JP2014525135A - エピタキシャル堆積によるシリコンウェハ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 クロスフロー堆積を用いたシリコン前駆体空乏モードでのエピタキシャル堆積によって薄い単結晶シリコンウェハを堆積させるためのシステムが、低い総熱容量、高い放射率及び小さい容積を有する基板キャリアと、急速加熱、効率的な熱生成及び加熱に対する空間的制御を有するランプ・モジュールと、クロスフロー処理のために設計されたマニホルドとを含むことができる。さらに、基板キャリアは、キャリアの縁部からの熱損失を制御するための熱反射器、及び/又は、キャリアをマニホルドから熱的に分離し、マニホルドの独立した温度制御を可能にする熱チョークを含むことができる。キャリア及び基板は、基板の両側上に堆積するように、即ち、基板が両側上に剥離層を有するように構成することができ、キャリアは、基板の両面の上に等しいプロセス・ガス流を有するように構成することができる。複数の小型バッチ反応装置を含む堆積システムにより、高容量に対処することができる。
Description
本出願は、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる2011年5月27日出願の米国仮特許出願第61/491,152号の利益を主張するものである。
8×60/240=1時間当たり2ウェハ
となる。7年間にわたるウェハ当たりの減価償却費は、反応装置に関する90%の動作可能時間、90%の利用率、及び$1.2M ASP(特定用途向け製品)を仮定すると、次式により与えられる。
$1.2M/(2×0.9×0.9×24×350×7)=ウェハ当たり$12.60
5%の利用率におけるウェハごとに消費されるTCSは、ウェハ当たり650グラムである。TCSの商業価格が1kg当たり$3と仮定すると、ウェハ当たりのTCSのコストは、ウェハ当たり$2となる。8ウェハ・バッチを生産するのに使用される全電力は200kWと見積もられ、ウェハ当たりの電力コストは、kWh当たり4¢であるので、ウェハ当たりの電力コストは$1となる。他のガス及び消耗品は、ウェハ当たり約$1と見積もられる。従って、エピタキシャル堆積の総コストは、ウェハ当たり$16.6と見積もられる。
PVデバイス用のシリコンウェハの生産のためのエピタキシャル反応装置の技術仕様を提供するために、半導体デバイスの製造のために製造されるウェハとは異なる、シリコンウェハの具体的な物理的要件を理解することが有用である。
本発明の実施形態において、システムに複数の小型バッチ反応装置を用いる小型バッチ構想を用いてスループットを増大させる。基板温度及び基板表面の上のガス流の制御が小型反応装置においてより容易に達成されるので、複数の小型バッチ反応装置は、単一の大型反応装置に優る利点を有する。さらに、複数の小型バッチ反応装置は、予定されている及び予定されていない保守の両方に対処しながら、連続的な高スループットを保持することがより容易であるので、保守に関して言えばより望ましい。図3は、複数の小型バッチ反応装置310に基づいたシリコンウェハ・エピタキシャル堆積システム300の一例を示す。装填ステーション320において、複数の基板が基板キャリア内に装填され、次いで予熱チャンバ330に移送され、そこで基板及びキャリアが400℃まで加熱される。キャリアは、トンネル340を通って、輸送装置により輸送され、小型反応装置310の1つに挿入される。(代替的に、基板が装填されたキャリアを、室温で反応装置内に直接配置し、反応装置内で完全に堆積温度まで加熱することができる)。次に、キャリアを約1,150℃まで加熱し、基板上にシリコンウェハをエピタキシャルに堆積させる。シリコン堆積プロセスが完了した後、基板キャリアは約400乃至600℃に冷却され、次いでキャリアが小型反応装置310から取り出され、トンネル340(その側部、上部及び輸送ロボットは図示されていない)を通して輸送され、冷却チャンバ350内に配置されて室温まで冷却されてから、システム300から取り出される。その間、未処理の基板を有するキャリアがエピタキシャル反応装置内に装填され、従って、連続的な動作が保証される。基板キャリアが依然として400乃至600℃である間、基板キャリアを小型反応装置から取り出すことにより、反応装置を経るプロセス・サイクル時間が低減される。トンネルを窒素ガス(酸素が1%未満)で充填することができ、又は、基板キャリアが挿入される又は取り出されるとき、反応装置内で過剰圧力の窒素を用いて、望ましくないガスが反応装置内に入らないようにすることができる。さらに、堆積されたシリコンの酸化を最小にすることが望ましい場合、トンネルにおいて窒素環境を用いることができる。高温の基板キャリアの移動は、低い熱伝導性、低い総熱容量、低重量のキャリア・アームを有するロボットによって実施できることに留意されたい。このキャリア・アームは、基板キャリアの熱からロボットを保護すると同時に、より重要なことに、基板キャリアの急激すぎる冷却も回避する。
図4は、反応装置310のうちの1つについてのプロセス・チャンバ400を示す。プロセス・チャンバ400は、ステンレス鋼又は他の適切な材料で作成された容器401と、基板キャリアを挿入し、取り出すためのゲート・バルブ402と、基板キャリアの空間的に制御可能な急速な加熱をもたらすためのランプ・モジュール403と、ガス、冷媒などを供給し、除去するための種々の開口部404とを含む。当業者には明らかになるように、本発明の特徴を明瞭に示すために、電気コネクタ、機械的調整装置などは示されていない。
本発明の実施形態において、好ましくは、低い総熱容量及び高い放射率(黒体型)によって特徴付けられる基板キャリアによって、スループットを増大させることができ、これらの特性は、キャリアが迅速に加熱及び冷却されることを可能にし(低熱容量)、さらにキャリア内の基板が迅速に均一の温度に達することも可能にする(高放射率)。さらに、非常に小さい基板キャリアの容積により、反応装置内に注入される全ての反応物ガスの最大の使用が可能になる。これは、(1)基板キャリア容積の大部分が基板及びサセプタ・ハードウェアにより消費され、(2)プロセス・ガスに曝される基板キャリア内部の表面積の大部分が基板で覆われ、非基板表面上にシリコンを堆積させるために最小限のTCSが使用されるためである。さらに、基板キャリアは、直接加熱されないキャリアの表面を流れる熱を低減させるように構成することができる。
本発明の実施形態において、次の特性:1)急速加熱及び電気エネルギーの熱への効率的な変換を可能にする低熱容量、(2)外部サセプタの表面の上に伝えられる熱の空間的制御、及び(3)発生した熱の大部分が基板キャリアに向けられることを保証するための効率的な反射器を有する、反応装置内で基板を加熱するための熱源により、スループットを低コストで増大させることができる。そうした熱源が、図9A及び図9Bに示される。熱源900は、全てが反射器901内に収容される、サセプタ用ランプ711、マニホルド用ランプ712、及び垂直ランプを含む。ランプは、基板の均一な加熱を可能にするために、及び、基板キャリア及びマニホルドの異なる構成要素の温度を制御するのに必要とされる場合、個別に又はグループで制御される。加熱ランプは、基板を1,200℃まで急速且つ均一に加熱するのを可能にするように構成され、ランプへの電力は、反応物ガスが流れている間でさえも、一定の基板温度を可能にするようにリアルタイムで調節される。適切なランプの一例は、タングステンハロゲンランプである。
本発明の実施形態において、エピタキシャル・シリコン堆積のコストは、反応装置をTCS空乏モードで動作させて、低コスト・プロセスに必要な高いTCS利用率を達成することによって削減することができる。例えば、TCS前駆体ガスが基板表面にわたって流れる際にTCSが消費されるので、さらに下流でガスが基板キャリアから出ると、非常に僅かなTCSしか存在しない。本発明によるプロトタイプの反応装置設計における実験は、60%に至るTCS利用率を示している。図1に見られるように、TCSが空乏化するにつれて、堆積速度は劇的に減少する。従って、基板上に堆積されたシリコンの厚さもまた、ガス流の方向に沿って劇的に減少する。従って、厚さの減少を補償するために、ガス流の方向を逆にし、低い堆積速度を有していた領域が今度は高い堆積速度を有するようにし、逆もまた同等である。それぞれ左から右及び右から左へのプロセス・ガスの流れの方向に沿った、基板上のシリコン堆積層度を示す、図11Aの曲線1101及び1102を参照されたい。曲線1103は、2つの堆積についての平均堆積速度を示し、比較的均一な膜厚を達成することができるが、中央に小さいピークがあることを示す。逆に、図11Bの曲線1104は、中央に僅かな低下(dip)を示す。図11A及び図11Bは、流量を変化させることによって、十分に均一な膜厚を得ることができることを示し、図11Aの低流量は、60乃至100標準状態リットル毎分(slm)の範囲であり、図11Bの高流量は、150乃至300slmの範囲である。図7及び図8に関して前述したように、クロスフローを種々の方法で実施することができ、同じく引用によりその全体が本明細書に組み入れられる2010年10月21日に公開されたSivaramakrishnan他への特許文献1を参照されたい。
本発明による基板キャリアの種々の実施形態のさらに別の詳細が、図12A−図12F、図13A−図13C、図14A及び図14B、並びに図15A−図15Cに示される。
クロスフロー処理を効率的に実施できるように、反応物ガスのための注入装置として働き、排気部としても働くことができるガス・マニホルドが好ましい。マニホルド405の実施形態の斜視図が、図16に示される。マニホルド1600は、ボディ1601と、ガス注入チューブ1602と、ガス排気チューブ1603と、以下でより詳細に説明されるような、注入ガスと排気ガスの分離のための分離プレート1604と、ガス排気開口部1605と、ガス注入スリット1606と、ガス・マニホルドを基板キャリアに対して位置合わせし、密封するための位置合わせリッジ1620とを有する。
マニホルドの構成要素は、例えば、石英又はSiCから製造することができる。
本発明を用いて達成されると予想されるシリコンウェハの製造コストの削減は、ここ当分の間、単結晶シリコン太陽電池のコスト競争力を可能にするであろう。本発明のシリコン・エピタキシャル反応装置の実施形態を用いて、シリコン太陽電池製造のための本発明の商業的利点を実証する。各々が36個の125×125ミリメートル平方の基板を有する10個の小型バッチ反応装置を備えたシステムを想定したコスト・モデルを使用する。システムは、基板温度を制御するための加熱ランプ及びクロスフロー堆積を用いて、TCS空乏モードで動作する。1分当たり3.5ミクロンの速度での180ミクロン厚のウェハの成長が仮定される。低い熱質量の基板キャリアの設計により、25分間での室温からの加熱及び約500℃までの冷却が可能になる。(温度が500−600℃に達すると、サセプタが堆積チャンバから冷却チャンバに移される。)
51.5+25=76.5分と与えられる。
これは、36個の基板を有する10個の小型バッチ・システムに対して、以下のスループットを与える。:
36×10×60/76.5=1時間当たり282個のウェハ
次に、本堆積システムについてのASP資本償却コストを$300万と仮定すると、90%の動作可能時間及び90%の利用率で7年間にわたり、
3.0×106/(282×0.9×0.9×24×350×7)=ウェハ当たり$0.22
が減価償却される。
全ランプ点灯時間=51分(堆積)+15分(加熱)=66分
36個のウェハに対して消費される全エネルギー=110×2×66/60=242kWh
4¢/kwhにおけるコスト/ウェハ=242×0.04/36=ウェハ当たり$0.26
$0.22+$0.20+$0.10+$0.10+$0.26+$0.05+$0.18=ウェハ当たり$1.11
2.65W(17%の効率に対する)の太陽電池出力を仮定すると、Wp当たりのコストは約$0.40となり、これは、背景技術の項の最後に記述した「ウェハ当たり$0.70に近いエピタキシャル堆積の総コスト」の目標を達成するものである。
本発明のエピタキシャル反応装置及び堆積方法を説明したので、図2を参照して、本発明によるシリコンウェハ製造のプロセス・ステップのさらに別の態様を提供する。プロセス・ステップ(210)において、この結晶配向がフッ化水素酸溶液中の陽極酸化による剥離層の形成に最も適合しているため、(100)結晶面の表面を有するシリコン基板が好ましい。ステップ(220)の好ましい実施形態において、剥離層はフッ化水素酸電解液中の陽極酸化によって形成され、この陽極酸化は、異なる多孔率の副層を有する剥離層を形成するように制御される。例えば、高多孔率層がシリコン基板の表面上の低多孔率層の下に形成され、この場合、高多孔率層はウェハの剥離を容易にし、低多孔率層はエピタキシャル成長のための良好なテンプレートを与える。複数の基板のための高スループット処理方法を含む剥離層の形成のさらなる詳細は、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる2009年9月10日に公開されたRavi他による特許文献2に与えられる。シリコンウェハを基板から分離するための方法は、隣接する層に対する剥離層の高多孔率副層の機械的脆弱性に依存する。ステップ(240)のための適切な方法の幾つかの例が、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる2009年9月10日に公開されたRavi他による特許文献2に与えられる。基板からシリコンウェハを分離した後、分離層の残存物は、当業者には周知の技術を用いて、化学的及び/又は機械的処理により容易に除去することができる。上述のように、基板表面の陽極酸化、陽極酸化された表面上へのエピタキシャル堆積、及び基板からのウェハの分離は、基板の両面に対して同時に行うことができ、このことが、スループットのさらなる向上及び製造コストの削減をもたらし得ることに留意されたい。
本発明のシリコン・エピタキシャル反応装置及び堆積方法を用いて、5ミクロンから250ミクロンまでの間の厚さのシリコンウェハを堆積させ、厚さ均一性は、125×125ミリメートル平方の正方形ウェハの2×2配列にわたり±4乃至5%と測定され、1ミクロンから300ミクロンまでの間の厚さのウェハは、±10乃至15%よりも良好な厚さ均一性で製造できると予想される。上述のように、これらの結果は、基板温度制御、クロスフローなどと組み合わせられたTCS空乏モードでの操作の成功を強調するものである。さらに、本発明を用いて、500乃至600ミクロンまでの厚さのウェハを作成できると予想される。明らかに、およそ50ミクロン未満の厚さのウェハは、ハンドル又は他の支持を必要とし、エピタキシャル・シリコンウェハのためのハンドルの議論に関しては、例えば、引用によりその全体が本明細書に組み入れられる2009年9月10日に公開されたRavi他による特許文献2を参照されたい。堆積コストよりも厚さ均一性が優先される場合、本発明のエピタキシャル反応装置を用いて、±1乃至2%の厚均一性を達成できることが予想されることに留意されたい。
本発明は、TCS前駆体ガスからエピタキシャル・シリコンウェハを製造するためのツール及び方法に関して説明されたが、ジクロロシラン、シラン、四塩化シリコンなどの他の前駆体ガスを用いることもできる。
221:剥離層
231:ウェハ
300:シリコンウェハ・エピタキシャル堆積システム
310:小型バッチ反応装置
320:装填ステーション
330:予熱チャンバ
340:トンネル
350:冷却チャンバ
400:プロセス・チャンバ
401:容器
402:ゲート・バルブ
403:ランプ・モジュール
404、1705、1708、1709、1731、1805、1808、1809、1819、1831、1832、1905、1908、1909、1919:開口部
405:ガス・マニホルド
500:基板キャリア
503:熱反射器
504:ガス供給チャネル
505、2010:熱チョーク
506:端部キャップ
507、508、509、1201、1203:サセプタ
702:熱放射
711、712、902:ランプ
721:窓
731:構造層
802:両面基板
900:熱源
901:反射器
1090:冷却ジャケット
1202:固定クランプ
1204:コネクタ部品
1205、1311:スロット
1208、1411:溝
1301、1401、1501:サセプタ・プレート
1302、1402:取り外し可能スライド
1303:くさび
1403:突起部
1503:クランプ
1506:凹部
1600:マニホルド
1601:ボディ
1602、1902:ガス注入チューブ
1603:ガス排出チューブ
1604:分離プレート
1605:ガス排出開口部
1606、1906、2006:ガス注入スリット
1620:位置合わせリッジ
1701、1801、1901:パイプ・ボディ
1704、1804、1904、1918、1921:プレート
1707、1907:ガス拡散プレート
1714、1814、1914:チャンバ
1715:パイプ
1816、1817:パイプ・セクション
1817、1917:バッフル
1818:チューブ
1916:側壁
1921:底部プレート
2001:マニホルド・ボディ
2004:分離プレート
2005:排出開口部
2011:ガス流仕切り
2012:受け用チャネル
2014:排出チャンバ
2020:位置合わせリッジ
Claims (21)
- エピタキシャル反応装置においてシリコン基板上にシリコンウェハをエピタキシャルに堆積させる方法であって、
サセプタ内に装填された第1の複数のシリコン基板を準備するステップであって、前記サセプタは基板キャリア内に組み立てられ、前記基板キャリアは、前記基板の前記対向する表面を前駆体ガスに曝すように、ガス流チャネルの両側上に平行な且つ対向する堆積表面を有する前記シリコン基板を保持するように構成される、ステップと、
前記シリコン基板の前記表面の上にシリコン前駆体ガスを流すステップであって、前記流れは、前記基板表面に平行であり、且つ、前記基板キャリアの両端部において第1のガス・マニホルドと第2のガス・マニホルドとの間で直線状である、ステップと、
前記チャネルを通して前記前駆体ガスを流す間、前記基板キャリアを加熱して前記基板表面上への前記前駆体ガスの解離を可能にするステップと、
を含み、
前記基板キャリアは、前記ガス流に垂直な方向に前記流れチャネルの範囲を定める2つの平行な端部キャップを有することを特徴とする方法。 - 前記シリコン基板は、前記前駆体ガスが上を流れる前記表面上の剥離層を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアは、前記基板の周辺にあり、且つ、前記ガス流チャネルを通る前記ガス流の方向に平行に延びる熱反射器を含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアの前記端部キャップを別個に加熱するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱するステップは、前記基板キャリアの両側上に且つ前記端部キャップに隣接し、これと位置合わせされた状態で配置された線形加熱ランプにより行われることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記第1のガス・マニホルド及び前記第2のガス・マニホルドを加熱するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記加熱するステップは、前記基板キャリアの両側上に、且つ、前記第1及び第2のガス・マニホルドに隣接し、これと位置合わせされた状態で配置された線形加熱ランプにより行われることを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 前記ガス・マニホルドは、ガス排出口からガス注入口を分離するための分離プレートを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ガス・マニホルドの前記ガス注入口は、前記ガス流チャネル内に供給される前記前駆体ガスの均一性を保証するためのガス拡散プレートを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記ガス・マニホルドは、前記マニホルドを通る前記前駆体ガスの経路長を増大させるためのバッフルを含むことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアは、前記ガス・マニホルドとの界面に熱チョークを含み、前記熱チョークは、前記ガス・マニホルドと前記基板キャリアとの間に何らかの熱的分離をもたらすことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアは、第2の複数のシリコン基板を保持するように構成された内部サセプタを含み、前記内部サセプタは、前記ガス流チャネルを2つの平行なガス流チャネルに分割し、前記第2の複数の基板の表面は、前記第1の複数の基板の表面に平行であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板キャリアは、前記第1のマニホルドと前記第2のガス・マニホルドとの間の第1及び第2のガス供給チャネル、並びに、前記ガス流を前記2つのガス流チャネルに分割するための前記サセプタを含むことを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記第1及び第2のガス供給チャネルを加熱するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 前記加熱するステップは、前記基板キャリアの両側上に且つ前記第1及び第2のガス供給チャネルに隣接し、これと位置合わせされた状態で配置された線形加熱ランプにより行われることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記第1及び第2のガス供給チャネルは、前記チャネルを通って流れる前記ガスへの熱伝達を向上させるための構造部が施されたチャネルを含むことを特徴とする、請求項14に記載の方法。
- 前記内部サセプタは、前記内部サセプタの両側上にシリコン基板を保持し、前記第2の複数の基板の各々は、前記2つの平行なガス流チャネルの1つだけに曝されることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記第2の複数のシリコン基板の各々は、前記平行なガス流チャネルの第1のものに曝される第1の堆積表面と、前記平行なガス流チャネルの第2のものに曝される第2の堆積表面とを有することを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 前記基板キャリアに対して前記第1及び第2のマニホルドをシールするステップをさらに含み、前記第1及び第2のマニホルドは連続的なシール・リッジを有し、前記基板キャリアは対応する連続的な受け用チャネルを有し、前記シール・リッジ及び前記受け用チャネルは、前記マニホルドと前記基板キャリアが接合される際に前記マニホルドと前記基板キャリアとの間に位置合わせ公差をもたらすための傾斜面を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記基板を前記サセプタ内に装填するステップをさらに含み、前記装填するステップは、前記基板の下縁部を前記サセプタの第1のスロット内に配置し、第2のスロットを前記基板の上縁部の上に配置するステップを含み、前記上縁部及び下縁部は、前記基板キャリア内で、前記ガス流チャネルを通る前記ガス流の方向に垂直になるように位置合わせされ、前記第1及び第2のスロットの部分は、前記ガス流チャネルを通る前記ガス流から前記上縁部及び下縁部を保護するために、前記基板の前記上縁部及び下縁部の上に片持ちされていることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記サセプタは、前記基板と前記サセプタとの間の堆積されたシリコンの架橋を低減させるために前記基板の前記縁部の下に凹部を有するように構成されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
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