JP2014172087A - 酸化物ドットパターンの作製方法及び酸化物ドットパターン - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 99
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 129
- 238000000034 method Methods 0.000 description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910005329 FeSi 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000560 biocompatible material Substances 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000000942 confocal micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JRACIMOSEUMYIP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)iron Chemical compound [Si]=[Fe]=[Si] JRACIMOSEUMYIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006585 β-FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】酸化物ドットパターン作製装置100は予備加熱ステップと転写ステップとを含む酸化物ドットパターンの作製方法を実現する。予備加熱ステップは、転写用基板114が酸化物原料膜に対向配置された酸化物原料膜/透明支持板113に、第一のパルスレーザー光を酸化物原料膜が膜加熱しつつも転写がみられないレーザーエネルギーで照射して予備加熱する。転写ステップは、第一のパルスレーザー光の照射終了後で予備加熱の効果が認められる範囲の所定時間経過後に、酸化物原料膜/透明支持板113に、第一のパルスレーザー光の照射面積に収まるような位置で、かつ、照射面積以下の面積で第二のパルスレーザー光を照射して、転写用基板114に酸化物からなるドットを転写する。
【選択図】図1
Description
101 制御コンピュータ
102 遅延発生器
103 第1レーザー光源
104 第2レーザー光源
105、107 アッテネータ
106、108 ミラー
109 ビームスプリッタ
110 ディフューザー
111 ガルバノ走査ミラー
112 レンズ
113 酸化物原料膜/透明支持板
114 転写用基板
115 酸化物ドット
Claims (9)
- 酸化物膜が表面に形成された透明板に対し、前記酸化物膜側又は前記透明板側から第一のパルスレーザー光を前記酸化物膜が膜加熱しつつも転写がみられないレーザーエネルギーで照射して予備加熱する予備加熱ステップと、
前記酸化物膜が表面に形成された透明板に対する前記第一のパルスレーザー光の照射終了後で前記予備加熱の効果が認められる範囲の所定時間経過後に、前記第一のパルスレーザー光の照射面積に収まるような位置で、かつ、前記照射面積以下の面積で第二のパルスレーザー光を前記酸化物膜が表面に形成された透明板に、前記酸化物膜側又は前記透明板側から照射して、前記酸化物膜が表面に形成された透明板の前記酸化物膜に対して対向配置された転写用基板に酸化物からなるドットを転写する転写ステップと
を含むことを特徴とする酸化物ドットパターンの作製方法。 - 前記転写ステップは、
レーザーエネルギーが、前記第一のパルスレーザー光のレーザーエネルギーよりも大きく、かつ、溶融物・蒸発物が激しく飛散し一つの照射区画から二つ以上の転写物が生じてしまうレーザーエネルギーより小さいエネルギー範囲に設定した前記第二のパルスレーザー光により、前記転写を行うことを特徴とする請求項1記載の酸化物ドットパターンの作製方法。 - 前記所定の遅延時間は、10μs以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の酸化物ドットパターンの作製方法。
- 前記第一及び第二のパルスレーザー光は、それぞれの波長が少なくとも前記酸化物膜が表面に形成された透明板の前記酸化物膜が光吸収を有する波長であり、それぞれのパルス幅が前記転写用基板として低融点基板の使用を可能にするパルス幅に設定されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の酸化物ドットパターンの作製方法。
- 前記第二のパルスレーザー光の前記酸化物膜が表面に形成された透明板の界面における一照射区画の面積は、100×100μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4記載のうちいずれか一項記載の酸化物ドットパターンの作製方法。
- 前記転写用基板は、前記酸化物膜が表面に形成された透明板の、前記第一及び第二のパルスレーザー光の入射側とは反対側に、前記酸化物膜に対して対向配置されていることを特徴とする請求項1乃至5記載のうちいずれか一項記載の酸化物ドットパターンの作製方法。
- 前記転写用基板は、前記第一及び第二のパルスレーザー光のうち透過するパルスレーザー光の波長に対して透明な特性を有し、かつ、前記酸化物膜に対して対向配置されており、前記第一及び第二のパルスレーザー光の両方又はどちらか一方の入射パルスレーザー光を透過させて前記酸化物膜が表面に形成された透明板に照射することを特徴とする請求項1乃至5記載のうちいずれか一項記載の酸化物ドットパターンの作製方法。
- 請求項1乃至7のうちいずれか一項記載の酸化物ドットパターンの作製方法により作製された酸化物ドットパターンであって、
前記酸化物からなるドットが、前記転写用基板の表面の選択した位置に目的とするサイズに対して±25%以内で、均質に2個以上設けられたことを特徴とする酸化物ドットパターン。 - 酸化物からなるドットの面内平均直径が、0.5〜10μmであることを特徴とする請求項8記載の酸化物ドットパターン。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013049567A JP6041145B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 酸化物ドットパターンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2013049567A JP6041145B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 酸化物ドットパターンの作製方法 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014172087A true JP2014172087A (ja) | 2014-09-22 |
JP6041145B2 JP6041145B2 (ja) | 2016-12-07 |
Family
ID=51693915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013049567A Active JP6041145B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 酸化物ドットパターンの作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6041145B2 (ja) |
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