JP2014229728A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明による、Alペーストを塗布したSi結晶の裏面温度を450℃±50℃に維持した後、760℃〜830℃の最高到達温度まで上昇させてから冷却するまでの焼成時間を11秒以上30秒以下という極短時間で行う方法により、裏面BSF層を作製することにより、太陽電池特性が向上する理由をバンド構造を用いて説明した図である。図1(a)は、従来の所定温度で数十秒〜数十分という長時間の拡散時間により裏面BSF層を作製した場合のバンド図であり、図1(b)は本発明により裏面BSF層を作製した場合のバンド図である。
Claims (4)
- 太陽電池用Si結晶基板の裏面にBSF(Back Surface Field)層および裏面電極を形成する工程において、
裏面にAlペーストを塗布したSi結晶基板の温度を450℃±50℃に維持した後、前記Si結晶基板を加熱して、前記Si結晶基板の温度を760℃〜830℃の最高到達温度まで上昇させた後、冷却し、
前記Si結晶基板の加熱から冷却を開始するまでの焼成時間を11秒以上、30秒以下とすることを
特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記Si結晶基板は、Si単結晶またはSi多結晶を主材料とするSi系結晶基板、または、Si系結晶基板の表面に他の物質を積層させた結晶基板、または、Si系結晶基板の表面にナノドット構造やナノワイヤー構造を堆積させた結晶基板のいずれかであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- 前記Si結晶基板の裏面にAlペーストを塗布する工程を、前記Si結晶基板の表面にpn接合を作製した後に実施することを特徴とする請求項1または2記載の太陽電池の製造方法。
- 前記Si結晶基板の表面のpn接合と裏面の前記BSF層および前記裏面電極とを、一回の同一熱処理により作製することを特徴とする請求項1または2記載の太陽電池の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2013
- 2013-05-22 JP JP2013107761A patent/JP2014229728A/ja active Pending
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