JP2014178212A - Semiconductor testing device and semiconductor testing method - Google Patents

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良樹 冨上
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor testing device capable of preventing a surface of an electrode from being damaged without using a probe having a special structure.SOLUTION: The semiconductor testing device tests a semiconductor element by energizing the semiconductor element via a probe, an anisotropic conductive member and an electrode, in a state where a tip of the probe is in contact with the surface of the anisotropic conductive member attached to the surface of the electrode of the semiconductor element.

Description

本発明は、半導体試験装置および半導体の試験方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method.

従来、尖った形状の先端部を有するプローブを備えた半導体試験装置が知られている。このような従来の半導体試験装置は、試験対象の半導体素子の電極の表面にプローブの尖った形状の先端部を接触(点接触)させた状態で、プローブおよび電極を介して半導体素子に通電し、半導体素子の電気特性を測定することにより、半導体素子の試験を行うように構成されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor test apparatus including a probe having a pointed tip is known. In such a conventional semiconductor test apparatus, the semiconductor element is energized through the probe and the electrode while the tip of the probe is in contact (point contact) with the surface of the electrode of the semiconductor element to be tested. The semiconductor device is tested by measuring the electrical characteristics of the semiconductor device.

しかしながら、上記のような従来の半導体試験装置では、試験対象の半導体素子の電極の表面にプローブの尖った形状の先端部が接触(点接触)するため、電極の表面にプローブによる傷がつきやすいという不都合がある。   However, in the conventional semiconductor test apparatus as described above, since the tip of the probe having a pointed shape contacts the surface of the electrode of the semiconductor element to be tested (point contact), the electrode surface is easily damaged by the probe. There is an inconvenience.

そこで、上記のような不都合を解消するために、従来、試験対象の半導体素子の電極の表面にプローブによる傷がつくのを抑制することが可能なプローブ端子が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   Therefore, in order to eliminate the inconveniences as described above, probe terminals that can suppress the surface of the electrode of the semiconductor element to be tested from being damaged by the probe have been proposed (for example, Patent Documents). 1).

特許文献1には、試験対象の半導体素子の電極の表面に面接触するように構成された先端部を有するプローブ端子が開示されている。このプローブ端子によれば、試験対象の半導体素子の電極の表面にプローブ端子の先端部が点接触せずに面接触するので、電極の表面にプローブ端子による傷がつくのが抑制される。   Patent Document 1 discloses a probe terminal having a tip portion configured to be in surface contact with the surface of an electrode of a semiconductor element to be tested. According to this probe terminal, since the tip of the probe terminal is in surface contact with the surface of the electrode of the semiconductor element to be tested without point contact, the surface of the electrode is suppressed from being damaged by the probe terminal.

しかしながら、特許文献1に開示された構成では、試験対象の半導体素子の電極の表面に傷がつくのを抑制するために、電極の表面に面接触するような特別な構造のプローブが用いられているため、プローブの構造が複雑化するという問題点がある。   However, in the configuration disclosed in Patent Document 1, a probe having a special structure that makes surface contact with the surface of the electrode is used in order to prevent the surface of the electrode of the semiconductor element to be tested from being damaged. Therefore, there is a problem that the structure of the probe is complicated.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、特別な構造のプローブを用いることなく、電極の表面に傷がつくのを抑制することが可能な半導体試験装置および半導体の試験方法を提供することである。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and one object of the present invention is to suppress damage to the electrode surface without using a probe having a special structure. It is an object to provide a semiconductor test apparatus and a semiconductor test method capable of satisfying the requirements.

上記目的を達成するために、本発明による半導体試験装置は、電極を有する半導体素子の試験を行う半導体試験装置であって、尖った形状の先端部を有するプローブと、半導体素子の電極の表面に異方導電性を有する部材を貼付する貼付手段とを備え、半導体素子の電極の表面に貼付された異方導電性を有する部材の表面にプローブの先端部を接触させた状態で、プローブ、異方導電性を有する部材および電極を介して半導体素子に通電することにより、半導体素子の試験を行うように構成されている。   In order to achieve the above object, a semiconductor test apparatus according to the present invention is a semiconductor test apparatus for testing a semiconductor element having an electrode, and has a probe having a pointed tip and a surface of the electrode of the semiconductor element. A sticking means for sticking a member having anisotropic conductivity, and the probe, foreign material, with the tip of the probe in contact with the surface of the member having anisotropic conductivity attached to the surface of the electrode of the semiconductor element. The semiconductor element is tested by energizing the semiconductor element through a member having electrode conductivity and an electrode.

本発明では、上記のように構成することによって、特別な構造のプローブを用いることなく、電極の表面に傷がつくのを抑制することができる。   In the present invention, it is possible to suppress the surface of the electrode from being damaged without using a probe having a special structure.

図1は、本実施形態による半導体試験装置の全体構成を概略的に示した図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing the overall configuration of the semiconductor test apparatus according to the present embodiment. 図2は、本実施形態による半導体試験装置による試験の対象となる半導体素子の上面図である。FIG. 2 is a top view of a semiconductor element to be tested by the semiconductor test apparatus according to the present embodiment. 図3は、本実施形態による半導体試験装置を用いた半導体の試験方法を説明するための模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining a semiconductor test method using the semiconductor test apparatus according to the present embodiment. 図4は、本実施形態による半導体試験装置を用いた半導体の試験方法を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a semiconductor test method using the semiconductor test apparatus according to the present embodiment.

以下、実施形態を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.

まず、図1〜図4を参照して、本実施形態による半導体試験装置100の構成について説明する。この半導体試験装置100は、LSI(Large Scale Integration)などの半導体デバイスに通電することにより、半導体デバイスが正常に動作するか否かの試験を行う装置である。   First, the configuration of the semiconductor test apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. The semiconductor test apparatus 100 is an apparatus that tests whether a semiconductor device operates normally by energizing a semiconductor device such as an LSI (Large Scale Integration).

図1に示すように、半導体素子200(図2参照)の試験を行うための試験部10と、試験対象の半導体素子200に対して後述する弾性部材50(図3および図4参照)を貼付するための貼付部20とを備える。なお、貼付部20は、「貼付手段」の一例である。   As shown in FIG. 1, a test unit 10 for testing a semiconductor element 200 (see FIG. 2) and an elastic member 50 (see FIGS. 3 and 4) to be described later are attached to the semiconductor element 200 to be tested. And a sticking part 20 for doing this. The pasting unit 20 is an example of a “pasting means”.

また、図1に示すように、試験部10は、試験対象の半導体素子200(図2参照)が載置される載置部1と、尖った形状の先端部2aを有するプローブ2を含むプローブカード3とを備える。プローブ2は、半導体素子200の後述する複数の電極パッド202(図2参照)にそれぞれ対応するように複数設けられている。また、半導体試験装置100は、PC(Personal Computer)などの制御装置300に接続されている。これにより、半導体試験装置100は、制御装置300からの制御命令に基づいて動作するように構成されている。   As shown in FIG. 1, the test unit 10 includes a probe 1 including a mounting unit 1 on which a semiconductor element 200 (see FIG. 2) to be tested is mounted and a pointed tip 2 a. Card 3. A plurality of probes 2 are provided so as to respectively correspond to a plurality of electrode pads 202 (see FIG. 2) described later of the semiconductor element 200. The semiconductor test apparatus 100 is connected to a control apparatus 300 such as a PC (Personal Computer). Thereby, the semiconductor test apparatus 100 is configured to operate based on the control command from the control apparatus 300.

また、図2に示すように、半導体素子200は、シリコン基板201と、シリコン基板201の表面に形成された金属製の電極パッド202とを備える。電極パッド202は、シリコン基板201の表面に間隔を隔てて複数形成されている。なお、電極パッド202は、「電極」の一例である。   As shown in FIG. 2, the semiconductor element 200 includes a silicon substrate 201 and a metal electrode pad 202 formed on the surface of the silicon substrate 201. A plurality of electrode pads 202 are formed on the surface of the silicon substrate 201 at intervals. The electrode pad 202 is an example of an “electrode”.

ここで、本実施形態では、図3に示すように、半導体試験装置100は、半導体試験装置100の試験を行う際に、まず、貼付部20を用いて、半導体素子200の電極パッド202の表面に、異方導電性を有する弾性部材50を貼付するように構成されている。この弾性部材50は、複数の導電性粒子50aを含む異方導電性フィルムや異方導電性ペーストなどの接着材により構成されている。なお、弾性部材50の厚みD1は、電極パッド202の厚みD2よりも大きい。導電性粒子50aは、一例として、ニッケル層、金メッキ層および絶縁層がこの順番で内側から外側に重なった構造を有する。また、プローブ2による押圧のスケールとの関係を考慮すると、半導体素子200の試験に適した導電性粒子50aの直径(粒径)は、約5μm以下である。   Here, in this embodiment, as shown in FIG. 3, when the semiconductor test apparatus 100 performs a test of the semiconductor test apparatus 100, first, the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200 is used by using the pasting portion 20. Further, the elastic member 50 having anisotropic conductivity is attached. The elastic member 50 is made of an adhesive such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste including a plurality of conductive particles 50a. The thickness D1 of the elastic member 50 is greater than the thickness D2 of the electrode pad 202. As an example, the conductive particles 50a have a structure in which a nickel layer, a gold plating layer, and an insulating layer overlap in this order from the inside to the outside. In consideration of the relationship with the scale of pressing by the probe 2, the diameter (particle diameter) of the conductive particles 50 a suitable for the test of the semiconductor element 200 is about 5 μm or less.

また、本実施形態では、図4に示すように、半導体試験装置100は、上記のように電極パッド202の表面に弾性部材50を貼付した後に、試験部10のプローブカード3を半導体素子200に近づく方向に移動させ、プローブ2の先端部2aを弾性部材50の表面に接触させるように構成されている。これにより、プローブ2の先端部2aによって弾性部材50が押圧され、電極パッド202とプローブ2とが、弾性部材50の押圧された部分に含まれる導電性粒子50a(図4の黒丸参照)を介して互いに電気的に接続される。なお、弾性部材50の押圧されていない部分に含まれる導電性粒子50a(図4の白丸参照)は、電極パッド202とプローブ2との間の導通に寄与しない。   In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the semiconductor test apparatus 100 attaches the elastic member 50 to the surface of the electrode pad 202 as described above, and then attaches the probe card 3 of the test unit 10 to the semiconductor element 200. The tip 2a of the probe 2 is configured to contact the surface of the elastic member 50 by moving in the approaching direction. As a result, the elastic member 50 is pressed by the distal end portion 2a of the probe 2, and the electrode pad 202 and the probe 2 are interposed via the conductive particles 50a included in the pressed portion of the elastic member 50 (see the black circle in FIG. 4). Are electrically connected to each other. Note that the conductive particles 50 a (see white circles in FIG. 4) included in the portion where the elastic member 50 is not pressed do not contribute to conduction between the electrode pad 202 and the probe 2.

また、本実施形態では、半導体試験装置100は、上記のように弾性部材50の表面にプローブ2の先端部2aを接触させた状態で、プローブ2、弾性部材50および電極パッド202を介して半導体素子200に通電することにより、半導体素子200が正常に動作するか否かの試験を行うように構成されている。なお、半導体試験装置100は、上記のような通電を行うための通電手段や、制御装置300との間で通信を行うための通信手段なども備える。   Further, in the present embodiment, the semiconductor test apparatus 100 is configured such that the semiconductor 2 is interposed between the probe 2, the elastic member 50, and the electrode pad 202 with the tip 2 a of the probe 2 being in contact with the surface of the elastic member 50 as described above. By energizing the element 200, the semiconductor element 200 is configured to test whether or not it operates normally. The semiconductor test apparatus 100 also includes an energizing unit for energizing as described above, a communication unit for communicating with the control apparatus 300, and the like.

次に、図1、図3および図4を参照して、本実施形態による半導体試験装置100を用いた半導体の試験方法について説明する。   Next, a semiconductor test method using the semiconductor test apparatus 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、図1に示すように、試験部10の載置部1に、電極パッド202を有する半導体素子200を載置する。この状態において、プローブカード3のプローブ2の先端部2aは、半導体素子200の電極パッド202に接触していない。   First, as shown in FIG. 1, the semiconductor element 200 having the electrode pad 202 is placed on the placement unit 1 of the test unit 10. In this state, the tip 2 a of the probe 2 of the probe card 3 is not in contact with the electrode pad 202 of the semiconductor element 200.

次に、図3に示すように、試験部10の貼付部20を用いて、半導体素子200の電極パッド202の上面に、複数の導電性粒子50aを含む異方導電性フィルムや異方導電性ペーストなどの接着材からなる弾性部材50を貼付する。この状態において、試験部10のプローブカード3のプローブ2の先端部2aは、半導体素子200の電極パッド202の表面に貼付された弾性部材50の表面に接触していない。   Next, as shown in FIG. 3, an anisotropic conductive film or anisotropic conductive film including a plurality of conductive particles 50 a is formed on the upper surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200 using the pasting portion 20 of the test portion 10. An elastic member 50 made of an adhesive such as a paste is attached. In this state, the tip 2 a of the probe 2 of the probe card 3 of the test unit 10 is not in contact with the surface of the elastic member 50 attached to the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200.

次に、図4に示すように、試験部10のプローブカード3を半導体素子200に近づく方向に移動させて、プローブカード3のプローブ2の先端部2aを、半導体素子200の電極パッド202の表面に貼付された弾性部材50の表面に接触させる。これにより、プローブ2は、プローブカード3と弾性部材50との間で撓んだ状態となる。その結果、プローブ2の先端部2aにより弾性部材50が押圧され、電極パッド202とプローブ2とが、弾性部材50の押圧された部分に含まれる導電性粒子50a(図4の黒丸参照)を介して互いに電気的に接続される。   Next, as shown in FIG. 4, the probe card 3 of the test unit 10 is moved in a direction approaching the semiconductor element 200, and the tip 2 a of the probe 2 of the probe card 3 is moved to the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200. It is made to contact with the surface of the elastic member 50 affixed to. As a result, the probe 2 is bent between the probe card 3 and the elastic member 50. As a result, the elastic member 50 is pressed by the distal end portion 2a of the probe 2, and the electrode pad 202 and the probe 2 are interposed via the conductive particles 50a included in the pressed portion of the elastic member 50 (see the black circle in FIG. 4). Are electrically connected to each other.

そして、弾性部材50の表面にプローブ2の先端部2aを接触させた状態(図4参照)で、プローブ2、弾性部材50および電極パッド202を介して半導体素子200に通電する。これにより、半導体素子200の電気特性が測定され、半導体素子200が正常に動作するか否かが判断される。   Then, the semiconductor element 200 is energized through the probe 2, the elastic member 50, and the electrode pad 202 with the tip 2 a of the probe 2 in contact with the surface of the elastic member 50 (see FIG. 4). Thereby, the electrical characteristics of the semiconductor element 200 are measured, and it is determined whether or not the semiconductor element 200 operates normally.

以上のようにして、半導体素子200の試験が行われる。   The test of the semiconductor element 200 is performed as described above.

ここで、異方導電性を有する弾性部材50を半導体素子200の電極パッド202の表面に貼付する方法(貼付方法)の一例について説明する。   Here, an example of a method (sticking method) for sticking the elastic member 50 having anisotropic conductivity to the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200 will be described.

まず、ベースフィルム上に異方導電性膜層(弾性部材50を構成する層)が貼付されたテープを、貼付に必要な長さだけ引き出して切断する。そして、切断したテープを所定の貼付場所(半導体素子200の電極パッド202の表面)に移動させる。そして、所定の圧着部材(テープ全体を一括して圧着することが可能な部材)を用いて、電極パッド202の表面にテープを押し付けて貼付する。そして、電極パッド202の表面に貼付されたテープから、ベースフィルムを剥離する。これにより、電極パッド202の表面に、弾性部材50を構成する異方導電性膜層が貼付された状態となる。   First, a tape having an anisotropic conductive film layer (layer constituting the elastic member 50) affixed on the base film is drawn out and cut by a length necessary for the affixing. And the cut | disconnected tape is moved to a predetermined sticking place (the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200). Then, the tape is pressed and pasted to the surface of the electrode pad 202 using a predetermined crimping member (a member capable of crimping the entire tape at once). Then, the base film is peeled from the tape attached to the surface of the electrode pad 202. As a result, the anisotropic conductive film layer constituting the elastic member 50 is attached to the surface of the electrode pad 202.

なお、上記工程においては、異方導電性膜層(弾性部材50)に含まれる導電性粒子50aの直径(粒径)や、異方導電性膜層中の導電性粒子50aの密度などを小さく設定したり、テープの貼付量や圧着部材の押圧力などを調整したりすることによって、異方導電性膜層を絶縁層として機能させることが可能である。すなわち、この異方導電性膜層は、半導体素子200の試験時にプローブ2の先端部2aによって押圧された場合に初めて導電膜として機能する。また、上記工程においては、ローラなどを用いて異方導電性フィルムなどを送り出すことによって、電極パッド202の上面に弾性部材50を配置する(貼付する)ことも可能である。   In the above process, the diameter (particle size) of the conductive particles 50a included in the anisotropic conductive film layer (elastic member 50), the density of the conductive particles 50a in the anisotropic conductive film layer, and the like are reduced. It is possible to make the anisotropic conductive film layer function as an insulating layer by setting or adjusting the amount of tape applied or the pressing force of the crimping member. That is, this anisotropic conductive film layer functions as a conductive film only when it is pressed by the tip 2 a of the probe 2 during the test of the semiconductor element 200. Further, in the above process, the elastic member 50 can be disposed (applied) on the upper surface of the electrode pad 202 by feeding an anisotropic conductive film or the like using a roller or the like.

本実施形態では、上記のように、半導体試験装置100は、半導体素子200の電極パッド202の表面に異方導電性を有する弾性部材50を貼付する貼付部20を備える。そして、半導体試験装置100は、半導体素子200の電極パッド202の表面に貼付された弾性部材50の表面にプローブ2の先端部2aを接触させた状態で、プローブ2、弾性部材50および電極パッド202を介して半導体素子200に通電することにより、半導体素子200の試験を行うように構成されている。これにより、プローブ2の先端部2aの形状が尖った形状であったとしても、その尖った形状の先端部2aが、試験対象の半導体素子200の電極パッド202の表面に直接接触(点接触)することがないので、電極パッド202の表面にプローブ2による傷がつくのを抑制することができる。その結果、電極パッド202の表面に面接触するような特別な構造のプローブを用いることなく、電極パッド202の表面に傷がつくのを抑制することができる。また、異方導電性を有するように弾性部材50を構成することによって、弾性部材50を電極パッド202とプローブ2との間のバッファ層として利用しながら、試験時に重要となる他の端子との絶縁を弾性部材50によって確実にとることができる。   In the present embodiment, as described above, the semiconductor test apparatus 100 includes the attaching unit 20 that attaches the elastic member 50 having anisotropic conductivity to the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200. Then, the semiconductor test apparatus 100 has the probe 2, the elastic member 50, and the electrode pad 202 in a state where the distal end portion 2 a of the probe 2 is in contact with the surface of the elastic member 50 attached to the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200. The semiconductor element 200 is configured to be tested by energizing the semiconductor element 200 via the. Thereby, even if the tip 2a of the probe 2 has a sharp shape, the sharp tip 2a directly contacts the surface of the electrode pad 202 of the semiconductor element 200 to be tested (point contact). Therefore, the surface of the electrode pad 202 can be prevented from being damaged by the probe 2. As a result, the surface of the electrode pad 202 can be prevented from being damaged without using a probe having a special structure that makes surface contact with the surface of the electrode pad 202. In addition, by configuring the elastic member 50 to have anisotropic conductivity, the elastic member 50 can be used as a buffer layer between the electrode pad 202 and the probe 2 while being connected to other terminals that are important during the test. Insulation can be reliably obtained by the elastic member 50.

また、本実施形態では、上記のように、電極パッド202の表面に貼付する部材として、異方導電性を有し、かつ、弾性を有する弾性部材50が用いられている。これにより、電極パッド202の表面に貼付する部材として、弾性を有しない硬い部材を用いる場合と異なり、プローブ2の先端部2aと硬い部材とが接触して互いに損傷するのを抑制することができる。   In the present embodiment, as described above, the elastic member 50 having anisotropic conductivity and elasticity is used as a member to be attached to the surface of the electrode pad 202. Thereby, unlike the case where a hard member which does not have elasticity is used as a member stuck on the surface of electrode pad 202, it can control that tip part 2a of probe 2 and a hard member contact, and are mutually damaged. .

また、本実施形態では、上記のように、電極パッド202の表面に貼付される弾性部材50が、異方導電性フィルムまたは異方導電性ペーストなどからなる接着材により構成されている。これにより、弾性部材50が電極パッド202の表面から剥がれることに起因して、プローブ2の尖った形状の先端部2aが電極パッド202に直接接触(点接触)するのを有効に抑制することができる。   In the present embodiment, as described above, the elastic member 50 attached to the surface of the electrode pad 202 is made of an adhesive made of an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste. This effectively suppresses the pointed tip 2a of the probe 2 from coming into direct contact (point contact) due to the elastic member 50 being peeled off from the surface of the electrode pad 202. it can.

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is shown not by the above description of the embodiments but by the scope of claims for patent, and further includes all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims for patent.

たとえば、上記実施形態では、半導体素子の電極パッドの表面に貼付する部材として、異方導電性を有し、かつ、弾性を有する部材を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、半導体素子の電極パッドの表面に貼付する部材は、異方導電性を有する部材であれば、弾性を有しない部材であってもよい。   For example, in the above-described embodiment, as an example of using a member having anisotropic conductivity and elasticity as a member to be attached to the surface of the electrode pad of the semiconductor element, the present invention is not limited to this. In the present invention, the member attached to the surface of the electrode pad of the semiconductor element may be a member that does not have elasticity as long as it is a member having anisotropic conductivity.

同様に、上記実施形態では、半導体素子の電極パッドの表面に貼付する部材として、異方導電性を有する接着材を用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、半導体素子の電極パッドの表面に貼付する部材は、異方導電性を有する部材であれば、接着材でなくてもよい。   Similarly, in the above-described embodiment, an example in which an adhesive having anisotropic conductivity is used as a member to be attached to the surface of the electrode pad of the semiconductor element is shown, but the present invention is not limited to this. In the present invention, the member attached to the surface of the electrode pad of the semiconductor element may not be an adhesive as long as it is a member having anisotropic conductivity.

2 プローブ
2a 先端部
20 貼付部(貼付手段)
50 弾性部材
100 半導体試験装置
200 半導体素子
202 電極パッド(電極)
2 Probe 2a Tip 20 Affixing part (applying means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 50 Elastic member 100 Semiconductor testing apparatus 200 Semiconductor element 202 Electrode pad (electrode)

特開2012−83288号公報JP 2012-83288 A

Claims (6)

電極を有する半導体素子の試験を行う半導体試験装置であって、
尖った形状の先端部を有するプローブと、
前記半導体素子の前記電極の表面に異方導電性を有する部材を貼付する貼付手段とを備え、
前記半導体素子の前記電極の表面に貼付された前記異方導電性を有する部材の表面に前記プローブの前記先端部を接触させた状態で、前記プローブ、前記異方導電性を有する部材および前記電極を介して前記半導体素子に通電することにより、前記半導体素子の試験を行うように構成されている、半導体試験装置。
A semiconductor test apparatus for testing a semiconductor element having an electrode,
A probe having a pointed tip, and
A pasting means for pasting a member having anisotropic conductivity on the surface of the electrode of the semiconductor element;
The probe, the member having anisotropic conductivity, and the electrode in a state where the tip portion of the probe is in contact with the surface of the member having anisotropic conductivity affixed to the surface of the electrode of the semiconductor element A semiconductor test apparatus configured to test the semiconductor element by energizing the semiconductor element via a semiconductor device.
前記貼付手段は、前記半導体素子の前記電極の表面に、異方導電性を有し、かつ、弾性を有する部材を貼付するように構成されている、請求項1に記載の半導体試験装置。   The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the attaching unit is configured to attach a member having anisotropic conductivity and elasticity to a surface of the electrode of the semiconductor element. 前記貼付手段は、前記半導体素子の前記電極の表面に、異方導電性を有する接着材を貼付するように構成されている、請求項1または2に記載の半導体試験装置。   The semiconductor test apparatus according to claim 1, wherein the attaching unit is configured to attach an adhesive having anisotropic conductivity to a surface of the electrode of the semiconductor element. 前記貼付手段は、前記半導体素子の前記電極の表面に、前記接着材として、異方導電性フィルムを貼付するように構成されている、請求項3に記載の半導体試験装置。   The semiconductor test apparatus according to claim 3, wherein the attaching unit is configured to attach an anisotropic conductive film as the adhesive to the surface of the electrode of the semiconductor element. 前記貼付手段は、前記半導体素子の前記電極の表面に、前記接着材として、異方導電性ペーストを貼付するように構成されている、請求項3に記載の半導体試験装置。   The semiconductor test apparatus according to claim 3, wherein the attaching unit is configured to attach an anisotropic conductive paste as the adhesive to the surface of the electrode of the semiconductor element. 尖った形状の先端部を有するプローブを備えた半導体試験装置を用いて電極を有する半導体素子の試験を行う半導体の試験方法であって、
前記半導体素子の前記電極の表面に、異方導電性を有する部材を貼付する工程と、
前記異方導電性を有する部材の表面に前記プローブの前記先端部を接触させる工程と、
前記プローブ、前記異方導電性を有する部材および前記電極を介して前記半導体素子に通電する工程とを備える、半導体の試験方法。
A semiconductor test method for testing a semiconductor element having an electrode using a semiconductor test apparatus provided with a probe having a pointed tip.
A step of attaching a member having anisotropic conductivity to the surface of the electrode of the semiconductor element;
Contacting the tip of the probe with the surface of the member having anisotropic conductivity;
And a step of energizing the semiconductor element through the probe, the member having anisotropic conductivity, and the electrode.
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