JP2014185957A - 物理量検出器、変位量測定センサー、及び圧力計 - Google Patents

Abstract

【課題】気密空間の気密漏れを防止させることができる物理量検出器を提供すること。
【解決手段】受圧面２２と、受圧面２２の裏面に配置されている導電層２１とを有するダイアフラム２０と、導電層２１と離間して、導電層２１に対向するように配置されていて互いに異なる電位を有する複数のベース電極３０と、ダイアフラム２０と接続され、ダイアフラム２０とともに気密空間４０を構成するベース部５０と、を備え、複数のベース電極３０は、ベース部５０に固定され、ベース部５０の複数のベース電極３０が固定されている側の面とは異なる面に配置されている外部端子６１に電気的に接続していることを特徴とする物理量検出器。
【選択図】図２

Description

本発明は、物理量検出器、物理量検出器を備えた変位量測定センサー、及び圧力計に関する。

物理量検出器のひとつに、気圧、及び水圧等を測定する静電容量式圧力センサー（以下、「圧力センサー」ともいう）がある。この圧力センサーは、固定電極と、固定電極と離間して互いに対向する位置に設けられた可動電極とを備えている。このような圧力センサーは、可動電極を設けたダイアフラムが圧力によって撓むことによる、可動電極と、固定電極との間の静電容量の変化を検知し、圧力を測定することができる。
圧力センサーの一例として、基台の面上に順次積層された下部電極膜、及び誘電体膜と、対向する位置に薄肉部を備えるとともに、基台の面上に固定された検出片と、薄肉部の少なくとも一部に形成され、且つ下部電極膜と対向する位置関係にある上部電極膜と、を備え、検出片の下面と誘電体膜との間に接合材で構成された気密空間を備えた圧力センサーが開示されている（特許文献１参照）。

開示されている圧力センサーから圧力値を得るためには、上部電極膜と、下部電極膜との間で検知された静電容量を気密空間内から外部に取り出す必要がある。静電容量を取り出すには、上部電極膜と接続された引き出し電極を、接合材の間に挟んで、圧力センサーの端面まで引き出す手段と、下部電極膜と接続された電極を、スルーホール等で基台内から引き出す手段とがあるとしている。

特開２０１２−６３３６３号公報

しかしながら、特許文献１に記載の圧力センサーにおいて、静電容量を圧力センサーから取り出すため、上部電極膜と接続された引き出し電極を接合材の間に挟んで取り出している。引き出し電極は、側断面に凹凸を有しているために、接合材で挟んだ場合に、接合材と、引き出し電極との間に隙間を生じさせるおそれがあった。
気密空間は、このような隙間を生じると、気密を保持できなくなる。このために、上記圧力センサーは、静電容量の検知、及び圧力値を測定できなくなるという課題があった。
また、従来の構造では、接合材は、検出片と、基台とを面で接続しているために、衝撃等で、面内方向に外力が加わった場合に、検出片と、基台とが面内方向に剥離する（ズレる）おそれがあった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる物理量検出器は、受圧面と、前記受圧面の裏面に配置されている導電層とを有するダイアフラムと、前記導電層と離間して、前記導電層に対向するように配置されていて互いに異なる電位を有する複数のベース電極と、前記ダイアフラムと接続され、前記ダイアフラムとともに気密空間を構成するベース部と、を備え、前記複数のベース電極は、前記ベース部に固定され、前記ベース部の前記複数のベース電極が固定されている側の面とは異なる面に配置されている外部端子に電気的に接続していることを特徴とする。

本適用例によれば、物理量検出器は、ダイアフラムに受圧面が設けられ、ダイアフラムの内面に形成された導電層と、異なる電位を有する複数のベース電極とが離間して互いに対向するように配置されている。ダイアフラムの内面と、ベース部とが接続されて構成される気密空間の内部には、ベース部に複数のベース電極が設けられている。ダイアフラムの受圧面に、物理量、例えば圧力が加わると、ダイアフラムが撓み、導電層も付随して変位する。そして、導電層と、複数のベース電極との間隔が変位し、静電容量の変化が生じる。これにより圧力の変動を、静電容量の変化として、取り出すことができる。静電容量の変化は、複数のベース電極により検出され、ベース部を通して取り出せるために、ダイアフラムと、ベース部とにより構成される気密空間の気密性を保持することができる。

また、導電層と、複数のベース電極とが離間して互いに対向するように配置されていることで、物理量検出器に外力が加わってダイアフラムが撓んだ場合に、導電層と、複数のベース電極との接触、及び短絡等を防ぐことができる。また、例えば、ベース部の一部と、ダイアフラムの外周端面とを接合材で覆うように接続して気密空間を構成することで、物理量検出器に外力が加わった場合に、ベース部と、ダイアフラムとの面内方向の剥離に対する補強が行える。従って、気密性と、耐衝撃性とを兼ね備えた物理量検出器を提供することができる。

［適用例２］上記適用例にかかる物理量検出器において、前記気密空間は、真空であることを特徴とする。

本適用例によれば、気密空間は真空であるため、気密空間の内部を一定の状態に保ち、ダイアフラム、及びベース部からの熱の対流、及び伝導等の影響を抑えた静電容量の測定ができる。

［適用例３］上記適用例にかかる物理量検出器において、前記気密空間において、前記ベース部には、電子部品が配置されていることを特徴とする。

本適用例によれば、気密空間側のベース部は、電子部品、例えば半導体等を収容し、導電層と、複数のベース電極との間に生じた静電容量を電子部品に取り込み、静電容量を電気信号等に変換し、出力することが可能となる。

［適用例４］上記適用例にかかる物理量検出器において、前記複数のベース電極は、前記電子部品を介して前記ベース部に固定されていることを特徴とする。

本適用例によれば、ベース部は、電子部品、例えば半導体等を収容し、電子部品上に配置された複数のベース電極と、導電層との間に生じた静電容量を電子部品に取り込み、静電容量を電気信号等に変換し、出力することが可能となる。

［適用例５］上記適用例にかかる物理量検出器において、前記ダイアフラムは、水晶を含むことを特徴とする。

本適用例によれば、ダイアフラムの構成材料を、例えば、水晶を含むことで、経年変化が少なく、機械変形による再現性が高い（ヒステリシスが少ない）。また、ダイアフラムの厚みを厳密に管理することが容易であり、均一な板厚のダイアフラムを得ることができる。

［適用例６］上記適用例にかかる物理量検出器において、前記ダイアフラムの受圧面は、ＡＴカット、ＢＴカット、及びＳＴカットのいずれかの切断角度であることを特徴とする。

本適用例によれば、ダイアフラムの受圧面の構成材料を、例えば、水晶にすることで、周波数測定を行いながら厚み加工を行うことができる。これにより、精度の良い厚みを持った、ダイアフラムを提供することができる。

［適用例７］本適用例にかかる変位量測定センサーは、上記適用例１乃至６のいずれか一項に記載の物理量検出器を備え、物理的な変位を測定することを特徴とする。

本適用例によれば、上記適用例の物理量検出器は、物理的な変位を測定できるため、気密性と、耐衝撃性とを兼ね備えた変位量測定センサーを提供することが可能である。

［適用例８］本適用例にかかる圧力計は、上記適用例１乃至６のいずれか一項に記載の物理量検出器を備え、圧力を測定することを特徴とする。

本適用例によれば、上記適用例の物理量検出器は、圧力を測定できるため、気密性と、耐衝撃性とを兼ね備えた圧力計を提供することが可能となる。

第１実施形態、第２実施形態、及び第３実施形態の物理量検出器の斜視図。 図１のＰ−Ｐ断面における断面図。 （ａ）は、接合材の配置を示す平面図、（ｂ）は、（ａ）のＳ−Ｓ断面における側断面の拡大図。 （ａ），（ｂ）は、図１のＰ−Ｐ断面におけるダイアフラムの動作を示す拡大図。 ベース電極の構成例を示し、（ａ），（ｂ）は、図２のＱ−Ｑ断面における断面図、及びその等価回路図。 ベース電極の変形例１を示し、（ａ），（ｂ）は、図２のＱ−Ｑ断面における断面図、及びその等価回路図。 ベース電極の変形例２を示し、（ａ），（ｂ）は、図２のＱ−Ｑ断面における断面図、及びその等価回路図。 （ａ）は、第２実施形態に係る物理量検出器の図１のＰ−Ｐ断面における断面図、（ｂ）は、（ａ）のＴ−Ｔ断面における断面図。 （ａ）は、第３実施形態に係る物理量検出器の図１のＰ−Ｐ断面における断面図、（ｂ）は、（ａ）のＵ−Ｕ断面における断面図。 電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。 電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。 電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。 移動体の一例としての自動車の構成を示す斜視図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（第１実施形態）
《構成》
まず、図１、及び図２を用いて第１実施形態の物理量検出器の概略構成について説明する。
図１は、第１実施形態の物理量検出器の斜視図であり、図２は、図１のＰ−Ｐ断面における断面図である。

物理量検出器１０は、ベース部５０と、ダイアフラム２０とを含んで構成されている。
ベース部５０は、ベース基板５１と、壁部５２とを含んで構成されている。本実施形態においては、ダイアフラム２０側からベース基板５１を見ることを平面視として説明する。
ベース基板５１は、平面視において略四角形の板状である。壁部５２は、平面視において中央部に貫通部を有した筒状で、ベース基板５１の外周部に沿ってベース基板５１に接続されている。壁部５２には、上端面５３が設けられている。ベース部５０には、ベース基板５１と、壁部５２とによって、凹部５８が構成されている。ベース基板５１の上面（以降、収容面５５という。）には、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）が設けられている。
なお、本実施形態に係るベース電極３１、及びベース電極３２は、互いに異なる電位を有している。

ベース基板５１における収容面５５の反対側の面（以降、実装面５６という。）には、面実装用の複数の外部端子６１が設けられている。ベース電極３１、及びベース電極３２は、スルーホール（図示せず）等で実装面５６の外部端子６１に接続されている。
なお、ベース基板５１の形状は、平面視において略四角形を一例として説明したが、この形状に限定するものではない。ベース基板５１は、板状であればよく、平面視における形状が、例えば、円形や楕円形、あるいは、四角形以外の多角形であってもよい。

ベース部５０を構成しているベース基板５１、壁部５２の材質は、水晶、ガラス、セラミック等の絶縁材料を用いることができる。

ダイアフラム２０は、平面視において略四角形の板状で、ベース部５０の凹部５８を覆う大きさを有している。詳しくは、凹部５８を覆うとともに、ベース部５０の上端面５３に後述する接合材２８で接続するための接合しろ（糊しろ）分を確保した大きさとなっている。換言すれば、ダイアフラム２０は、凹部５８の大きさよりも、一回り大きく形成されている。

ダイアフラム２０の平面視における中央部には、厚み方向に変動可能な薄肉部２３が設けられている。
ダイアフラム２０は、略平坦な内面２６を有し、内面２６と表裏の関係にある外面２５には、所定の幅で薄肉部２３の外周を囲むように、薄肉部２３の厚みより大きな厚みを有する厚肉部２４が設けられている。
また、薄肉部２３の外面２５は受圧面２２となっており、薄肉部２３の内面２６には、ダイアフラム２０の平面視において受圧面２２と重なる大きさの導電層２１が設けられている。

本実施形態において、導電層２１の形状は、平面視において受圧面２２と重なる大きさを一例として説明したが、この形状に限定するものではない。導電層２１は、平面視における形状が、例えば、受圧面２２より小さくてもよい。

本実施形態において、ダイアフラム２０の形状は、平面視において略四角形を一例として説明したが、この形状に限定するものではない。ダイアフラム２０は、板状であればよく、平面視における形状が、例えば、円形や楕円形、あるいは、四角形以外の多角形であってもよい。

導電層２１、ベース電極３１、及びベース電極３２は、下地層としてクロム（Ｃｒ）層が形成されており、その上面に金（Ａｕ）層が形成された構成が用いられている。なお、クロム層、金層は、蒸着法等によって形成することが好適である。

図３（ａ）は、物理量検出器１０における接合材２８の配置を示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＳ−Ｓ断面における側断面の拡大図である。図３（ａ）において、ハッチングで表した部分は、接合材２８の平面的な配置領域を示している。また、ダイアフラム２０の外形、及び形状は、２点鎖線で示している。

接合材２８は、ベース部５０の上端面５３において、ダイアフラム２０の外周に沿った額縁状に設けられている。更に接合材２８の外周端が、平面視においてダイアフラム２０の外形よりも一回り大きい形状となるよう設けられている。また、接合材２８の一部は、ダイアフラム２０の外面２５の外周端面の側壁に設けられている。

図３（ｂ）に示すように、断面視において、ダイアフラム２０の内面２６と、ベース部５０の上端面５３とは、互いに対向して配置され、接合材２８で接続し、気密空間４０を構成している。また、接合材２８は、ダイアフラム２０の外面２５の外周端面と、ベース部５０の上端面５３との接触部を覆うように、ダイアフラム２０の外面２５の外周端面の側壁に連続した形状で、例えば、Ｌ字状（鈎状）に設けられている。

このことから、接合材２８は、ダイアフラム２０の外面２５の外周端面の側壁と、ベース部５０とを接続し、本実施形態の物理量検出器１０に外力が加わった場合に、ダイアフラム２０と、ベース部５０との面内方向の剥離に対する補強が行える。
本実施形態の接合材２８は、低融点ガラス等が用いられている。

上述したように、ダイアフラム２０と、ベース部５０の上端面５３とは、接合材２８によって気密封止され、ダイアフラム２０と、ベース部５０との間に、気密空間４０が構成される。気密空間４０の内部には、ダイアフラム２０の導電層２１と、ベース部５０のベース電極３１、及びベース電極３２とが、離間して互いに対向して配置されている。

気密空間４０は、気密の空間であり、内部圧力を所望の気圧に設定できる。例えば、気密空間４０に窒素を充填し大気圧としたり、真空（通常の大気圧より低い圧力（１×１０⁵Ｐａ〜１×１０^-10Ｐａ以下（ＪＩＳ Ｚ ８１２６−１：１９９９））の気体で満たされた空間の状態）としたりすることで、加熱や冷却による熱の対流、及び伝導等を抑え、気密空間４０を一定の状態に保つことができる。本実施形態の気密空間４０は、真空に設定されているものとする。

導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）とが、離間して互いに対向し、平面視で重なるように配置されることにより、導電層２１と、複数のベース電極３０との間に生じる静電容量を、複数のベース電極３０から検出することができる。
詳しくは、導電層２１とベース電極３１の間に生じる静電容量をベース電極３１が、導電層２１とベース電極３２の間に生じる静電容量をベース電極３２が検出する。例えば、圧力によってダイアフラム２０に変位が生じると、導電層２１と、複数のベース電極３０との間隔も付随して変位する。そのため、導電層２１と、複数のベース電極３０との間の静電容量が変化する。この静電容量を複数のベース電極３０から検出することができる。
複数のベース電極３０が検出した静電容量は、複数のベース電極３０から、ベース基板５１に設けられたスルーホール（図示せず）などの手段で導通接続され、実装面５６の外部端子６１から取り出すことができる。

このような構成とすることにより、物理量検出器１０は、加えられた物理量、例えば圧力によって、導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間隔が変位し、導電層２１と、複数のベース電極３０との間の静電容量の変化として圧力を検出することができる。

ここで、物理量検出器１０の動作について説明する。
図４（ａ）、（ｂ）は、図１のＰ−Ｐ断面におけるダイアフラム２０の動作を示す図であり、加えられた物理量による物理量検出器１０の動作の状態を示している。

物理量検出器１０が真空中に配置されている場合、物理量、例えば外部の圧力（外部の気圧）が受圧面２２に加わっていない状態、言い換えると外部の圧力と、気密空間４０の内部圧力とが釣り合った状態では、図４（ａ）に示すようにダイアフラム２０は、撓んでいない（変形していない）。しかし、物理量検出器１０が大気圧（１標準気圧 １０１３２５Ｐａ）中に配置されている場合、物理量、例えば外部の圧力が受圧面２２に加わっている状態、言い換えると外部の圧力が気密空間４０の内部圧力より高い状態では、図４（ｂ）に示すように、ダイアフラム２０は、内面２６側に差圧分だけ撓む（変形する）。

このように、外部の圧力の変化により、気密空間４０を挟んで互いに対向して配置されたダイアフラム２０と、ベース部５０（図２参照）との間隔が変位する。この間隔の変位によって、導電層２１とベース電極３１、及び導電層２１とベース電極３２、のそれぞれの間隔も変位することから、導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間のそれぞれの静電容量が変化する。この変化した静電容量に基づいて外部の圧力値を算出することが可能となる。

ベース電極３１と、導電層２１との対向する部分の面積がＳ１の時の静電容量（コンデンサー）をＣ１とし、ベース電極３２と、導電層２１との対向する部分の面積がＳ２の時の静電容量（コンデンサー）をＣ２とする。導電層２１と、ベース電極３１、及びベース電極３２との間に生じる静電容量は、下記式で表される。
Ｃ１＝ε・（Ｓ１／ｄ）
Ｃ２＝ε・（Ｓ２／ｄ）
（ε：誘電体の誘電率、ｄ：導電層２１と、導電層２１と対向するベース電極との間隔）

つまり、導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間隔ｄを狭く設定すると、静電容量Ｃ１、及び静電容量Ｃ２が大きくなり、間隔ｄを広く設定すると、静電容量Ｃ１、及び静電容量Ｃ２が小さくなる。あるいは、対向する導電層２１と、複数のベース電極３０との対向面積Ｓ１、及び対向面積Ｓ２を大きくすると、静電容量Ｃ１、及び静電容量Ｃ２が大きくなり、対向面積Ｓ１、及び対向面積Ｓ２を小さくすると、静電容量Ｃ１、及び静電容量Ｃ２が小さくなるという性質を有する。

この物理量検出器１０の静電容量をＣｓとすると、静電容量Ｃｓは、静電容量Ｃ１と、静電容量Ｃ２との合成容量となる。
ここで、物理量検出器１０の静電容量Ｃｓについて、図５（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）は、図２のＱ−Ｑ断面における断面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）の等価回路図である。
図５に示す物理量検出器１０は、ベース電極３１、及びベース電極３２がベース部５０に設けられており、導電層２１（図示せず）と、ベース電極３１との間には、コンデンサーＣ１が形成され、導電層２１（図示せず）と、ベース電極３２との間には、コンデンサーＣ２が形成されている。

物理量検出器１０に生じる静電容量Ｃｓは、コンデンサーＣ１と、コンデンサーＣ２との合成された容量となり、下記式で表わされる。
Ｃｓ＝１／（１／Ｃ１＋１／Ｃ２）

（ベース電極の変形例１）
ベース電極の変形例１について、図６を用いて説明する。図６（ａ）は、図２のＱ−Ｑ断面における断面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）の等価回路図を示している。
図６に示す物理量検出器１０は、図５（ａ）で示したベース電極３１と、ベース電極３２を等分に二分割した、略正方形のベース電極３１、ベース電極３２、ベース電極３３、及びベース電極３４が、ベース部５０に設けられている。また、電位の差を互いに有するベース電極３１、ベース電極３２、ベース電極３３、及びベース電極３４（複数のベース電極３０ともいう）は、互いに導通接続されている。
図６に示すように、導電層２１（図示せず）と、複数のベース電極３０との間には、複数のコンデンサーＣ１ａ、Ｃ２ａ、Ｃ３ａ、Ｃ４ａが形成されている。

物理量検出器１０に生じる静電容量Ｃａは、複数のコンデンサーＣ１ａ、Ｃ２ａ、Ｃ３ａ、Ｃ４ａの合成された容量となり、下記式で表わされる。
Ｃａ＝１／（１／（Ｃ１ａ＋Ｃ３ａ）＋１／（Ｃ２ａ＋Ｃ４ａ））

（ベース電極の変形例２）
ベース電極の変形例２について、図７を用いて説明する。図７（ａ）は、図２のＱ−Ｑ断面における断面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）の等価回路図を示している。
図７に示す物理量検出器１０は、図５（ａ）で示したベース電極３１と、ベース電極３２を短手方向において等分に四分割した、略長方形のベース電極３１、ベース電極３２、ベース電極３３、ベース電極３４、ベース電極３５、ベース電極３６、ベース電極３７、及びベース電極３８が、ベース部５０に設けられている。また、電位の差を互いに有するベース電極３１、ベース電極３２、ベース電極３３、ベース電極３４、ベース電極３５、ベース電極３６、ベース電極３７、及びベース電極３８（複数のベース電極３０ともいう）は、互いに導通接続されている。
図７に示すように、導電層２１（図示せず）と、複数のベース電極３０との間には、複数のコンデンサーＣ１ｂ、Ｃ２ｂ、Ｃ３ｂ、Ｃ４ｂ、Ｃ５ｂ、Ｃ６ｂ、Ｃ７ｂ、Ｃ８ｂが形成されている。

物理量検出器１０に生じる静電容量Ｃｂは、複数のコンデンサーＣ１ｂ、Ｃ２ｂ、Ｃ３ｂ、Ｃ４ｂ、Ｃ５ｂ、Ｃ６ｂ、Ｃ７ｂ、Ｃ８ｂの合成された容量となり、下記式で表わされる。
Ｃｂ＝１／（１／（Ｃ１ｂ＋Ｃ３ｂ＋Ｃ５ｂ＋Ｃ７ｂ）＋１／（Ｃ２ｂ＋Ｃ４ｂ＋Ｃ６ｂ＋Ｃ８ｂ））

このように、物理量検出器１０の複数のベース電極３０の数、及び複数のベース電極３０の面積を変化させたり、例えば、対向する導電層２１の面積を変化させたり（図示せず）することで、複数のベース電極３０と、導電層２１との間に生じる静電容量の調整が行える。
詳しくは、上述したように、導電層２１と、複数のベース電極３０とのそれぞれの対向面積を広くしたり、狭くしたりすることで静電容量を変化させることができる。物理量検出器１０の受圧面２２の感度の調整、及び物理量検出器１０の使用用途に合わせて、導電層２１と、複数のベース電極３０との面積を変化させて、静電容量の調整を行うことができる。

ここで、本実施形態のダイアフラム２０を構成する材料について説明する。ダイアフラム２０を構成する材料としては、水晶材料を使用することが好ましい。水晶は、ダイアフラム２０の薄肉部２３の肉厚を厳密に管理することが容易であり、個片毎に、薄肉部２３が均一な板厚のダイアフラム２０を得ることができる。即ち、ダイアフラム２０を目標の肉厚に加工するためには、まず水晶に対するエッチングによって、ダイアフラム２０を形成する。形成されたダイアフラム２０に電極を付着させて通電し、ダイアフラム２０の薄肉部２３の固有周波数を測定することにより目標周波数（目標肉厚）と比較する。目標周波数と一致しない場合には、目標周波数に達するまで微調エッチングを行う。その結果、個片毎に均一板厚の薄肉部２３を得ることができる。使用する水晶材料としては、厚みすべりモードを有する材料、例えばＡＴカット水晶が好ましい。

上記実施形態に示した如き薄肉部２３を備えたダイアフラム２０を製造する場合には、ウェットエッチングによる方法が好ましい。ガスエッチング等のドライエッチング法によっても製造は可能であるが、生産性を考慮した場合にはウェットエッチングが有効である。この場合、ウェットエッチングによるエッチング速度に対して異方性を有する材料を使用することが好ましい。
このような異方性を有する材料としては、水晶材料、特にＡＴカット水晶を使用することが好ましい。即ち、水晶は、温度変化に対して安定した物質である一方で、ウェットエッチングによるエッチング速度に対して異方性を有しているため、ダイアフラム２０を容易に製造することができる。さらに、ダイアフラム２０を、ＡＴカット水晶等の厚みすべりモードを有する材料にて構成する場合には、異方性による利点に加えて、厚みを周波数換算してモニタリングすることが可能であるため、薄肉部２３を精度良く加工することができる。

また、ダイアフラム２０の構成する材料を上記実施形態の一例として説明したが、この構成に限定するものではない。例えば、金属で枠状に構成された厚肉部２４を用い、上述した薄肉部２３を厚肉部２４の金属枠内に、はめ込み固定する構成であってもよい。

以上述べたように、第１実施形態に係る物理量検出器１０によれば、以下の効果を得ることができる。

第１実施形態によれば、ダイアフラム２０と、ベース部５０（上端面５３）とが、接合材２８によって面接続されている。さらに、ダイアフラム２０の外周端面からダイアフラム２０とベース部５０との接触部まで接合材２８が設けられており、前述の面接続部分の接合材２８と連続している。
このように、接合材２８は、ダイアフラム２０と、ベース部５０との接続を上端面５３、及び外周端面の側壁側から補強し、ダイアフラム２０と、ベース部５０とを気密封止させることができる。換言すれば、気密空間４０の信頼性（気密性）と、耐衝撃性とを両立させた物理量検出器１０を提供することができる。

また、ダイアフラム２０の導電層２１と複数のベース電極３０とが気密空間４０を挟んで互いに対向するように配置されており、物理量検出器１０に物理量、例えば圧力が加わると、ダイアフラム２０（薄肉部２３）が変位し、導電層２１も付随して変位する。このように、物理量が加わると、導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間隔が変位するため、圧力に比例した静電容量の変化が検出できる。

また、静電容量は、複数のベース電極３０（例えば、ベース電極３１、及びベース電極３２）とベース基板５１に設けられたスルーホール（図示せず）などの手段で導通接続された実装面５６の外部端子６１から取り出される。このように、静電容量を気密空間４０、接合材２８、及びダイアフラム２０の導電層２１を介して取り出す必要がない。そのために、ダイアフラム２０と、ベース部５０との間に設けられた接合材２８に隙間は生じず、気密空間４０の保持が可能であり、静電容量の検知、及び圧力値の測定が可能な物理量検出器１０を提供することができる。

また、複数のベース電極３０の数、及び複数のベース電極３０の面積を変化させたり、対向する導電層２１の面積を変化させたりすることで、複数のベース電極３０と、導電層２１との間に生じる静電容量の調整が行える。詳しくは、導電層２１と、複数のベース電極３０とのそれぞれの対向面積を広くしたり、狭くしたりすることで静電容量を変化させることができる。物理量検出器１０の受圧面２２の感度の調整、及び物理量検出器１０の使用用途に伴い、導電層２１と、複数のベース電極３０の面積を変化させて、静電容量の調整を行うことができる。

また、ダイアフラム２０の薄肉部２３の形状が安定しているために、薄肉部２３に形成されている受圧面２２の面積も安定し、付随して動く導電層２１の動作も正確になる。受圧面２２に物理量、例えば圧力が加わった場合には、導電層２１と、互いに対向に配置された複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間の静電容量を正確に検出する物理量検出器１０を提供することができる。

（第２実施形態）
《構成》
まず、図１、及び図８（ａ）、（ｂ）を用いて第２実施形態の物理量検出器の概略構成について説明する。
図１は、第２実施形態の物理量検出器の斜視図であり、図８（ａ）は、図１のＰ−Ｐ断面における断面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＴ−Ｔ断面における断面図である。

本実施形態の物理量検出器１０ａについて説明する。なお、説明にあたり、上述した第１実施形態の構成部位と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。物理量検出器１０ａは、第１実施形態に係る物理量検出器１０に、電子部品４１、及び搭載板６３などを含んで構成されている。
物理量検出器１０ａは、ベース部５０と、ダイアフラム２０とを含んで構成されている。

ベース部５０は、ベース基板５１と、壁部５２とを含んで構成されている。本実施形態においては、ダイアフラム２０側からベース基板５１を見ることを平面視として説明する。
ベース基板５１は、平面視において略四角形の板状である。壁部５２は、平面視において中央部に貫通部を有した筒状であり、なお且つ、貫通部の内壁から中央部に向けて突出した少なくともひとつの階段状の段差部６２を有した構成をしている。壁部５２には、上端面５３が設けられている。

壁部５２は、ベース基板５１の上面の外周部に沿ってベース基板５１に接続されている。ベース部５０には、ベース基板５１と、壁部５２とによって、凹部５８が形成されており、壁部５２に囲まれているベース基板５１の上面（以降、収容面５５という。）には、後述する電子部品４１が設けられている。壁部５２の段差部６２の上面には、収容面５５を覆うように搭載板６３が設けられている。搭載板６３は、平面視において略四角形の板状であり、接着剤などで段差部６２に接続されている。搭載板６３の上面には、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）が設けられている。
なお、本実施形態に係るベース電極３１、及びベース電極３２は、互いに異なる電位を有しているものとして説明する。

ダイアフラム２０と、ベース部５０の上端面５３とは、接合材２８によって気密に接続され、ダイアフラム２０と、ベース部５０との間に、気密空間４０が構成されている。気密空間４０の内部には、ダイアフラム２０の導電層２１と、搭載板６３の複数のベース電極３０とが、離間して互いに対向して配置され、収容面５５に電子部品４１が設けられている。

ベース基板５１における収容面５５の反対側の面（以降、実装面５６という。）には、面実装用の複数の外部端子６１が設けられている。ベース電極３１、及びベース電極３２は、スルーホール（図示せず）や電子部品４１、入力端子４４、出力端子４７等を介して実装面５６の外部端子６１に導通接続されている。

ベース部５０を構成しているベース基板５１、及び壁部５２の材質としては、水晶、ガラス、セラミックなどの絶縁材料を用いることができる。

本実施形態において、搭載板６３の材質は、セラミックなどの絶縁材料を用いることができる。搭載板６３の形状は、平面視において略四角形を一例として説明したが、この形状に限定するものではない。搭載板６３は、板状であればよく、平面視における形状が、例えば、円形や楕円形、あるいは、四角形以外の多角形であってもよい。

本実施形態において、導電層２１、及び複数のベース電極３０の構成は、第１実施形態の導電層２１、複数のベース電極３０の形成方法と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ベース基板５１の平面視における形状は、第１実施形態のベース基板５１の平面視の形状と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ダイアフラム２０の平面視における形状は、第１実施形態のダイアフラム２０の平面視の形状と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ダイアフラム２０の構成は、第１実施形態のダイアフラム２０の構成と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ダイアフラム２０の材料は、第１実施形態のダイアフラム２０の材料と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、接合材２８による接合方法は、第１実施形態の接合材２８による接合方法と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、気密空間４０の内部雰囲気は、第１実施形態の気密空間４０の内部雰囲気と同一であるため説明は省略する。

電子部品４１は、例えば、ベアチップである。電子部品４１の一方の面（表面）は、複数の入力電極４５（入力電極４５ａ、入力電極４５ｂ、及び入力電極４５ｃ）と、複数の出力電極４６（出力電極４６ａ、出力電極４６ｂ、及び出力電極４６ｃ）とが設けられている。電子部品４１の他方の面（裏面）は、ベース基板５１の収容面５５と対向するように接着剤などで接続されている。
ベース基板５１の収容面５５には、複数のベース電極３０から、搭載板６３、壁部５２の段差部６２、及びベース基板５１に設けられたスルーホール（図示せず）などの手段で導通接続された複数の入力端子４４（入力端子４４ａ、入力端子４４ｂ、及び入力端子４４ｃ）と、実装面５６の外部端子６１から、スルーホール（図示せず）などの手段で導通接続された複数の出力端子４７（出力端子４７ａ、出力端子４７ｂ、及び出力端子４７ｃ）とが設けられている。

収容面５５に設けられた複数の入力端子４４、及び複数の出力端子４７と、電子部品４１に設けられた複数の入力電極４５、及び複数の出力電極４６とは、下地層としてクロム（Ｃｒ）層が形成されており、その上面に金（Ａｕ）層が形成された構成が用いられている。なお、クロム層、金層は、蒸着法などによって形成することが好適である。

収容面５５の複数の入力端子４４と、電子部品４１の複数の入力電極４５とは、接続手段であるワイヤー４３で接続されている。詳しくは、入力端子４４ａと入力電極４５ａとが、入力端子４４ｂと入力電極４５ｂとが、入力端子４４ｃと入力電極４５ｃとが、それぞれワイヤー４３で導通接続されている。
複数の出力端子４７と、複数の出力電極４６とは、接続手段であるワイヤー４３で接続されている。詳しくは、出力端子４７ａと出力電極４６ａとが、出力端子４７ｂと出力電極４６ｂとが、出力端子４７ｃと出力電極４６ｃとが、それぞれワイヤー４３で導通接続されている。
なお、ワイヤー４３は、接続手段であり、例えば、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属が用いられたボンディングワイヤーなどを用いるのが好適としている。
本実施形態では、ベース電極３１、ベース電極３２、入力端子４４ａ、入力端子４４ｂ、入力電極４５ａ、入力電極４５ｂ、出力端子４７ａ、及び出力電極４６ａを使用した構成で説明する。

ここで、電子部品４１などを収容面５５に搭載する方法について説明する。収容面５５に設けられている複数の入力端子４４、及び複数の出力端子４７と、電子部品４１と、電子部品４１に設けられている入力電極４５、及び出力電極４６と、ワイヤー４３とは、樹脂４２で覆われている。樹脂４２で覆われた部分は、衝撃、及び温度などの影響を抑制できる。本実施形態において、樹脂４２は、エポキシなどの樹脂材料を用いることができる。本実施形態において、電子部品４１などの搭載方法は、チップオンボード工法を用いるのが好適である。

ここで、物理量検出器１０ａの動作について説明する。
図４（ａ）、（ｂ）は、図１のＰ−Ｐ断面におけるダイアフラム２０の動作を示す拡大図であり、加えられた物理量による物理量検出器１０ａの動作の状態を示している。
本実施形態に係る物理量検出器１０ａの動作は、第１実施形態の物理量検出器１０の動作と同一であるため説明は省略する。

この物理量検出器１０ａの静電容量をＣｓとすると、静電容量Ｃｓは、以下のとおりになる。導電層２１と、ベース電極３１との間の静電容量をＣ１とする。導電層２１と、ベース電極３２との間の静電容量をＣ２とする。静電容量Ｃｓは、静電容量Ｃ１と、静電容量Ｃ２との合成容量となる。
なお、本実施形態に係る物理量検出器１０ａの静電容量Ｃｓは、第１実施形態の物理量検出器１０の静電容量Ｃｓと同一であるため説明は省略する。
また、複数のベース電極３０を用いた静電容量の合成方法は、第１実施形態の物理量検出器１０の変形例１、及び変形例２と同一であるため説明は省略する。

ダイアフラム２０の導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間で検出した静電容量は、収容面５５の複数の入力端子４４（入力端子４４ａ、及び入力端子４４ｂ）、及びワイヤー４３を介して、電子部品４１の複数の入力電極４５（入力電極４５ａ、及び入力電極４５ｂ）に導通接続された電子部品４１に取り込まれる。電子部品４１は、取り込んだ静電容量を、例えば、電圧値などを含んだ数値、及び電気信号に変換する機能を有している。電子部品４１は、取り込んだ静電容量を変換した数値、及び電気信号を出力電極４６ａに出力し、ワイヤー４３、及び出力端子４７ａを介して実装面５６の外部端子６１から取り出すことができる。

以上述べたように、第２実施形態に係る物理量検出器１０ａによれば、第１実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。

第２実施形態によれば、ダイアフラム２０と、ベース部５０との接続は、第１実施形態のダイアフラム２０と、ベース部５０との接続と同一である。従って、ダイアフラム２０と、ベース部５０（上端面５３）とを接合材２８で接続することで、気密空間４０の保持と、耐衝撃性とを兼ね備えた物理量検出器１０ａを提供することができる。

また、第２実施形態によれば、物理量検出器１０ａに物理量、例えば、圧力が加わると、ダイアフラム２０（薄肉部２３）が変位し、導電層２１も付随して変位する。このように、物理量が加わると、導電層２１と、複数のベース電極３０との間隔が変位するため、圧力に比例した静電容量の変化が検出できる。検出した静電容量は、電子部品４１に取り込まれ、数値などに変換される。変換された数値などは、実装面５６の外部端子６１から取り出すことができる。静電容量は、実装面５６の外部端子６１から数値などとして取り出される。そのために、ダイアフラム２０と、ベース部５０との間に設けられた接合材２８との間に隙間は生じず、気密空間４０の保持が可能であり、静電容量の検知、及び圧力値の測定が可能な物理量検出器１０ａを提供することができる。

（第３実施形態）
《構成》
まず、図１、及び図９（ａ）、（ｂ）を用いて第３実施形態の物理量検出器の概略構成について説明する。
図１は、第３実施形態の物理量検出器の斜視図であり、図９（ａ）は、図１のＰ−Ｐ断面における断面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＵ−Ｕ断面における断面図である。

本実施形態の物理量検出器１０ｂについて説明する。なお、説明にあたり、上述した第１実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。物理量検出器１０ｂは、第１実施形態に係る物理量検出器１０に対して、電子部品４８などを含んで構成されている。
物理量検出器１０ｂは、ベース部５０と、ダイアフラム２０とを含んで構成されている。本実施形態において、ベース部５０の構成は、第１実施形態のベース部５０の構成と同一であるため説明は省略する。

本実施形態においては、ダイアフラム２０側からベース基板５１を見ることを平面視として説明する。
ベース基板５１は、平面視において略四角形の板状である。壁部５２は、平面視において中央部に貫通部を有した筒状で、ベース基板５１の外周部に沿ってベース基板５１に接続されている。壁部５２には、上端面５３が設けられている。ベース部５０には、ベース基板５１と、壁部５２とによって、凹部５８が構成されている。また、ベース基板５１の上面（以降、収容面５５という。）には、複数の内部金属膜５９が設けられている。

本実施形態において、ベース基板５１の平面視における形状は、第１実施形態のベース基板５１の平面視の形状と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ベース基板５１の構成は、第１実施形態のベース基板５１の構成と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ダイアフラム２０の平面視における形状は、第１実施形態のダイアフラム２０の平面視の形状と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ダイアフラム２０の構成は、第１実施形態のダイアフラム２０の構成と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、ダイアフラム２０の材料は、第１実施形態のダイアフラム２０の材料と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、接合材２８による接合方法は、第１実施形態の接合材２８による接合方法と同一であるため説明は省略する。

本実施形態において、気密空間４０の構成は、第１実施形態の気密空間４０の構成と同一であるため説明は省略する。

凹部５８には、電子部品４８が設けられており、例えば、ベアチップである電子部品４８を、フリップチップ実装を用いて収容面５５に接続している。
詳しくは、電子部品４８の一方の面（表面）に設けられた複数のパッド部４９と、収容面５５の複数の内部金属膜５９とを対向させ、位置を合わせて導電接続する。これにより、複数の内部金属膜５９と、複数のパッド部４９とは、電気的に接続するとともに、収容面５５に電子部品４８を固定することができる。収容面５５に電子部品４８を固定することで、衝撃による影響が抑制される。

収容面５５に接続されている電子部品４８の一方の面と表裏の関係にある他方の面には、入力電極４５ａ、及び入力電極４５ｂと、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）が設けられている。詳しくは、導電性接着剤などで、ベース電極３１と、入力電極４５ａとが導通接続され、ベース電極３２と、入力電極４５ｂとが、導通接続されている（図示せず）。収容面５５に設けられた複数の内部金属膜５９は、スルーホール（図示せず）などで実装面５６の外部端子６１に接続されている。

なお、本実施形態において、ベース電極３１、及びベース電極３２は、互いに異なる電位を有しているものとして説明する。

本実施形態において、導電層２１、ベース電極３１、及びベース電極３２の構成は、第１実施形態の導電層２１、ベース電極３１、及びベース電極３２の構成と同一であるため説明は省略する。

収容面５５に設けられた内部金属膜５９は、下地層としてクロム（Ｃｒ）層が形成されており、その上面に金（Ａｕ）層が形成された構成が用いられている。なお、クロム層、金層は、蒸着法などによって形成することが好適である。電子部品４８に設けられたパッド部４９は、銅、アルミ、及びはんだボールなどの導電性材料を含む金属突起で形成されている。

ここで、物理量検出器１０ｂの動作について説明する。
図４（ａ）、（ｂ）は、図１のＰ−Ｐ断面におけるダイアフラム２０の動作を示す拡大図であり、加えられた物理量による物理量検出器１０ｂの動作の状態を示している。
本実施形態に係る物理量検出器１０ｂの動作は、第１実施形態の物理量検出器１０の動作と同一であるため説明は省略する。

この物理量検出器１０ｂの静電容量をＣｓとすると、静電容量Ｃｓは、以下のとおりになる。導電層２１と、ベース電極３１との間の静電容量をＣ１とする。導電層２１と、ベース電極３２との間の静電容量をＣ２とする。静電容量Ｃｓは、静電容量Ｃ１と、静電容量Ｃ２との合成容量となる。
本実施形態に係る物理量検出器１０ｂの静電容量Ｃｓは、第１実施形態の物理量検出器１０の静電容量Ｃｓと同一であるため説明は省略する。
なお、複数のベース電極３０を用いた静電容量の合成方法は、第１実施形態の複数のベース電極３０を用いた静電容量の合成方法と同一であるため説明は省略する。

ダイアフラム２０の導電層２１と、複数のベース電極３０（ベース電極３１、及びベース電極３２）との間で検出した静電容量は、複数のベース電極３０と接続された複数の入力電極４５（入力電極４５ａ、及び入力電極４５ｂ）を介して、電子部品４８に取り込まれる。電子部品４８は、取り込んだ静電容量を、例えば電圧値などを含んだ数値に変換する機能を有している。電子部品４８は、取り込んだ静電容量を変換した数値を、スルーホール（図示せず）などを介して、実装面５６の外部端子６１に出力させることができる。

以上述べたように、第３実施形態に係る物理量検出器１０ｂによれば、第１実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。

第３実施形態によれば、ダイアフラム２０と、ベース部５０との接続は、第１実施形態のダイアフラム２０と、ベース部５０との接続と同一である。従って、ダイアフラム２０と、ベース部５０（上端面５３）とを接合材２８で接続することで、気密空間４０の保持と、耐衝撃性とを兼ね備えた物理量検出器１０ｂを提供することができる。

また、第３実施形態によれば、物理量検出器１０ｂに物理量、例えば圧力が加わると、ダイアフラム２０（薄肉部２３）が変位し、導電層２１も付随して変位する。このように、物理量が加わると、導電層２１と、複数のベース電極３０との間隔が変位するため、圧力に比例した静電容量の変化が検出できる。検出した静電容量は、電子部品４８に取り込まれ、数値などに変換される。変換された数値などは、実装面５６の外部端子６１から取り出すことができる。そのために、ダイアフラム２０と、ベース部５０との間に設けられた接合材２８との間に隙間は生じず、気密空間４０の保持が可能であり、静電容量の検知、及び圧力値の測定が可能な物理量検出器１０ｂを提供することができる。

なお、前述した実施形態では使用する水晶材料についてＡＴカットを例に説明したが、これに限らず、ＡＴカットと同様な厚みすべりモードを有する、例えばＢＴカット、あるいは、ＳＴカットのようなＹカット群の水晶であってもよい。

《電子機器の構成》
次に、本発明の一実施形態に係る物理量検出器１０を適用した電子機器の具体例について、図１０〜図１２に基づき、詳細に説明する。なお、説明では、物理量検出器１０を適用した例を示している。

図１０は、本発明の一実施形態に係る物理量検出器１０を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、気圧を検出する機能を備えた物理量検出器１０が内蔵されている。

図１１は、本発明の一実施形態に係る物理量検出器１０を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４、及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、圧力計などとして機能する物理量検出器１０が内蔵されている。

図１２は、本発明の一実施形態に係る物理量検出器１０を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、従来のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、圧力計などとして機能する物理量検出器１０が内蔵されている。

なお、本発明の一実施形態に係る物理量検出器１０は、図１０のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１１の携帯電話機、図１２のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、スマートフォン、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、水位計、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどの電子機器に適用することができる。

以上、本発明のモジュール、及び電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。

《移動体》
図１３は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５０６には本発明の一実施形態に係る物理量検出器１０が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１５０６には、物理量検出器１０を内蔵してタイヤ１５０９などを制御する電子制御ユニット１５０８が車体１５０７に搭載されている。
また、物理量検出器１０は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、などの電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。

１０、１０ａ、１０ｂ…物理量検出器、２０…ダイアフラム、２１…導電層、２２…受圧面、２３…薄肉部、２４…厚肉部、２５…外面、２６…内面、２８…接合材、３０…複数のベース電極、３１〜３８…ベース電極、４０…気密空間、４１…電子部品、４２…樹脂、４３…ワイヤー、４４…複数の入力端子、４４ａ、４４ｂ、４４ｃ…入力端子、４５…複数の入力電極、４５ａ、４５ｂ、４５ｃ…入力電極、４６…複数の出力電極、４６ａ、４６ｂ、４６ｃ…出力電極、４７…複数の出力端子、４７ａ、４７ｂ、４７ｃ…出力端子、４８…電子部品、４９…複数のパッド部、５０…ベース部、５１…ベース基板、５２…壁部、５３…上端面、５５…収容面、５６…実装面、５８…凹部、５９…内部金属膜、６１…外部端子、６２…段差部、６３…搭載板、１１００…パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５０６…自動車。

Claims (8)

1. 受圧面と、前記受圧面の裏面に配置されている導電層とを有するダイアフラムと、
   前記導電層と離間して、前記導電層に対向するように配置されていて互いに異なる電位を有する複数のベース電極と、
   前記ダイアフラムと接続され、前記ダイアフラムとともに気密空間を構成するベース部と、を備え、
   前記複数のベース電極は、前記ベース部に固定され、前記ベース部の前記複数のベース電極が固定されている側の面とは異なる面に配置されている外部端子に電気的に接続していることを特徴とする物理量検出器。
2. 前記気密空間は、真空であることを特徴とする請求項１に記載の物理量検出器。
3. 前記気密空間側の前記ベース部には、電子部品が配置されていることを特徴とする請求項１、または２に記載の物理量検出器。
4. 前記複数のベース電極は、前記電子部品を介して前記ベース部に固定されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の物理量検出器。
5. 前記ダイアフラムは、水晶を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の物理量検出器。
6. 前記ダイアフラムの受圧面は、ＡＴカット、ＢＴカット、及びＳＴカットのいずれかの切断角度であることを特徴とする請求項５に記載の物理量検出器。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の物理量検出器を備え、物理的な変位を測定することを特徴とする変位量測定センサー。
8. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の物理量検出器を備え、圧力を測定することを特徴とする圧力計。

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