JP2014220346A - 太陽電池セルおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】
高い変換効率を有する太陽電池セルを提供すること。
【解決手段】
第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有するn型シリコン基板と、第1主面に設けられ、SiO2膜およびSiNx膜を含むパッシベーション膜と、第1主面に設けられ、パッシベーション膜を介してp型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極とを有する太陽電池セルであって、p型半導体層用コンタクト電極は、AgおよびAlを含む導電性金属によって構成されており、さらにWを含んでいる。
【選択図】 図1
高い変換効率を有する太陽電池セルを提供すること。
【解決手段】
第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有するn型シリコン基板と、第1主面に設けられ、SiO2膜およびSiNx膜を含むパッシベーション膜と、第1主面に設けられ、パッシベーション膜を介してp型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極とを有する太陽電池セルであって、p型半導体層用コンタクト電極は、AgおよびAlを含む導電性金属によって構成されており、さらにWを含んでいる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、太陽電池セルおよびその製造方法、特に両面受光型の太陽電池セルおよびその製造方法に関する。
両面受光型の太陽電池セルは、片面受光型の太陽電池セルに比べて受光量を増やすことができ、高い変換効率を有することから、次世代型の太陽電池セルの1つとして有望視されている。
両面受光型の太陽電池セルは、たとえば特許文献1に開示された構造を有する。この太陽電池セルでは、一方主面にp型半導体層、他方主面にn型半導体層を有したn型シリコン基板が利用されており、n型シリコン基板の一方主面、他方主面には、p型半導体層へのコンタクト電極、n型半導体層へのコンタクト電極がそれぞれ形成されている。これらのコンタクト電極は、Ag粉末を主成分とする導電性ペーストを印刷し、焼成することによって形成されているが、特にp型半導体層へのコンタクト電極をAgで構成しても、p型半導体層とコンタクト電極とのオーミック接触を十分に取ることができないという課題がある。
そこで、たとえば特許文献2に開示されているように、導電性粉末としてAg粉末およびAl粉末を含む導電性ペーストを用いてp型半導体層へのコンタクト電極を形成することで、p型半導体層とコンタクト電極との良好なオーミック接触を達成することができる。
ところで、特許文献1にも開示されている通り、シリコン基板の表面にはパッシベーション膜が設けられることがある。このパッシベーション膜により、シリコン基板を保護できるとともに、キャリアの表面再結合速度を低下させることができ、ゆえに、太陽電池セルの変換効率を高めることができる。
しかし、Ag粉末およびAl粉末を含む導電性ペーストにてp型半導体層用のコンタクト電極を形成する場合、特にパッシベーション膜にSiが含まれている場合、コンタクト電極中のAlがパッシベーション膜中のSiと反応してしまい、パッシベーション膜のパッシベーション効果を低下させてしまうことがあることが分かった。つまり、Ag粉末およびAl粉末を含む導電性ペーストにてp型半導体層用のコンタクト電極を形成すると、p型半導体層とコンタクト電極とのオーミック接触性は向上するが、パッシベーション膜のパッシベーション効果が弱まり、表面再結合の影響が大きくなって、結果的に、太陽電池セルの変換効率が低下してしまいやすいことが分かった。
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、p型半導体層へのオーミック接触が可能であるとともに、p型半導体層側のパッシベーション膜のパッシベーション効果を維持し、結果、高い変換効率を持つ太陽電池セル、ならびにその製造方法を提供することにある。
すなわち、本発明は、
第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有する半導体基板と、
前記第1主面に設けられ、Siを含むパッシベーション膜と、
前記第1主面に設けられ、前記パッシベーション膜を介して前記p型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極と、
を有する太陽電池セルであって、
前記p型半導体層用コンタクト電極は、AgおよびAlを含む導電性金属によって構成されており、さらにWを含んでいることを特徴とする太陽電池セルに係るものである。
第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有する半導体基板と、
前記第1主面に設けられ、Siを含むパッシベーション膜と、
前記第1主面に設けられ、前記パッシベーション膜を介して前記p型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極と、
を有する太陽電池セルであって、
前記p型半導体層用コンタクト電極は、AgおよびAlを含む導電性金属によって構成されており、さらにWを含んでいることを特徴とする太陽電池セルに係るものである。
また、本発明は、
第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有する半導体基板を用意する工程と、
前記第1主面にSiを含むパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上にp型半導体層用導電性ペーストを印刷する工程と、
前記p型半導体層用導電性ペーストを焼成し、前記パッシベーション膜を介して前記p型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極を形成する工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法であって、
前記p型半導体層用導電性ペーストとして、導電性金属としてAg粉末およびAl粉末を含有し、さらにW粉末を含有する導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池セルの製造方法に係るものである。
第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有する半導体基板を用意する工程と、
前記第1主面にSiを含むパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上にp型半導体層用導電性ペーストを印刷する工程と、
前記p型半導体層用導電性ペーストを焼成し、前記パッシベーション膜を介して前記p型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極を形成する工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法であって、
前記p型半導体層用導電性ペーストとして、導電性金属としてAg粉末およびAl粉末を含有し、さらにW粉末を含有する導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池セルの製造方法に係るものである。
本発明によれば、特に、p型半導体層へのオーミック接触が可能であるとともに、p型半導体層側のパッシベーション膜のパッシベーション効果を維持することが可能なp型半導体層用コンタクト電極を形成することができ、ゆえに、変換効率の高い太陽電池セルを得ることができる。
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。
<太陽電池セルの構造>
図1に基づき、本実施形態の太陽電池セルの構造を説明する。
図1に基づき、本実施形態の太陽電池セルの構造を説明する。
図1に示すように、本実施形態の太陽電池セルは、シリコン基板を素体としたシリコン太陽電池セルである。より具体的には、n型シリコン基板の表面(第1主面)にボロン拡散よって形成されたp型半導体層(p+層)を有し、裏面(第2主面)にリン拡散によって形成されたn型半導体層(n+層)を有した、いわゆる、p+−n−n+構造を備えたシリコン太陽電池セルである。なお、p+−n接合界面はダイオードを形成しており、n−n+接合界面はBSF(Back Surface Field)を形成している。
n型シリコン基板の第1主面側には、シリコン酸化膜(SiO2膜)とその上に窒化ケイ素膜(シリコン窒化膜:SiNx膜)が形成されており、第2主面には窒化ケイ素膜(SiNx膜)が形成されている。第1主面側のSiO2膜およびSiNx膜は反射防止膜およびパッシベーション膜としての機能を有しており、第2主面側のSiNxも反射防止膜およびパッシベーション膜としての機能を有している。なお、図示していないが、p型半導体層およびn型半導体層の表面には微小な凹凸構造(テクスチャ構造)を有している。
この太陽電池セルで発生する電気を取り出すために、第1主面にはp型半導体層へのコンタクト電極が形成されており、第2主面にはn型半導体層へのコンタクト電極が形成されている。各コンタクト電極は、グリッド状にパターニングされたフィンガー電極およびバスバー電極によって構成されており、両面からの光照射で発電ができる両面受光型の太陽電池セルを構成している。第1主面側のコンタクト電極と第2主面側のコンタクト電極は、ほぼ同形状のパターン形状を有している。
第1主面側のp型半導体層用コンタクト電極は、ボロン拡散によるp型半導体層(p+層)との良好なコンタクトを取るために、すなわち接触抵抗の低減を図るために、Ag(銀)−Al(アルミニウム)ペーストを印刷・パターニングし、焼成してなるAgAl電極である。また、第2主面側のn型半導体層用コンタクト電極は、リン拡散によるn型半導体層(n+層)との良好なコンタクトを取るために、Ag(銀)ペーストを印刷・パターニングし、焼成してなるAg電極である。すなわち、シリコン基板の第1主面側には、SiO2膜およびSiNx膜からなるパッシベーション膜を介してp型半導体層を接触するp型半導体層用コンタクト電極が形成されており、第1主面側にはSiNx層からなるパッシベーション膜を介してn型半導体層と接触するn型半導体層用コンタクト電極が形成されている。
p型半導体層用コンタクト電極は、Alを含むAg電極(つまりAgAl電極)であり、p型半導体層との良好なオーミック接触が実現できている。これは、Ag−Alペーストを焼成した時にAlがシリコン基板との界面に析出し、この析出したAlとp型半導体層用コンタクト電極とが接触することで、良好なオーミック接触が得られるためである。ただし、これと同時に、Ag−Alペースト中のAlがパッシベーション膜中のSiO2等とも反応し(SiO2+Al→Al2O3+Si)、パッシベーション膜を一部破壊してしまう。そのため、オーミック接触は達成できても、AgAl電極の近傍におけるパッシベーション膜のパッシベーション効果が低下し、表面再結合の影響が大きくなって、結果的に太陽電池セルの変換効率が低下してしまう。すなわち、一般的なAgAl電極は、p型半導体層(p+層)に対するオーミック接触とパッシベーション膜のパッシベーション効果の維持を両立することが難しい。これに対して、本実施形態では、AgAl電極にW(タングステン)が添加されている。すなわち、AlとWとの関係をみると、WがAl中に拡散し、Alの表面にWAl12などの化合物が形成され、溶融したAlがSiと過剰に反応することを抑制している可能性がある。これに伴い、溶融したAlがSiO2を還元する効果が弱まり、パッシベーション効果の低減を抑制していると考えられる。また、SiO2のパッシベーション膜がAlにより突き破られた後は、溶融したAlとSiとの反応が開始するが、溶融したAlの一部にWAl12などの化合物も含まれるため、AlとSiとWとの反応になり、W5Si3、WSi2などのシリサイドが形成され、Si中へのAlの過剰な拡散を抑制するバリア層として働いている可能性もある。
このように、p型半導体層(p+層)とコンタクトさせるAgAl電極において、Wは特有の効果を発揮することから、Wを含まない一般的なAgAl電極では困難であったp型半導体層(p+層)に対するオーミック接触とパッシベーション効果の維持の両立が実現できる。
また、WとAgとの関係では、WがAgの過剰な焼結を抑制するいわゆる焼結抑制剤としての機能を発揮し、Wとガラスとの関係では、AgAl電極中に含まれるガラスが過度にAgAl電極とp型半導体層との界面へ流動することを抑制しているものと考えられ、AgAl電極とシリコン基板上に析出したAl間で達成されるオーミック接触を阻害しないような作用も示すものと考えられる。
また、バルク状態でのWの比抵抗は室温で5.6μΩ・cm程度とバルク状態でのAgの比抵抗1.6μΩ・cmと比較すると高いが、結晶シリコン太陽電池セルに使用されるAg電極の焼成後の比抵抗はおおよそ3〜7μ・cmであるから、W粉末が電極に添加されたとしても電極の比抵抗を著しく増大させることはなく、十分に配線電極としての役割を果たすレベルである。
このように、p型半導体層用コンタクト電極はW入りのAgAl電極によって構成されているので、AgAl電極の導体抵抗を大きく増加させることなく、p型半導体層へのオーミック接触が可能であるとともに、p型半導体層側のパッシベーション膜のパッシベーション効果を維持することができ、ゆえに、変換効率の高い太陽電池セルを得ることができる。
なお、p型半導体層(p+層)側に形成するコンタクト電極は、モジュール化する時のはんだタブ線へのはんだ濡れ性の観点から、Ag粉末100重量部に対してAl粉末を6.0重量部以下、W粉末を15.0重量部以下とすることが好ましい。ただし、それぞれの含有量がこの範囲を超える場合でもあっても、たとえば、バスバー電極にはんだ濡れ性のよい2層目の電極を形成したり、あるいは、フィンガー電極をW粉末入りのAg−Alペーストで構成し、バスバー電極をはんだ濡れ性のよいAgペースト(AlやW無し)で構成したりすることによって、はんだ濡れ性の問題は解決されるため、Al粉末やW粉末が上記範囲を超える含有量の導電性ペーストを用いても、本発明から除外されることはない。
本発明の太陽電池セルは、上記構造の太陽電池セルへの適用に限定されるわけではない。
たとえば、シリコン基板の第2主面側も、シリコン酸化膜(SiO2膜)とその上にシリコン窒化膜(SiNx膜)が形成されたスタック構造(つまり第1主面側と同じ構造)のパッシベーション膜を有していてもよい。この場合、第2主面用の導電性ペーストとして、第1主面用の導電性ペーストと同じものを用いることができる。つまり、n型半導体層(n+層)側にSiO2などのパッシベーション膜がある場合には、n型半導体層用コンタクト電極としてもW入りのAgAl電極を利用することが好ましい。また、両面受光型の太陽電池セルに限定されるわけではなく、たとえば裏面側のコンタクト電極のフィンガー電極の幅の拡大や本数の増加を行って比抵抗をより小さくした片面受光型の太陽電池セルとしてもよい。また、半導体基板は、n型シリコン基板に限定されるものではなく、p型シリコン基板であってもよい。また、シリコン基板は単結晶シリコン基板が好ましいが、多結晶シリコン基板であってもよい。
<導電性ペースト>
次に、本実施形態に用いられる導電性ペーストを説明する。
次に、本実施形態に用いられる導電性ペーストを説明する。
本実施形態では、p型半導体層用コンタクト電極を形成するための導電性ペーストとして、Ag粉末、Al粉末およびW粉末を含む導電性ペースト(Ag−Alペースト)を利用する。この導電性ペーストは、さらにガラス粉末や有機ビヒクルを含んでいてもよい。
W粉末の含有量はAg粉末100重量部に対して、0.1重量部以上、35.0重量部以下が好ましい。W粉末の含有量がAg粉末100重量部に対して0.1重量部を下回ると、WとAlとが反応してAlとSiとの反応を抑制する効果が弱くなり、35.0重量部を超えると、WがAg或いはAlの焼結挙動を抑制するため電極自体の比抵抗が上昇する傾向にあるからである。
この導電性ペーストにおいては、Ag粉末100重量部に対して、Al粉末を0.5〜6.0重量部、ガラス粉末を2.5〜6.0重量部含有させることがさらに好ましい。Ag粉末100重量部に対してAl粉末の添加量が0.5重量部を下回ると、p型半導体層とコンタクト電極との間で十分なオーミックコンタクトが得られにくくなる傾向にあり、6.0重量部を超えると、p+−nの接合部を破壊し、開放電圧Vocの劣化を招く可能性があるからである。また、Ag粉末100重量部に対してガラス粉末の添加量が2.5重量部を下回ると、コンタクト電極と半導体基板との間の接合性が不十分になりやすく、6.0重量部を超えると、焼成後の電極表面にガラス成分が多く存在するため、はんだ付け不良が発生しやすくなる傾向にあるからである。
この導電性ペーストにおいて導電性粉末の量(Ag粉末、Al粉末およびW粉末の合計量)も特に限定されないが、ペースト全量に対して70重量%以上、95重量%以下であることが好ましい。70重量%未満では、コンタクト電極の膜厚が薄くなり、ライン抵抗の増大を招く傾向にある。一方、95重量%を超えると、固形分が多くなりすぎてペースト化が困難となる傾向にある。
なお、この導電性ペーストは、主たる導電性粉末としてAg粉末を用いる。大気中で焼成した場合においても良好な導電性を示すため、Ag単体であることが好ましいが、PtやPdを含む合金粉末であってもよい。また、Ag粉末は、球状であってもよく、鱗片状(フレーク状)であってもよい。その形状については特に限定されない。また、複数種の形状のAg粉末を併用してもよい。Ag粉末の平均粒径(マイクロトラックのD50;以下同様)は、0.1μm以上、10.0μm以下が好ましい。Ag粉末の平均粒径が0.1μm未満であると、焼成時のAg粉の粒成長の割合が大きくなり、焼成前に多数存在したAgとSiの接触点が著しく減少するため、AgとSiとの間の電気的なコンタクト抵抗が大きくなってしまいやすい。他方、平均粒径が10.0μmを超えると、Ag粉とSi基板の接触点がもともと少ないため、やはりAgとSiとの間のコンタクト抵抗が大きくなってしまいやすい。さらに、導電性粉末のその他物性である、タップ密度、比表面積、有機物量(Igloss:強熱減量;粉末中に含まれる揮発性原料(主に有機物)の量)、表面有機物種等は、特に限定されるものではない。
副導電性粉末であるAl粉末は、上述したように、焼成過程で溶融し、Siと反応し、合金を形成することで電極とSi間のコンタクトに寄与する。Al粉末もその形状、粒径、その他物性は限定されないが、平均粒径は0.5μm以上、15μm以下が望ましい。Al粉末の平均粒径が0.5μm未満であると、Al粉末の表面に形成される酸化被膜(Al2O3膜)の比率が多くなるため、焼成時に形成される溶融Al量が少なくなる。すると、AlとSiの反応物(Al−Si合金)の量が減少して、電極とシリコンウェハとの間のコンタクト抵抗が低下しにくくなる。他方、Al粉末の平均粒径が15μmを超えると、溶融Al量が多くなりすぎ、Siと過剰に反応し、結果、ウェハ内のpn接合部を破壊し、開放電圧Vocの劣化を招く可能性がある。
ガラス粉末としては、ホウケイ酸鉛系ガラス粉末、ホウケイ酸ビスマス系ガラス粉末等を利用できる。ガラス粉末の平均粒径は、1.0μm以上、10.0μm以下が好ましい。
この導電性ペーストには、Ag粉末、Al粉末、W粉末、ガラス粉末(ガラスフリット)以外の無機添加物が含まれていてもよい。その無機添加物の種類や添加量も特に限定されるものではなく、添加形態も、酸化物、水酸化物、過酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、硝酸塩、リン酸塩、硫酸塩、フッ化物、有機金属化合物等、適宜選択することができる。
この導電性ペーストには、有機ビヒクルが含まれている。有機ビヒクルを構成する樹脂および溶剤の他、ペーストのレオロジーをコントロールするための有機添加剤が添加されていてもよい。ここで、バインダ樹脂と有機溶剤との比率は、例えば体積比率で、1〜3:7〜9となるように調製される。なお、バインダ樹脂としては、特に限定されるものではなく、例えば、エチルセルロース樹脂、ニトロセルロース樹脂、アクリル樹脂、アルキド樹脂、又はこれらの組み合わせを使用することができる。また、有機溶剤についても特に限定されるものではなく、α―テルピネオール、キシレン、トルエン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等を単独、或いはこれらを組み合わせて使用することができる。
また、導電性ペーストには、必要に応じて、フタル酸ジ2−エチルヘキシル、フタル酸ジブチル等の可塑剤を1種又はこれらの組み合わせを添加するのも好ましい。また、脂肪酸アマイドや脂肪酸等のレオロジー調整剤を添加するのも好ましく、さらにはチクソトロピック剤、増粘剤、分散剤などを添加してもよい。
なお、n型半導体層用導電性ペーストは、上述したp型半導体層用導電性ペーストと同じものを用いてもよいが、Al粉末を含有していない導電性ペーストを用いる場合は、W粉末を含有していないものを用いることが好ましい。Al粉末およびW粉末を含有していないn型導電性ペースト(Agペースト)は、Al粉末およびW粉末を含有していないこと以外は、上記のp型半導体用導電性ペーストに準じた構成を持つことが好ましい。
<太陽電池セルの製造方法>
次に、図2に基づき、本実施形態の太陽電池セルの製造方法を説明する。
次に、図2に基づき、本実施形態の太陽電池セルの製造方法を説明する。
(1)ダメージ層の除去とテクスチャーエッチング処理
アルカリ(NaOHまたはKOH)溶液を用いて、n型シリコン基板表面のダメージ層の除去、ならびに、テクスチャーの形成を行う。
アルカリ(NaOHまたはKOH)溶液を用いて、n型シリコン基板表面のダメージ層の除去、ならびに、テクスチャーの形成を行う。
(2)ボロン拡散処理
2枚のn型シリコン基板を各シリコン基板の表面を対向させた状態でウエハボートに詰め、これを横型BBr3拡散炉に挿入して、拡散温度910℃〜930℃にて、三臭化硼素(BBr3)、N2キャリアーガスおよびO2ガスを導入し、ボロン拡散処理を行う。ボロン拡散温度はリン拡散温度よりも高い温度を必要とするため、ボロン拡散をはじめに行う。なお、ボロン拡散処理は、他の液体ソースである三臭化塩素(BCl3)や固体ソースである窒化硼素(BN)を利用してもよい。
2枚のn型シリコン基板を各シリコン基板の表面を対向させた状態でウエハボートに詰め、これを横型BBr3拡散炉に挿入して、拡散温度910℃〜930℃にて、三臭化硼素(BBr3)、N2キャリアーガスおよびO2ガスを導入し、ボロン拡散処理を行う。ボロン拡散温度はリン拡散温度よりも高い温度を必要とするため、ボロン拡散をはじめに行う。なお、ボロン拡散処理は、他の液体ソースである三臭化塩素(BCl3)や固体ソースである窒化硼素(BN)を利用してもよい。
(3)表面エッチング処理
ボロン拡散処理では、シリコン基板の対向面への廻り込み拡散の僅少化を図るため種々の手段が講じられるが、シリコン基板の周辺部に廻り込み拡散による薄いBSG(borosilicate glass)膜による変色部が生じた場合、この領域の電気的性能が低下してしまうため、これをエッチングにより除去する。
ボロン拡散処理では、シリコン基板の対向面への廻り込み拡散の僅少化を図るため種々の手段が講じられるが、シリコン基板の周辺部に廻り込み拡散による薄いBSG(borosilicate glass)膜による変色部が生じた場合、この領域の電気的性能が低下してしまうため、これをエッチングにより除去する。
(4)リン拡散処理
ボロン拡散処理を施したシリコン基板を、ボロン拡散面を対向させた状態でウエハボートに詰め、これを横型POCl3拡散炉に挿入して、拡散温度850〜880℃、拡散時間35〜40分で、リン拡散処理を行う。これにより、図2(A)に示すように、一方主面にp型半導体層(p+層)、他方主面にn型半導体層(n+層)を有するn型シリコン基板が得られる。
ボロン拡散処理を施したシリコン基板を、ボロン拡散面を対向させた状態でウエハボートに詰め、これを横型POCl3拡散炉に挿入して、拡散温度850〜880℃、拡散時間35〜40分で、リン拡散処理を行う。これにより、図2(A)に示すように、一方主面にp型半導体層(p+層)、他方主面にn型半導体層(n+層)を有するn型シリコン基板が得られる。
(5)BSG/PSG除去とSiO2酸化膜の形成
ウェットステーションを使用して、5%HF溶液にてBSG膜およびPSG(phosphosilicate glass)膜の除去と純水洗浄を行った後、最終段の槽で、濃度10〜15ppmのオゾン(O3)溶液に浸漬して、シリコン基板の表面を洗浄するとともに、シリコン基板の第1主面側に重金属汚染のない高品質の膜厚20〜30Åの極薄シリコン酸化膜(SiO2膜)を形成する。このSiO2膜はパッシベーション膜としての機能を有する。
ウェットステーションを使用して、5%HF溶液にてBSG膜およびPSG(phosphosilicate glass)膜の除去と純水洗浄を行った後、最終段の槽で、濃度10〜15ppmのオゾン(O3)溶液に浸漬して、シリコン基板の表面を洗浄するとともに、シリコン基板の第1主面側に重金属汚染のない高品質の膜厚20〜30Åの極薄シリコン酸化膜(SiO2膜)を形成する。このSiO2膜はパッシベーション膜としての機能を有する。
(6)pn接合分離
プラズマエッチャー(CF4ガス使用)にて基板端部を50〜100μmほどエッチングしてpn接合分離、あるいは、後述の電極焼成処理(11)における焼成処理後にレーザースクライブでpn接合分離をする。
プラズマエッチャー(CF4ガス使用)にて基板端部を50〜100μmほどエッチングしてpn接合分離、あるいは、後述の電極焼成処理(11)における焼成処理後にレーザースクライブでpn接合分離をする。
(7)SiNx膜形成
PE−CVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)処理装置にて、温度400℃〜450℃で当該シリコン基板の両主面にSiNx膜を成膜する。このSiNx膜は、反射防止膜としての機能の他、第2主面側(n+層側)では太陽電池セルの表面パッシベーション膜としての機能を有する。特に、第1主面側においては、前述のプロセス(5)でのシリコン基板の表面に高品質のSiO2膜を形成している効果と相俟って、良好なパッシベーション効果が得られる。
PE−CVD(plasma-enhanced chemical vapor deposition)処理装置にて、温度400℃〜450℃で当該シリコン基板の両主面にSiNx膜を成膜する。このSiNx膜は、反射防止膜としての機能の他、第2主面側(n+層側)では太陽電池セルの表面パッシベーション膜としての機能を有する。特に、第1主面側においては、前述のプロセス(5)でのシリコン基板の表面に高品質のSiO2膜を形成している効果と相俟って、良好なパッシベーション効果が得られる。
(8)導電性ペーストの作製
Ag粉末、Al粉末、W粉末、ホウケイ酸鉛系ガラスフリット、および、エチルセルロースをテキサノールに溶解させた有機ビヒクルを所定量配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、3本ロールミルで分散混錬して、第1主面用の導電性ペースト(Ag−Alペースト)を作製する。また、Ag粉末、Al粉末、ホウケイ酸鉛系ガラスフリット、および、エチルセルロースをテキサノールに溶解させた有機ビヒクルを所定量配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、3本ロールミルで分散混錬して、第2主面用の導電性ペースト(Agペースト)を作製する。
Ag粉末、Al粉末、W粉末、ホウケイ酸鉛系ガラスフリット、および、エチルセルロースをテキサノールに溶解させた有機ビヒクルを所定量配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、3本ロールミルで分散混錬して、第1主面用の導電性ペースト(Ag−Alペースト)を作製する。また、Ag粉末、Al粉末、ホウケイ酸鉛系ガラスフリット、および、エチルセルロースをテキサノールに溶解させた有機ビヒクルを所定量配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、3本ロールミルで分散混錬して、第2主面用の導電性ペースト(Agペースト)を作製する。
(9)表面電極パターンの形成
図2(C)に示すように、第1主面用の導電性ペースト(Ag−Alペースト)を用い、スクリーン印刷法によって、シリコン基板の第1主面側(つまり第1主面側の窒化ケイ素膜の表面)にグリッド状の表面電極パターンを形成する。表面電極パターンは、フィンガー電極パターンとバスバー電極パターンとからなる。フィンガー電極の幅を細くすることにより、受光面積を稼ぐことができ、フィンガー電極直下での表面再結合を抑制することができるため、太陽電池セルの変換効率を高めることができる。ただし、フィンガー電極の幅が細くなると、シリコン基板との接触抵抗や表面電極自体のバルク抵抗が高くなるため、フィンガー電極の幅と本数は太陽電池セルの変換効率が最大となる条件にする。
図2(C)に示すように、第1主面用の導電性ペースト(Ag−Alペースト)を用い、スクリーン印刷法によって、シリコン基板の第1主面側(つまり第1主面側の窒化ケイ素膜の表面)にグリッド状の表面電極パターンを形成する。表面電極パターンは、フィンガー電極パターンとバスバー電極パターンとからなる。フィンガー電極の幅を細くすることにより、受光面積を稼ぐことができ、フィンガー電極直下での表面再結合を抑制することができるため、太陽電池セルの変換効率を高めることができる。ただし、フィンガー電極の幅が細くなると、シリコン基板との接触抵抗や表面電極自体のバルク抵抗が高くなるため、フィンガー電極の幅と本数は太陽電池セルの変換効率が最大となる条件にする。
(10)裏面電極パターンの形成
図2(C)に示すように、第2主面用の導電性ペースト(Agペースト)を用い、スクリーン印刷法によって、シリコン基板の第2主面側(つまり第2主面側の窒化ケイ素膜の表面)に裏面電極パターンを形成する。裏面電極パターンは、表面電極パターンと同様に、グリッド状のパターンにする。
図2(C)に示すように、第2主面用の導電性ペースト(Agペースト)を用い、スクリーン印刷法によって、シリコン基板の第2主面側(つまり第2主面側の窒化ケイ素膜の表面)に裏面電極パターンを形成する。裏面電極パターンは、表面電極パターンと同様に、グリッド状のパターンにする。
(11)表裏面電極パターンの焼成
p型半導体層(p+層)およびn型半導体層(n+層)を突き抜けず、各半導体層に良好なコンタクトを実現するために、ピーク温度700〜780℃の急峻な温度プロファイルで、表裏面電極パターンを同時に焼成する。焼成は Despatch Industries, Inc製CDF7210のようなベルト炉で行うことができる。なお、焼成後の段階でpn接合分離を行っていない場合は、レーザースクライブによりpn接合分離を行う。これにより、第1主面の表面電極パターンは、窒化ケイ素膜やシリコン酸化膜をファイヤースルーするとともに焼結して、p型半導体層(p+層)へのコンタクト電極が形成される。同様に、第2主面の裏面電極パターンは、窒化ケイ素膜をファイヤースルーするとともに焼結して、n型半導体層(n+層)へのコンタクト電極が形成される。その結果、図1に示した構造を有するシリコン太陽電池セルが得られる。
p型半導体層(p+層)およびn型半導体層(n+層)を突き抜けず、各半導体層に良好なコンタクトを実現するために、ピーク温度700〜780℃の急峻な温度プロファイルで、表裏面電極パターンを同時に焼成する。焼成は Despatch Industries, Inc製CDF7210のようなベルト炉で行うことができる。なお、焼成後の段階でpn接合分離を行っていない場合は、レーザースクライブによりpn接合分離を行う。これにより、第1主面の表面電極パターンは、窒化ケイ素膜やシリコン酸化膜をファイヤースルーするとともに焼結して、p型半導体層(p+層)へのコンタクト電極が形成される。同様に、第2主面の裏面電極パターンは、窒化ケイ素膜をファイヤースルーするとともに焼結して、n型半導体層(n+層)へのコンタクト電極が形成される。その結果、図1に示した構造を有するシリコン太陽電池セルが得られる。
以下、本発明を具体的な実施例に基づき説明する。
n型シリコン基板のp型半導体層(p+層)側に形成する導電性ペーストとして、平均粒径(マイクロトラックのD50;以下同様)1μmのAg粉末、平均粒径5μmのAl粉末、平均粒径3μmのW粉末、平均粒径2μmのホウケイ酸鉛系ガラスフリット(ガラス粉末1)、および、エチルセルロースをテキサノールに溶解させた有機ビヒクルを表1に示す割合となるように配合し、プラネタリーミキサーで混合した後に、3本ロールミルで分散混錬し、No.A〜Hに示す複数種の導電性ペーストを作製した。
本発明は、変換効率に優れた太陽電池セルおよびその製造方法、特に変換効率の高い両面受光型の太陽電池セルおよびその製造方法として有用である。
Claims (5)
- 第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有する半導体基板と、
前記第1主面に設けられ、Siを含むパッシベーション膜と、
前記第1主面に設けられ、前記パッシベーション膜を介して前記p型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極と、
を有する太陽電池セルであって、
前記p型半導体層用コンタクト電極は、AgおよびAlを含む導電性金属によって構成されており、さらにWを含んでいることを特徴とする太陽電池セル。 - 前記パッシベーション膜は、前記p型半導体層上に順次形成されたSiO2膜およびSiNx膜を含む、請求項1に記載の太陽電池セル。
- 第1主面にp型半導体層、第2主面にn型半導体層を有する半導体基板を用意する工程と、
前記第1主面にSiを含むパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜上にp型半導体層用導電性ペーストを印刷する工程と、
前記p型半導体層用導電性ペーストを焼成し、前記パッシベーション膜を介して前記p型半導体層に接触するp型半導体層用コンタクト電極を形成する工程と、
を有する太陽電池セルの製造方法であって、
前記p型半導体層用導電性ペーストとして、導電性金属としてAg粉末およびAl粉末を含有し、さらにW粉末を含有する導電性ペーストを用いることを特徴とする太陽電池セルの製造方法。 - 前記パッシベーション膜は、前記p型半導体層上に順次形成したSiO2膜およびSiNx膜である、請求項3に記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記p型半導体層用導電性ペーストにおける前記W粉末の含有量を、Ag粉末100重量部に対して、0.1重量部以上、35.0重量部以下とする、請求項3または4に記載の太陽電池セルの製造方法。
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