JP2014241369A

JP2014241369A - 光電変換素子とその製造方法

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Publication number: JP2014241369A
Application number: JP2013123809A
Authority: JP
Inventors: 城戸　淳二; Junji Kido; 淳二城戸; 慎二中井; Shinji Nakai; 明士藤田; Akeshi Fujita; 有紀太田; Arinori Ota
Original assignee: Yamagata University NUC; Kuraray Co Ltd
Current assignee: Yamagata University NUC; Kuraray Co Ltd
Priority date: 2013-06-12
Filing date: 2013-06-12
Publication date: 2014-12-25

Abstract

【課題】光電変換層で生成した電子を負電極へ集電する効率を高めるバッファ層の機能を有し、光電変換効率が高く、そのバッファ層の形成が簡便であり、簡便な工程で製造できる光電変換素子を提供する。【解決手段】光電変換素子１０は、少なくとも一方が光透過性である正電極５と負電極２との間に、光電変換層４を有し、光電変換層４と負電極２との間に、有機酸塩を含むバッファ層３を有する。バッファ層３は有機酸塩溶液を塗布して形成される。【選択図】図１

Description

本発明は、光電変換層と負電極との間に有機酸塩からなるバッファ層が形成された光電変換素子とその製造方法に関するものである。

太陽光発電は、再生可能エネルギーの中でも特に潜在的な利用可能量が多いことから、石油代替エネルギーの筆頭として注目されている。太陽光発電を担う素子として単結晶シリコン、アモルファスシリコンなどのシリコン系太陽電池、ＧａＡｓ、ＣＩＧＳ（銅・インジウム・ガリウム・セレン含有化合物）、ＣｄＴｅなどの無機化合物系薄膜太陽電池などがある。これらの太陽電池は比較的高い光電変換効率を有するが、他の発電コストと比較して高価格であることが問題である。コスト高の要因は、高真空且つ高温下で半導体薄膜を製造しなくてはならないプロセスにある。そこで近年特に製造プロセスの簡便化が期待される有機半導体を用いた有機薄膜太陽電池が検討されている。

有機半導体薄膜は塗布法や印刷法により製膜できるため、製造プロセスを簡便化し、発電コストを低減できることが期待される。また、軽量且つフレキシブルな素子及びモジュールを作製できることから可搬性に優れ、電気的インフラの整備されていない地域においても利用できる可能性を秘めている。さらに、有機半導体は分子設計により光吸収帯域を制御できることから、様々な色調で意匠性に優れる太陽電池を提供することができる。しかし、これらの利点が期待できるものの、有機薄膜太陽電池の実用化に向けては、さらなる光電変換効率の向上が求められている。

有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上させる一つの方法として、バッファ層の挿入がある。バッファ層は、光電変換層で生成した電荷が逆の電極に流入することを遮断し、電荷再結合を抑制する働きや、光電変換層と電極との界面の電子エネルギー障壁を低減し、光電変換層で生成した電荷を集電する効率を向上させる働きがある。

例えば正電極側のバッファ層には、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が多用されている。また、重合可能な置換基を１つ以上有するポリマー又はオリゴマーからなる正電極側バッファ層が開示されている（特許文献１）。これらのバッファ層は、溶媒に溶解させて塗布法により製膜することができ、真空中で基板に薄膜を形成する蒸着法と比較し、塗布法は製造設備が簡素で済むうえに、材料の利用効率が高く大面積化に向いており、有機薄膜太陽電池を低コストで製造するのに有利である。

一方、負電極側のバッファ層には、フッ化リチウムやフッ化セシウムなどの無機塩、カルシウム（非特許文献１）などの仕事関数が小さい金属が用いられているが、バッファ層を形成するのに蒸着法などの真空プロセスを必要とするため、低コストで製造するのに不利である。また、カルシウムなどの仕事関数が小さい金属は酸素や水と反応しやすいため、不活性雰囲気下で有機薄膜太陽電池を製造する必要がある。真空プロセスを必要としない材料としては、炭酸セシウム（非特許文献２）、酸化チタン（非特許文献３）、酸化亜鉛などの酸化物半導体が提案されている。炭酸セシウムは潮解性があるため不活性雰囲気下で有機太陽電池を製造しなければならず、酸化物半導体はバッファ層に求められる高い電子輸送性を得るために結晶構造を制御しなければならない。そのため、バッファ層を製造するプロセスが煩雑となる。

特開２０１０−２８７７６７号公報

アプライドフィジックスレターズ９５，１５３３０４（２００９）アプライドフィジックスレターズ９２，１７３３０３（２００８）アプライドフィジックスレターズ８９，２３３５１７（２００６）

本発明は前記の課題を解決するためになされたもので、光電変換層で生成した電子を負電極へ集電する効率を高めるバッファ層の機能を有し、光電変換効率が高く、簡便な工程で製造できる光電変換素子、またその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究をした結果、光電変換層と負電極との間のバッファ層に、有機酸塩を用いることで高い光電変換効率が得られることを見出した。さらに、有機酸塩からなるバッファ層を負電極の上に塗布により形成することができることを見出し、本発明を完成させるに至った。

前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項１に記載の光電変換素子は、少なくとも一方が光透過性である正電極と負電極との間に、光電変換層を有する光電変換素子であって、前記光電変換層と前記負電極との間に、有機酸塩を含むバッファ層を有することを特徴とする。

同じく請求項２に記載の光電変換素子は、請求項１に記載されたものであって、前記光電変換層と前記正電極との間に、正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有することを特徴とする。

請求項３に記載の光電変換素子は、請求項１又は２に記載されたものであって、前記負電極がインジウム・スズ・オキサイドであることを特徴とする。

請求項４に記載の光電変換素子は、請求項１〜３のいずれかに記載されたものであって、前記有機酸塩が有機酸アルカリ金属塩であることを特徴とする。

請求項５に記載の光電変換素子は、請求項４に記載されたものであって、前記有機酸アルカリ金属塩が、多価カルボン酸アルカリ金属塩又はポリカルボン酸アルカリ金属塩であることを特徴とする。

請求項６に記載の光電変換素子は、請求項１〜５のいずれかに記載されたものであって、前記光電変換層が、電子供与性有機半導体と電子受容性有機半導体との混合物であることを特徴とする。

請求項７に記載の光電変換素子は、請求項６に記載されたものであって、前記電子供与性有機半導体が、チオフェン、フルオレン、カルバゾール、ジべンゾシロール、ジベンゾゲルモール、ベンゾジチオフェン及びジケトピロロピロールから選ばれる複素環骨格基を少なくとも一部に有する単量体単位を含むπ電子共役重合体であることを特徴とする。

請求項８に記載の光電変換素子は、請求項６又は７に記載されたものであって、前記電子受容性有機半導体が、フラーレン誘導体であることを特徴とする。

また前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項９に記載の光電変換素子の製造方法は、少なくとも一方が光透過性である正電極と負電極との間に光電変換層、及び前記光電変換層と前記負電極との間に有機酸塩を含むバッファ層を有し、前記光電変換層と前記正電極との間に正孔輸送層を有してもよい光電変換素子の製造方法であって、前記負電極上に有機酸塩溶液を塗布乾燥して前記バッファ層を形成することを特徴とする。

同じく請求項１０に記載の光電変換素子の製造方法は、請求項９に記載されたものであって、前記有機酸塩溶液が、ギ酸塩、酢酸塩、トリクロロ酢酸塩、ジクロロ酢酸塩、モノクロロ酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、グルタル酸塩、アジビン酸塩、Ｌ−乳酸塩、Ｄ−乳酸塩、リンゴ酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸、フマル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、サリチル酸塩、ピコリン酸塩、ピクリン酸塩、チオグリコロール酸塩、アスコルビン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸塩、カルボキシメチルセルロース塩、アルギン酸塩、炭素数１〜２０の脂肪族スルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩、多価カルボン酸塩及びポリカルボン酸塩から選ばれるアルカリ金属塩の溶液であることを特徴とする。

本発明の光電変換素子は、光電変換層と負電極との間に有機酸塩からなるバッファ層を有しており、優れた光電変換効率を示すことができる。

本発明の光電変換素子の製造方法によれば、負電極の上に有機酸塩の溶液を塗布することによりバッファ層を形成することができでるため、簡便な工程、簡易な製造設備により高い光電変換効率を有する光電変換素子を提供することができる。

本発明を適用する光電変換素子の代表的な一実施例を示す模式断面図である。本発明を適用する光電変換素子の別な実施例を示す模式断面図である。

本発明の実施形態を説明するが、本発明の範囲はこれらの形態に限定されるものではない。

図１に示すとおり、本発明の一例の光電変換素子１０は、基板１の上に形成されるもので、一対の正電極５及び負電極２の間に光電変換層４を有する。正電極５及び負電極２の少なくとも一方が光透過性である。光電変換層４と負電極２との間に、有機酸塩からなるバッファ層３を有している。基板１は負電極２側であっても、正電極５側であってもよい。

光電変換素子１０の動作機構は、光透過性を有する正電極５から入射した光エネルギーが光電変換層４で吸収され、正孔と電子の結合した励起子を生成する。光電変換層４は、通常、電子供与性化合物と電子受容性化合物との混合物からなり、それらの界面に励起子が達すると、界面でのそれぞれのＬＵＭＯエネルギー及びＨＯＭＯエネルギーの違いにより正孔と電子とが分離し、独立に動くことができる電荷（正孔と電子）が発生する。発生した正孔は、正電極５へ移動し、電子は負電極２へ移動することにより外部へ電気エネルギー（電流）として取り出すことができる。正電極５から効率良く正孔を取り出すには、電子供与性化合物のＨＯＭＯエネルギーに近い仕事関数を有する導電性材料を正電極５に使用することが好ましく、負電極２から効率良く電子を取り出すには、電子受容性化合物のＬＵＭＯエネルギーに近い仕事関数を有する導電性材料を負電極２に使用することが好ましい。

光電変換素子１０は、通常、基板１上に形成されているものである。この基板１は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板１の材料としては、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス、シリコンなどの無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂などの有機材料から任意の方法によって作製されたフィルムや板が使用可能である。不透明な基板１の場合には、反対の電極即ち、基板１から遠い方の電極（図１の例では正電極５）が透明又は半透明であることが好ましい。透明な基板１の場合には、基板１に接する方の電極（図１の例では負電極２）が光透過性を有する電極にしてもよい。

負電極２と正電極５は、少なくとも一方が光透過性を有する。光透過性を有する透明又は半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜などが挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、フッ素・スズ・オキサイド（ＦＴＯ）、アンチモン・スズ・オキサイド、インジウム・亜鉛・オキサイド（ＩＺＯ）、ガリウム・亜鉛・オキサイド（ＧＺＯ）、アルミニウム・亜鉛・オキサイド（ＡＺＯ）、アンチモン・亜鉛・オキサイドからなる導電性材料を用いて作製された膜や、金、白金、銀、銅の極薄膜が用いられ、中でもＩＴＯ、ＦＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯなどが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などが挙げられる。また、透明な電極として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体などの導電性高分子材料の膜や、カーボンナノチューブ、グラフェンなどのナノカーボン材料の膜を用いてもよい。

光透過性を有する電極とは反対側の電極は、光透過性を有さなくてもよい。光透過性を有さない電極としては、公知の金属、導電性高分子などを用いることができる。例えば、白金、金、銀、アルミニウム、クロム、ニッケル、銅、チタン、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウムなどの金属あるいはそれらの合金などが挙げられる。負電極２を、光透過性を有さない電極とする場合には、電子受容性化合物のＬＵＭＯ準位との差が大きくならないように仕事関数が１．９ｅＶ以上５ｅＶ以下の金属及び合金を用いるのが好ましい。このような負電極材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類など、及びこれらと他の金属との合金、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金などを挙げることができる。またアルミニウムも用いることができる。また、上述の負電極材料は、基板１の上に、真空蒸着法、スパッタリング法、塗布法により形成する。

光電変換素子１０は、少なくとも負電極２が光透過性を有するものが好ましい。この場合、正電極５は光透過性を有さなくてもよいし、透明又は半透明であってもよい。負電極２が光透過性を有するものである場合、光エネルギーは負電極２側から入射し、前述した動作機構に従って電荷を発生させ、電気エネルギーを取り出すことができる。このように、光エネルギーを負電極２側から吸収する光電変換素子（本明細書において「逆セル」と呼ぶ）は、正電極５側から光エネルギーを吸収する一般的な光電変換素子（本明細書において「順セル」と呼ぶ）に対して、正電極５に仕事関数の大きい酸化安定性の高い金属を使用することができるため、高い長期安定性が得られる点で有利である。

バッファ層３は有機酸塩からなり、光電変換層４で発生した電子を負電極２側に効率的に取り出す機能を有する。バッファ層３を挿入することにより、光電変換層４中の電子受容性材料のＬＵＭＯ準位と負電極２のフェルミ準位（仕事関数）との間のエネルギー障壁が低減されることで、負電極２に移動する電子の電気抵抗を小さくする作用がある。これにより、光電変換素子１０は、優れた光電変換効率を発揮できる。

本発明でバッファ層３として用いられる有機酸塩が有する金属イオンは、特に限定されず、アルカリ金属イオンやアルカリ土類金属イオンなどを用いることができる。これらの中でも、有機酸アルカリ金属塩が好ましく、特に有機酸ナトリウム塩が好ましい。また、有機酸塩は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。例えば、カルボキシル基含有化合物、スルホ基含有化合物、リン酸基含有化合物、ホスホン酸基含有化合物などを用いることができ、中でも、カルボキシル基含有化合物が好ましい。

カルボキシル基含有化合物の具体例としては、ギ酸塩、酢酸塩、トリクロロ酢酸塩、ジクロロ酢酸塩、モノクロロ酢酸塩、プロピオン酸塩、ブタン酸（酪酸塩）、ペンタン酸、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、グルタル酸塩、アジビン酸塩、Ｌ−乳酸塩、Ｄ−乳酸塩、リンゴ酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸、フマル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、サリチル酸塩、ピコリン酸塩、ピクリン酸塩、チオグリコロール酸塩、アスコルビン酸塩などの低分子化合物；ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸塩、カルボキシメチルセルロース塩、アルギン酸塩などの高分子化合物を挙げることができる。スルホ基含有化合物の具体例としては、メタンスルホン酸塩やヘキサンスルホン酸塩などの炭素数１〜２０の脂肪族スルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸などの低分子化合物；ポリビニルスルホン酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩などの高分子化合物を挙げることができる。また、π電子共役化合物にカルボキシル基、スルホン酸基が導入された有機酸の金属塩を用いることができる。具体例としては、後述するフラーレン誘導体にカルボキシル基、スルホン酸基が導入された化合物の金属塩を挙げることができる。これらの有機酸塩は単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。

低分子化合物の中では、カルボキシル基を２以上有する多価カルボン酸アルカリ金属塩が光電変換効率の観点で好ましく、中でもクエン酸ナトリウム塩が好ましい。塩の形態は限定されず、一ナトリウム塩、ニナトリウム塩、三ナトリウム塩を用いることができる。高分子化合物の中では、ポリカルボン酸アルカリ金属塩が光電変換効率の観点で好ましく、中でもポリアクリル酸ナトリウム塩が好ましい。

有機酸塩からなるバッファ層３の膜厚としては、特に限定されるものではないが、０．１〜５０ｎｍが好適である。膜厚が薄すぎる場合には、バッファ層３として十分な機能を得ることができない場合がある。膜厚が厚すぎる場合には、抵抗が増大して光電変換効率の低下の原因となる場合がある。より好ましくは０．１ｎｍ〜１０ｎｍであり、さらに好ましくは０．２ｎｍ〜５ｎｍである。

バッファ層３の膜厚は、有機酸塩を製膜した基板１の断面形状を電子顕微鏡で観察する方法や、触針式段差計により測定することができる。有機酸塩の膜厚が薄く前述の方法により測定が難しい場合には、基板上に製膜した有機酸塩の膜の重量（基板の単位面積あたりの重量）を測定し、有機酸塩の比重から膜厚を決定することができる。

有機酸塩からなるバッファ層３は、本発明の効果を損ねない限り、有機酸塩以外の化合物を少量含んでいてもよい。そのような化合物としては、例えば、バッファ層３を形成する有機酸塩の有機酸化合物（有機カルボン酸化合物、有機スルホン酸化合物、有機リン酸化合物、有機ホスホン酸化合物など）又は上記で例示した他の有機酸塩の有機酸化合物である。バッファ層中の有機酸塩以外の化合物の含有割合は、０〜２０重量％が好ましく、０〜１０重量％がより好ましい。また、バッファ層中の有機酸塩の含有割合としては、８０〜１００重量％が好ましく、９０〜１００重量％がより好ましい。

また、有機酸塩からなるバッファ層３は、製膜性を向上させる目的で、他の高分子化合物との複合膜とすることも可能である。そのような高分子化合物の具体例としては、例えば、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリカルボキシメチルセルロースなどである。複合膜中の有機酸塩以外の高分子化合物の含有割合は、０〜５０重量％が好ましく、０〜２０重量％がより好ましい。また、複合膜中の有機酸塩の含有割合は、５０〜１００重量％が好ましく、８０〜１００重量％がより好ましい。他の高分子化合物との複合膜とした場合の膜厚としては、特に限定されるものではないが、０．１〜５０ｎｍが好適である。より好ましくは０．１ｎｍ〜１０ｎｍであり、さらに好ましくは０．２ｎｍ〜５ｎｍである。

光電変換層４は、通常、電子供与性化合物と電子受容性化合物との混合物からなり、本発明においては、電子供与性有機半導体（ｐ型有機半導体）と電子受容性有機半導体（ｎ型有機半導体）との混合物から形成されたものであることが好ましい。電子供与性有機半導体と電子受容性有機半導体の接合は、平面ヘテロ接合でもよく、バルクヘテロ接合でもよい。

光電変換層４に用いるｐ型有機半導体としては、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。低分子化合物としては、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ポルフィリン、金属ポルフィリン、オリゴチオフェン、テトラセン、ペンタセン、ルブレンなどが挙げられる。高分子化合物としては、化学構造の一部にチオフェン、フルオレン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾゲルモール、ジケトピロロピロール及びこれらの誘導体から選ばれる複素環骨格を少なくとも一つ有する単量体単位を含むπ電子共役重合体などが挙げられる。これらの中でも、少なくとも１つのチオフェン環を化学構造の一部に含む複素環骨格を有する単量体単位を含むπ電子共役重合体が光電変換効率の観点から好ましい。該複素環骨格としては例えば、シクロペンタジチオフェン、チエノピロール、ジチエノピロール、ジチエノシロール、ジチエノゲルモール、ベンゾジチオフェン、ナフトジチオフェン及びこれらの誘導体などが挙げられる。これらは、溶解性や極性を制御する目的で主鎖骨格に置換基を有してもよい。また、これらの高分子化合物は、単独重合体、ランダム又はブロック共重合体のいずれでもよく、分子鎖は直鎖状、分岐状、物理的又は化学的架橋状のいずれでもよい。これらの中でもｐ型有機半導体としては、塗布プロセスに適用するという観点から、高分子化合物が好ましく、少なくとも１つのチオフェン環を化学構造の一部に含む複素環骨格を有する単量体単位を含むπ電子共役重合体がより好ましい。

前記π電子共役重合体の重合度は特に限定されないが、欠陥のない均質な薄膜を得るという観点からは、ゲル浸透クロマトグラフィーを用い、ポリスチレン標準物質により換算された数平均分子量が１０，０００以上であることが好ましい。また、高い光電変換効率の素子を得るという観点からは、数平均分子量が２０，０００以上であることがより好ましい。

光電変換層４に用いるｎ型有機半導体は、電子受容性を有する有機材料であれば特に限定されない。ｎ型有機半導体として、例えば、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ナフチルテトラカルボキシジイミド、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾールなどのオキサゾール誘導体、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、Ｃ_６０又はＣ_７０フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体（ＣＮ−ＰＰＶ）などが挙げられる。これらはそれぞれ単体で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、安定且つキャリア移動度に優れるｎ型半導体という観点からフラーレン誘導体が好ましく用いられる。

前記ｎ型有機半導体として好適に用いられるフラーレン誘導体は、Ｃ_６０、Ｃ_７０、Ｃ_７６、Ｃ_７８、Ｃ_８２、Ｃ_８４、Ｃ_９０、Ｃ_９４を始めとする無置換のものと、［６，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドメチルエステル（ＰＣ_６１ＢＭ）、［５，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドメチルエステル、［６，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドｎ−ブチルエステル、［６，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドｉ−ブチルエステル、［６，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドヘキシルエステル、［６，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドドデシルエステル、［６，６］−ジフェニルＣ_６２ビス（ブチリックアシッドメチルエステル）（ｂｉｓ−ＰＣ_６２ＢＭ）、［６，６］−フェニルＣ_７１ブチリックアシッドメチルエステル（ＰＣ_７１ＢＭ）、［６，６］−ジフェニルＣ_７２ビス（ブチリックアシッドメチルエステル）（ｂｉｓ−ＰＣ_７２ＢＭ）、インデンＣ_６０−モノ付加体、インデンＣ_６０−ビス付加体、インデンＣ_７０−モノ付加体、インデンＣ_７０−ビス付加体をはじめとする置換誘導体などが挙げられる。これらの中でも、Ｃ_６０又はＣ_７０フラーレン誘導体が特に好ましく使用できる。

前記フラーレン誘導体は単独又はそれらの混合物として用いることができる。有機溶媒に対する溶解性の観点から、ＰＣ_６１ＢＭ、ｂｉｓ−ＰＣ_６２ＢＭ、ＰＣ_７１ＢＭ、ｂｉｓ−ＰＣ_７２ＢＭ、インデンＣ_６０−モノ付加体、インデンＣ_６０−ビス付加体、インデンＣ_７０−モノ付加体、インデンＣ_７０−ビス付加体が好適に用いられる。さらにこれらの中で、光吸収の観点からは、ＰＣ_７１ＢＭ、ｂｉｓ−ＰＣ_７２ＢＭ、インデンＣ_７０−モノ付加体、インデンＣ_７０−ビス付加体が、製造コストの観点からは、ＰＣ_６１ＢＭ、ｂｉｓ−ＰＣ_６２ＢＭ、インデンＣ_６０−ビス付加体がより好適に用いられる。

光電変換層４中のｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体の含有量は、特に限定されない。また、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との組成比は、ｐ型有機半導体：ｎ型有機半導体＝１〜９９：９９〜１の範囲であることが好ましく、より好ましくは２０〜８０：８０〜２０の範囲である。また、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との質量の和は、後述する溶解溶媒の質量の和１００質量部に対して０．１〜１０．０質量部であることが好ましく、０．５〜５．０質量部であることがより好ましい。

光電変換層４の膜厚は、通常、１ｎｍ〜２０００ｎｍであり、好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ〜３００ｎｍである。膜厚が薄すぎると光が十分に吸収されず、逆に厚すぎると抵抗損失によって電荷が電極へ到達し難くなる。

本発明の別な例の光電変換素子１０は、図２に示すように、基板１の上に形成され一対の正電極５及び負電極２の間に光電変換層４を有する。光電変換層４と負電極２との間に、有機酸塩からなるバッファ層３を有している。光電変換層４と正電極５との間に、正孔輸送材料を含む正孔輸送層６を有している。基板１は負電極２側であっても、正電極５側であってもよい。

正孔輸送層６を形成する材料としては、ｐ型半導体特性を有するものであれば特に限定されないが、ポリチオフェン系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体などの導電性高分子や、フタロシアニン誘導体（Ｈ_２Ｐｃ、ＣｕＰｃ、ＺｎＰｃなど）、ポルフィリン誘導体などのｐ型半導体特性を示す低分子有機化合物、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化バナジウムなどの遷移金属酸化物が好ましく用いられる。特に、ポリチオフェン系重合体であるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やＰＥＤＯＴにポリスチレンスルホネート（ＰＳＳ）が添加されたものが好ましく用いられる。正孔輸送層６は１ｎｍから６００ｎｍの厚さが好ましく、２０ｎｍから３００ｎｍがより好ましい。

本発明の光電変換素子の製造方法について説明する。光電変換素子１０は、負電極２の表面に有機酸塩からなる溶液を塗布してバッファ層３を形成する。塗布方法は特に制限されず、液状の塗布材料を用いる従来から知られている塗布方法のいずれもが採用できる。例えば、浸漬コーティング法、スプレーコ−ティング法、インクジェット法、エアロゾルジェット法、スピンコ−ティング法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコ−ティング法、ブレードコーティング法、ローラーコ−ティング法、カーテンコーティング法、スリットダイコーター法、グラビアコーター法、スリットリバースコ−ター法、マイクログラビア法、コンマコーター法などの塗布方法を採用することができ、塗膜厚さ制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択すればよい。

塗布方法としてスピンコーティング法を採用する場合には、そのスピンコート回転数や溶液濃度を調節することで、所望の膜厚を有する有機酸塩からなるバッファ層３を得ることができる。スピンコート条件は特に限定されるものではないが、回転数が小さいと膜厚ムラが生じる原因になるため、１０００〜８０００ｒｐｍの回転数が好ましく、２０００〜６０００ｒｐｍの回転数がより好ましい。

このとき、必要に応じて不活性ガス雰囲気下で製膜することにより、材料の変性を抑制することができる。塗布溶剤としては、有機酸塩の層を形成できる溶剤であれば特に限定されず、水、炭素数１〜１０の脂肪族アルコールなどを用いることができる。これらの溶剤は単独で用いてもよく、２種以上を混合して用いてもよいが、負電極２の表面との濡れ性の観点で、水、水と１−プロパノールとの混合溶剤が好ましい。また、有機酸塩を製膜した基板１は、加熱処理を行ってもよい。加熱処理の条件は使用する基板１の耐熱性の範囲内であればよく、５０℃〜２５０℃の範囲が好ましく、８０℃〜２００℃の範囲がより好ましい。

光電変換層４は、前記ｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体を溶媒に溶解させ、有機半導体組成物溶液とし、前記のバッファ層３の上に塗布して製膜することで製造することができる。塗布方法は特に制限されず、前記の有機酸塩からなるバッファ層３の製膜方法として例示した方法のいずれも採用することができる。溶解溶媒としては、テトラヒドロフラン、１，２−ジクロロエタン、シクロヘキサン、クロロホルム、ブロモホルム、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、アニソール、メトキシベンゼン、トリクロロベンゼン、ピリジンなどが挙げられる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種類以上混合して用いてもよいが、特にｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体のそれぞれについて溶解度が高いｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ヨードベンゼン、クロロホルム及びこれらの混合物が好ましい。より好ましくは、ｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体のそれぞれについて溶解度が最も高いｏ−ジクロロベンゼン、クロロベンゼン及びこれらの混合物が用いられる。

前記の工程において、有機半導体組成物溶液中にｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体以外に高沸点化合物を添加物として含んでもよい。高沸点化合物を含有させることによって光電変換層４を製膜する過程において、ｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体の微細且つ連続した相分離構造が形成されるため、光電変換効率に優れる光電変換層４を得ることが可能となる。

高沸点化合物としては、オクタンジチオール（沸点：２７０℃）、ジブロモオクタン（沸点：２７２℃）、ジヨードオクタン（沸点：３２７℃）、ジヨードヘキサン（沸点：１４２℃［１０ｍｍＨｇ］）、ジヨードブタン（沸点：１２５℃［１２ｍｍＨｇ］）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（沸点：１６２℃）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（沸点：２２９℃）、１−又は２−クロロナフタレン（沸点：２５６℃）などが例示される。これらの中で、光電変換効率に優れる光電変換素子を得るという観点から、オクタンジチオール、ジブロモオクタン、ジヨードオクタン、１−又は２−クロロナフタレンが好ましく用いられる。

高沸点化合物の添加量は、ｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体が析出せず、均一な溶液を与えるものであれば特に限定されないが、溶媒に対して体積分率で０．１％〜２０％であると好ましく、０．５％〜１０％の範囲であるとより好ましい。添加量が０．１％〜２０％の範囲内であることにより、微細且つ連続した相分離構造を有する光電変換層４を形成することができる。添加量が２０％よりも多い場合は、溶媒及び添加物の乾燥速度が遅くなる傾向がある。

さらに、前記有機半導体組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲において、界面活性剤、バインダー樹脂、フィラーなどの他の添加物成分を含んでいてもよい。

光電変換層４を形成する際には、必要に応じて熱又は溶媒アニールを行ってもよい。アニール処理を施すことで、光電変換層４の材料の結晶性と、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との相分離構造を変化させ、光電変換特性に優れる素子を得ることができる。

熱アニールは、光電変換層４を製膜した基板１を所望の温度で保持して行う。熱アニールは減圧下又は不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、好ましい温度は４０℃〜２００℃、より好ましくは７０℃〜１５０℃である。温度が低いと十分な効果が得られず、温度が高すぎると光電変換層４が酸化及び／又は分解し、十分な光電変換特性を得ることができない。

溶媒アニールは、光電変換層４を製膜した基板１を溶媒雰囲気下で所望の時間保持することで行う。このときのアニールに使う溶媒は特に限定されないが、光電変換層４に対する良溶媒であることが好ましい。溶媒アニールは、光電変換層４を構成する有機半導体組成物を、基板１上に形成されているバッファ層３上に塗布して、当該組成物中に溶媒が残存した状態で行ってもよい。

ここで、必要な場合には前記の正孔輸送層６を光電変換層４上に積層させてもよい。正孔輸送層６の形成方法は特に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、塗布法などを用いることができる。光電変換素子を低コストで製造するためには、連続プロセスに適した方法がより好ましく、中でも塗布法が好ましい。さらに、光電変換層４又は正孔輸送層６上に正電極５を形成することで、積層構造を有する本発明の光電変換素子１０を製造することができる。

本発明の光電変換素子は、タンデム型光電変換素子として用いてもよい。タンデム型光電変換素子は、文献公知の方法、例えば、サイエンス，２００７年，第３１７巻，ｐ.２２２に記載の方法を用いて作製することができる。具体的には、電荷再結合層を、長波長側（〜１１００ｎｍ）まで光吸収し光電変換可能な光電変換層（Ｉ）と紫外〜可視光領域（１９０〜７００ｎｍ）の光電変換が可能な光電変換層（ＩＩ）とで挟み込んだ構造が挙げられる。この光電変換層（Ｉ）と光電変換層（ＩＩ）との接続順は逆であってもよい。

電荷再結合層とは、正電極側の光電変換層で生じた電子と、負電極側の光電変換層で生じた正孔とを再結合させる働きをする。各光電変換層で電荷分離して生じた正孔及び電子は、光電変換層中の内部電場によってそれぞれ正電極と負電極方向へと移動する。このとき、正電極側の光電変換層で生じた正孔及び負電極側の光電変換層で生じた電子はそれぞれ正電極及び負電極へ取り出され、正電極側の光電変換層で生じた電子及び負電極側の光電変換層で生じた正孔が再結合することによって、各光電変換層が電気的に直列に接続された電池として機能し開放電圧が増大する。

電荷再結合層は、複数の光電変換層が光吸収できるようにするため、光透過性を有することが好ましい。また、電荷再結合層は、十分に正孔と電子とが再結合するように設計されていればよいので、必ずしも膜である必要はなく、例えば、光電変換層上に一様に形成された金属クラスターであってもかまわない。従って、該電荷再結合層には、金、白金、クロム、ニッケル、リチウム、マグネシウム、カルシウム、錫、銀、アルミニウムなどからなる数ｎｍ以下程度の光透過性を有する非常に薄い金属膜や金属クラスター（合金を含む）、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＦＴＯ、酸化チタンや酸化モリブデンなどの光透過性の高い金属酸化物膜及びクラスター、ＰＳＳが添加されたＰＥＤＯＴなどの導電性有機材料膜、又はこれらの複合体などが用いられる。例えば、銀を、真空蒸着法を用いて水晶振動子膜厚モニター上で数ｎｍ以下となるように蒸着すれば、一様な銀クラスターが形成できる。その他にも、酸化チタン膜を形成するならば、例えば、アドバンストマテリアルズ，２００６年，第１８巻，ｐ.５７２に記載のゾルゲル法を用いればよい。ＩＴＯ、ＩＺＯなどの複合金属酸化物であるならば、スパッタリング法を用いて製膜すればよい。これらの電荷再結合層の形成法や種類は、電荷再結合層形成時の光電変換層への非破壊性や、次に積層される光電変換層の形成法などを考慮して適当に選択すればよい。

本発明の光電変換素子は光電変換効率に優れ、太陽電池をはじめとして各種光センサなどへ応用が可能である。

以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例中の評価は以下のようにして行った。

［光電変換層の膜厚測定］
実施例及び比較例の光電変換層の膜厚は、接触式段差計（ＤＥＫＴＡＫ８：Ｖｅｅｃｏ社製）を用いて、触針圧：３ｍｇ、測定レンジ：５０ｋÅの条件で測定した。

［バッファ層の膜厚測定］
実施例のバッファ層を構成する有機酸塩の膜厚は、基板上に形成した有機酸塩の膜の重量を測定することで決定した。具体的には、有機酸塩の層を基板上に形成した後に水に浸漬し、得られた水溶液中のナトリウムを分析した。誘導結合プラズマ質量分析装置により基板上の全ナトリウム量を決定し、基板面積から単位面積あたりのナトリウム量（ｇ／ｃｍ^２）を算出した。次に、得られたナトリウム量（ｇ／ｃｍ^２）と有機酸塩のナトリウム含有量（重量％）から膜の重量（ｇ／ｃｍ^２）を算出し、さらに有機酸塩の比重から、膜厚を決定した。

［光電変換効率の測定］
実施例及び比較例で作製した光電変換素子の光電変換効率は、ソーラーシミュレーター（ＯＴＥＮＴＯ−ＳＵＮII：分光計器社製）及びソースメーター（ＫＥＩＴＨＬＥＹ２４００：ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製）を用い、照射スペクトルはＡＭ１．５、照射強度は１００ｍＷ／ｃｍ^２で測定した。測定時の照射強度は、フォトダイオード（ＢＳ−５２０、分光計器社製）を用い、太陽電池評価基準となるように調節した。測定時には、光電変換素子の受光面積と同じ面積の照射光マスクを着用し、余剰な光の入射を排除した。

（実施例１）
市販のポリアクリル酸ナトリウム塩（アルドリッチ社製）に水を加えて０．２重量％の濃度に調製し、室温で攪拌した後、０．４５μｍのポリフッ化ビニリデン製のフィルターでろ過して均一な水溶液を得た。
１５５ｎｍのインジウム・スズ・オキサイドが０．７ｍｍのガラス上に製膜された基板（ジオマテック社製）を、セミコクリーン（フルウチ化学社製）、超純水、アセトン及びイソプロパノールで１０分間超音波洗浄し、乾燥した後、ＵＶ−Ｏ_３クリーナー（フィルジェン社製）を用いて２０分間オゾンクリーニングした。
洗浄したＩＴＯ基板の上に、調製したポリアクリル酸ナトリウム塩水溶液を６０００ｒｐｍで６０秒間スピンコートした後、１５０℃で１０分間熱処理を行い有機酸塩からなるバッファ層を形成した。基板上に製膜した有機酸塩の膜の重量（基板の単位面積あたりの重量）を測定し、有機酸塩の比重からバッファ層の膜厚を測定した。膜厚は２．２ｎｍであった。バッファ層を形成したＩＴＯ基板を窒素で満たされたグローブボックス中に導入し、窒素雰囲気下にて、ホットプレートを用いて１５０℃で１０分間熱処理を行い、ポリアクリル酸ナトリウム塩からなるバッファ層を形成した。

続いて、電子供与性半導体として市販のポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）：Ｐ３ＨＴ（アルドリッチ社製）と電子受容性半導体として［６，６］−フェニルＣ_６１ブチリックアシッドメチルエステル（フロンティアカーボン社製）とを重量比６０：４０で混合し、窒素雰囲気下にてクロロベンゼン溶液を加えて、固形分濃度を２．７重量％に調製し、４０℃で３時間攪拌した後、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターでろ過して均一な溶液を得た。調製した溶液を窒素雰囲気下にて、ＩＴＯ基板上のバッファ層の上に２５００ｒｐｍで３０秒間スピンコートした。３時間真空乾燥後、１５０℃で３０分間熱アニールを行った。得られた光電変換層の膜厚は９０ｎｍであった。

続いて、該基板を抵抗加熱式真空蒸着装置に導入し、５．０×１０^−５Ｐａの減圧条件下にて５ｎｍの三酸化モリブデン（純度９９．９９％）を真空蒸着し、正孔輸送層を形成した。さらに８０ｎｍの銀（Ａｇ）（純度９９．９９９％）を真空蒸着し、光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の発電面積は０．２５ｃｍ^２であった。続いて、ガラス製の封止キャップにＵＶ硬化樹脂を塗布し、作製した光電変換素子と貼り合わせた後、ＵＶランプを照射することで光電変換素子を封止した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．６９％であった。

（実施例２）
ポリアクリル酸ナトリウム水溶液のスピンコート条件を４０００ｒｐｍに変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。得られたポリアクリル酸ナトリウム塩の膜厚は２．７ｎｍであった。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．７２％であった。

（実施例３）
ポリアクリル酸ナトリウム水溶液のスピンコート条件を２０００ｒｐｍに変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。得られたポリアクリル酸ナトリウム塩の膜厚は３．１ｎｍであった。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．５５％であった。

（実施例４）
正孔輸送層の材料を三酸化モリブデンから三酸化タングステン（９９．９％）に変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．６７％であった。

（実施例５）
正孔輸送層の材料を三酸化モリブデンから五酸化バナジウム（９９．９％）に変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．６２％であった。

（実施例６）
電子供与性半導体として、１−（４，６−ジブロモチエノ［３，４−ｂ］チオフェン−２−イル）−２−エチルヘキサン−１−オンと２，６−ビス（トリメチルチン）−４，８−ビス（２−エチルヘキシロキシ）ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンを重合して得られるＰＢＤＴＴＴ−Ｃと、電子受容性半導体として［６，６］−フェニルＣ_７１ブチリックアシッドメチルエステル（フロンティアカ−ボン社製）とを重量比４０：６０で混合し、窒素雰囲気下にてクロロベンゼン溶液を加えて、固形分濃度が２．７重量％の濃度となるように調製し、８０℃で３時間攪拌した後、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン製のフィルターでろ過して均一な溶液を得た。調製した溶液を窒素雰囲気下にて、実施例１と同様の方法で製造したポリアクリル酸ナトリウム塩を塗布したＩＴＯ基板の上に２４００ｒｐｍで３０秒間スピンコートした。得られた光電変換層の膜厚は９０ｎｍであった。光電変換層の材料を変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は５．６８％であった。

（実施例７）
市販のクエン酸三ナトリウムニ水和物（アルドリッチ社製）に水を加えて０．２重量％の濃度に調製し、室温で攪拌した後、０．４５μｍのポリフッ化ビニリデン製のフィルターでろ過して均一な水溶液を得た。前記と同様の方法で洗浄したＩＴＯ基板の上に、調製したクエン酸三ナトリウム塩水溶液を４０００ｒｐｍで６０秒間スピンコートした。クエン酸三ナトリウム塩を塗布したＩＴＯ基板を窒素で満たされたグローブボックス中に導入し、窒素雰囲気下にて、ホットプレートを用いて１５０℃で１０分間熱処理を行った。得られたクエン酸三ナトリウム塩の膜厚は１．８ｎｍであった。有機酸塩をクエン酸三ナトリウム塩に変更した以外は、実施例６と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は４．８０％であった。

（比較例１）
前記と同様の方法で洗浄したＩＴＯ基板の上に、窒素雰囲気下にて、実施例１で調製した光電変換層用の溶液を２５００ｒｐｍで３０秒間スピンコートし、ホットプレートを用いて１５０℃で３０分間熱アニールを行った。ＩＴＯ基板の上に有機酸塩からなるバッファ層を形成しないこと以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は１．７３％であった。

（比較例２）
前記と同様の方法で洗浄したＩＴＯ基板の上に、窒素雰囲気下にて、実施例６で調製した光電変換層用の溶液を２４００ｒｐｍで３０秒間スピンコートした。ＩＴＯ基板の上に有機酸塩からなるバッファ層を形成しないこと以外は、実施例６と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は０．８７％であった。

（比較例３）
窒素雰囲気下にて、市販の炭酸セシウムに２−エトキシエタノールを加えて０．２重量％の濃度に調製し、室温で攪拌した後、０．４５μｍのポリフッ化ビニリデン製のフィルターでろ過して均一な水溶液を得た。窒素雰囲気下にて、前記と同様の方法で洗浄したＩＴＯ基板の上に、調製した炭酸セシウム溶液を４０００ｒｐｍで６０秒間スピンコートし、ホットプレートを用いて１７０℃で１０分間熱処理を行った。バッファ層を炭酸セシウムに変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．１７％であった。

（比較例４）
炭酸セシウム溶液のスピンコート条件を２０００ｒｐｍに変更した以外は、比較例３と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は２．７８％であった。

（比較例５）
窒素雰囲気下にて、市販のチタンイソプロポキシドに脱水エタノールを加えて３００倍希釈の溶液を調製し、室温で攪拌した後、０．４５μｍのポリフッ化ビニリデン製のフィルターでろ過して均一な水溶液を得た。大気下にて、洗浄したＩＴＯ基板の上に、調製したチタンイソプロポキシド溶液を２０００ｒｐｍで６０秒間スピンコートした。室温で１２時間静置することで加水分解反応を進行させ、ＩＴＯ基板の上に酸化チタンの層を形成した。バッファ層を酸化チタンに変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は２．８５％であった。

（比較例６）
チタンイソプロポキシドの希釈倍率を１００倍に変更した以外は、比較例５と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は２．３６％であった。

（比較例７）
前記と同様の方法で洗浄したＩＴＯ基板を抵抗加熱式真空蒸着装置に導入し、５．０×１０^−５Ｐａの減圧条件下にて２ｎｍのカルシウム（９９．５％）を真空蒸着した。続いて、窒素雰囲気下にて、実施例１で調製した光電変換層用の溶液を２５００ｒｐｍで３０秒間スピンコートし、ホットプレートを用いて１５０℃で３０分間熱アニールを行った。バッファ層をカルシウムに変更した以外は、実施例１と同様の方法で光電変換素子を作製した。作製した光電変換素子の光電変換効率を測定した結果、光電変換効率は３．２０％であった。

実施例１〜７及び比較例１〜７で得られた光電変換素子の変換効率を表１及び表２に示す。

表１及び表２より、有機酸塩をバッファ層として用いた実施例１〜７の光電変換素子は、本発明の適用外である比較例１〜７の光電変換素子に比べ高い変換効率を示すことが明らかとなった。

本発明の負電極と光電変換層の間に有機酸塩をバッファ層として用いた光電変換素子は、光電変換効率に優れ、太陽電池をはじめとし各種光センサなどへ応用可能である。

１は基板、２は負電極、３はバッファ層、４は光電変換層、５は正電極、６は正孔輸送層、１０は光電変換素子。

Claims

少なくとも一方が光透過性である正電極と負電極との間に、光電変換層を有する光電変換素子であって、前記光電変換層と前記負電極との間に、有機酸塩を含むバッファ層を有することを特徴とする光電変換素子。
前記光電変換層と前記正電極との間に、正孔輸送材料を含む正孔輸送層を有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子。
前記負電極がインジウム・スズ・オキサイドであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換素子。
前記有機酸塩が有機酸アルカリ金属塩であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換素子。
前記有機酸アルカリ金属塩が、多価カルボン酸アルカリ金属塩又はポリカルボン酸アルカリ金属塩であることを特徴とする請求項４に記載の光電変換素子。
前記光電変換層が、電子供与性有機半導体と電子受容性有機半導体との混合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換素子。
前記電子供与性有機半導体が、チオフェン、フルオレン、カルバゾール、ジべンゾシロール、ジベンゾゲルモール、ベンゾジチオフェン及びジケトピロロピロールから選ばれる複素環骨格基を少なくとも一部に有する単量体単位を含むπ電子共役重合体であることを特徴とする請求項６に記載の光電変換素子。
前記電子受容性有機半導体が、フラーレン誘導体であることを特徴とする請求項６又は７に記載の光電変換素子。
少なくとも一方が光透過性である正電極と負電極との間に光電変換層、及び前記光電変換層と前記負電極との間に有機酸塩を含むバッファ層を有し、前記光電変換層と前記正電極との間に正孔輸送層を有してもよい光電変換素子の製造方法であって、前記負電極上に有機酸塩溶液を塗布乾燥して前記バッファ層を形成することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
前記有機酸塩溶液が、ギ酸塩、酢酸塩、トリクロロ酢酸塩、ジクロロ酢酸塩、モノクロロ酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、ペンタン酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、グルタル酸塩、アジビン酸塩、Ｌ−乳酸塩、Ｄ−乳酸塩、リンゴ酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩、グルコン酸、フマル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、サリチル酸塩、ピコリン酸塩、ピクリン酸塩、チオグリコロール酸塩、アスコルビン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸塩、カルボキシメチルセルロース塩、アルギン酸塩、炭素数１〜２０の脂肪族スルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩、多価カルボン酸塩及びポリカルボン酸塩から選ばれるアルカリ金属塩の溶液であることを特徴とする請求項９に記載の光電変換素子の製造方法。