JP2014228567A - 液晶表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 4ドメイン以下のVAモードの液晶表示装置において、高い正面コントラストを維持しながら、高い視野角コントラストを達成し、色づきの発生および白とびを抑制可能な液晶表示装置の提供。【解決手段】第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、液晶層は4ドメイン以下のVAモードであり、第1〜第4の位相差層のRe(550)およびRth(550)が所定の範囲内であり、第1の位相差層の遅相軸と第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45?、第1の位相差層の遅相軸と電圧印加時の液晶層の面内遅相軸とが直交または平行、および第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とが直交である。【選択図】 図1

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。
近年のフラットパネルディスプレイ市場において、画質向上を目的に画素の高精細化がすすんでいる。特に、タブレットPCやスマートフォンなどの小型サイズで顕著だが、TV用途でもいわゆる4K2Kと呼ばれる高精細TVが販売され始めている。
液晶モードは、TNモード、IPSモード、VAモード等が知られているが、TV用途ではVAモードが多くを占めており、現在VAモードは8ドメイン(8D)と呼ばれる画素分割方式が主流である。
しかし、画素構造が複雑なため、高精細化に向いておらず、また高精細化すると、バックライト光の利用効率が下がる欠点がある。そこで、構造がシンプルでバックライト光利用効率を下げないために、ドメイン数(4ドメイン(4D)、2ドメイン(2D))を下げた画素分割方式を使用することが考えられる。
しかし、ドメイン数を下げると、横方向からの観察時に、画像が白っぽくなる「白とび」という問題が発生する。これは「γカーブ」などの名前で知られている「階調特性」(横軸をGRAY LEVEL、縦軸を透過率にしたときの特性)が、正面と斜めで異なってしまうためである。これに対し、セルやフィルムで改善することが検討されている(特許文献1、非特許文献1および非特許文献2)。
特開2005−62724号公報
SID 06 Digest 69.3 p.1946-1949 Optics Letters Vol. 38, No. 5 p.799-801
ここで、特許文献1は、厚さ方向で配列が異なるハイブリッド配列された円盤状の高分子からなる光学フィルムで白とびを改善している。しかしながら、視野角コントラストが極端に悪化するという問題がある。また、非特許文献1は液晶セルで白とびを改善している。しかしながら、液晶セルで白とびを改善する場合、液晶セルが限定されてしまうという問題がある。一方、非特許文献2は、位相差フィルムを用いて白とびを改善している。しかしながら、色味付きしやすいという問題がある。
本発明はかかる問題点を解決することを目的とするものであって、4ドメイン以下のVAモードの液晶表示装置において、白とびを抑制し、かつ、色味付きを抑制した液晶表示装置を提供することを目的とする。
上記課題のもと、本発明者が鋭意検討を行った結果、下記手段<1>により、好ましくは<2>〜<7>により上記課題は解決された。
<1>少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、12.5〜62.5nmであり、
第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであり、
第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が300〜400nmであり、
第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と平行であり、
第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
<2>少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、12.5〜62.5nmであり、
第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−300〜−200nmであり、
第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、
第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、
第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
<3>少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、−12.5〜−62.5nmであり、
第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−150〜−50nmであり、
第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、
第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と平行であり、
第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
<4>少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、−12.5〜−62.5nmであり、
第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであり、
第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、
第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、
第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
<5>第1の位相差層、第2の位相差層、第3の位相差層、および第4の位相差層の少なくとも1つが、液晶化合物を含む光学異方性層を有する、<1>〜<4>のいずれかに記載の液晶表示装置。
<6>第1の偏光膜と第1の位相差層の間、または、第2の偏光膜と第4の位相差層の間に、第5の位相差層を有する、<1>〜<5>のいずれかに記載の液晶表示装置。
<7>第5の位相差層が、Re(550)が70〜140nmであり、Rth(550)が40〜110nmであるフィルムと、Re(550)は10nm以下であり、Rth(550)は−180〜−90nmであるフィルムとの積層フィルムである、<6>に記載の液晶表示装置。
4ドメイン以下のVAモードの液晶表示装置において、色づきの発生および白とびを抑制可能な液晶表示装置を提供可能になった。
本発明の液晶表示装置の構成の一例を示す概略図である。 従来技術の液晶表示装置の構成の一例を示す概略図である。 本発明の液晶表示装置の第1の実施形態の構成の一例を示す概略図である。 本発明の液晶表示装置の第2の実施形態の構成の一例を示す概略図である。
以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、その前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書において、「遅相軸」は、屈折率が最大となる方向を意味する。
また、本明細書において、特に述べない限り、例えば、「45°」、「平行」、「垂直」あるいは「直交」とは、厳密な角度±5度未満の範囲内であることを意味する。すなわち、略45°、略平行、略垂直の意である。厳密な角度との誤差は、±4度未満であることが好ましく、±3度未満であることがより好ましい。また、角度について、「+」は反時計周り方向を意味し、「−」は時計周り方向を意味するものとする。
遅相軸および吸収軸の角度は、第1の偏光膜の吸収軸を0°とし、視認側から見たときに、反時計回りを正の方向とする。
本発明の液晶表示装置は、少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、第1〜第4の位相差層は、それぞれ、所定のレターデーションを有し、第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と平行であり、第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交していることを特徴とする。このような構成とすることにより、白とびおよび色味付きが抑制された液晶表示装置を提供可能になる。ここで、色味付きとは、2枚の偏光膜の間に、Reがλ/2を超えるフィルムを配置すると、色がつくことを意味する。
さらに、高い正面コントラストを維持しながら、高い視野角コントラストを達成することも可能になる。
白とびを改善する方法は種々検討されている。上記非特許文献1(SID 06 Digest)では、A画素(4ドメイン)とB画素(4ドメイン)で電圧のかけ方を変えた表示とすることで、平均的な画像を出力することを開示している。すなわち、該文献では、セルそのもので白とびを改善している。
一方、非特許文献2(Optics Letters Vol. 38, No. 5)では、位相差フィルムを用いて白とびを改善している。しかしながら、本発明者が検討したところ、該文献では、色味付きが発生することが分かった。この点を図を用いて詳細に説明する。
図1は本発明の液晶表示装置の構成の一例を示す概略図であって、上側から順に、第1の偏光膜1、第1の位相差層2、第2の位相差層3、液晶層4、第3の位相差層5、第2の偏光膜6の順に積層している。これに対し、非特許文献2(Optics Letters Vol. 38, No. 5)では、図2に示す構成となっている。図1と対比させると、上側から順に、第1の偏光膜11、第1の位相差層12、第4の位相差層13、液晶層14、第2の位相差層15、第3の位相差層16、第2の偏光板17の構成となっている。ここで、図1および図2の構成の各位相差層の波長550nmにおけるレターデーションの値としては、以下の値が例示される(単位はnm)。
Figure 2014228567
上記のとおり、図2における第1の位相差層12のReが320nmとなっており、Reがλ/2を大きく超えるため、色味付きが発生してしまう。
図1と図2の違いについて、より具体的に説明する。
図1の配置と光学特性を所定の範囲にすることで、電圧印加時における液晶セル内の液晶分子の複屈折性の影響を小さくすることができる。
図1と図2において、第3と第4の位相差層の通過後の各々の偏光状態の軸は、一方が液晶セルの液晶分子の屈折率最大方向と、他方が液晶セルの液晶分子の屈折率最小方向と、平行付近になるように偏光変化されている。このためどちらの構成にしても、液晶セルの液晶分子による偏光変化への影響は小さい。
また、第1と第2の位相差層は、液晶層通過後の偏光状態を、第2の偏光膜通過後の
偏光状態に戻す機能を有している。よって、これらの層構成順にすることで、階調特性の改善が可能となっている。
本発明の液晶表示装置は、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有する。図1における上側(第1の偏光膜側)が視認側であってもよいし、図1における下側(第2の偏光膜側)が視認側であってもよい。第1の位相差層、第2の位相差層、第3の位相差層、第4の位相差層およびその他の位相差層は、それぞれ、1層から構成されていてもよいし、2層以上からなっていてもよく、少なくとも1つの位相差層が液晶化合物を含む光学異方性層を有していることが好ましい。
本発明の液晶表示装置は、より具体的には、図3に構成の一例を示す第1の実施形態および第3の実施形態、図4に一例を示す第2の実施形態および第4の実施形態が示される。図3および図4における符号は、図1と共通である。以下これらの詳細を説明する。
(第1の実施形態)
本発明の液晶表示装置の第1の実施形態は、その構成の一例を図3に示すものであり、少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、12.5〜62.5nmであり、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであり、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が300〜400nmであり、第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と平行であり、第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmであることを特徴とする。
第1の偏光膜および第2の偏光膜は吸収軸が互いに直交している。偏光膜は公知の偏光膜を用いることができる。例えば、特開2012−150377号公報の段落番号0090の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第1の位相差層は、第1の偏光膜と第2の位相差層の間に配置されるフィルムであって、第1の位相差層のRe(550)が25〜125nmであり、第1の位相差層のRth(550)が12.5〜62.5nmであることを特徴とする。第1の位相差層は、第4の位相差層と協働して、白とびの発生を抑制する。
第1の位相差層のRe(550)は、40〜110nmが好ましく、55〜95nmがより好ましい。第1の位相差層のRth(550)は、20〜55nmが好ましく、27.5〜47.5nmがより好ましい。このようなフィルムの一例として、いわゆる正のAプレートが挙げられる。
第1の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法(特に、棒状液晶化合物を水平配向させて形成する方法)や、レターデーション調整剤を配合する方法および/または延伸する方法によって製造できる。これらの詳細は、特許4825934号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第1の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第1の位相差層を形成することにより、第1の位相差層の厚さを0.1μm〜2.0μm程度とすることができる。
第1の位相差層の遅相軸(例えば、図3の第1の位相差層2中の矢印)は、第1の偏光膜の吸収軸(例えば、図1の第1の偏光膜1中の矢印)とのなす角度が45°であり、第1の位相差層の遅相軸が電圧印加時の液晶層の面内遅相軸(例えば、図3の液晶層中の点線の矢印)と平行の構成となっている。
第2の位相差層は、第1の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであることを特徴とする。第2の位相差層は液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第2の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。本発明では、第2の位相差層を第1の位相差層に近い側に配置することにより、第1の位相差層のReを小さくでき、色味付きを抑制している。
第2の位相差層のRth(550)は、−190〜−110nmがより好ましく、−180〜−120nmがさらに好ましい。
第2の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、正のCプレートが例示される。
第2の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法(特に、棒状液晶化合物を垂直配向させて形成する方法)が例示される。これらの詳細は、特許5036209号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第2の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第2の位相差層を形成することにより、第2の位相差層の厚さを0.5〜3.0μm程度とすることができる。
本発明における液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、4ドメインであっても、2ドメインであってもよく、特に、4ドメインに好ましく用いられる。
VAモードの液晶層のレターデーション(即ち、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・d)は250〜450nmであり、275〜425nmが好ましく、300〜400nmがより好ましい。尚、後述する本願実施例では、液晶層のレターデーションをRthで表しているが、これらはRth=−Δn・dの関係にある。
これは液晶セルに電圧が印加されていないとき、つまり、黒表示のとき、液晶セル中の液晶は、基板に対し屈折率最大の方向が実質的に垂直になっており、正のCプレートと考えられるためである。
VAモードの液晶セルおよび液晶層の詳細は、特開2013−076749号公報の記載、特に、段落番号0185〜0187の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第3の位相差層は、第4の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が300〜400nmであることを特徴とする。第3の位相差層は第2の位相差層と協働して液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第3の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。
第2の位相差層のRth(550)は、310〜390nmがより好ましく、320〜380nmがさらに好ましい。
第2の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、負のCプレートが例示される。
第1実施形態の液晶表示装置では、第2の位相差層のRe(550)と第3の位相差層のRe(550)の差を小さくすることが好ましい。第2の位相差層のRe(550)の絶対値と第3の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
第3の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法(特に、円盤状液晶化合物を水平配向させて形成する方法)が例示される。これらの詳細は、特許2008−40309号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第3の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第3の位相差層を形成することにより、第3の位相差層の厚さを2.0〜5.0μm程度とすることができる。
第4の位相差層は、第2の偏光膜と第3の位相差層の間に配置されるフィルムであって、第4の位相差層のRe(550)が25〜125nmであり、第4の位相差層のRth(550)が12.5〜62.5nmであることを特徴とする。
第4の位相差層のRe(550)は、40〜110nmが好ましく、55〜95nmがより好ましい。第4の位相差層のRth(550)は、20〜55nmが好ましく、27.5〜47.5nmがより好ましい。このようなフィルムの一例として、いわゆる正のAプレートが挙げられる。
上述のとおり、第1の位相差層と第4の位相差層は、協働して白とびを抑制する。従って、本発明の液晶表示装置では、第1の位相差層のRe(550)と第4の位相差層のRe(550)の差を小さくすることにより、白とびがより効果的に抑制される。第1の位相差層のRe(550)の絶対値と第4の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
また、第1の位相差層のRth(550)の絶対値と第4の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。このような構成とすることにより、正面コントラストをより効果的に向上させることができる。
第4の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法(特に、棒状液晶化合物を水平配向させて形成する方法)や、レターデーション調整剤を配合する方法および/または延伸する方法によって製造できる。これらの詳細は、特許4825934号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第4の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第1の位相差層を形成することにより、第1の位相差層の厚さを0.1μm〜2.0μm程度とすることができる。
第4の位相差層の遅相軸(例えば、図3の第4の位相差層6中の矢印)は、第1の位相差層の遅相軸(例えば、図3の第1の位相差層2中の矢印)とが互いに直交している構成となっている。
液晶層が4ドメインの場合、第4の位相差層は、パターン位相差層となる(後述する、第2〜第4の実施形態についても同じ)。パターン位相差層の形成方法としては、特開2013−011800号公報、特開2013−068924号公報、特表2012−517024号公報等の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、液晶層が4ドメインの場合、液晶層は、横ストライプパターンであってもよい。横ストライプパターンとしては、Y. Tanaka, Y. Taniguchi, T. Sasaki, A. Takeda, Y. Koibe, and K. Okamoto, "A New Design to Improve Performance and Simply the manufacturing Process of High-Quality MVA TFT-LCD Panels", SID Symposium Digest, p. 206, 1999、K. H. Kim, K. H. Lee, S. B. Park, J. K. Song, S. N. Kim, and J. H. Souk, Asia Display' 98, p. 383, 1998 等の記載の参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
本発明の液晶表示装置では、各層の構成順序を変えなければ、第1の偏光膜を視認側としたときと、第2の偏光膜を視認側にしたときとで同様の効果を得ることができる(後述する、第2〜第4の実施形態についても同じ)。
また、本発明の液晶表示装置では、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、他の構成層を有していても良い。例えば、第1の偏光膜と第1の位相差層の間、または、第2の偏光膜と第4の位相差層の間に、第5の位相差層を有する構成とすることができる。すなわち、図3は、第1の偏光膜と第1の位相差層の間にさらに、第5の位相差層8を有している。第5の位相差層の遅相軸(図3の第5の位相差層8中の矢印)は、第1の偏光膜の吸収軸(図3の第1の偏光膜1中の矢印)と直交していることが好ましい。このように第5の位相差層8を設けることにより、偏光膜の補償を行うことができ、斜め方向からのコントラスト(視野角CR)をより向上させることができる。
第5の位相差層は単層であっても、積層であってもよい。
単層の場合、Re(550)は250〜305nmが好ましく、260〜290nmがより好ましい。Rth(550)は−30〜30nmが好ましく、−15〜15nmがより好ましい。ただし、単層の場合は波長分散制御が難しく、斜め方向での黒色味付きが発生する可能性が高い。
第5の位相差層は、黒色味付き低減のために、積層にすることがより好ましい。積層構成の態様は、様々な組合せが考えるが、その中でも、2軸フィルムと正のC−プレートの積層構成が好ましい。2軸フィルムのRe(550)は70〜140nmが好ましく、90〜120nmがさらに好ましい。2軸フィルムのRth(550)は40〜110nmが好ましく、90〜110nmがさらに好ましい。また、正のC−プレートのRe(550)は10nm以下が好ましく、正のC−プレートのRth(550)は−180〜−90nmが好ましく、−180〜−130nmがさらに好ましい。
これらは公知の偏光膜の補償に用いられる位相差フィルムを広く採用できる。これらの詳細は、単層構成においては特開2009−235374号公報を、積層構成においては特開2012−8548号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
また、第1の位相差層および第4の位相差層のいずれかは、インセル構造であってもよい(後述する、第2〜第4の実施形態についても同じ)。インセル構造とすることにより、より白とびが抑制される傾向にある。第1の位相差層がインセル構造の場合、第4の位相差層もインセル構造であることが好ましい。
(第2の実施形態)
本発明の液晶表示装置の第2の実施形態は、その構成の一例を図4に示すものであり、少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、12.5〜62.5nmであり、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−300〜−200nmであり、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmであることを特徴とする。
第2の実施形態における第1の偏光膜、第2の偏光膜、液晶層、第1の位相差層および第4の位相差層は、それぞれ、第1の実施形態における第1の偏光膜、第2の偏光膜、液晶層、第1の位相差層および第4の位相差層と同義であり、好ましい範囲も同様である。ただし、第1の位相差層および第4の位相差層の遅相軸の向きが異なる。
第1の位相差層の遅相軸(例えば、図4の第1の位相差層2中の矢印)は、第1の偏光膜の吸収軸(例えば、図4の第1の偏光膜1中の矢印)とのなす角度が45°であり、第1の位相差層の遅相軸が電圧印加時の液晶層の面内遅相軸(例えば、図4の液晶層中の点線の矢印)と直交する構成となっている。
第2の位相差層は、第1の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−300〜−200nmであることを特徴とする。第2の位相差層は液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第2の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。本発明では、第2の位相差層を第1の位相差層に近い側に配置することにより、第1の位相差層のReを小さくでき、色味付きを抑制している。
第2の位相差層のRth(550)は、−290〜−210nmがより好ましく、−280〜−220nmがさらに好ましい。
第2の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、正のCプレートが例示される。
第2の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、第一の実施形態の第2位相差層の記載を参酌できる。
第2の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第2の位相差層を形成することにより、第2の位相差層の厚さを1.5μm〜4.0μm程度とすることができる。
第3の位相差層は、第4の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が400nm〜500nmであることを特徴とする。第3の位相差層は第2の位相差層と協働して液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第3の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。
第3の位相差層のRth(550)は、410nm〜490nmがより好ましく、420nm〜480nmがさらに好ましい。
第3の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、負のCプレートが例示される。
第2実施形態の液晶表示装置では、第2の位相差層のRe(550)と第3の位相差層のRe(550)の差を小さくすることが好ましい。第2の位相差層のRe(550)の絶対値と第3の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
第3の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、第一の実施形態の第3位相差層の記載を参酌できる。
第3の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第3の位相差層を形成することにより、第3の位相差層の厚さを3.0μm〜6.0μm程度とすることができる。
第4の位相差層は、第2の偏光膜と第3の位相差層の間に配置されるフィルムであって、第4の位相差層のRe(550)が25〜125nmであり、第4の位相差層のRth(550)が12.5〜62.5nmであることを特徴とする。第4の位相差層は、第1の位相差層と協働して、白とびの発生を抑制する。
第4の位相差層のRe(550)は、40〜110nmが好ましく、55〜95nmがより好ましい。第4の位相差層のRth(550)は、20〜55nmが好ましく、27.5〜47.5nmがより好ましい。このようなフィルムの一例として、いわゆる正のAプレートが挙げられる。
上述のとおり、第1の位相差層と第4の位相差層は、協働して白とびを抑制する。従って、本発明の液晶表示装置では、第1の位相差層のRe(550)と第4の位相差層のRe(550)の差を小さくすることにより、白とびがより効果的に抑制される。第1の位相差層のRe(550)の絶対値と第3の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
また、第1の位相差層のRth(550)の絶対値と第4の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。このような構成とすることにより、正面コントラストをより効果的に向上させることができる。
第4の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、上述の第1位相差層の記載を参酌できる。
第4の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第1の位相差層を形成することにより、第1の位相差層の厚さを0.1μm〜2.0μm程度とすることができる。
第4の位相差層の遅相軸(例えば、図4の第4の位相差層6中の矢印)は、第1の位相差層の遅相軸(例えば、図4の第1の位相差層2中の矢印)が互いに直交している構成となっている。
さらに、図4で示す実施形態では、第5の位相差層8を有している。第5の位相差層の詳細は、第1の実施形態の記載を参酌でき、好ましい範囲も同様である。
(第3の実施形態)
本発明の液晶表示装置の第3の実施形態は、その構成の一例を図3に示すものであり、少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、−12.5〜−62.5nmであり、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−150〜−50nmであり、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmであることを特徴とする。
第3の実施形態における第1の偏光膜、第2の偏光膜、液晶層は、それぞれ、第1の実施形態における第1の偏光膜、第2の偏光膜、液晶層と同義であり、好ましい範囲も同様である。
第1の位相差層は、第1の偏光膜と第2の位相差層の間に配置されるフィルムであって、第1の位相差層のRe(550)が25〜125nmであり、第1の位相差層のRth(550)が−62.5〜−12.5nmであることを特徴とする。第1の位相差層は、第4の位相差層と協働して、白とびの発生を抑制する。
第1の位相差層のRe(550)は、40〜110nmが好ましく、55〜95nmがより好ましい。第1の位相差層のRth(550)は、−55〜−20nmが好ましく、−47.5〜−27.5nmがより好ましい。このようなフィルムの一例として、いわゆる負のAプレートが挙げられる。
第1の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法(特に、円盤状液晶化合物を垂直配向させて形成する方法)や、レターデーション調整剤を配合する方法および/または延伸する方法によって製造できる。これらの詳細は、特開2012−018396号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
第2の位相差層は、第1の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−150〜−50nmであることを特徴とする。第2の位相差層は液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第2の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。本発明では、第2の位相差層を第1の位相差層に近い側に配置することにより、第1の位相差層のReを小さくでき、色味付きを抑制している。
第2の位相差層のRth(550)は、−140〜−60nmがより好ましく、−130〜−70nmがさらに好ましい。
第2の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、正のCプレートが例示される。
第2の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、第一の実施形態の第2位相差層の記載を参酌できる。
第2の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第2の位相差層を形成することにより、第2の位相差層の厚さを0.3μm〜2.5μm程度とすることができる。
第3の位相差層は、第4の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が400〜500nmであることを特徴とする。第3の位相差層は第2の位相差層と協働して液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第3の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。
第3の位相差層のRth(550)は、410〜490nmがより好ましく、420〜480nmがさらに好ましい。
第3の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、負のCプレートが例示される。
第3の実施形態の液晶表示装置では、第2の位相差層のRe(550)と第3の位相差層のRe(550)の差を小さくすることが好ましい。第2の位相差層のRe(550)の絶対値と第3の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
第3の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、第一の実施形態の第2位相差層の記載を参酌できる。
第3の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第3の位相差層を形成することにより、第3の位相差層の厚さを3.0μm〜6.0μm程度とすることができる。
第4の位相差層は、第2の偏光膜と第3の位相差層の間に配置されるフィルムであって、第4の位相差層のRe(550)が25〜125nmであり、第4の位相差層のRth(550)が−62.5〜−12.5nmであることを特徴とする。
第4の位相差層のRe(550)は、40〜110nmが好ましく、55〜95nmがより好ましい。第4の位相差層のRth(550)は、−55〜−20nmが好ましく、−47.5〜−27.5nmがより好ましい。このようなフィルムの一例として、いわゆる負のAプレートが挙げられる。
上述のとおり、第1の位相差層と第4の位相差層は、協働して白とびを抑制する。従って、本発明の液晶表示装置では、第1の位相差層のRe(550)と第4の位相差層のRe(550)の差を小さくすることにより、白とびがより効果的に抑制される。第1の位相差層のRe(550)の絶対値と第4の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
また、第1の位相差層のRth(550)の絶対値と第4の位相差層のRthの絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。このような構成とすることにより、正面コントラストをより効果的に向上させることができる。
第4の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法(特に、円盤状液晶化合物を垂直配向させて形成する方法)や、レターデーション調整剤を配合する方法および/または延伸する方法によって製造できる。これらの詳細は、特開2012−018396号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本願明細書に組み込まれる。
さらに、本実施形態では、第5の位相差層を有している。これらの詳細は、第1の実施形態の記載を参酌でき、好ましい範囲も同様である。
(第4の実施形態)
本発明の液晶表示装置の第4の実施形態は、その構成の一例を図4に示すものであり、少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、−12.5〜−62.5nmであり、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであり、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、ことを特徴とする。
第4の実施形態における第1の偏光膜、第2の偏光膜、液晶層は、それぞれ、第3の実施形態における第1の偏光膜、第2の偏光膜、液晶層と同義であり、好ましい範囲も同様である。
第4の実施形態における第1の位相差層および第4の位相差層は、それぞれ、第3の実施形態における第1の位相差層および第4の位相差層と同義であり、好ましい範囲も同様である。
第2の位相差層は、第1の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであることを特徴とする。第2の位相差層は液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第2の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。本発明では、第2の位相差層を第1の位相差層に近い側に配置することにより、第1の位相差層のReを小さくでき、色味付きを抑制している。
第2の位相差層のRth(550)は、−190〜−110nmがより好ましく、−180〜−120nmがさらに好ましい。
第2の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、正のCプレートが例示される。
第2の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、第一の実施形態の第2位相差層の記載を参酌できる。
第2の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第2の位相差層を形成することにより、第2の位相差層の厚さを0.3μm〜2.5μm程度とすることができる。
第3の位相差層は、第4の位相差層と液晶層の間に配置されるフィルムであって、第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであることを特徴とする。第3の位相差層は第2の位相差層と協働して液晶層を補償するフィルムとして働く。従って、第3の位相差層と液晶層の間には位相差層を有さないことが好ましい。
第3の位相差層のRth(550)は、410〜490nmがより好ましく、420〜480nmがさらに好ましい。
第3の位相差層のRe(550)の絶対値は5nm以下が好ましく、実質的に0nmがより好ましい。このようなフィルムとして、負のCプレートが例示される。
第4の実施形態の液晶表示装置では、第2の位相差層のRe(550)と第3の位相差層のRe(550)の差を小さくすることが好ましい。第2の位相差層のRe(550)の絶対値と第3の位相差層のRe(550)の絶対値との差は10nm以下であり、5nm以下であることが好ましく、実質的に0nmであることがより好ましい。
第3の位相差層の製造方法は特に定めるものではなく、上記のレターデーションを満たすように公知の技術を用いて製造される。一例としては、第一の実施形態の第3位相差層の記載を参酌できる。
第3の位相差層は、液晶表示装置の薄型化の観点からは、液晶化合物を含む光学異方性層を形成する方法が好ましい。液晶化合物を含む光学異方性層を用いて第3の位相差層を形成することにより、第3の位相差層の厚さを3.0μm〜6.0μm程度とすることができる。
さらに、本実施形態では、第5の位相差層8を有している。第5の位相差層の詳細は、第1の実施形態の記載を参酌でき、好ましい範囲も同様である。
本明細書において、Re(λ)およびRth(λ)は各々、波長λにおける面内のレターデーション(単位:nm)および厚さ方向のレターデーション(単位:nm)を表す。Re(λ)はKOBRA 21ADHまたはWR(王子計測機器(株)製)において波長λnmの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。
測定されるフィルムが1軸または2軸の屈折率楕円体で表されるものである場合には、以下の方法によりRth(λ)は算出される。
Rth(λ)は前記Re(λ)を、面内の遅相軸(KOBRA 21ADHまたはWRにより判断される)を傾斜軸(回転軸)として(遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする)のフィルム法線方向に対して法線方向から片側50度まで10度ステップで各々その傾斜した方向から波長λnmの光を入射させて全部で6点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にKOBRA 21ADHまたはWRが算出する。
上記において、法線方向から面内の遅相軸を回転軸として、ある傾斜角度にレターデーションの値がゼロとなる方向をもつフィルムの場合には、その傾斜角度より大きい傾斜角度でのレターデーション値はその符号を負に変更した後、KOBRA 21ADHまたはWRが算出する。
尚、遅相軸を傾斜軸(回転軸)として(遅相軸がない場合にはフィルム面内の任意の方向を回転軸とする)、任意の傾斜した2方向からレターデーション値を測定し、その値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基に、以下の数式(21)および数式(22)よりRthを算出することもできる。
Figure 2014228567
上記式中、Re(θ)は法線方向から角度θ傾斜した方向におけるレターデーション値を表す。また、上記式中、nxは面内における遅相軸方向の屈折率を表し、nyは面内においてnxに直交する方向の屈折率を表し、nzはnxおよびnyに直交する方向の屈折率を表す。dはフィルムの膜厚を表す。
測定されるフィルムが1軸や2軸の屈折率楕円体で表現できないもの、いわゆる光学軸(optic axis)がないフィルムの場合には、以下の方法によりRth(λ)は算出される。
Rth(λ)は前記Re(λ)を、面内の遅相軸(KOBRA 21ADHまたはWRにより判断される)を傾斜軸(回転軸)としてフィルム法線方向に対して−50度から+50度まで10度ステップで各々その傾斜した方向から波長λnmの光を入射させて11点測定し、その測定されたレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にKOBRA 21ADHまたはWRが算出する。
上記の測定において、平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック(JOHN WILEY&SONS,INC)、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する:
セルロースアシレート(1.48)、シクロオレフィンポリマー(1.52)、ポリカーボネート(1.59)、ポリメチルメタクリレート(1.49)、ポリスチレン(1.59)である。
これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA 21ADHまたはWRはnx、ny、nzを算出する。この算出されたnx、ny、nzよりNz=(nx−nz)/(nx−ny)がさらに算出される。
なお、本明細書において、ReおよびRthについて特に測定波長が付記されていない場合は、測定波長550nmであるものとする。また、特に測定環境について記載がない場合は、温度25℃相対湿度60%RHの環境下で測定した値であるものとする。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
<セルロースアシレートフィルム001の作製>
<<セルロースアシレートの調製>>
全置換度2.97(内訳:アセチル置換度0.45、プロピオニル置換度2.52)のセルロースアシレートを調製した。触媒としての硫酸(セルロース100質量部に対し7.8質量部)とカルボン酸無水物との混合物を−20℃に冷却してからパルプ由来のセルロースに添加し、40℃でアシル化を行った。この時、カルボン酸無水物の種類及びその量を調整することで、アシル基の種類及びその置換比を調整した。またアシル化後に40℃で熟成を行って全置換度を調整した。
<<セルロースアシレート溶液の調製>>
1)セルロースアシレート
調製したセルロースアシレートを120℃に加熱して乾燥し、含水率を0.5質量%以下とした後、30質量部を溶媒と混合させた。
2)溶媒
ジクロロメタン/メタノール/ブタノール(81/15/4質量部)を溶媒として用いた。なお、これらの溶媒の含水率は、いずれも0.2質量%以下であった。
3)添加剤
全ての溶液調製に際し、トリメチロールプロパントリアセテート0.9質量部を添加した。また、全ての溶液調製に際し、二酸化ケイ素微粒子(粒径20nm、約0.25質量部)を添加した。
また、下記UV吸収剤Aを前記セルロースアシレート100質量部に対し、1.2質量%添加し、下記Rth低減剤Bを前記セルロースアシレート100質量部に対し、11質量%入れた。
得られたセルロースアシレートフィルム001のRe(550)は−1nm、Rth(550)は−1nmであり、光学的に等方的なフィルムが得られた。
Figure 2014228567
Figure 2014228567
4)膨潤、溶解
攪拌羽根を有し外周を冷却水が循環するステンレス製溶解タンクに、上記溶媒、添加剤を投入して撹拌、分散させながら、上記セルロースアシレートを徐々に添加した。投入完了後、室温にて2時間撹拌し、3時間膨潤させた後に再度撹拌を実施し、セルロースアシレート溶液を得た。
なお、攪拌には、15m/sec(剪断応力5×104kgf/m/sec2)の周速で攪拌するディゾルバータイプの偏芯攪拌軸及び中心軸にアンカー翼を有して周速1m/sec(剪断応力1×104kgf/m/sec2)で攪拌する攪拌軸を用いた。膨潤は、高速攪拌軸を停止し、アンカー翼を有する攪拌軸の周速を0.5m/secとして実施した。
5)ろ過
上記で得られたセルロースアシレート溶液を、絶対濾過精度0.01mmの濾紙(#63、東洋濾紙(株)製)で濾過し、更に絶対濾過精度2.5μmの濾紙(FH025、ポール社製)にて濾過してセルロースアシレート溶液を得た。
<<セルロースアシレートフィルムの作製>>
上記セルロースアシレート溶液を30℃に加温し、流延ギーサー(特開平11−314233号公報に記載)を通して15℃に設定したバンド長60mの鏡面ステンレス支持体上に流延した。流延スピードは15m/分、塗布幅は200cmとした。流延部全体の空間温度は、15℃に設定した。そして、流延部から50cm手前で、流延して回転してきたセルロースアシレートフィルムをバンドから剥ぎ取り、45℃の乾燥風を送風した。次に110℃で5分、更に140℃で10分乾燥して、セルロースアシレートフィルム001を得た(膜厚81μm)。得られたセルロースアシレートフィルムのReは−1nm、Rthは−1nmであった。
<製法1:第3及び第4の実施形態における第1及び第4の位相差層の作製>
以下の方法に従って、2ドメイン(2D)の液晶層を用いた実施例および比較例の液晶表示装置に用いた第4の位相差層用フィルムを作製した。
<<アルカリ鹸化処理>>
セルロースアシレートフィルム001を、温度60℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を40℃に昇温した後に、フィルムの片面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量14ml/m2で塗布し、110℃に加熱した(株)ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、10秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を3ml/m2塗布した。次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを3回繰り返した後に、70℃の乾燥ゾーンに10秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルムを作製した。
アルカリ溶液組成
───────────────────────────────────
水酸化カリウム 4.7質量部
水 15.8質量部
イソプロパノール 63.7質量部
界面活性剤SF−1:C1429O(CH2CH2O)20H 1.0質量部
プロピレングリコール 14.8質量部
───────────────────────────────────
<<配向膜の形成>>
上記のように鹸化処理した長尺状のセルロースアセテートフィルムに、下記の組成の配向膜塗布液を#14のワイヤーバーで連続的に塗布した。60℃の温風で60秒、更に100℃の温風で120秒乾燥した。
配向膜塗布液の組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記の変性ポリビニルアルコール 10質量部
水 371質量部
メタノール 119質量部
グルタルアルデヒド 0.5質量部
光重合開始剤(イルガキュアー2959、BASF製) 0.3質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
変性ポリビニルアルコール
Figure 2014228567
<<ディスコティック液晶化合物を含む光学異方性層の形成>>
上記作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルム長手方向に対して、ラビングローラーの回転軸は時計回りに45°の方向とした。
下記の組成のディスコティック液晶化合物を含む塗布液(A)を上記作製した配向膜上にワイヤーバーを用いて塗布した。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶化合物の配向熟成のために、80℃の温風で90秒間加熱した。続いて、80℃にてUV照射を行い、液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成し、光学フィルムを得た。光学異方性層の膜厚は2.0μmであった。
光学異方性層塗布液(A)の組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記のディスコティック液晶化合物 100質量部
光重合開始剤(イルガキュアー907、BASF製) 3質量部
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 1質量部
下記のピリジニウム塩 1質量部
下記のフッ素系ポリマー(FP1) 0.4質量部
メチルエチルケトン 252質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
Figure 2014228567
Figure 2014228567
Figure 2014228567
作製した光学フィルムの評価結果を以下に示す。なお、遅相軸の方向はラビングローラーの回転軸と平行であった。すなわち、支持体の長手方向に対して、遅相軸は時計回りに45°の方向であった。また、Re(550)およびRth(550)が下記表の値となるように光学異方性層の膜厚を調整して、それぞれの第1、第4の位相差層用フィルムを作製した。
<製法2:第2位相差層のディスコティック液晶化合物層を有するフィルム)の作製>
以下の方法に従って、本願実施例および比較例で用いた第2の位相差層用のフィルムを作製した。
上記で得られたセルロースアシレートフィルム001について、上記第3の位相差層の作製と同様にアルカリ鹸化処理を行った。
<<配向膜の形成>>
特開2008−40309号公報の実施例記載の方法を参考に、セルロースアシレートフィルム001上に光学異方性層の膜厚を調整して、第2の位相差層用のフィルムを作製した。
<<ディスコティック液晶化合物を含む光学異方性層の形成>>
上記作製した配向膜に連続的にラビング処理を施した。このとき、長尺状のフィルムの長手方向と搬送方向は平行であり、フィルム長手方向に対して、ラビングローラーの回転軸は時計回りに0°の方向とした。
下記の組成のディスコティック液晶化合物を含む塗布液(C)を上記作製した配向膜上に#2.7のワイヤーバーで連続的に塗布した。フィルムの搬送速度(V)は36m/分とした。塗布液の溶媒の乾燥及びディスコティック液晶化合物の配向熟成のために、100℃の温風で30秒、更に120℃の温風で90秒間加熱した。続いて、80℃にて紫外線照射により液晶化合物の配向を固定化し光学異方性層を形成し、光学フィルム(負のC−プレート)を得た。Re及びRthを測定した。
光学異方性層塗布液(C)の組成
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記のディスコティック液晶性化合物 91質量部
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
(V#360、大阪有機化学(株)製) 9質量部
光重合開始剤(イルガキュアー907、BASF社製) 3質量部
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 1質量部
メチルエチルケトン 195質量部
――――――――――――――――――――――――――――――――――――――
ディスコティック液晶性化合物
Figure 2014228567
また、Rth(550)が下記表の値となるように光学異方性層の膜厚を調整して、それぞれの第2の位相差層用フィルムを作製した。
<製法3:第3の位相差層の作製>
特許5036209を参考に、上記で作製したセルロースアシレートフィルム001上に棒状液晶の屈折率最大方向が、フィルムの法線方向に対して実質的に垂直になるように配向させて、実施例記載のRthになるように、膜厚を調整した。
<製法4:第1及び第2の実施形態における第1及び第2の位相差層の作製(棒状液晶化合物層を有するフィルム)の作製>
以下の方法に従って、2ドメイン(2D)の液晶層を用いた実施例および比較例の液晶表示装置に用いた第1の位相差層用フィルムを作製した。
上記で作製したセルロースアシレートフィルム001の表面をアルカリ溶液でケン化後、このフィルム上に下記の組成の配向膜塗布液をワイヤーバーコーターで20ml/m2塗布した。60℃の温風で60秒、更に100℃の温風で120秒乾燥し、膜を形成した。次に、形成した膜にセルロースアシレートフィルム001の長手方向に対して、45°方向にラビング処理を施して配向膜を形成した。
配向膜塗布液の組成
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記の変性ポリビニルアルコール 10質量部
水 371質量部
メタノール 119質量部
グルタルアルデヒド 0.5質量部
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
Figure 2014228567
次に、下記の組成の光学異方性層塗布液を、ワイヤーバーで塗布した。
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
下記の棒状液晶性化合物 1.8g
エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアクリレート
(V#360、大阪有機化学(株)製) 0.2g
光重合開始剤(イルガキュアー907、BASF社製) 0.06g
増感剤(カヤキュアーDETX、日本化薬(株)製) 0.02g
メチルエチルケトン 3.9g
―――――――――――――――――――――――――――――――――――
これを125℃の恒温槽中で3分間加熱し、棒状液晶性化合物を配向させた。次に、120W/cm高圧水銀灯を用いて、30秒間紫外線照射し棒状液晶性化合物を架橋した。紫外線硬化時の温度を80℃として、光学異方性層を得た。光学異方性層の厚さは、2.0μmであった。その後、室温まで放冷した。このようにして、光学フィルム(+A−プレート)を製作した。
Figure 2014228567
また、Re(550)およびRth(550)が下記表の値となるように光学異方性層の膜厚を調整して、それぞれの第1の位相差層用フィルムを作製した。
<製法5:第4の位相差層(パターンリターダー)の作製>
以下の方法に従って、4ドメイン(4D)の液晶層を用いた実施例および比較例の液晶表示装置に用いた第4の位相差層用フィルムを作製した。
<<アルカリ鹸化処理>>
セルロースアシレートフィルム001を、温度60℃の誘電式加熱ロールを通過させ、フィルム表面温度を40℃に昇温した後に、フィルムの片面に下記に示す組成のアルカリ溶液を、バーコーターを用いて塗布量14ml/m2で塗布し、110℃に加熱した(株)ノリタケカンパニーリミテド製のスチーム式遠赤外ヒーターの下に、10秒間搬送した。続いて、同じくバーコーターを用いて、純水を3ml/m2塗布した。次いで、ファウンテンコーターによる水洗とエアナイフによる水切りを3回繰り返した後に、70℃の乾燥ゾーンに10秒間搬送して乾燥し、アルカリ鹸化処理したセルロースアセテート透明支持体を作製した。
(アルカリ溶液組成)
・水酸化カリウム 4.7質量部
・水 15.8質量部
・イソプロパノール 63.7質量部
・界面活性剤 SF−1:C1429O(CH2CH2O)20H 1.0質量部
・プロピレングリコール 14.8質量部
<<ラビング配向膜の形成>>
上記作製した支持体の、鹸化処理を施した面に、下記の組成のラビング配向膜塗布液を#8のワイヤーバーで連続的に塗布した。60℃の温風で60秒、さらに100℃の温風で120秒乾燥し、配向膜を形成した。次に、透過部の横ストライプ幅100μm、遮蔽部の横ストライプ幅300μmのストライプマスクをラビング配向膜上に配置し、室温空気下にて、UV−C領域における照度2.5mW/cm2の空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて紫外線を4秒間照射して、光酸発生剤を分解し酸性化合物を発生させることにより第1の位相差領域用配向層を形成した。その後に、500rpmで一方向に1往復、ラビング処理を行い、ラビング配向膜付透明支持体を作製した。なお、配向膜の膜厚は、0.5μmであった。
配向膜形成用塗布液の組成
・配向膜用ポリマー材料(ポリビニルアルコールPVA103、クラレ社製)
3.9質量部
・光酸発生剤S−2 0.1質量部
・メタノール 36質量部
・水 60質量部
Figure 2014228567
<<パターン光学異方性層の形成>>
下記の光学異方性層用組成物を調製後、孔径0.2μmのポリプロピレン製フィルタでろ過して、光学異方性層用塗布液とし、バーコーターを用いて塗布量8ml/m2で塗布した。次いで、膜面温度110℃で2分間乾燥して液晶相状態とし均一配向させた後、100℃まで冷却し空気下にて20mW/cm2の空冷メタルハライドランプ(アイグラフィックス(株)製)を用いて紫外線を20秒間照射して、その配向状態を固定化することによりパターン光学異方性層を形成した。マスク露光部分(第1の位相差領域)は、ラビング方向に対し遅相軸方向が平行にディスコティック液晶(DLC)が垂直配向しており、未露光部分(第2の位相差領域)は直交に垂直配向していた。なお、光学異方性層の膜厚は、1.6μmであった。
光学異方性層用組成
・ディスコティック液晶E−1 100質量部
・配向膜界面配向剤(II−1) 3.0質量部
・空気界面配向剤(P−1) 0.4質量部
・光重合開始剤(イルガキュア907、BASF社製)3.0質量部
・増感剤(カヤキュア−DETX、日本化薬社製) 1.0質量部
・メチルエチルケトン 400質量部
Figure 2014228567
形成されたパターン光学フィルムの第1の位相差領域及び第2の位相差領域をそれぞれTOF-SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析法、ION−TOF社製TOF−SIMS V)により分析したところ、第1の位相差領域と第2の位相差領域では、対応する配向層中における光酸発生剤S−2の存在比(モル比)が8対92であり、第1の位相差領域ではS−2がほとんど分解していることがわかった。また、光学異方性層においては、第1の位相差領域の空気界面に、II−1のカチオン及び光酸発生剤S−2から発生した酸HBF4のアニオンBF4 -が存在していることが確認された。第2の位相差領域の空気界面には、これらのイオンはほとんど観測されず、II−1のカチオン及びBr−が配向膜界面近傍に存在していることがわかった。空気界面におけるそれぞれのイオンの存在比は、II−1のカチオンは93対7、BF4 -は90対10であった。このことから、第2の位相差領域中、配向膜界面配向剤(II−1)は配向膜界面に偏在しているが、第1の位相差領域では偏在性が減少し、空気界面にも拡散していること、及び第1の位相差領域においては、発生した酸HBF4とII−1がアニオン交換することによってII−1カチオンの拡散が促進されていることが理解できる。
また、Re(550)およびRth(550)が下記表の値となるように光学異方性層の膜厚を調整して、それぞれの第4の位相差層用フィルムを作製した。
<製法6:第1の位相差層(パターンリターダー)の作製>
以下の方法に従って、2ドメイン(2D)の液晶層を用いた実施例および比較例の液晶表示装置に用いた第1の位相差層用フィルムを作製した。
上記第4位相差層(パターンリターダー)の作製と同様に行って形成した配向膜の表面に、光学異方性層を特表2012−517024号公報の実施例に記載された方法を利用し、棒状液晶(RLC)としてBASF社製のLC242を用いて第1及び第2位相差領域を有すように形成した。
また、Re(550)およびRth(550)が下記表の値となるように光学異方性層の膜厚を調整して、それぞれの第1の位相差層用フィルムを作製した。
<第5の位相差層(光学補償フィルム)の作製>
特開2012−8548号公報の実施例に記載された方法を利用し、表記載の第4の位相差層を作製した。
<第1の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)>
<<偏光膜>>
特開2001−141926号公報の実施例1に従い、延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて厚み20μmの偏光膜を作製した。
ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、図3および下記表に示す層構成となるように、偏光子の片側に第1位相差層、第2位相差層、第3位相差層、第4位相差層、および第5位相差層のいずれかを鹸化処理貼りあわせた。70℃で10分以上乾燥し、他方の表面に鹸化処理を行った市販のセルロースアセテートフィルム(富士フイルム製、TD80)を同様に貼合して積層体を得た。この様にして、偏光板を作製した。
<<VAモード液晶セルの作製>>
基板間のセルギャップを3.6μmとし、負の誘電率異方性を有する液晶材料(「MLC6608」、メルク社製)を基板間に滴下注入して封入し、基板間に液晶層を形成して作製した。液晶層のレターデーション(即ち、液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・d)を液晶層の厚さdを調整して下記表に示す値とした。なお、液晶材料は垂直配向するように配向させた。この様にしてVAモード液晶セルを作製した。
なお、作製した液晶表示装置のうち、実施例19Aは、第5の位相差層を第2の偏光膜と第4の位相差層との間に設け、実施例20Aは、第5の位相差層を設けなかった。
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上記表において、2Dは液晶セルの画素が2ドメインであることを、4Dは4ドメインであることを、8Dは8ドメインであることをそれぞれ示している。
また、遅相軸および吸収軸は、第1の偏光膜を0°とし、視認側から見たときに、反時計回りを正の方向とした角度である。
<第2の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1B〜20B、比較例1B〜17B)>
第1の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)において、図4および下記表に示す層構成となるように各位相差層を貼り合せた以外は第1の実施形態の液晶表示装置(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)と同様にして作製した。
なお、作製した液晶表示装置のうち、実施例19Bは、第5の位相差層を第2の偏光膜と第4の位相差層との間に設け、実施例20Bは、第5の位相差層を設けなかった。
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上記表において、2Dは液晶セルの画素が2ドメインであることを、4Dは4ドメインであることを、8Dは8ドメインであることをそれぞれ示している。
また、遅相軸および吸収軸は、第1の偏光膜を0°とし、視認側から見たときに、反時計回りを正の方向とした角度である。
<第3の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1C〜20C、比較例1C〜17C)>
第1の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)において、図3および下記表に示す層構成となるように各位相差層を貼り合せた以外は第1の実施形態の液晶表示装置(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)と同様にして作製した。
なお、作製した液晶表示装置のうち、実施例19Cは、第5の位相差層を第2の偏光膜と第4の位相差層との間に設け、実施例20Cは、第5の位相差層を設けなかった。
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上記表において、2Dは液晶セルの画素が2ドメインであることを、4Dは4ドメインであることを、8Dは8ドメインであることをそれぞれ示している。
また、遅相軸および吸収軸は、第1の偏光膜を0°とし、視認側から見たときに、反時計回りを正の方向とした角度である。
<第4の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1D〜20D、比較例1D〜17D)>
第1の実施形態の液晶表示装置の作製(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)において、図4および下記表に示す層構成となるように各位相差層を貼り合せた以外は第1の実施形態の液晶表示装置(実施例1A〜20A、比較例1A〜17A)と同様にして作製した。
なお、作製した液晶表示装置のうち、実施例19Dは、第5の位相差層を第2の偏光膜と第4の位相差層との間に設け、実施例20Dは、第5の位相差層を設けなかった。
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上記表において、2Dは液晶セルの画素が2ドメインであることを、4Dは4ドメインであることを、8Dは8ドメインであることをそれぞれ示している。
また、遅相軸および吸収軸は、第1の偏光膜を0°とし、視認側から見たときに、反時計回りを正の方向とした角度である。
<評価>
得られた液晶表示装置について、測定機“EZ−Contrast XL88”(ELDIM社製)を用いて、以下の通り評価した。
<<白とび>>
正面のγカーブを2.2に設定(100×(各信号値/信号値の最大値)の2.2乗が、各信号値の規格化輝度(白を100としたときの値)となるように設定する。)し、信号値128での輝度と白表示での輝度を測定した。次に、正面と上下左右方向(方位角0°、90°、180°、270°)4方位の極角60°における、これらの比(信号値128輝度/白輝度)を算出した。さらに、正面の比と上下左右方向の比の平均値との差を算出し、以下の区分に従って評価した。
A:差が0以上、0.05未満
B:差が0.05以上、0.10未満
C:差が0.10以上、0.15未満
D:差が0.15以上
<<色味付き>>
白輝度の色味において、正面と右方向(方位角0°)の極角60°における差をΔu’v’を下記式を用いて算出し、以下の区分に従って評価した。
(Δu’v’ = √(u’_右 - u’_正面)^2 + (v’_右 - v’_正面)^2)
A:Δu’v’が0.005未満
B:Δu’v’が0.005以上、0.01未満
C:Δu’v’が0.01以上
<<視野角コントラスト>>
白表示での輝度及び黒表示での輝度を測定し、斜め方向(方位角45°、135°、225°、315°)4方位の極角60°におけるコントラスト比(白輝度/黒輝度)の平均値を算出し、以下の区分に従って評価した。
A:コントラスト比の平均値が10以上
B:コントラスト比の平均値が5以上、10未満
C:コントラスト比の平均値が5未満
<<バックライト(BL)光の利用効率>>
白表示での輝度およびバックライトのみ輝度を測定し、その比(白輝度/バックライト輝度)を算出した。次に、比較例1との比(実施例もしくは比較例の比/比較例1の比)算出し、以下の区分に従って評価した。
A:比が105以上
B:比が102.5以上、105未満
C:比が100以上、102.5未満
<<正面コントラスト(CR)>>
白表示での輝度及び黒表示での輝度を測定し、正面におけるコントラスト比(白輝度/黒輝度)を算出した。次に、比較例1の正面コントラストとの比(実施例もしくは比較例の正面コントラスト/比較例1の正面コントラスト)を算出し、以下の区分に従って評価した。
A:比が98以上
B:比が90以上、98未満
C:比が90未満
これらの結果を下記表に示す。
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上記表から明らかなとおり、本発明の液晶表示装置では、高い視野角コントラストおよび高い正面コントラストを維持しながら、色づきの発生および白とびが抑制された。これに対し、比較例に液晶表示装置には、コントラストが劣ったり、色付きが発生したり、白とびが発生してしまった。
1、11 第1の偏光膜
2、12 第1の位相差層
3、13 第2の位相差層
4、14 液晶層
5、15 第3の位相差層
6、16 第4の位相差層
7、17 第2の偏光膜
8 第5の位相差層

Claims (7)

  1. 少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
    液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
    第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、12.5〜62.5nmであり、
    第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであり、
    第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が300〜400nmであり、
    第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
    第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と平行であり、
    第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
    液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
  2. 少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
    液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
    第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、12.5〜62.5nmであり、
    第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−300〜−200nmであり、
    第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、
    第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
    第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、
    第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
    液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
  3. 少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
    液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
    第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、−12.5〜−62.5nmであり、
    第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−150〜−50nmであり、
    第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、
    第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
    第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と平行であり、
    第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
    液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
  4. 少なくとも、第1の偏光膜、第1の位相差層、第2の位相差層、液晶層、第3の位相差層、第4の位相差層および第2の偏光膜を該順に有し、
    液晶層は4ドメイン以下の電圧無印加時垂直配向モード(VAモード)であり、
    第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける面内レターデーションRe(550)が、それぞれ、25〜125nmであり、第1の位相差層および第4の位相差層の波長550nmにおける厚さ方向のレターデーションRth(550)が、それぞれ、−12.5〜−62.5nmであり、
    第2の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第2の位相差層のRth(550)が−200〜−100nmであり、
    第3の位相差層のRe(550)の絶対値が10nm以下であり、第3の位相差層のRth(550)が400〜500nmであり、
    第1の偏光膜の吸収軸と、第2の偏光膜の吸収軸とは、互いに直交しており、
    第1の位相差層の遅相軸は、第1の偏光膜の吸収軸とのなす角度が45°であり、かつ電圧印加時の液晶層の面内遅相軸と直交しており、
    第1の位相差層の遅相軸と第4の位相差層の遅相軸とは、互いに直交しており、
    液晶層の厚さd(μm)と屈折率異方性Δnとの積Δn・dが250〜450nmである、液晶表示装置。
  5. 第1の位相差層、第2の位相差層、第3の位相差層、および第4の位相差層の少なくとも1つが、液晶化合物を含む光学異方性層を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  6. 第1の偏光膜と第1の位相差層の間、または、第2の偏光膜と第4の位相差層の間に、第5の位相差層を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
  7. 第5の位相差層が、Re(550)が70〜140nmであり、Rth(550)が40〜110nmであるフィルムと、Re(550)は10nm以下であり、Rth(550)は−180〜−90nmであるフィルムとの積層フィルムである、請求項6に記載の液晶表示装置。
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