JP2014532929A - 埋め込みメモリ及び埋め込み式記憶システム - Google Patents
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Abstract
Description
図3は、本発明に係る埋め込みメモリの実施例一の構造概略図である。埋め込みメモリの外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットの外端には、何れかの記憶設備が接続されていない。試験により、外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットを加えない前提で、何れかの記憶設備を繋げなくても、埋め込みメモリの作動状態と作動効率を影響しないこととなっている。さらに、チップ内に、フラッシュメモリとオンチップのフラッシュメモリ・インタフェースユニットを設けなくてもよく、この時、チップ外に拡張フラッシュメモリを接続する必要があり、データの全てが外部拡張フラッシュメモリに記憶されている。
図4は、本発明に係る埋め込みメモリの実施例二の構造概略図である。本実施例に係る埋め込み式記憶システムは、オンチップのNAND型フラッシュメモリ、フラッシュメモリ制御ユニット、MMCインタフェースユニット、オンチップのフラッシュメモリ・インタフェースユニット、外部フラッシュメモリ・インタフェースユニット、及び上記外部フラッシュメモリ・インタフェースの外端に接続され且つ容量がオンチップのNAND型フラッシュメモリよりも大きい外部拡張NAND型フラッシュメモリを備えるものである。
図5は、本発明に係る埋め込みメモリの実施例三の構造概略図である。本実施例に係る埋め込み式記憶システムは、オンチップのNAND型フラッシュメモリ、フラッシュメモリ制御ユニット、MMCインタフェースユニット、オンチップのフラッシュメモリ・インタフェースユニット、外部フラッシュメモリ・インタフェースユニット、及び一個の大容量の外部拡張NAND型フラッシュメモリを備えるものである。該外部拡張NAND型フラッシュメモリは、外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットに繋がっている。本実施例に係るオンチップのNAND型フラッシュメモリは、SLC NAND型フラッシュメモリであり、外部拡張NAND型フラッシュメモリは、TLC NAND型フラッシュメモリである。
Claims (14)
- フラッシュメモリ制御ユニット及びホストインタフェースユニットを備える埋め込みメモリであって、
少なくとも一個の外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットを更に備え、
前記フラッシュ制御ユニットは、前記ホストインタフェースユニット、外部フラッシュインタフェースユニットと接続し、前記ホストインタフェースユニット、外部フラッシュインタフェースユニットの制御を実現するものであり、
前記ホストインタフェースユニットは、外に向かってホストにインタフェースを提供し、内に向かって、前記フラッシュメモリ制御ユニットに接続し、ホストと前記フラッシュメモリ制御ユニットの間のデータの交換を実現するものであり、
前記外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットは、外に向かって拡張フラッシュメモリとデータの輸送を行うインタフェースを提供し、内に向かって前記フラッシュメモリ制御ユニットに接続し、拡張フラッシュメモリと前記フラッシュメモリ制御ユニットの間のデータの交換を実現するものである、ことを特徴とする埋め込みメモリ。 - 前記ホストインタフェースユニットは、外に向かってホストにMMCインタフェースのMMCインタフェースユニットを提供するものである、請求項1に記載の埋め込みメモリ。
- オンチップのフラッシュメモリ及びオンチップのフラッシュメモリ・インタフェースユニットを更に備え、
前記オンチップのフラッシュメモリは、前記オンチップのフラッシュメモリ・インタフェースユニットに接続され、
前記オンチップのフラッシュメモリ・インタフェースユニットは、さらに前記フラッシュメモリ制御ユニットに接続し、
オンチップのフラッシュメモリと前記フラッシュ制御ユニットとの間のデータの交換を実現する、請求項1に記載の埋め込みメモリ。 - 前記オンチップのフラッシュメモリは、オンチップのNAND型フラッシュメモリである、請求項3に記載の埋め込みメモリ。
- 前記オンチップのNAND型フラッシュメモリは、SLC NAND型フラッシュメモリ、MLC NAND型フラッシュメモリ、又はTLC NAND型フラッシュメモリである、請求項4に記載の埋め込みメモリ。
- 前記埋め込みメモリは、BGAパッケージチップである、請求項1乃至5のうち一項に記載の埋め込みメモリ。
- 拡張フラッシュメモリとデータ輸送を行う前記外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットのインタフェースが前記BGAパッケージチップのNCピンである、請求項6に記載の埋め込みメモリ。
- 前記BGAパッケージチップは、AA、AB、AC又はBA規格のチップである、請求項6に記載の埋め込みメモリ。
- 請求項1乃至8のうち一項に記載の埋め込みメモリと、
少なくとも一個の拡張フラッシュメモリと、を備え、
前記拡張フラッシュメモリは、前記埋め込みメモリの外部フラッシュメモリ・インタフェースユニットに接続される、ことを特徴とする埋め込み式記憶システム。 - 前記拡張フラッシュメモリは、拡張NAND型フラッシュメモリである、請求項9に記載の埋め込み式記憶システム。
- 前記拡張NAND型フラッシュメモリは、SLC NAND型フラッシュメモリ、MLC NAND型フラッシュメモリ、又はTLC NAND型フラッシュメモリである、請求項10に記載の埋め込み式記憶システム。
- 前記オンチップのNAND型フラッシュメモリは、SLC NAND型フラッシュメモリであり、前記拡張NAND型フラッシュメモリは、TLC NAND型フラッシュメモリである、請求項11に記載の埋め込み式記憶システム。
- 前記拡張NAND型フラッシュメモリは、その記憶容量が前記オンチップのフラッシュメモリよりも大きい、又は同等である、請求項9乃至12のうち一項に記載の埋め込み式記憶システム。
- 前記拡張NAND型フラッシュメモリは、その記憶容量が前記オンチップのNAND型フラッシュメモリよりも大きい、又は同等である、請求項13に記載の埋め込み式記憶システム。
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