JP2014229768A - Method for manufacturing electronic component device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an electronic component device.
近年、実装基板上に実装された電子部品の封止に使用される封止用シートが知られている(例えば、特許文献1参照)。 In recent years, a sealing sheet used for sealing an electronic component mounted on a mounting substrate has been known (for example, see Patent Document 1).
特許文献1には、実装基板上に実装された電子部品上に封止用シートを配置し、封止用シートを所定条件でプレスすることにより、電子部品を封止用シートに埋め込み、その後、封止用シートを硬化させることにより、電子部品が封止された電子部品装置が作製されることが記載されている。 In Patent Document 1, a sealing sheet is disposed on an electronic component mounted on a mounting substrate, and the sealing sheet is pressed under predetermined conditions to embed the electronic component in the sealing sheet. It is described that an electronic component device in which an electronic component is sealed is produced by curing a sealing sheet.
電子部品装置においては、ボイドの発生がより低減されていることが望まれる。そこで、本発明者らは鋭意検討したところ、電子部品上に封止用シートを配置すると、封止用シートが柔らかい場合には、封止用シートの外周部分(直下に電子部品がない部分)が垂れ下がり、封止用シートと実装基板との間に空気が閉じ込められた状態でプレスが行なわれると、製造される電子部品装置にボイドが発生し易くなることを突き止めた。 In the electronic component device, it is desired that the generation of voids is further reduced. Therefore, the present inventors have intensively studied. When the sealing sheet is arranged on the electronic component, when the sealing sheet is soft, the outer peripheral portion of the sealing sheet (the portion without the electronic component immediately below). It has been found that when pressing is performed in a state where air is trapped between the sealing sheet and the mounting substrate, voids are easily generated in the manufactured electronic component device.
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造される電子部品装置にボイドが発生することを抑制することが可能な電子部品装置の製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an electronic component device manufacturing method capable of suppressing the generation of voids in the manufactured electronic component device. .
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。 The inventors of the present application have found that the above-mentioned problems can be solved by adopting the following configuration, and have completed the present invention.
すなわち、本発明は、電子部品装置の製造方法であって、
電子部品が被実装体に実装された積層体を準備する工程Aと、
封止用シートを準備する工程Bと、
加熱板上に前記封止用シートを配置するとともに、前記封止用シート上に前記積層体を前記電子部品が実装された面を下にして配置する工程Cと、
前記工程Cの後、熱プレスして、前記電子部品を前記封止用シートに埋め込む工程Dとを具備することを特徴とする。
That is, the present invention is a method of manufacturing an electronic component device,
Step A for preparing a laminate in which the electronic component is mounted on the mounted body;
Step B for preparing a sealing sheet;
Placing the sealing sheet on the heating plate, and placing the laminate on the sealing sheet with the surface on which the electronic component is mounted facing down; and
After the step C, the method comprises a step D of hot pressing to embed the electronic component in the sealing sheet.
本発明に係る電子部品装置の製造方法によれば、加熱板上に封止用シートを配置するとともに、前記封止用シート上に、電子部品が実装された面を下にして前記積層体を配置する(工程C)。電子部品が実装された積層体を、封止用シートの上に配置するため、封止用シートと被実装体との間の空間は閉じられていない。そして、この状態で、熱プレスして、前記電子部品を前記封止用シートに埋め込むと、空気は外側に逃げる。その結果、製造される電子部品装置にボイドが発生することを抑制することができる。 According to the method for manufacturing an electronic component device according to the present invention, a sealing sheet is disposed on a heating plate, and the laminate is disposed on the sealing sheet with a surface on which the electronic component is mounted facing down. Arrange (step C). Since the laminated body on which the electronic component is mounted is disposed on the sealing sheet, the space between the sealing sheet and the mounted body is not closed. And in this state, when it heat-presses and the said electronic component is embedded in the said sheet | seat for sealing, air will escape outside. As a result, generation of voids in the manufactured electronic component device can be suppressed.
前記構成において、前記封止用シートの0〜200℃における最低溶融粘度が100000Pa・s以下であることが好ましい。前記封止用シートの0〜200℃における最低溶融粘度が100000Pa・s以下であると、電子部品の封止用シートへの埋め込み性を向上させることができる。 The said structure WHEREIN: It is preferable that the minimum melt viscosity in 0-200 degreeC of the said sheet | seat for sealing is 100,000 Pa.s or less. The embedding property to the sealing sheet of an electronic component can be improved as the minimum melt viscosity in 0-200 degreeC of the said sealing sheet is 100,000 Pa * s or less.
前記構成においては、前記封止用シートの外周の長さが500mm以上であることが好ましい。本発明では、上述した通り、電子部品が実装された積層体を、封止用シートの上に配置する。そのため、封止用シートを、外周の長さが500mm以上という大面積なものとしても、封止用シートと被実装体との間の空間は閉じられない。従って、この状態で、熱プレスして、前記電子部品を前記封止用シートに埋め込むと、空気は外側に逃げる。このように、前記構成によれば、ボイドの発生を抑制しつつ、大面積で一括封止することができる。
なお、封止用シートの外周の長さとは、封止用シートにおける外側の周りの長さ全体をいい、例えば、封止用シートが矩形の場合は、[(縦の長さ)×2+(横の長さ)×2]のことをいい、封止用シートが円形の場合は、円周全体の長さ[2×π×(半径)]を言う。
In the said structure, it is preferable that the length of the outer periphery of the said sheet | seat for sealing is 500 mm or more. In this invention, as above-mentioned, the laminated body in which the electronic component was mounted is arrange | positioned on the sheet | seat for sealing. Therefore, even if the sealing sheet has a large area with an outer peripheral length of 500 mm or more, the space between the sealing sheet and the mounted body cannot be closed. Therefore, in this state, when hot pressing is performed and the electronic component is embedded in the sealing sheet, air escapes outward. Thus, according to the said structure, it can package collectively by a large area, suppressing generation | occurrence | production of a void.
The length of the outer periphery of the sealing sheet refers to the entire length around the outside of the sealing sheet. For example, when the sealing sheet is rectangular, [(vertical length) × 2 + ( Horizontal length) × 2]. When the sealing sheet is circular, it means the length of the entire circumference [2 × π × (radius)].
本発明によれば、製造される電子部品装置にボイドが発生することを抑制することが可能な電子部品装置の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the electronic component apparatus which can suppress that a void generate | occur | produces in the manufactured electronic component apparatus can be provided.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。ただし、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention is not limited only to these embodiments.
本実施形態に係る電子部品装置の製造方法は、
電子部品が被実装体に実装された積層体を準備する工程Aと、
封止用シートを準備する工程Bと、
加熱板上に前記封止用シートを配置するとともに、前記封止用シート上に前記積層体を前記電子部品が実装された面を下にして配置する工程Cと、
前記工程Cの後、熱プレスして、前記電子部品を前記封止用シートに埋め込む工程Dとを少なくとも具備する。
The manufacturing method of the electronic component device according to the present embodiment is as follows:
Step A for preparing a laminate in which the electronic component is mounted on the mounted body;
Step B for preparing a sealing sheet;
Placing the sealing sheet on the heating plate, and placing the laminate on the sealing sheet with the surface on which the electronic component is mounted facing down; and
After the step C, the method includes at least a step D in which the electronic component is embedded in the sealing sheet by hot pressing.
前記電子部品としては、被実装体に実装され、電子部品としての機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、例えば、SAW(Surface Acoustic Wave)フィルタ;圧力センサ、振動センサなどのMEMS(Micro Electro Mechanical Systems);LSIなどのIC、トランジスタなどの半導体素子;コンデンサ;抵抗などの電子デバイスを挙げることできる。 The electronic component is not particularly limited as long as it is mounted on a mounted body and exhibits a function as an electronic component. For example, a SAW (Surface Acoustic Wave) filter; a MEMS (such as a pressure sensor and a vibration sensor) Micro Electro Mechanical Systems); ICs such as LSI; semiconductor elements such as transistors; capacitors; electronic devices such as resistors.
前記被実装体としては、特に限定されないが、プリント配線基板、半導体ウエハ等を挙げることができる。 The mounted body is not particularly limited, and examples thereof include a printed wiring board and a semiconductor wafer.
前記積層体の具体例としては、前記電子部品として半導体素子(例えば、半導体チップ)を用いるとともに前記被実装体として半導体ウエハを用い、CoW(chip on wafer)接続を施したものを挙げることができる。 As a specific example of the laminated body, a semiconductor element (for example, a semiconductor chip) is used as the electronic component, and a semiconductor wafer is used as the mounted body, and a CoW (chip on wafer) connection is performed. .
以下、前記電子部品として半導体チップ、前記被実装体として半導体ウエハを使用した場合について説明する。 Hereinafter, a case where a semiconductor chip is used as the electronic component and a semiconductor wafer is used as the mounted body will be described.
図1〜図6は、本発明の一実施形態に係る電子部品装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 1 to 6 are schematic cross-sectional views for explaining a method for manufacturing an electronic component device according to an embodiment of the present invention.
[積層体を準備する工程]
図1に示すように、本実施形態に係る電子部品装置の製造方法では、まず、半導体チップ23が半導体ウエハ22に実装された積層体20を準備する(工程A)。なお、図1では、複数の半導体チップ23が半導体ウエハ22に実装されている様子を示しているが、本発明において被実装体に実装される電子部品の数は1つであってもよい。半導体チップ23は、回路が形成された半導体ウエハを公知の方法でダイシングして個片化することにより形成できる。半導体チップ23の半導体ウエハ22への搭載には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。半導体チップ23と半導体ウエハ22とはバンプ(図示せず)などの突起電極を介して電気的に接続されている。また、半導体チップ23と半導体ウエハ22との間の距離は適宜設定でき、一般的には15〜50μm程度である。この間隙には、封止樹脂(アンダーフィル)を充填してもよい。
[Process of preparing a laminate]
As shown in FIG. 1, in the method for manufacturing an electronic component device according to the present embodiment, first, a
[封止用シートを準備する工程]
また、本実施形態に係る電子部品装置の製造方法では、図2に示すように、封止用シート10を準備する(工程B)。封止用シート10は、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどの支持体上に積層された状態で準備してもよい。この場合、支持体には封止用シート10の剥離を容易に行うために離型処理が施されていてもよい。
[Step of preparing a sealing sheet]
Moreover, in the manufacturing method of the electronic component device according to the present embodiment, as shown in FIG. 2, a
(封止用シート)
封止用シート10は、エポキシ樹脂、及びフェノール樹脂を含むことが好ましい。これにより、良好な熱硬化性が得られる。
(Sealing sheet)
It is preferable that the sealing
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂などの各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし2種以上併用してもよい。 The epoxy resin is not particularly limited. For example, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, modified bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, modified bisphenol F type epoxy resin, dicyclopentadiene type Various epoxy resins such as an epoxy resin, a phenol novolac type epoxy resin, and a phenoxy resin can be used. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量150〜250、軟化点もしくは融点が50〜130℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂がより好ましい。 From the viewpoint of ensuring the toughness of the epoxy resin after curing and the reactivity of the epoxy resin, those having an epoxy equivalent of 150 to 250 and a softening point or melting point of 50 to 130 ° C. are preferably solid, and particularly reliable. From the viewpoint, triphenylmethane type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, and biphenyl type epoxy resin are more preferable.
前記フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂などが用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。 The phenol resin is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with the epoxy resin. For example, a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a biphenyl aralkyl resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a cresol novolak resin, a resole resin, or the like is used. These phenolic resins may be used alone or in combination of two or more.
前記フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が70〜250、軟化点が50〜110℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。 As the phenol resin, those having a hydroxyl equivalent weight of 70 to 250 and a softening point of 50 to 110 ° C. are preferably used from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, and from the viewpoint of high curing reactivity, phenol. A novolac resin can be suitably used. From the viewpoint of reliability, low hygroscopic materials such as phenol aralkyl resins and biphenyl aralkyl resins can also be suitably used.
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が0.7〜1.5当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは0.9〜1.2当量である。 From the viewpoint of curing reactivity, the blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is blended so that the total number of hydroxyl groups in the phenol resin is 0.7 to 1.5 equivalents with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. Preferably, it is 0.9 to 1.2 equivalents.
封止用シート10中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、2.0重量%以上が好ましく、3.0重量%以上がより好ましい。2.0重量%以上であると、電子部品、被実装体などに対する接着力が良好に得られる。封止用シート10中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、20重量%以下が好ましく、10重量%以下がより好ましい。20重量%以下であると、吸湿性を低減できる。
The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the sealing
封止用シート10は、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。これにより、未硬化時のハンドリング性や、硬化物の低応力性が得られる。
It is preferable that the sealing
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、6−ナイロンや6,6−ナイロンなどのポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、PETやPBTなどの飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体などが挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。なかでも、低応力性、低吸水性という観点から、スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体が好ましい。 Examples of the thermoplastic resin include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Plastic polyimide resin, polyamide resin such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resin, acrylic resin, saturated polyester resin such as PET and PBT, polyamideimide resin, fluororesin, styrene-isobutylene-styrene block copolymer, etc. Is mentioned. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Of these, a styrene-isobutylene-styrene block copolymer is preferred from the viewpoint of low stress and low water absorption.
封止用シート10中の熱可塑性樹脂の含有量は、1.0重量%以上が好ましく、1.5重量%以上がより好ましい。1.0重量%以上であると、柔軟性、可撓性が得られる。封止用シート10中の熱可塑性樹脂の含有量は、3.5重量%以下が好ましく、3.0重量%以下がより好ましい。3.5重量%以下であると、電子部品や被実装体との接着性が良好である。
1.0 weight% or more is preferable and, as for content of the thermoplastic resin in the sheet |
封止用シート10は、無機充填剤を含むことが好ましい。
It is preferable that the sealing
前記無機充填剤は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ(溶融シリカや結晶性シリカなど)、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併用してもよい。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。 The inorganic filler is not particularly limited, and various conventionally known fillers can be used. For example, quartz glass, talc, silica (such as fused silica and crystalline silica), alumina, aluminum nitride, nitriding Examples thereof include silicon and boron nitride powders. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, silica and alumina are preferable, and silica is more preferable because the linear expansion coefficient can be satisfactorily reduced.
シリカとしては、シリカ粉末が好ましく、溶融シリカ粉末がより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末が好ましい。なかでも、平均粒径が10〜30μmの範囲のものが好ましく、15〜25μmの範囲のものがより好ましい。
なお、平均粒径は、例えば、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
As silica, silica powder is preferable, and fused silica powder is more preferable. Examples of the fused silica powder include spherical fused silica powder and crushed fused silica powder. From the viewpoint of fluidity, spherical fused silica powder is preferable. Especially, the thing of the range whose average particle diameter is 10-30 micrometers is preferable, and the thing of the range which is 15-25 micrometers is more preferable.
The average particle diameter can be derived, for example, by using a sample arbitrarily extracted from the population and measuring it using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus.
封止用シート10中の前記無機充填剤の含有量は、封止用シート10全体に対して、80〜95重量%であることが好ましく、より好ましくは、85〜90重量%である。前記無機充填剤の含有量が封止用シート10全体に対して80重量%以上であると、熱膨張率を低く抑えられることにより,熱衝撃よる機械的な破壊を抑制することができる。その結果、長期信頼性を向上できる。一方、前記無機充填剤の含有量が封止用シート10全体に対して95重量%以下であると、柔軟性、流動性、接着性がより良好となる。
It is preferable that content of the said inorganic filler in the sheet |
封止用シート10は、硬化促進剤を含むことが好ましい。
It is preferable that the sealing
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の硬化を進行させるものであれば特に限定されず、例えば、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートなどの有機リン系化合物;2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物;などが挙げられる。なかでも、混練時の温度上昇によっても硬化反応が急激に進まず、封止用シート10を良好に作製できるという理由から、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾールが好ましい。
The curing accelerator is not particularly limited as long as it cures the epoxy resin and the phenol resin, and examples thereof include organic phosphorus compounds such as triphenylphosphine and tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; 2-phenyl-4, And imidazole compounds such as 5-dihydroxymethylimidazole and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole. Of these, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole is preferred because the curing reaction does not proceed rapidly even when the temperature rises during kneading, and the sealing
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計100重量部に対して0.1〜5重量部が好ましい。 As for content of a hardening accelerator, 0.1-5 weight part is preferable with respect to a total of 100 weight part of an epoxy resin and a phenol resin.
封止用シート10は、難燃剤成分を含むことが好ましい。これにより、部品ショートや発熱などにより発火した際の、燃焼拡大を低減できる。難燃剤組成分としては、例えば水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ、複合化金属水酸化物などの各種金属水酸化物;ホスファゼン系難燃剤などを用いることができる。
It is preferable that the sealing
少量でも難燃効果を発揮するという観点から、ホスファゼン系難燃剤に含まれるリン元素の含有率は、12重量%以上であることが好ましい。 From the viewpoint of exhibiting a flame retardant effect even in a small amount, the phosphorus element content contained in the phosphazene flame retardant is preferably 12% by weight or more.
封止用シート10中の難燃剤成分の含有量は、全有機成分(無機フィラーを除く)中、10重量%以上が好ましく、15重量%以上がより好ましい。10重量%以上であると、難燃性が良好に得られる。封止用シート10中の熱可塑性樹脂の含有量は、30重量%以下が好ましく、25重量%以下がより好ましい。30重量%以下であると、硬化物の物性低下(具体的には、ガラス転移温度や高温樹脂強度などの物性の低下)が少ない傾向がある。
The content of the flame retardant component in the sealing
封止用シート10は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。シランカップリング剤としては特に限定されず、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
It is preferable that the sealing
封止用シート10中のシランカップリング剤の含有量は、0.1〜3重量%が好ましい。0.1重量%以上であると、硬化物の強度が十分得られ吸水率を低くできる。3重量%以下であると、アウトガス量を低くできる。
The content of the silane coupling agent in the sealing
封止用シート10は、顔料を含むことが好ましい。顔料としては特に限定されず、カーボンブラックなどが挙げられる。
It is preferable that the sealing
封止用シート10中の顔料の含有量は、0.1〜2重量%が好ましい。0.1重量%以上であると、レーザーマーキング等によるマーキングをした際の良好なマーキング性が得られる。2重量%以下であると、硬化物強度が十分得られる。
The content of the pigment in the sealing
なお、樹脂組成物には、上記の各成分以外に必要に応じて、他の添加剤を適宜配合できる。 In addition to the above components, other additives can be appropriately blended in the resin composition as necessary.
封止用シート10の0〜200℃における最低溶融粘度は、100000Pa・s以下であることが好ましく、50000Pa・s以下であることがより好ましい。封止用シート10の0〜200℃における最低溶融粘度が100000Pa・s以下であると、半導体チップ23(電子部品)の封止用シート10への埋め込み性を向上させることができる。
また、封止用シート10の0〜200℃における最低溶融粘度は、100Pa・s以上であることが好ましく、1000Pa・s以上であることがより好ましい。封止用シート10の0〜200℃における最低溶融粘度が100Pa・s以上であると、シート形状を維持でき、樹脂のはみ出しを抑制することができる。
封止用シート10の0〜200℃における最低溶融粘度は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、無機充填剤等の添加量によりコントロールすることができる。
The minimum melt viscosity at 0 to 200 ° C. of the sealing
Moreover, it is preferable that the minimum melt viscosity in 0-200 degreeC of the sheet |
The minimum melt viscosity at 0 to 200 ° C. of the sealing
封止用シート10は、単層構造であってもよいし、2以上の封止用シートを積層した多層構造であってもよいが、層間剥離のおそれがなく、シート厚の均一性が高くし易いという理由から、単層構造が好ましい。
The encapsulating
封止用シート10の厚さは、特に限定されないが、封止用シートとして使用する観点から、例えば、50μm〜2000μmである。
Although the thickness of the sheet |
封止用シート10の外周の長さが500mm以上であることが好ましく、800mm以上であることがより好ましい。また、封止用シート10の外周の長さの上限は特に限定されないが、実用的な範囲を考慮して、例えば3000mm以下とすることができる。本実施形態では、半導体チップ23が実装された積層体20を、封止用シート10の上に配置する(図3参照)。そのため、封止用シート10を、外周の長さが500mm以上という大面積なものとしても、封止用シート10と半導体ウエハ22との間の空間は閉じられない。従って、この状態で、熱プレスして、半導体チップ23を封止用シート10に埋め込むと、空気は外側に逃げる。その結果、ボイドの発生を抑制しつつ、大面積で一括封止することができる。
The length of the outer periphery of the sealing
封止用シート10の製造方法は特に限定されないが、封止用シート10を形成するための樹脂組成物の混練物を調製し、得られた混練物を塗工する方法や、得られた混練物をシート状に塑性加工する方法が好ましい。これにより、溶剤を使用せずに封止用シート10を作製できるので、電子部品(半導体チップ23)が揮発した溶剤により影響を受けることを抑制することができる。
Although the manufacturing method of the sheet |
具体的には、後述の各成分をミキシングロール、加圧式ニーダー、押出機などの公知の混練機で溶融混練することにより混練物を調製し、得られた混練物を塗工又は塑性加工によりシート状にする。混練条件として、温度は、上述の各成分の軟化点以上であることが好ましく、例えば30〜150℃、エポキシ樹脂の熱硬化性を考慮すると、好ましくは40〜140℃、さらに好ましくは60〜120℃である。時間は、例えば1〜30分間、好ましくは5〜15分間である。 Specifically, a kneaded product is prepared by melt-kneading each component described below with a known kneader such as a mixing roll, a pressure kneader, or an extruder, and the obtained kneaded product is coated or plastically processed into a sheet. Shape. As the kneading conditions, the temperature is preferably equal to or higher than the softening point of each component described above. For example, when considering the thermosetting property of 30 to 150 ° C. and epoxy resin, preferably 40 to 140 ° C., more preferably 60 to 120. ° C. The time is, for example, 1 to 30 minutes, preferably 5 to 15 minutes.
混練は、減圧条件下(減圧雰囲気下)で行うことが好ましい。これにより、脱気できるとともに、混練物への気体の侵入を防止できる。減圧条件下の圧力は、好ましくは0.1kg/cm2以下、より好ましくは0.05kg/cm2以下である。減圧下の圧力の下限は特に限定されないが、例えば、1×10−4kg/cm2以上である。 The kneading is preferably performed under reduced pressure conditions (under reduced pressure atmosphere). Thereby, while being able to deaerate, the penetration | invasion of the gas to a kneaded material can be prevented. The pressure under reduced pressure is preferably 0.1 kg / cm 2 or less, more preferably 0.05 kg / cm 2 or less. Although the minimum of the pressure under pressure reduction is not specifically limited, For example, it is 1 * 10 < -4 > kg / cm < 2 > or more.
混練物を塗工して封止用シート10を形成する場合、溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塗工することが好ましい。塗工方法としては特に制限されず、バーコート法、ナイフコート法、スロットダイ法等を挙げることができる。塗工時の温度としては、上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば40〜150℃、好ましくは50〜140℃、さらに好ましくは70〜120℃である。
When the kneaded material is applied to form the sealing
混練物を塑性加工して封止用シート10を形成する場合、溶融混練後の混練物は、冷却することなく高温状態のままで塑性加工することが好ましい。塑性加工方法としては特に制限されず、平板プレス法、Tダイ押出法、スクリューダイ押出法、ロール圧延法、ロール混練法、インフレーション押出法、共押出法、カレンダー成形法などなどが挙げられる。塑性加工温度としては上述の各成分の軟化点以上が好ましく、エポキシ樹脂の熱硬化性および成形性を考慮すると、例えば40〜150℃、好ましくは50〜140℃、さらに好ましくは70〜120℃である。
When the kneaded product is plastically processed to form the sealing
なお、封止用シート10は、適当な溶剤に封止用シート10を形成するための樹脂等を溶解、分散させてワニスを調整し、このワニスを塗工して得ることもできる。
In addition, the sheet |
[封止用シートと積層体とを配置する工程]
積層体を準備する工程(工程A)、及び、封止用シートを準備する工程(工程B)の後、図3に示すように、下側加熱板32上に封止用シート10を配置するとともに、封止用シート10上に積層体20を半導体チップ23が実装された面を下にして配置する(工程C)。この工程Cにおいては、下側加熱板32上にまず封止用シート10を配置し、その後、封止用シート10上に積層体20を配置してもよく、封止用シート10上に積層体20を先に積層し、その後、封止用シート10と積層体20とが積層された積層物を下側加熱板32上に配置してもよい。
[Step of arranging sealing sheet and laminate]
After the step of preparing the laminate (step A) and the step of preparing the sealing sheet (step B), the sealing
[電子部品を封止用シートに埋め込む工程]
前記工程Cの後、図4に示すように、下側加熱板32と上側加熱板34とにより熱プレスして、半導体チップ23(電子部品)を封止用シート10に埋め込む(工程D)。封止用シート10は、半導体チップ23及びそれに付随する要素を外部環境から保護するための封止樹脂として機能することとなる。これにより、半導体ウエハ22上に実装されている半導体チップ23が封止用シート10に埋め込まれた構造体26が得られる。
[Process of embedding electronic components in sealing sheet]
After the step C, as shown in FIG. 4, the semiconductor chip 23 (electronic component) is embedded in the sealing
半導体チップ23を封止用シート10に埋め込む際の熱プレス条件としては、温度が、例えば、40〜100℃、好ましくは50〜90℃であり、圧力が、例えば、0.1〜10MPa、好ましくは0.5〜8MPaであり、時間が、例えば0.3〜10分間、好ましくは0.5〜5分間である。これにより、半導体チップ23が封止用シート10に埋め込まれた電子部品装置を得ることができる。また、封止用シート10の半導体チップ23及び半導体ウエハ22への密着性および追従性の向上を考慮すると、減圧条件下においてプレスすることが好ましい。
前記減圧条件としては、圧力が、例えば、0.1〜5kPa、好ましくは、0.1〜100Paであり、減圧保持時間(減圧開始からプレス開始までの時間)が、例えば、5〜600秒であり、好ましくは、10〜300秒である。
As hot press conditions for embedding the
As the pressure reduction conditions, the pressure is, for example, 0.1 to 5 kPa, preferably 0.1 to 100 Pa, and the pressure reduction holding time (time from the pressure reduction start to the press start) is, for example, 5 to 600 seconds. Yes, preferably 10 to 300 seconds.
[熱硬化工程]
次に、封止用シート10を熱硬化処理して電子部品装置28を形成する(図5参照)。具体的には、例えば、半導体ウエハ22上に実装されている半導体チップ23が封止用シート10に埋め込まれた構造体26全体を加熱することにより封止体28を得る。
[Thermosetting process]
Next, the
熱硬化処理の条件として、加熱温度が好ましくは100℃以上、より好ましくは120℃以上である。一方、加熱温度の上限が、好ましくは200℃以下、より好ましくは180℃以下である。加熱時間が、好ましくは10分以上、より好ましくは30分以上である。一方、加熱時間の上限が、好ましくは180分以下、より好ましくは120分以下である。また、必要に応じて加圧してもよく、好ましくは0.1MPa以上、より好ましくは0.5MPa以上である。一方、上限は好ましくは10MPa以下、より好ましくは5MPa以下である。 As the conditions for the thermosetting treatment, the heating temperature is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher. On the other hand, the upper limit of the heating temperature is preferably 200 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The heating time is preferably 10 minutes or more, more preferably 30 minutes or more. On the other hand, the upper limit of the heating time is preferably 180 minutes or less, more preferably 120 minutes or less. Moreover, you may pressurize as needed, Preferably it is 0.1 Mpa or more, More preferably, it is 0.5 Mpa or more. On the other hand, the upper limit is preferably 10 MPa or less, more preferably 5 MPa or less.
[ダイシング工程]
続いて、封止体28のダイシングを行ってもよい(図6参照)。これにより、半導体チップ23単位での電子部品装置29を得ることができる。
[Dicing process]
Subsequently, the sealing
[基板実装工程]
必要に応じて、電子部品装置29に対して(半導体ウエハ22の半導体チップ23とは反対側の面に対して)再配線及びバンプを形成し、これを別途の基板(図示せず)に実装する基板実装工程を行うことができる。電子部品装置29の前記別途の基板への実装には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。この基板実装工程を行なった場合、FOWLP(ファンアウト型ウエハレベルパッケージ)を得ることができる。
[Board mounting process]
If necessary, rewiring and bumps are formed on the electronic component device 29 (on the surface of the
以上、本実施形態に係る電子部品装置の製造方法によれば、下側加熱板32上に封止用シート10を配置するとともに、封止用シート10上に、半導体チップ23が実装された面を下にして積層体20を配置する(工程C)。半導体チップ23が実装された積層体20を、封止用シート10の上に配置するため、封止用シート10と半導体ウエハ22との間の空間は閉じられていない。そして、この状態で、熱プレスして、半導体チップ23を封止用シート10に埋め込むと、空気は外側に逃げる。その結果、製造される電子部品装置29にボイドが発生することを抑制することができる。
As described above, according to the method for manufacturing the electronic component device according to the present embodiment, the sealing
上述した実施形態では、本発明の電子部品として半導体チップ23、被実装体として半導体ウエハ22を使用した場合について説明したが、本発明はこの例に限定されず、前記電子部品として半導体チップ以外のものを使用し、前記被実装体として半導体ウエハ以外のものを使用した場合にも上記電子部品装置の製造方法を適用することができる。
In the above-described embodiment, the case where the
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量などは、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to those unless otherwise specified.
実施例で使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂a:新日鐵化学(株)製のYSLV−80XY(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキン当量200g/eq、軟化点80℃)
フェノール樹脂a:明和化成社製のMEH−7851−SS(ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量203g/eq、軟化点67℃)
無機充填剤a:電気化学工業社製のFB−9454FC(溶融球状シリカ、平均粒子径20μm)
硬化促進剤a:四国化成工業社製の2PHZ−PW(2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール)
熱可塑性樹脂a:カネカ社製のSIBSTER 072T(スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体)
The components used in the examples will be described.
Epoxy resin a: YSLV-80XY manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd. (bisphenol F type epoxy resin, epkin equivalent 200 g / eq, softening point 80 ° C.)
Phenol resin a: MEH-7851-SS manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a biphenylaralkyl skeleton, hydroxyl group equivalent 203 g / eq, softening point 67 ° C.)
Inorganic filler a: FB-9454FC (fused spherical silica,
Curing accelerator a: 2PHZ-PW (2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
Thermoplastic resin a: SIBSTER 072T (styrene-isobutylene-styrene block copolymer) manufactured by Kaneka Corporation
(封止用シートの作成)
実施例1〜2、比較例1
表1に記載の配合比に従い、各成分を配合し、ロール混練機により60〜120℃、10分間、減圧条件下(0.01kg/cm2)で溶融混練し、混練物を調製した。次いで、得られた混練物を、120℃の条件下、スロットダイ法により塗工してシート状に形成し、表1に示す厚さの封止用シートを作製した。なお、実施例、比較例の封止用シートの外周の長さは、いずれも1400mm(縦350mm×横350mm)とした。
(Creation of sealing sheet)
Examples 1-2, Comparative Example 1
Each component was blended according to the blending ratio shown in Table 1, and melt-kneaded in a roll kneader at 60 to 120 ° C. for 10 minutes under reduced pressure conditions (0.01 kg / cm 2 ) to prepare a kneaded product. Subsequently, the obtained kneaded material was applied by a slot die method under a condition of 120 ° C. to form a sheet, and a sealing sheet having a thickness shown in Table 1 was produced. In addition, the length of the outer periphery of the sheet | seat for sealing of an Example and a comparative example all was 1400 mm (length 350mm x width 350mm).
(最低溶融粘度の測定)
粘弾性測定装置ARES(レオメトリックス・サイエンティフィック社製)を用いて各サンプルを測定したときの0〜200℃における溶融粘度の最低値を最低溶融粘度とした。測定条件は、昇温速度10℃/min、ひずみ:20%、周波数:0.1Hzとした。結果を表1に示す。
(Measurement of minimum melt viscosity)
The lowest melt viscosity at 0 to 200 ° C. when each sample was measured using a viscoelasticity measuring apparatus ARES (manufactured by Rheometrics Scientific) was defined as the minimum melt viscosity. The measurement conditions were a heating rate of 10 ° C./min, a strain of 20%, and a frequency of 0.1 Hz. The results are shown in Table 1.
(電子部品が実装された基板の準備)
電子部品が実装された基板を準備した。基板には、直径300mm、厚さ700μmの半導体ウェハを用いた。電子部品は、縦10mm、横10mm、厚さ500μmの半導体チップを用い、前記基板上に10mmの間隔(1の電子部品の端部と隣の電子部品の端部との距離)をあけて、縦14個×横14個に実装した。なお、パンプの高さは、50μmである。
(Preparation of a board on which electronic components are mounted)
A board on which electronic components were mounted was prepared. As the substrate, a semiconductor wafer having a diameter of 300 mm and a thickness of 700 μm was used. The electronic component uses a semiconductor chip having a length of 10 mm, a width of 10 mm, and a thickness of 500 μm, and an interval of 10 mm (distance between the end of one electronic component and the end of the next electronic component) is formed on the substrate. It was mounted in 14 vertical x 14 horizontal. The height of the pump is 50 μm.
(評価用サンプルの作成)
実施例1〜2については、瞬時真空積層装置VS008−1515(ミカドテクノス(株)製)の下側加熱板上に、封止用シートを配置し、その上に、電子部品が実装された面を下にして前記基板を配置した。その後、減圧下で熱プレスした。
比較例1については、瞬時真空積層装置VS008−1515(ミカドテクノス(株)製)の下側加熱板上に、電子部品が実装された面を上にして前記基板を配置し、その上に、封止用シートを配置した。その後、減圧下で熱プレスした。熱プレス条件は、表1の通りである。
熱プレスの後、150℃のオーブンにて1時間加熱した。その後、室温(23℃)にまで自然冷却し、評価用サンプルとした。
(Create sample for evaluation)
About Examples 1-2, the sheet | seat for sealing has been arrange | positioned on the lower side heating plate of instantaneous vacuum lamination apparatus VS008-1515 (made by Mikado Technos Co., Ltd.), and the surface by which the electronic component was mounted on it The substrate was placed with the face down. Then, it hot-pressed under pressure reduction.
For Comparative Example 1, on the lower heating plate of the instantaneous vacuum laminator VS008-1515 (Mikado Technos Co., Ltd.), the substrate is placed with the surface on which the electronic components are mounted facing up, A sealing sheet was placed. Then, it hot-pressed under pressure reduction. The hot press conditions are as shown in Table 1.
After hot pressing, it was heated in an oven at 150 ° C. for 1 hour. Then, it cooled naturally to room temperature (23 degreeC), and was set as the sample for evaluation.
(ボイド評価)
超音波映像装置(Scanning Acoustic Tomograph、SAT)を用い、各サンプルに直径1mm以上のボイドがあるか否かを確認した。直径1mm以上のボイドがある場合を×、ない場合を〇として評価した。なお、超音波映像装置(SAT)は、Hitachi社製のSAT FS200 IIを用いた。結果を表1に示す。
(Void evaluation)
An ultrasonic imaging device (Scanning Acoustic Tomography, SAT) was used to check whether each sample had a void having a diameter of 1 mm or more. The case where there was a void having a diameter of 1 mm or more was evaluated as x, and the case where there was no void was evaluated as ◯. Note that SAT FS200 II manufactured by Hitachi was used as the ultrasonic imaging apparatus (SAT). The results are shown in Table 1.
(埋め込み性の評価)
自動研磨装置(BUEHLER製、Automet250 Ecomet250)を用い、各サンプルを研磨して断面を観察した。図7は、実施例における埋め込み性評価の方法を説明するための正面模式図である。断面観察において、チップ端部から空隙の距離Z(図7参照)が200μm未満の場合を〇、200μm以上500μm未満の場合を△,500μm以上の場合を×として評価した。結果を表1に示す。
(Evaluation of embeddability)
Using an automatic polishing apparatus (manufactured by BUEHLER, Automet 250 Ecomet 250), each sample was polished and the cross section was observed. FIG. 7 is a schematic front view for explaining a method for evaluating embedding in the embodiment. In cross-sectional observation, the case where the gap distance Z (see FIG. 7) from the end of the chip was less than 200 μm was evaluated as ◯, the case where it was 200 μm or more and less than 500 μm was evaluated as Δ, and the case where it was 500 μm or more was evaluated as ×. The results are shown in Table 1.
10 封止用シート
20 積層体
22 半導体ウエハ(被実装体)
23 半導体チップ(電子部品)
28 電子部品装置
32 下側加熱板
DESCRIPTION OF
23 Semiconductor chip (electronic parts)
28
Claims (3)
封止用シートを準備する工程Bと、
加熱板上に前記封止用シートを配置するとともに、前記封止用シート上に前記積層体を前記電子部品が実装された面を下にして配置する工程Cと、
前記工程Cの後、熱プレスして、前記電子部品を前記封止用シートに埋め込む工程Dとを具備することを特徴とする電子部品装置の製造方法。 Step A for preparing a laminate in which the electronic component is mounted on the mounted body;
Step B for preparing a sealing sheet;
Placing the sealing sheet on the heating plate, and placing the laminate on the sealing sheet with the surface on which the electronic component is mounted facing down; and
A method of manufacturing an electronic component device, comprising: a step D of performing hot pressing and embedding the electronic component in the sealing sheet after the step C.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045932A (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | Method for manufacturing electronic component module |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000294578A (en) * | 1996-07-12 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device, mold for manufacturing the semiconductor device, the semiconductor device and mounting method thereof |
JP2004146556A (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Towa Corp | Method and device for sealing resin and resin sheet |
WO2006100765A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device and compression molding device |
JP2011001473A (en) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Insulating material for electronic component |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1783470B (en) * | 1996-07-12 | 2013-02-06 | 富士通半导体股份有限公司 | Semiconductor device |
-
2013
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000294578A (en) * | 1996-07-12 | 2000-10-20 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device, mold for manufacturing the semiconductor device, the semiconductor device and mounting method thereof |
JP2004146556A (en) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Towa Corp | Method and device for sealing resin and resin sheet |
WO2006100765A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing semiconductor device and compression molding device |
JP2011001473A (en) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Insulating material for electronic component |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017045932A (en) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | Method for manufacturing electronic component module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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