JP2014175610A - Annular frame - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an annular frame in which liquid resin does not remain.SOLUTION: In an annular frame having an opening for housing a wafer, and being used when forming a protective film by sticking the outer peripheral part of a dicing tape and sticking a wafer to the dicing tape while positioning at the opening, and then coating the working surface of the wafer with liquid resin, the upper surface, the outer peripheral surface and the lower surface are subjected to water repellent treatment.

Description

本発明は、ウエーハにレーザー加工を施す際に用いる環状フレームに関する。   The present invention relates to an annular frame used when laser processing is performed on a wafer.

IC、LSI、LED等の複数のデバイスが分割予定ライン(ストリート)によって区画され表面に形成されたシリコンウエーハ、サファイヤウエーハ等のウエーハは、加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。   A wafer such as a silicon wafer or a sapphire wafer formed on the surface by dividing a plurality of devices such as IC, LSI, LED, etc. by dividing lines (streets) is divided into individual devices by a processing apparatus. Widely used in various electric devices such as mobile phones and personal computers.

ウエーハの分割には、ダイサーと呼ばれる切削装置を用いたダイシング方法が広く採用されている。ダイシング方法では、ダイアモンド等の砥粒を金属や樹脂で固めて厚さ30μm程度とした切削ブレードを、30000rpm程度の高速で回転させつつウエーハへ切り込ませることでウエーハを切削し、個々のデバイスへと分割する。   A dicing method using a cutting device called a dicer is widely used for dividing the wafer. In the dicing method, a wafer is cut by cutting a wafer into a wafer by rotating a cutting blade having a thickness of about 30 μm by solidifying diamond or other abrasive grains with a metal or resin at a high speed of about 30000 rpm. And split.

一方、近年では、ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームをウエーハに照射することでレーザー加工溝を形成し、ブレーキング装置でウエーハに外力を付与してレーザー加工溝に沿ってウエーハを割断して個々のデバイスへと分割する方法が提案されている(例えば、特開平10−305420号公報参照)。   On the other hand, in recent years, a laser processing groove is formed by irradiating a wafer with a pulsed laser beam having a wavelength that is absorptive to the wafer, and an external force is applied to the wafer by a breaking device to perform the wafer along the laser processing groove. Has been proposed (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 10-305420).

レーザー加工装置によるレーザー加工溝の形成は、ダイサーによるダイシング方法に比べて加工速度を早くすることができるとともに、サファイアやSiC等の硬度の高い素材からなるウエーハであっても比較的容易に加工することができる。また、加工溝を例えば10μm以下等の狭い幅とすることができるので、ダイシング方法で加工する場合に対してウエーハ1枚当たりのデバイス取り量を増やすことができる。   Laser processing grooves formed by a laser processing apparatus can increase the processing speed compared to a dicing method using a dicer, and relatively easily process even a wafer made of a material having high hardness such as sapphire or SiC. be able to. In addition, since the processing groove can be made to have a narrow width of, for example, 10 μm or less, the amount of devices taken per wafer can be increased as compared with the case of processing by the dicing method.

ところが、ウエーハにパルスレーザビームを照射すると、パルスレーザビームが照射された領域に熱エネルギーが集中してデブリが発生する。このデブリがデバイス表面に付着するとデバイスの品質を低下させるという問題が生じる。   However, when the wafer is irradiated with a pulse laser beam, debris is generated due to concentration of thermal energy in the region irradiated with the pulse laser beam. When this debris adheres to the device surface, there arises a problem that the quality of the device is lowered.

そこで、例えば特開2004−322168号公報には、このようなデブリによる問題を解消するために、ウエーハの加工面にPVA(ポリ・ビニール・アルコール)、PEG(ポリ・エチレン・グリコール)等の水溶性液状樹脂を塗布して保護膜を被覆し、この保護膜を通してウエーハにパルスレーザビームを照射するようにしたレーザー加工装置が提案されている。   Therefore, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-322168, in order to solve such a problem caused by debris, water processing such as PVA (polyvinyl alcohol) and PEG (polyethylene glycol) is applied to the processed surface of the wafer. There has been proposed a laser processing apparatus in which a protective liquid film is applied to coat a protective film and a wafer is irradiated with a pulse laser beam through the protective film.

特開平10−305420号公報JP-A-10-305420 特開2004−322168号公報JP 2004-322168 A

しかし、環状フレームの上面及び外周側面に水溶性液状樹脂が残存して環状フレームとともにウエーハを搬送する際に残存している水溶性液状樹脂が搬送装置に付着して搬送に支障をきたすという問題がある。   However, there is a problem in that the water-soluble liquid resin remains on the upper surface and the outer peripheral side surface of the annular frame, and the remaining water-soluble liquid resin adheres to the conveyance device when the wafer is conveyed together with the annular frame, thereby hindering conveyance. is there.

また、レーザー加工装置に保護膜被覆装置が組み込まれていない場合は、独立した保護膜被覆装置でウエーハの加工面に保護膜を形成した後、カセットに収容されて環状フレームとともにウエーハはレーザー加工装置に搬送されるが、レーザー加工装置の搬送装置によってカセットから環状フレームとともにウエーハを仮置き台まで搬送すると、搬送装置に環状フレームが付着したり仮置き台に付着して搬送トラブルが生じるという問題がある。   In addition, when a protective film coating apparatus is not incorporated in the laser processing apparatus, a protective film is formed on the processing surface of the wafer by an independent protective film coating apparatus, and then the wafer is accommodated in the cassette and the wafer is laser processing apparatus. However, if the wafer is transported from the cassette to the temporary placement table together with the annular frame by the transportation device of the laser processing device, there is a problem that the annular frame adheres to the transportation device or adheres to the temporary placement table, resulting in a transportation trouble. is there.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フレームに液状樹脂が残存しない環状フレームを提供することである。   The present invention has been made in view of these points, and an object thereof is to provide an annular frame in which no liquid resin remains on the frame.

本発明によると、ウエーハを収容する開口部を有し、ダイシングテープの外周部が貼着されるとともに該開口部にウエーハを位置付けてダイシングテープに貼着し、ウエーハの加工面に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する際に用いる環状フレームであって、上面、外周面及び下面に撥水処理が施されていることを特徴とする環状フレームが提供される。   According to the present invention, the wafer has an opening, the outer periphery of the dicing tape is attached, the wafer is positioned in the opening and attached to the dicing tape, and a liquid resin is applied to the processed surface of the wafer. An annular frame is provided for use in forming a protective film by coating, wherein an upper surface, an outer peripheral surface, and a lower surface are subjected to water repellent treatment.

本発明の環状フレームは、上面、外周面及び下面に撥水処理が施されているので、液状樹脂をウエーハの加工面に塗付する際に液状樹脂がフレームに付着しても、液状樹脂はフレームの撥水性によって弾かれて残存することがなく、フレームとともにウエーハを搬送する際にフレームが搬送装置に付着したり、或いはフレーム付ウエーハをカセットから搬出する搬出装置にフレームが付着したり、仮置き台に付着して搬送に支障をきたすという問題を解消することができる。   In the annular frame of the present invention, the upper surface, outer peripheral surface and lower surface are subjected to water repellency treatment, so even if the liquid resin adheres to the frame when the liquid resin is applied to the processed surface of the wafer, the liquid resin The frame is not bounced and remains due to the water repellency of the frame, and the frame adheres to the conveyance device when the wafer is conveyed together with the frame, or the frame adheres to the unloading device that unloads the wafer with frame from the cassette. It is possible to eliminate the problem of causing troubles in transportation due to adhesion to the table.

レーザー加工装置の外観斜視図である。It is an external appearance perspective view of a laser processing apparatus. ダイシングテープを介して環状フレームに支持されたウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer supported by the annular frame via the dicing tape. レーザビーム照射ユニットのブロック図である。It is a block diagram of a laser beam irradiation unit. 保護膜被覆装置の一部破断斜視図である。It is a partially broken perspective view of a protective film coating apparatus. 環状フレーム押さえ手段の側面図である。It is a side view of an annular frame pressing means. スピンナテーブルが上昇された状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the protective film coating apparatus in a state where the spinner table is raised. スピンナテーブルが下降されて環状フレームに撥水処理を施している状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the protective film coating apparatus in a state where the spinner table is lowered and a water repellent treatment is applied to the annular frame. 環状フレームに撥水処理を施した後、液状樹脂を吐出してウエーハ全面に液状樹脂をスピンコーティングして保護膜を形成している状態の保護膜被覆装置の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a protective film coating apparatus in a state where a liquid film is discharged on a circular frame and then a liquid resin is discharged to spin coat the liquid resin on the entire surface of the wafer to form a protective film. 環状フレームに手作業で撥水処理を施している状態の斜視図である。It is a perspective view in the state where water repellent treatment is performed to the annular frame by hand.

以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は環状フレームに撥水処理を施すことのできる本発明の保護膜被覆装置を具備し、ウエーハにレーザー加工を施すことのできるレーザー加工装置2の外観を示している。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an external appearance of a laser processing apparatus 2 that includes a protective film coating apparatus of the present invention that can perform water-repellent treatment on an annular frame and that can perform laser processing on a wafer.

レーザー加工装置2の前面側には、オペレータが加工条件等の装置に対する指示を入力するための操作手段4が設けられている。装置上部には、オペレータに対する案内画面や後述する撮像手段によって撮像された画像が表示されるCRT等の表示手段6が設けられている。   On the front side of the laser processing apparatus 2, operation means 4 is provided for an operator to input instructions to the apparatus such as processing conditions. In the upper part of the apparatus, there is provided a display means 6 such as a CRT for displaying a guidance screen for an operator and an image taken by an imaging means described later.

図2に示すように、加工対象の半導体ウエーハWの表面においては、第1のストリートS1と第2のストリートS2とが直交して形成されており、第1のストリートS1と第2のストリートS2とによって区画された領域に多数のデバイスDが形成されている。   As shown in FIG. 2, on the surface of the semiconductor wafer W to be processed, the first street S1 and the second street S2 are formed orthogonally, and the first street S1 and the second street S2 are formed. A number of devices D are formed in a region partitioned by.

ウエーハWは粘着テープであるダイシングテープTに貼着され、ダイシングテープTの外周縁部は環状フレームFに貼着されている。これにより、ウエーハWはダイシングテープTを介して環状フレームFに支持された状態となり、図1に示したウエーハカセット8中にウエーハが複数枚(例えば25枚)収容される。ウエーハカセット8は上下動可能なカセットエレベータ9上に載置される。   The wafer W is attached to a dicing tape T that is an adhesive tape, and the outer peripheral edge of the dicing tape T is attached to an annular frame F. As a result, the wafer W is supported by the annular frame F via the dicing tape T, and a plurality of wafers (for example, 25 sheets) are accommodated in the wafer cassette 8 shown in FIG. The wafer cassette 8 is placed on a cassette elevator 9 that can move up and down.

ウエーハカセット8の後方には、ウエーハカセット8からレーザー加工前のウエーハWを搬出するとともに、加工後のウエーハをウエーハカセット8に搬入する搬出入手段10が配設されている。   Behind the wafer cassette 8 is provided a loading / unloading means 10 for unloading the wafer W before laser processing from the wafer cassette 8 and loading the processed wafer into the wafer cassette 8.

ウエーハカセット8と搬出入手段10との間には、搬出入対象のウエーハが一時的に載置される領域である仮置き領域12が設けられており、仮置き領域12にはウエーハWを一定の位置に位置合わせする位置合わせ手段14が配設されている。   Between the wafer cassette 8 and the loading / unloading means 10, a temporary placement area 12, which is an area on which a wafer to be loaded / unloaded is temporarily placed, is provided. A wafer W is fixed in the temporary placement area 12. Positioning means 14 for positioning to the position of is arranged.

30は保護膜被覆装置であり、この保護膜被覆装置30は加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。仮置き領域12の近傍には、ウエーハWと一体となったフレームFを吸着して搬送する旋回アームを有する搬送手段16が配設されている。   Reference numeral 30 denotes a protective film coating apparatus. The protective film coating apparatus 30 also serves as a cleaning apparatus for cleaning the processed wafer. In the vicinity of the temporary placement region 12, a transport unit 16 having a turning arm that sucks and transports the frame F integrated with the wafer W is disposed.

仮置き領域12に搬出されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されて保護膜被覆装置30に搬送される。保護膜被覆装置30では、後で詳細に説明するようにウエーハWの加工面に保護膜が被覆される。   The wafer W carried out to the temporary placement region 12 is adsorbed by the transport means 16 and transported to the protective film coating apparatus 30. In the protective film coating apparatus 30, a protective film is coated on the processed surface of the wafer W as described in detail later.

加工面に保護膜が被覆されたウエーハWは、搬送手段16により吸着されてチャックテーブル18上に搬送され、チャックテーブル18に吸引されるとともに、複数の固定手段(クランプ)19によりフレームFが固定されることでチャックテーブル18上に保持される。   The wafer W whose processing surface is coated with a protective film is attracted by the conveying means 16 and conveyed onto the chuck table 18 and is sucked by the chuck table 18, and the frame F is fixed by a plurality of fixing means (clamps) 19. As a result, the chuck table 18 is held.

チャックテーブル18は、回転可能且つX軸方向に往復動可能に構成されており、チャックテーブル18のX軸方向の移動経路の上方には、ウエーハWのレーザー加工すべきストリートを検出するアライメント手段20が配設されている。   The chuck table 18 is configured to be rotatable and reciprocally movable in the X-axis direction. Above the movement path of the chuck table 18 in the X-axis direction, an alignment unit 20 that detects a street of the wafer W to be laser processed. Is arranged.

アライメント手段20は、ウエーハWの表面を撮像する撮像手段22を備えており、撮像により取得した画像に基づき、パターンマッチング等の画像処理によってレーザー加工すべきストリートを検出することができる。撮像手段22によって取得された画像は、表示手段6に表示される。   The alignment unit 20 includes an imaging unit 22 that images the surface of the wafer W, and can detect a street to be laser processed by image processing such as pattern matching based on an image acquired by imaging. The image acquired by the imaging unit 22 is displayed on the display unit 6.

アライメント手段20の左側には、チャックテーブル18に保持されたウエーハWに対してレーザビームを照射するレーザビーム照射ユニット24が配設されている。レーザビーム照射ユニット24のケーシング26中には後で詳細に説明するレーザビーム発振手段等が収容されており、ケーシング26の先端にはレーザビームを加工すべきウエーハ上に集光する集光器28が装着されている。   A laser beam irradiation unit 24 that irradiates the wafer W held on the chuck table 18 with a laser beam is disposed on the left side of the alignment means 20. The casing 26 of the laser beam irradiation unit 24 accommodates laser beam oscillation means and the like which will be described in detail later, and a condenser 28 that condenses the laser beam on the wafer to be processed at the tip of the casing 26. Is installed.

レーザビーム照射ユニット24のケーシング26内には、図3のブロック図に示すように、レーザビーム発振手段34と、レーザビーム変調手段36が配設されている。   In the casing 26 of the laser beam irradiation unit 24, a laser beam oscillation means 34 and a laser beam modulation means 36 are disposed as shown in the block diagram of FIG.

レーザビーム発振手段34としては、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器を用いることができる。レーザビーム変調手段36は、繰り返し周波数設定手段38と、パルス幅設定手段40と、波長設定手段42を含んでいる。   As the laser beam oscillation means 34, a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator can be used. The laser beam modulating unit 36 includes a repetition frequency setting unit 38, a pulse width setting unit 40, and a wavelength setting unit 42.

レーザビーム変調手段36を構成する繰り返し周波数設定手段38、パルス幅設定手段40及び波長設定手段42は周知の形態のものであり、本明細書においてはその詳細な説明を省略する。   The repetition frequency setting means 38, the pulse width setting means 40, and the wavelength setting means 42 constituting the laser beam modulating means 36 are of a well-known form and will not be described in detail in this specification.

レーザビーム照射ユニット24によりレーザー加工が終了したウエーハWは、チャックテーブル18をX軸方向に移動してから、Y軸方向に移動可能な搬送手段32により保持されて洗浄装置を兼用する保護膜被覆装置30まで搬送される。保護膜被覆装置30では、洗浄ノズルから水を噴射しながらウエーハWを低速回転(例えば800〜1000rpm)させることによりウエーハを洗浄する。   The wafer W which has been subjected to laser processing by the laser beam irradiation unit 24 is held by the conveying means 32 which is movable in the Y-axis direction after moving the chuck table 18 in the X-axis direction, and is covered with a protective film that also serves as a cleaning device It is conveyed to the device 30. The protective film coating apparatus 30 cleans the wafer by rotating the wafer W at a low speed (for example, 800 to 1000 rpm) while spraying water from the cleaning nozzle.

洗浄後、ウエーハWを高速回転(例えば1500〜2000rpm)させながらエアノズルからエアを噴出させてウエーハWを乾燥させた後、搬送手段16によりウエーハWを吸着して仮置き領域12に戻し、更に搬出入手段10によりウエーハカセット8の元の収納場所にウエーハWは戻される。   After cleaning, the wafer W is dried by rotating the wafer W at high speed (for example, 1500 to 2000 rpm) to dry the wafer W, and then the wafer W is adsorbed by the conveying means 16 and returned to the temporary storage area 12 and further carried out. The wafer W is returned to the original storage location of the wafer cassette 8 by the insertion means 10.

次に、本発明実施形態に係る保護膜被覆装置30について図4乃至図8を参照して詳細に説明する。まず図4を参照すると、保護膜被覆装置30の一部破断斜視図が示されている。   Next, the protective film coating apparatus 30 according to the embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 8. First, referring to FIG. 4, a partially broken perspective view of the protective film coating apparatus 30 is shown.

保護膜被覆装置30は、スピンナテーブル機構44と、スピンナテーブル機構44を包囲して配設された洗浄水受け機構46を具備している。スピンナテーブル機構44は、スピンナテーブル48と、スピンナテーブル48を回転駆動する電動モータ50と、電動モータ50を上下方向に移動可能に支持する支持機構52とから構成される。   The protective film coating apparatus 30 includes a spinner table mechanism 44 and a cleaning water receiving mechanism 46 that surrounds the spinner table mechanism 44. The spinner table mechanism 44 includes a spinner table 48, an electric motor 50 that rotationally drives the spinner table 48, and a support mechanism 52 that supports the electric motor 50 so as to be movable in the vertical direction.

スピンナテーブル48は多孔性材料から形成された吸着チャック48aを具備しており、吸着チャック48aが図示しない吸引手段に連通されている。従って、スピンナテーブル48は、吸着チャック48aにウエーハを載置し図示しない吸引手段により負圧を作用させることにより、吸着チャック48a上にウエーハを吸引保持する。   The spinner table 48 includes a suction chuck 48a formed of a porous material, and the suction chuck 48a communicates with suction means (not shown). Accordingly, the spinner table 48 holds the wafer on the suction chuck 48a by placing the wafer on the suction chuck 48a and applying a negative pressure by suction means (not shown).

スピンナテーブル48は、電動モータ50の出力軸50aに連結されている。支持機構52は、複数の(本実施形態においては3本)の支持脚54と、支持脚54にそれぞれ連結され電動モータ50に取り付けられた複数(本実施形態においては3本)のエアシリンダ56とから構成される。   The spinner table 48 is connected to the output shaft 50 a of the electric motor 50. The support mechanism 52 includes a plurality of (three in the present embodiment) support legs 54 and a plurality of (three in the present embodiment) air cylinders 56 respectively connected to the support legs 54 and attached to the electric motor 50. It consists of.

このように構成された支持機構52は、エアシリンダ56を作動することにより、電動モータ50及びスピンナテーブル48を図6に示す上昇位置であるウエーハ搬入・搬出位置と、図7に示す下降位置である作業位置に位置付け可能である。   The support mechanism 52 configured as described above operates the air cylinder 56 to move the electric motor 50 and the spinner table 48 at the wafer loading / unloading position, which is the rising position shown in FIG. 6, and the lowered position, shown in FIG. It can be positioned at a certain work position.

洗浄水受け機構46は、洗浄水受け容器58と、洗浄水受け容器58を支持する3本(図4には2本のみ図示)の支持脚60と、電動モータ50の出力軸50aに装着されたカバー部材62とから構成される。   The cleaning water receiving mechanism 46 is attached to the cleaning water receiving container 58, three support legs 60 (only two are shown in FIG. 4) that support the cleaning water receiving container 58, and the output shaft 50 a of the electric motor 50. Cover member 62.

洗浄水受け容器58は、図6に示すように、円筒状の外側壁58aと、底壁58bと、内側壁58cとから構成される。底壁58bの中央部には、電動モータ50の出力軸50aが挿入される穴51が設けられており、内側壁58cはこの穴51の周辺から上方に突出するように形成されている。   As shown in FIG. 6, the washing water receiving container 58 includes a cylindrical outer wall 58a, a bottom wall 58b, and an inner wall 58c. A hole 51 into which the output shaft 50a of the electric motor 50 is inserted is provided at the center of the bottom wall 58b, and the inner wall 58c is formed so as to protrude upward from the periphery of the hole 51.

また、図4に示すように、底壁58bには廃液口59が設けられており、この廃液口59にドレンホース64が接続されている。カバー部材62は円盤状に形成されており、その外周縁から下方に突出するカバー部62aを備えている。   As shown in FIG. 4, a waste liquid port 59 is provided on the bottom wall 58 b, and a drain hose 64 is connected to the waste liquid port 59. The cover member 62 is formed in a disc shape, and includes a cover portion 62a that protrudes downward from the outer peripheral edge thereof.

このように構成されたカバー部材62は、電動モータ50及びスピンナテーブル48が図7に示す作業位置に位置付けられると、カバー部62aが洗浄水受け容器58を構成する内側壁58cの外側に隙間を持って重合するように位置付けられる。   When the electric motor 50 and the spinner table 48 are positioned at the work position shown in FIG. 7, the cover member 62 configured as described above has a gap on the outside of the inner wall 58 c constituting the cleaning water receiving container 58. It is positioned to polymerize.

保護膜被覆装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工前の半導体ウエーハに液状樹脂を塗布する塗布手段66を具備している。塗布手段66は、スピンナテーブル48に保持された加工前のウエーハの加工面に向けて液状樹脂を吐出する吐出ノズル68と、吐出ノズル68を支持する概略L形状のアーム70とを含んでいる。   The protective film coating apparatus 30 includes an application unit 66 that applies a liquid resin to an unprocessed semiconductor wafer held by a spinner table 48. The application unit 66 includes a discharge nozzle 68 that discharges the liquid resin toward the processed surface of the wafer before processing held by the spinner table 48, and an approximately L-shaped arm 70 that supports the discharge nozzle 68.

塗布手段66は更に、アーム70に支持された吐出ノズル68をスピンナテーブル48に支持されたウエーハWの中心部に対応する液状樹脂吐出位置と、スピンナテーブル48から外れた図4に示す退避位置との間で揺動する正転・逆転可能な電動モータ72とを含んでいる。吐出ノズル68はアーム70を介して図示しない液状樹脂供給源に接続されている。   The coating means 66 further includes a liquid resin discharge position corresponding to the central portion of the wafer W supported by the spinner table 48 with the discharge nozzle 68 supported by the arm 70, and a retracted position shown in FIG. And an electric motor 72 capable of normal / reverse rotation that swings between the two. The discharge nozzle 68 is connected to a liquid resin supply source (not shown) via an arm 70.

保護膜被覆装置30は、環状フレームFに撥水処理を施す撥水処理手段74を備えている。撥水処理手段74は、スピンナテーブル48に保持された環状フレームFの上面及び側面に撥水処理を施すノズル78と、環状フレームFの下面に撥水処理を施すノズル80を具備している。ノズル78はモータ82により図7に示した作業位置と退避位置との間で揺動可能に取り付けられている。   The protective film coating apparatus 30 includes water repellent treatment means 74 that performs water repellent treatment on the annular frame F. The water repellent treatment means 74 includes a nozzle 78 that performs water repellent treatment on the upper surface and side surfaces of the annular frame F held by the spinner table 48 and a nozzle 80 that performs water repellent treatment on the lower surface of the annular frame F. The nozzle 78 is attached by a motor 82 so as to be swingable between the working position and the retracted position shown in FIG.

保護膜被覆装置30はレーザー加工後のウエーハを洗浄する洗浄装置を兼用する。よって、保護膜被覆装置30は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウエーハを洗浄するための洗浄水供給手段76を具備している。   The protective film coating apparatus 30 also serves as a cleaning apparatus for cleaning the wafer after laser processing. Therefore, the protective film coating apparatus 30 includes cleaning water supply means 76 for cleaning the processed wafer held by the spinner table 48.

洗浄水供給手段76は、スピンナテーブル48に保持された加工後のウエーハに向けて洗浄水を噴出する洗浄水ノズル84と、洗浄水ノズル84を支持するアーム86と、アーム86に支持された洗浄水ノズル84を揺動する図示しないモータとから構成される。洗浄水ノズル84はアーム86を介して図示しない洗浄水供給源に接続されている。   The cleaning water supply means 76 includes a cleaning water nozzle 84 that ejects cleaning water toward the processed wafer held by the spinner table 48, an arm 86 that supports the cleaning water nozzle 84, and a cleaning supported by the arm 86. It comprises a motor (not shown) that swings the water nozzle 84. The cleaning water nozzle 84 is connected to a cleaning water supply source (not shown) via an arm 86.

スピンナテーブル48には、環状フレームFを押さえる4個の振り子式の環状フレーム押さえ手段49が配設されている。環状フレーム押さえ手段49は、スピンナテーブル48に固定された支持部88と、支持部88に回動可能に取り付けられた振り子体(クランプ)90を含んでいる。振り子体90は振り子軸95を介して支持部88に回動可能に取り付けられている。98は振り子軸98の抜けを防止するスナップリングである。   The spinner table 48 is provided with four pendulum type annular frame pressing means 49 for pressing the annular frame F. The annular frame pressing means 49 includes a support portion 88 fixed to the spinner table 48 and a pendulum body (clamp) 90 that is rotatably attached to the support portion 88. The pendulum body 90 is rotatably attached to the support portion 88 via a pendulum shaft 95. A snap ring 98 prevents the pendulum shaft 98 from coming off.

振り子体90は例えば鉄等の強磁性体から形成されており、錘部92と、錘部92と一体的に形成された環状フレームFを押さえる爪部94とから構成される。支持部88には永久磁石から構成された錘固定部96が取り付けられている。   The pendulum body 90 is made of, for example, a ferromagnetic material such as iron, and includes a weight portion 92 and a claw portion 94 that presses an annular frame F formed integrally with the weight portion 92. A weight fixing portion 96 made of a permanent magnet is attached to the support portion 88.

振り子体90は、スピンナテーブル48の回転速度が所定速度以下の時には、錘固定部96の磁力が振り子体90の遠心力に打ち勝って錘部92が錘固定部96に吸着されて固定され、爪部94は図5に示す解放位置に位置付けられ、スピンナテーブル48の回転速度が所定速度より速い時には、振り子体90の遠心力が錘固定部96の磁力に打ち勝って錘部90が錘固定部96から外れて爪部94が環状フレームFを押さえる押さえ位置に位置付けられるように、錘固定部96の磁力と振り子体90の強磁性体の種類及びその質量が設定されている。   When the rotation speed of the spinner table 48 is equal to or lower than a predetermined speed, the pendulum body 90 is fixed by the magnetic force of the weight fixing portion 96 overcoming the centrifugal force of the pendulum body 90 and the weight portion 92 is attracted to the weight fixing portion 96 and fixed. The portion 94 is positioned at the release position shown in FIG. 5, and when the rotation speed of the spinner table 48 is higher than a predetermined speed, the centrifugal force of the pendulum body 90 overcomes the magnetic force of the weight fixing portion 96 and the weight portion 90 becomes the weight fixing portion 96. The magnetic force of the weight fixing portion 96, the type of the ferromagnetic material of the pendulum body 90, and the mass thereof are set so that the claw portion 94 is positioned at a pressing position where the claw portion 94 presses the annular frame F.

振り子体90は、その全体が強磁性体から形成される必要はなく、錘固定部96の磁力により吸着される錘部92の一部が強磁性体から形成されていればよい。本実施形態では前記所定速度を1000rpmに設定した。   The pendulum body 90 does not need to be entirely formed of a ferromagnetic material, and a part of the weight portion 92 that is attracted by the magnetic force of the weight fixing portion 96 may be formed of a ferromagnetic material. In the present embodiment, the predetermined speed is set to 1000 rpm.

以下、このように構成された保護膜被覆装置30の作用について説明する。ウエーハ搬送手段16の旋回動作によって加工前の半導体ウエーハWは保護膜被覆装置30のスピンナテーブル48に搬送され、吸着チャック48aにより吸引保持される。   Hereinafter, the operation of the protective film coating apparatus 30 configured as described above will be described. The semiconductor wafer W before processing is transported to the spinner table 48 of the protective film coating apparatus 30 by the turning operation of the wafer transport means 16, and is sucked and held by the suction chuck 48a.

この時、スピンナテーブル48は図6に示すウエーハ搬入・搬出位置に位置付けられており、吐出ノズル68、ノズル78及び洗浄ノズル84は、図4に示すように、スピンナテーブル48の上方から隔離した退避位置に位置付けられている。   At this time, the spinner table 48 is positioned at the wafer loading / unloading position shown in FIG. 6, and the discharge nozzle 68, the nozzle 78, and the cleaning nozzle 84 are retracted from above the spinner table 48 as shown in FIG. Is positioned.

加工前のウエーハWが保護膜被覆装置30のスピンナテーブル48上に保持されたならば、環状フレームFに撥水処理を施す撥水処理工程を実施する。撥水処理工程を実施するには、エアシリンダ56を駆動してスピンナテーブル48を図7で矢印A方向に移動して作業位置に位置付ける。   If the unprocessed wafer W is held on the spinner table 48 of the protective film coating apparatus 30, a water repellent treatment process for subjecting the annular frame F to a water repellent treatment is performed. In order to perform the water repellent process, the air cylinder 56 is driven and the spinner table 48 is moved in the direction of arrow A in FIG.

更に、撥水処理手段74のノズル78をモータ82により回動して環状フレームFの上方に位置付ける。ノズル78及び80から撥水剤を噴出しながらモータ50を駆動してスピンナテーブル48を矢印R1方向に100rpm程度の低速で回転させて、環状フレームFの上面、外周面及び下面に撥水処理を施す。この時、振り子体90の錘部92は磁力によって錘固定部96に固定されている。   Further, the nozzle 78 of the water repellent treatment means 74 is rotated by the motor 82 and positioned above the annular frame F. The motor 50 is driven while the water repellent is ejected from the nozzles 78 and 80, and the spinner table 48 is rotated at a low speed of about 100 rpm in the direction of the arrow R1, and water repellent treatment is performed on the upper surface, outer peripheral surface and lower surface of the annular frame F. Apply. At this time, the weight portion 92 of the pendulum body 90 is fixed to the weight fixing portion 96 by magnetic force.

ここで、環状フレームFの撥水処理としては、アメリカのMcNTT社が提供する(ReviveXウォッシュイン撥水剤)のコーティングを採用可能である。   Here, as the water repellent treatment of the annular frame F, a coating of (ReviveX wash-in water repellent) provided by McNTT of the United States can be employed.

環状フレームFの撥水処理実施後、保護膜被覆工程を実施する。保護膜被覆工程では、モータ72を駆動して塗付手段66の吐出ノズル68を図8に示す作業位置に位置付けて、液状樹脂69をウエーハW上に吐出してから、電動モータ50を駆動してスピンナテーブル48を矢印R1方向に約200rpmで回転させて吐出された液状樹脂をウエーハWの全面にスピンコーティングする。   After the water repellent treatment of the annular frame F, a protective film coating step is performed. In the protective film coating step, the motor 72 is driven to position the discharge nozzle 68 of the coating means 66 at the work position shown in FIG. 8 and the liquid resin 69 is discharged onto the wafer W, and then the electric motor 50 is driven. Then, the spinner table 48 is rotated in the direction of the arrow R1 at about 200 rpm, and the discharged liquid resin is spin-coated on the entire surface of the wafer W.

スピンナテーブル48は200rpmという比較的低速で回転されるので、振り子体90の錘部92は磁力によって錘固定部96に固定されている。スピンナテーブル48が200rpmの回転速度で回転されるため、液状樹脂をウエーハW表面に満遍なくスピンコーティングして保護膜を形成することができる。   Since the spinner table 48 is rotated at a relatively low speed of 200 rpm, the weight portion 92 of the pendulum body 90 is fixed to the weight fixing portion 96 by a magnetic force. Since the spinner table 48 is rotated at a rotation speed of 200 rpm, it is possible to form a protective film by uniformly spin-coating the liquid resin on the surface of the wafer W.

保護膜を形成する液状樹脂としては、PVA(ポリ・ビニール・アルコール)、PEG(ポリ・エチレン・グリコール)、PEO(酸化ポリエチレン)等の水溶性のレジストが望ましい。   The liquid resin for forming the protective film is preferably a water-soluble resist such as PVA (polyvinyl alcohol), PEG (polyethylene glycol), PEO (polyethylene oxide).

上述した保護膜被覆装置30によると、保護膜を被覆する前に環状フレームFの上面、外周面及び下面に撥水処理を施しているので、液状樹脂をウエーハWの加工面に塗付する際に液状樹脂が環状フレームFに付着しても環状フレームFには撥水処理が施されているため、液状樹脂は環状フレームFの撥水性によって弾かれて残存することがなく、環状フレームFとともにウエーハWを搬送する際に環状フレームFが搬送手段16に付着することがない。   According to the protective film coating apparatus 30 described above, the water repellent treatment is applied to the upper surface, the outer peripheral surface and the lower surface of the annular frame F before the protective film is coated, so that the liquid resin is applied to the processed surface of the wafer W. Even if the liquid resin adheres to the annular frame F, the annular frame F is water-repellent, so that the liquid resin is not repelled and remains by the water repellency of the annular frame F. The annular frame F does not adhere to the conveying means 16 when conveying the wafer W.

上述した実施形態では、保護膜被覆装置30に撥水処理手段74を設けた例について説明したが、環状フレームFの撥水処理は、図9に示すように、スプレー缶90による手作業で実施するようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the example in which the protective film coating apparatus 30 is provided with the water-repellent treatment means 74 has been described. However, the water-repellent treatment of the annular frame F is performed manually by a spray can 90 as shown in FIG. You may make it do.

即ち、オペレータがスプレー缶90を把持して、環状フレームFにガラスコーティング又はテフロン(登録商標)等のフッ素コーティングを実施して、環状フレームFに撥水性を持たせるようにしてもよい。或いは、スプレー缶90を使用せずに、ガラスコーティング又はテフロン等のフッ素コーティングを施してもよい。   That is, the operator may grasp the spray can 90 and apply glass coating or fluorine coating such as Teflon (registered trademark) on the annular frame F so that the annular frame F has water repellency. Alternatively, a glass coating or a fluorine coating such as Teflon may be applied without using the spray can 90.

W 半導体ウエーハ
F 環状フレーム
T ダイシングテープ
2 レーザー加工装置
18 チャックテーブル
24 レーザービーム照射ユニット
28 集光器
30 保護膜被覆装置
48 スピンナテーブル
66 液状樹脂塗布手段
68 吐出ノズル
74 撥水剤塗付手段
78,80 ノズル
90 スプレー缶
W Semiconductor wafer F Circular frame T Dicing tape 2 Laser processing device 18 Chuck table 24 Laser beam irradiation unit 28 Condenser 30 Protective film coating device 48 Spinner table 66 Liquid resin coating means 68 Discharge nozzle 74 Water repellent coating means 78, 80 nozzle 90 spray can

Claims (1)

ウエーハを収容する開口部を有し、ダイシングテープの外周部が貼着されるとともに該開口部にウエーハを位置付けてダイシングテープに貼着し、ウエーハの加工面に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する際に用いる環状フレームであって、
上面、外周面及び下面に撥水処理が施されていることを特徴とする環状フレーム。
It has an opening for accommodating the wafer, and the outer peripheral portion of the dicing tape is attached to the wafer, and the wafer is positioned at the opening and attached to the dicing tape, and a liquid resin is applied to the processed surface of the wafer to provide a protective film. An annular frame used when forming
An annular frame characterized in that water repellent treatment is applied to the upper surface, outer peripheral surface and lower surface.
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