JP2014226152A - 処置具、処置システム、及び処置システムの制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 生体組織ＬＴが処置面に付着しにくい処置具２を提供する。【解決手段】 処置具２は、高周波電力が通電される処置部を有する手術用の処置具であって、処置部の金属電極の表面が絶縁膜に覆われている。【選択図】図３

Description

本発明は、高周波電力が通電される処置部を有する手術用の処置具、前記処置具を具備する処置システム、及び前記処置システムの制御方法に関する。

電気メス等の手術用の処置具は、生体組織に高周波電力を通電することで切開、凝固、及び止血等の処置に用いられる。

例えば、図１に示すように、特開２００３−１７５０５３号公報には、それぞれに高周波通電用の金属電極が配設された一対のジョーを備え、一対のジョーで挟持した生体組織に高周波電力を通電することで、処置を行うバイポーラ鉗子が開示されている。

しかし、従来の処置具では、金属電極と生体組織とを接触しながら電力が通電されるため、焼け焦げた生体組織の一部が、処置面である金属電極の表面に付着することがあった。焼け焦げた生体組織が付着した処置面には電流が流れないため、処置能力が劣化し、処置が容易ではなくなるおそれがあった。

特開２００３−１７５０５３号公報

本発明の実施形態は、生体組織が処置面に付着しにくい処置具、及び、前記処置具を具備する処置システム、及び前記処置システムの制御方法を提供することを目的とする。

本発明の実施形態の処置具は、高周波電力が通電される処置部を有する手術用の処置具であって、前記処置部の金属電極の表面が絶縁膜に覆われている。

別の実施形態の処置システムは、高周波電力が通電される処置部を有し、前記処置部の金属電極の表面が絶縁膜に覆われている手術用の処置具と、前記高周波電力を出力する電源部と、前記高周波電力の通電効率を検出する検出部と、前記通電効率を調整する調整部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記通電効率が向上するように前記調整部を制御する制御部と、を有する本体部と、を具備する。

また、別の実施形態の処置システムの制御方法は、電源部が出力する第１の高周波電力が、手術用処置具の処置部の金属電極表面を覆う絶縁膜を介して被処置体に通電される工程と、前記第１の高周波電力の通電効率が検出部により検出される工程と、前記第１の高周波電力の前記通電効率が所定値以上になるように調整部が調整される工程と、前記第１の高周波電力よりも大きな第２の高周波電力が、前記絶縁膜を介して前記被処置体に通電される工程と、を具備する。

本発明の実施形態によれば、生体組織が処置面に付着しにくい処置具、及び、前記処置具を具備する処置システム、及び前記処置システムの制御方法を提供できる。

第１実施形態の処置システムの斜視図である。 第１実施形態の処置システムの処置部の側面図であり、閉状態を示している。 第１実施形態の処置システムの処置部の側面図であり、生体組織を挟持した状態を示している。 第１実施形態の処置システムの構成図である。 第１実施形態の処置システムの等価回路図である。 第１実施形態の処置システムの等価回路図である。 第１実施形態の変形例１の処置システムの等価回路図である。 第１実施形態の変形例２の処置システムの等価回路図である。 第１実施形態の変形例３の処置システムの等価回路図である。 第１実施形態の処置システムの等価回路図である。 第２実施形態の処置システムの制御方法を説明するためのフローチャートである。 第３実施形態の処置システムの斜視図である。 第３実施形態の処置システムの処置具の先端部の部分断面図である。 第３実施形態の処置システムの構成図である。

＜第１実施形態＞
最初に、第１実施形態の処置システム１、及び処置具２について説明する。図１に示すように、処置システム１は、処置具２と、本体部３と、フットスイッチ４と、を具備する。本実施形態の処置具２は、例えば腹壁を通して処置を行うリニアタイプの外科手術用である。

処置具２は、グリップ２Ａと、シャフト２Ｂと、被処置体である生体組織ＬＴ（図２Ｂ参照）を挟持して処置を行う開閉可能な一対の処置部１１（第１処置部１１Ａと第２処置部１１Ｂ）と、を備えている。グリップ２Ａは、ケーブル２８を介して本体部３に接続されている。なお、処置具２から延設されたケーブル２８も処置具２の一部である。術者が処置部１１の開閉を操作する開閉ノブ２Ｃのあるグリップ２Ａは、術者が握り易い形状、例えば略Ｌ字状である。グリップ２Ａの一端には、処置部１１と一体化し、開閉ノブ２Ｃの動作を処置部１１に伝達するワイヤが内部に配設されたシャフト２Ｂが配設されている。一方、グリップ２Ａの他端側は、術者に把持される把持部２Ｄである。

本体部３は、術者が処理条件等を設定する設定部３２と処置条件等を表示する表示部３７とを前面パネルに有する。そして、接続部２８Ｔはケーブル２８を介して処置具２と接続されており、接続部２９Ｔはケーブル２９を介してフットスイッチ４と接続されている。フットスイッチ４のペダルを術者が足で押圧操作することにより、本体部３から処置具２への高周波電力の出力がＯＮ／ＯＦＦ制御される。なお、フットスイッチ４は必須の構成要素ではなく、術者が手元で操作するスイッチ等であってもよい。

図２Ａ及び図２Ｂに示すように、処置具２の処置部１１は、例えば、第２処置部１１Ｂが第１処置部１１Ａに対して相対的に移動することにより開閉自在である。すなわち、図２Ａに示すように、開閉ノブ２Ｃが術者により押圧操作されていないときには、図示しない弾性部材の付勢力により第２処置部１１Ｂは第１処置部１１Ａと近接状態又は接触状態にある。これに対して、図２Ｂに示すように、弾性部材の付勢力よりも強い力で開閉ノブ２Ｃが術者により押圧操作されると、第２処置部１１Ｂは第１処置部１１Ａとから離れ、処置部１１は開状態となる。処置部１１が開状態のときに、第１処置部１１Ａと第２処置部１１Ｂとの間に挿入された生体組織ＬＴは、術者が開閉ノブ２Ｃの操作をやめると、弾性部材の付勢力により第１処置部１１Ａの保持面１１ＡＳと第２処置部１１Ｂの保持面１１ＢＳと間に挾まれ押圧された状態で保持される。

処置具２では、第１処置部１１Ａの保持面１１ＡＳは、金属電極１２Ａを覆う絶縁膜１３Ａの表面であり、第２処置部１１Ｂの保持面１１ＢＳは、金属電極１２Ｂを覆う絶縁膜１３Ｂの表面である。処置具２の絶縁膜１３は、焼け焦げた生体組織が付着しにくい、フッ素樹脂であるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる。

なお、以下、２つある同じ機能部のそれぞれをいうときは、末尾のアルファベット１文字を省略することがある。例えば、金属電極１２は、金属電極１２Ａ及び金属電極１２Ｂのそれぞれを意味する。

以上の説明のように、処置具２は、バイポーラ型であり、処置部１１が、被処置体である生体組織ＬＴを挟持する、それぞれの表面が絶縁膜１３に覆われている一対の金属電極１２を有する。処置具２では、生体組織ＬＴを挟持する処置面は、金属電極１２の表面ではなく、絶縁膜１３の表面である。

一方、図３に示すように、本体部３は、ＣＰＵ等からなる制御部３１と、設定部３２と、電源部３３と、検出部３４と、調整部３５と、を有する。

電源部３３は、金属電極２１、２２に駆動信号、例えば周波数が１００ｋＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の周波数で所定強度の高周波電力を出力する、例えば、高周波信号発振部とアンプとからなる。高周波電力の周波数は法令等で使用が認められている周波数から選択されることが好ましく、例えば１３．５６ＭＨｚである。高周波電力の波形は特に制限はないが正弦波が好ましい。

設定部３２は術者が高周波電力の強度（出力値）等を設定するのに用いられるスイッチ、マウス又はキーボード等である。

制御部３１は、設定部３２の設定に応じた仕様の高周波電力を出力するように電源部３３を制御する。
なお、検出部３４及び調整部３５の機能等については後述する。

図４は、第１処置部１１Ａと第２処置部１１Ｂとの間に生体組織ＬＴが挟持されたときの処置システム１の最も単純な等価回路を示している。なお、既に説明したように、処置具２は、本体部３の接続部２８Ｔを介して接続されている。

導体である生体組織ＬＴは、抵抗値Ｒ（ＬＴ）の抵抗Ｒ１とみなされる。そして、生体組織ＬＴと第１の電極１２Ａの間の第１の絶縁膜１３Ａは、容量がＣ（１３Ａ）の第１のキャパシタＣ１とみなされる。同様に、生体組織ＬＴと第２の電極１２Ｂとの間の第２の絶縁膜１３Ｂは、容量がＣ（１３Ｂ）の第２のキャパシタＣ２とみなされる。

すなわち、処置システム１の高周波電力経路の等価回路は、抵抗値Ｒ（ＬＴ）の抵抗Ｒ１と、容量がＣ（１３Ａ）の第１のキャパシタＣ１と、容量がＣ（１３Ｂ）の第２のキャパシタＣ２と、が直列に接続されている。

図４から明らかなように、電源部３３が直流電力を出力しても、第１のキャパシタＣ１及び第２のキャパシタＣ２があるため、生体組織ＬＴには電力は通電されない。しかし、電源部３３は高周波電力を出力するため、第１のキャパシタＣ１及び第２のキャパシタＣ２を介して、生体組織ＬＴに電力が通電され、切開、凝固、及び止血等の処置が行われる。

そして、生体組織ＬＴと接触している処置面が金属の従来の処置具と異なり、処置具２では、処置面１１Ｓは、フッ素樹脂からなる絶縁膜１３の表面である。

このため、処置具２は処置面１１Ｓに焼け焦げた生体組織が付着しにくく、処置能力が劣化しない。

なお、絶縁膜１３の材料は、ＰＴＦＥ等のフッ素樹脂に限られるものではなく、金属よりも焼け焦げた生体組織が付着しにくい非粘着性絶縁材料から適宜、選択できる。例えば、絶縁膜１３は、酸化シリコン、アルミニウム酸化物（アルミナ）、ジルコニウム酸化物等の金属酸化物、窒化シリコン等の金属窒化物、非晶質硬質炭素（ＤＬＣ）、チタン酸バリウム等のセラミック、又はガラスからなる。

絶縁膜１３の厚さは、０．１μｍ以上０．１ｍｍ以下が好ましく、前記範囲以上であれば耐久性に問題が生じることがなく、前記範囲以下であれば通電効率が大きく劣化することがない。

なお、通電効率の観点からは、絶縁膜１３は比誘電率εが高い材料、例えば、比誘電率εが５以上のアルミナ（ε＝８．５）等を好ましく用いることができる。フッ素樹脂は比誘電率εが低いが、特に生体組織ＬＴが焦げ付きにくく、耐久性にも優れているため、やはり好ましく用いることができる。

既に説明したように、処置システム１は、検出部３４と調整部３５とを有する。そして、制御部３１は、検出部３４の検出結果に基づいて電源部３３が出力する高周波電力の通電効率が向上するように調整部３５を制御する。

生体組織ＬＴの抵抗値Ｒ（ＬＴ）、第１のキャパシタＣ１の容量Ｃ（１３Ａ）及び第２のキャパシタＣ２の容量Ｃ（１３Ｂ）は、処置毎に異なり、かつ、処置の進行にともない変化するため、図４に示した等価回路は構成要素のパラメータが変化する。このため、効率的に生体組織ＬＴに高周波電力に通電するためには、検出部３４と調整部３５とが必要となる。

検出部３４は、高周波電力の電流実効値及び電圧実効値を検出する電流センサ及び電圧センサを含み、電流及び電圧から通電効率として、電流に対する電圧の位相差θを検出する。なお、検出部３４が電流及び電圧を検出し、制御部３１が位相差θを算出してもよい。

ここで、通電効率とは、電源部３３が出力した高周波電力のうち、被処置体である生体組織ＬＴに通電される電力（有効電力）の割合を意味している。そして、電圧の実効値と電流の実効値の積で算出される、見かけの電力である皮相電力に対する有効電力の割合である力率（ＰＦ：Power factor）は、cosθで示される。すなわち、位相差θ＝０度では、ＰＦ＝１であり、位相差θ＝９０度では、ＰＦ＝０となる。

図５に示すように、調整部３５は、容量可変インダクタ４１を含み、容量可変インダクタ４１のインダクタンスＬ（３５）が変化することで、位相差θを調整する。

処置システム１の等価回路は、直列ＬＣＲ回路である。電源部３３が出力する高周波電力の電圧をＶ、電流をＩ、周波数をωとすると、処置システム１の回路方程式は以下の（式１）で示される。

（式１）
Ｖ ＝ Ｒ（ＬＴ）× Ｉ ＋ ｊωＬ（３５）× Ｉ − １／（jω×Ｃ（１３Ａ）) × Ｉ − １／（jω×Ｃ（１３Ｂ）) × Ｉ

容量可変インダクタ４１のインダクタンスＬ（３５）を調整することで、処置システム１の回路（高周波電力経路）のリアクタンスを小さくできる。すなわち、処置システム１では、検出部３４による位相差θの検出と、制御部３１による位相差θをもとに容量可変インダクタ４１の調整と、を繰り返すフィードバック制御を行うことで、位相差θを小さくできる。

位相差θが０の場合には、電源部３３が高周波電力を出力する回路は、生体組織ＬＴの抵抗Ｒ（ＬＴ）だけの回路とみなすことができる。このため、処置システム１は、電源部３３が所定の電力を出力するために、高電圧の電力を出力する必要がなく、効率的に高周波電力を生体組織ＬＴに通電できる。

＜変形例＞
次に、変形例の処置システム１Ａ〜１Ｃについて説明する。処置システム１Ａ〜１Ｃは、処置システム１と類似しているため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

図６に示す変形例１の処置システム１Ａの調整部３５Ａは、可変容量キャパシタ４２を有する。

可変容量キャパシタ４２は、制御部３１の制御により、容量が変化する。制御部３１は、可変容量キャパシタ４２の容量を変化させることで、位相差が０になるようにフィードバック制御する。

次に、図７に示す変形例２の処置システム１Ｂの調整部３５Ｂは、電源部３３Ｂに含まれる、電力の周波数調整部４３を有する。

制御部３１は位相差θを０にするように調整部３５Ｂを制御する。例えば、位相差θが正の場合は、周波数を低下させ、位相差が負の場合には、周波数を増加させる。制御部３１は、このフィードバック制御を連続して行う。

次に、図８に示す変形例３の処置システム１Ｃの検出部３４Ｃは、反射率検出機能を有する。反射率はＳパラメータ（散乱パラメータ）で示される透過電力に対する反射電力の比である。すなわち、検出部３４Ｃは、例えば、透過電力と反射電力とを分離する方向性結合器を含む。

制御部３１は、検出部３４Ｃが検出した反射率が小さくなるように、容量可変インダクタ４１のインダクタンスＬ（３５）をフィードバック制御する。なお、調整部３５Ｃは、容量可変インダクタ４１、可変容量キャパシタ４２、又は周波数調整部の少なくともいずれかを有していてもよい。

以上の説明のように、変形例の処置システム１Ａ〜１Ｃは、電源部３３が出力する高周波電力の通電効率を示す情報（位相差θ、反射率）を検知する検出部３４と、検出部３４の検知した情報をともに通電効率が向上するように調整部３５が制御部３１によりフィードバック制御されるため、処置システム１と同じ効果を有する。

処置システム１Ａ〜１Ｃは、処置具２の処置用電極である金属電極１２の、処置面である少なくとも一部の表面が、絶縁体からなる絶縁膜１３で覆われており、絶縁膜１３を介して生体組織ＬＴに高周波電力を流すときに、電源部３３からの出力の力率が１となるように制御される。

処置システム１〜１Ｃの制御部３１のフィードバック制御は、処置部１１が生体組織ＬＴを挟持してから開始されることが好ましい。例えば、処置部１１が生体組織ＬＴを挟持すると、高周波通電経路のリアクタンスが大きく減少する。このため、検出部３４は、高周波通電経路のリアクタンスの減少により、処置部１１が生体組織ＬＴを挟持したことを検知できる。

ここで、以上の図４〜図８の等価回路図では、単純に、集中定数だけで処置システムを表現していた。しかし、高周波回路では、第１の配線１４Ａと第２の配線１４Ｂとの間及びケーブル２８の配線間に浮遊容量等が発生する。

図９は、浮遊容量等を考慮した処置システム１の等価回路図である。ここで、容量Ｃ（２８）は、第１の配線１４Ａと第２の配線１４Ｂとの間の浮遊容量とケーブル２８の配線間の浮遊容量の合成容量であり、インダクタンスＬ（２８）、抵抗値Ｒ（２８）は、それぞれ第１の配線１４Ａと第２の配線１４Ｂとケーブル２８の配線のインダクタンス、抵抗値の合計値である。

容量Ｃ（２８）及びインダクタンスＬ（２８）は、ケーブル２８の曲がり状態等で変化する。このため、検出部３４が、リアクタンスの変化に基づいて生体組織ＬＴの挟持を検知すると、誤るおそれがある。

このため、処置システム１では、検出部３４が検出するリアクタンスが、処置部１１が生体組織ＬＴに接触した状態（把持状態）と、接触していない状態（未把持状態）とで、大きく異なるように構成されている。すなわち、合成浮遊容量Ｃ（２８）が、第１のキャパシタＣ１の容量Ｃ（１３Ａ）と第２のキャパシタＣ２の容量Ｃ（１３Ｂ）との合成容量Ｃ（１３）よりも、十分小さくなるように、処置具２が構成されている。

なお、合成浮遊容量Ｃ（２８）は、合成容量Ｃ（１３）の１０％以下であることが好ましく、特に好ましくは、５％以下である。前記範囲以下であれば、ケーブル２８の曲がり状態等が変化しても、フィードバック制御の開始を誤って判断することがない。また、処置中にケーブル２８の曲がり状態等が変化しても、その影響が略無視できる。

合成浮遊容量Ｃ（２８）を小さくするには、例えば第１の配線１４Ａと第２の配線１４Ｂとの間に比誘電率εが５未満の材料からなる層、例えば、空気（ε＝１）層を設けたりすることが好ましい。

逆に、合成容量Ｃ（１３）を大きくするには、既に説明したように、絶縁膜１３の厚さを薄くしたり、比誘電率εが５以上の材料を用いたりすることが好ましい。

回路のリアクタンスが、処置部１１が生体組織ＬＴに接触している状態と、接触していない状態と、で大きく異なる処置システムは、処置部１１が生体組織ＬＴを把持していない状態で、誤って通電効率を向上するためのフィードバック制御が開始されることがない。また、処置中のフィードバック制御が安定している。

また、合成浮遊容量Ｃ（２８）に対して合成容量Ｃ（１３）が大きい処置システムは、電源部３３が出力した電力を、生体組織ＬＴに通電しやすい。

＜第２実施形態＞
次に第２実施形態の処置システム１Ｄ及び処置システム１Ｄの制御方法について説明する。処置システム１Ｄは、処置システム１〜１Ｃと類似しているため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。なお、処置システム１Ｄの基本構成は、処置システム１〜１Ｃのいずれでもよい。

既に説明したように、処置部１１が生体組織ＬＴを把持したことを検出してから、通電効率を向上するフィードバック制御が開始される。しかし、フィードバック制御により通電効率が所定値以上になるまでには時間を要することがある。すると、処置の初期には、適切な処理が行われないおそれがある。すなわち、処置開始直後は所定の強度の電力が生体組織ＬＴに通電されないおそれがある。

これに対して、処置システム１Ｄの制御方法では、生体組織ＬＴにほとんど影響を及ぼさない弱い強度の第１の高周波電力Ｗ１でフィードバック制御を行い、通電効率が所定値以上になってから、処理開始の指示があると、実際に処置を行う強度の第２の高周波電力Ｗ２が出力される。

以下、図１０のフローチャートに沿って、処置システム１Ｄの制御方法について説明する。

＜ステップＳ１０＞
検出部３４が、高周波電力通電回路のリアクタンスを検出する。リアクタンスが所定値以下になったこと（Ｙｅｓ）により、処置部１１が生体組織ＬＴを把持したことが検知され、ステップＳ１１からの処理が行われる。
＜ステップＳ１１＞
処置部１１が生体組織ＬＴを把持しても、フットスイッチ４が押圧操作されていない状態では、通電効率情報を取得可能な最低強度（最低出力）の電力、例えば０．１Ｗの第１の高周波電力Ｗ１が電源部３３から出力され、被処置体である生体組織ＬＴに通電される。なお、第１の高周波電力Ｗ１の出力値（強度）は、所定値でもよいし、術者により設定されてもよい。

＜ステップＳ１２＞
検出部３４が第１の高周波電力Ｗ１の通電効率、例えば、力率ＰＦを検出する。

＜ステップＳ１３＞
力率ＰＦが所定値以上、例えば、０．９以上の場合（ＹＥＳ）には、ステップＳ１５からの処理が行われる。一方、力率ＰＦが所定値未満、例えば、０．９未満の場合（Ｎｏ）には、ステップＳ１４の処理が行われる。

＜ステップＳ１４＞
通電効率が向上し所定値以上になるまで、調整部３５の調整が行われる。例えば、インダクタンスＬ（３５）が増加又は減少するように容量可変インダクタ４１が調整される。そして、再び、ステップＳ１２の処理が行われる（フィードバック制御）。

＜ステップＳ１５＞
ステップＳ１３において、通電効率が所定値以上の場合（ＹＥＳ）、制御部３１の制御で、例えば、本体部３の告知部（不図示）が、音を発生する。告知部は、使用者が認識可能であれば、文字又は色で告知する表示部３７であってもよいし、処置具２に内蔵された振動発生部であってもよい。

術者は、フットスイッチ４を押圧操作したときに、設定した処理条件の電力を生体組織ＬＴに通電可能な状況であることを判断できる。

＜ステップＳ１６＞
通電効率が所定値以上になっても、処理開始の指示があるまで、すなわち、フットスイッチ４が押圧操作されるまで、ステップＳ１１からの処理が繰り返される。

＜ステップＳ１７＞
Ｓ１６でフットスイッチ４が押圧操作されると、設定部３２で設定された強度（電力）の第２の高周波電力Ｗ２が電源部３３から出力され、生体組織ＬＴに通電される。第２の高周波電力Ｗ２が、第１の高周波電力Ｗ１よりも大きい電力であることはいうまでもない。

処置システム１Ｄは、処置システム１等の効果を有し、更に、処理開始の指示があったときには、通電効率が所定値以上になっているため、確実な処理が容易である。

なお、フットスイッチが押圧操作されてから、第１の高周波電力Ｗ１によるフィードバック制御が開始され、通電効率が所定値以上になったら、自動的に第２の高周波電力Ｗ２が出力されてもよい。なお、この場合にも、通電効率が所定値以上になったこと、すなわち、第２の高周波電力Ｗ２が出力を開始したこと、を術者に告知することが好ましい。

以上の説明のように、本実施形態の処置システムは、以下の工程を具備する。
手術用処置具の処置部の金属電極表面を覆う絶縁膜を介して、電源部が出力する第１の高周波電力が被処置体に通電される工程；
第１の高周波電力の通電効率が検出部により検出される工程；
第１の高周波電力の通電効率が所定値以上になるまで調整部が調整される工程；
第１の高周波電力よりも大きな第２の高周波電力が、絶縁膜を介して被処置体に通電される工程。

＜第３実施形態＞
次に第３実施形態の処置システム１Ｅについて説明する。処置システム１Ｅは、処置システム１〜１Ｄと類似しているため、同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。

図１１に示すように、処置システム１Ｅの処置具２Ｅはモノポーラ型の電気メスである。そして、処置システム１Ｅは、処置具２Ｅの処置部１１Ｅから、被処置体である生体組織ＬＴを含む被検体Ｌを介して高周波電力が通電される対極板５０を具備する。

すなわち、本体部３Ｅの接続部２８Ｔはケーブル２８を介して処置具２Ｅと接続されており、接続部２８ＲＴはケーブル２８Ｒを介して、被検体Ｌの表面に貼り付けられた対極板５０と接続されている。

処置具２Ｅは、後端の操作部を進退させることで、先端の針状の処置部１１Ｅが、突没する図示しない機構を有する。処置具２Ｅは、例えば、図示しない内視鏡の処置具チャンネルに挿通されて使用される。

図１２に示すように、処置部１１Ｅは、表面が絶縁膜５２で覆われた針状の金属電極５１からなる。絶縁膜５２は、既に説明した絶縁膜１３と同じ焼け焦げた生体組織が付着しにくいＰＴＦＥ等からなる。挿通部チューブ５３の内部に通され金属電極５１は、ケーブル２８Ｅと接続されている。

図１３は、処置具２Ｅの処置部１１Ｅが生体組織ＬＴに穿刺し処置している状態を示している。処置システム１Ｅは、処置システム１〜１Ｄと同様に、絶縁膜５２を介して高周波電力が生体組織ＬＴに通電され切開等の処置が行われる。

処置システム１Ｅは、処置システム１〜１Ｄと同様に、高周波電力の通電効率を検出する検出部３４と、通電効率を調整する調整部３５と、検出部３４の検出結果に基づいて通電効率が向上するように調整部３５を制御する制御部３１と、を有する。すなわち、検出部３４は、高周波電力の位相差、又は、反射率を検出する。また、調整部３５は、容量可変コンデンサ、容量可変インダクタ、又は、周波数調整部の少なくともいずれかを含む。

処置システム１Ｅは、処置システム１〜１Ｄと同様の構成を有し、同様の制御方法で制御される。このため、処置システム１Ｅは、処置システム１〜１Ｄと同様の効果を有する。

更に、処置システム１Ｅは、モノポーラ方式のため、バイポーラ方式に比べて、処置具２Ｅの構成が単純である。なお、処置システム１Ｅでは、対極板５０の表面も絶縁膜で覆われていてもよい。ＰＴＦＥ等で表面が覆われている対極板は、表面が金属の対極板に比べて、被検者にとって違和感が少なく快適である。

なお、処置システム１〜１Ｅの処置具の先端の電極形状は、生検に利用するカップ形状又はスネアー用のループ形状などでも良い。

本発明は、上述した実施例等に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、組み合わせ、及び応用が可能であることは勿論である。

１〜１Ｅ・・・処置システム、２・・・処置具、３・・・本体部、４・・・フットスイッチ、１１・・・処置部、１２・・・金属電極、１３・・・絶縁膜、２１・・・金属電極、２８、２９・・・ケーブル、３１・・・制御部、３２・・・設定部、３３・・・電源部、３４・・・検出部、３５・・・調整部、３７・・・表示部、４１・・・容量可変インダクタ、４２・・・可変容量キャパシタ、４３・・・周波数調整部、５０・・・対極板、５１・・・金属電極、５２・・・絶縁膜、５３・・・挿通部チューブ、ＬＴ・・・生体組織

Claims (12)

1. 高周波電力が通電される処置部を有する手術用の処置具であって、
   前記処置部の金属電極の表面が絶縁膜に覆われていることを特徴とする処置具。
2. 前記絶縁膜が、フッ素樹脂、金属酸化物、金属窒化物、非晶質硬質炭素、セラミック、又はガラスからなることを特徴とする請求項１に記載の処置具。
3. 前記処置部が、被処置体を挟持する、それぞれの表面が前記絶縁膜に覆われている一対の金属電極を有することを特徴とする請求項２に記載の処置具。
4. 高周波電力が通電される処置部を有し、前記処置部の金属電極の表面が絶縁膜に覆われている手術用の処置具と、
   前記高周波電力を出力する電源部と、前記高周波電力の通電効率を検出する検出部と、前記通電効率を調整する調整部と、前記検出部の検出結果に基づいて前記調整部を制御する制御部と、を有する本体部と、を具備することを特徴とする処置システム。
5. 前記絶縁層が、フッ素樹脂、金属酸化物、金属窒化物、非晶質硬質炭素、セラミック、又はガラスからなることを特徴とする請求項４に記載の処置システム。
6. 前記検出部が、前記高周波電力の位相差、又は、反射率を検出し、
   前記調整部が、容量可変コンデンサ、容量可変インダクタ、又は、周波数調整部の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項５に記載の処置システム。
7. 前記処置部が、前記被処置体を挟持する、それぞれの表面が前記絶縁膜に覆われている一対の金属電極を有することを特徴とする請求項６に記載の処置システム。
8. 前記処置部から前記被処置体を介して前記高周波電力が通電される対極板を具備することを特徴とする請求項６に記載の処置システム。
9. 手術用処置具の処置部の金属電極表面を覆う絶縁膜を介して、電源部が出力する第１の高周波電力が被処置体に通電される工程と、
   前記第１の高周波電力の通電効率が検出部により検出される工程と、
   前記第１の高周波電力の前記通電効率が所定値以上になるように調整部が調整される工程と、
   前記第１の高周波電力よりも大きな第２の高周波電力が、前記絶縁膜を介して前記被処置体に通電される工程と、を具備することを特徴とする処置システムの制御方法。
10. 前記検出部が、前記高周波電力の位相差、又は、反射率を検出し、
    前記調整部が、容量可変コンデンサ、容量可変インダクタ、又は、周波数調整部の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項９に記載の処置システムの制御方法。
11. 前記検出部が、リアクタンス変化をもとに前記処置部と前記被処置体との接触を検出する工程を具備し、前記接触が検知された場合に、前記第１の高周波電力が前記被処置体に通電されることを特徴とする請求項１０に記載の処置システムの制御方法。
12. 前記調整部による調整により、前記通電効率が所定値以上になった場合に、その旨を告知する告知工程を具備することを特徴とする請求項１１に記載の処置システムの制御方法。

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