JP2014506669A - Sensor heater, heated radiation sensor, and radiation detection method - Google Patents
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Abstract
センサ(10)用のヒータ(15)は、基板(20)と、基板(20)上の導電性の加熱構造(21)と、加熱構造(21)をセンサ(10)の1つ以上の外側端子(14)に電気的に接続させるための1つ以上の接続部(28)と、を備える。基板(20)は、剛体の基板であり、セラミックス、好ましくはアルミナセラミックスを含む。
【選択図】図1A heater (15) for the sensor (10) includes a substrate (20), a conductive heating structure (21) on the substrate (20), and the heating structure (21) outside one or more of the sensors (10). One or more connections (28) for electrical connection to the terminal (14). The substrate (20) is a rigid substrate and includes ceramics, preferably alumina ceramics.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、独立請求項の前文に記載のセンサ用ヒータ、加熱されるセンサ及び放射検知方法に関する。 The present invention relates to a sensor heater, a heated sensor and a radiation detection method according to the preamble of the independent claim.
放射センサは、放射を電気信号に変換するセンサである。この変換は、多くの場合、直接的ではなく、入射放射が吸収により上昇する温度へと変換され、この温度すなわちその結果としての温度変化が、電気信号を引き起こすという点で間接的である。従って、当然のことながら、入射放射の強度が比較的低いため、温度変化もまた比較的弱く、そのため信号も比較的弱い。入射放射(検出対象の放射)は、主に波長が800nmを超える赤外放射であり得る。 A radiation sensor is a sensor that converts radiation into an electrical signal. This conversion is often not direct, but is indirect in that incident radiation is converted to a temperature that rises due to absorption, and this temperature, or the resulting temperature change, causes an electrical signal. Thus, of course, since the intensity of the incident radiation is relatively low, the temperature change is also relatively weak, so the signal is also relatively weak. Incident radiation (radiation to be detected) can be primarily infrared radiation with a wavelength greater than 800 nm.
このようなセンサに対して、これまで、入射放射により生成される中間温度信号に重畳される熱雑音の影響を最小限に抑えるために大きな労力が費やされてきた。熱雑音を最小限に抑える第1のステップは、中間温度信号が熱接地(thermal ground)に短絡することを避けるために、放射感受性の高い部分を自然環境から可能な限り隔離することである。従って、放射センサの感知部分は、通常、フレーム状の基板によりに支持された、熱質量をほとんど持たない薄膜上に保持される。基板は、比較的高い熱質量を有し、熱接地とみなされ得る。そして、感知部分は、基板から離れた膜上に位置付けられ得る。 In the past, great effort has been spent on such sensors to minimize the effects of thermal noise superimposed on the intermediate temperature signal generated by incident radiation. The first step in minimizing thermal noise is to isolate the radiation sensitive parts as much as possible from the natural environment to avoid short circuiting the intermediate temperature signal to thermal ground. Thus, the sensing portion of the radiation sensor is typically held on a thin film that has little thermal mass supported by a frame-like substrate. The substrate has a relatively high thermal mass and can be considered a thermal ground. The sensing portion can then be positioned on the membrane remote from the substrate.
サーモパイルは冷接点及び温接点を有しており、入射放射は、この入射放射によって温接点と冷接点との間に生成される温度差によって検出される。入射放射は、温接点が周囲温度以上に加熱されるように、温接点に向けて誘導される一方、冷接点は、周囲温度に維持され、入射放射を受光しないことにより、検出に必要な温度差が生じ得る。サーモパイルセンサでは、冷接点は、温度を周囲温度に維持するために、熱接地としての基板に熱的に接続されることが多い。しかしながら、温接点は、通常、基板やフレームから離れた膜によってのみ保持される。膜は薄いため、その質量はほぼゼロであり、その熱容量は無視され得る。そして、周囲ガスや周囲空気を除き、感知部分は、高熱容量を有する自然環境との直接接触から切り離されている。これにより、特にセンサが熱平衡状態(一定かつ等しい周囲温度)にある場合に、放射センサを熱的に安定させるという第1の成果が収められる。 The thermopile has a cold junction and a hot junction, and the incident radiation is detected by a temperature difference generated between the hot junction and the cold junction by the incident radiation. Incident radiation is directed towards the hot junction so that the hot junction is heated above ambient temperature, while the cold junction is maintained at ambient temperature and does not receive incident radiation, thereby detecting the required temperature. Differences can occur. In thermopile sensors, the cold junction is often thermally connected to the substrate as a thermal ground to maintain the temperature at ambient temperature. However, the hot junction is usually only held by a membrane that is remote from the substrate or frame. Since the membrane is thin, its mass is almost zero and its heat capacity can be ignored. And, except for ambient gas and ambient air, the sensing part is separated from direct contact with the natural environment having a high heat capacity. This achieves the first result of thermally stabilizing the radiation sensor, especially when the sensor is in thermal equilibrium (constant and equal ambient temperature).
しかしながら、センサの周囲温度は変化することがあるため、熱平衡状態が常に得られるわけではない。使用中、放射センサの周囲温度は、しばしば急速に変化する。例えば、空調用途において、センサのそばを通過する空気流は、例えば、指令値が変化すると、例えば17℃から27℃へとその温度がおよそ即座に変化する。周囲温度が変化すると、再び熱平衡状態に達するまでに、センサ素子自体の内部温度もまた変化することになる。周囲温度が変化することで、センサの外側から内側に至る温度変化が引き起こされる。すると、周囲空気や周囲ガスの循環による及び膜を通じた熱伝導もやはり、熱雑音の認識可能な原因となるが、これは、特にサーモパイルセンサにおいて、温度変化が温接点及び冷接点に異なる時点で到達することにより、検出対象の放射によってではなく、温度変化が温接点及び冷接点に到達する際の時間差によって温度差が生成される場合に言える。熱平衡状態に到達するまでの間、測定結果は、再びある程度不確かになり得る。 However, since the ambient temperature of the sensor may change, a thermal equilibrium state is not always obtained. During use, the ambient temperature of the radiation sensor often changes rapidly. For example, in an air-conditioning application, the air flow passing by a sensor changes its temperature almost immediately, for example, from 17 ° C. to 27 ° C. when the command value changes. If the ambient temperature changes, the internal temperature of the sensor element itself will also change before reaching thermal equilibrium again. A change in ambient temperature causes a temperature change from the outside to the inside of the sensor. Then, heat conduction due to the circulation of ambient air and gas and through the membrane is also a recognizable cause of thermal noise, especially in thermopile sensors, when the temperature change is different at the hot and cold junctions. It can be said that the temperature difference is generated not by the radiation of the detection target but by the time difference when the temperature change reaches the hot junction and the cold junction. Until the thermal equilibrium state is reached, the measurement results can again be somewhat uncertain.
この影響を最小限に抑えるために、サポートや基板から離れた膜上にサーモパイルの冷接点も配置することで、温接点及び冷接点の周囲との熱的結合をある程度等しくするように作用するため、温接点及び冷接点に到達する周囲温度の変化の時間差は小さくなる。 In order to minimize this effect, the thermopile cold junction is also placed on the membrane away from the support and the substrate so that the thermal coupling between the hot junction and the cold junction can be made equal to some extent. The time difference between changes in the ambient temperature to reach the hot junction and the cold junction is reduced.
周囲温度の変化の影響をさらに小さくするために、所定の方法でセンサを動的に予加熱(プレヒート)することにより、周囲温度の変化がセンサ出力信号に与える影響を小さくすることが示されている。図7a及び図7bは、センサ加熱の従来技術からの引用である。 In order to further reduce the effect of changes in ambient temperature, it has been shown that the effect of changes in ambient temperature on the sensor output signal can be reduced by dynamically preheating (preheating) the sensor in a predetermined manner. Yes. Figures 7a and 7b are taken from the prior art of sensor heating.
図7aは、米国特許第6626835号の図面を示している。この文献の図1は、ケーシング72に収容されて放射透過窓部79に直接取り付けられたセンサ素子71を示す。窓部79とケーシング72との間の接続部には加熱素子73が設けられている。同文献の図5は、ケーシング底部72の一表面上に設けられたセンサ素子20を示し、ケーシング底部72の他方の表面上には加熱素子73が設けられている。
FIG. 7a shows the drawing of US Pat. No. 6,626,835. FIG. 1 of this document shows a
図7bは、国際出願第PCT/US2009/061842号の図面を示している。この文献の図3は、熱遮蔽体75に取り付けられた加熱抵抗体73を示しており、熱遮蔽体はセンサを収容する。同文献の図7は、熱遮蔽体75内に収容された放射センサを示しており、加熱素子73がセンサ72と熱的に結合されている。
FIG. 7b shows the drawing of International Application No. PCT / US2009 / 061842. FIG. 3 of this document shows a
公知のセンサ加熱構造の欠点は、ヒータと、センサのその他の構造物との機械的な及び/又は電気的な及び/又は熱的な結合の難しさにある。それに加えて、加熱されたセンサを使用する公知の方法は相対的に高いエネルギを消費し、このことは、電池により電力が供給されるデバイスにおいては特に不利である。 A disadvantage of the known sensor heating structure is the difficulty of mechanical and / or electrical and / or thermal coupling between the heater and the other structures of the sensor. In addition, known methods using heated sensors consume relatively high energy, which is particularly disadvantageous for devices powered by batteries.
好ましくは、本発明は、加熱対象のセンサに、機械的、電気的及び熱的に容易に接続可能なヒータを提供する。さらに好ましくは、本発明は、容易に取り付け可能なヒータを有するセンサを提供し、さらに任意で、消費電力を抑えた加熱されたセンサを使用した検知方法を提供する。 Preferably, the present invention provides a heater that can be easily mechanically, electrically and thermally connected to a sensor to be heated. More preferably, the present invention provides a sensor having an easily attachable heater, and optionally provides a detection method using a heated sensor with reduced power consumption.
好ましくは、これらの目標は、独立請求項の特徴により達成される。従属請求項は、本発明の好ましい実施形態に関連する。 Preferably, these goals are achieved by the features of the independent claims. The dependent claims relate to preferred embodiments of the invention.
第1の態様において、本発明は、ある種のキャリア又は基板によってある形状に保持される抵抗性の電気加熱構造を備えたヒータを提供し、このヒータは、加熱構造をセンサの外側端子に電気的に接続するための接続部を有する。このような構成では、ヒータを、加熱対象のセンサに機械的にも電気的にも熱的にも容易に結合させることができる。 In a first aspect, the present invention provides a heater with a resistive electrical heating structure that is held in a shape by a certain carrier or substrate, the heater electrically connecting the heating structure to the outer terminal of the sensor. Having a connection part for connection. In such a configuration, the heater can be easily coupled to the sensor to be heated, mechanically, electrically, or thermally.
ヒータは、板状であり得る剛体の基板を備えることができ、剛体の基板上には加熱構造が形成される。ヒータは、センサの最終組み立て前又は最終組み立て後に、別途センサに取り付け可能な独立したデバイスであってよい。ヒータ基板は、少なくとも一面において、ヒータが装備されるセンサの表面に適合する形状を示し得る。 The heater may include a rigid substrate that may be plate-shaped, and a heating structure is formed on the rigid substrate. The heater may be an independent device that can be separately attached to the sensor before or after final assembly of the sensor. The heater substrate may exhibit a shape that matches the surface of the sensor equipped with the heater on at least one side.
ヒータ基板は、外部のセンサ端子の少なくとも1つとの直接的な電気接触を確立することができるように、外部のセンサ端子が貫通可能な、又はヒータのそばを通過可能な、貫通孔又は凹部を備え得る。 The heater substrate has through holes or recesses through which the external sensor terminals can pass or pass by the heater so that direct electrical contact with at least one of the external sensor terminals can be established. Can be prepared.
ヒータ基板の外側形状(平面視外形)は、このヒータが装備されるセンサの平面視外形と同一であってもよい。 The outer shape (plan view outline) of the heater substrate may be the same as the plan view outline of the sensor equipped with the heater.
加熱構造は、所望の全体抵抗を有する細長い導体を構成し得るプリントされた導電性のパターン又はラインであり得る。これは、導電性ペーストから形成することができる。導体は、表面上の所望の位置を覆い、ひいては加熱するための所望のパターンに応じて基板表面上を蛇行し得る。蛇行する導体の一端又は両端は、センサの外側端子に直接接続され得る。 The heating structure may be a printed conductive pattern or line that may constitute an elongated conductor having a desired overall resistance. This can be formed from a conductive paste. The conductor can meander over the substrate surface depending on the desired pattern for heating and thus covering the desired location on the surface. One or both ends of the meandering conductor can be directly connected to the outer terminal of the sensor.
ヒータは、回路、特に制御回路を備えてもよい。制御回路は、温度センサ、又は、他に設けられた温度センサ、特に放射センサ内の温度センサから温度信号を受信するための端子を備えることができる。制御は、フォワード制御又はフィードバック制御であり得る。 The heater may comprise a circuit, in particular a control circuit. The control circuit may comprise a terminal for receiving a temperature signal from a temperature sensor or a temperature sensor provided elsewhere, in particular a temperature sensor in the radiation sensor. The control can be forward control or feedback control.
導電性加熱構造の材料は、温度に対して実用上一定(公称動作温度範囲において、5%未満の変化)の抵抗を持つものか、あるいは、温度上昇に伴って上昇する(正の温度係数(PCT:Positive Temperature Coefficient))ものであってよい。 The material of the conductive heating structure has a practically constant resistance to temperature (less than 5% change in the nominal operating temperature range) or increases with increasing temperature (positive temperature coefficient ( PCT: Positive Temperature Coefficient)).
センサは、筐体として形成され、その筐体の表面のうちの一面から外に延在するはんだ付け可能な配線を有するものであってもよく、又は、一面又は複数面上にはんだバンプもしくは導体パッドを有する表面実装部品(SMD:Surface Mounted Device)であってもよい。 The sensor may be formed as a housing and may have solderable wiring extending outward from one surface of the housing, or may be solder bumps or conductors on one or more surfaces. It may be a surface mounted component (SMD) having a pad.
さらに別の態様において、本発明は、物体からの放射を検知する方法を提供し、この方法は、センサをプレヒートするステップを含み、プレヒート目標温度は、物体の予測温度よりも低い温度又は温度範囲、及び/又は、センサの周囲温度よりも高い温度に規定された温度又は温度範囲である。 In yet another aspect, the present invention provides a method for detecting radiation from an object, the method comprising preheating the sensor, wherein the preheat target temperature is a temperature or temperature range that is lower than the predicted temperature of the object. And / or a temperature or temperature range defined as a temperature higher than the ambient temperature of the sensor.
以下、本発明の実施形態を添付の図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1は、好ましくは赤外線波長範囲の放射検出に使用することができるセンサを示す。検出される入射放射は、主に、800nmを超える波長の赤外線放射であり得る。最大感度は800nm〜15μmであり得る。 FIG. 1 shows a sensor that can be used for radiation detection, preferably in the infrared wavelength range. The incident radiation detected can be primarily infrared radiation with a wavelength greater than 800 nm. The maximum sensitivity can be between 800 nm and 15 μm.
図1は、センサ10及びヒータ15を概略斜視図で示している。センサ10は、本実施形態において、赤外線(IR)放射を受光して検出するための赤外線センサである。このセンサは、温度測定用又は存在検出用に使用され得る。図示された構造のセンサ10は、ベース部材12及びキャップ11から構成される筐体を備え、キャップ11は、センサの筐体の外側から内側へとIR放射を入射させる放射入射ウィンドウ13を有する。ウィンドウ13は、合焦特性を有してもよく、及び、レンズ、フレネルレンズ、移送板、集光鏡などであってよく又はそれらを備えてよい。ウィンドウ13の材料は、ある種のガラス、樹脂、又は赤外線を透過可能な他の材料(ケイ素など)であってよい。
FIG. 1 shows the
センサは、エネルギをセンサに供給するために、及び、センサへ及びセンサから信号を供給するために、外部回路に当該センサを接続する複数の接触配線又は接触端子14を有してよい。信号の入力及び出力は、アナログでもデジタルでもよく、デジタルの場合には並列でも直列でもよい。特定の実施形態におけるセンサの内部構造は、図3及び図6に示され、後に説明する。
The sensor may have a plurality of contact wires or
符号15はセンサ用のヒータである。図示された実施形態では、ヒータは、センサとは別に製造可能であり、ユニットとしてセンサに取り付けられ得る。図示された実施形態において、ヒータは、センサ10の底面に取り付け可能であり、接着剤又は樹脂によって機械的にセンサ10に固定されてよい。この接着剤又は樹脂は、機械的接触だけでなく、良好な熱的接触を確立するために、相対的に良好な熱伝導性を有するものが好ましい。概して、ヒータ15は、ヒータ15とセンサ10との間で良好な熱的接続を確立するための密接状態が付与されるように、少なくともその表面の一部において、センサ10の表面又は表面部分に適合する形状を示す。
図2は、より詳細なヒータ15の概略図を示す。ヒータ15は、その上に導電性の加熱構造21が形成された基板20を備える。加熱構造21は、電力や電流を熱に変換するための所定の(比)抵抗を有する細長い導体の形状を有し得る。導体21は、加熱が望まれる表面部分に広がるべく所望の形態で基板15の表面の全体にわたって蛇行し得る。
FIG. 2 shows a more detailed schematic diagram of the
ヒータ15は、必須ではないが、加熱構造21を流れる電流を制御するために好適な回路22を備えてもよい。図2は、単一の加熱構造21が接続端点同士の間に設けられた実施形態を示す。加熱構造21は、電流が加熱構造21を流れるように電力を受け取る。消費された電力は、Hp=V×I(ここで、Vは、加熱構造に沿った電圧降下であり、Iは、流れる電流である)に従って発熱量(heating power)Hpに変換される。従って、ヒータ15がセンサ10と接触している時、このセンサは、ヒータ15内で生成された発熱量の一部によって加熱される。
The
ヒータ基板20の外形は、センサ10の取り付け面の外形に一致するか、又は、その外形よりも小さくてよい。図示した例では、センサのベースプレート12は、丸型や円形であって良く、ヒータ基板20は、センサのベースプレート12と一致する形状、特にその直径Dが、センサのベースプレート12の直径と同一かそれよりも小さい形状であってよい。
The outer shape of the
加熱構造21への電力は、加熱構造21の少なくとも1つの端子がセンサ10の外部接続端子14に直接接続されるような方法で供給され得る。図2aは、ヒータのベースプレート20が、センサの外部接続配線14が貫通可能な貫通孔29を有する実施形態を示す。従って、ヒータ基板20上の孔29の配置パターンは、センサの接続配線14の配置パターンに対応する。ヒータ基板20は、必ずしも、全ての接続配線14にわたって、又は、全ての接続配線14に対向して、延在する必要はない。そして、当然ながら、孔29は、基板20によって覆われる端子配線14の位置に対してのみ設けられる。そして、加熱構造21の少なくとも1つの端部はセンサ10の外部端子14に接続され得る。
The power to the
図2bは、別の設計を示す。基板20は、センサ10の外部端子配線14の一部又は全部に近くなるように形成されている。この文脈において「近く」とは、1mm未満、好ましくは0.5mm未満、若しくは、線14の断面寸法(例えば直径)未満又はその50%未満の距離を意味し得る。その結果、加熱構造21は、センサ10の少なくとも1つの外部端子線14に接触することができる。図2bはさらに、加熱構造21が1つ以上設けられた実施形態を示す。より正確には、複数の配線21a、21b、21cが並列接続され、少なくとも1つの共通の接続点を共有している。これらの配線は両端で接続点を共有してもよい。図2bはさらに、配線のうちの1本(21b)のみが、流れる電流を制御するための制御回路22に接続される実施形態を示している。しかしながら、同様に、配線21a、21b、21cのうちの数本又は全部が制御回路22に接続されてもよく、又は、いずれの配線も接続されていなくてもよい。
FIG. 2b shows another design. The
図2bの破線は、ヒータ15が取り付けられるべきセンサ10の表面(図示された例ではベースプレート12)の外形を示している。ヒータ基板20の外形は、ヒータが取り付けられるべきセンサ10の外形内にとどまる。図2bの実施形態では、貫通孔29の代わりに、センサ10の外部端子線14の位置に応じて形成された凹部又は切り欠き28を有するヒータ基板20の外形が示されている。一部の外部接続配線14に対して図2aの貫通孔29を、他の外部接続配線14に対して図2bの凹部28を組み合わせて用いる実施形態もまた可能である。
The broken line in FIG. 2b shows the outer shape of the surface (
加熱構造21は、例えば導電性ペーストから形成されるプリントされた導電線であってよく、所望の全体抵抗を有する細長い導体を構成し得る。加熱構造21は、公知のプロセスで形成することができる。加熱構造は、その特徴、特に抵抗を最初の製造後に調節するための1つ以上の較正部を備えてもよい。調節は、例えば、加熱構造の抵抗を大きくするために導電性部分を焼き切るためのレーザトリミングによって行われ得る。
The
図3は、ヒータ15を装備したセンサ10の断面図を示す。センサ筐体内部には、入射した赤外線放射を電気信号に変換する検知部31〜33がある。検知部は基板31を備えてよい。基板31は、フレーム状、つまり凹部又は貫通孔38を囲む形状のものである。基板31は、ケイ素又又は同様の材料を含み得る、又は、該材料から形成され得る。膜32は、凹部38又は基板31の開口部上に跨り、実際のセンサ素子33を支持し得る。なお、図面は正確な縮尺どおりではない。センサキャップ11の外径は3〜8mmであってよい。図3の検知部31〜33の幅方向の寸法は1mm〜3mmであってよい。
FIG. 3 shows a cross-sectional view of the
センサ素子33からの電気信号は、ボンディング接点36を介してセンサの外部端子14及び/又は外部端子配線に接続され得るセンサの内部回路35へと伝えられる。センサ10は、センサの内部温度を検知する温度センサ34であって、関連した信号を後の使用のために外部端子14及び/又は内部回路35のいずれかに提供するための温度センサ34をさらに備えてもよい。
An electrical signal from the
図3において、ヒータ15は、センサ10の底面の外側表面、すなわち、センサ筐体のベースプレート12の下面に取り付けられている。加熱構造21は、ヒータ基板20により機械的に保護されるように、センサ表面に対向する表面上に設けられる。ヒータ基板20はある種の熱的分離ももたらすため、発熱量は、センサ10の雰囲気中へと拡散することなく、より効率的にセンサ10内へと拡散する。代替的に、ヒータ構造21は、ヒータの抵抗がセンサ筐体から電気的に絶縁されるように、ヒータ基板20の下面上に配置されてもよい。代替的に、ヒータ構造21は、筐体のベースプレート12の下面上に配置されてもよい。
In FIG. 3, the
任意選択的に、センサは、ベースプレート12に加えて、センサの内部の実装品(31〜36)の一部又は全部を支持する回路基板などの内部基板37を備えてもよい。しかしながら、ヒータ15からセンサ10の内部に向けた熱の流れを改善するためには、センサのベースプレート12の他には追加の内部基板37を備えない構造が好ましい場合もある。特に検知部31〜33は、センサのベースプレート12上に直接実装される。センサの筐体内の部品は、ボンディング配線により、及び/又は、プリント配線により、筐体のベースプレート12上又は内部基板37上で内部接続され得る。
Optionally, in addition to the
ヒータ15は、センサ10の外面に取り付けられる代わりに、センサ10の内面(例えばベースプレート12の上面)若しくは内部基板37の下面又は上面に取り付けられてもよい。なお、この場合、ヒータ15は、必ずしも基板20を有しなくてもよい。代わりに、センサ10のベースプレート12又は内部基板37はヒータ基板20の代わりになり得る。このような実施形態は、下面がプリント回路基板などの外部構造に直接接触するように設計されているため、ヒータ15を外面に取り付ける際に手が届かないSMDセンサなどに特に適している。しかしながら、上述した実施形態のように、ヒータ基板20として機能するプレートや基板は、外部接点が貫通可能又は通過可能な貫通孔29及び/又は切り欠き28を有してもよい。上述したように、加熱構造21は、図3に示したような端子配線であり得る外部端子14又はSMDの接触域又は接触バンプへの接続部であり得る外部端子14の少なくとも1つに直接接続され得る。
Instead of being attached to the outer surface of the
図3は、1つの検知素子31〜33を有するセンサを示している。しかしながら、集束された入射放射を検知することによって空間分解能を得るために複数の検知素子を好ましくは規則的な配列で備えてもよい。筐体は、TO5又はTO22などのTO筐体であってよい。 FIG. 3 shows a sensor having one sensing element 31-33. However, a plurality of sensing elements may be provided, preferably in a regular arrangement, to obtain spatial resolution by sensing focused incident radiation. The housing may be a TO housing such as TO5 or TO22.
図4は、ヒータ15を備えるセンサ10の全体の概略的な電気回路を示す。符号33は、放射を電気信号に変換する実際のセンサ素子を示す。符号35は、センサ10内に設けられ得るセンサ10の内部回路を示す。この内部回路は、信号整形、信号変換(アナログ−デジタル)、特性適合、インピーダンス変換、複数のセンサ素子間での多重化、内部設定の提供、通信制御、データ記憶、加熱制御などのうちの1つ以上の機能を有し得る。内部回路は、1つ以上の外部端子14のそれぞれに接続され得る。内部回路が設けられる場合、この内部回路35は内部温度34からの信号も受信してもよい。
FIG. 4 shows a schematic electrical circuit of the
従って、外部端子14は内部のセンサとエネルギ及び信号を交換している。外部端子14の少なくとも1つはセンサ素子33に直接接続されてもよい。図4のボックス20はヒータ15の基板を表す。この基板15は、単一の細長い導体として示されている加熱構造21を有する。図示された例では、この加熱構造21は、その両端でセンサの外部端子14に接続されている。
Accordingly, the
さらに、加熱構造21を流れる電流を制御し得る制御回路22が設けられる。制御は、目標温度又は目標温度範囲を維持するために行われ得る。制御は、加熱構造20上に設けられ得る温度センサ42に従って行われ得る。このセンサは、一方の端子でセンサの外部端子14に接続され得る。センサ42の別の端子は、ヒータ15の制御回路22に接続され得る。これにより、加熱構造21によって生成された温度の温度情報が、センサ42を介して制御回路22にフィードバックされるというフィードバック構造が提供される。しかしながら、フィードバック構造に代えて、フィードバックを使わない制御を行うこともできる。
Furthermore, a
センサ42を有する代わりに、ヒータ15は、破線41によって示されるように、センサ10の内部の温度センサ34から信号を受信してもよい。これに関連して、センサ10の外部端子14の1つ以上を、外部のヒータ15に接触する目的のためだけに設けてもよい。このオプションは、図4中、ヒータ15を越えない端子14aにより示されている。発熱量や加熱構造を流れる電流の制御は、センサ10の内部回路35によっても行うことができる。その場合、ヒータ15は、実際には、外部端子(これらの外部端子のうち1つは、例えば、接地又は供給電圧)に接続された加熱構造21のみを有し得る。そして、センサの内部回路35が電流制御を実行し得る。
Instead of having the
ヒータの最大動作電圧は、20V未満であり、9V又は1.5Vの倍数など通常のバッテリー電圧であり得る。コントローラは、ヒータの端子全体に印加される実効電圧を、最大動作電圧と同じなるように又は最大動作電圧よりも低くなるように制御し得る。制御は、パルス幅変調を含んでもよく、パルス幅変調であってもよい。 The maximum operating voltage of the heater is less than 20V and can be a normal battery voltage, such as a multiple of 9V or 1.5V. The controller may control the effective voltage applied across the terminals of the heater to be the same as or lower than the maximum operating voltage. The control may include pulse width modulation or may be pulse width modulation.
図5は、外部端子14とヒータ15の加熱構造21とをどのようにして接触させるかの一実施形態を示す。この詳細図は、図5中の符号28、29で示されるヒータ基板20の貫通孔部分又は凹部部分で切断した垂直断面図を示す。貫通孔29又は凹部28の垂直壁は金属被覆51によって覆われている。端子14は、金属被覆51にはんだ付けされてもよく、又は、例えば機械的な圧力などの他の適切な手段で金属被覆に接触してもよい。符号52は、孔29又は凹部28の金属被覆51と外部端子14との間のはんだ付け接続を表している。金属被覆51は、ヒータ15の電気部品、特に加熱構造21又は他の配線と電気的に接触している。
FIG. 5 shows an embodiment of how the
ヒータ15の基板20は剛体の基板であり得る。この基板は、セラミックス、特にアルミナセラミックスから形成されることができる。基板は、1mm未満、好ましくは0.5mm未満の厚さを有し得る。別の実施形態では、基板は、プラスチックのシート又は膜、若しくは、樹脂のシート又は膜など(例えば、マイラー(登録商標))の適切な形状及び剛性を有する可撓性材料であるか又は該可撓性材料を含んでもよい。
The
図6は、ヒータ15を設けるさらに別の実施形態を示す。検知部31〜33の基板31は、ヒータ15の基板20として作用し、例えば底面上に、センサ10の外部端子14、及び/又は、センサ10の内部回路35、又はヒータ15の専用制御回路22に接続される加熱構造21を有する。検知部31〜33は、センサ10のベースプレート12上又は中間基板37上に直接設けられてよい。
FIG. 6 shows still another embodiment in which a
図6の実施形態における加熱構造21の配線パターンは、基板31により囲まれる凹部38の周りを伝う螺旋状であり得る。このような螺旋は、電力供給用の2つの端子を有する。螺旋の代わりに、互いに並列に電気接続された並列ループを設けてもよい。加熱構造21は、検知部の基板31の底面に取り付けられる代わりに、検知部の基板31の別の表面、例えば外側の側壁又は内側の側壁に取り付けられてもよい。
The wiring pattern of the
上述したように、センサ素子33は、焦電素子、ボロメータ、又はサーモパイルであり得る。センサ素子は、膜32上のオリフィス38の上方に保持される「高温」接点33aを備え、及び、(図6に示すように)基板31と緊密に熱接触して基板31上に位置付けられ得る又は凹部38の上方に保持され得る低温接点33bを備え得る。
As described above, the
検知方法は、センサヒータ15により、好ましくは実測値が取られる前に、センサ10内の一部分の温度が所定の目標温度になるように、又は、目標温度範囲内に入るように制御することを含み得る。目標温度又は目標温度範囲は、赤外線放射を放出する測定対象の予測温度と一致する又は該予測温度を含むように選択されてよい。例えば、人間用の体温計の用途では、耳式体温計の場合、予測される温度は35℃前後である。そうすると、目標温度は、35℃又はその前後の温度範囲(±0.5℃、±1℃)となり得る。これにより、センサ(又は少なくとも関連部分)がすでに新しい環境(例えば、人間の耳道)の温度になっているため、センサは周囲温度の変化の影響を受けなくなるため、温度のずれが最小限に抑えられる。
In the detection method, the
別の実施形態では、例えば所定量(第1差異温度)だけ予測温度よりも低い値又は低い値範囲(例えば予測温度よりも少なくとも3℃〜7℃低い値)に温度を維持することが望ましい場合がある。この場合、発熱量が小さくなり、スイッチを入れてからヒータ15によりセンサ10を加熱するのに必要な時間が短くなり、感度は高くなる。そうなると、さらなる制御の目標は、現在の周囲温度(体温計用途では、通常は室温)よりも所定量だけ(第2差異温度、例えば3℃〜7℃)高い温度を維持することであり得る。例えば、関連するセンサ部分の温度を、現在の平衡温度よりも7℃高い温度にすることが制御目標になり得る。その場合、温度計が耳道に挿入されると、温度上昇が既に確立された上昇分を超えるには所定の時間がかかることになる。この時間内に測定が完了するため、測定対象(選択された例においては、耳道)の予測される温度まで完全に加熱されていなかったとしても、検知部は温度変化の影響を受けないことになる。
In another embodiment, for example, it is desirable to maintain the temperature at a value that is lower or lower than the predicted temperature by a predetermined amount (first difference temperature) (eg, at least 3-7 ° C. lower than the predicted temperature). There is. In this case, the amount of heat generation is reduced, the time required to heat the
望ましくない外部の原因によるセンサ内の加熱効果を最小限に抑えるために、センサには、外側及び/又は内側に断熱手段(いずれの図にも示されていない)が設けられていてもよい。断熱手段は、断熱材のカバー、好ましくはセンサ表面の重要な部分に対して、形状が適合する、囲む又は覆うもの、例えば、図1に示すようなセンサ10の外周と、場合によっては上面の一部とを覆う円筒状のカバーであってよい。これにより、雰囲気に対するセンサの断熱性が改善されるため、外部の温度差が内部のセンサに到達する前に測定を行うことができる時間が長くなる。
In order to minimize the heating effects in the sensor due to undesired external causes, the sensor may be provided with thermal insulation means (not shown in any figure) on the outside and / or inside. Insulation means may be a cover of insulation, preferably one that conforms to, surrounds or covers a significant portion of the sensor surface, such as the outer periphery of the
上述のセンサを備える温度計及び/又は上述の方法を使用した温度計も本発明の一部である。それは、外側筐体と、該センサと、制御回路と、好ましくは1つ以上のスイッチなどのユーザ入力手段と、ディスプレイ及び/又は別の適切なアナログ又はデジタル信号出力と、を備えた耳式体温計であってもよい。 Thermometers with the sensors described above and / or thermometers using the method described above are also part of the present invention. It comprises an ear thermometer comprising an outer housing, the sensor, a control circuit, preferably user input means such as one or more switches, and a display and / or another suitable analog or digital signal output. It may be.
本明細書及び添付の請求の範囲において、同一の参照番号は同一の構成要素を示している。本明細書に記載した特徴は、技術的な理由で除外されない限り、明確な記載がなくとも、互いに組み合わせることができるものとみなされる。装置の特徴は、その装置の特徴によって実現される方法の特徴をも開示するものと認められ、その逆もまた同様である。 In the specification and the appended claims, identical reference numbers indicate identical components. The features described herein are considered to be combinable with one another without explicit description, unless excluded for technical reasons. Device features are recognized to also disclose the features of the method implemented by the device features, and vice versa.
Claims (22)
基板(20)と、
前記基板(20)上の導電性加熱構造(21)と、
前記加熱構造(21)を前記センサ(10)の1つ以上の外側端子(14)に電気的に接続するための1つ以上の接続部(28、29)と、を備える、ヒータ(15)。 A heater (15) for the sensor (10),
A substrate (20);
A conductive heating structure (21) on the substrate (20);
One or more connections (28, 29) for electrically connecting the heating structure (21) to one or more outer terminals (14) of the sensor (10), a heater (15) .
前記ヒータが、
基板(20)と、
前記基板(20)上の導電性加熱構造(21)と、
前記加熱構造(21)を電気的に接続するための1つ以上の接続部(28)と、を備え、
前記基板(20)は、剛体であり、セラミックス、好ましくはアルミナセラミックスを含むことができる、あるいは、非剛体であり、薄膜、好ましくはマイラー膜を含むことができる、ヒータ(15)。 A heater (15) for a sensor (10) that can be formed according to any one of claims 1-9,
The heater is
A substrate (20);
A conductive heating structure (21) on the substrate (20);
One or more connections (28) for electrically connecting the heating structure (21),
The substrate (20) is a rigid body and may comprise a ceramic, preferably an alumina ceramic, or a non-rigid body and may comprise a thin film, preferably a Mylar film.
前記検知部を収容する筐体(11〜13)であって、放射が前記筐体(11〜13)内に入射して前記検知部(31〜33)に到達することを可能にする放射ウィンドウ(13)を有する筐体(11〜13)と、
前記センサ(10)を加熱するための電気ヒータ(15)と、を備えた放射センサ(10)であって、
前記ヒータ(15)は、前記筐体(11〜13)の壁部又は前記検知部(31〜33)に取り付けられて熱的に接続されて前記センサ(10)の少なくとも1つの外側端子(14)に電気的に接続される、放射センサ(10)。 Detectors (31-33) that generate electrical signals in response to incident radiation;
A housing (11-13) for housing the detection unit, wherein a radiation window allows radiation to enter the housing (11-13) and reach the detection unit (31-33). A housing (11-13) having (13);
A radiation sensor (10) comprising an electric heater (15) for heating the sensor (10),
The heater (15) is attached to a wall portion of the casing (11 to 13) or the detection unit (31 to 33) and is thermally connected to be at least one outer terminal (14) of the sensor (10). ) A radiation sensor (10) electrically connected to).
入射放射に応じて電気信号を生成する検知部(31〜33)と、
前記検知部を収容する筐体(11〜13)であって、放射が前記筐体(11〜13)内に入射して前記検知部(33)に到達することを可能にする放射ウィンドウ(13)を有する筐体(11〜13)と、
前記センサ(10)を加熱するための電気ヒータ(15)と、を備え、
前記ヒータは、請求項1〜12のいずれか1項に従って形成される、放射センサ(10)。 A radiation sensor (10) that can be formed according to any one of claims 13-18, comprising:
Detectors (31-33) that generate electrical signals in response to incident radiation;
A housing (11-13) that houses the detector, a radiation window (13) that allows radiation to enter the housing (11-13) and reach the detector (33). ) (11-13) having
An electric heater (15) for heating the sensor (10),
A radiation sensor (10), wherein the heater is formed according to any one of claims 1-12.
好ましくは上記センサの請求項13〜21のいずれか1項に従って形成されたセンサを、好ましくは上記ヒータの請求項1〜12のいずれか1項に従って形成されたヒータによって予加熱する工程を含み、
前記予加熱の目標温度は、
前記物体の予測温度よりも特定の第1差異温度だけ低い温度又は温度範囲、及び/又は、
加熱前の周囲温度よりも特定の第2差異温度だけ高い温度又は温度範囲である、方法。 A method for detecting radiation from an object,
Preferably pre-heating a sensor formed according to any one of claims 13 to 21 of the sensor, preferably with a heater formed according to any one of claims 1 to 12 of the heater;
The target temperature of the preheating is
A temperature or temperature range that is lower than the predicted temperature of the object by a specific first difference temperature, and / or
A method or temperature range that is higher by a certain second differential temperature than the ambient temperature before heating.
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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GB (1) | GB2501441A (en) |
TW (1) | TW201239325A (en) |
WO (1) | WO2012098236A2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110461785A (en) * | 2017-03-30 | 2019-11-15 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | Glass for Autonomous Vehicle |
JP6962502B1 (en) * | 2020-08-18 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | Infrared sensor device |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2719623B1 (en) * | 2012-10-10 | 2019-06-26 | Airbus Operations GmbH | Heating control unit comprising a sensor, ice protection system and method for controlling a heater |
KR101649586B1 (en) | 2014-04-07 | 2016-08-19 | 주식회사 모다이노칩 | Senser |
DE102018108723A1 (en) * | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Tdk Corporation | Sensor device, method for operating a sensor device and electronic assembly, comprising a sensor device |
US11024523B2 (en) * | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51120273A (en) * | 1975-03-20 | 1976-10-21 | Smiths Industries Ltd | Radiation pyrometer |
JPH04107863U (en) * | 1991-03-02 | 1992-09-17 | 株式会社堀場製作所 | infrared detector |
JPH0921774A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Humidity and gas detecting element and manufacture thereof |
JP2001116621A (en) * | 1999-09-03 | 2001-04-27 | Braun Gmbh | Infrared sensor capable of stabilization of temperature and infrared thermometer having the same type sensor |
JP2004279103A (en) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Fujitsu Ltd | Pyroelectric infrared sensor and infrared imaging device using it |
JP2008026079A (en) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared detector and its manufacturing method |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DD147872B1 (en) * | 1979-12-17 | 1983-09-21 | Akad Wissenschaften Ddr | RADIATION DETECTOR FOR ABSOLUTE MEASUREMENTS |
GB8628610D0 (en) * | 1986-11-29 | 1987-01-07 | Emi Plc Thorn | Temperature sensing arrangement |
DE4303423C2 (en) * | 1993-02-05 | 1996-07-18 | Fraunhofer Ges Forschung | Sensor and method for its production |
FR2728914A1 (en) * | 1994-12-29 | 1996-07-05 | Philips Electronique Lab | IRON PROVIDED WITH A THERMAL DETECTOR MEASURING A FABRIC TEMPERATURE |
GB2321336B (en) * | 1997-01-15 | 2001-07-25 | Univ Warwick | Gas-sensing semiconductor devices |
CN1233750A (en) * | 1998-04-30 | 1999-11-03 | 陈敬弘 | Electronic clinical thermometer for quick measuring |
DE19851966A1 (en) * | 1998-11-11 | 2000-05-18 | Bosch Gmbh Robert | Ceramic layer system and method for producing a ceramic heating device |
JP4490580B2 (en) * | 2000-12-26 | 2010-06-30 | 株式会社バイオエコーネット | Infrared sensor |
DE10302285B4 (en) * | 2003-01-22 | 2006-05-04 | Preh Gmbh | Method for determining the interior temperature of a motor vehicle passenger compartment, arrangement for carrying out the method and temperature sensor |
DE10341433A1 (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Braun Gmbh | Heatable infrared sensor and infrared thermometer with such an infrared sensor |
GB2446414A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-13 | Thorn Security | A Detector |
IL181500A0 (en) * | 2007-02-22 | 2007-07-04 | Belkin Lev | Scale inhibiting heating device |
KR20090022554A (en) | 2007-08-31 | 2009-03-04 | 삼성전자주식회사 | Apparatus and method for interference cancellation in wireless communcation terminal |
JP4300371B2 (en) * | 2007-11-14 | 2009-07-22 | オンキヨー株式会社 | Semiconductor device |
US8410868B2 (en) * | 2009-06-04 | 2013-04-02 | Sand 9, Inc. | Methods and apparatus for temperature control of devices and mechanical resonating structures |
KR101622427B1 (en) * | 2008-10-23 | 2016-05-31 | 카즈 유럽 에스에이 | Non-contact medical thermometer with stray radiation shielding |
-
2011
- 2011-01-21 DE DE102011009128.9A patent/DE102011009128B4/en active Active
-
2012
- 2012-01-09 TW TW101100789A patent/TW201239325A/en unknown
- 2012-01-20 GB GB1314433.2A patent/GB2501441A/en not_active Withdrawn
- 2012-01-20 JP JP2013549832A patent/JP2014506669A/en active Pending
- 2012-01-20 US US13/979,512 patent/US20130327944A1/en not_active Abandoned
- 2012-01-20 WO PCT/EP2012/050886 patent/WO2012098236A2/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51120273A (en) * | 1975-03-20 | 1976-10-21 | Smiths Industries Ltd | Radiation pyrometer |
JPH04107863U (en) * | 1991-03-02 | 1992-09-17 | 株式会社堀場製作所 | infrared detector |
JPH0921774A (en) * | 1995-07-10 | 1997-01-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Humidity and gas detecting element and manufacture thereof |
JP2001116621A (en) * | 1999-09-03 | 2001-04-27 | Braun Gmbh | Infrared sensor capable of stabilization of temperature and infrared thermometer having the same type sensor |
JP2004279103A (en) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Fujitsu Ltd | Pyroelectric infrared sensor and infrared imaging device using it |
JP2008026079A (en) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Works Ltd | Infrared detector and its manufacturing method |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110461785A (en) * | 2017-03-30 | 2019-11-15 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | Glass for Autonomous Vehicle |
JP2020515491A (en) * | 2017-03-30 | 2020-05-28 | エージーシー グラス ユーロップAgc Glass Europe | Glass for self-driving cars |
CN110461785B (en) * | 2017-03-30 | 2022-09-27 | 旭硝子欧洲玻璃公司 | Glass for autonomous vehicle |
JP7281410B2 (en) | 2017-03-30 | 2023-05-25 | エージーシー グラス ユーロップ | Glass for self-driving cars |
JP6962502B1 (en) * | 2020-08-18 | 2021-11-05 | 三菱電機株式会社 | Infrared sensor device |
WO2022038681A1 (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | 三菱電機株式会社 | Infrared sensor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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