JP2009510560A - Nandインタフェースをエクスポートするnand型フラッシュメモリコントローラ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ホスト装置とフラッシュダイに組み立てられたフラッシュメモリ装置(例えば、NAND型フラッシュメモリ装置)とをインタフェースするNANDコントローラ(130)が開示される。いくつかの実施形態では、ここで開示されるNANDコントローラは、フラッシュダイと別個のコントローラダイに組み立てられた電子回路、電子回路とフラッシュメモリ装置とをインタフェースする第1のインタフェース(例えば、ホスト型インタフェース、例えばNANDインタフェース)(144、142)、およびコントローラとホスト装置とをインタフェースする、NANDインタフェースである第2のインタフェース(例えば、フラッシュ型インタフェース)を含む。いくつかの実施形態によれば、第1のインタフェースはダイ間インタフェースである。いくつかの実施形態によれば、第1のインタフェースはNANDインタフェースである。ここで開示されるNANDコントローラを含むシステムも開示される。上記システムを組み立てる方法およびNANDコントローラを使用してデータを読み書きする方法も開示される。
【選択図】図5A
Description
フラッシュメモリ装置は何年もの間にわたって知られている。通常、フラッシュメモリ装置内の各メモリセルは、1ビットの情報を記憶する。ビットをフラッシュメモリセルに記憶する従来の方法は、2つの状態のメモリセルをサポートすることによるものであった。一方の状態は論理「0」を表し、他方の状態は論理「1」を表す。
通常、フラッシュメモリ装置はNOR型装置およびNAND型装置に分けられ、これら名称は、個々のメモリセルがセルアレイ内で相互接続される方法に由来する。NOR型装置はランダムアクセスであり、NOR型フラッシュ装置にアクセスしているホストコンピュータは、アドレスピン上の任意のアドレスを装置に提供し、装置のデータピン上のそのアドレスに記憶されているデータを即座に取り出すことができる。これは、SRAMまたはEPROMメモリが動作するのによく似ている。一方、NAND型装置は、ランダムアクセスではなく順次アクセスである。NOR型に関して上述したように任意のランダムなアドレスにアクセスすることはできず、それに代えて、ホストは、要求されるコマンドの種類(例えば、読み取り、書き込み、消去等)およびそのコマンドに使用すべきアドレスの両方を識別するバイトシーケンスを装置に書き込む必要がある。アドレスは、単一のバイトまたはワードではなくページ(1回の動作で書き込むことができる最小フラッシュメモリチャンク)またはブロック(1回の動作で消去することができる最小フラッシュメモリチャンク)を識別する。読み取りおよび書き込みコマンドシーケンスが1バイトまたは1ワードのアドレスを含むことは真実であるが、実際には、NAND型フラッシュ装置は、常に、ページ単位でメモリセルに読み書きする。1ページのデータがアレイから装置内のバッファに読み込まれた後、ホストは、ストローブ信号を使用して、データバイトまたはデータワードを1つずつ順次クロックアウトすることによりこれらデータバイトまたはデータワードにアクセスする。
代表的なSBC NAND型装置は、2Gビットの記憶容量を提供する東芝(Toshiba)TC58NVG1S3Bである。代表的なMBC NAND型装置は、4Gビットの記憶容量を提供する東芝(Toshiba)TC58NVG2D4Bである。両装置のデータシートが、参照によりあたかも本明細書にすべて記載されているかのように援用される。
NAND型装置のこういった複雑性により、電子システム内でNAND装置の使用を制御する「NANDコントローラ」を使用することが一般的である。NANDコントローラを介在させずにホスト装置が直接、NAND型装置を操作して使用することが可能であり、実際にこのようにして動作するシステムがあることは真実である。しかし、このアーキテクチャには多くの欠点がある。第1に、ホストはNAND型装置の制御信号(例えば、CLEまたはALE)をそれぞれ個々に操作する必要があり、これはホストにとって面倒であり、かつ時間がかかる。第2に、EDCおよびECCのサポートは、ホストに深刻な負担を課す。ホストは、ページ書き込みの都度、パリティビットを計算する必要があり、かつ誤り検出計算(これに加えて、時には誤り修正計算も)を実行しなければならない。これはすべて、そのような「コントローラなし」アーキテクチャを比較的低速かつ非効率なものにする。
a.NAND型装置の製造に使用されるプロセスは、より小型のメモリセルをもたらすように常に改良され続けている。数年前のNAND型装置は0.4ミクロンプロセスを使用していたが、現在は90nm技術および70nm技術を使用しており、この縮小傾向が続くと予想される。寸法が小さいと、セルが以前は重要ではなかった物理的な影響および現象により敏感になるため、メモリセル寸法の縮小に伴い、信頼性が低くなる。
b.1セル当たり3以上のビットを有するMBCセルが市販されるようになった場合、必然的に、SBCセルおよび1セル当たり2ビットのMBCセルよりも信頼性がはるかに低くなる。セルの閾値電圧で表す必要がある状態の数が多くなることは、状態間のマージンがより小さくなり、さらに小さな乱れおよびドリフトが不正確なデータ読み取りに繋がることを暗示する。この影響は、SLCと1セル当たり2ビットのMBCとの比較ですでに証明されており、ECC要件は1ビットECCから4ビットECCに増大された。
Claims (20)
- ホスト装置とフラッシュダイに組み立てられたフラッシュメモリ装置とをインタフェースするコントローラであって、
a)前記フラッシュダイと別個のコントローラダイに組み立てられる電子回路と、
b)前記電子回路と前記フラッシュメモリ装置とをインタフェースする第1のインタフェースと、
c)前記コントローラと前記ホスト装置とをインタフェースする第2のインタフェースであって、NANDインタフェースである第2のインタフェースと、
を備えるコントローラ。 - 前記第1のインタフェースはNANDインタフェースである、請求項1に記載のコントローラ。
- d)前記第1および第2のインタフェースのうちの一方を通して受信されるデータの誤り修正を提供する誤り修正モジュールをさらに備える、請求項1に記載のコントローラ。
- d)前記ホスト装置とインタフェースする少なくとも1つの追加のホスト側インタフェースをさらに備える、請求項1に記載のコントローラ。
- a)フラッシュダイに組み立てられるフラッシュメモリ装置と、
b)請求項1に記載のコントローラであって、前記第1のインタフェースを通して前記フラッシュメモリ装置と通信するように動作可能なコントローラと、
を備えるデータ記憶システム。 - c)共通パッケージをさらに備え、
前記フラッシュメモリ装置および前記コントローラは両方とも、前記共通パッケージ内に提供される、請求項5に記載のシステム。 - c)別個の各パッケージをさらに備え、
前記フラッシュメモリ装置および前記コントローラはそれぞれ、前記各パッケージ内に提供される、請求項5に記載のシステム。 - c)前記フラッシュメモリ装置および前記コントローラが実装されるプリント回路基板をさらに備え、前記フラッシュダイは前記プリント回路基板に直接実装される、請求項5に記載のシステム。
- c)前記フラッシュメモリ装置および前記コントローラが実装されるプリント回路基板であって、前記コントローラダイは前記プリント回路基板に直接実装される、プリント回路基板をさらに備える、請求項5に記載のシステム。
- a)ホスト装置と、
b)フラッシュダイに組み立てられるフラッシュメモリ装置と、
c)前記第1のインタフェースを通して前記フラッシュメモリ装置と通信し、前記第2のインタフェースを通して前記ホスト装置と通信するように動作可能な、請求項1に記載のコントローラと、
を備えるデータ記憶システム。 - データ記憶システムを作製する方法であって、
a)フラッシュダイに組み立てられたフラッシュメモリ装置を提供するステップと、
b)請求項1に記載のフラッシュコントローラを提供するステップと、
c)前記フラッシュコントローラが前記第1のインタフェースを通して前記フラッシュメモリ装置と通信するように動作可能なように、前記フラッシュコントローラを前記フラッシュメモリ装置に配備するステップと
を含む方法。 - d)前記フラッシュコントローラおよび前記フラッシュメモリ装置を単一のパッケージ内にパッケージするステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記フラッシュメモリ装置および前記フラッシュコントローラは別個の各パッケージ内に存在し、前記配備するステップは、前記各パッケージを互いに係合するステップを含む、請求項11に記載の方法。
- d)前記フラッシュメモリ装置および前記コントローラをプリント回路基板に実装するステップをさらに含み、
前記実装するステップは、前記フラッシュメモリダイを前記プリント回路基板に直接実装するステップを含む、請求項11に記載の方法。 - d)前記フラッシュメモリ装置および前記コントローラをプリント回路基板に実装するステップをさらに含み、
前記実装するステップは、前記コントローラダイを前記プリント回路基板に直接実装するステップを含む、請求項11に記載の方法。 - d)前記フラッシュコントローラが前記第2のインタフェースを通して前記ホスト装置と通信するように動作可能なように、前記データ記憶システムをホスト装置に配備するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- ホスト装置からデータを書き込む方法であって、
a)フラッシュダイに組み立てられたフラッシュメモリ装置およびコントローラダイに組み立てられたコントローラを提供するステップであって、前記フラッシュダイは前記コントローラダイと別個であるステップと、
b)NANDインタフェースプロトコルに従って書き込みコマンドを前記ホスト装置から前記コントローラに発行するステップと、
c)NANDインタフェースプロトコルに従って書き込みコマンドを前記コントローラから前記フラッシュメモリ装置に発行するステップと
を含む方法。 - d)前記コントローラによりパリティビットを計算するステップをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- データをホスト装置に読み出す方法であって、
a)フラッシュダイに組み立てられたフラッシュメモリ装置およびコントローラダイに組み立てられたコントローラを提供するステップであって、前記フラッシュダイは前記コントローラダイと別個であるステップと、
b)NANDインタフェースプロトコルに従って読み出しコマンドを前記ホスト装置から前記コントローラに発行するステップと、
c)NANDインタフェースプロトコルに従って読み出しコマンドを前記コントローラから前記フラッシュメモリ装置に発行するステップと
を含む方法。 - d)前記フラッシュメモリ装置から前記コントローラにデータを取り出すステップと、
e)前記取り出されたデータに関連するパリティビットを前記フラッシュメモリ装置から前記コントローラに取り出すステップと、
f)前記取り出されたパリティビットに従って、前記取り出されたデータを修正するステップであって、それにより、修正済みデータを生成するステップと、
g)前記修正済みデータを前記コントローラから前記ホスト装置に取り出すステップと
をさらに含む、請求項19に記載の方法。
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