JP2015005890A - Crystal device - Google Patents
Crystal device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015005890A JP2015005890A JP2013130219A JP2013130219A JP2015005890A JP 2015005890 A JP2015005890 A JP 2015005890A JP 2013130219 A JP2013130219 A JP 2013130219A JP 2013130219 A JP2013130219 A JP 2013130219A JP 2015005890 A JP2015005890 A JP 2015005890A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal element
- lid
- substrate
- frame
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、例えば電子機器等に用いられる水晶デバイスに関するものである。 The present invention relates to a crystal device used in, for example, an electronic apparatus.
水晶デバイスは、水晶素子の圧電効果を利用して、特定の周波数を発生させるものである。例えば、基板と枠体とで構成されたパッケージと、基板の上面に設けられた電極パッドに導電性接着剤を介して実装された水晶素子と、枠体の上面に接合部材を介して接合され、水晶素子を気密封止するための蓋体と、を備えた水晶振動子が提案されている(例えば、下記特許文献1参照)。接合部材は、ガラスが用いられ、熱を印加することで、蓋体と枠体の上面とを接合することができる。
The crystal device generates a specific frequency by using the piezoelectric effect of the crystal element. For example, a package composed of a substrate and a frame, a crystal element mounted on an electrode pad provided on the upper surface of the substrate via a conductive adhesive, and a bonding member bonded to the upper surface of the frame A crystal resonator including a lid for hermetically sealing a crystal element has been proposed (see, for example,
上述した水晶デバイスは、製品が小型化することに伴い、蓋体と接合部材との接合面積も縮小されるため、蓋体と接合部材との接合強度が低下することで、水晶素子の気密性を維持することができない虞があった。 As the crystal device described above is reduced in size, the bonding area between the lid and the bonding member is also reduced, so that the bonding strength between the lid and the bonding member is reduced, so that the airtightness of the crystal element is reduced. There was a possibility that it could not be maintained.
本発明は前記課題に鑑みてなされたものであり、蓋体と接合部材との接合強度を維持し、水晶素子の気密封止性を維持することが可能な水晶デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and has an object to provide a crystal device capable of maintaining the bonding strength between the lid and the bonding member and maintaining the hermetic sealing performance of the crystal element. To do.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、基板と、基板上に設けられた枠体と、基板上であって枠体内に導電性接着剤を用いて実装された水晶素子と、枠体上に接合部材を介して設けられ、水晶素子を封止する蓋体と、を備え、蓋体には、平面視して枠体と重なる箇所に切れ込み部が設けられており、切れ込み部内にまで接合部材が被着していることを特徴とするものである。 A crystal device according to one aspect of the present invention includes a substrate, a frame provided on the substrate, a crystal element mounted on the substrate using a conductive adhesive, and a frame. And a lid that seals the crystal element, and the lid is provided with a notch at a position overlapping the frame when seen in plan view, and the joining member extends into the notch. It is characterized by being attached.
本発明の一つの態様による水晶デバイスは、蓋体と枠体とを接合部材にて接合する際に、蓋体の切れ込み部内にも接合部材が設けられる。よって、水晶デバイスは、接合部材と蓋体との接合面積を大きくすることができるので、蓋体と接合部材との接合強度を維持し、水晶素子の気密封止性を維持することができる。 In the crystal device according to one aspect of the present invention, when the lid body and the frame body are joined by the joining member, the joining member is also provided in the cut portion of the lid body. Therefore, since the crystal device can increase the bonding area between the bonding member and the lid, the bonding strength between the lid and the bonding member can be maintained, and the hermetic sealing property of the crystal element can be maintained.
本実施形態における水晶デバイスは、図1〜図3に示されているように、パッケージ110と、パッケージ110の上面に接合された水晶素子120と、パッケージ110の上面に接合された蓋体130とを含んでいる。パッケージ110には、基板110aの上面と枠体110bの内側面によって囲まれた凹部Kが形成されている。このような水晶デバイスは、電子機器等で使用する基準信号を出力するのに用いられる。
As shown in FIGS. 1 to 3, the crystal device according to the present embodiment includes a
基板110aは、矩形状であり、上面で実装された水晶素子120を実装するための実装部材として機能するものである。基板110aは、上面に、水晶素子120を接合するための電極パッド111が設けられている。
The substrate 110a has a rectangular shape and functions as a mounting member for mounting the
基板110aは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料である絶縁層からなる。基板110aは、絶縁層を一層用いたものであっても、絶縁層を複数層積層したものであってもよい。基板110aの表面及び内部には、上面に設けられた電極パッド111と、基板110aの下面に設けられた外部端子Gとを電気的に接続するための配線パターン及びビア導体が設けられている。 The substrate 110a is made of an insulating layer made of a ceramic material such as alumina ceramic or glass-ceramic. The substrate 110a may be one using an insulating layer or may be a laminate of a plurality of insulating layers. On the surface and inside of the substrate 110a, there are provided wiring patterns and via conductors for electrically connecting the electrode pads 111 provided on the upper surface and the external terminals G provided on the lower surface of the substrate 110a.
枠体110bは、基板110aの上面に配置され、基板110aの上面に凹部Kを形成するためのものである。枠体110bは、例えばアルミナセラミックス又はガラス−セラミックス等のセラミック材料からなり、基板110aと一体的に形成されている。 The frame 110b is disposed on the upper surface of the substrate 110a, and is for forming the recess K on the upper surface of the substrate 110a. The frame 110b is made of a ceramic material such as alumina ceramics or glass-ceramics, and is formed integrally with the substrate 110a.
ここでパッケージ110を平面視したときの一辺の寸法が、1.0〜3.0mmであり、パッケージ110の上下方向の寸法が、0.7〜1.5mmである場合を例にして、凹部Kの大きさを説明する。凹部Kの長辺の長さは、0.5〜0.7mmであり、短辺の長さは、0.2〜0.4mmとなっている。凹部Kの上下方向の長さは、0.2〜0.5mmとなっている。
Here, when the
また、基板110aの下面の四隅には、外部端子Gが設けられている。外部端子Gの内の二つの端子は、基板110aの上面に設けられた電極パッド111と電気的に接続されている。また、電極パッド111と電気的に接続されている外部端子Gは、基板110aの下面の対角に位置するように設けられている。 In addition, external terminals G are provided at the four corners of the lower surface of the substrate 110a. Two of the external terminals G are electrically connected to an electrode pad 111 provided on the upper surface of the substrate 110a. Further, the external terminals G that are electrically connected to the electrode pads 111 are provided so as to be located diagonally on the lower surface of the substrate 110a.
電極パッド111は、水晶素子120を実装するためのものである。電極パッド111は、基板110aの上面に一対で設けられており、基板110aの一辺に沿うように隣接して設けられている。電極パッド111は、基板110aに設けられた配線パターン及びビア導体を介して、基板110aの下面に設けられた外部端子Gと電気的に接続されている。
The electrode pad 111 is for mounting the
ここで、パッケージ110の作製方法について説明する。基板110a及び枠体110bがアルミナセラミックスから成る場合、まず所定のセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して得た複数のセラミックグリーンシートを準備する。また、セラミックグリーンシートの表面或いはセラミックグリーンシートに打ち抜き等を施して予め穿設しておいた貫通孔内に、従来周知のスクリーン印刷等によって所定の導体ペーストを塗布する。さらに、これらのグリーンシートを積層してプレス成形したものを、高温で焼成する。最後に、導体パターンの所定部位、具体的には、一対の電極パッド111又は外部端子Gとなる部位にニッケルメッキ又は金メッキ等を施すことにより作製される。また、導体ペーストは、例えばタングステン、モリブデン、銅、銀又は銀パラジウム等の金属粉末の焼結体等から構成されている。
Here, a method for manufacturing the
水晶素子120は、図2に示されているように、導電性接着剤140を介して電極パッド111上に接合されている。水晶素子120は、安定した機械振動と圧電効果により、電子装置等の基準信号を発振する役割を果たしている。
As shown in FIG. 2, the
水晶素子120は、図1及び図2に示されているように、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに励振用電極122、接続用電極123及び引き出し電極124を被着させた構造を有している。励振用電極122は、水晶素板121の上面及び下面のそれぞれに金属を所定のパターンで被着・形成したものである。引き出し電極124は、励振用電極122から水晶素板121の短辺に向かって延出されている。接続用電極123は、引き出し電極124と接続されており、水晶素板121の長辺又は短辺に沿った形状で設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
本実施形態においては、電極パッド111と接続されている水晶素子120の一端を基板110aの上面と接続した固定端とし、他端を基板110aの上面と間を空けた自由端とした片保持構造にて水晶素子120が基板110a上に固定されている。ここで、水晶素子120の動作について説明する。水晶素子120は、外部からの交番電圧が接続用電極123から引き出し電極124及び励振用電極122を介して水晶素板121に印加されると、水晶素板121が所定の振動モード及び周波数で励振を起こすようになっている。
In the present embodiment, a one-side holding structure in which one end of the
ここで、水晶素子120の作製方法について説明する。まず、水晶素子120は、人工水晶体から所定のカットアングルで切断し、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を行う。そして、水晶素子120は、水晶素板121の両主面にフォトリソグラフィー技術、蒸着技術又はスパッタリング技術によって、金属膜を被着させることにより、励振用電極122、接続用電極123及び引き出し電極124を形成することにより作製される。
Here, a manufacturing method of the
水晶素子120の基板110aへの接合方法について説明する。まず、導電性接着剤140は、例えばディスペンサによって電極パッド111上に塗布される。水晶素子120は、導電性接着剤140上に搬送され、導電性接着剤140上に載置される。そして導電性接着剤140は、加熱硬化させることによって、硬化収縮される。水晶素子120は、一対の電極パッド111に接合される。
A method for bonding the
導電性接着剤140は、シリコーン樹脂等のバインダーの中に導電フィラーとして導電性粉末が含有されているものであり、導電性粉末としては、アルミニウム、モリブデン、タングステン、白金、パラジウム、銀、チタン、ニッケル又はニッケル鉄のうちのいずれか、或いはこれらの組み合わせを含むものが用いられている。また、バインダーとしては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂又はビスマレイミド樹脂が用いられる。
The
蓋体130は、矩形状であり、真空状態にある凹部K、あるいは窒素ガスなどが充填された凹部Kを気密的に封止するためのものである。具体的には、蓋体130は、所定雰囲気で、枠体110b上に設けられた接合部材150の上面に載置される。枠体110bの上面に設けられた接合部材150に熱が印加されることで、溶融接合される。また、蓋体130の四隅の少なくとも一つには、内側に延長するように切れ込み部131が設けられている。また、蓋体130は、例えば、鉄、ニッケル又はコバルトの少なくともいずれかを含む合金からなる。
The
また、切れ込み部131は、平面視した蓋体130の四隅の少なくとも一つに、内側に向かうようにして設けられている。よって、蓋体130と枠体110bとを接合部材150にて接合する際に、溶融した接合部材150が、切れ込み部131の内側側面を這い上がるようにして接合されるので、接合部材150と蓋体130との接合強度を向上させることができる。蓋体130の長辺方向の長さは、1.2〜3.2mmであり、短辺方向の長さは、1.0〜2.5mmである。蓋体130の厚み方向の長さは、0.04〜0.10mmである場合を例にして、切れ込み部131の大きさを説明する。切れ込み部131は、平面視して、長方形状になるように設けられている。切れ込み部131の長辺方向の長さは、0.3〜0.8mmとなり、短辺方向の長さは、0.04〜0.08mmとなっている。また、切れ込み部131の上下方向の長さは、0.04〜0.10mmとなっている。
In addition, the
また、切れ込み部131が、図1及び図3に示すように、蓋体130の四隅すべてに設けることによって、すべての切れ込み部131に溶融した接合部材150が、切れ込み部131の内側側面を這い上がるようにして接合されるので、接合部材150と蓋体130との接合強度をさらに向上させることができる。
Further, as shown in FIGS. 1 and 3, by providing the
また、切れ込み部131は、蓋体130の四隅の少なくとも一つに設けられており、平面視した際に、切れ込み部131の一部が枠体110b内に位置するように設けられている。蓋体130の算術平均表面粗さは、0.01〜0.20μmであり、枠体110bの表面の算術平均表面粗さは、0.5〜1.5μmである。このようにすることによって、四隅に設けられた余剰の接合部材150が、蓋体130の切れ込み部131内に入り込み易くなるため、枠体110bの内壁面に沿って凹部K内に入り込むことを低減し、接合部材150が水晶素子120に被着することを低減することができる。
In addition, the
接合部材150は、枠体110b上面から蓋体130の下面の外周縁及び切れ込み部131内にかけて設けられている。接合部材150は、例えば、ガラスの場合には、300℃〜400℃で溶融するガラスである例えばバナジウムを含有した低融点ガラス又は酸化鉛系フリットガラスから構成されている。ガラスは、バインダーと溶剤とが加えられたペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接合する。接合部材150は、例えば、ガラスフリットペーストがスクリーン印刷法で塗布され乾燥することで設けられる。また、接合部材150は、枠体110bの上面に印刷する際に、枠体110の四隅に接合部材150が重なるようにして印刷される。よって、四隅の接合部材150の厚みは、接合部材150が設けられている他の箇所の厚みよりも厚くなるように設けられている。この酸化鉛系ガラスの組成は、酸化鉛、フッ化鉛、二酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化第二鉄、酸化銅及び酸化カルシウムとから構成されている。
The joining
接合部材150は、例えば、絶縁性樹脂の場合には、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂から構成されている。枠体110bと蓋体130との間に設けられた接合部材150の厚みは、30〜100μmとなっている。
For example, in the case of an insulating resin, the
また、接合部材150は、例えば、金錫により構成されている場合には、例えば、その成分比率が、金が70〜80%、錫が20〜30%のものを使用しても良い。また、金錫により構成されている場合の接合部材150の層の厚みは、10〜40μmである。
In addition, when the joining
また、接合部材150は、例えば、銀ロウにより構成されている場合には、例えば、その成分比率が、銀が70〜80%、銅が20〜30%のものを使用しても良い。また、銀ロウにより構成されている場合の接合部材150の層の厚みは、10〜40μmである。
Moreover, when the joining
本実施形態における水晶デバイスは、蓋体130と枠体110bとを接合部材150にて接合する際に、蓋体130の切れ込み部131内にも接合部材150が設けられる。よって、水晶デバイスは、接合部材150と蓋体130との接合面積を大きくすることができるので、接合部材150と蓋体130との接合強度を維持し、水晶素子120の気密封止性を維持することができる。
In the quartz crystal device according to the present embodiment, when the
また、本実施形態における水晶デバイスは、切れ込み部131が蓋体130の四隅の少なくともに設けられており、平面視した際に、切れ込み部131の一部が枠体110b内に位置するように設けられている。このようにすることによって、四隅に設けられた余剰の接合部材150が、切れ込み部131内に入り込むため、枠体110bの内壁面に沿って凹部K内に入り込むことを低減し、接合部材150が水晶素子120に被着することを低減することができる。また、この蓋体130は、切れ込み部131が設けられていない蓋体と比較して、四隅に設けられた余剰の接合部材150が、切れ込み部131内に入り込むため、四隅の接合部材150の厚みを薄くすることができる。
Further, in the quartz crystal device according to the present embodiment, the
次に本発明の実施形態に係る水晶振動子の製造方法について説明する。図4に示されているように、水晶デバイスの製造方法は、パッケージ110の電極パッド111に水晶素子120を実装する工程(図4(a))と、蓋体130を枠体110bに載置する工程(図4(b))と、蓋体130を枠体110bに接合する工程とを含んでいる。
Next, a method for manufacturing a crystal resonator according to an embodiment of the present invention will be described. As shown in FIG. 4, the method for manufacturing a crystal device includes a step of mounting a
(水晶素子実装工程)
水晶素子実装工程は、パッケージ110の基板110aの上面の電極パッド111に設けられた導電性接着剤140上面に水晶素子120を載置し、加熱硬化させることで導電性接着剤140を固着し、水晶素子120を電極パッド111上に実装する工程である。
(Crystal element mounting process)
In the crystal element mounting step, the
導電性接着剤140は、塗布ノズルで基板110aの上面に一対で設けられている電極パッド111の主面に塗布される。塗布ノズルは、圧力をかけることによって導電性接着剤140を噴出させ、導電性接着剤140を電極パッド111に塗布することができる。導電性接着剤140の塗布径は、例えば、250〜350μmとなっている。
The
電極パッド111に塗布された導電性接着剤140に水晶素子120の表面に形成した励振用電極122から延出した接続用電極123を付着させる形態で水晶素子120を載置する。導電性接着剤140を加熱硬化させ、電極パッド111と水晶素子120とを導通固着させる。この方法としては、硬化炉(図示せず)にパッケージ110を収容し、約250℃まで昇温することで、導電性接着剤140を加熱硬化させる。
The
硬化炉(図示せず)は、炉本体と、加熱部と、供給部、制御部によって構成されている。炉本体は、内部空間を有し、パッケージ110を格納する役割を果たす。加熱部は、前記内部空間を所定の温度に加熱する役割を果たす。加熱部は、例えば、ハロゲンランプ、キセノンランプ等が用いられている。供給部は、内部空間にガスを供給する役割を果たす。ガスは、例えば窒素等が用いられている。制御部は、炉本体の内部空間の温度や酸素濃度、加熱部の昇温速度、供給部のガスの供給量の制御を行うものである。
A curing furnace (not shown) includes a furnace body, a heating unit, a supply unit, and a control unit. The furnace body has an internal space and serves to store the
(蓋体載置工程)
蓋体載置工程は、図4(b)に示すように、蓋体130の四隅の少なくとも一つに設けられた切れ込み部131の一部が枠体110bの内部に位置するように、蓋体130を枠体110b上に設けられた接合部材150の上面に載置する工程である。接合部材150は、例えばガラスの場合、スクリーン印刷で枠体110b上面にペースト状の低融点ガラスペーストを印刷することで設けられる。
(Cover body placing process)
As shown in FIG. 4B, the lid body placing step is performed so that a part of the
蓋体130は、切れ込み部131の一部が枠体110bの内部に位置するように、枠体110b上に設けられた接合部材150の上面に載置されている。これは、蓋体130を吸着ノズル(図示せず)にて、枠体110b上面に設けられた接合部材150の上に移動させ、載置する。この際に、切れ込み部131の一部が枠体110bの内部に位置し、凹部K内が見えるようになっている。また、蓋体130が接合部材150上面に載置した状態で平面視して、切れ込み部131の一部と枠体110bの内部とが重なっている箇所の長辺寸法は、50〜100μmであり、短辺寸法は、40〜80μmである。
The
(蓋体接合工程)
蓋体接合工程は、水晶素子120を気密封止するように、蓋体130と枠体110bとを接合部材150を介して接合する工程である。蓋体130が載置されたパッケージ110を接合装置内に配置し、キセノンランプ又はハロゲンランプ等の熱源を照射することによって、蓋体120を枠体110bに接合する。
(Cover body joining process)
The lid bonding step is a step of bonding the
キセノンランプは、陰極と陽極とを内部に配置したバルブであり、発光部の最高輝度の位置を集光ミラーの焦点位置に集光し、この焦点位置に光ファイバの射出端から射出する。また、同様にハロゲンランプは、バルブ内にタングステンフィラメントを備え、ハロゲンガスを封入したものである。このタングステンフィラメントが通電加熱されると、ハロゲンガスと反応し、タングステン−ハロゲン化合物が生成される。タングステン−ハロゲン化合物は、バルブ内の対流により、タングステン−ハロゲン化合物がフィラメント付近に運ばれ、高温によりタングステンとハロゲンガスに分解されて、タングステンは、フィラメントに沈殿するというハロゲンサイクルを繰り返し、光ビームを発生するものである。 The xenon lamp is a bulb in which a cathode and an anode are arranged, and the position of the highest luminance of the light emitting part is condensed at the focal position of the condensing mirror and emitted from the emission end of the optical fiber to this focal position. Similarly, the halogen lamp is provided with a tungsten filament in a bulb and sealed with a halogen gas. When this tungsten filament is energized and heated, it reacts with the halogen gas to produce a tungsten-halogen compound. The tungsten-halogen compound is transported to the vicinity of the filament by convection in the bulb, decomposed into tungsten and a halogen gas at a high temperature, and tungsten is precipitated in the filament. It is what happens.
切れ込み部131の一部が枠体110bの内部に位置するように、蓋体130を枠体110b上に載置しておくことにより、蓋体130と枠体110bとを接合部材150にて接合する際に、導電性接着剤140から発生したガスが切れ込み部131から凹部Kの外へ放出されるため水晶素子120にガスが被着しにくくなる。このような水晶振動子は、水晶素子120にガスが付着することを抑制し、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
The
また、この切れ込み部131の一部は、平面視して、電極パッド111が設けられている基板110aの上面にくるように設けられている。このようにすることによって、電極パッド111上に設けられた導電性接着剤140から発生したガスが切れ込み部131から凹部Kの外へさらに放出されやすくなるため、水晶素子120に導電性接着剤140から発生したガスが付着することをさらに抑制することができる。
Further, a part of the
このような水晶デバイスの製造方法は、蓋体130と枠体110bとを接合部材150にて接合する際に、導電性接着剤140から発生したガスが切れ込み部131から凹部Kの外へ放出されるため、水晶素子120に導電性接着剤140から発生したガスが被着しにくくなる。このような水晶振動子は、水晶素子120にガスが付着することを抑制し、水晶素子120の厚みすべり振動が阻害されないため、水晶素子120の発振周波数が変動することを低減することが可能となる。
In such a crystal device manufacturing method, when the
尚、本実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。上記の実施形態の第一変形例では、枠体110bが基板110aと同様にセラミック材で一体的に形成した場合を説明したが、枠体110bが金属製であっても構わない。この場合、枠体110bは、銀−銅等のロウ材を介して基板の導体膜に接合されている。 In addition, it is not limited to this embodiment, A various change, improvement, etc. are possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. In the first modification of the above-described embodiment, the case where the frame body 110b is integrally formed of a ceramic material similarly to the substrate 110a has been described. However, the frame body 110b may be made of metal. In this case, the frame 110b is joined to the conductor film of the substrate via a brazing material such as silver-copper.
上記実施形態では、水晶素子は、AT用水晶素子を用いた場合を説明したが、基部と、基部の側面より同一の方向に延びる二本の平板形状の振動腕部とを有する音叉型屈曲水晶素子を用いても構わない。また、水晶素子120は、水晶素板121の外周の厚みを薄くし、水晶素板121の外周部と比べて水晶素板121の中央部が厚くなるように設けるベベル加工を用いても構わない。また、水晶素子120のベベル加工方法について説明する。所定の粒度のメディアと砥粒とを備えた研磨材と、所定の大きさに形成された水晶素板121とを用意する。円筒体に用意した研磨材と水晶素板121とを入れ、円筒体の開口した端部をカバーで塞ぐ。研磨材と水晶素板121とを入れた円筒体を、円筒体の中心軸線を回転軸として回転させる水晶素板121が研磨材で研磨されてベベル加工が行われる。
In the above embodiment, the case where the crystal element for AT is used as the crystal element has been described. An element may be used. In addition, the
また、本実施形態では、基板110の上面には、封止用導体パターンがない場合を説明したが、基板110aの上面に封止用導体パターンを設けても構わない。この封止用導体パターンは、封止筐体130と接合部材150を介して接合する際に、接合部材131の濡れ性をよくする役割を果たしている。
In this embodiment, the case where the upper surface of the
また、接合部材150が導電性部材を使用した際に、封止用導体パターンは、基板110aの内部に形成されたビア導体(図示せず)及び配線パターン(図示せず)により少なくとも1つの外部端子Gに接続されている。少なくとも1つの外部端子Gは、外部の実装基板上のグランドと接続されている実装パッドと接続されることにより、グランド端子の役割を果たす。そのため、封止用導体パターンに接合される蓋体130がグランドに接続されることとなり、蓋体130による収容空間K内のシールド性が向上する。封止用導体パターンは、例えばタングステン又はモリブデン等から成る導体パターンの表面にニッケルメッキ及び金メッキを順次、枠体110bの上面の外周縁を環状に囲む形態で施すことによって、例えば10μm〜25μmの厚みに形成されている。
In addition, when the conductive member is used as the
110a・・・基板
110b・・・枠体
110・・・パッケージ
111・・・電極パッド
120・・・水晶素子
121・・・水晶素板
122・・・励振用電極
123・・・接続用電極
124・・・引き出し電極
130・・・蓋体
131・・・切れ込み部
140・・・導電性接着剤
150・・・接合部材
K・・・凹部
G・・・外部端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 110a ... Board | substrate 110b ...
Claims (2)
前記基板上に設けられた枠体と、
前記基板上であって前記枠体内に導電性接着剤を用いて実装された水晶素子と、
前記枠体上に接合部材を介して設けられ、前記水晶素子を封止する蓋体と、を備え、
前記蓋体には、平面視して前記枠体と重なる箇所に切れ込み部が設けられており、前記切れ込み部内にまで前記接合部材が被着していることを特徴とする水晶デバイス。 A substrate,
A frame provided on the substrate;
A quartz element mounted on the substrate using a conductive adhesive in the frame; and
A lid provided on the frame through a bonding member, and sealing the crystal element,
The crystal device according to claim 1, wherein the lid body is provided with a cut portion at a position overlapping the frame body in plan view, and the bonding member is attached to the cut portion.
前記切れ込み部が前記蓋体の四隅少なくとも一つに設けられており、
平面視した際に、前記切れ込み部の一部が前記枠体内に位置するように設けられていることを特徴とする水晶デバイス。 The crystal device according to claim 1,
The notch is provided in at least one of the four corners of the lid,
A quartz crystal device, wherein the crystal device is provided so that a part of the cut portion is located in the frame body when seen in a plan view.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013130219A JP2015005890A (en) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | Crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013130219A JP2015005890A (en) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | Crystal device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015005890A true JP2015005890A (en) | 2015-01-08 |
Family
ID=52301445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013130219A Pending JP2015005890A (en) | 2013-06-21 | 2013-06-21 | Crystal device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015005890A (en) |
-
2013
- 2013-06-21 JP JP2013130219A patent/JP2015005890A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6502666B2 (en) | Piezoelectric device and method of manufacturing the same | |
JP2014072607A (en) | Quartz crystal device | |
JP6449700B2 (en) | Method for manufacturing piezoelectric device | |
US9660610B2 (en) | Crystal device and mounting arrangement | |
JP6457217B2 (en) | Piezoelectric device | |
JP5984487B2 (en) | Crystal device | |
JP2015005890A (en) | Crystal device | |
JP2015154371A (en) | crystal device | |
JP2015050520A (en) | Crystal device | |
JP2015050531A (en) | Crystal device | |
JP2014236301A (en) | Quartz device | |
JP6487150B2 (en) | Crystal device | |
JP2015070504A (en) | Crystal device | |
JP6577205B2 (en) | Piezoelectric device and manufacturing method thereof | |
JP2015211324A (en) | Manufacturing method of piezoelectric device | |
JP6687465B2 (en) | Crystal device manufacturing method | |
JP2014225837A (en) | Crystal device | |
JP2018006810A (en) | Crystal element and manufacturing method thereof | |
JP2008035303A (en) | Method for manufacturing piezoelectric device | |
JP2015103950A (en) | Crystal device | |
JP2016181889A (en) | Crystal Device | |
JP2018088563A (en) | Manufacturing method for piezoelectric device | |
JP2016072650A (en) | Piezoelectric device | |
JP2017212620A (en) | Crystal device and manufacturing method of the same | |
JP6076219B2 (en) | Crystal device |