JP2014201829A - キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁基板との接着力が良好であり、且つ、エッチング性が良好なキャリア付銅箔を提供する。
【解決手段】
キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層と、極薄銅層上に積層された絶縁基板との接着層とを備えたキャリア付銅箔であって、極薄銅層は１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ１０とし、標準偏差をσ１０としたときの厚み精度：Ｐ１０＝３σ１０×１００／Ｗ１０としたとき、Ｐ１０が３．０％以下であり、極薄銅層の絶縁基板との接着層において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下を満たすキャリア付銅箔。
【選択図】図５
【解決手段】
キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層と、極薄銅層上に積層された絶縁基板との接着層とを備えたキャリア付銅箔であって、極薄銅層は１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ１０とし、標準偏差をσ１０としたときの厚み精度：Ｐ１０＝３σ１０×１００／Ｗ１０としたとき、Ｐ１０が３．０％以下であり、極薄銅層の絶縁基板との接着層において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下を満たすキャリア付銅箔。
【選択図】図５
Description
本発明は、キャリア付銅箔、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法に関する。
プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化（ファインピッチ化）や高周波対応等が求められており、特にプリント配線板上にＩＣチップを載せる場合、Ｌ（ライン）／Ｓ（スペース）＝２０μｍ／２０μｍ以下のファインピッチ化が求められている。
プリント配線板はまず、銅箔とガラスエポキシ基板、ＢＴ樹脂、ポリイミドフィルムなどを主とする絶縁基板を貼り合わせた銅張積層体として製造される。貼り合わせは、絶縁基板と銅箔を重ね合わせて加熱加圧させて形成する方法（ラミネート法）、または、絶縁基板材料の前駆体であるワニスを銅箔の被覆層を有する面に塗布し、加熱・硬化する方法（キャスティング法）が用いられる。
ファインピッチ化に伴って銅張積層体に使用される銅箔の厚みも９μｍ、さらには５μｍ以下になるなど、箔厚が薄くなりつつある。ところが、箔厚が９μｍ以下になると前述のラミネート法やキャスティング法で銅張積層体を形成するときのハンドリング性が極めて悪化する。そこで、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を形成したキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後に、キャリアを剥離層を介して剥離するというのがキャリア付銅箔の一般的な使用方法である。
キャリア付銅箔を用いた一般的な微細回路形成方法は、配線回路を極薄銅層上に形成した後に、極薄銅層を硫酸−過酸化水素系のエッチャントでエッチング除去する手法（ＭＳＡＰ：Ｍｏｄｉｆｉｅｄ−Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ−Ｐｒｏｃｅｓｓ）である。そのため、極薄銅層の厚みは均一なものが好ましい。
ここで、電解メッキの箔厚精度はアノード−カソード間の極間距離に大きく影響を受ける。一般的な極薄銅層形成方法は、銅箔キャリア（１２〜７０μｍ）上に剥離層を形成し、さらにその表面に極薄銅層（０．５〜１０．０μｍ）並びに粗化粒子を形成する。銅箔キャリア形成以降の工程に関しては、従来は図１のような銅箔キャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いて行っていた（特許文献１）。
一方、樹脂との接着面となるキャリア付き銅箔の極薄銅層の面に対しては、主として、極薄銅層と樹脂基材との接着力を高めることを目的とし、表面のプロファイル（凹凸、粗さ）を大きくした極薄銅層の上に多量の粗化粒子を付着させる方法が一般的である。
しかしながら、プリント配線板の中でも特に微細な回路パターンを形成する必要のある半導体パッケージ基板に、このようなプロファイル（凹凸、粗さ）の大きい極薄銅層を使用すると、回路エッチング時に不要な銅粒子が残ってしまうか、銅粒子が残らなくても回路の直線性が悪くなってしまい、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。
しかしながら、電解メッキで形成した極薄銅層の厚み精度はアノード−カソード間の極間距離に大きく影響を受けるため、特許文献１に記載の銅箔キャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた場合、電解液並びに運箔テンション等の影響により、極間距離を一定にするのが難しく、厚みのバラツキが大きくなる問題が発生していた。厚みバラツキが大きい極薄銅層表面に粗化処理を施すと、回路パターンの直線性を著しく害し、回路パターン間の絶縁不良等の問題が発生する。
そこで、本発明は、絶縁基板との接着力が良好であり、且つ、エッチング性が良好なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。
上記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究を重ねたところ、キャリア上の極薄銅層の厚み精度を向上させ、極薄銅層の絶縁基板との接着面を平滑にすることが、極薄銅層の絶縁基板との接着力及びエッチング性の向上に極めて効果的であることを見出した。
本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層と、極薄銅層上に積層された絶縁基板との接着層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層は１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ１０とし、標準偏差をσ１０としたときの厚み精度：Ｐ１０＝３σ１０×１００／Ｗ１０としたとき、Ｐ１０が３．０％以下であり、
極薄銅層の絶縁基板との接着層において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下を満たすキャリア付銅箔である。
前記極薄銅層は１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ１０とし、標準偏差をσ１０としたときの厚み精度：Ｐ１０＝３σ１０×１００／Ｗ１０としたとき、Ｐ１０が３．０％以下であり、
極薄銅層の絶縁基板との接着層において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下を満たすキャリア付銅箔である。
本発明は別の一側面において、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状のキャリアの表面を処理することで、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法であり、搬送ロールで搬送されるキャリアの表面に剥離層を形成する工程と、搬送ロールで搬送される前記剥離層が形成されたキャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより前記剥離層表面に極薄銅層を形成する工程とを含む本発明のキャリア付銅箔の製造方法である。
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板である。
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板である。
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板である。
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
本発明によれば、絶縁基板との接着力が良好であり、且つ、エッチング性が良好なキャリア付銅箔を提供することができる。
＜キャリア付銅箔＞
本発明のキャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
本発明のキャリア付銅箔は、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備える。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
＜キャリア＞
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ＬＣＤフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１０２０またはＪＩＳ Ｈ３５１０ 合金番号Ｃ１０１１）といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、ＬＣＤフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）や無酸素銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１０２０またはＪＩＳ Ｈ３５１０ 合金番号Ｃ１０１１）といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば５μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には８〜７０μｍであり、より典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には５μｍ以上３５μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１８μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１２μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１１μｍ以下であり、好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。
＜剥離層＞
キャリアの片面又は両面上には剥離層を設ける。キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるのが好ましい。このため剥離層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がこの順で積層されて構成されているのが好ましい。ここで、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素を含む合金のことをいう。また、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金であることが好ましい。ニッケルを含む合金は３種以上の元素からなる合金でも良い。また、クロム合金とはクロムと、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素を含む合金のことをいう。また、クロム合金とはクロムと、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金であることが好ましい。クロム合金は３種以上の元素からなる合金でも良い。また、剥離層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層および、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金、モリブデンニッケル合金のいずれか１種以上を含む層の順で積層されて構成されていてもよい。また、剥離層は、亜鉛を含んでもよい。また、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層はクロメート処理層であってもよい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。
また、剥離層は、キャリア上にニッケル、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−モリブデン合金のいずれか１種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか１種の層がこの順で積層されて構成されているのが好ましく、剥離層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されているのが好ましい。また、剥離層は、キャリア上に少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の順で積層されて構成されているのが好ましい。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロメート処理層との界面で剥離するようになる。また、剥離層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。また、剥離層にクロムめっきではなくクロメート処理層を形成するのが好ましい。クロムめっきは表面に緻密なクロム酸化物層を形成するため、電気めっきで極薄銅層を形成する際に電気抵抗が上昇し、ピンホールが発生しやすくなる。クロメート処理層を形成した表面は、クロムめっきとくらべ緻密ではないクロム酸化物層が形成されるため、極薄銅層を電気めっきで形成する際の抵抗になりにくく、ピンホールを減少させることができる。ここで、クロメート処理層として、亜鉛クロメート処理層を形成することにより、極薄銅層を電気めっきで形成する際の抵抗が、通常のクロメート処理層より低くなり、よりピンホールの発生を抑制することができる。
キャリアの片面又は両面上には剥離層を設ける。キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるのが好ましい。このため剥離層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がこの順で積層されて構成されているのが好ましい。ここで、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素を含む合金のことをいう。また、ニッケルを含む合金とはニッケルと、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金であることが好ましい。ニッケルを含む合金は３種以上の元素からなる合金でも良い。また、クロム合金とはクロムと、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素を含む合金のことをいう。また、クロム合金とはクロムと、コバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金であることが好ましい。クロム合金は３種以上の元素からなる合金でも良い。また、剥離層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層および、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金、モリブデンニッケル合金のいずれか１種以上を含む層の順で積層されて構成されていてもよい。また、剥離層は、亜鉛を含んでもよい。また、クロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層はクロメート処理層であってもよい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素（金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい）を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、純クロメート処理層や亜鉛クロメート処理層等が挙げられる。本発明においては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層を純クロメート処理層という。また、本発明においては無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層を亜鉛クロメート処理層という。
また、剥離層は、キャリア上にニッケル、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−モリブデン合金のいずれか１種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか１種の層がこの順で積層されて構成されているのが好ましく、剥離層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されているのが好ましい。また、剥離層は、キャリア上に少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の順で積層されて構成されているのが好ましい。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロメート処理層との界面で剥離するようになる。また、剥離層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。また、剥離層にクロムめっきではなくクロメート処理層を形成するのが好ましい。クロムめっきは表面に緻密なクロム酸化物層を形成するため、電気めっきで極薄銅層を形成する際に電気抵抗が上昇し、ピンホールが発生しやすくなる。クロメート処理層を形成した表面は、クロムめっきとくらべ緻密ではないクロム酸化物層が形成されるため、極薄銅層を電気めっきで形成する際の抵抗になりにくく、ピンホールを減少させることができる。ここで、クロメート処理層として、亜鉛クロメート処理層を形成することにより、極薄銅層を電気めっきで形成する際の抵抗が、通常のクロメート処理層より低くなり、よりピンホールの発生を抑制することができる。
前述の有機物は厚みで２５ｎｍ以上８０ｎｍ以下含有するのが好ましく、３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下含有するのがより好ましい。剥離層は前述の有機物を複数種類（一種以上）含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
＜剥離層の有機物厚み＞
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の剥離層側の表面と、露出したキャリアの剥離層側の表面をＸＰＳ測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の剥離層側の表面から最初に炭素濃度が３ａｔ％以下となった深さをＡ（ｎｍ）とし、キャリアの剥離層側の表面から最初に炭素濃度が３ａｔ％以下となった深さをＢ（ｎｍ）とし、ＡとＢとの合計を剥離層の有機物の厚み（ｎｍ）とすることができる。
ＸＰＳの稼働条件を以下に示す。
・装置：ＸＰＳ測定装置（アルバックファイ社、型式５６００ＭＣ）
・到達真空度：３．８×１０−７Ｐａ
・Ｘ線：単色ＡｌＫαまたは非単色ＭｇＫα、エックス線出力３００Ｗ、検出面積８００μｍφ、試料と検出器のなす角度４５°
・イオン線：イオン種Ａｒ＋、加速電圧３ｋＶ、掃引面積３ｍｍ×３ｍｍ、スパッタリングレート２．８ｎｍ／ｍｉｎ（ＳｉＯ２換算）
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の剥離層側の表面と、露出したキャリアの剥離層側の表面をＸＰＳ測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の剥離層側の表面から最初に炭素濃度が３ａｔ％以下となった深さをＡ（ｎｍ）とし、キャリアの剥離層側の表面から最初に炭素濃度が３ａｔ％以下となった深さをＢ（ｎｍ）とし、ＡとＢとの合計を剥離層の有機物の厚み（ｎｍ）とすることができる。
ＸＰＳの稼働条件を以下に示す。
・装置：ＸＰＳ測定装置（アルバックファイ社、型式５６００ＭＣ）
・到達真空度：３．８×１０−７Ｐａ
・Ｘ線：単色ＡｌＫαまたは非単色ＭｇＫα、エックス線出力３００Ｗ、検出面積８００μｍφ、試料と検出器のなす角度４５°
・イオン線：イオン種Ａｒ＋、加速電圧３ｋＶ、掃引面積３ｍｍ×３ｍｍ、スパッタリングレート２．８ｎｍ／ｍｉｎ（ＳｉＯ２換算）
剥離層が含有する有機物の使用方法について、以下に、キャリア箔上への剥離層の形成方法についても述べつつ説明する。キャリア上への剥離層の形成は、上述した有機物を溶媒に溶解させ、その溶媒中にキャリアを浸漬させるか、剥離層を形成しようとする面に対するシャワーリング、噴霧法、滴下法及び電着法等を用いて行うことができ、特に限定した手法を採用する必要性はない。このときの溶媒中の有機系剤の濃度は、上述した有機物の全てにおいて、濃度０．０１ｇ／Ｌ〜３０ｇ／Ｌ、液温２０〜６０℃の範囲が好ましい。有機物の濃度は、特に限定されるものではなく、本来濃度が高くとも低くとも問題のないものである。なお、有機物の濃度が高いほど、また、上述した有機物を溶解させた溶媒へのキャリアの接触時間が長いほど、剥離層の有機物厚みは大きくなる傾向にある。そして、剥離層の有機物厚みが厚い場合、Ｎｉの極薄銅層側への拡散を抑制するという、有機物の効果が大きくなる傾向にある。
また、剥離層形成時のキャリア搬送速度（ライン速度）を遅くし、および／またはめっき処理での電流密度を低くすると、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の密度および有機物の密度が高くなる傾向にある。ニッケル層またはニッケルを含む合金層の密度および有機物の密度が高くなると、ニッケル層またはニッケルを含む合金層のニッケルが拡散し難くなり、剥離後で、所定の条件下でのデスミア処理後の極薄銅層表面のＮｉ量を制御することができる。
また、剥離層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金またはモリブデン−ニッケル合金とがこの順で積層されて構成されていることが好ましい。ニッケルと銅との接着力は、モリブデンまたはコバルトと銅との接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金またはモリブデン−ニッケル合金との界面で剥離するようになる。また、剥離層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。
また、前述のモリブデンはモリブデンを含む合金であっても良い。ここで、モリブデンを含む合金とはモリブデンと、コバルト、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素とを含む合金のことをいう。また、モリブデンを含む合金はモリブデンと、コバルト、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金であってもよい。また、前述のコバルトはコバルトを含む合金であっても良い。ここで、コバルトを含む合金とはコバルトと、モリブデン、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素とを含む合金のことをいう。また、コバルトを含む合金とはコバルトと、モリブデン、鉄、クロム、ニッケル、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素からなる合金であってもよい。
モリブデン−コバルト合金はモリブデン、コバルト以外の元素（例えばニッケル、鉄、クロム、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタンからなる群から選択された一種以上の元素）を含んでも良い。
剥離層のうちモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層またはモリブデン−ニッケル合金層は極薄銅層の界面に薄く存在することが、絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離しない一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能であるという特性を得る上で好ましい。ニッケル層を設けずにモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層をキャリアと極薄銅層の境界に存在させた場合は、剥離性はほとんど向上しない場合があり、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層またはモリブデン−ニッケル合金層がなくニッケル層と極薄銅層を直接積層した場合はニッケル層におけるニッケル量に応じて剥離強度が強すぎたり弱すぎたりして適切な剥離強度は得られない場合がある。
また、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層またはモリブデン−ニッケル合金層がキャリアとニッケル層の境界に存在すると、極薄銅層の剥離時に剥離層も付随して剥離されてしまう場合がある、すなわちキャリアと剥離層の間で剥離が生じてしまうので好ましくない場合がある。このような状況は、キャリアとの界面にモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層またはモリブデン−ニッケル合金層を設けた場合のみならず、極薄銅層との界面にモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層またはモリブデン−ニッケル合金層を設けたとしてもモリブデン量またはコバルト量が多すぎると生じ得る。これは、銅とニッケルとは固溶しやすいので、これらが接触していると相互拡散によって接着力が高くなり剥離しにくくなる一方で、モリブデンまたはコバルトと銅とは固溶しにくく、相互拡散が生じにくいので、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層と銅との界面では接着力が弱く、剥離しやすいことが原因と考えられる。また、剥離層のニッケル量が不足している場合、キャリアと極薄銅層の間には微量のモリブデンまたはコバルトしか存在しないので両者が密着して剥がれにくくなる場合がある。
＜極薄銅層＞
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１２μｍであり、より典型的には２〜５μｍである。このため、極薄銅層の絶縁基板との接着層には、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの単体、またはＮｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含む合金、または酸化物、または水和酸化物が存在するのが好ましい。また、極薄銅層絶縁基板との接着層に、極薄銅層表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層、及び、Ｃｒの金属単体、または酸化物、または水和酸化物からなる表層で構成され、表層のＣｒの付着量が１０〜２００μｇ／ｄｍ２であり、中間層が、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含む構成であってもよい。また、極薄銅層絶縁基板との接着層を形成する工程は、乾式めっきにより極薄銅層表面に表面処理層を形成することで行ってもよい。当該接着層は、極薄銅層表面の中間層と、当該中間層上の最表層とで構成されてもよい。
剥離層の上には極薄銅層を設ける。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１２μｍであり、より典型的には２〜５μｍである。このため、極薄銅層の絶縁基板との接着層には、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの単体、またはＮｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含む合金、または酸化物、または水和酸化物が存在するのが好ましい。また、極薄銅層絶縁基板との接着層に、極薄銅層表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層、及び、Ｃｒの金属単体、または酸化物、または水和酸化物からなる表層で構成され、表層のＣｒの付着量が１０〜２００μｇ／ｄｍ２であり、中間層が、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含む構成であってもよい。また、極薄銅層絶縁基板との接着層を形成する工程は、乾式めっきにより極薄銅層表面に表面処理層を形成することで行ってもよい。当該接着層は、極薄銅層表面の中間層と、当該中間層上の最表層とで構成されてもよい。
本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層絶縁基板との接着層において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下を満たす。このような構成によれば、絶縁基板との接着力が良好となる。当該粗さＲｚは、キャリアの表面粗さ、及び、剥離層や極薄銅層および接着層の形成条件を調整することで制御することができる。
当該粗さＲｚは、好ましくは１．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以下である。
当該粗さＲｚは、好ましくは１．０μｍ以下であり、より好ましくは０．５μｍ以下である。
本発明に係るキャリア付銅箔は、以下の各実施形態に示す運箔方式にて製造することができる。図２は、本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法に係る運箔方式を示す模式図である。本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法は、ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状のキャリアの表面を処理することで、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法である。本発明の実施形態１に係るキャリア付銅箔の製造方法は、搬送ロールで搬送されるキャリアをドラムで支持しながら、電解めっきによりキャリア表面に極薄銅層を形成する工程と、剥離層が形成されたキャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより極薄銅層の剥離層と反対側の表面に絶縁基板との接着層を形成する工程とを含む。各工程ではドラムにて支持されているキャリアの処理面がカソードを兼ねており、このドラムと、ドラムに対向するように設けられたアノードとの間のめっき液中で各電解めっきが行われる。
本発明では、長尺状のキャリアをロール・ツウ・ロール搬送方式で搬送するために、キャリアの長さ方向に張力をかけながら搬送している。張力は、各搬送ロールを駆動モーターと接続する等によりトルクをかけることで調整することができる。キャリアの搬送張力は０．０１〜０．２ｋｇ／ｍｍが好ましい。搬送張力が０．０１ｋｇ／ｍｍ未満ではドラムとの密着力が弱く、所望の厚みに各層を形成することが困難となる。また、装置の構造にもよるがスリップ等の問題が生じやすく、さらにキャリアの巻きが緩くなり、巻きずれ等の問題が生じやすい。一方、搬送張力が０．２ｋｇ／ｍｍ超では、わずかなキャリアの位置ズレでもオレシワが発生しやすく、装置管理の観点からも好ましくない。また、巻きが硬く、巻き締まりシワ等が生じやすい。キャリアの搬送張力は、より好ましくは０．０２〜０．１ｋｇ／ｍｍである。
実施形態１では、剥離層と極薄銅層とを、いずれも、ドラムでキャリアを支持しながら、電解めっきにより形成しているが、これに限定されない。例えば、実施形態２として、図３に示すように、極薄銅層の形成を従来のキャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた電解めっきにより形成してもよい。また、実施形態３として、図４に示すように、剥離層の形成を、従来のキャリアへのドラムによる支持がない九十九折による運箔方式を用いた電解めっきにより形成してもよい。ただし、実施形態２および３は、実施形態１のように全ての工程をドラムを用いた運箔方式で行っていないため、実施形態１に比べて、電解めっきの際の極間距離を一定にするのが難しく、剥離層及び／又は極薄銅層の厚み精度は劣る。九十九折による運箔方式を用いた電解めっきの場合には、搬送ロール間の距離を短くすること、ガイドロール等を用いて箔の振れを防止すること、搬送張力を通常の３〜５倍とすることにより、電解めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離を安定させることにより、板厚精度を良好なものとすることができる。
本発明は、上述のように、キャリアをドラムで支持することで電解めっきにおけるアノード−カソード間の極間距離が安定する。このため、形成する層の厚みのバラツキが良好に抑制され、厚み精度の高い極薄銅層を有するキャリア付銅箔の作製が可能となる。
このように作製されたキャリア付銅箔は、極薄銅層において、１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ１０とし、標準偏差をσ１０としたときの厚み精度：Ｐ１０＝３σ１０×１００／Ｗ１０としたとき、Ｐ１０が３．０％以下であり、極めて厚み精度が良好となっている。なお、下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０５％以上、あるいは０．１％以上、あるいは０．２％以上である。
ここで、重量厚み法による厚み精度の測定方法を説明する。まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値Ｗ１０並びに標準偏差σ１０を求める。重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度Ｐ１０（％）＝３σ１０×１００／Ｗ１０
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
ここで、重量厚み法による厚み精度の測定方法を説明する。まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値Ｗ１０並びに標準偏差σ１０を求める。重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度Ｐ１０（％）＝３σ１０×１００／Ｗ１０
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
また、このように作製されたキャリア付銅箔は、極薄銅層において、５ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ３とし、標準偏差をσ５としたときの厚み精度：Ｐ５＝３σ５×１００／Ｗ５としたとき、Ｐ５が３．０％以下であるのが好ましい。なお、下限は特に限定する必要は無いが、例えば０．０５％以上、あるいは０．２％以上、あるいは０．７％以上、あるいは１．０％以上である。
ここで、重量厚み法による厚み精度の測定方法を説明する。まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち拔いた５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値Ｗ５並びに標準偏差σ５を求める。重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度Ｐ５（％）＝３σ５×１００／Ｗ５
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
ここで、重量厚み法による厚み精度の測定方法を説明する。まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義する。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち拔いた５ｃｍ角シートとする。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値Ｗ５並びに標準偏差σ５を求める。重量厚み精度の算出式は次式とする。
厚み精度Ｐ５（％）＝３σ５×１００／Ｗ５
この測定方法の繰り返し精度は０．２％である。
また、このように作製されたキャリア付銅箔は、極薄銅層において、四探針法で測定した厚みの平均値をＴとし、標準偏差をσＴとしたときの厚み精度：ＰＴ＝３σＴ×１００／Ｔとしたとき、ＰＴが１０．０％以下であるのが好ましい。当該厚み精度ＰＴも、四探針法により求めることができる。すなわち、まず、四探針にて厚み抵抗を測定することでキャリア付銅箔の厚みを求めた後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの厚み抵抗による厚みを測定し、前者と後者との差を極薄銅層の厚みと定義する。厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で５ｍｍ間隔で測定をし、計２８０点の測定点の平均値Ｔ並びに標準偏差σＴを求め、厚み精度：ＰＴ＝３σＴ×１００／Ｔを算出する。２８０点の測定点は１列で採取する必要はなく、キャリア付き銅箔の幅寸法に応じて複数列にわたって採取してもよい。
また、キャリアと、キャリア上に剥離層が積層され、剥離層の上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔は、前記極薄銅層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層からなる群から選択された表面処理層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂などを含む樹脂を好適なものとしてあげることができる。
これらの樹脂を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ），トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃であればよい。
前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔（樹脂付きキャリア付銅箔）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリヤを剥離して極薄銅層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である）、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張り積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。
なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは０．１〜８０μｍであることが好ましい。
樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。
一方、樹脂層の厚みを８０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。
更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。
プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。
従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または／および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。
キャリアとして、厚さ１８μｍの長尺の電解銅箔（ＪＸ日鉱日石金属社製ＪＴＣ）を用いた。この銅箔のシャイニー面に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続ラインで以下の条件で表１〜３に記載の剥離層、極薄銅層の各形成処理を行った。ここで、実施例１〜３、１１〜１２、比較例２は上述の図４で示した実施形態３に係る方式で作製したものであり、実施例４〜１０、１３、比較例３〜４は上述の図２で示した実施形態１に係る方式で作製したものである。また、比較例１は上述の図１で示した従来方式で作製したものである。また、比較例５〜６は、上述の図３で示した実施形態２に係る方式で作製したものである。
（剥離層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ４：１００〜３００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：１．５〜３．５
・電解めっきの浴温：４０〜６０℃
・電解めっきの電流密度：０．５〜１０Ａ／ｄｍ２
・電解めっき時間：３〜１５秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ４：１００〜３００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：１．５〜３．５
・電解めっきの浴温：４０〜６０℃
・電解めっきの電流密度：０．５〜１０Ａ／ｄｍ２
・電解めっき時間：３〜１５秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ４：１００〜３００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：１．５〜３．５
・電解めっきの浴温：４０〜６０℃
・電解めっきの電流密度：０．５〜１０Ａ／ｄｍ２
・電解めっき時間：３〜１５秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（ＮｉＳＯ４：１００〜３００ｇ／Ｌ）
・電解めっき液ｐＨ：１．５〜３．５
・電解めっきの浴温：４０〜６０℃
・電解めっきの電流密度：０．５〜１０Ａ／ｄｍ２
・電解めっき時間：３〜１５秒
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（極薄銅層形成）
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：３０〜１２０ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４：３０〜１００ｇ／Ｌ、Ｃｌ：２０〜７０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４０〜６５℃
・電解めっきの電流密度：１０〜７０Ａ／ｄｍ２
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：３０〜１２０ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４：３０〜１００ｇ／Ｌ、Ｃｌ：２０〜７０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４０〜６５℃
・電解めっきの電流密度：１０〜７０Ａ／ｄｍ２
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ａ）九十九折による運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：銅箔キャリア処理面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：３０〜１２０ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４：３０〜１００ｇ／Ｌ、Ｃｌ：２０〜７０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４０〜６５℃
・電解めっきの電流密度：１０〜７０Ａ／ｄｍ２
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
（Ｂ）ドラムによる運箔方式
・アノード：不溶解性電極
・カソード：直径１００ｃｍドラムに支持された銅箔キャリア表面
・極間距離（表１、３に示す）
・電解めっき液組成（Ｃｕ：３０〜１２０ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４：３０〜１００ｇ／Ｌ、Ｃｌ：２０〜７０ｐｐｍ）
・電解めっきの浴温：４０〜６５℃
・電解めっきの電流密度：１０〜７０Ａ／ｄｍ２
・銅箔キャリア搬送張力：０．０５ｋｇ／ｍｍ
剥離層の形成は、表１、３の「剥離層形成方法」の項目に記載の処理順により行った。すなわち、例えば「Ｎｉ−Ｚｎ／純クロメート」と表記されているものは、まず「Ｎｉ−Ｚｎ」の処理を行った後、「純クロメート」の処理を行ったことを示している。また、当該「剥離層形成方法」の項目において、「Ｎｉ」と表記されているのは純ニッケルめっきを行ったことを意味し、「Ｎｉ−Ｚｎ」と表記されているのはニッケル亜鉛合金めっきを行ったことを意味し、「純クロメート」と表記されているのは純クロメート処理を行ったことを意味し、「Ｎｉ−Ｍｏ」と表記されているのはニッケルモリブデン合金めっきを行ったことを意味し、「Ｍｏ−Ｃｏ」と表記されているのはモリブデンコバルト合金めっきを行ったことを意味し、「亜鉛クロメート」と表記されているのは亜鉛クロメート処理を行ったことを意味し、「ＢＴＡ処理」と表記されているのはベンゾトリアゾールを用いた表面処理を行ったことを意味し、「ＭＢＴ処理」と表記されているのはメルカプトベンゾトリアゾールを用いた表面処理を行ったことを意味する。以下に、各処理条件を示す。なお、各金属の付着量を多くする場合には、電流密度を高めに設定すること、および／または、めっき時間を長めに設定すること、および／または、めっき液中の各元素の濃度を高くすることを行った。また、各金属の付着量を少なくする場合には、電流密度を低めに設定すること、および／または、めっき時間を短めに設定すること、および／または、めっき液中の各元素の濃度を低くすることを行った。また、めっき液等の液組成の残部は水である。
・「Ｎｉ」：ニッケルめっき
（液組成）硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５〜２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
（ｐＨ）４〜６
（液温）５５〜６５℃
（電流密度）１〜１１Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
（液組成）硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５〜２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
（ｐＨ）４〜６
（液温）５５〜６５℃
（電流密度）１〜１１Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
・「Ｎｉ−Ｚｎ」：ニッケル亜鉛合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケル亜鉛合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケル亜鉛合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｍｏ」：ニッケルモリブデン合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にモリブデン酸ナトリウムの形態のモリブデンを添加し、モリブデン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルモリブデン合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にモリブデン酸ナトリウムの形態のモリブデンを添加し、モリブデン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルモリブデン合金めっきを形成した。
・「純クロメート」：純クロメート処理
（液組成）重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛：０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜４、７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電流密度）０．１〜２．６Ａ／ｄｍ２
（クーロン量）０．５〜９０Ａｓ／ｄｍ２
（通電時間）１〜３０秒
（液組成）重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛：０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜４、７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電流密度）０．１〜２．６Ａ／ｄｍ２
（クーロン量）０．５〜９０Ａｓ／ｄｍ２
（通電時間）１〜３０秒
・「亜鉛クロメート」：亜鉛クロメート処理
上記電解純クロメート処理条件において、液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整して亜鉛クロメート処理を行った。
上記電解純クロメート処理条件において、液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整して亜鉛クロメート処理を行った。
・ＢＴＡ処理：ベンゾトリアゾールを用いた表面処理
（液組成）ベンゾトリアゾール：０．１〜２０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜５
（液温）２０〜４０℃
（浸漬時間）５〜３０ｓ
（液組成）ベンゾトリアゾール：０．１〜２０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜５
（液温）２０〜４０℃
（浸漬時間）５〜３０ｓ
・ＭＢＴ処理：メルカプトベンゾチアゾールを用いた表面処理
（液組成）２−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム：０．１〜２０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電圧）１〜５Ｖ
（通電時間）１〜３０秒
（液組成）２−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム：０．１〜２０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電圧）１〜５Ｖ
（通電時間）１〜３０秒
・「Ｍｏ−Ｃｏ」：モリブデンコバルト合金めっき
（液組成）硫酸コバルト：１０〜２００ｇ／Ｌ、モリブデン酸ナトリウム：５〜２００ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム：２〜２４０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜５
（液温）１０〜７０℃
（電流密度）０．５〜１０Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
（液組成）硫酸コバルト：１０〜２００ｇ／Ｌ、モリブデン酸ナトリウム：５〜２００ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム：２〜２４０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜５
（液温）１０〜７０℃
（電流密度）０．５〜１０Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
また、極薄銅層の剥離層と反対側表面の層（接着層）の形成は、表１、３の「接着層形成方法」の項目に記載の処理順により行った。各処理条件を以下に示す。
・「スパッタＮｉ」：スパッタリングによるＮｉめっき
Ｎｉ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてニッケル層を形成した。
ターゲット：Ｎｉ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
Ｎｉ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてニッケル層を形成した。
ターゲット：Ｎｉ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
・「スパッタＣｒ」：スパッタリングによるＣｒめっき
Ｃｒ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてクロム層を形成した。
ターゲット：Ｃｒ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
Ｃｒ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてクロム層を形成した。
ターゲット：Ｃｒ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
・「スパッタＴｉ」：スパッタリングによるＴｉめっき
Ｔｉ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＴｉ層を形成した。
ターゲット：Ｔｉ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
Ｔｉ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＴｉ層を形成した。
ターゲット：Ｔｉ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
・「スパッタＭｏ」：スパッタリングによるＭｏめっき
Ｍｏ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＭｏ層を形成した。
ターゲット：Ｍｏ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
Ｍｏ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＭｏ層を形成した。
ターゲット：Ｍｏ：９９ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
・「スパッタＮｉ−Ｖ」：スパッタリングによるＮｉ−Ｖめっき
Ｎｉ−Ｖ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＮｉ−Ｖ層を形成した。
ターゲット：Ｎｉ：９２ｍａｓｓ％−Ｖ：７ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
Ｎｉ−Ｖ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＮｉ−Ｖ層を形成した。
ターゲット：Ｎｉ：９２ｍａｓｓ％−Ｖ：７ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
・「スパッタＮｉ−Ｍｎ」：スパッタリングによるＮｉ−Ｍｎめっき
Ｎｉ−Ｍｎ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＮｉ−Ｖ層を形成した。
ターゲット：Ｎｉ：７９ｍａｓｓ％−Ｍｎ：２０ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
Ｎｉ−Ｍｎ：９９ｍａｓｓ％の組成のスパッタリングターゲットを用いてＮｉ−Ｖ層を形成した。
ターゲット：Ｎｉ：７９ｍａｓｓ％−Ｍｎ：２０ｍａｓｓ％
装置：株式会社アルバック製のスパッタ装置
出力：ＤＣ５０Ｗ
アルゴン圧力：０．２Ｐａ
・「Ｎｉ」：ニッケルめっき
（液組成）硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５〜２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
（ｐＨ）２〜５
（液温）５５〜６５℃
（電流密度）１〜１１Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
（液組成）硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ、酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ、クエン酸三ナトリウム：１５〜２５ｇ／Ｌ、光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等、ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
（ｐＨ）２〜５
（液温）５５〜６５℃
（電流密度）１〜１１Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
・「Ｃｒ」：クロムめっき
（液組成）ＣｒＯ３：２００〜４００ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４：１．５〜４ｇ／Ｌ
（ｐＨ）１〜４
（液温）４５〜６０℃
（電流密度）１０〜４０Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
（液組成）ＣｒＯ３：２００〜４００ｇ／Ｌ、Ｈ２ＳＯ４：１．５〜４ｇ／Ｌ
（ｐＨ）１〜４
（液温）４５〜６０℃
（電流密度）１０〜４０Ａ／ｄｍ２
（通電時間）１〜２０秒
・「亜鉛クロメート」：亜鉛クロメート処理
上記電解純クロメート処理条件において、液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整して亜鉛クロメート処理を行った。
上記電解純クロメート処理条件において、液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整して亜鉛クロメート処理を行った。
・「純クロメート」：純クロメート処理
（液組成）重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛：０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜４、７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電流密度）０．１〜２．６Ａ／ｄｍ２
（クーロン量）０．５〜９０Ａｓ／ｄｍ２
（通電時間）１〜３０秒
（液組成）重クロム酸カリウム：１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛：０ｇ／Ｌ
（ｐＨ）２〜４、７〜１０
（液温）４０〜６０℃
（電流密度）０．１〜２．６Ａ／ｄｍ２
（クーロン量）０．５〜９０Ａｓ／ｄｍ２
（通電時間）１〜３０秒
・「Ｎｉ−Ｃｏ」：ニッケルコバルト合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸コバルトの形態のコバルトを添加し、コバルト濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルコバルト合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸コバルトの形態のコバルトを添加し、コバルト濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルコバルト合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｍｏ」：ニッケルモリブデン合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にモリブデン酸ナトリウムの形態のモリブデンを添加し、モリブデン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルモリブデン合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にモリブデン酸ナトリウムの形態のモリブデンを添加し、モリブデン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルモリブデン合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｚｎ」：ニッケル亜鉛合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケル亜鉛合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸亜鉛（ＺｎＳＯ４）の形態の亜鉛を添加し、亜鉛濃度：０．０５〜５ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケル亜鉛合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｓｎ」：ニッケルスズ合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にスズ酸ナトリウムの形態のスズを添加し、スズ濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルスズ合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にスズ酸ナトリウムの形態のスズを添加し、スズ濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルスズ合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｗ」：ニッケルタングステン合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にタングステン酸ナトリウム形態のタングステンを添加し、タングステン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルタングステン合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にタングステン酸ナトリウム形態のタングステンを添加し、タングステン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルタングステン合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｆｅ」：ニッケル鉄合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸鉄の形態で鉄を添加し、鉄濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケル鉄合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中に硫酸鉄の形態で鉄を添加し、鉄濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケル鉄合金めっきを形成した。
・「Ｎｉ−Ｐ」：ニッケルリン合金めっき
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にホスホン酸の形態でリンを添加し、リン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルリン合金めっきを形成した。
上記ニッケルめっきの形成条件において、ニッケルめっき液中にホスホン酸の形態でリンを添加し、リン濃度：０．１〜１０ｇ／Ｌの範囲で調整してニッケルリン合金めっきを形成した。
・「粗化処理」
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：４０〜５０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
・クロメート処理
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７
（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７或いはＣｒＯ３）：２〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０℃
電流密度０．０５〜５Ａ／ｄｍ２
時間：５〜３０秒
Ｃｕ：１０〜２０ｇ／Ｌ
Ｃｏ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｎｉ：１〜１０ｇ／Ｌ
Ｚｎ：０〜２０ｇ／Ｌ
ｐＨ：１〜４
温度：４０〜５０℃
電流密度Ｄｋ：２０〜５０Ａ／ｄｍ２
時間：１〜１０秒
・クロメート処理
Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７
（Ｎａ２Ｃｒ２Ｏ７或いはＣｒＯ３）：２〜１０ｇ／Ｌ
ｐＨ：７〜１３
浴温：２０〜８０℃
電流密度０．０５〜５Ａ／ｄｍ２
時間：５〜３０秒
上記のようにして得られた実施例及び比較例のキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
＜極薄銅層の厚み＞
作製したキャリア付銅箔の極薄銅層の厚みは、ＦＩＢ−ＳＩＭを用いて観察した（倍率：１００００〜３００００倍）。極薄銅層の断面を観察することで３０μｍ間隔で５箇所測定し、平均値を求めた。
作製したキャリア付銅箔の極薄銅層の厚みは、ＦＩＢ−ＳＩＭを用いて観察した（倍率：１００００〜３００００倍）。極薄銅層の断面を観察することで３０μｍ間隔で５箇所測定し、平均値を求めた。
＜接着層の金属付着量＞
ニッケル付着量はサンプルを濃度２０質量％の硝酸で溶解してＩＣＰ発光分析によって測定し、モリブデン、チタン、亜鉛、コバルト、バナジウム、錫、マンガン、タングステン、リン、鉄及びクロム付着量はサンプルを濃度７質量％の塩酸にて溶解して、原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。
ニッケル付着量はサンプルを濃度２０質量％の硝酸で溶解してＩＣＰ発光分析によって測定し、モリブデン、チタン、亜鉛、コバルト、バナジウム、錫、マンガン、タングステン、リン、鉄及びクロム付着量はサンプルを濃度７質量％の塩酸にて溶解して、原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ａ＞
まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた５ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ５）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ５×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた５ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ５）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ５×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
＜重量厚み法による厚み精度の評価Ｂ＞
まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ１０）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ１０×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野ロプレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
まず、キャリア付銅箔の重量を測定した後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの重量を測定し、前者と後者との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた１０ｃｍ角シートとした。重量厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で等間隔に５点、長さ方向で３点（４ｃｍ間隔）、計１５点の極薄銅層片の重量厚み測定値の平均値並びに標準偏差（σ１０）を求めた。重量厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σ１０×１００／重量厚み測定値の平均値
この測定方法の繰り返し精度は０．２％であった。
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製ＨＦ−４００を用い、プレス機は、野ロプレス株式会社製ＨＡＰ−１２を用いた。
＜四探針法による厚み精度の評価＞
四探針にて厚み抵抗を測定することでキャリア付銅箔との厚みを求めた後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの厚み抵抗による厚みを測定し、前者と後者との差を極薄銅層の厚みと定義した。厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で５ｍｍ間隔で計２８０点の測定点の平均値並びに標準偏差（σＴ）を求めた。四探針による厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σＴ×１００／平均値
この測定方法の繰り返し精度は１．０％であった。
また、四探針は、ＯＸＦＯＲＤ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製ＣＭＩ−７００を用いた。
四探針にて厚み抵抗を測定することでキャリア付銅箔との厚みを求めた後、極薄銅層を引き剥がし、再度キャリアの厚み抵抗による厚みを測定し、前者と後者との差を極薄銅層の厚みと定義した。厚み精度を調査するため、各水準ともに、幅方向で５ｍｍ間隔で計２８０点の測定点の平均値並びに標準偏差（σＴ）を求めた。四探針による厚み精度の算出式は次式とした。
厚み精度（％）＝３σＴ×１００／平均値
この測定方法の繰り返し精度は１．０％であった。
また、四探針は、ＯＸＦＯＲＤ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製ＣＭＩ−７００を用いた。
＜エッチング性＞
キャリア付銅箔をポリイミド基板に貼り付けて２２０℃で２時間加熱圧着し、その後、極薄銅層をキャリアから剥がした。続いて、ポリイミド基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により５０本のＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ幅の回路を印刷し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
（スプレーエッチング条件）
エッチング液：塩化第二鉄水溶液（ボーメ度：４０度）
液温：６０℃
スプレー圧：２．０ＭＰａ
エッチングを続け、回路トップ幅が４μｍになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅（底辺Ｘの長さ）及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図５に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このＸは回路上方からのＳＥＭ観察により測定し、エッチングファクター（ＥＦ＝ｂ／ａ）を算出した。なお、ａ＝（Ｘ（μｍ）−４（μｍ））／２で計算した。エッチングファクターは回路中の１２点を測定し、平均値をとったものを示す。これにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。また、１２点のエッチングファクターの標準偏差も算出することで、エッチングにより形成した回路の直線性の良し悪しを判定することができる。
本発明では、エッチングファクターが５以上をエッチング性：○、２．５以上５未満をエッチング性：△、２．５未満或いは算出不可または回路形成不可をエッチング性：×、剥離不可をエッチング性：−と評価した。また、エッチングファクターの標準偏差は小さいほど回路の直線性が良好であると云える。エッチングファクターの標準偏差が０．５未満を直線性：○、０．５〜１．０未満を直線性：△、１．０以上を直線性：×と判断した。また、上記樹脂との加熱圧着前の各試料についても、同様にエッチング性を測定しておいた。
キャリア付銅箔をポリイミド基板に貼り付けて２２０℃で２時間加熱圧着し、その後、極薄銅層をキャリアから剥がした。続いて、ポリイミド基板上の極薄銅層表面に、感光性レジストを塗布した後、露光工程により５０本のＬ／Ｓ＝５μｍ／５μｍ幅の回路を印刷し、銅層の不要部分を除去するエッチング処理を以下のスプレーエッチング条件にて行った。
（スプレーエッチング条件）
エッチング液：塩化第二鉄水溶液（ボーメ度：４０度）
液温：６０℃
スプレー圧：２．０ＭＰａ
エッチングを続け、回路トップ幅が４μｍになるまでの時間を測定し、さらにそのときの回路ボトム幅（底辺Ｘの長さ）及びエッチングファクターを評価した。エッチングファクターは、末広がりにエッチングされた場合（ダレが発生した場合）、回路が垂直にエッチングされたと仮定した場合の、銅箔上面からの垂線と樹脂基板との交点からのダレの長さの距離をａとした場合において、このａと銅箔の厚さｂとの比：ｂ／ａを示すものであり、この数値が大きいほど、傾斜角は大きくなり、エッチング残渣が残らず、ダレが小さくなることを意味する。図５に、回路パターンの幅方向の横断面の模式図と、該模式図を用いたエッチングファクターの計算方法の概略とを示す。このＸは回路上方からのＳＥＭ観察により測定し、エッチングファクター（ＥＦ＝ｂ／ａ）を算出した。なお、ａ＝（Ｘ（μｍ）−４（μｍ））／２で計算した。エッチングファクターは回路中の１２点を測定し、平均値をとったものを示す。これにより、エッチング性の良否を簡単に判定できる。また、１２点のエッチングファクターの標準偏差も算出することで、エッチングにより形成した回路の直線性の良し悪しを判定することができる。
本発明では、エッチングファクターが５以上をエッチング性：○、２．５以上５未満をエッチング性：△、２．５未満或いは算出不可または回路形成不可をエッチング性：×、剥離不可をエッチング性：−と評価した。また、エッチングファクターの標準偏差は小さいほど回路の直線性が良好であると云える。エッチングファクターの標準偏差が０．５未満を直線性：○、０．５〜１．０未満を直線性：△、１．０以上を直線性：×と判断した。また、上記樹脂との加熱圧着前の各試料についても、同様にエッチング性を測定しておいた。
＜表面粗さ＞
各キャリア付き銅箔（５５０ｍｍ×５５０ｍｍの正方形）から、５５ｍｍピッチで縦横に直線を引き、一つ当たり５５ｍｍ×５５ｍｍの正方形の領域を１００箇所割り当てた。各領域に対して接触式粗さ測定機（株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃ）を用いて、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠してに準拠して以下の測定条件で極薄銅層の表面粗さ（Ｒｚ）を測定し、平均値を求めた。
（測定条件）
カットオフ：０．２５ｍｍ
基準長さ：０．８ｍｍ
測定環境温度：２３〜２５℃
各キャリア付き銅箔（５５０ｍｍ×５５０ｍｍの正方形）から、５５ｍｍピッチで縦横に直線を引き、一つ当たり５５ｍｍ×５５ｍｍの正方形の領域を１００箇所割り当てた。各領域に対して接触式粗さ測定機（株式会社小阪研究所製接触粗さ計Ｓｕｒｆｃｏｒｄｅｒ ＳＥ−３Ｃ）を用いて、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠してに準拠して以下の測定条件で極薄銅層の表面粗さ（Ｒｚ）を測定し、平均値を求めた。
（測定条件）
カットオフ：０．２５ｍｍ
基準長さ：０．８ｍｍ
測定環境温度：２３〜２５℃
＜ピール強度＞
キャリア付き銅箔の絶縁基板との接着層をＧＨＰＬ−８３０ＭＢＴ（製品名・三菱ガス化学株式会社製）に大気中、２０ｋｇｆ／ｃｍ２、２２０℃×２時間の条件下で圧着を行った後、極薄銅層の厚みが１２μｍになるまで銅めっきでビルドアップした。ロードセルにてビルドアップした極薄銅層を引っ張り、９０°剥離法（ＪＩＳ Ｃ ６４７１ ８．１）に準拠して測定した。
試験条件及び試験結果を表１〜３に示す。
キャリア付き銅箔の絶縁基板との接着層をＧＨＰＬ−８３０ＭＢＴ（製品名・三菱ガス化学株式会社製）に大気中、２０ｋｇｆ／ｃｍ２、２２０℃×２時間の条件下で圧着を行った後、極薄銅層の厚みが１２μｍになるまで銅めっきでビルドアップした。ロードセルにてビルドアップした極薄銅層を引っ張り、９０°剥離法（ＪＩＳ Ｃ ６４７１ ８．１）に準拠して測定した。
試験条件及び試験結果を表１〜３に示す。
（評価結果）
実施例１〜１３は、いずれも重量厚み法で算出した厚み精度：Ｐ１０が３．０％以下であり、極薄銅層の剥離層と反対側の表面において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下であったため、接着性及びエッチング性が良好であった。
比較例１、５は、極薄銅層の箔厚精度が悪かったため、回路の直線性が悪くなった。
比較例２は、極薄銅層表面のＲｚが大きかったため、エッチングファクターが小さくなり、回路の直線性が悪くなった。
比較例３は、接着面中間層の付着量が多かったため、回路の直線性が悪くなった。
比較例４は、接着面のＣｒの付着量が多かったため、回路の直線性が悪くなった。
比較例６は、接着面の処理が存在しないため、極薄銅層と絶縁基板のピール強度が弱かった。
実施例１〜１３は、いずれも重量厚み法で算出した厚み精度：Ｐ１０が３．０％以下であり、極薄銅層の剥離層と反対側の表面において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下であったため、接着性及びエッチング性が良好であった。
比較例１、５は、極薄銅層の箔厚精度が悪かったため、回路の直線性が悪くなった。
比較例２は、極薄銅層表面のＲｚが大きかったため、エッチングファクターが小さくなり、回路の直線性が悪くなった。
比較例３は、接着面中間層の付着量が多かったため、回路の直線性が悪くなった。
比較例４は、接着面のＣｒの付着量が多かったため、回路の直線性が悪くなった。
比較例６は、接着面の処理が存在しないため、極薄銅層と絶縁基板のピール強度が弱かった。
Claims (33)
- キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層と、極薄銅層上に積層された絶縁基板との接着層とを備えたキャリア付銅箔であって、
前記極薄銅層は１０ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ１０とし、標準偏差をσ１０としたときの厚み精度：Ｐ１０＝３σ１０×１００／Ｗ１０としたとき、Ｐ１０が３．０％以下であり、
極薄銅層の絶縁基板との接着層において、接触式粗さ計でＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定した粗さＲｚが１．５μｍ以下を満たすキャリア付銅箔。 - 極薄銅層の絶縁基板との接着層において、Ｒｚが１．０μｍ以下である請求項１に記載のキャリア付き銅箔。
- 極薄銅層の絶縁基板との接着層において、Ｒｚが０．５μｍ以下である請求項２に記載のキャリア付き銅箔。
- 前記極薄銅層は５ｃｍ角シートとして、重量厚み法で算出した重量厚み測定値の平均値をＷ５とし、標準偏差をσ３としたときの厚み精度：Ｐ５＝３σ５×１００／Ｗ５としたとき、Ｐ５が３．０％以下である請求項１〜３のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層は四探針法で測定した厚みの平均値をＴとし、標準偏差をσＴとしたときの厚み精度：ＰＴ＝３σＴ×１００／Ｔとしたとき、ＰＴが１０．０％以下である請求項１〜４のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層の絶縁基板との接着層には、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの単体、またはＮｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含む合金、または酸化物、または水和酸化物が存在する請求項１〜５のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層の絶縁基板との接着層は、極薄銅層表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層、及び、Ｃｒの金属単体、または酸化物、または水和酸化物からなる表層で構成され、表層のＣｒの付着量が１０〜２００μｇ／ｄｍ２であり、
前記中間層が、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒの少なくともいずれか１種を含む請求項１〜６のいずれかに記載のキャリア付銅箔。 - 前記中間層が、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ及びＣｏのいずれか１種の単体で構成され、該中間層には、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ及びＣｏのいずれか１種が１０〜２０００μｇ／ｄｍ２の付着量で存在する請求項７に記載のキャリア付銅箔。
- 前記中間層が、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅの少なくともいずれか２種の合金で構成され、該中間層には、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ及びＣｒのいずれか２種が１０〜２０００μｇ／ｄｍ２の付着量で存在する請求項７に記載のキャリア付銅箔。
- 前記中間層が、Ｎｉと、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｖ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｐ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｒのいずれか１種とからなるＮｉ合金で構成された請求項７に記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層は、キャリア上にニッケルまたはニッケルを含む合金のいずれか１種の層、及びクロム、クロム合金、クロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がこの順で積層されて構成されている請求項１〜１０のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記クロム、クロム合金及びクロムの酸化物のいずれか１種以上を含む層がクロメート処理層を含む請求項１１に記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層は、亜鉛を含む請求項１〜１２のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層は、前記キャリア上にニッケル、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−リン合金、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−モリブデン合金のいずれか１種の層、及び亜鉛クロメート処理層、純クロメート処理層、クロムめっき層のいずれか１種の層がこの順で積層されて構成されている請求項１〜１３のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成された請求項１〜１４のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層は、前記キャリア上に少なくとも窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層、及び、ニッケル層またはニッケルを含む合金層の順で積層されて構成された請求項１〜１５のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層が有機物を厚みで２５ｎｍ以上８０ｎｍ以下含有する請求項１５又は１６に記載のキャリア付銅箔。
- 前記剥離層は、前記キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層および、モリブデン、コバルト、モリブデンコバルト合金、モリブデンニッケル合金のいずれか１種以上を含む層の順で積層されて構成された請求項１〜１７のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアが電解銅箔または圧延銅箔で形成されている請求項１〜１８のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記接着層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層を有する請求項１〜１９のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記接着層上に樹脂層を備える請求項１〜１９のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された１種以上の層の上に樹脂層を備える請求項２０又は２１に記載のキャリア付銅箔。
- 前記樹脂層が接着用樹脂である請求項２１又は２２のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- 前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である請求項２０〜２３のいずれかに記載のキャリア付銅箔。
- ロール・ツウ・ロール搬送方式により長さ方向に搬送される長尺状のキャリアの表面を処理することで、キャリアと、キャリア上に積層された剥離層と、剥離層上に積層された極薄銅層とを備えたキャリア付銅箔を製造する方法であり、
搬送ロールで搬送されるキャリアの表面に剥離層を形成する工程と、
搬送ロールで搬送される前記剥離層が形成されたキャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより前記剥離層表面に極薄銅層を形成する工程と、
を含む請求項１〜２４のいずれかに記載のキャリア付銅箔の製造方法。 - 前記剥離層を形成する工程は、搬送ロールで搬送される前記キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより前記キャリア表面に極薄銅層を形成することで行う請求項２５に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 搬送ロールで搬送される前記キャリアに形成した極薄銅層の剥離層と反対側の表面に、表面処理層を形成する工程をさらに含む請求項２５又は２６に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記極薄銅層の絶縁基板との接着層を形成する工程は、搬送ロールで搬送される前記キャリアをドラムで支持しながら、電解めっきにより前記極薄銅層表面に表面処理層を形成することで行う請求項２７に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 前記極薄銅層の絶縁基板との接着層を形成する工程は、乾式めっきにより前記極薄銅層表面に表面処理層を形成することで行う請求項２７に記載のキャリア付銅箔の製造方法。
- 請求項１〜２４のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント配線板。
- 請求項１〜２４のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造したプリント回路板。
- 請求項１〜２４のいずれかに記載のキャリア付銅箔を用いて製造した銅張積層板。
- 請求項１〜２４のいずれかに記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
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