JP2015011127A - 観察装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る観察装置1の構成例の概略を示す。図1に示すように、観察装置1は、本体部100と、外光の入らない暗い場所に挿入されるように構成されている挿入部200とを備える。観察装置1は、挿入部200の先端から照明光を照射しながら被写体を撮像する、暗部観察のための装置である。
波長440nmの光強度は636μW、
波長530nmの光強度は789μW、
波長590nmの光強度は1053μW、
波長640nmの光強度は2368μW
となる。
波長440nmの光強度は25μW、
波長530nmの光強度は47μW、
波長590nmの光強度は937μW、
波長640nmの光強度は2226μW
であり、各波の合計の光強度は3236μWとなる。
波長440nmの光強度は70μW、
波長530nmの光強度は703μW、
波長590nmの光強度は526μW、
波長640nmの光強度は379μW
であり、各波の合計の光強度は1678μWとなる。
波長440nmの光強度は572μW、
波長530nmの光強度は134μW、
波長590nmの光強度は42μW、
波長640nmの光強度は166μW
であり、各波の合計の光強度は914μWとなる。
(25[μW]×231[mA/W]
+47[μW]×300[mA/W]
+937[μW]×346[mA/W]
+2226[μW]×384[mA/W])×0.01
=12.0μA
となる。
(70[μW]×231[mA/W]
+703[μW]×300[mA/W]
+526[μW]×346[mA/W]
+379[μW]×384[mA/W])×0.01
=5.5μA
となる。
(572[μW]×231[mA/W]
+134[μW]×300[mA/W]
+42[μW]×346[mA/W]
+166[μW]×384[mA/W])×0.01
=2.5μA
となる。
第1の算出方法において、光源特徴値算出部112が算出する第2の特徴値は、レーザ光源120の各光源の出力を現在の何倍にするかを表す倍率を算出するための倍率算出値である。
5.0/2.5=2.0[倍]
と算出される。第2の半導体レーザ光源122に係る第2の補正倍率は、
5.0/5.5=0.90[倍]
と算出される。第3の半導体レーザ光源123に係る第3の補正倍率は、
5.0/8.75=0.57[倍]
と算出される。第4の半導体レーザ光源124に係る第4の補正倍率は、
5.0/12.0=0.42[倍]
と算出される。
100[mW]×2.0=200[mW]
と決定される。第2の半導体レーザ光源122の出力値は、
100[mW]×0.90=90[mW]
と決定される。第1の半導体レーザ光源121の出力値は、
100[mW]×0.57=57[mW]
と決定される。第1の半導体レーザ光源121の出力値は、
100[mW]×0.42=42[mW]
と決定される。このように、調整後の出力値をL2、調整前の出力値をL1、基準値をS、第2の特徴値をC2としたときに、調整後の出力値L2は、
L2=L1×S/C2
で表される。
R画素平均強度は5.7μA、
G画素平均強度は3.9μA、
B画素平均強度は3.3μA
となり、適正量に近づく。
第1の半導体レーザ光源121の光量は309mW、
第2の半導体レーザ光源122の光量は138mW、
第3の半導体レーザ光源123の光量は57mW、
第4の半導体レーザ光源124の光量は34mW
となる。このとき、
R画素平均強度は5.1μA、
G画素平均強度は4.9μA、
B画素平均強度は4.9μA
となり、何れも基準値116である5μAに近い適正量となる。
第2の算出方法について説明する。標準的な白色光を透過させたときのカラーフィルタを透過する光の色みを代表する波長をドミナント波長と称する。図3に示す光学特性を有するカラーフィルタ224では、青色フィルタのドミナント波長であるB画素ドミナント波長は470nmである。同様に、緑色フィルタのドミナント波長であるG画素ドミナント波長は555nmであり、赤色フィルタのドミナント波長であるR画素ドミナント波長は605nmである。上述のとおり、第1の特徴値であるR画素平均強度は12.0μAであり、G画素平均強度は5.5μAであり、B画素平均強度は2.5μAであるとき、これらの値をドミナント波長を用いて図示すると図11のように表される。
CLS=(CCFG−CCFB)/(λCFG−λCFB)×λLS
+CCFG−(CCFG−CCFB)/(λCFG−λCFB)×λCFG
である。G画素の平均信号強度とR画素の平均信号強度とに基づいて得られた直線関係を表す関数においては、
CLS=(CCFR−CCFG)/(λCFR−λCFG)×λLS
+CCFR−(CCFR−CCFG)/(λCFR−λCFG)×λCFR
である。
CLS=0.036×λLS−14.3
と表される。G画素の平均信号強度とR画素の平均信号強度とに基づいて得られた直線関係を表す関数は、
CLS=0.129×λLS−66.0
と表される。
0.036×440−14.3=1.54[μA]
となる。第2の半導体レーザ光源122については、
0.036×530−14.3=4.78[μA]
となる。第3の半導体レーザ光源123については、
0.129×590−66.0=10.1[μA]
となる。第4の半導体レーザ光源124については、
0.129×640−66.0=16.6[μA]
となる。光源特徴値算出部112は、ステップS105において、このような平均信号強度CLSを第2の特徴値として算出する。この第2の特徴値は、各光源の出力の補正に関する特徴を示す値である。光源特徴値算出部112は、算出した第2の特徴値を光量決定部113に送信する。
5.0/1.54=3.5[倍]
と算出される。第2の半導体レーザ光源122に係る補正倍率は、
5.0/4.78=1.1[倍]
と算出される。第3の半導体レーザ光源123に係る補正倍率は、
5.0/10.1=0.5[倍]
と算出される。第4の半導体レーザ光源124に係る補正倍率は、
5.0/16.6=0.3[倍]
と算出される。
100[mW]×3.5=350[mW]
と決定される。第2の半導体レーザ光源122の光量は、
100[mW]×1.1=110[mW]
と決定される。第3の半導体レーザ光源123の光量は、
100[mW]×0.5=50[mW]
と決定される。第4の半導体レーザ光源124の光量は、
100[mW]×0.3=30[mW]
と決定される。
R画素平均強度は4.6μA、
G画素平均強度は4.2μA、
B画素平均強度は5.3μA
となる。すなわち、何れの値も基準値116である5μAに近い適正量となる。
第2の実施形態について説明する。ここでは、第1の実施形態との相違点について説明し、同一の部分については、同一の符号を付してその説明を省略する。第1の実施形態では、第1の特徴値であるR画素平均強度、G画素平均強度及びB画素平均強度が、撮像素子222のダイナミックレンジの平均値となるように調整されている。これに対して本実施形態では、カラーフィルタ224の各色のフィルタを透過した光量を、色すなわち波長領域に関わらず同値とするように調整する。このため、本実施形態では、光源特徴値算出部112における演算が第1の実施形態の場合と異なる。
R画素平均強度は12.0μA、
G画素平均強度は5.5μA、
B画素平均強度は2.5μA
となる。この第1の特徴値を取得した光源特徴値算出部112は、各光源の現在の出力に対する倍率に係る第2の特徴値を算出し、光量決定部113に送信する。光量決定部113は、第2の特徴値に基づいてレーザ光源120の出力値を算出する。本実施形態で光源特徴値算出部112及び光量決定部113において行われる演算について説明する。
R画素のドミナント波長における感度は357mA/W、
G画素のドミナント波長における感度は319mA/W、
B画素のドミナント波長における感度は254mA/W
である。
12.0[μA]/357[mA/W]/0.01=3356[μW]
となる。G画素の平均光量推定値は、
5.5[μA]/319[mA/W]/0.01=1738[μW]
となる。B画素の平均光量推定値は、
2.5[μA]/254[mA/W]/0.01=987[μW]
となる。
Li1=C1/KD/t
によって算出される。
5.0[μA]/319[mA/W]/0.01=1568[μW]
となる。
R1=Rcenter/KD/t
によって算出される。
1568[μW]/3356[μW]=0.47[倍]
となる。G画素については
1568[μW]/1738[μW]=0.90[倍]
となる。B画素については
1568[μW]/987[μW]=1.6[倍]
となる。
100[mW]×1.6=160[mW]
とする。第2の半導体レーザ光源122の出力は、
100[mW]×0.90=90[mW]
とする。第3の半導体レーザ光源123の出力は、
100[mW]×1.3=130[mW]
とする。第4の半導体レーザ光源124の出力は、
100[mW]×0.47=47[mW]
とする。
R画素平均強度は6.4μA、
G画素平均強度は4.1μA、
B画素平均強度は2.9μA
となる。このように、R画素平均強度、G画素平均強度及びB画素平均強度のそれぞれは、基準値116である5.0μAに近づく。
R画素平均強度は5.8μA、
G画素平均強度は4.8μA、
B画素平均強度は3.9μA
となり、何れも基準値116の5.0μAに近い適正量となる。
第3の実施形態について説明する。ここでは、第1の実施形態との相違点について説明し、同一の部分については、同一の符号を付してその説明を省略する。第1の実施形態では、第1の特徴値であるR画素平均強度、G画素平均強度及びB画素平均強度が、撮像素子222のダイナミックレンジの平均値となるように調整されている。これに対して本実施形態では、第1の特徴値に基づいてテーブル検索が行われ、各光源の光量比が調整される。ここで、人間の眼において感度が高い緑色を基準として各光源の光量が決定される。
R画素平均強度は12.0μA、
G画素平均強度は5.5μA、
B画素平均強度は2.5μA
となる。
R画素平均強度/G画素平均強度=2.2倍、
B画素平均強度/G画素平均強度=0.45倍
のようになる。
E×5.0/5.5[倍]
とし、第2の半導体レーザ光源の出力値の倍率を
F×5.0/5.5[倍]
とし、第3の半導体レーザ光源の出力値の倍率を
G×5.0/5.5[倍]
とし、第4の半導体レーザ光源の出力値の倍率を
H×5.0/5.5[倍]
とする。光源特徴値算出部112は、これらの出力値の倍率を第2の特徴値として、光量決定部113に出力する。光量決定部113は、これら出力値の倍率に基づいて、レーザ光源120に含まれる各光源の出力値を決定し、その出力値を光源制御部140に出力する。
Claims (16)
- 所定の波長領域である感度領域に含まれる光を受光したときに光電変換を行って第1の信号を生成する素子であって、前記感度領域が互いに異なる複数種類の前記素子を含み、被写体像に基づく前記第1の信号を含む画像データを生成する撮像部と、
互いに波長が異なる狭スペクトル光を射出する複数の光源を含む光源部であって、前記撮像部に含まれる前記複数種類の素子の何れの前記感度領域にも、それぞれ少なくとも1つの前記狭スペクトル光の波長が含まれるように前記狭スペクトル光の波長が設定されている前記光源部と、
前記複数種類の素子の何れもが高い機能を発揮するように、前記複数の光源の各々の光量を個別に調整する光量調整部と、
前記画像データに基づいて、カラー画像を表す表示データを生成する画像処理部と
を具備する観察装置。 - 前記光量調整部は、
前記第1の信号の特徴を示す第1の特徴値を算出する第1の特徴値算出部と、
前記複数種類の素子の何れもが高い機能を発揮するような前記第1の特徴値となるように、前記光量を決定する光量決定部と、
を含む、請求項1に記載の観察装置。 - 前記画像処理部は、前記画像データと前記光量とに基づいて、前記表示データを生成する、請求項2に記載の観察装置。
- 前記光源部に含まれる前記複数の光源のうち少なくとも1つはレーザ光源である、請求項2又は3に記載の観察装置。
- 前記光量調整部は、時間的に連続して前記光量の調整を行う、請求項2乃至4のうち何れか1項に記載の観察装置。
- 前記光量調整部は、
前記第1の特徴値に基づいて、前記複数の光源の各々の出力補正に関する特徴を示す第2の特徴値を算出する第2の特徴値算出部と、
前記素子の前記機能に関わる基準値を記憶する記憶部と、
をさらに含み、
前記光量決定部は、調整前の前記光量をL1、調整後の前記光量をL2、前記基準値をS、前記第2の特徴値をC2としたときに、前記L2を
L2=L1×S/C2
によって算出する、
請求項2乃至5のうち何れか1項に記載の観察装置。 - 前記感度領域毎に前記感度領域が同一である前記素子を素子群としたときに、
前記第1の特徴値は、前記素子群に含まれる素子が生成した前記第1の信号の平均値の0.5倍以上1.5倍以下の値であり、
前記基準値は、前記素子が有する出力信号のダイナミックレンジの中心値の0.5倍以上1.5倍以下の値である、
請求項6に記載の観察装置。 - 前記複数の光源は、
前記狭スペクトル光の波長が1つの前記感度領域のみに含まれる第1の光源群と、
前記狭スペクトル光の波長が2つ以上の前記感度領域に含まれる第2の光源群と、
を含み、
前記第1の光源群に対応する前記第2の特徴値は、前記光源が射出する前記狭スペクトル光の波長を含む前記感度領域を有する前記素子群に係る前記第1の特徴値であり、
前記第2の光源群に対応する前記第2の特徴値は、前記光源が射出する前記狭スペクトル光の波長を含む前記感度領域を有する前記素子群に係る2つ以上の前記第1の特徴値の平均値である、
請求項7に記載の観察装置。 - 前記複数種類の前記素子は、前記波長領域毎にドミナント波長を有しており、
注目する前記光源が射出する前記狭スペクトル光の波長に対して、最も近い前記ドミナント波長をλCF1とし、2番目に近い前記ドミナント波長をλCF2とし、
前記最も近いドミナント波長に対応する前記第1の特徴値をCCF1とし、
前記2番目に近いドミナント波長に対応する前記第1の特徴値をCCF2とし、
前記注目する前記光源が射出する前記狭スペクトル光の波長をλLSとし、
前記注目する前記光源に関する前記第2の特徴値をCLSとしたときに、
CLS=(CCF1−CCF2)/(λCF1−λCF2)×λLS
+CCF1−(CCF1−CCF2)/(λCF1−λCF2)×λCF1
である、
請求項6又は7に記載の観察装置。 - 前記光量調整部は、
前記第1の特徴値に基づいて、前記複数の光源の各々の出力補正に関する特徴を示す第2の特徴値を算出する第2の特徴値算出部と、
前記素子の前記機能に関わる基準値を記憶する記憶部と、
をさらに含み、
前記感度領域毎に前記感度領域が同一である前記素子を素子群としたときに、
前記第1の特徴値は、前記素子群に含まれる素子が生成した前記第1の信号の平均値の0.5倍以上1.5倍以下の値であり、
前記素子群に入射する光量の平均の推定値である平均光量推定値をLi1とし、前記第1の特徴値をC1とし、前記素子群の前記感度領域に含まれるドミナント波長における前記素子の感度をKDとし、露光時間をtとしたときに、前記Li1は、
Li1=C1/KD/t
によって算出され、
前記基準値は、前記素子が有する出力信号のダイナミックレンジの中心値をRcenterとし、前記素子群に含まれる前記素子が正確に光電変換できる受光量の範囲の中心値をR1としたときに、
R1=Rcenter/KD/t
で算出される前記R1の0.5倍以上1.5倍以下であり、
第2の特徴値算出部は、R1/Li1に基づいて、前記第2の特徴値を算出し、
前記光量決定部は、前記第2の特徴値に基づいて、前記光量を個別に調整する、
請求項2乃至5のうち何れか1項に記載の観察装置。 - 前記複数の光源は、
前記狭スペクトル光の波長が1つの前記感度領域のみに含まれる第1の光源群と、
前記狭スペクトル光の波長が2つ以上の前記感度領域に含まれる第2の光源群と、
を含み、
前記第1の光源群に対応する前記第2の特徴値は、前記光源が射出する前記狭スペクトル光の波長を含む前記感度領域を有する前記素子に係る前記R1/Li1であり、
前記第2の光源群に対応する前記第2の特徴値は、前記光源が射出する前記狭スペクトル光の波長を含む前記感度領域を有する前記素子に係る2つ以上の前記R1/Li1の平均値である、
請求項10に記載の観察装置。 - 前記光量調整部は、前記第1の特徴値に対応した前記光源の光量に関する値が記録された光量決定テーブルをさらに含み、
前記光量決定部は、前記第1の特徴値と前記光量決定テーブルとに基づいて、前記光量を決定する、
請求項2乃至5のうち何れか1項に記載の観察装置。 - 前記光量調整部は、
前記光源間の光量の比を変更する光量比変更動作と、
前記光源間の光量の比を変更せずに全ての光源の光量を一様に変更する全体光量変更動作と
を行い、
前記全体光量変更動作の頻度は、前記光量変更動作の頻度よりも高い、
請求項5に記載の観察装置。 - 前記第1の特徴値が所定値以下のとき、前記光量決定部は、前記光源の光量を上限に決定する、請求項5に記載の観察装置。
- 全ての前記光源の光量が上限であるとき、前記射出される狭スペクトル光の混合光は、白色である、請求項14に記載の観察装置。
- 前記光源部が射出する狭スペクトル光の波長数は4以上である、請求項5に記載の観察装置。
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