JP2014531696A - ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された可撓性微細バンプ - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (21)
- 可撓性基板上に複数の下部電極を堆積し、堆積された前記複数の下部電極は実質的に平行なパターンを有することと、
前記可撓性基板上に複数のナノ圧電ワイヤを堆積し、堆積された前記複数のナノ圧電ワイヤは実質的にチェッカー盤のようなパターンを有することと、
複数の上部電極が前記複数のナノ圧電ワイヤに電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成するように、複数の上部電極を堆積し、堆積された前記複数の上部電極は実質的に平行なパターンを有することと、
前記ナノ圧電センサの配列上に複数の可撓性微細バンプを堆積し、前記複数の可撓性微細バンプは前記ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合されることと
を含む方法。 - 前記ナノ圧電ワイヤを堆積する前に、前記基板上に触媒の層を堆積することをさらに含み、堆積された前記触媒の層は実質的にチェッカー盤のようなパターンを有し、
前記基板上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することは、前記触媒の層上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することを含み、
前記複数のナノ圧電ワイヤは、前記基板に対して垂直な配向を有する、請求項1に記載の方法。 - 前記複数の上部電極を堆積する前に、前記複数のナノ圧電ワイヤ間に可撓性絶縁材料の層を堆積することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、前記複数の上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積することと、
前記可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積することと、をさらに含み、
前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料は、前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置する、請求項1に記載の方法。 - 前記ナノ圧電ワイヤを堆積する前に、前記基板上に触媒の層を堆積し、堆積された前記触媒の層は、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有し、
前記基板上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することは、前記触媒の層上に前記複数のナノ圧電ワイヤを堆積することを含み、前記複数のナノ圧電ワイヤは前記基板に対して垂直な配向を有することと、
前記複数の上部電極を堆積する前に、前記複数のナノ圧電ワイヤ間に可撓性絶縁材料の層を堆積することと、
前記複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、前記複数の上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積することと、
前記可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積し、前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料は、前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置することと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記可撓性基板は以下の材料、すなわち、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、アラミド、ポリ(ジメチルシロキサン)、エポキシ、および/または液晶ポリマーのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記複数の可撓性微細バンプは、平坦ではない表面を形成し、
各微細バンプは、半円型形状および/または半楕円型形状を備える、請求項1に記載の方法。 - 前記ナノ圧電センサの配列は、静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように構成され、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成され、
前記圧力分布および表面形態ならびに/または前記表面テクスチャは、前記ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づいている、請求項1に記載の方法。 - 可撓性基板上に、実質的に平行なパターンを有する複数のナノ圧電ワイヤを堆積することと、
堆積された前記複数のナノ圧電ワイヤの一部を除去して、実質的にチェッカー盤のようなパターンを形成することと、
前記可撓性基板上に、実質的に平行なパターンを有し、前記ナノ圧電ワイヤと電気的に接続された複数の下部電極を堆積することと、
複数の上部電極が前記複数のナノ圧電ワイヤに電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成するように、実質的に平行なパターンを有する複数の上部電極を堆積することと、
前記ナノ圧電センサの配列上に、前記ナノ圧電センサの配列に動作的に結合された複数の可撓性微細バンプを堆積することと、
を含む、方法。 - 前記複数の上部電極を堆積する前に、前記複数の下部電極上に絶縁材料の層を堆積することをさらに含む、請求項9に記載の方法。
- 前記複数の可撓性微細バンプを堆積する前に、前記複数の上部電極上に可撓性絶縁材料の上層を堆積することと、
前記可撓性絶縁材料の上層上に静電荷遮蔽材料を堆積することと、をさらに含み、
前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料は、前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置する、請求項9に記載の方法。 - 前記複数のナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記複数の可撓性微細バンプは、平坦ではない表面を形成し、
各可撓性微細バンプは、半型形状および/または半楕円型形状を備える、請求項9に記載の方法。 - 前記ナノ圧電センサの配列は、静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように構成され、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成され、
前記圧力分布および表面形態ならびに/または前記表面テクスチャは、前記ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づいている、請求項9に記載の方法。 - 可撓性基板と、
前記可撓性基板に動作可能に結合され、ナノ圧電ワイヤの層を備えるナノ圧電センサの配列と、
前記ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された複数の可撓性微細バンプと、
を備える機器。 - 静的型接触により圧力分布および表面形態を検知するように構成され、ならびに/または動的型接触により表面テクスチャを検知するように構成され、
前記圧力分布および表面形態ならびに/または前記表面テクスチャは、前記ナノ圧電センサの配列からの周波数、振幅、および極性データに少なくとも部分的に基づいている、請求項16に記載の機器。 - 前記ナノ圧電ワイヤ間に位置する可撓性絶縁材料の層と、
可撓性絶縁材料の上層と、
静電荷遮蔽材料と、をさらに備え、
前記可撓性絶縁材料の上層および前記静電荷遮蔽材料が前記複数の可撓性微細バンプと前記ナノ圧電センサの配列との間に位置する、請求項16に記載の機器。 - 前記ナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項16に記載の機器。
- 1つまたは複数のプロセッサによって実行される場合、コンピューティングデバイスが、
可撓性基板上に、実質的に平行なパターンを有する複数の下部電極を堆積すること、
前記可撓性基板上に、実質的にチェッカー盤のようなパターンを有する複数のナノ圧電ワイヤを堆積すること、
複数の上部電極が前記複数のナノ圧電ワイヤに電気的に結合され、ナノ圧電センサの配列を形成するように、実質的に平行なパターンを有する複数の上部電極を堆積すること、および
前記ナノ圧電センサの配列上に、前記ナノ圧電センサの配列に動作可能に結合された複数の可撓性微細バンプを堆積すること、
を動作的に可能にする機械可読命令を記憶して備える信号担持媒体を備える、物品。 - 前記複数のナノ圧電ワイヤは以下の材料、すなわち、酸化亜鉛型ナノワイヤ、窒化ガリウム型ナノワイヤ、および/またはジルコン酸チタン酸鉛型ナノワイヤのうちの1つまたは複数を含む、請求項20に記載の物品。
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