JP2014234390A - 高い溶解性を示すπ電子共役共重合体 - Google Patents
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- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 title claims abstract description 83
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 77
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical group S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 55
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 28
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 230000021615 conjugation Effects 0.000 claims description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- -1 i-propoxy Chemical group 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 21
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 15
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 10
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- URMVZUQDPPDABD-UHFFFAOYSA-N thieno[2,3-f][1]benzothiole Chemical compound C1=C2SC=CC2=CC2=C1C=CS2 URMVZUQDPPDABD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N Methyl butyrate Chemical compound CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N m-xylene Chemical group CC1=CC=CC(C)=C1 IVSZLXZYQVIEFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N naphthalenetetracarboxylic dianhydride Chemical compound C1=CC(C(=O)OC2=O)=C3C2=CC=C2C(=O)OC(=O)C1=C32 YTVNOVQHSGMMOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- STBMZSJLFYGOJU-UHFFFAOYSA-N 1,1-dibromooctane Chemical compound CCCCCCCC(Br)Br STBMZSJLFYGOJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKLWRIQKXIBVIS-UHFFFAOYSA-N 1,1-diiodooctane Chemical compound CCCCCCCC(I)I DKLWRIQKXIBVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 1-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Cl)=CC=CC2=C1 JTPNRXUCIXHOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxybutane Chemical compound CCCCOC CXBDYQVECUFKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CGYGETOMCSJHJU-UHFFFAOYSA-N 2-chloronaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(Cl)=CC=C21 CGYGETOMCSJHJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N Methoxyethane Chemical compound CCOC XOBKSJJDNFUZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001350 alkyl halides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000001502 aryl halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000005620 boronic acid group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- XAPCMTMQBXLDBB-UHFFFAOYSA-N hexyl butyrate Chemical compound CCCCCCOC(=O)CCC XAPCMTMQBXLDBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006610 n-decyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 2
- 125000006608 n-octyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 2
- WKVAXZCSIOTXBT-UHFFFAOYSA-N octane-1,1-dithiol Chemical compound CCCCCCCC(S)S WKVAXZCSIOTXBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 2
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 2
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007761 roller coating Methods 0.000 description 2
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N trimethylphosphine Chemical compound CP(C)C YWWDBCBWQNCYNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- JHPBVORIWHFCDS-UHFFFAOYSA-N (3-diphenylphosphanyl-2,2-dimethylpropyl)-diphenylphosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CC(C)(C)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 JHPBVORIWHFCDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(diphenylphosphino)methane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 XGCDBGRZEKYHNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRYOSNCUQBSECP-UHFFFAOYSA-N 1,1-diiodohexane Chemical compound CCCCCC(I)I QRYOSNCUQBSECP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVNJKAZMPQNGGE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzoselenadiazole Chemical compound C1=CC=C2[se]N=NC2=C1 TVNJKAZMPQNGGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole Chemical compound C1=CC=C2SN=NC2=C1 FNQJDLTXOVEEFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QFMZQPDHXULLKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 1,3-Bis(diphenylphosphino)propane Substances C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)CCCP(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 LVEYOSJUKRVCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- OIQCMCUFGWKBBV-UHFFFAOYSA-N 2,3-diiodobutane Chemical compound CC(I)C(C)I OIQCMCUFGWKBBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USHLGGSMIQPPKA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-phenylphenyl)-1,3-oxazole Chemical class C1=COC(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=N1 USHLGGSMIQPPKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=CO1 CRGSMSNUTNRNQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005964 Acibenzolar-S-methyl Substances 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEKBGYTZHWBXIS-UHFFFAOYSA-N C1(=C(C=CC=C1)P(C1=C(C=CC=C1)C)C1=C(C=CC=C1)C)C.CP(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C1(=C(C=CC=C1)P(C1=C(C=CC=C1)C)C1=C(C=CC=C1)C)C.CP(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 XEKBGYTZHWBXIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 0 CCC(C)(*)c1c(*)c(*)c(C(C)(CC)C(N(*)C2=*)=C3C2=C(C(C)c2c(*)c(*)c(*C)[s]2)N(*)C3=*)[s]1 Chemical compound CCC(C)(*)c1c(*)c(*)c(C(C)(CC)C(N(*)C2=*)=C3C2=C(C(C)c2c(*)c(*)c(*C)[s]2)N(*)C3=*)[s]1 0.000 description 1
- VLULDXSVPMONBJ-UHFFFAOYSA-N CCCCCC(CC)[S+](C(C([O-])=O)=C(C1=C(S2)Br)F)C1=C2Br Chemical compound CCCCCC(CC)[S+](C(C([O-])=O)=C(C1=C(S2)Br)F)C1=C2Br VLULDXSVPMONBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- JEPXJYKYHMEESP-UHFFFAOYSA-N Dodecyl butyrate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC JEPXJYKYHMEESP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N Tetrazine Chemical compound C1=CN=NN=N1 DPOPAJRDYZGTIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical group [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDEOXDSSZJCZPE-UHFFFAOYSA-N [1,3]thiazolo[4,5-d][1,3]thiazole Chemical compound N1=CSC2=C1N=CS2 BDEOXDSSZJCZPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIRUZQNBHNAMAB-UHFFFAOYSA-N benzene;cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1.C1=CC=CC=C1 WIRUZQNBHNAMAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKGULQGPBMIJU-UHFFFAOYSA-N benzene;hydron;bromide Chemical compound Br.C1=CC=CC=C1 ULKGULQGPBMIJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N butyl butanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCC XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000006639 cyclohexyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- CVYZQFMDVPRSNE-UHFFFAOYSA-N dicyclohexyl(2-dicyclohexylphosphanylpropan-2-yl)phosphane Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C(C)(C)P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 CVYZQFMDVPRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N dimethylacetone Natural products CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004672 ethylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 1
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RGFNRWTWDWVHDD-UHFFFAOYSA-N isobutyl butyrate Chemical compound CCCC(=O)OCC(C)C RGFNRWTWDWVHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004491 isohexyl group Chemical group C(CCC(C)C)* 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- FMKOJHQHASLBPH-UHFFFAOYSA-N isopropyl iodide Chemical compound CC(C)I FMKOJHQHASLBPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005928 isopropyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(OC(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004674 methylcarbonyl group Chemical group CC(=O)* 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000004718 n-hexylthio group Chemical group C(CCCCC)S* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004712 n-pentylthio group Chemical group C(CCCC)S* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- VBXSERPGINMTDE-UHFFFAOYSA-N phenyl(2-phenylphosphanylethyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1PCCPC1=CC=CC=C1 VBXSERPGINMTDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVNRJUHUOZDFKS-UHFFFAOYSA-N phenyl(3-phenylphosphanylpropyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1PCCCPC1=CC=CC=C1 AVNRJUHUOZDFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRYYUQJFQWSHNC-UHFFFAOYSA-N phenyl(4-phenylphosphanylbutyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1PCCCCPC1=CC=CC=C1 LRYYUQJFQWSHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002953 preparative HPLC Methods 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004673 propylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004742 propyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole-5,6-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)C(=O)N=C21 FYNROBRQIVCIQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005920 sec-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- BNCJZQZHQZAKFP-UHFFFAOYSA-N selenadiazolo[4,5-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2N=N[se]C2=C1 BNCJZQZHQZAKFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000006253 t-butylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(C(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNXPUXGOQIHJLJ-UHFFFAOYSA-N thiadiazolo[4,5-b]pyridine Chemical compound C1=CN=C2N=NSC2=C1 GNXPUXGOQIHJLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCIFPAMAAWDQJS-UHFFFAOYSA-N thieno[2,3-d]thiadiazole Chemical compound S1N=NC2=C1C=CS2 YCIFPAMAAWDQJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIUXRPJYVQQBAF-UHFFFAOYSA-N thieno[2,3-f][1]benzothiole-4,8-dione Chemical compound O=C1C=2C=CSC=2C(=O)C2=C1SC=C2 SIUXRPJYVQQBAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N triethylphosphine Chemical compound CCP(CC)CC RXJKFRMDXUJTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGNTWNVBGLNYDV-UHFFFAOYSA-N triisopropylphosphine Chemical compound CC(C)P(C(C)C)C(C)C IGNTWNVBGLNYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract
Description
本発明は、有機溶媒、特に非ハロゲン系有機溶媒に対し高い溶解性を示すπ電子共役共重合体、及びそのπ電子共役共重合体を含む光電変換素子に関するものである。
溶媒に可溶な高分子材料を用いて塗付法により生産できる有機薄膜太陽電池は、現在主流の太陽電池である多結晶シリコン、アモルファスシリコン、化合物半導体などの無機系太陽電池よりも安価に製造できるとされ、非常に注目されている。
有機薄膜太陽電池は、共役重合体と電子受容性材料を混合したバルクヘテロジャンクション構造を光電変換活性層として持つものが主流である。具体例としては、共役重合体としてポリ(3−ヘキシルチオフェン)(P3HT)を、電子受容性材料であるフラーレン誘導体として[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル(PCBM)とを混合した光電変換活性層を有する有機薄膜太陽電池がある(非特許文献1)。
バルクヘテロジャンクション構造において透明電極から入射した光は共役重合体および/または電子受容性材料で吸収され、電子とホールの結合した励起子を生成する。生成した励起子が共役重合体と電子受容性材料が隣接しているヘテロ接合界面に移動し、ホールと電子に電荷分離する。ホールおよび電子は、それぞれ共役重合体相および電子受容性材料相に輸送されて電極より取り出される。従って、有機薄膜太陽電池の光電変換効率を高めるには、光電変換活性層の光吸収量を増大させ、共役重合体と電子受容性材料が相分離して形成するバルクヘテロジャンクション構造のモルフォロジ(形態)を制御することが重要である。
ポリ(3−ヘキシルチオフェン)は可視光領域に光吸収を持つが、さらなる長波長領域(近赤外領域)まで吸収を持つ共役重合体(以下、狭バンドギャップポリマーと略称することがある)が既に数多く提案されている(特許文献1、非特許文献2、3)。しかしながら、主鎖骨格が剛直な狭バンドギャップポリマーにおいて、溶媒への溶解性や電子受容性材料であるフラーレン誘導体との混合性を制御することは大きな課題である。
また、溶媒への溶解性や電子受容性材料であるフラーレン誘導体との混合性を制御する目的として、π電子共役ランダム共重合体が提供されている(非特許文献4)。しかし、上記ランダム共重合体の溶解性は確保されているものの、変換効率が1〜2%程度と低い。
Angew.Chem.Int.Ed,47,58(2008)
Adv.Mater.,22,E6(2010)
Adv.Mater.,22,3839(2010)
J.Poly.Sci.Poly.Chem.,50,1622(2012)
本発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、優れた光電変換効率を発現し、工業的に容易且つ安価に製造することができるπ電子共役共重合体を与えること、またこのようなπ電子共役共重合体による電子受容性材料を含む組成物からなる光電変換素子を提供することを目的とする。
前記の目的を達成するためになされた、特許請求の範囲の請求項1に係る発明のπ電子共役重合体は、
下記式(1)で表される構成単位を少なくとも2種類有することを特徴とする。
[式(1)中、−a−は下記式(2)または(3)で表される基であり、
(式(2)及び(3)中、R1〜R6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルオキシカルボニル基及びアルキルチオ基から選ばれる同一又は異なるいずれかの置換基。少なくとも1つの構成単位におけるR1〜R6は、炭素数3又は4の分岐鎖状の前記置換基で、他の1つの構成単位におけるR1〜R6は、炭素数5〜18の前記置換基。Arはアリール基又はヘテロアリール基で、nは0または1。)
で表される基であり、
−b−は置換基を有してもよいチエノチオフェン骨格及び置換基を有してもよい窒素含有縮合ヘテロ環骨格のいずれかの縮合ヘテロ環骨格を有する基である。]
下記式(1)で表される構成単位を少なくとも2種類有することを特徴とする。
で表される基であり、
−b−は置換基を有してもよいチエノチオフェン骨格及び置換基を有してもよい窒素含有縮合ヘテロ環骨格のいずれかの縮合ヘテロ環骨格を有する基である。]
同じく請求項2に係る発明のπ電子共役共重合体は、
前記−b−が下記式(4)〜(7)
(式(4)〜(7)中、R7は水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、アルコキシ基、アリール基またはハロゲン原子、R8は水素原子または炭素数1〜18のアルキル基、R9は炭素数1〜18のアルキル基、アルキルカルボニル基またはアルキルオキシカルボニル基、Xは水素原子またはハロゲン原子、V1はC(R8)2、Si(R8)2、Ge(R8)2またはNR2を、V2は酸素原子または硫黄原子を表し、nは0または1を表す。)
から選ばれるいずれかの縮合ヘテロ環骨格を有する基である請求項1に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
前記−b−が下記式(4)〜(7)
から選ばれるいずれかの縮合ヘテロ環骨格を有する基である請求項1に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
同じく請求項3に係る発明のπ電子共役共重合体は、
前記式(1)で表される少なくとも1つの構成単位中の−a−が有するR1〜R6は、炭素数3又は4の分岐鎖状のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、前記式(1)で表される他の少なくとも1つの構成単位中の−a−が有するR1〜R6は、炭素数5〜18のアルキル基もしくはアルコキシ基である請求項1又は2に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
前記式(1)で表される少なくとも1つの構成単位中の−a−が有するR1〜R6は、炭素数3又は4の分岐鎖状のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、前記式(1)で表される他の少なくとも1つの構成単位中の−a−が有するR1〜R6は、炭素数5〜18のアルキル基もしくはアルコキシ基である請求項1又は2に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
同じく請求項4係る発明のπ電子共役共重合体は、
前記−a−が下記式(2)で表される基であり、
前記−b−が下記式(7)で表される基
(式(2)及び(7)中、R1、R2、R9、Ar、及びXは前記と同義)
である請求項1〜3のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
前記−a−が下記式(2)で表される基であり、
である請求項1〜3のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
同じく請求項5に係る発明のπ電子共役共重合体は、非ハロゲン系溶媒に対する溶解度が少なくとも5mg/mLであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
同じく請求項6に係る発明のπ電子共役共重合体は、数平均分子量が20000〜1000000g/モルであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体であることを特徴とする。
同じく請求項7に係る発明のπ電子共役共重合体は、電子受容性材料及び請求項1〜6のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体を含む有機半導体組成物であることを特徴とする。
同じく請求項8に係る発明のπ電子共役共重合体は、請求項7に記載の有機半導体組成物からなる層を有する光電変換素子であることを特徴とする。
本発明のπ電子共役共重合体は、長さの異なる複数種類の側鎖を導入することによって、結晶性が適度に低下し電子受容性材料との混合性が向上し、さらに短鎖側鎖を分岐させることで、溶媒、特に非ハロゲン系溶媒への溶解性を高めることができる。結果、電子供与性材料と電子受容性材料との界面積が増大し、高い変換効率を有する光電変換素子を、容易且つ安価に製造することができる。
以下、本発明を実施するための好ましい形態について詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの形態に限定されるものではない。
前記式(1)中、−a−は下記式(2)または(3)で表される基である。
(式(2)及び(3)中、R1〜R6は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルオキシカルボニル基及びアルキルチオ基から選ばれる同一又は異なるいずれかの置換基であり、Arはアリール基またはヘテロアリール基であり、nは0または1である。)
前記式(1)中、−b−はチエノチオフェン骨格及び窒素含有縮合ヘテロ環骨格のいずれかの縮合ヘテロ環骨格を有する基であり、置換基を有していてもよい。本発明のπ電子共役共重合体において、−a−と−b−とを相対比較して、−a−がドナー性(電子供与性)を示す基であり、−b−がアクセプター性(電子吸引性)を示す基であることが好ましい。重合体を構成する構成単位のバンドギャップは、−a−及び−b−の組み合わせにより制御することができ、バンドギャップを小さくすることにより、構成単位の吸収波長がより長くなり、長波長領域まで光吸収帯を持つことができる。すなわち、−a−がドナー性を示し、−b−がアクセプター性を示す構成単位−(a−b)−を含む重合体は、長波長領域まで光吸収帯を有する狭バンドギャップポリマーとなり、太陽光の光吸収量が増大するため、より優れた光電変換効率を発現させることができる。
なお、本発明における構成単位とは、重合体中に一定の繰返し構造を複数有する限り、ヘテロ環を複数連結した構造(例えば−a−b−)を一つの単位とみなす。本発明のπ電子共役共重合体において、式(1)で表される構成単位の置換基を除く環構造を構成する炭素原子のみの合計数は、6〜40であるのが好ましい。
本発明のπ電子共役共重合体は、式(1)で表される構成単位を少なくとも2種類有し、それら異なる構成単位がランダムに結合されたランダム共重合体であっても、ブロックを形成して結合されたブロック共重合体であってもよい。
π電子共役共重合体を構成する構成単位(1)のうち少なくとも1つが、式(1)中の−a−のR1〜R6が炭素数3または4の分岐鎖状のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルオキシカルボニル基及びアルキルチオ基から選ばれるいずれかの置換基である。このような、分岐鎖状の短鎖の置換基の例としては、i−プロピル基、i−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、i−プロポキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、i−プロピルカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、i−プロピルチオ基などが挙げられる。
上記の中でも、分岐鎖状の短鎖の置換基であるR1〜R6としては、アルキル基もしくはアルコキシ基がより好ましく、アルキル基が特に好ましい。
また、π電子共役共重合体を構成する構成単位(1)のうち他の少なくとも1つが、式(1)中の−a−のR1〜R6が炭素数5〜18のアルキル基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルキルオキシカルボニル基及びアルキルチオ基から選ばれるいずれかの置換基である。これらの長鎖の置換基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。
炭素数5〜18のアルキル基としては、例えば、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert−ペンチル基、n−ヘキシル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基などが挙げられる。
炭素数5〜18のアルコキシ基としては、例えば、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基などが挙げられる。
炭素数5〜18のアルキルカルボニル基としては、例えば、n−ヘキシルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、n−オクチルカルボニル基、n−デシルカルボニル基、n−ドデシルカルボニル基などが挙げられる。
炭素数5〜18のアルキルオキシカルボニル基としては、例えば、n−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基、n−ドデシルオキシカルボニル基などが挙げられる。
炭素数5〜18のアルキルチオ基としては、例えば、n−ペンチルチオ基、n−ヘキシルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。
上記の中でも、炭素数5〜18の長鎖の置換基であるR1〜R6としては、アルキル基もしくはアルコキシ基がより好ましく、アルキル基が特に好ましい。
式中のArは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。アリール基としては、例えばフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基などが挙げられ、ヘテロアリール基としては、例えばチエニル基、フリル基、ピリジル基、ピロール基などが挙げられる。これらの中でも、チエニル基が特に好ましい。さらに、これらはアルキル基、アルコキシ基などの置換基を有していてもよい。
本発明のπ電子共役共重合体において、式(1)に表される構成単位であって分岐鎖状の短鎖の置換基を有するものの含有率は、特に限定されるものではないが、10%〜50%が好ましく、20%〜30%がより好ましい。また、式(1)に表される構成単位であって長鎖の置換基を有するものの含有率は、特に限定されるものではないが、50〜90%が好ましく、70〜80%がより好ましい。
本発明のπ電子共役共重合体において、分岐鎖状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と、長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は、99:1〜1:99であるのが好ましく、70:30〜30:70であるのがより好ましく、50:50〜30:70であるのが特に好ましい。
前記−b−において、窒素含有縮合ヘテロ環骨格としては、例えばベンゾチアジアゾール、ベンゾセレナジアゾール、ベンゾテルロジアゾール、ベンゾトリアゾール、ピリジノチアジアゾール、ピリジノセレナジアゾール、チエノチアジアゾール、ナフトビスチアジアゾール、ナフトチアジアゾール、チエノチオフェン、キノキサリン、ベンゾビスチアジアゾール、チエノピロール、ジケトピロロピロール、チアゾロチアゾール、トリアジン、テトラジンなどが挙げられる。−b−は、π電子共役共重合体の溶解性や極性を制御する目的で主鎖骨格に置換基を有していてもよい。
−b−としては、例えば、下記式(4)〜(7)で表される構造が好ましく使用できる。中でも(7)で表される構造が好ましい。
(式中、R7は水素原子、炭素数1〜18のアルキル基、アルコキシ基、アリール基またはハロゲン原子、R8は水素原子または炭素数1〜18のアルキル基、R9は炭素数1〜18のアルキル基、アルキルカルボニル基またはアルキルオキシカルボニル基、Xは水素原子またはハロゲン原子、V1はC(R8)2、Si(R8)2、Ge(R8)2またはNR8を、V2は酸素原子または硫黄原子を表し、nは0または1を表す。)
前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、及びR1〜R6で例示した炭素数5〜18のアルキル基などが挙げられる。
前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、n−ブトキシ基、n−ヘキシル基、シクロヘキシルオキシ基、n−オクチルオキシ基、n−デシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、及びR1〜R6で例示した炭素数5〜18のアルコキシ基などが挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などが挙げられる。
前記アルキルカルボニル基としては、例えばメチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、tert−ブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基及びR1〜R6で例示した炭素数5〜18のアルキルカルボニル基などが挙げられる。
前記アルキルオキシカルボニル基としては、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基、及びR1〜R6で例示した炭素数5〜18のアルキルオキシカルボニル基などが挙げられる。
各R7〜R9は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。また、各R7〜R9は、さらにアルコキシ基、ハロゲン原子、アルキルチオ基などの置換基を有していてもよい。
すなわち、式−(2)−(7)−(ここで、式(7)のn=0)で表される構成単位が式(8)であり、高い光電変換効率を発現し、溶媒や電子受容性材料に対して高い溶解性・相溶性を有するπ電子共役共重合体を与えることができる。
本発明のπ電子共役共重合体は、式(1)に表される構成単位であって分岐鎖状の短鎖の置換基を有するものと、式(1)に表される構成単位であって長鎖の置換基を有するものとを有する。各々の式(1)に表される構成単位は、主鎖を構成する縮合ヘテロ環骨格は同一でも、互いに異なっていてもよい。しかしながら、縮合へテロ環骨格が同一である場合、各構成単位のHOMO準位が近接するので、有機光電変換素子を作製した際の光電変換特性において、電荷再結合および開放電圧の低下が抑制され、光電変換効率がより向上する。
各々の式(1)に表される構成単位に含まれる縮合ヘテロ環骨格が互いに異なるとは、置換基を除いた主鎖骨格の少なくとも一部が互いに異なることを指す。すなわち、各々の式(1)に表される構成単位において、−a−または−b−が互いに異なることを意味する。
式(1)に表される構成単位であって分岐鎖状の短鎖の置換基を有するものと式(1)に表される構成単位であって長鎖の置換基を有するものとは、それぞれの−a−が有する置換基R1〜R6は異なっている必要があるが、それぞれの−b−が有する置換基R7〜R9は、同一であっても異なっていてもよい。
本発明のπ電子共役共重合体は、分岐鎖状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)とを併せ持つことにより、側鎖の秩序性が乱れ、分岐鎖状の短鎖の置換基側の空隙に電子受容性材料が収まりやすくなり、混合性を向上させることができる。加えて、溶媒分子との相互作用も促進され、その結果、本発明のπ電子共役共重合体は溶媒に対する高い溶解性を示すことができる。このような結果は、分岐鎖状の短鎖の置換基と、長鎖の置換基との炭素数の最大差が4以上であると、より良好に発現される。すなわち、長鎖の置換基は、炭素数7以上であるのがより好ましい。
本発明のπ電子共役共重合体は、溶媒の中でも、特に非ハロゲン系溶媒に対する高い溶解度を示し、非ハロゲン系溶媒に対する溶解度が少なくとも5mg/mLであるものが好ましい。非ハロゲン系溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、1,2−ジクロロエタン、シクロヘキサンベンゼン、トルエン、o−キシレン、m−キシレン、アニソール、メトキシベンゼン、ピリジンなどが挙げられる。ハロゲン化アルキル及びハロゲン化アリール系溶媒は、分解物として酸を発生させるため、反応容器を腐食させる恐れがあることから、工業的には不利である。よって、非ハロゲン系溶媒に対する溶解度が高い本発明のπ電子共役共重合体は、例えば、再沈殿等を精製する際や、後述する組成物に加工する際にも工業的に有利である。
π電子共役共重合体の数平均分子量は、加工性、結晶性、溶解性、光電変換特性などの観点から、20,000〜1000000g/モルの範囲であるのがより好ましい。ここで、数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー(以下、GPCと称することがある)によるポリスチレン換算の分子量を意味する。本発明のπ電子共役共重合体の数平均分子量はテトラヒドロフラン(THF)、クロロホルム、ジメチルホルムアミド(DMF)などの溶媒を用いて数平均分子量を求めることができる。
本発明のπ電子共役共重合体は、本発明の効果を損ねない範囲で上記以外の有機基をポリマー鎖に有していてもよい。そのような他の有機基としては、例えば、−a−単位の基、−b−単位の基、またはそれ以外の単環もしくは縮環(ヘテロ)アリーレン基などが挙げられる。
本発明のπ電子共役共重合体は、必要に応じて他のπ電子共役重合体との連結体、すなわちブロック共重合体、グラフト共重合体、デンドリマーを形成していてもよい。他のπ電子共役重合体との連結体にすることで、電子受容性成分との混和性を有する部分と電子受容性成分との混和性を有さない部分とを相分離させ、光電変換素子の特性に優れたモルフォロジを形成することが可能である。
本発明のπ電子共役共重合体は、例えば、式(1)に表される構成単位であって分岐鎖状の短鎖の置換基を有するものである−(a−b)−を構成する単量体と、式(1)に表される構成単位であって長鎖の置換基を有するものである−(a’−b)−もしくは−(a’−b’)−を構成する単量体とを、所望の仕込み比で混合し、重合することで製造することができる。
ここで、式(1)に表される構成単位であって分岐鎖状の短鎖の置換基を有するもの−(a−b)−と式(1)に表される構成単位であって長鎖の置換基を有するもの−(a’−b)−とを有するπ電子共役共重合体の製造方法について、例を挙げて説明する。下記反応式(I)に従い、触媒の存在下で−(a−b)−および−(a’−b)−を構成するモノマーであるMq1−a−Mq1とMq1−a’−Mq1とMq2−b−Mq2とを反応させ、カップリング反応によって重合することで、本発明のπ電子共役共重合体を得ることができる。
式(I)中、−a−、−a’−、及び−b−は、構成単位−(a−b)−および−(a’−b)−の少なくとも一部を構成する縮合ヘテロ環骨格を表し、Mq1、Mq2は同一でなくそれぞれ独立してハロゲン原子、またはボロン酸、ボロン酸エステル、−MgX、−ZnX、−SiX3もしくは−SnRa 3(但し、Raは炭素数1〜4の直鎖アルキル基、Xはハロゲン原子)である。つまりMq1がハロゲン原子の場合、Mq2はボロン酸、ボロン酸エステル、−MgX、−ZnX、−SiX3または−SnRa 3であり、逆にMq2がハロゲン原子の場合、Mq1はボロン酸、ボロン酸エステル、−MgX、−ZnX、−SiX3または−SnRa 3となる。
上記で用いられる触媒は、遷移金属の錯体を好適に用いることができる。例えば、周期表(18族長周期型周期表)の3〜10族、中でも8〜10族に属する遷移金属の錯体が挙げられる。具体的には、公知のNi,Pd,Ti,Zr,V,Cr,Co,Feなどの錯体が挙げられる。中でも、Ni錯体やPd錯体がより好ましい。また、使用する錯体の配位子としては、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリt−ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(2−メチルフェニル)ホスフィンなどの単座ホスフィン配位子;ジフェニルホスフィノメタン(dppm)、1,2−ジフェニルホスフィノエタン(dppe)、1,3−ジフェニルホスフィノプロパン(dppp)、1,4−ジフェニルホスフィノブタン(pddb)、1,3−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)プロパン(dcpp)、1,1’−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン(dppf)、2,2−ジメチル−1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンなどの二座ホスフィン配位子;テトラメチルエチレンジアミン、ビピリジン、アセトニトリルなどの含窒素系配位子などが含有されていることが好ましい。
触媒の使用量は製造するπ電子共役共重合体の種類によって異なるが、単量体に対して0.001〜0.1モルが好ましい。触媒が多すぎると得られる重合体の分子量低下の原因となり、また経済的にも不利である。一方、少なすぎると反応速度が遅くなり、安定した生産が困難になる。
本発明のπ電子共役共重合体は溶媒の存在下で製造することが好ましい。製造に用いることができる溶媒は、一般的に市販されている溶媒を選択することができる。例えばテトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジメチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジフェニルエーテルなどのエーテル系溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式飽和炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド系溶媒、水ならびにこれらの混合物などが挙げられる。なお、ハロゲン化アルキル及びハロゲン化アリール系溶媒は、分解物として酸を発生させるため、反応容器を腐食させる恐れがあることから、工業的には不利である。
かかる有機溶媒の使用量としては製造するπ電子共役共重合体の単量体に対して1〜1000重量倍の範囲であることが好ましい。
重合温度は製造するπ電子共役共重合体の種類によって異なるが、通常−80〜200℃の範囲で実施される。反応系の圧力は特に限定されないが、0.1〜10気圧が好ましい。通常1気圧前後で反応を行なう。また、反応時間は製造するπ電子共役共重合体によって異なるが、通常20分〜100時間である。
得られるπ電子共役共重合体は、例えば再沈殿、加熱下での溶媒除去、減圧下での溶媒除去、水蒸気による溶媒の除去(スチームストリッピング)などのような、π電子共役共重合体を溶液から単離する際の通常の操作によって、反応混合液及び副生成物から分離、取得することができる。得られた粗生成物はソックスレー抽出器を用いて市販されている溶媒により洗浄または抽出することで精製することができる。例えば、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ジメチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ブチルメチルエーテル、t−ブチルメチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジフェニルエーテルなどとエーテル系溶媒、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族または脂環式飽和炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、エチルメチルケトン、ジエチルケトンなどのケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジエチルホルムアミド、N−メチルピロリドンなどのアミド系溶媒、水ならびにこれらの混合物などが挙げられる。
π電子共役共重合体は、末端基として、ハロゲン原子、トリアルキルスズ基、ボロン酸基、ボロン酸エステル基などのカップリング残基、またはそれらの原子もしくは基が脱離した水素原子を有していてもよく、さらにこれらの末端基が臭化ベンゼンなどの芳香族ハロゲン化物や、芳香族ボロン酸化合物などからなる末端封止剤で置換された末端構造であってもよい。
次に、本発明のπ電子共役共重合体と電子受容性材料とを含む組成物について説明する。本発明のπ電子共役共重合体は、電子受容性材料と混合して有機半導体組成物とすることができ、例えば光電変換素子の光電変換活性層などに用いることができる。本発明の有機半導体組成物を構成する電子受容性材料は、n型半導体特性を示す有機材料であれば特に限定されないが、例えば1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド(NTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライド(PTCDA)、N,N'−ジオクチル−3,4,9,10−ナフチルテトラカルボキシジイミド(NTCDIC8H)、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールや2,5−ジ(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオキサゾール誘導体、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,2,4−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、C60またはC70などのフラーレン誘導体、カーボンナノチューブ(CNT)、ポリ−p−フェニレンビニレン系重合体にシアノ基を導入した誘導体(CN−PPV)などが挙げられる。これらはそれぞれ単体で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。これらの中でも、安定且つキャリア移動度に優れるn型半導体という観点からフラーレン誘導体が好ましく用いられる。
n型有機半導体として好適に用いられるフラーレン誘導体は、C60、C70、C76、C78、C82、C84、C90、C94を始めとする無置換のものと、[6,6]−フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル(PC61BM)、[5,6]−フェニルC61ブチリックアシッドメチルエステル、[6,6]−フェニルC61ブチリックアシッドn−ブチルエステル、[6,6]−フェニルC61ブチリックアシッドi−ブチルエステル、[6,6]−フェニルC61ブチリックアシッドヘキシルエステル、[6,6]−フェニルC61ブチリックアシッドドデシルエステル、[6,6]−ジフェニルC62ビス(ブチリックアシッドメチルエステル)(bis−PC62BM)、[6,6]−フェニルC71ブチリックアシッドメチルエステル(PC71BM)、[6,6]−ジフェニルC72ビス(ブチリックアシッドメチルエステル)(bis−PC72BM)、インデンC60−モノ付加体、インデンC60−ビス付加体、インデンC70−モノ付加体、インデンC70−ビス付加体をはじめとする置換誘導体などが挙げられる。
フラーレン誘導体は単独またはそれらの混合物として用いることができる。有機溶媒に対する溶解性の観点から、PC61BM、bis−PC62BM、PC71BM、bis−PC72BM、インデンC60−モノ付加体、インデンC60−ビス付加体、インデンC70−モノ付加体、インデンC70−ビス付加体が好適に用いられる。さらにこれらの中で、光吸収の観点からは、PC71BM、bis−PC72BM、インデンC70−モノ付加体、インデンC70−ビス付加体が、製造コストの観点からは、PC61BM、bis−PC62BM、インデンC60−ビス付加体がより好適に用いられる。
有機半導体組成物中の電子受容性材料の割合は、π電子共役共重合体100重量部に対して、10〜1000重量部であることが好ましく、50〜500重量部であることがより好ましい。組成物には、発明の目的を阻害しない範囲において、界面活性剤やバインダー樹脂、フィラーなどの他の成分を含んでいてもよい。
π電子共役共重合体および電子受容性材料の混合方法としては特に限定されるものではないが、所望の比率で溶媒に添加した後、加熱、攪拌、超音波照射などの方法を1種または複数種組み合わせて溶媒中に溶解させ、溶液とする方法が挙げられる。
溶媒としては特に限定されないが、π電子共役共重合体、電子受容性材料のそれぞれについて溶解度が5mg/mL以上である溶媒を用いることが製膜上の観点より好ましい。さらに、膜厚を任意に制御する観点からは、π電子共役共重合体、電子受容性材料のそれぞれについて、50℃における溶解度が8mg/mL以上の溶媒を用いることがより好ましい。また、これら溶媒の沸点は、室温から200℃の範囲にあるものが製膜性および後述する製造プロセスの観点より好ましく、また非ハロゲン系溶媒が工業的な観点からより好ましい
これらの溶媒としては、前記の非ハロゲン系溶媒が好ましく用いられる。溶媒は単独で用いてもよく、2種類以上混合して用いてもよいが、特にπ電子共役共重合体および電子受容性材料の両方に対して溶解度が高いトルエン、o−キシレンおよびこれらの混合物が好ましく用いられる。
前記の溶液にはπ電子共役共重合体および電子受容性材料以外に沸点が溶媒より高い添加物を含んでもよい。添加物を含有させることによってπ電子共役共重合体および電子受容性材料の微細且つ連続した相分離構造が層に形成されるため、光電変換効率に優れる光電変換活性層を得ることが可能となる。該添加物としては、オクタンジチオール(沸点:270℃)、ジブロモオクタン(沸点:272℃)、ジヨードオクタン(沸点:327℃)、ジヨードヘキサン(沸点:142℃[10mmHg])、ジヨードブタン(沸点:125℃[12mmHg])、ジエチレングリコールジエチルエーテル(沸点:162℃)、N−メチル−2−ピロリドン(沸点:229℃)、1−または2−クロロナフタレン(沸点:256℃)などが例示される。これらの中で、光電変換効率に優れる光電変換素子を得るという観点から、オクタンジチオール、ジブロモオクタン、ジヨードオクタン、1−または2−クロロナフタレンが好ましく用いられる。
添加物の添加量は、π電子共役共重合体および電子受容性材料が析出せず、均一な溶液を与えるものであれば特に限定されないが、溶媒に対して体積分率で0.1〜20%であることが好ましい。添加物の添加量が0.1%よりも少ない場合は微細且つ連続した相分離構造が形成されるに十分な効果を得ることができず、20%よりも多い場合は、溶媒および添加物の乾燥速度が遅くなり、均質な有機薄膜を得ることが困難となる。より好ましくは0.5〜10%の範囲である。
本発明の光電変換素子は、上記π電子共役共重合体および電子受容性材料を含む有機半導体組成物からなる光電変換活性層を有する。光電変換素子は、少なくとも一方が光透過性を有する一対の電極、つまり正極と負極との間に、光電変換活性層を有するものである。
光電変換素子は、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないもので、例えば無アルカリガラス、石英ガラス、シリコンなどの無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂やフッ素系樹脂などの有機材料から任意の方法によって作製されたフィルムや板が使用可能である。不透明な基板の場合には、反対の電極即ち、基板から遠い方の電極が透明または半透明であることが好ましい。透明な基板の場合には、基板に接する方の電極を光透過性を有する電極にしてもよい。基板の膜厚は特に限定されないが、通常1μm〜10mmの範囲である。
光透過性を有する透明または半透明の電極材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜などが挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、フッ素・スズ・オキサイド(FTO)、アンチモン・スズ・オキサイド、インジウム・亜鉛・オキサイド(IZO)、ガリウム・亜鉛・オキサイド、アルミニウム・亜鉛・オキサイド、アンチモン・亜鉛・オキサイドからなる導電性材料を用いて作製された膜や、金、白金、銀、銅の極薄膜が用いられ、ITO、FTO、IZO、酸化スズが好ましい。電極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などが挙げられる。また、透明な電極材料として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
対向電極材料としては、公知の金属、導電性高分子などを用いることができ、光透過性を有さなくてもよく、透明または半透明であってもよい。好ましくは一対の電極のうち、一方の電極は仕事関数の小さい材料が好ましい。例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、またはそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。
光電変換素子に用いる電極は、一方に仕事関数の大きな導電性素材、もう一方に仕事関数の小さな導電性素材を使用することが好ましく、このとき、仕事関数の大きな導電性素材を用いた電極は正極となり、仕事関数の小さな導電性素材を用いた電極は負極となる。
π電子共役共重合体を含む組成物からなる光電変換活性層の膜厚は、通常、1nm〜1μmであり、好ましくは2〜1000nmであり、より好ましくは5〜500nmであり、さらに好ましくは20〜300nmである。膜厚が薄すぎると光が十分に吸収されず、逆に厚すぎるとキャリアが電極へ到達し難くなる。
前記組成物を含有する溶液を基板または支持体へ塗工して光電変換活性層を形成することができる。塗工方法は特に制限されず、液状の塗工材料を用いる従来から知られている塗工方法のいずれもが採用できる。例えば浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、インクジェット法、エアロゾルジェット法、スピンコーティング法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法、スリットダイコーター法、グラビアコーター法、スリットリバースコーター法、マイクログラビア法、コンマコーター法などの塗工方法を採用することができ、塗膜厚さ制御や配向制御など、得ようとする塗膜特性に応じて塗布方法を選択すればよい。
前記光電変換活性層は、必要に応じて熱または溶媒アニールを行ってもよい。アニール処理を施すことで、光電変換活性層材料の結晶性と、p型有機半導体とn型有機半導体との相分離構造を変化させ、光電変換特性に優れる素子を得ることができる。尚、このアニール処理は、負極の形成後に行ってもよい。
熱アニールは、前記光電変換活性層を製膜した基板を所望の温度で保持して行う。減圧下または不活性ガス雰囲気下で行ってもよく、好ましい温度は40℃〜150℃、より好ましくは70℃〜150℃である。温度が低いと十分な効果が得られず、温度が高すぎると有機薄膜が酸化及び/または分解し、十分な光電変換特性を得ることができない。
溶媒アニールは、前記光電変換活性層を製膜した基板を溶媒雰囲気下で所望の時間保持することで行う。このときのアニール溶媒は特に限定されないが、前記光電変換活性層に対する良溶媒であることが好ましい。溶媒アニールは、光電変換活性層を構成する有機半導体組成物を基板上に塗工して、当該組成物中に溶媒が残存した状態で行ってもよい。
本発明の光電変換素子は、必要に応じて正極と有機光電変換層の間にさらに正孔輸送層を設けてもよい。正孔輸送層を形成する材料としては、p型半導体特性を有するものであれば特に限定されないが、ポリチオフェン系重合体、ポリアニリン系重合体、ポリ−p−フェニレンビニレン系重合体、ポリフルオレン系重合体などの導電性高分子や、フタロシアニン誘導体(H2Pc、CuPc、ZnPcなど)、ポルフィリン誘導体などのp型半導体特性を示す低分子有機化合物、酸化モリブデン、酸化亜鉛、酸化バナジウムなどの金属酸化物が好ましく用いられる。特に、ポリチオフェン系重合体であるポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)やPEDOTにポリスチレンスルホネート(PSS)が添加されたものが好ましく用いられる。正孔輸送層は1〜600nmの厚さが好ましく、より好ましくは20〜300nmである。
本発明の光電変換素子は、必要に応じて負極と活性層の間にさらに電子輸送層を設けてもよい。電子輸送層を形成する材料としては、n型半導体特性を有するものであれば特に限定されないが、上述の電子受容性有機材料(NTCDA、PTCDA、NTCDI−C8H、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、フラーレン誘導体、CNT、CN−PPVなど)およびポリフルオレンなどが好ましく用いられる。電子輸送層は0.1〜600nmの厚さが好ましく、より好ましくは0.5〜100nmである。
正極と活性層の間に正孔輸送層を作製するに際し、例えば溶媒に可溶な導電性高分子の場合には浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、インクジェット法、エアロゾルジェット法、スピンコーティング法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法、スリットダイコーター法、グラビアコーター法、スリットリバースコーター法、マイクログラビア法、コンマコーター法などで塗布することができる。フタロシアニン誘導体やポルフィリン誘導体などの低分子有機材料を使用する場合には、真空蒸着機を用いた蒸着法を適用することが好ましい。電子輸送層についても同様にして作製することができる。
光電変換素子は必要に応じ、電極と光電変換活性層と電極との間に電荷移動を円滑にするバッファー層として金属フッ化物を設けてもよい。金属フッ化物としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化セシウムなどが挙げられるが、特にフッ化リチウムが好ましく用いられる。バッファー層は0.05nmから50nmの厚さが好ましく、0.5nmから20nmがより好ましい。これらの金属フッ化物を製膜する方法は特に限定されないが、任意の膜厚を制御する観点から真空蒸着機を用いた蒸着法を適用することが好ましい。
光電変換素子は、タンデム型光電変換素子として用いてもよい。タンデム型光電変換素子は、文献公知の方法、例えばサイエンス,2007年,第317巻,pp222に記載の方法を用いて作製することができる。具体的には、電荷再結合層を、長波長側(〜1100nm)まで光吸収し光電変換可能な光電変換活性層(I)と紫外〜可視光領域(190〜700nm)の光電変換が可能な光電変換活性層(II)とで挟み込んだ構造が挙げられる。この光電変換活性層(I)と光電変換活性層(II)との接続順は逆であってもよい。
また、本発明の光電変換素子は、光電変換機能、光整流機能などを利用した種々の光電変換デバイスへの応用が可能である。例えば光電池(太陽電池など)、電子素子(光センサ、光スイッチ、フォトトランジスタなど)、光記録材(光メモリなど)などに有用である。
以下、本発明の実施例を詳細に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、上記した各工程で得られる材料について、また下記の工程で製造される材料について、その物性測定および精製は、以下の如くして行った。
なお、上記した各工程で得られる材料について、また下記の工程で製造される材料について、その物性測定および精製は、以下の如くして行った。
<重量平均分子量・数平均分子量>
重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、いずれもゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)による測定に基づき、ポリスチレン換算値で求められたものである。ここでは、GPC装置として、東ソー株式会社製のHLC−8320(品番)を用い、カラムとして、東ソー株式会社製のTSKgel Multipore HZの2本を直列に繋いだものを用いた。また、カラム及びインジェクターは40℃とし、溶出溶媒として、クロロホルムを用いた。
重量平均分子量(Mw)および数平均分子量(Mn)は、いずれもゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)による測定に基づき、ポリスチレン換算値で求められたものである。ここでは、GPC装置として、東ソー株式会社製のHLC−8320(品番)を用い、カラムとして、東ソー株式会社製のTSKgel Multipore HZの2本を直列に繋いだものを用いた。また、カラム及びインジェクターは40℃とし、溶出溶媒として、クロロホルムを用いた。
<重合体の精製>
重合体の精製には分取用のGPCカラムを用いて精製を行なった。用いた装置は、日本分析工業株式会社製のRecycling Preparative HPLC LC−908を用いた。なお、カラムの種類は、日本分析工業株式会社製のスチレン系ポリマーカラム 2H−40および2.5H−40を2本直列に接続したものである。また、溶出溶媒はクロロホルムを用いた。
重合体の精製には分取用のGPCカラムを用いて精製を行なった。用いた装置は、日本分析工業株式会社製のRecycling Preparative HPLC LC−908を用いた。なお、カラムの種類は、日本分析工業株式会社製のスチレン系ポリマーカラム 2H−40および2.5H−40を2本直列に接続したものである。また、溶出溶媒はクロロホルムを用いた。
<1H−NMRの測定>
1H−NMR測定には日本電子株式会社製JEOLJNM−EX270FT−NMR装置を用いた。なお、本明細書中、特に記載がなければ1H−NMRは270MHz、溶媒はクロロホルム(CDCl3)、室温下で測定したものである。
1H−NMR測定には日本電子株式会社製JEOLJNM−EX270FT−NMR装置を用いた。なお、本明細書中、特に記載がなければ1H−NMRは270MHz、溶媒はクロロホルム(CDCl3)、室温下で測定したものである。
また、本文中において使用される略字の意味は、EtHexおよびHexEtは2−エチルヘキシル基、iprはイソプロピル基である。
[合成例1]
1Lの三口フラスコに、ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンー4,8−ジオン(30g、133.7mmol)、テトラヒドロフラン(350mL)を加えて、0℃に冷却し、水素化ホウ素ナトリウム(11.34g、300mmol)のテトラヒドロフラン(150mL)溶液をゆっくりと滴下した。滴下後、120℃で1時間加熱した。加熱後、80℃にし、2−ヨードプロパン(57.8g、340mmol)を滴下し、再び120℃で3時間加熱した。加熱後、ヘキサン(200mL×3)で抽出し、水(200mL×2)で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後に減圧下で溶媒を留去することで得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=10/1)で精製することにより橙色固体として4,8・ビス(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン 5.85g(14%)得た。
1H−NMR:δ=7.48(d、J=5Hz、2H)、7.33(d、J=5Hz、2H)、4.32(m、1H)、1.82−1.30(d、J=1.5Hz、12H)、0.43(s、18H)
1Lの三口フラスコに、ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンー4,8−ジオン(30g、133.7mmol)、テトラヒドロフラン(350mL)を加えて、0℃に冷却し、水素化ホウ素ナトリウム(11.34g、300mmol)のテトラヒドロフラン(150mL)溶液をゆっくりと滴下した。滴下後、120℃で1時間加熱した。加熱後、80℃にし、2−ヨードプロパン(57.8g、340mmol)を滴下し、再び120℃で3時間加熱した。加熱後、ヘキサン(200mL×3)で抽出し、水(200mL×2)で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥した後に減圧下で溶媒を留去することで得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=10/1)で精製することにより橙色固体として4,8・ビス(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン 5.85g(14%)得た。
[合成例2]
2,6−ビス(トリメチルチン)−4,8−ビス(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンは、J.Am.Chem.Soc.,131,7792(2009)に記載されている方法により、4,8‐ビス(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンから合成した。
1H−NMR:δ=7.51(s、2H)、4.32(m、1H)、1.82−1.30(d、J=4.0Hz、12H)、0.43(s、18H)
2,6−ビス(トリメチルチン)−4,8−ビス(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンは、J.Am.Chem.Soc.,131,7792(2009)に記載されている方法により、4,8‐ビス(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェンから合成した。
[実施例1]
下記反応式に従い共重合体A1の合成を行った。
窒素雰囲気下、50mLのナスフラスコに、エチルヘキシル−4,6−ジブロモ−3−フルオロチエノ[3,4−b]チオフェン−2−カルボキシレート(以下、「モノマー1」と称する)(0.32g,0.75mmol)、2,6−ビス(トリメチルスズ)−4,8−(2−エチルヘキシルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン(以下、「モノマー2」と称する)(0.53g,0.68mmol)、2,6−ビス(トリメチルスズ)−4,8−(イソプロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン(以下、「モノマー3」と称する)(0.19g,0.29mmol)を加え、次いでDMF(2.9mL)、m−キシレン(12mL)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(30mg、26μmol)を加え、115℃で8時間加熱した。反応終了後、反応溶液を濃縮し、メタノール(500mL)に注ぎ、析出した固体を濾取し、得られた固体を減圧乾燥することで粗生成物を得た。粗生成物を、ソックスレー抽出機を用いてアセトン(200mL)、ヘキサン(200mL)で洗浄した後に、塩化メチレン(200mL)で抽出した。有機層を濃縮乾固し、得られた黒紫色の固体を、クロロホルム(25mL)に溶解させ、メタノール(450mL)で再沈殿した。得られた個体を濾取した後に減圧乾燥することで黒紫色の固体として、共重合体A1(0.47g,93%)を得た。得られた共重合体A1の分岐状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は30:70であり、数平均分子量(Mn)は35,000、多分散度は20.5であった。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.40−4.00(br)、3.50−3.00(br)、1.80−1.57(br)、1.50−1.20(br)、1.00−0.80(br)
下記反応式に従い共重合体A1の合成を行った。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.40−4.00(br)、3.50−3.00(br)、1.80−1.57(br)、1.50−1.20(br)、1.00−0.80(br)
[実施例2]
モノマー1を0.32g(0.75mmol)、モノマー2を0.45g(0.58mmol)、モノマー3を0.15g(0.23mmol)用いた以外は、実施例1と同様にして共重合体A2(0.39g,77%)を得た。得られた共重合体A2の分岐状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は30:70であり、数平均分子量(Mn)は161,000、多分散度は10.1であった。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.40−4.00(br)、3.50−3.00(br)、1.80−1.57(br)、1.50−1.20(br)、1.00−0.80(br)
モノマー1を0.32g(0.75mmol)、モノマー2を0.45g(0.58mmol)、モノマー3を0.15g(0.23mmol)用いた以外は、実施例1と同様にして共重合体A2(0.39g,77%)を得た。得られた共重合体A2の分岐状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は30:70であり、数平均分子量(Mn)は161,000、多分散度は10.1であった。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.40−4.00(br)、3.50−3.00(br)、1.80−1.57(br)、1.50−1.20(br)、1.00−0.80(br)
[比較例1]
窒素雰囲気下、50mLのナスフラスコに、モノマー2(84mg,0.11mmol)、2,6−ビス(トリメチルチン)−4,8−ジプロピルベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン(30mg,0.05mmol)およびモノマー1(50.1mg,0.12mmol)を加え、重合溶媒としてDMF(0.3mL)、トルエン(1.4mL)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(3.4mg,2.98μmol)を加え、110℃で10時間加熱した。反応終了後、反応溶液をメタノール(500mL)に注ぎ、析出した固体を濾取し、得られた固体を減圧乾燥することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、実施例1と同様に処理することで黒紫色の共重合体B1(80mg,92%)を得た。得られた共重合体B1の分岐状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は30:70であり、Mnは44,000、多分散度は25.0であった。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.30−4.00(br)、3.20−3.00(br)、2.00−1.00(br)、0.90−0.40(br)
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.30−4.00(br)、3.20−3.00(br)、2.00−1.00(br)、0.90−0.40(br)
[比較例2]
窒素雰囲気下、50mLのナスフラスコに、2,6−ビス(トリメチルチン)−4,8−ジドデシルベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン(94mg,0.11mmol)、2,6−ビス(トリメチルチン)−4,8−ジプロピルベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン(30mg,0.05mmol)およびモノマー1(50mg,0.12mmol)を加え、重合溶媒としてDMF(0.3mL)、トルエン(1.4mL)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(3.4mg,2.98μmol)を加え、容器内をアルゴンガスで20分間バブリングした後に、110℃で10時間加熱した。反応終了後、反応溶液をメタノール(500mL)に注ぎ、析出した固体を濾取し、得られた固体を減圧乾燥することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を実施例1と同様に処理することで黒紫色の共重合体B2(76mg,89%)を得た。得られた共重合体B2の分岐状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は50:50であり、Mnは34,000、PDIは3.92であった。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、3.30−3.00(Br)、2.09−1.10(br)、1.00−0.60(br)
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、3.30−3.00(Br)、2.09−1.10(br)、1.00−0.60(br)
[比較例3]
窒素雰囲気下、50mLのナスフラスコに、モノマー2(84mg,0.11mmol)、2,6−ビス(トリメチルチン)−4,8−ビス(プロピルオキシ)ベンゾ[1,2−b:4,5−b’]ジチオフェン(31mg,0.05mmol)およびモノマー1(50mg,0.12mmol)を加え、重合溶媒としてDMF(0.3mL)、トルエン(1.4mL)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(3.4mg,2.98μmol)を加え、容器内をアルゴンガスで20分間バブリングした後に、110℃で10時間加熱した。反応終了後、反応溶液をメタノール(500mL)に注ぎ、析出した固体を濾取し、得られた固体を減圧乾燥することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、実施例1と同様に処理することで黒紫色の固体として共重合体B3(65mg、81%)を得た。得られた共重合体B3の分岐状の短鎖の置換基を有する構成単位(1)と長鎖の置換基を有する構成単位(1)との組成比は30:70であり、Mnは36,000、多分散度は9.50であった。
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.40−4.00(br)、3.20−3.00(br)、2.00−1.00(br)、0.90−0.40(br)
1H−NMR:δ=7.60−7.30(br)、4.40−4.00(br)、3.20−3.00(br)、2.00−1.00(br)、0.90−0.40(br)
上記の実施例及び比較例で得られた各共重合体について、溶媒としてトルエン及びテトラヒドロフラン(THF)を用い、溶解度を測定した(液温50℃にて測定)。その結果を表1及び表2に示す。
表1から明らかなとおり、分岐状の短鎖の置換基と長鎖の置換基とを併せ持つ本発明の重合体は、トルエン及びTHFに対し、高い溶解度を示した。このことは、光電変換素子の製造において、本発明の重合体を用いて塗布法により光電変換層を形成するにあたって、簡便に均一な光電変換層を製造することができることを示している。一方、短鎖の置換基が分岐していない比較例1〜3の重合体においては、トルエン及びTHFに対する溶解度が低く、光電変換素子の製造には不適であることが明らかとなった。
Claims (8)
- 下記式(1)で表される構成単位を少なくとも2種類有するπ電子共役共重合体。
で表される基であり、
−b−はチエノチオフェン骨格及び窒素含有縮合ヘテロ環骨格のいずれかの縮合ヘテロ環骨格を有する基である。] - 前記式(1)で表される少なくとも1つの構成単位中の−a−が有するR1〜R6は、炭素数3又は4の分岐鎖状のアルキル基もしくはアルコキシ基であり、前記式(1)で表される他の少なくとも1つの構成単位中の−a−が有するR1〜R6は、炭素数5〜18のアルキル基もしくはアルコキシ基である請求項1又は2に記載のπ電子共役共重合体。
- 非ハロゲン系溶媒に対する溶解度が少なくとも5mg/mLであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体。
- 数平均分子量が20000〜1000000g/モルであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体。
- 電子受容性材料及び請求項1〜6のいずれか一項に記載のπ電子共役共重合体を含む有機半導体組成物。
- 請求項7に記載の有機半導体組成物からなる層を有する光電変換素子。
Priority Applications (1)
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