JP2014178805A - 入力装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1及び第2のポリイミド層を有したポリイミド積層体を支持基板として用い、この支持基板の片側に入力位置検出用電極を備えた検出電極付き基板を用いて入力装置を製造する際、透明接着層を介して、表示装置上に検出電極付き基板を接着させた後、又は、検出電極付き基板を透明保護板に貼り合せた上で、透明接着層を介して表示装置上に検出電極付き基板を接着させる前に、第1のポリイミド層10と第2のポリイミド層20との界面を利用して、第2のポリイミド層を分離して取り除き、支持基板を薄肉化する入力装置の製造方法である。
【選択図】図1
Description
・DMAc:N,N−ジメチルアセトアミド
・PDA:1,4−フェニレンジアミン
・TFMB:2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’−ジアミノビフェニル
・DADMB:4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビフェニル
・1,3−BAB:1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン
・BPDA:3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
・6FDA:2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物
・PMDA:ピロメリット酸二無水物
ブルカー社製の原子間力顕微鏡(AFM)「Multi Mode8」を用いて表面観察をタッピングモードで行った。10μm角の視野観察を4回行い、それらの平均値を求めた。表面粗さ(Ra)は、算術平均粗さ(JIS B0601-1991)を表す。
東洋精機製作所社製ストログラフR−1を用いて、ポリイミド積層体を幅10mmの短冊状に切断したサンプルにおける第1のポリイミド層と第2のポリイミド層における界面について、T字剥離試験法によるピール強度を測定することにより評価した。
第1のポリイミド層からなるポリイミドフィルム(50mm×50mm)について、U4000形分光光度計を使って440nmから780nmにおける光透過率の平均値を求めた。
第1又は第2のポリイミド層からなるポリイミドフィルムのガラス転移温度を次のようにして測定した。粘弾性アナライザ(レオメトリックサイエンスエフィー株式会社製RSA−II)を使って、10mm幅のサンプルを用いて、1Hzの振動を与えながら、室温から400℃まで10℃/分の速度で昇温した際の、損失正接(Tanδ)の極大から求めた。
第1又は第2のポリイミド層からなるポリイミドフィルムを3mm×15mmのサイズに切り出し、熱機械分析(TMA)装置にて5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度(20℃/min)で30℃から260℃の温度範囲で引張り試験を行い、温度に対するポリイミドフィルムの伸び量から熱膨張係数(×10-6/K)を測定した。
窒素気流下で、300mlのセパラブルフラスコの中で攪拌しながらPDA8.00gを溶剤DMAcに溶解させた。次いで、この溶液BPDA22.00gを加えた。その後、溶液を室温で5時間攪拌を続けて重合反応を行い、一昼夜保持した。粘稠なポリアミド酸溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸Aが生成されていることが確認された。
窒素気流下で、300mlのセパラブルフラスコの中で攪拌しながらTFMB12.08gを溶剤DMAcに溶解させた。次いで、この溶液にPMDA6.20gと6FDA4.21gを加えた。その後、溶液を室温で5時間攪拌を続けて重合反応を行い、一昼夜保持した。粘稠なポリアミド酸溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸Bが生成されていることが確認された。
窒素気流下で、300mlのセパラブルフラスコの中で攪拌しながらTFMB13.30gを溶剤DMAcに溶解させた。次いで、この溶液にPMDA9.20gを加えた。その後、溶液を室温で5時間攪拌を続けて重合反応を行い、一昼夜保持した。粘稠なポリアミド酸溶液が得られ、高重合度のポリアミド酸Cが生成されていることが確認された。
厚み18μmの電解銅箔上に、合成例1で得たポリアミド酸Aの樹脂溶液を塗布した後、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約4℃/分の昇温速度で熱処理することでイミド化し、厚み25μmの第2のポリイミド層(表面粗さRa=1.3nm、Tg=355℃)を有する銅張積層板(熱膨張係数18×10-6/K)を得た。
第2のポリイミド層として厚さ125μmのポリイミドフィルム(カプトンH、東レ・デュポン株式会社製:表面粗さRa=70nm、Tg=428℃、熱膨張係数28.5ppm/K)を使用し、この上に合成例2で得たポリアミド酸Bの樹脂溶液を硬化後の厚みが25μmとなるように均一に塗布し、その後、130℃で加熱乾燥することで樹脂溶液中の溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約20℃/分の昇温速度で熱処理しポリアミド酸をイミド化させて第1のポリイミド層を形成し、第1及び第2のポリイミド層を有するポリイミド積層体IIを得た。得られたポリイミド積層体IIにおける第1及び第2のポリイミド層での界面における剥離強度、得られた透明ポリイミドフィルム(第1のポリイミド層)の透過率、及び熱膨張係数を測定した。結果を表1に示す。
第2のポリイミド層として厚さ25μmのポリイミドフィルム(ユーピレックスS、宇部興産株式会社製:表面粗さRa=15nm、Tg=359℃、熱膨張係数12.5ppm/K)を使用し、この上に合成例3で得たポリアミド酸Cの樹脂溶液を硬化後の厚みが25μmとなるように均一に塗布し、その後、130℃で加熱乾燥することで樹脂溶液中の溶剤を除去した。次に、160℃から360℃まで約20℃/分の昇温速度で熱処理しポリアミド酸をイミド化させて第1のポリイミド層を形成し、第1及び第2のポリイミド層を有するポリイミド積層体IIIを得た。得られたポリイミド積層体IIIにおける第1及び第2のポリイミド層での界面における剥離強度、得られた透明ポリイミドフィルム(第1のポリイミド層)の透過率、及び熱膨張係数を測定した。結果を表1に示す。
製造直後のポリイミド積層体I〜IIIにつき、第1及び第2のポリイミド層の界面を利用して、各ポリイミド層を人手により分離し、分離の容易性を確認したところ、いずれの積層体についても分離されるポリイミド層にダメージを与えることなく容易に分離することができ、良好な剥離性を示した。
10 第1のポリイミド層
20 第2のポリイミド層
31 第1電極の配線
32 第2電極の配線
41 第1電極の外部との接続端子
42 第2電極の外部との接続端子
51 第1電極
52 第2電極
61 第1電極の配線部
62 第2電極の配線部
70 タッチパネル
80 第1の絶縁層(層間絶縁膜)
81 第2の絶縁層
90 コンタクトホール
100 透明接着層
200 透明保護板
Claims (7)
- 支持基板の片側に入力位置検出用電極を備えた検出電極付き基板を用いて、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示装置上に配される静電容量結合方式の入力装置を製造する方法であって、
前記支持基板が、入力位置検出用電極側に位置する第1のポリイミド層と、この第1のポリイミド層の背面側に位置する第2のポリイミド層とを有したポリイミド積層体からなり、
i)透明接着層を介して、表示装置上に検出電極付き基板の入力位置検出用電極側を接着させた後、又は、ii)検出電極付き基板の入力位置検出用電極側に透明保護板を貼り合せた上で、透明接着層を介して表示装置上に検出電極付き基板の支持基板側を接着させる前に、支持基板における第1のポリイミド層と第2のポリイミド層との界面を利用して、第2のポリイミド層を分離して取り除き、支持基板を薄肉化することを特徴とする入力装置の製造方法。 - 検出電極付き基板における入力位置検出用電極が、支持基板の片側にパターニングされた透明導電膜をアニール処理して得られたものである請求項1に記載の入力装置の製造方法。
- 第1及び第2のポリイミド層の界面での接着強度が1N/m以上500N/m以下である請求項1又は2に記載の入力装置の製造方法。
- 第1のポリイミド層が含フッ素ポリイミドからなり、440nmから780nmの波長領域での透過率が70%以上である請求項1〜3のいずれかに記載の入力装置の製造方法。
- 第1のポリイミド層の熱膨張係数が25ppm/K以下である請求項4に記載の入力装置の製造方法。
- 第1及び第2のポリイミド層の界面を形成する第2のポリイミド層の表面は、表面粗さ(Ra)が100nm以下であると共に、ガラス転移温度(Tg)が300℃以上の耐熱性ポリイミド面を有する請求項1〜5のいずれかに記載の入力装置の製造方法。
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