JP2014525820A - 粒状及び粉状製品の機能化のための設備及び方法 - Google Patents

粒状及び粉状製品の機能化のための設備及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2014525820A
JP2014525820A JP2014511838A JP2014511838A JP2014525820A JP 2014525820 A JP2014525820 A JP 2014525820A JP 2014511838 A JP2014511838 A JP 2014511838A JP 2014511838 A JP2014511838 A JP 2014511838A JP 2014525820 A JP2014525820 A JP 2014525820A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
reactor
plasma reactor
atomic
functionalization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014511838A
Other languages
English (en)
Inventor
フレデリク ルイジ,
ティベリウ マリアン ミネア,
ステファン ルーカス,
ジュリアン アマドゥー,
アナ ウソルトセヴァ,
クリストフ リゴー,
Original Assignee
ナノシル エス.エー.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ナノシル エス.エー. filed Critical ナノシル エス.エー.
Publication of JP2014525820A publication Critical patent/JP2014525820A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/08Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles
    • B01J8/12Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes with moving particles moved by gravity in a downward flow
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158Carbon nanotubes
    • C01B32/168After-treatment
    • C01B32/174Derivatisation; Solubilisation; Dispersion in solvents
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/20Graphite
    • C01B32/21After-treatment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/20Silicates
    • C01B33/36Silicates having base-exchange properties but not having molecular sieve properties
    • C01B33/38Layered base-exchange silicates, e.g. clays, micas or alkali metal silicates of kenyaite or magadiite type
    • C01B33/40Clays
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4417Methods specially adapted for coating powder
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • DTEXTILES; PAPER
    • D06TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06MTREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
    • D06M10/00Physical treatment of fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, e.g. ultrasonic, corona discharge, irradiation, electric currents, or magnetic fields; Physical treatment combined with treatment with chemical compounds or elements
    • D06M10/02Physical treatment of fibres, threads, yarns, fabrics, or fibrous goods made from such materials, e.g. ultrasonic, corona discharge, irradiation, electric currents, or magnetic fields; Physical treatment combined with treatment with chemical compounds or elements ultrasonic or sonic; Corona discharge
    • D06M10/025Corona discharge or low temperature plasma
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0869Feeding or evacuating the reactor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873Materials to be treated
    • B01J2219/0879Solid
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/06Multi-walled nanotubes
    • DTEXTILES; PAPER
    • D06TREATMENT OF TEXTILES OR THE LIKE; LAUNDERING; FLEXIBLE MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • D06MTREATMENT, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE IN CLASS D06, OF FIBRES, THREADS, YARNS, FABRICS, FEATHERS OR FIBROUS GOODS MADE FROM SUCH MATERIALS
    • D06M2101/00Chemical constitution of the fibres, threads, yarns, fabrics or fibrous goods made from such materials, to be treated
    • D06M2101/40Fibres of carbon

Abstract

本発明は、粉状製品のプラズマ反応器内での機能化のための連続方法であって、この方法は、垂直反応器内にプラズマを発生し;前記反応器を通して上部から下部まで前記粉状製品を重力により落下させることによって前記粉状製品を前記プラズマと接触させる工程を含む。また、本発明は、機能化方法を実施するための設備を開示し、この設備は、垂直位置に置かれたプラズマ反応器;プラズマ反応器中にガス状プラズマ前駆物質を入れるためのプラズマ反応器と連結している第一装置;プラズマ反応器に粉状製品を充填するためのプラズマ反応器と連結している第二装置;プラズマ反応器から粉状製品を引き出すためのプラズマ反応器と連結している第三装置、但し第二装置及び第三装置が一つ以上の弁によりプラズマ反応器から隔離された一つ以上のロック室を含む;プラズマの発生のための電磁波を供給するためのプラズマ反応器の少なくとも一部を取り囲む第四装置;プラズマ反応器内に低圧を発生するためのプラズマ反応器と連結している第五装置を含む。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えばカーボンブラック、ガラス繊維、炭素繊維及び特にカーボンナノチューブのような粒状及び粉状製品の機能化のための方法に関する。本発明はまた、これらの製品を機能化することができるプラズマ反応器に関する。
粒状及び粉状基質は、強化された高分子系複合体のための添加剤として使用されることが多い。特に繊維、粉末及びナノ粒子は、高分子系複合体の物理的性質を改善することができる。
種々の粒子中で、カーボンナノチューブ(CNT)は、それらの独特な機械的及び物理的性質のために特に将来有望である。しかし、高分子系複合体中でのカーボンナノチューブの使用は、それらの表面の非反応的性質及びそれらの成長時(束、球などの)のミクロンサイズの構造へのCNTの凝集のために今もなお制限されている。これらの問題を克服するために、それらの表面組成を他の元素または元素団(官能基)の導入を介して変えることによるCNTの機能化(修飾)が有効であることが証明された。
カーボンナノチューブの機能化は、それらの溶解性及び加工性を改善することができ、カーボンナノチューブの独特な性質を他のタイプの材料の性質と組み合わせることを可能にするだろう。機能化工程時に作られた新しい化学結合は、ナノチューブの溶媒または高分子マトリックスとの相互作用を適合するために使用されることができる。
カーボンナノチューブの機能化は、通常、O含有基(主にカルボキシル基)の導入により始まり、それはさらに、カルボキシル官能の変換による多数の機能的開発へのアクセスを与え、さらなる修飾のためのアンカー基を与える。
CNTの構造内へのO含有基の導入は、液相及び気相法によって実現されることができる。
カーボンナノチューブの液相酸化処理は、通常、沸騰硝酸、硫酸、または両方の混合物を使用して実施される。いわゆる「ピラニア」溶液(硫酸と過酸化水素の混合物)もまた、使用されることができる。これらの方法は、機能化の低い効率を持ち、CNTの構造内に欠陥を作り、それらの長さを減少し、材料の密度を劇的に増加し、かつかなりの量の毒性酸性廃棄物を作る。
気相酸化工程は、酸素、オゾンまたは空気によるカーボンナノチューブの高温での処理に基づいている。このタイプの機能化の主な欠点は、ナノチューブ構造内の欠陥の形成に導く高い処理温度である。さらに、このタイプの工程は、OまたはOとCNTの反応を触媒作用することがありうる微量の金属触媒を除去するために予備精製を要求する。
気相機能化はまた、HO,NH及び/またはClのような異なる反応雰囲気下のナノチューブのボールミルによる機械化学的処理を使用することによって実現されることができる。それでも機械化学的機能化はまた、CNTのかなりの緻密化及び構造欠陥の形成をもたらす。
上述の方法とは対照的に、プラズマ処理に基づいた機能化法は低温工程であり、それは非常に効果的、非汚染的であり、かつそれは広範囲の官能基を与えることができる。従って、工業的用途のためにはプラズマ機能化工程は、前述した他の方法より好ましいはずである。
プラズマは、種々の励起状態の元素を含む部分的にまたは全体的にイオン化されたガスまたは蒸気である。これは、基本状態でない全ての分子を含む。かかるプラズマは、電磁場により作られかつ維持されることができる。電磁場にさらすことによって、イオン及び遊離ラジカルのようなプラズマの活性種が、ガス相からの分子と遊離電子の間の衝突により形成される。得られるプラズマは、イオン、遊離電子、遊離ラジカル、励起状態の種、光子及び中性安定種からなる。遊離ラジカルは、ガスの基本性質及び材料の表面化学に依存して異なるように処理された材料の表面と反応する。
ガス圧に依存して、プラズマは大気圧または低圧であることができる。約10Pa以下の圧力範囲は低圧プラズマとして示される。低圧プラズマの最も重要な利点の一つは、大気圧で高温を要求する反応が典型的に低圧プラズマ条件下で周囲温度近くで起こることである。この現象は、低ガス温度にもかかわらず、高電子温度が増加した自由行程長によって低圧プラズマで実現されるという事実のためである。低圧プラズマの別の利点は、処理が減圧下で、すなわち正確に制御された環境で起こることである。この事実のため、低圧プラズマ処理は、大気圧プラズマ工程と比べてより高い反復性を持つ。これらの利点のため、低圧プラズマは、材料加工で広い用途を見出した(M.A.Lieberman,A.J.「Principles of plasma discharges and materials processing」ニューヨーク、Wiley,1994)。低圧プラズマは、一対または一連の電極に直流(DC)、低周波(50Hz)、高周波(RF)(40kHz、13.56MHz)またはマイクロ波(GHz)電場を印加することにより形成されることができる。
高周波(RF)プラズマ装置は一般的に13.56MHzの電磁波を使用する。なぜならこの周波帯は、研究専用であり、電気通信に影響を及ぼさないからである。
プラズマ処理は、種々の反応器内で種々のガス圧下で達成されることができる。カーボンブラック、黒鉛またはカーボンナノチューブのような粉末の場合には、各粒子の均一な処理が望ましいが、得るのが難しい。これは、主として粒子サイズ分布及び粒子の凝集のためである。
従来技術では、高周波電場を用いることによるプラズマ処理によってO含有基を持つカーボンナノチューブ(CNT)を機能化するために振動及び流動床反応器が開発された。連続的に働く流動床反応器の欠点は、反応器内で処理される各粒子の滞留時間が実際に知られておらず、制御できないことにある。
文献WO2010/081747Aは、粉末のプラズマ処理が起こる反応器の断面拡大を含む特別な形状の流動床反応器を開示する。
本発明は、プラズマ反応器、及び従来技術の欠点を持たない方法を提供することを目的とする。
本発明は、特に、低圧でプラズマにより作られた活性種を含む反応領域を通して重力により粉末を落下させる方法を提案することを目的とし、それは特定の滞留時間及び制御された処理を保証する。
最後に、本発明は、本発明の方法によりかつ本発明の反応器において機能化されたカーボンナノチューブにより強化された高分子系複合体を開示する。
本発明は、プラズマ反応器内での粉状製品の機能化のための連続方法であって、以下の工程を含む方法を開示する:
− 垂直反応器内にプラズマを発生し;
− 前記反応器を通して上部から下部まで前記粉状製品を重力により落下させることによって前記粉状製品を前記プラズマと接触させる。
本発明の好適な実施態様は、以下の特徴の少なくとも一つまたは適切な組み合わせを開示する:
− 連続方法は、入口ロック室(5)を介して前記粉状製品をプラズマ反応器中に導入する工程、及びいかなる工程も中断することなしに出口ロック室(8)内の機能化された粉状製品を回収する工程を含む;
− 粉状製品はカーボンナノチューブを含む;
− プラズマの圧力は10Pa未満、好ましくは1Pa未満、最も好ましくは0.8Pa未満である;
− プラズマの発生のための分子はプラズマ反応器の上部に導入される;
− 垂直反応器は一定の断面を持つ;
− プラズマが13.56MHzの周波数、及び100〜1000ワット、好ましくは200〜600ワットの電力により発生される;
− プラズマの発生のために考えられる分子は、アルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、窒素(N)、酸素(O)、水素(H)、水(HO)、アンモニア(NH)、テトラフルオロメタン(CF)、アリルアミン(CNH)、アクリル酸(C)、イソプレン(C)、ヘキサメチルジシロキサン(C18OSi)、メタノール(CHOH)及びエタノール(COH)であり、特にかかる分子はアルゴン(Ar)、ヘリウム(He)のような不活性ガス;分子状窒素(N)、アンモニア(NH)のような窒素含有ガス;酸素(O)、オゾン(O)、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO)のような酸素含有ガス;例えばエタン(C)、ヘキサン(C14)のようなアルカン;例えばエチレン(C)のようなアルケン;例えばアセチレン(C)のようなアルキン;例えばメチルメタクリレート(C)のようなモノマー;式R−COOHを持つカルボン酸、ここでRは一価の官能基であり、Rは飽和されることができ、例えばプロパン酸(C)であり、または不飽和であることができ、例えばアクリル酸(C)であり;アルキルアミンのようなアミン、例えばメチルアミン(CHN)、ヘプチルアミン(C17N)、ブチルアミン(C11N)、プロピルアミン(CN)、1,3−ジアミノプロパンまたはアリルアミン(CN)のようなアリルアミン;例えばジメチルホルムアミド(CNO)のようなアミド、メタノール(CHOH)、エタノール(COH)、アリルアルコール(COH)、イソプロピルアルコール(COH)、1−プロパノール(COH)、プロパルギルアルコール(COH)、フルフリルアルコール(CH)、イソブタノール(COH)のようなアルコール;シラン及びそれらの誘導体;ヘキサメチルジシロキサン(C18OSi)のようなシロキサン及びそれらの誘導体;フルオロカーボン、例えばテトラフルオロメタン(CF)のようなハロゲン及びそれらの誘導体;イソプレン(C)のようなテルペン及びテルペノイド及びその誘導体からなる群から選ばれる。
本発明はさらに、本発明による方法による粉状製品の機能化のための設備であって、以下のものを含む設備を開示する:
− 垂直位置に置かれたプラズマ反応器;
− プラズマ反応器中にガス状プラズマ前駆物質を入れるためのプラズマ反応器と連結している第一装置;
− プラズマ反応器に粉状製品を充填するためのプラズマ反応器と連結している第二装置;
− プラズマ反応器から粉状製品を引き出すためのプラズマ反応器と連結している第三装置、但し第二装置及び第三装置が一つ以上の弁によりプラズマ反応器から隔離された一つ以上のロック室を含む;
− プラズマの発生のための電磁波を供給するためのプラズマ反応器の少なくとも一部を取り囲む第四装置;
− プラズマ反応器内に低圧を発生するためのプラズマ反応器と連結している第五装置。
本発明による設備の好適な実施態様は、以下の特徴の少なくとも一つまたは適切な組み合わせを開示する:
− 第二装置が粉状製品の分配器を含む;
− 第四装置がアンテナであり、好ましくはソレノイドコイル形状をしている;
− 第二装置がロック室と連結しているホッパーを含む;
− 第一装置が質量流量制御器を含む。
本発明はさらに、本発明の方法及び設備により機能化されたカーボンナノチューブを含む高分子系複合体を開示する。
図1は、本発明のプラズマ機能化構成の概要を示す。
図2は、初期CNT(A)、及びO(B)及びアリルアミン(C)雰囲気下でのプラズマ処理後のCNTの構造のTEM画像を示す。
図3は、C,N及びOの特徴的ピークを持つN雰囲気下での機能化前(A)及び後(B)のCNTの典型的なX線光電子スペクトルを示す。
図4は、N雰囲気下でのプラズマ処理後のCNT表面上に付着した窒素の濃度に対する高周波電磁(RFEM)場の電力の影響(XPS測定に基づく)を示す。
図5は、Nプラズマ処理後のCNTの窒素及び酸素濃度に対するプラズマを通過する回数の影響(XPS測定に基づく)を示す。
図6は、N雰囲気下でのプラズマ処理後のCNTの窒素濃度に対するアンテナのコイルの数の影響(XPS測定に基づく)を示す。
図7は、本発明のプラズマ機能化構成で試験した非炭素材料:フェライト(A,B)、ヒュームドシリカ(C,D)、ケイ酸ガラス(E,F)、cloisite(G,H)の典型的な走査電子鏡検画像を与える。
特定の反応器タイプによる、粉末、特にカーボンナノチューブの機能化のための大規模法が開発された。
この方法は、プラズマ状態下での、特に異なるガスの存在下での高周波(RF)プラズマ状態下での粉末の処理に基づく。
使用されるガスの性質に依存して、この方法は、炭素原子の一部の他の原子または原子群による置換、及び/または他の原子または原子群のCNTの炭素原子への結合、またはCNTの表面上への種々の物質の層の付着をカーボンナノチューブの特定の場合においてもたらす。
プロセス条件の変動は、CNT表面または他の粉末の構造に導入されるかまたは構造上に付着された要素または化合物の性質及び濃度を変えることを可能にする。
本発明による方法の主な利点は以下の通りである:
− 低温表面処理(構成及び粉状製品の加熱が全くない);
− 導入される要素の性質及び濃度を変える可能性;
− 他の存在する機能化方法と比べて高収率のプロセス。
構成の説明
図1は、プラズマ機能化のための構成の概要を与える。開発された構成は、アンテナ3と連結されている整合器2を持つRF電力供給源1からなる。アンテナは幾つかのソレノイドコイルを持ち、垂直石英反応器4の周りに置かれる。表現「垂直反応器」または「垂直位置」は、90°の直角からわずかにそれる位置を含む「実質的に垂直」として理解されるべきである。
反応器は、上部で、供給手段、例えば循環スクリュー6及びガス入口7を持つ電力挿入(供給)システム5と連結され、下部で、製品回収システム8と連結される。ガスラインは、ガス入口システム7、質量流量制御器9及びガス風船(ガス状前駆物質の場合)または液体を持つ容器(液体状態の前駆物質の場合)10からなる。特定の実施態様では、ガス入口及びポンプ輸送システムの両方が反応器の上部に位置されている。
垂直反応器の内側の圧力は、一つ以上のターボポンプ輸送システム(11,13)により制御され、遮蔽システム12が反応器領域の外側への電磁波の伝播を避ける。
処理された粉末は、反応器の上部の挿入システムから好適な供給システム、例えば循環スクリューにより送出され、反応器を通して移動され、そこでそれは重力により反応器の下部に落下し、その間にそれはプラズマ処理に供され、反応器の下部でそれが集められる。
反応器は特定の低圧状態下で働くので、(真圧)出口8と入口5のロック室は、反応器の内側に低圧を維持しながらプラズマ処理された粉末を導入及び回収するために必要である。図1に示されたように平行位置(5,8)の二重ロック室は、粉末供給及び回収の中断なしの連続機能化プロセスを可能にする好ましい構造である。
作動条件
RFプラズマは13.56MHzの周波数、及び100〜1000Wの範囲の利用可能な電力により発生される。処理時の反応器内のプロセスガス圧は10−2〜10Paの範囲である。
機能化は、種々の物質、例えばアルゴン(Ar)、ヘリウム(He)のような不活性ガス;分子状窒素(N)、アンモニア(NH)のような窒素含有ガス;酸素(O)、オゾン(O)、一酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO)のような酸素含有ガス;例えばエタン(C)、ヘキサン(C14)のようなアルカン;例えばエチレン(C)のようなアルケン;例えばアセチレン(C)のようなアルキン;例えばメチルメタクリレート(C)のようなモノマー;式R−COOHを持つカルボン酸、ここでRは一価の官能基であり、Rは飽和されることができ、例えばプロパン酸(C)であり、または不飽和であることができ、例えばアクリル酸(C)であり;アルキルアミンのようなアミン、例えばメチルアミン(CHN)、ヘプチルアミン(C17N)、ブチルアミン(C11N)、プロピルアミン(CN)、1,3−ジアミノプロパンまたはアリルアミン(CN)のようなアリルアミン;例えばジメチルホルムアミド(CNO)のようなアミド;メタノール(CHOH)、エタノール(COH)、アリルアルコール(COH)、イソプロピルアルコール(COH)、1−プロパノール(COH)、プロパルギルアルコール(COH)、フルフリルアルコール(CH)、イソブタノール(COH)のようなアルコール;シラン及びそれらの誘導体;ヘキサメチルジシロキサン(C18OSi)のようなシロキサン及びそれらの誘導体;例えばテトラフルオロメタン(CF)のようなフルオロカーボンのようなハロゲン及びそれらの誘導体;イソプレン(C)のようなテルペン及びテルペノイド及びその誘導体の存在下で実施される。
この方法及び設備はいかなる粉状材料に対しても適している。機能化に供される粉末の非限定的な例は、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)または多層カーボンナノチューブ(MWCNT)、炭素繊維、カーボンブラック、黒鉛、ガラス繊維、金属酸化物、例えばフェライト、ヒュームドシリカ、ケイ酸ガラス、ナノクレイであることができる。
特性評価法
機能化後の粒子の構造は、透過型電子顕微鏡(TEM)により特徴付けられた。挿入された元素の濃度は、X線光電子分光器(XPS)により定量された。
カーボンナノチューブの特定の場合において、これらのナノチューブを含む高分子系複合体の独特な電気機械的性質は、それらの凝集体の構造及びモルフォロジーによって得られる。従って、機能化時のCNT及びそれらの凝集体の構造の保存は、重要な課題の一つである。プラズマ機能化の前後のCNTの構造はTEMで調査された。図2に与えられた初期及びプラズマ処理されたナノチューブの典型的なTEM画像は、プラズマ機能化プロセスが、ナノチューブの構造を変えず、主としてCNTの端表面に作用することを示す。
プラズマ機能化後のCNTのXPSスペクトルは、ナノチューブ内への元素(Oまたは/及びN)の導入/結合を証明した。炭素及び導入される元素の原子濃度の評価は、それらの特徴的ピークの面積の測定に基づいている。機能化後のCNTの典型的なXPSスペクトルの変化は、図3に与えられている。
プラズマ機能化時に導入される元素の性質は、異なるガスを使用することにより変動することができる。元素の濃度は、以下のパラメーターを変えることにより変動することができる:
− RF電力;
− アンテナの長さ(ソレノイドループの量またはそれらの間の距離);
− プロセスガス圧;
− プラズマを通しての材料の通過の回数。
図4に与えられた結果は、100ワットから300ワットへの電力の増加がCNT中の窒素濃度の3原子%から9原子%への増加をもたらすことを示す。
プラズマ領域を通しての通過の回数の増加はまた、導入される元素の濃度の増加をもたらす(図5)。導入される元素のより大きな濃度はまた、アンテナのソレノイドループの数を増加することにより達成されることができる(図6)。従って、コイルの数の4から8への増加は、窒素濃度の約2倍の増加に導く。
実施例1:
5.0gの多層カーボンナノチューブが入口ロック室を介して挿入システムの液溜め内に置かれ、このシステムは密封閉鎖され、構成はターボポンプにより5×10−3Paの圧力までポンプ排気された。Nガスが、約0.99Paの圧力で、垂直反応器管の上部を介してシステム中に挿入された。RFプラズマが、300Wの電力及び13.56MHzの周波数で、石英反応器上に四つのソレノイドコイルを持つアンテナにより発生された。CNTは、約0.4回転/秒の速度により循環スクリューを持つ挿入システムを使用して液溜めから上部の反応器の中心まで移動された。CNTは、重力により駆動されてプラズマ領域を通過した。プラズマ領域を通過した後、CNTは出口ロック室を介して回収システムに集められた。全システムは、CNTの連続供給及び回収が可能でありながら低圧が維持されることができるようにロック室の開閉と調和するように配置される。N,O及びCの濃度はXPS法により定量された。CNTの構造は透過型電子顕微鏡により調査された。機能化後のCNT試料の組成は、93.7原子%のC、2.9原子%のN、3.4原子%のOである。機能化前のCNT試料の組成は、99.1原子%のC、0.9原子%のOであった。
実施例2:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、Nの代わりに同じ圧力(0.99Pa)を持つNHガスが使用された。XPS測定に基づく機能化後のCNT試料の組成は、96.8原子%のC、1.0原子%のN、2.2原子%のOであった。
実施例3:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、Nの代わりに同じ圧力(0.99Pa)を持つCNHガスが使用された。XPS測定に基づく機能化後のCNT試料の組成は、95.7原子%のC、1.8原子%のN、2.5原子%のOであった。
実施例4:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、Nの代わりに同じ圧力(0.99Pa)を持つHガスが使用された。XPS測定に基づく機能化後のCNT試料の組成は、98.5原子%のC、及び1.5原子%のOであった。
実施例5:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、Nの代わりに同じ圧力(0.99Pa)を持つHOガスが使用された。XPS測定に基づく機能化後のCNT試料の組成は、97.2原子%のC、及び2.8原子%のOであった。
実施例6:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、Nの代わりに同じ圧力(0.99Pa)を持つOガスが使用された。XPS測定に基づく機能化後のCNT試料の組成は、96.5原子%のC、及び3.5原子%のOであった。
実施例7:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、Nの代わりに同じ圧力(0.99Pa)を持つCガスが使用された。XPS測定に基づく機能化後のCNT試料の組成は、97.6原子%のC、及び2.4原子%のOであった。
実施例8:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、87.4原子%のC、6.2原子%のN、6.4原子%のOであった。
実施例9:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用された。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、91.2原子%のC、5.6原子%のN、3.2原子%のOであった。
実施例10:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用され、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、81.3原子%のC、13.4原子%のN、5.3原子%のOであった。
実施例11:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、300Wの代わりに100Wの電力が使用された。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、94.7原子%のC、1.2原子%のN、4.1原子%のOであった。
実施例12:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、300Wの代わりに200Wの電力が使用された。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、89.8原子%のC、5.9原子%のN、4.3原子%のOであった。
実施例13:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、0.99Paの代わりに0.48PaのN圧力が使用された。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、88.1原子%のC、8.7原子%のN、3.2原子%のOであった。
実施例14:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、0.99Paの代わりに0.48PaのN圧力が使用され、300Wの代わりに100Wの電力が使用された。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、93.5原子%のC、3.1原子%のN、3.4原子%のOであった。
実施例15:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、0.99Paの代わりに0.48PaのN圧力が使用され、300Wの代わりに200Wの電力が使用された。XPS測定に基づいた機能化後のCNT試料の組成は、93.7原子%のC、3.7原子%のN、2.6原子%のOであった。
実施例16:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりにカーボンブラック(KETJENBLACK EC600JD,AKZO NOBEL)の5.0gが使用された。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、93.5原子%のC、4.1原子%のN、2.4原子%のOであった。プラズマ処理前の試料の組成は、97.4原子%のC、2.6原子%のOであった。
実施例17:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりに黒鉛(Expandable graphite GHL PX 98,HUNTSMAN)の5.0gが使用された。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、95.2原子%のC、1.6原子%のN、3.2原子%のOであった。処理前の試料の組成は、99.1原子%のC、0.9原子%のOであった。
実施例18:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりにガラス繊維の5.0gが使用された。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、44.2原子%のC、16.1原子%のN、39.7原子%のOであった。処理前の試料の組成は、73.4原子%のC、26.6原子%のOであった。ガラス繊維の表面上の高分子サイジングの存在のためにSiの存在は全く検出されなかった。
実施例19:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりに0.2〜50μmのサイズを持つ不規則な形状の粒子からなるフェライト粉末(Fe)(図7A,B)の5.0gが使用され、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用され、0.99Paの代わりに2.0PaのN圧力が使用され、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、2.9原子%のN、67.4原子%のO、29.7原子%のFeであった。処理前の試料の組成は、69.1原子%のO、30.9原子%のFeであった。
実施例20:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりに<100nmのサイズを持つ粒子の1〜20μmのサイズを持つ凝集体からなるヒュームドシリカ粉末(SiO)(図7C,D)の5.0gが使用され、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用され、Nの代わりにCNHが2.0Paの圧力で使用され、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、1.9原子%のN、65.7原子%のO、32.4原子%のSiであった。処理前の試料の組成は、67.1原子%のO、32.9原子%のSiであった。
実施例21:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりに0.1〜50μmのサイズを持つ球形粒子からなる(式NaO・CaO・6SiOをほぼ持つ)ケイ酸ガラス粉末(図7E,F)の5.0gが使用され、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用され、0.99Paの代わりに2.0PaのN圧力が使用され、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、0.8原子%のN、62.2原子%のO、25.5原子%のSi、9.9原子%のNa、1.6原子%のCaであった。処理前の試料の組成は、63.2原子%のO、26.4原子%のSi、8.8原子%のNa、1.6原子%のCaであった。
実施例22:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりに(式NaO・CaO・6SiOをほぼ持つ)ケイ酸ガラス粉末の5.0gが使用され、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用され、窒素の代わりに2.0Paの圧力を持つアリルアミン(CNH)が使用され、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、12.1原子%のN、56.2原子%のO、23.7原子%のSi、6.6原子%のNa、1.4原子%のCaであった。処理前の試料の組成は、63.2原子%のO、26.4原子%のSi、8.8原子%のNa、1.6原子%のCaであった。
実施例23:
実施例1と同じ操作条件が選ばれたが、多層カーボンナノチューブの代わりに凝集体サイズ1〜20μmを持つフレーク状粒子の不規則形状凝集体(図7H,G)からなる(式M(Al4−xMg)Si28(OH)、(但しMはNa,Ca2+またはNH であることができる)をほぼ持つ)のナノクレイCloisite20A粉末の5.0gが使用され、4ソレノイドコイルアンテナの代わりに8ソレノイドコイルを持つアンテナが使用され、0.99Paの代わりに2.0PaのN圧力が使用され、試料は1回の代わりに5回プラズマ領域を通過させられた。XPS測定に基づいた機能化後の試料の組成は、8.5原子%のN、56.8原子%のO、21.8原子%のSi、9.5原子%のAl、3.4原子%のMgであった。処理前の試料の組成は、62.0原子%のO、23.7原子%のSi、10.6原子%のAl、3.7原子%のMgであった。

Claims (12)

  1. プラズマ反応器での粉状製品の機能化のための連続方法において、
    − 垂直反応器内にプラズマを発生し;
    − 前記反応器を通して上部から下部まで前記粉状製品を重力により落下させることによって前記粉状製品を前記プラズマと接触させる
    工程を含むことを特徴とする連続方法。
  2. 入口ロック室(5)を介して前記粉状製品をプラズマ反応器中に導入する工程、及びいかなる工程も中断することなしに出口ロック室(8)内の機能化された粉状製品を回収する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の連続方法。
  3. 前記粉状製品がカーボンナノチューブを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の連続方法。
  4. プラズマの圧力が10Pa未満、好ましくは1Pa未満、最も好ましくは0.8Pa未満であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の連続方法。
  5. プラズマの発生のための分子がプラズマ反応器の上部に導入されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の連続方法。
  6. プラズマが、13.56MHzの周波数、及び100〜1000ワット、好ましくは200〜600ワットの電力により発生されることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の連続方法。
  7. プラズマの発生のための分子がアルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、窒素(N)、酸素(O)、水素(H)、水(HO)、アンモニア(NH)、アリルアミン(CNH)、アクリル酸(C)、イソプレン(C)、メタノール(CHOH)及びエタノール(COH)からなる群から選ばれることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の連続方法。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載の方法による粉状製品の機能化のための設備において、
    − 垂直位置に置かれたプラズマ反応器;
    − プラズマ反応器中にガス状プラズマ前駆物質を入れるためのプラズマ反応器と連結している第一装置;
    − プラズマ反応器に粉状製品を充填するためのプラズマ反応器と連結している第二装置;
    − プラズマ反応器から粉状製品を引き出すためのプラズマ反応器と連結している第三装置、但し第二装置及び第三装置が一つ以上の弁によりプラズマ反応器から隔離された一つ以上のロック室を含む;
    − プラズマの発生のための電磁波を供給するためのプラズマ反応器の少なくとも一部を取り囲む第四装置;
    − プラズマ反応器内に低圧を発生するためのプラズマ反応器と連結している第五装置
    を含むことを特徴とする設備。
  9. 第二装置が粉状製品の分配器を含むことを特徴とする請求項8に記載の設備。
  10. 第四装置がアンテナであり、好ましくはソレノイドコイル形状をしていることを特徴とする請求項8または9に記載の設備。
  11. 第二装置が、ロック室と連結しているホッパーを含むことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の設備。
  12. 第一装置が流量制御器、好ましくは質量流量制御器を含むことを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の設備。
JP2014511838A 2011-05-23 2012-05-22 粒状及び粉状製品の機能化のための設備及び方法 Pending JP2014525820A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11167044 2011-05-23
EP11167044.4 2011-05-23
PCT/EP2012/059437 WO2012160041A1 (en) 2011-05-23 2012-05-22 Installation and method for the functionalization of particulate and powdered products

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014525820A true JP2014525820A (ja) 2014-10-02

Family

ID=46168436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014511838A Pending JP2014525820A (ja) 2011-05-23 2012-05-22 粒状及び粉状製品の機能化のための設備及び方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140248442A1 (ja)
EP (1) EP2714590B1 (ja)
JP (1) JP2014525820A (ja)
KR (1) KR20140096994A (ja)
CN (1) CN103596878A (ja)
ES (1) ES2539686T3 (ja)
WO (1) WO2012160041A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018179344A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社イーツーラボ プラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置
JP2021063005A (ja) * 2015-01-27 2021-04-22 中国石油化工股▲ふん▼有限公司 ヘテロ原子含有ナノカーボン材、その作製方法及び使用、及び炭化水素の脱水素化方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3068727B1 (en) * 2013-11-12 2020-01-15 Perpetuus Research&Development Limited Method and apparatus for treating carbon nanoparticles or graphite particles with plasma
US11939477B2 (en) 2014-01-30 2024-03-26 Monolith Materials, Inc. High temperature heat integration method of making carbon black
US10100200B2 (en) 2014-01-30 2018-10-16 Monolith Materials, Inc. Use of feedstock in carbon black plasma process
US10370539B2 (en) 2014-01-30 2019-08-06 Monolith Materials, Inc. System for high temperature chemical processing
US10138378B2 (en) 2014-01-30 2018-11-27 Monolith Materials, Inc. Plasma gas throat assembly and method
RU2016135213A (ru) 2014-01-31 2018-03-05 Монолит Матириалз, Инк. Конструкция плазменной горелки
WO2016012367A1 (en) * 2014-07-22 2016-01-28 Basf Se Modification of carbon particles
CA2975723C (en) 2015-02-03 2023-08-22 Monolith Materials, Inc. Regenerative cooling method and apparatus
CN111601447A (zh) 2015-07-29 2020-08-28 巨石材料公司 Dc等离子体焰炬电力设计方法和设备
MX2018001612A (es) * 2015-08-07 2018-05-28 Monolith Mat Inc Método para la fabricación de negro de humo.
CN108352493B (zh) 2015-09-14 2022-03-08 巨石材料公司 由天然气制造炭黑
CA3060565C (en) 2016-04-29 2024-03-12 Monolith Materials, Inc. Torch stinger method and apparatus
MX2018013162A (es) 2016-04-29 2019-07-04 Monolith Mat Inc Adicion de calor secundario para el proceso y aparato de produccion de particulas.
MX2019010619A (es) 2017-03-08 2019-12-19 Monolith Mat Inc Sistemas y metodos para fabricar particulas de carbono con gas de transferencia termica.
EP3612600A4 (en) 2017-04-20 2021-01-27 Monolith Materials, Inc. PARTICULAR SYSTEMS AND PROCEDURES
WO2019084200A1 (en) 2017-10-24 2019-05-02 Monolith Materials, Inc. PARTICULAR SYSTEMS AND METHODS
CN112830162B (zh) * 2020-12-31 2023-07-28 贵州九鼎新能源科技开发有限公司 托盘式原材料运输装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63147573A (ja) * 1986-12-10 1988-06-20 Babcock Hitachi Kk プラズマ反応方法およびその装置
US5234723A (en) * 1990-10-05 1993-08-10 Polar Materials Inc. Continous plasma activated species treatment process for particulate
JPH06298365A (ja) * 1993-04-12 1994-10-25 Sanko Air Plant Ltd 高温・摩耗性粉粒体空気輸送用ロータリーフィーダおよびその連続定流量供給装置
JPH0871595A (ja) * 1994-09-02 1996-03-19 Ube Ind Ltd 軟泥の固化処理圧送設備
JP2000506559A (ja) * 1996-02-06 2000-05-30 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー プラズマ活性種による解凝集粒子の処理
JP2002501466A (ja) * 1997-01-13 2002-01-15 マイリー,ジョージ・エイチ 複雑なカーボン分子の製造方法及び製造装置
JP2003300715A (ja) * 2001-11-14 2003-10-21 Toray Ind Inc 多層カーボンナノチューブ、分散液、溶液および組成物、これらの製造方法、ならびに粉末状カーボンナノチューブ
JP2004503615A (ja) * 2000-06-13 2004-02-05 ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー 粒子状物質のプラズマ処理のための装置及び方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5328576A (en) * 1992-04-06 1994-07-12 Plasma Plus Gas plasma treatment for water and oil proofing of fabrics and paper
US5830330A (en) * 1997-05-22 1998-11-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for low pressure sputtering
US7887889B2 (en) * 2001-12-14 2011-02-15 3M Innovative Properties Company Plasma fluorination treatment of porous materials
TW200409669A (en) * 2002-04-10 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Protective coating composition
US8784949B2 (en) * 2007-12-20 2014-07-22 Eidgenossische Technische Hochschule Zurich Remote non-thermal atmospheric plasma treatment of temperature sensitive particulate materials and apparatus therefore
FR2940966B1 (fr) * 2009-01-09 2011-03-04 Saint Gobain Substrat hydrophobe comprenant un primage du type oxycarbure de silicium active par plasma
DE102009005053A1 (de) 2009-01-19 2010-07-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung partikulärer und pulverförmiger Substrate im Fließbett
CN101890314A (zh) * 2010-07-20 2010-11-24 东华大学 一种聚四氟乙烯膨化膜的表面亲水化改性方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63147573A (ja) * 1986-12-10 1988-06-20 Babcock Hitachi Kk プラズマ反応方法およびその装置
US5234723A (en) * 1990-10-05 1993-08-10 Polar Materials Inc. Continous plasma activated species treatment process for particulate
JPH06298365A (ja) * 1993-04-12 1994-10-25 Sanko Air Plant Ltd 高温・摩耗性粉粒体空気輸送用ロータリーフィーダおよびその連続定流量供給装置
JPH0871595A (ja) * 1994-09-02 1996-03-19 Ube Ind Ltd 軟泥の固化処理圧送設備
JP2000506559A (ja) * 1996-02-06 2000-05-30 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー プラズマ活性種による解凝集粒子の処理
JP2002501466A (ja) * 1997-01-13 2002-01-15 マイリー,ジョージ・エイチ 複雑なカーボン分子の製造方法及び製造装置
JP2004503615A (ja) * 2000-06-13 2004-02-05 ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー 粒子状物質のプラズマ処理のための装置及び方法
JP2003300715A (ja) * 2001-11-14 2003-10-21 Toray Ind Inc 多層カーボンナノチューブ、分散液、溶液および組成物、これらの製造方法、ならびに粉末状カーボンナノチューブ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021063005A (ja) * 2015-01-27 2021-04-22 中国石油化工股▲ふん▼有限公司 ヘテロ原子含有ナノカーボン材、その作製方法及び使用、及び炭化水素の脱水素化方法
WO2018179344A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 株式会社イーツーラボ プラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置
JPWO2018179344A1 (ja) * 2017-03-31 2020-02-06 株式会社イーツーラボ プラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140096994A (ko) 2014-08-06
WO2012160041A1 (en) 2012-11-29
EP2714590A1 (en) 2014-04-09
CN103596878A (zh) 2014-02-19
EP2714590B1 (en) 2015-03-18
US20140248442A1 (en) 2014-09-04
ES2539686T3 (es) 2015-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014525820A (ja) 粒状及び粉状製品の機能化のための設備及び方法
Levchenko et al. Scalable graphene production: Perspectives and challenges of plasma applications
US20180127274A1 (en) Treating Particles
Alam et al. Surface amination of carbon nanoparticles for modification of epoxy resins: plasma-treatment vs. wet-chemistry approach
US9764954B2 (en) Particulate materials, composites comprising them, preparation and uses thereof
US8163264B2 (en) Expanded graphite and process for producing the expanded graphite
Chen et al. Oxygen functionalization of multiwall carbon nanotubes by Ar/H2O plasma treatment
Yang et al. Preparation of highly conductive CNTs/polyaniline composites through plasma pretreating and in-situ polymerization
TW201841828A (zh) 具有碳同素異形體之無晶種粒子
Nair et al. Radio frequency plasma mediated dry functionalization of multiwall carbon nanotube
WO2013008209A2 (en) Methods for the preparation of carbon nanotubes doped with different elements
Agrawal et al. Sample pretreatment with graphene materials
Zhao et al. One-pot preparation of graphene-based polyaniline conductive nanocomposites for anticorrosion coatings
JP2010173884A (ja) カーボンナノチューブ分散体、それを用いた膜、およびその製造方法
Mishra et al. Surface modification of MWCNTs by O2 plasma treatment and its exposure time dependent analysis by SEM, TEM and vibrational spectroscopy
Qiao et al. Cost effective production of high quality multilayer graphene in molten Sn bubble column by using CH4 as carbon source
Wang et al. Synthesis of ultrafine silicon carbide nanoparticles using nonthermal arc plasma at atmospheric pressure
Lorençon et al. Thermal behavior of carbon nanotubes decorated with gold nanoparticles
R Loos et al. Plasma modification of carbon nanotubes
Pourfayaz et al. Rapid and enhanced functionalization of MWCNTs in a dielectric barrier discharge plasma in presence of diluted CO 2
Abdel-Fattah et al. Nitrogen functionalization of MWCNTs in Ar-N2 dielectric barrier discharge–Gas ratio effect
Brković et al. Effects of dielectric barrier discharge in air on morphological and electrical properties of graphene nanoplatelets and multi-walled carbon nanotubes
Ruelle et al. Surface treatment of carbon nanotubes via plasma technology
CN110451481B (zh) 一种利用等离子体制备纳米碳粉的方法
Baba et al. Atmospheric pressure glow-discharge plasmas with gas–liquid interface

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150105

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150825

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160315

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160614

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20161028