであり、好ましくは０．６５０ｍｍ以下である。ガラス基板１の厚さＴＨとは、ガラス基板１の主表面２，３上の点対象となる任意の複数の点で測定した厚さの平均によって算出される値である。

図４は、図３中のＩＶ線で囲まれた領域を拡大して示す断面図である。ガラス基板１の主表面２の側に形成された圧縮応力層１２は、ガラス基板１のうち、主表面２と図４中の一点鎖線Ｌ１２との間の領域に形成された部分であり、ガラス基板１の内部において１１ｋｇ／ｍｍ^２以上の応力値を有している。圧縮応力層１２は、主表面２から０．１μｍ以上３０μｍ未満の深さＤ（深さともいう）で形成されている。

ここで言う圧縮応力層１２の深さＤとは、ガラス基板１から１．５ｍｍの長さを有する短冊形状のサンプルを切り出し、神港精機株式会社製のポーラリメーターを用いてサンプルを断面方向より観察および測定したときに得られる値である。測定原理はセナルモン法に基づくものである。なお、圧縮応力層の深さは、偏光顕微鏡等を用いて測定することもできる。

圧縮応力層１２を形成してガラス基板１を得るためには、ガラス素板の表層に含まれるリチウムイオンまたはナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンを、これらのイオンに比べて大きなイオン半径を有するカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換する。当該置換によって、主表面２の側の表層（主表面２と図４中の二点鎖線Ｌ１１との間の領域）にイオン交換層１１が形成される。

イオン半径の違いによって発生する歪みより、イオン交換層１１として形成された部分は圧縮応力が発生する。イオン交換層１１の存在によって主表面２の側の表層には内部圧縮応力が残留し、化学的に強化されることになる。イオン交換層１１の形成によって、ガラス基板１の内部において１１ｋｇ／ｍｍ^２以上の応力値を有し、且つ、主表面２から０．１μｍ以上３０μｍ未満の深さＤを有する圧縮応力層１２が形成される。

図５は、ガラス基板１のうちの外周端面６の近傍を拡大して示す断面図である。詳細は図７を参照して後述されるが、ガラス基板１の主表面２，３に磁気記録層１４，１５（図７）をそれぞれ形成することによって、情報記録媒体１０が得られる。情報記録媒体１０が情報記録装置３０（図１）に搭載され数千ｒｐｍの回転数で回転駆動されたとき、情報記録媒体１０の一部であるガラス基板１は、図５中の回転中心軸ＣＬを中心として回転する。

ここで、回転中心軸ＣＬが延びる方向（およびそれに平行な方向）における長さ寸法を、「高さ」とし、ガラス基板１の半径をＲ（ｍｍ）とする。半径Ｒは、たとえば３２．５ｍｍである。径方向における位置がＲ−４．５ｍｍとなる主表面２上の点Ｂ１と径方向における位置がＲ−２．５ｍｍとなる主表面２上の点Ｂ２とを結ぶことにより、直線ＢＬ（図６参照）が仮想的に描かれる。

図６は、ガラス基板１の主表面２と面取部８とを拡大して示す断面図である。主表面２と面取部８との間には、スキージャンプＳＪが形成されている。ガラス基板１のうちの半径位置がＲ−１．０ｍｍとなる円よりも径方向外側に位置する領域ＲＲ（図５）の中では、スキージャンプＳＪの頂部が高さの最大値Ｈを有している。本実施の形態のガラス基板１においては、直線ＢＬが基準高さを示す線であるとすると、この最大値Ｈと基準高さ（直線ＢＬ）との差は、３００ｎｍ以下とされていることが好ましい。

（情報記録媒体１０）
図７は、ガラス基板１を用いて作製された情報記録媒体１０を示す断面図である。図７に示すように、情報記録媒体１０は、ガラス基板１と、ガラス基板１の主表面２上に形成された磁気記録層１４と、ガラス基板１の主表面３上に形成された磁気記録層１５とを含む。孔５を利用して、情報記録媒体１０は筐体２０（図１参照）上に設けられたスピンドルモーター（図示せず）に固定される。

磁気記録層１４は、ガラス基板１の主表面２上の所定の領域を覆うように形成され、磁気記録層１５は、ガラス基板１の主表面３上の所定の領域を覆うように形成される。磁気記録層１４，１５は、いずれも６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有している。本実施の形態の情報記録媒体１０は、主表面２，３上にそれぞれ形成された磁気記録層１４，１５を有しているが、情報記録媒体１０は、主表面２上の磁気記録層１４のみを有していてもよく、主表面３上の磁気記録層１５のみを有していてもよい。

磁気記録層１４，１５は、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１の主表面２，３上にスピンコートすることによって形成される（スピンコート法）。磁気記録層１４，１５は、ガラス基板１の主表面２，３に対して実施されるスパッタリング法または無電解めっき法等により形成されてもよい。

磁気記録層１４，１５の膜厚は、たとえば、スピンコート法の場合は約０．３μｍ〜約１．２μｍ、スパッタリング法の場合は約０．０４μｍ〜約０．０８μｍ、無電解めっき法の場合は約０．０５μｍ〜約０．１μｍである。薄膜化および高密度化の観点からは、磁気記録層１４，１５はスパッタリング法または無電解めっき法によって形成されるとよい。

磁気記録層１４，１５に用いる磁性材料としては、高い保持力を得る目的で結晶異方性の高いＣｏを主成分とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉまたはＣｒを加えたＣｏ系合金などを付加的に用いることが好適である。磁気ヘッドの滑りをよくするために、磁気記録層１４，１５の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、たとえば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。

磁気記録層１４，１５には、必要に応じて下地層または保護層を設けてもよい。下地層は、磁性膜の種類に応じて選択される。下地層の材料としては、たとえば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、およびＮｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。下地層は、単層に限らず、同一または異種の層を積層した複数層構造としても構わない。たとえば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、または、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。

磁気記録層１４，１５の摩耗および腐食を防止する保護層としては、たとえば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、またはシリカ層が挙げられる。これらの保護層は、下地層および磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成されることができる。これらの保護層は、単層としてもよく、または、同一若しくは異種の層からなる多層構成としてもよい。

上記保護層上に、あるいは上記保護層に代えて、他の保護層を形成してもよい。たとえば、上記保護層に代えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中にコロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）層を形成してもよい。

（ガラス基板の製造方法Ｓ１）
次に、図８に示すフローチャート図を用いて、本実施の形態におけるガラス基板（情報記録媒体用ガラス基板）の製造方法Ｓ１について説明する。ガラス基板の製造方法Ｓ１は、ガラス素板準備工程Ｓ１０、切り出し成形工程Ｓ２０、ブラスト工程Ｓ３０、ラッピング工程Ｓ４０、端面研磨工程Ｓ５０、粗研磨工程Ｓ６０、圧縮応力層形成工程Ｓ７０、および洗浄工程Ｓ８０を備える。

洗浄工程Ｓ８０を経ることによって得られたガラス基板１（図２および図３）に対して、磁気記録層形成工程Ｓ２が実施される。磁気記録層形成工程Ｓ２を経ることによって、情報記録媒体１０（図５参照）が得られる。以下、ガラス基板の製造方法Ｓ１を構成する各工程Ｓ１０〜Ｓ８０の詳細について順に説明する。

（ガラス素板準備工程Ｓ１０）
まず、ガラス素板準備工程Ｓ１０においては、結晶化ガラスを用いて作製されたガラス素板を準備する。当該準備工程は、結晶化されたガラス素板のそのものを購入（調達）することにより準備するという工程であってもよく、結晶化されていないガラス素板に熱処理（結晶化処理）を施して結晶化ガラス（表面に略均質に結晶粒子が析出したガラス）を得るという工程であってもよい。

結晶化ガラスを得るためには、たとえば、ガラス素材を溶融し、溶融したガラスを平面形状の金型に流し込む。金型で溶融ガラスを挟むことによりプレス成形し、円盤状のガラス母材（前躯体）を作製する。プレス成形の後、アモルファスガラス基板（ブランクス材）をセラミック製の板で挟んで熱処理して結晶化させることにより、結晶化されたガラス素板を得ることができる。

準備する結晶化ガラスの材料としては、直径（結晶の直径）が２０ｎｍ以下のナノ結晶を含んでいることが好ましい。ここで言う結晶粒径とは、たとえば、日本電子株式会社製の透過電子顕微鏡ＪＥＭ−２０００ＦＸを用いて結晶化ガラスの結晶粒径を測定したときの値（測定数ｎ＝５０の平均値）である。準備する結晶化ガラスの材料としては、スピネル系のナノ結晶を含んでいることも好ましい。

（切り出し成形工程Ｓ２０）
切り出し成形工程Ｓ２０においては、円筒状のダイヤモンドドリルを用いてガラス素板の中心部に内孔を形成する（コアリング）。円環状のガラス素板が得られる。その後、ダイヤモンド砥石を用いてガラス素板の内周端面および外周端面を研削し、所定の面取り加工を施す（フォーミング、チャンファリング）。

（ブラスト工程Ｓ３０）
ブラスト工程Ｓ３０においては、ガラス素板の両主表面に粒子（砥粒）を吹き付ける。ガラス素板の両主表面が研削される。研削後のガラス素板の両主表面の表面粗さの平均Ｒａは、たとえば２．０μｍ程度とされる。

（ラッピング工程Ｓ４０）
ラッピング工程Ｓ４０においては、両面研磨機を用いてガラス素板の両主表面にラッピング処理を施す。ガラス素板の両主表面はさらに研削される。

（端面研磨工程Ｓ５０）
端面研磨工程Ｓ５０においては、螺旋状のブラシ毛材を有する研磨ブラシを用いて、ガラス素板の内周端面および外周端面を研磨する。研磨ブラシとガラス素板の各端面との間に研磨スラリーを供給しつつ、研磨ブラシを各端面に当接させた状態で回転させる。この方法に限られず、ガラス素板を研磨液の中に浸漬した状態で、研磨ブラシを各端面に当接させた状態で回転させてもよい。

（粗研磨工程Ｓ６０）
粗研磨工程Ｓ６０においては、内周端面および外周端面が研磨されたガラス素板の両主表面を、複数回に分けて粗く研磨する。たとえば、第１および第２粗研磨工程の２回が実施される。徐々にガラス素板の仕上がり精度を高めることにより、平滑性および平坦性の高い主表面を有するガラス素板を得ることができる。２回に分けて粗研磨を行なう場合、第１粗研磨工程は、前述のラッピング工程において両主表面に残留したキズおよび歪みを除去することを主たる目的とし、第２粗研磨工程は、両主表面を鏡面状に仕上げることを目的とする。粗研磨後、洗浄液を用いてガラス素板が洗浄される。粗研磨に用いられていた研磨スラリーは、この洗浄処理によりガラス素板の表面から除去される。

（圧縮応力層形成工程Ｓ７０）
圧縮応力層形成工程Ｓ７０は、化学強化工程Ｓ７１および精密研磨工程Ｓ７２を含む。本実施の形態においては、化学強化工程Ｓ７１が先に行なわれ、精密研磨工程Ｓ７２がその後に行なわれる。

（化学強化工程Ｓ７１）
具体的には、粗研磨および洗浄が完了したガラス素板を、３００℃〜４８０℃に予熱する。その後、ガラス素板を化学強化液中に３時間〜４時間浸漬する。化学強化液としては、たとえば硝酸カリウム（５０ｗｔ％）と硫酸ナトリウム（５０ｗｔ％）との混合液を用いることができる。

ガラス素板を化学強化液中に浸漬することによって、ガラス素板の表層に含まれるリチウムイオンまたはナトリウムイオン等のアルカリ金属イオンは、これらのイオンに比べて大きなイオン半径を有するカリウムイオン等のアルカリ金属イオンに置換される。当該置換によって、ガラス素板の表層にはイオン交換層が形成される。イオン交換層の形成に伴い、たとえば１００μｍ以下の深さを有する圧縮応力層が形成される。

（精密研磨工程Ｓ７２）
化学強化工程Ｓ７１の後、上述の粗研磨工程Ｓ６０で使用したものと同様な両面研磨機を用いて、ガラス素板の両主表面に精密研磨処理を施す。ガラス素板の両主表面は鏡面状に仕上げられる。このとき、上下面の取り代は同等にし、上下面の圧縮応力のバランスが崩れることはできるだけ避ける必要がある。

精密研磨工程Ｓ７２と上記の粗研磨工程Ｓ６０とでは、使用される研磨液（スラリー）に含有される研磨砥粒、および、使用される研磨パッドの組成が異なる。精密研磨工程Ｓ７２では、粗研磨工程Ｓ６０よりも、ガラス素板の両主表面に供給される研磨液中の研磨砥粒の粒径を小さくし、且つ、研磨パッドの硬さを柔らかくする。精密研磨工程Ｓ７２に用いられる研磨パッドとしては、たとえば軟質発泡樹脂ポリッシャーが挙げられる。

精密研磨工程Ｓ７２においては、イオン交換層が形成されたガラス素板に、取り代が両面で計５μｍ以下となる精密研磨処理を施すことが好ましい。精密研磨処理を経たガラス素板は、圧縮応力層の主表面からの深さが、片面で０．１μｍ以上３０μｍ未満となる。ガラス素材を化学強化液中に浸漬させる時間、および精密研磨工程における取り代を調整することで、片面で０．１μｍ以上３０μｍ未満の深さを有する圧縮応力層をガラス素板に形成することができる。圧縮応力層が形成されることによって、ガラス素板は良好な耐衝撃性を有することになる。

（洗浄工程Ｓ８０）
精密研磨工程Ｓ７２の後、ガラス素板にスクラブ洗浄処理が実施される。具体的には、精密研磨工程Ｓ７２で使用した研磨パッドからガラス素板を取り外した後、ガラス素板の表面に洗浄液を供給しつつ、ガラス素板の表面に対してスクラブ洗浄装置を用いてスクラブ洗浄を行なう。洗浄液としては、洗剤または純水等が用いられる。スクラブ洗浄としては、洗剤によるスクラブ洗浄と純水によるスクラブ洗浄との双方を行なってもよい。

スクラブ洗浄を行なった後に、ガラス素板に対して超音波洗浄をさらに行なってもよい。洗剤および純水によるスクラブ洗浄を行なった後に、硫酸水溶液等の薬液による超音波洗浄、純水による超音波洗浄、洗剤による超音波洗浄、ＩＰＡによる超音波洗浄、およびまたは、ＩＰＡによる蒸気乾燥等をさらに行なってもよい。

実施の形態におけるガラス基板の製造方法Ｓ１は、以上のように構成される。以上のような各工程を備えるガラス基板の製造方法Ｓ１を使用することによって、図２および図３に示すガラス基板１を得ることができる。

（磁気記録層形成工程Ｓ２）
ガラス基板１の主表面２，３（または主表面２，３のいずれか一方）上に、磁気記録層が形成される。磁気記録層は、たとえば、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系からなる保護層、およびＦ系からなる潤滑層が順次成膜されることによって形成される。磁気記録層の形成によって、図５に示す情報記録媒体１０を得ることができる。

（作用および効果）
上述のとおり、本実施の形態におけるガラス基板の製造方法Ｓ１では、結晶化ガラス製のガラス素板を用いてガラス基板１が作製される。結晶化ガラスは、アモルファスガラスに比べて硬く、且つ歪も少ない。結晶化ガラスは、アモルファスガラスに比べて耐衝撃性や耐振動性に優れるという特性を有している。仮に、アモルファスガラス製のガラス素板を用いてガラス基板を作製した場合、所定の強度を得るためには、結晶化ガラスを用いる場合に比べて厚さの厚い圧縮応力層を形成する必要がある。

冒頭で述べたとおり、ガラス基板の外周端部の付近にスキージャンプ等が形成される原因の一つには、ガラス基板に粗研磨処理を施した後に圧縮応力層を形成することが挙げられるものと考えられる。したがって、アモルファスガラス製のガラス素板を用いる場合、より厚さの厚い圧縮応力層を形成する必要があるため、結晶化ガラスを用いる場合に比べてスキージャンプも形成されやすくなると考えられる。

本実施の形態の製造方法Ｓ１を使用して製造されたガラス基板１の圧縮応力層１２は、主表面２から０．１μｍ以上３０μｍ未満の厚さで形成されている。圧縮応力層の厚さが３０μｍ以上となる場合にはスキージャンプが発生しやすくなるところ、本実施の形態の場合、イオン交換時に基板表層が膨張することは適度に抑制されており、スキージャンプの発生を抑制できる。また、圧縮応力層の厚さを０．１μｍ以上とすることにより、ガラス基板１の表層の強度を確保することが可能となる。

したがって本実施の形態のように、ガラス素板を結晶化ガラス製とし、圧縮応力層１２の厚さを主表面２から０．１μｍ以上３０μｍ未満とすることにより、耐衝撃性および耐振動性に優れ、スキージャンプの発生を抑制して主表面の平滑な領域を広く確保することが可能なガラス基板１を得ることができる。特に、磁気記録層１４，１５（図７）が６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有しており且つ磁気ヘッドの浮上量が５ｎｍ以下に設定される場合には、スキージャンプの存在は、リード／ライトの良否結果により大きく影響することになる。スキージャンプの発生を抑制できることは、リード／ライトエラーの発生を抑制できることにもつながるものである。

上述のとおり、精密研磨工程Ｓ７２（図８）においては、イオン交換層が形成されたガラス素板に、取り代が両面で計５μｍ以下となる精密研磨処理を施すことが好ましい。取り代が両面で計５μｍ以下となる精密研磨処理を施し、精密研磨後の圧縮応力層の厚さを０．１μｍ以上３０μｍ未満とする場合には、精密研磨の実施によってスキージャンプが発達することはほとんどない。

具体的には、精密研磨処理は、両面研磨機を用いて行なわれるものであり、主として主表面２，３が研磨され、面取部８が研磨されることはほとんどない。ガラス素板の表層のうち、主表面２，３の側のイオン交換層が形成されている部分は研磨され、面取部８の側のイオン交換層が形成されている部分はほとんど研磨されない。その結果、主表面２，３の側の圧縮応力層の応力分布と、面取部８の側の圧縮応力層内の応力分布との間に差が生じやすくなる。

主表面２，３の側と面取部８の側とで圧縮応力層の応力のバランスが崩れ、ガラス素材は主表面２，３の側に向かう引張力を受けて、スキージャンプが発生しやすくなる。したがって精密研磨工程Ｓ７２（図８）においては、イオン交換層が形成されたガラス素板に、取り代が両面で計５μｍ以下となる精密研磨処理を施すことが好ましい。但し、取り代を両面で計５μｍ以下とすることは、結晶化ガラスが用いられる上に、さらに、最終的な圧縮応力層の厚さが０．１μｍ以上３０μｍ未満とされることに鑑みれば、本実施の形態においては必須の要件ではない。

なお仮に、精密研磨前の状態において３０μｍ以上の厚さを有する圧縮応力層が形成されていたとする。この場合、精密研磨前の状態において、一定程度の高さを有するスキージャンプが形成されている可能性がある。しかしながら、精密研磨の実施によって精密研磨後の圧縮応力層の厚さを最終的には３０μｍ未満とするため、精密研磨の際に基板表層の応力が緩和され、応力緩和とともに基板表層の膨張も緩和される。すなわち、仮に精密研磨前の状態において一定程度の高さを有するスキージャンプが形成されていたとしても、精密研磨の実施によってスキージャンプを抑制することが可能となる。

上述のとおり、本実施の形態の製造方法Ｓ１を使用して作製されたガラス基板１は、スキージャンプＳＪ（図６参照）の高さの最大値Ｈと基準高さ（直線ＢＬ）との差が３００ｎｍ以下とされていることが好ましい。ガラス素材を化学強化液中に浸漬させる時間、および精密研磨工程における取り代などを調整することで、当該構成を実現できる。当該構成によれば、磁気記録層１４，１５の表面形状に対して磁気ヘッドは十分に追従することができ、磁気ヘッドの浮上量も安定し、リード／ライトエラーの発生をより一層抑制することが可能となる。

上述のとおり、ガラス素板準備工程Ｓ１０において準備する結晶化ガラスの材料としては、直径（結晶粒径）が２０ｎｍ以下のナノ結晶を含んでいることが好ましい。より平滑な表面粗さを有する主表面２，３を得ることが可能となる。２０ｎｍ以下のナノ結晶を含んでいることが好ましい理由は、ガラス部分と結晶部分との耐久性および強度の違いにより、ガラス部分と結晶部分との間で研磨レートに差が生じることに起因しているものと考えられる。

上述のとおり、ガラス素板準備工程Ｓ１０において準備する結晶化ガラスの材料としては、スピネル系のナノ結晶を含んでいることも好ましい。スピネル系のナノ結晶は、スキージャンプの発生をより抑制することに作用する。このことは、スピネル系のナノ結晶を含む材料は高い融点を有しているため、化学強化層を形成する際にガラスの熱膨張を抑制できることに起因しているものと考えられる。さらに、スピネル系のナノ結晶を含む材料は、結晶粒径も小さいため、より平滑な表面粗さを有する主表面２，３を得ることも可能となる。

上述のとおり、本実施の形態の製造方法Ｓ１を使用して作製されたガラス基板１の厚さＴＨ（図３）は、０．６５０ｍｍ以下であることが好ましい。板厚が０．６５０ｍｍ以下の場合には、軽量化および小型化を図ることができる。回転時にはフラッターの影響を受けやすくなるものの、本実施の形態で例示した上記の各種構成を採用することによって、リード／ライトエラーの発生を抑制できる。

（第１変形例）
図９を参照して、上述の実施の形態の第１変形例として、ガラス基板の製造方法Ｓ１Ａについて説明する。ガラス基板の製造方法Ｓ１Ａは、圧縮応力層形成工程Ｓ７０Ａを備える。圧縮応力層形成工程Ｓ７０Ａは、化学強化工程Ｓ７１、第１精密研磨工程Ｓ７２ａおよび第２精密研磨工程Ｓ７２ｂを含む。化学強化工程Ｓ７１、第１精密研磨工程Ｓ７２ａおよび第２精密研磨工程Ｓ７２ｂは、この順で実施される。

第１精密研磨工程Ｓ７２ａにおいては、たとえばＣｅを主成分とする砥粒で精密研磨処理が行なわれる。第２精密研磨工程Ｓ７２ｂにおいては、たとえばＳｉを主成分とする砥粒で精密研磨処理が行なわれる。第１精密研磨工程Ｓ７２ａおよび第２精密研磨工程Ｓ７２ｂは、第１精密研磨工程Ｓ７２ａでの取り代および第２精密研磨工程Ｓ７２ｂの取り代の合計値が両面で計５μｍ以下となるようにするとよい。その他の各工程は、上記の実施の形態におけるガラス基板の製造方法Ｓ１と同様に構成される。当該構成によっても、上記の実施の形態と略同様の作用および効果を得ることができる。

（第２変形例）
図１０を参照して、上述の実施の形態の第２変形例として、ガラス基板の製造方法Ｓ１Ｂについて説明する。ガラス基板の製造方法Ｓ１Ｂは、圧縮応力層形成工程Ｓ７０Ｂを備える。本変形例においては、精密研磨工程Ｓ７２が先に行なわれ、化学強化工程Ｓ７１がその後に行なわれる。その他の各工程は、上記の実施の形態におけるガラス基板の製造方法Ｓ１と同様に構成される。当該構成によっても、上記の実施の形態と略同様の作用および効果を得ることができる。

（第３変形例）
図１１を参照して、上述の実施の形態の第３変形例として、ガラス基板の製造方法Ｓ１Ｃについて説明する。ガラス基板の製造方法Ｓ１Ｃは、圧縮応力層形成工程Ｓ７０Ｃを備える。本変形例においては、第１精密研磨工程Ｓ７２ａ、化学強化工程Ｓ７１、および第２精密研磨工程Ｓ７２ｂが、この順で実施される。本変形例でも、第１精密研磨工程Ｓ７２ａおよび第２精密研磨工程Ｓ７２ｂは、第１精密研磨工程Ｓ７２ａでの取り代および第２精密研磨工程Ｓ７２ｂの取り代の合計値が両面で計５μｍ以下となるようにするとよい。当該構成によっても、上記の実施の形態と略同様の作用および効果を得ることができる。

［実験例］
図１２および図１３を参照して、上述の実施の形態および各変形例に関して行なった実験例およびその結果について説明する。当該実験例は、実施例１〜６および比較例１〜７を含む。

実施例１〜６および比較例１〜７のそれぞれの構成は、次の点で異なっている。すなわち図１２に示すように、全体的な製造工程、ガラス素板準備工程Ｓ１０で準備した結晶化ガラスの組成（図１３参照、値はいずれもｍｏｌ％）、結晶種、結晶直径（ｎｍ）、化学強化工程Ｓ７１の後に実施した精密研磨工程Ｓ７２の取り代（μｍ）、圧縮応力層の深さ（μｍ）、ガラス基板の厚さ（ｍｍ）、スキージャンプの高さ（ｎｍ）、および、ガラス基板の主表面のうちの１μｍ^２の測定範囲における表面粗さＲａ（Å）が異なっている。

これらの構成のうち、製造工程については、上述の実施の形態（図８）および各変形例（図９〜図１１）で説明した構成のうちのいずれを採用したかを図１２中に記載している。結晶種については、Ｒｉｇａｋｕ社製のＸＲＤ装置（Ｘ線回折装置）「Ｕｌｔｉｍａ ＩＶ」を用いて、回折強度のピークから結晶化処理で発生させた結晶種を確認したものである。結晶直径については、日本電子株式会社製の透過電子顕微鏡ＪＥＭ−２０００ＦＸを用いて結晶化ガラスの結晶直径を測定することにより得られた値（測定数ｎ＝１０の平均値）である。

化学強化工程Ｓ７１の後に実施した精密研磨工程Ｓ７２の取り代（μｍ）については、研磨処理前後のガラス基板の板厚をミツトヨ社製のマイクロメーター「ＭＤＣ−２５ＭＪ」で測定することにより得られた値である。圧縮応力層深さ（μｍ）については、ガラス基板から１．５ｍｍの長さを有する短冊形状のサンプルを切り出し、神港精機株式会社製のポーラリメーター「ＳＦ−IIＣ」を用いてサンプルを断面方向より観察および測定したときに得られた値である。このときの測定原理はセナルモン法に基づくものである。

スキージャンプ高さ（ｎｍ）については、株式会社ミツトヨ製の小形表面粗さ測定機サーフテスト「ＳＪ−３０１」で測定することにより得られた値（測定数ｎ＝１０の平均値）である。１μｍ^２の測定範囲における表面粗さＲａ（Å）については、Ｖｅｅｃｏ社製のＡＦＭを用いて１μｍ×１μｍの範囲における基板表面の算術平均粗さＲａを測定することにより得られた値（測定数ｎ＝１０の平均値）である。

実施例１〜６および比較例１〜７のそれぞれの構成に基づく製造方法を使用してガラス基板を作製し、ガラス基板にＣｏ−Ｃｒ合金で磁気記録層を成膜して情報記録媒体を作製し、情報記録装置（磁気ディスク）に組み込んだ後、ＨＤＤテストおよび落下試験を行なった。

ＨＤＤテストでは、情報記録装置を１５０００ｒｐｍで動作させ、読み取りエラーが発生した回数で評価した。各実施例および各比較例のそれぞれについてサンプル数ｎを１００枚としてエラー発生回数の平均値を算出し、平均値に基づき評価した。エラー発生回数の平均値が０〜２回の場合には評価Ｓとし、３〜５回の場合には評価Ａとし、６回〜１０回の場合には評価Ｂとし、１１回以上の場合には評価Ｃとした。

落下試験では、情報記録装置を落下させて情報記録装置に１２００Ｇの衝撃を加え、情報記録装置から情報記録媒体を取りだした際に、ガラス基板に割れや欠損がないかで判断した。各実施例および各比較例のそれぞれについてｎ＝１００回の落下試験での評価を行ない、ガラス基板に割れや欠損がない場合を合格とし、各実施例および各比較例のそれぞれについて合格率を算出した。なお、落下試験ｎ＝１００回の途中に基板が割れた場合は、磁気ディスクを新品に交換して試験を続行した。落下衝撃の合格基準は９０％以上とした。

（実施例１〜６）
実施例１〜６のそれぞれのガラス基板の製造方法は、次のとおりである。製造工程については、実施例１〜３，５，６では上述の第２変形例（図１０中のガラス基板の製造方法Ｓ１Ｂ）で説明した構成を採用し、実施例４では上述の実施の形態（図８中のガラス基板の製造方法Ｓ１）で説明した構成を採用した。

ガラス素板準備工程Ｓ１０で準備した結晶化ガラスの組成については、実施例１〜６のいずれも図１３中に示すものとし、結晶種についてはいずれも図１２中に示すようにスピネル系のＭｇＡｌ_２Ｏ_４（図１２参照）とした。結晶粒径については、実施例１〜４，６では１０ｎｍとし、実施例５では１８ｎｍとした。実施例４では、化学強化工程Ｓ７１の後に精密研磨工程Ｓ７２を実施しており、取り代は両面で計３μｍとした。

実施例１〜６の各製造方法を使用して得られたガラス基板１は、図１２中に示す圧縮応力層深さ（μｍ）と、図１２中に示すガラス基板の厚さ（ｍｍ）と、図１２中に示すスキージャンプ高さ（ｎｍ）と、表面粗さＲａ（Å）とをそれぞれ有するものであった。

ＨＤＤテストの結果としては、実施例１，２では評価Ｓが得られ、実施例３〜６では評価Ａが得られた。落下試験の結果としては、実施例１〜６のいずれもが合格基準である９０％以上を満足することができた。

（比較例１〜７）
比較例１〜７のそれぞれのガラス基板の製造方法は、次のとおりである。製造工程については、比較例１，２，４〜６では上述の第２変形例（図１０中のガラス基板の製造方法Ｓ１Ｂ）で説明した構成を採用し、比較例３，７では上述の実施の形態（図８中のガラス基板の製造方法Ｓ１）で説明した構成を採用した。

ガラス素板準備工程Ｓ１０で準備した結晶化ガラスの組成については、比較例１〜７のいずれも図１３中に示すものとし、比較例１〜５，７は上述の実施例１〜６と同様であり、比較例６についてはこれらと異なるものとした。結晶種については比較例１〜５，７のいずれもスピネル系のＭｇＡｌ_２Ｏ_４（図１２参照）とし、比較例６についてはＬｉ_２ＳｉＯ_５とした。結晶粒径については、比較例１〜３，７では１０ｎｍとし、比較例４では２３ｎｍとし、比較例６では３５ｎｍとした。なお、比較例６では結晶化ガラスを用いていない。比較例３，７では、化学強化工程Ｓ７１の後に精密研磨工程Ｓ７２を実施しており、取り代は両面で計６μｍとした。

比較例１〜７の各製造方法を使用して得られたガラス基板１は、図１２中に示す圧縮応力層深さ（μｍ）と、図１２中に示すガラス基板の厚さ（ｍｍ）と、図１２中に示すスキージャンプ高さ（ｎｍ）と、表面粗さＲａ（Å）とをそれぞれ有するものであった。なお、比較例１においてはガラス基板に圧縮応力層が形成されていないため、０μｍとしている。

ＨＤＤテストの結果としては、比較例１では評価Ａが得られ、比較例２〜６では評価Ｂが得られ、比較例７では評価Ｃが得られた。落下試験の結果としては、比較例１は合格基準である９０％以上を満足することができず、比較例２〜７は合格基準である９０％以上を満足することができた。

比較例１では、ガラス基板の表層に圧縮応力が形成されていないため、落下強度を確保することができなかったものと考えられる。比較例２では、圧縮応力層が３０μｍよりも厚いため、スキージャンプ高さが高くなり、ＨＤＤテストでエラーが多発したものと考えられる。比較例３では、化学強化工程後の精密研磨の取り代が大きすぎたため、スキージャンプが大きくなり、ＨＤＤテストでエラーが多発したものと考えられる。

比較例４では、結晶の直径が大きすぎたため、表面粗さが粗くなり、ＨＤＤテストでエラーが多発したものと考えられる。比較例５では、結晶化ガラスが用いられていないため、スキージャンプ高さが高くなり、ＨＤＤテストでエラーが多発したものと考えられる。比較例６では、結晶種を変更したが、スキージャンプが大きくなり、表面粗さも粗くなり、ＨＤＤテストでエラーが多発したものと考えられる。比較例７では、比較例３と同条件でサンプルを作製したものの、板厚が０．６３５ｍｍと薄いため、ＨＤＤテストでエラーが多発したものと考えられる。

以上、本発明に基づいた実施の形態および各実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および各実施例はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 情報記録媒体用ガラス基板（ガラス基板）、２，３ 主表面、４ 内周端面、５ 孔、６ 外周端面、７，８ 面取部、１０ 情報記録媒体、１１ イオン交換層、１２ 圧縮応力層、１４，１５ 磁気記録層、２０ 筐体、２１ ヘッドスライダー、２２ サスペンション、２３ アーム、２４ 垂直軸、２５ ボイスコイル、２６ ボイスコイルモーター、２７ クランプ、２８ 固定ネジ、３０ 情報記録装置、ＣＬ 回転中心軸、Ｈ 最大値（最大高さ）、Ｒ 半径、ＲＲ 領域、Ｒａ 平均、Ｓ１，Ｓ１Ａ，Ｓ１Ｂ，Ｓ１Ｃ 製造方法、Ｓ２ 磁気記録層形成工程、Ｓ１０ ガラス素板準備工程、Ｓ２０ 成形工程、Ｓ３０ ブラスト工程、Ｓ４０ ラッピング工程、Ｓ５０ 端面研磨工程、Ｓ６０ 粗研磨工程、Ｓ７０，Ｓ７０Ａ，Ｓ７０Ｂ，Ｓ７０Ｃ 圧縮応力層形成工程、Ｓ７１ 化学強化工程、Ｓ７２ａ 第１精密研磨工程、Ｓ７２ｂ 第２精密研磨工程、Ｓ７２ 精密研磨工程、Ｓ８０ 洗浄工程、ＳＪ スキージャンプ、ＴＨ 厚さ。

Claims (7)

1. ６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有し磁気ヘッドの浮上量が５ｎｍ以下に設定される情報記録媒体の作製に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
   結晶化ガラスを用いて作製されたガラス素板を準備する工程と、
   前記ガラス素板に粗研磨処理を施す工程と、
   前記粗研磨処理が施された前記ガラス素板に、主表面から０．１μｍ以上３０μｍ未満の深さを有する圧縮応力層を形成する工程と、を備える、
   情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
2. 前記圧縮応力層は、前記ガラス素板の表層にイオン交換層を形成する工程によって形成され、形成された前記圧縮応力層は、表面が平滑になるように研磨する精密研磨工程の研磨量によって、その厚みが変化する、
   請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
3. 前記精密研磨工程では、前記イオン交換層が形成された前記ガラス素板の取り代が両面で計５μｍ以下である、
   請求項２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
4. 前記情報記録媒体用ガラス基板の回転中心軸が延びる方向における長さ寸法を高さという場合において、前記情報記録媒体用ガラス基板の半径をＲ（ｍｍ）とし、径方向における位置がＲ−４．５ｍｍとなる点と前記径方向における位置がＲ−２．５ｍｍとなる点とを結ぶことにより得られる直線を基準高さとすると、前記情報記録媒体用ガラス基板のうちの半径位置がＲ−１．０ｍｍとなる円よりも径方向外側に位置する領域の高さの最大値と前記基準高さとの差が３００ｎｍ以下である、
   請求項１から３のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
5. 前記ガラス素板を準備する工程においては、直径が２０ｎｍ以下のナノ結晶を含む結晶化ガラスを用いて作製された前記ガラス素板が準備される、
   請求項１から４のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
6. 前記ガラス素板を準備する工程においては、スピネル系のナノ結晶を含む結晶化ガラスを用いて作製された前記ガラス素板が準備される、
   請求項１から５のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
7. 前記情報記録媒体用ガラス基板は、０．６５０ｍｍ以下の厚さを有している、
   請求項１から６のいずれかに記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。

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