JP2014197589A - 拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法および太陽電池 - Google Patents
拡散剤組成物、不純物拡散層の形成方法および太陽電池 Download PDFInfo
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Abstract
Description
前記−O−Si−O−結合が下記式で表される2〜3官能性基を有する結合である。
直鎖状のアルキル基としては、炭素数が1〜20であることが好ましく、1〜15であることがより好ましく、1〜10が最も好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デカニル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、イソトリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、イソヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基、ヘンイコシル基、ドコシル基等が挙げられる。
上記アルキル基、アリール基、アルケニル基はそれぞれ置換基を有していてもよく、当該置換基としては、炭素数1〜10のアルキル基もしくはアルコキシ基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数2〜5のアルケニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、ハロゲン原子、炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基、水酸基、カルボニル基、ニトロ基、アミノ基等が挙げられる。
R31Si(OR32)e(OR33)f(OR34)g (3)
R41R42Si(OR43)h(OR44)i (4)
Si(OR21)a(OR22)b(OR23)c(OR24)d (5)
[一般式(3)中、R31は、水素原子又は有機基を表す。R32、R33及びR34は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、アリール基を表す。e、f及びgは、0≦e≦3、0≦f≦3、0≦g≦3であって、かつe+f+g=3の条件を満たす整数である。]
[一般式(4)中、R41及びR42は、水素原子又は有機基を表す。R43及びR44は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、アリール基を表す。h及びiは、0≦h≦2、0≦i≦2であって、かつh+i=2の条件を満たす整数である。]
[一般式(5)中、R21、R22、R23及びR24は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、アリール基を表す。a、b、c及びdは、0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4であって、かつa+b+c+d=4の条件を満たす整数である。]
図1(A)〜図1(D)、および図2(A)〜図2(D)を参照して、半導体基板に上述の拡散剤組成物を塗布により拡散組成物膜を形成、または印刷してパターンを形成する工程と、拡散剤組成物中のリン原子を半導体基板に拡散させる工程と、を含む不純物拡散層の形成方法と、これにより不純物拡散層が形成された半導体基板を備えた太陽電池の製造方法について説明する。図1(A)〜図1(D)、および図2(A)〜図2(D)は、実施形態に係る不純物拡散層の形成方法を含む太陽電池の製造方法を説明するための工程断面図である。
2官能性基を有する結合である−O−Si−O−結合と−P(=O)n−結合[nは1]とを有する不純物拡散成分(A)(ドーパント成分)の原料として、ジフェニルジクロロシラン(信越化学工業製)とリン酸(純正化学製)を用いた。反応容器に回転攪拌羽根を取り付け、リン酸を投入し、系内を不活性ガスで置換した。室温にて攪拌しながらジフェニルジクロロシランを滴下し反応させた。なお、両者の混合比率(モル比)はリン酸:ジフェニルジクロロシラン=2:3(Si−ClとHO−Pが全量反応する比率)とした。
実施例1で用いたジフェニルジクロロシランをジフェニルジエトキシシラン(信越化学工業製)に変更したこと以外は実施例1と同様にドーパント成分を作製した。本実施例では、副生成物はエタノールである。50℃まで加熱しながら減圧処理を実施することによりドーパント成分からエタノールを除去した。重量平均分子量は約500であった。
実施例1で用いたジフェニルジクロロシランをジフェニルジメトキシシラン(信越化学工業製)に変更したこと以外は実施例1と同様にドーパント成分を作製した。本実施例では、副生成物はメタノールである。50℃まで加熱しながら減圧処理を実施することによりドーパント成分からエタノールを除去した。重量平均分子量は約500であった。
実施例1で用いたジフェニルジクロロシランをジメチルジクロロシラン(信越化学工業製)に変更したこと以外は実施例1と同様にドーパント成分を作製した。本実施例では、副生成物は塩化水素である。200℃まで加熱しながら副生成物として発生した塩化水素を十分に脱気した。重量平均分子量は約400であった。
Si−O−P骨格を有するドーパント成分として、リン酸トリストリメチルシリル(東京化成製、分子量314.54)を用いた。これとPPSQ−E(小西化学工業製)とをプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させ、実施例1のサンプル中の珪素/リン比率と合うよう拡散剤組成物を調整した。この溶液を、P型(比抵抗:5〜15Ω・cm)のSi基板に半分の面積が塗布されるよう回転塗布した後、ホットプレートによる乾燥で溶剤を除去し、ドーパント成分を含む単層膜を形成した。
(比較例2)
実施例1で用いたジフェニルジクロロシランをテトラエトキシシラン(信越化学工業製)に変更したこと以外は実施例1と同様にドーパント成分を作製したが、ゲル化してしまいドーパント成分を得ることはできなかった。
Claims (4)
- 半導体基板に、請求項1または2に記載の拡散剤組成物を塗布してパターンを形成するパターン形成工程と、
前記拡散剤組成物中のリン原子を前記半導体基板に拡散させる拡散工程と、
を含むことを特徴とする不純物拡散層の形成方法。 - 半導体基板と請求項3に記載の不純物拡散層の形成方法で形成された不純物拡散層とを含む太陽電池。
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