JP2014214322A - アークプラズマ成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記のように、本発明は実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
10…チャンバー
11…試料室
12…放電室
13…誘導管
20…ターゲット保管室
25…成膜位置
30…ターゲット支持装置
40…ターゲット
40T…成膜用ターゲット
42…ターゲットホルダ
50…ターゲット搬送機構
51…ターゲット回転機構
52…ターゲット給電機構
53…ターゲット冷却機構
60…ゲートバルブ
100…基板
120…貫通孔
500…搬送ロッド
Claims (7)
- 成膜用ターゲットの材料元素のイオンを含むアークプラズマを形成して、前記材料元素を主成分とする薄膜を処理対象の基板上に形成するアークプラズマ成膜装置であって、
前記基板が設置される試料室及び前記アークプラズマが形成される放電室を有するチャンバーと、
複数のターゲットが格納され、前記放電室と貫通孔を介して連結する成膜位置が定義されたターゲット保管室と、
前記複数のターゲットの1つが前記成膜位置に配置されるように、前記ターゲット保管室内で前記複数のターゲットを支持するターゲット支持装置と、
前記成膜位置に配置された前記ターゲットを前記放電室に搬送するターゲット搬送機構と
を備えることを特徴とするアークプラズマ成膜装置。 - 前記ターゲット保管室内で前記複数のターゲットが環状に配置され、前記ターゲット支持装置が前記複数のターゲットを回転させ、且つ前記ターゲット搬送装置が前記複数のターゲットの1つを前記放電室に搬送することを特徴とする請求項1に記載のアークプラズマ成膜装置。
- 前記ターゲットが、ターゲットホルダの底面に前記ターゲットの表面が露出するように前記ターゲットホルダに装着された構造を有し、
前記ターゲットホルダの前記底面の前記ターゲットが露出した領域の残余の領域が、前記貫通孔の周囲で前記放電室の外側に密着することで、前記放電室と前記ターゲット保管室間を気密シールすることを特徴とする請求項1又は2に記載のアークプラズマ成膜装置。 - 前記ターゲット保管室が前記貫通孔を塞ぐゲートバルブを備え、前記ゲートバルブによって前記貫通孔が塞がれた状態において、前記ターゲット保管室内の圧力状態に関わりなく前記チャンバー内の真空状態を維持することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のアークプラズマ成膜装置。
- 前記ターゲット搬送機構が、前記ターゲットホルダの前記底面の面法線方向を回転軸として前記成膜用ターゲットを回転させるターゲット回転機構を備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のアークプラズマ成膜装置。
- 前記ターゲット搬送機構が、前記アークプラズマを形成するために前記成膜用ターゲットに給電するターゲット給電機構を備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のアークプラズマ成膜装置。
- 前記ターゲット搬送機構が、前記成膜用ターゲットを冷却するターゲット冷却機構を備えることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のアークプラズマ成膜装置。
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---|---|---|---|---|
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JP2005240182A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 複数の利用可能なターゲットによる連続的アーク蒸着の装置および方法 |
JP2006104512A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Nissin Electric Co Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2006219687A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 成膜装置および成膜方法 |
JP2009179863A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源及び蒸着装置 |
JP2009242929A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ferrotec Corp | ターゲット交換式プラズマ発生装置 |
-
2013
- 2013-04-23 JP JP2013089951A patent/JP6155796B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0733576B2 (ja) * | 1989-11-29 | 1995-04-12 | 株式会社日立製作所 | スパツタ装置、及びターゲツト交換装置、並びにその交換方法 |
JP2005240182A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nanofilm Technologies Internatl Pte Ltd | 複数の利用可能なターゲットによる連続的アーク蒸着の装置および方法 |
JP2006104512A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Nissin Electric Co Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2006219687A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 成膜装置および成膜方法 |
JP2009179863A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源及び蒸着装置 |
JP2009242929A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Ferrotec Corp | ターゲット交換式プラズマ発生装置 |
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